JP3492802B2 - 低損失フェライト材料 - Google Patents
低損失フェライト材料Info
- Publication number
- JP3492802B2 JP3492802B2 JP04102695A JP4102695A JP3492802B2 JP 3492802 B2 JP3492802 B2 JP 3492802B2 JP 04102695 A JP04102695 A JP 04102695A JP 4102695 A JP4102695 A JP 4102695A JP 3492802 B2 JP3492802 B2 JP 3492802B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- ferrite
- ferrite material
- less
- coo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波領域での損失が低
いフェライト材料に関するものである。
いフェライト材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フェライト材料はインダクター素子等と
して広く使用されている。例えば、Ｆｅ2 Ｏ3 −ＺｎＯ
−ＮｉＯを主成分とするフェライト材料（Ｎｉ−Ｚｎ系
フェライト）を用いてフェライトコアを製造し、この巻
線部にコイル線を巻回し、コイル線接続用のリードピン
をフェライトコアに取り付けた構造のインダクター素子
が使用されている。
して広く使用されている。例えば、Ｆｅ2 Ｏ3 −ＺｎＯ
−ＮｉＯを主成分とするフェライト材料（Ｎｉ−Ｚｎ系
フェライト）を用いてフェライトコアを製造し、この巻
線部にコイル線を巻回し、コイル線接続用のリードピン
をフェライトコアに取り付けた構造のインダクター素子
が使用されている。
【０００３】ところで、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材料は
従来より高周波用フェライトとして多用されているが、
粒成長により結晶が大きくなると３０ＭＨｚ以上の高周
波領域における損失が増大してしまうことから、これを
防止するために焼成温度を低くして粒成長を抑えること
が行われている。
従来より高周波用フェライトとして多用されているが、
粒成長により結晶が大きくなると３０ＭＨｚ以上の高周
波領域における損失が増大してしまうことから、これを
防止するために焼成温度を低くして粒成長を抑えること
が行われている。
【０００４】また、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材料は高周
波領域で電気抵抗値及びＱ値が高いものであるが、さら
に高いＱ値を得るためにＦｅ2 Ｏ3 を数％過剰に加えた
フェライトにＣｏＯを添加し、焼成後に再度焼鈍するこ
とも行われている。
波領域で電気抵抗値及びＱ値が高いものであるが、さら
に高いＱ値を得るためにＦｅ2 Ｏ3 を数％過剰に加えた
フェライトにＣｏＯを添加し、焼成後に再度焼鈍するこ
とも行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のＮｉ
−Ｚｎ系フェライトにおいて、結晶径を制御するために
焼成温度を低くした場合、焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3
以下と理論密度に比べて著しく低くなるため、機械的強
度が低下して信頼性が悪くなるだけでなく、焼成時の収
縮率の制御が難しくなって寸法精度が悪くなり、製造歩
留りが低下するという問題点があった。
−Ｚｎ系フェライトにおいて、結晶径を制御するために
焼成温度を低くした場合、焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3
以下と理論密度に比べて著しく低くなるため、機械的強
度が低下して信頼性が悪くなるだけでなく、焼成時の収
縮率の制御が難しくなって寸法精度が悪くなり、製造歩
留りが低下するという問題点があった。
【０００６】また、Ｑ値を高めるために、Ｆｅ2 Ｏ3 を
数％過剰に加えたＮｉ−Ｚｎ系フェライトにＣｏＯを添
加した場合、焼成後に焼鈍する必要があるため、製造工
程が煩雑になるという問題点があった。
数％過剰に加えたＮｉ−Ｚｎ系フェライトにＣｏＯを添
加した場合、焼成後に焼鈍する必要があるため、製造工
程が煩雑になるという問題点があった。
【０００７】この他に、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトに各種
添加物を加えることによって特性を高めることも提案さ
れているが（特開昭４９−２０９２号、４９−２０９３
号、特公昭５２−２７３５８号公報等参照）、いずれも
上記問題点を解決するものではなかった。
添加物を加えることによって特性を高めることも提案さ
れているが（特開昭４９−２０９２号、４９−２０９３
号、特公昭５２−２７３５８号公報等参照）、いずれも
上記問題点を解決するものではなかった。
【０００８】そこで本発明は、３０ＭＨｚ以上で使用さ
れる高周波用途のＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料におい
て、焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上で、焼成後の焼鈍
を必要とせず、Ｑ値が高く、損失が小さいフェライト材
料を得ることを目的とする。
れる高周波用途のＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料におい
て、焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上で、焼成後の焼鈍
を必要とせず、Ｑ値が高く、損失が小さいフェライト材
料を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、５５〜７５重
量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１〜２５重量％のＺｎＯと、５〜
３５重量％のＮｉＯと、０．１〜５重量％のＣｕＯとを
主成分とするフェライト材料において、上記主成分１０
０重量％に対し、０．０１〜２重量％のＣｏＯと、０．
０１〜１重量％のＢｉ2 Ｏ3 と、０．０１〜２重量％の
Ａｌ2 Ｏ3 を含有することを特徴とする。
量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１〜２５重量％のＺｎＯと、５〜
３５重量％のＮｉＯと、０．１〜５重量％のＣｕＯとを
主成分とするフェライト材料において、上記主成分１０
０重量％に対し、０．０１〜２重量％のＣｏＯと、０．
０１〜１重量％のＢｉ2 Ｏ3 と、０．０１〜２重量％の
Ａｌ2 Ｏ3 を含有することを特徴とする。
【００１０】即ち、本発明は、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェ
ライトに対して、所定量のＣｏＯとＢｉ2 Ｏ3 とＡｌ2
Ｏ3 を添加することによって、焼結密度が５．０ｇ／ｃ
ｍ3以上で、焼成後の焼鈍を必要とせず、３０ＭＨｚ以
上の高周波領域での損失特性を向上できるようにしたも
のである。
ライトに対して、所定量のＣｏＯとＢｉ2 Ｏ3 とＡｌ2
Ｏ3 を添加することによって、焼結密度が５．０ｇ／ｃ
ｍ3以上で、焼成後の焼鈍を必要とせず、３０ＭＨｚ以
上の高周波領域での損失特性を向上できるようにしたも
のである。
【００１１】また、上記添加成分の範囲を限定したの
は、ＣｏＯ又はＢｉ2 Ｏ3 又はＡｌ2Ｏ3 ０．０１重量
％未満では３０ＭＨｚ以上の高周波領域でのＱ値が低下
してしまい、一方ＣｏＯが２重量％を超えると温度特性
が劣化し、またＢｉ2 Ｏ3 が１重量％を超えると粒成長
が起こってＱ値が著しく低下し、さらにＡｌ2 Ｏ3 が２
重量％を超えると焼結性が低下してしまうためである。
は、ＣｏＯ又はＢｉ2 Ｏ3 又はＡｌ2Ｏ3 ０．０１重量
％未満では３０ＭＨｚ以上の高周波領域でのＱ値が低下
してしまい、一方ＣｏＯが２重量％を超えると温度特性
が劣化し、またＢｉ2 Ｏ3 が１重量％を超えると粒成長
が起こってＱ値が著しく低下し、さらにＡｌ2 Ｏ3 が２
重量％を超えると焼結性が低下してしまうためである。
【００１２】さらに、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトの
主成分の組成比を上記範囲としたのは、Ｆｅ2 Ｏ3 が５
５重量％未満では透磁率が低下し、Ｆｅ2 Ｏ3 が７５重
量％を超えるとＱ値が低下し、ＺｎＯが２５重量％を超
えるとキュリー点が低下し、ＮｉＯが３５重量％を超え
ると加圧安定性が悪くなり、ＣｕＯが５重量％を超える
と磁気特性が劣化するためである。
主成分の組成比を上記範囲としたのは、Ｆｅ2 Ｏ3 が５
５重量％未満では透磁率が低下し、Ｆｅ2 Ｏ3 が７５重
量％を超えるとＱ値が低下し、ＺｎＯが２５重量％を超
えるとキュリー点が低下し、ＮｉＯが３５重量％を超え
ると加圧安定性が悪くなり、ＣｕＯが５重量％を超える
と磁気特性が劣化するためである。
【００１３】また、本発明のフェライト材料は、上記成
分以外に３重量％以下のＳｉＯ2 及び／又は２重量％以
下のＭｇＯを含んでいても良い。このＳｉＯ2 とＭｇＯ
は結晶粒界の抵抗値を高めることができるため、高周波
でのＱ値を高くすることができるが、ＳｉＯ2 が３重量
％を超えると焼結性と透磁率が低下し、ＭｇＯが２重量
％を超えると温度特性が劣化するため、上記範囲内が好
ましい。
分以外に３重量％以下のＳｉＯ2 及び／又は２重量％以
下のＭｇＯを含んでいても良い。このＳｉＯ2 とＭｇＯ
は結晶粒界の抵抗値を高めることができるため、高周波
でのＱ値を高くすることができるが、ＳｉＯ2 が３重量
％を超えると焼結性と透磁率が低下し、ＭｇＯが２重量
％を超えると温度特性が劣化するため、上記範囲内が好
ましい。
【００１４】本発明のフェライト材料の製造方法は、上
記範囲となるように各原料を調合し、ボールミル等で粉
砕混合した後、スプレードライヤー等で造粒し、得られ
た粉体をプレス成形にて所定形状に成形し、１０００〜
１３００℃の範囲で焼成することによって得られる。
記範囲となるように各原料を調合し、ボールミル等で粉
砕混合した後、スプレードライヤー等で造粒し、得られ
た粉体をプレス成形にて所定形状に成形し、１０００〜
１３００℃の範囲で焼成することによって得られる。
【００１５】
【実施例】実施例１
６４重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、３１重量％のＮｉＯと、
１．５重量％のＺｎＯを、３．５重量％のＣｕＯからな
るフェライト粉末１００重量％に対し、２重量％のＳｉ
Ｏ2 と１重量％のＭｇＯを添加し、さらにＣｏＯ、Ｂｉ
2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 の添加量を表１に示すように種々に
変化させて各原料を調合した。
１．５重量％のＺｎＯを、３．５重量％のＣｕＯからな
るフェライト粉末１００重量％に対し、２重量％のＳｉ
Ｏ2 と１重量％のＭｇＯを添加し、さらにＣｏＯ、Ｂｉ
2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 の添加量を表１に示すように種々に
変化させて各原料を調合した。
【００１６】得られた原料を振動ミルで混合した後、８
００〜９００℃で仮焼し、この仮焼粉体をボールミルに
て粉砕し、所定のバインダを加えて造粒した後、圧縮成
形してトロイダルコイル状に成形した。この成形体を１
１００℃で２時間焼成したのち、得られた焼結体に線径
０．２μｍの導線を巻付け、ＹＨＰ社製ＬＣＲメータで
周波数３０ＭＨｚにて透磁率μとＱ値を測定した。損失
係数は、ｔａｎδ／μ（＝１／μＱ）で計算して求め
た。また、得られた焼結体の密度も測定した。
００〜９００℃で仮焼し、この仮焼粉体をボールミルに
て粉砕し、所定のバインダを加えて造粒した後、圧縮成
形してトロイダルコイル状に成形した。この成形体を１
１００℃で２時間焼成したのち、得られた焼結体に線径
０．２μｍの導線を巻付け、ＹＨＰ社製ＬＣＲメータで
周波数３０ＭＨｚにて透磁率μとＱ値を測定した。損失
係数は、ｔａｎδ／μ（＝１／μＱ）で計算して求め
た。また、得られた焼結体の密度も測定した。
【００１７】結果は表１に示す通りであり、ＣｏＯ，Ｂ
ｉ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 の添加量が本発明の範囲外である
Ｎｏ．１〜７、１３ではｔａｎδ／μが５００×１０-6
以上と損失係数が大きく、さらにＮｏ．２〜７では焼結
密度が５．０ｇ／ｃｍ3 未満と小さかった。
ｉ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 の添加量が本発明の範囲外である
Ｎｏ．１〜７、１３ではｔａｎδ／μが５００×１０-6
以上と損失係数が大きく、さらにＮｏ．２〜７では焼結
密度が５．０ｇ／ｃｍ3 未満と小さかった。
【００１８】これらに対し、本発明実施例であるＮｏ．
８〜１２ではｔａｎδ／μが５００×１０-6以下と損失
係数が小さく、かつ焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上と
大きかった。
８〜１２ではｔａｎδ／μが５００×１０-6以下と損失
係数が小さく、かつ焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上と
大きかった。
【００１９】
【表１】
【００２０】実施例２
次に、６５重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、２２重量％のＮｉＯ
と、９重量％のＺｎＯと、４重量％のＣｕＯからなるフ
ェライト粉末１００重量％に対し、２．５重量％のＳｉ
Ｏ2 と１重量％のＭｇＯを添加し、さらにＣｏＯ，Ｂｉ
2 Ｏ3 ，Ａｌ2Ｏ3 の添加量を表２に示すように種々に
変化させて各原料を調合した。それぞれ上記実施例と同
様にしてフェライトコアを作製し、周波数３０ＭＨｚで
の透磁率μとＱ値を測定してｔａｎδ／μを求め、焼結
密度を測定した。
と、９重量％のＺｎＯと、４重量％のＣｕＯからなるフ
ェライト粉末１００重量％に対し、２．５重量％のＳｉ
Ｏ2 と１重量％のＭｇＯを添加し、さらにＣｏＯ，Ｂｉ
2 Ｏ3 ，Ａｌ2Ｏ3 の添加量を表２に示すように種々に
変化させて各原料を調合した。それぞれ上記実施例と同
様にしてフェライトコアを作製し、周波数３０ＭＨｚで
の透磁率μとＱ値を測定してｔａｎδ／μを求め、焼結
密度を測定した。
【００２１】結果は表２に示す通りであり、ＣｏＯ，Ｂ
ｉ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 の添加量が本発明の範囲外である
Ｎｏ．１４〜１７、２２、２３では、ｔａｎδ／μが５
００×１０-6以上と損失係数が大きく、さらにＮｏ．１
４、１５では焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3 未満と小さか
った。
ｉ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 の添加量が本発明の範囲外である
Ｎｏ．１４〜１７、２２、２３では、ｔａｎδ／μが５
００×１０-6以上と損失係数が大きく、さらにＮｏ．１
４、１５では焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3 未満と小さか
った。
【００２２】これらに対し、本発明実施例であるＮｏ．
１８〜２１ではｔａｎδ／μが３００×１０-6以下と損
失係数が小さく、かつ焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上
と大きかった。
１８〜２１ではｔａｎδ／μが３００×１０-6以下と損
失係数が小さく、かつ焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上
と大きかった。
【００２３】
【表２】
【００２４】実施例３
次に、６０．５重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、２２．５重量％
のＮｉＯと、１３重量％のＺｎＯと、４重量％のＣｕＯ
からなるフェライト粉末１００重量％に対し、２．５重
量％のＳｉＯ2 を添加し、さらにＣｏＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，
Ａｌ2 Ｏ3 の添加量を表３に示すように種々に変化させ
て各原料を調合した。それぞれ上記実施例と同様にして
フェライトコアを作製し、周波数３０ＭＨｚでの透磁率
μとＱ値を測定してｔａｎδ／μを求め、焼結密度を測
定した。
のＮｉＯと、１３重量％のＺｎＯと、４重量％のＣｕＯ
からなるフェライト粉末１００重量％に対し、２．５重
量％のＳｉＯ2 を添加し、さらにＣｏＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，
Ａｌ2 Ｏ3 の添加量を表３に示すように種々に変化させ
て各原料を調合した。それぞれ上記実施例と同様にして
フェライトコアを作製し、周波数３０ＭＨｚでの透磁率
μとＱ値を測定してｔａｎδ／μを求め、焼結密度を測
定した。
【００２５】結果は表３に示す通りであり、ＣｏＯ，Ｂ
ｉ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 の添加量が本発明の範囲外である
Ｎｏ．２４〜２７、３２では、ｔａｎδ／μが５００×
１０-6以上と損失係数が大きく、さらにＮｏ．２６では
焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3未満と小さかった。
ｉ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 の添加量が本発明の範囲外である
Ｎｏ．２４〜２７、３２では、ｔａｎδ／μが５００×
１０-6以上と損失係数が大きく、さらにＮｏ．２６では
焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3未満と小さかった。
【００２６】これらに対し、本発明実施例であるＮｏ．
２８〜３１ではｔａｎδ／μが５００×１０-6以下と損
失係数が小さく、焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上と大
きかった。
２８〜３１ではｔａｎδ／μが５００×１０-6以下と損
失係数が小さく、焼結密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上と大
きかった。
【００２７】
【表３】
【００２８】さらに実験を重ねた結果、主成分の組成比
として、Ｆｅ2 Ｏ3 が５５〜７５重量％、ＺｎＯが１〜
２５重量％、ＮｉＯが５〜３５重量％、ＣｕＯが０．１
〜５重量％の範囲を満たすフェライト材料に、０．０１
〜２重量％のＣｏＯと、０．０１〜１重量％のＢｉ2 Ｏ
3 と、０．０１〜２重量％のＡｌ2 Ｏ3 を添加すること
により、３０ＭＨｚ以上の高周波領域でｔａｎδ／μが
５００×１０-6以下と低損失で、かつ焼結密度が５．０
ｇ／ｃｍ3 以上の緻密なフェライトコアを得られること
がわかった。
として、Ｆｅ2 Ｏ3 が５５〜７５重量％、ＺｎＯが１〜
２５重量％、ＮｉＯが５〜３５重量％、ＣｕＯが０．１
〜５重量％の範囲を満たすフェライト材料に、０．０１
〜２重量％のＣｏＯと、０．０１〜１重量％のＢｉ2 Ｏ
3 と、０．０１〜２重量％のＡｌ2 Ｏ3 を添加すること
により、３０ＭＨｚ以上の高周波領域でｔａｎδ／μが
５００×１０-6以下と低損失で、かつ焼結密度が５．０
ｇ／ｃｍ3 以上の緻密なフェライトコアを得られること
がわかった。
【００２９】なお、以上の実施例ではフェライトコアに
ついてのみ述べたが、本発明のフェライト材料はその他
のさまざまな用途に用いることができる。例えば、各種
電子部品を搭載したり、分割して電子部品とするための
フェライト基板や、電磁波を吸収して磁気ヘッド等をシ
ールドしたり、発熱するための電磁波吸収体等として用
いることができる。
ついてのみ述べたが、本発明のフェライト材料はその他
のさまざまな用途に用いることができる。例えば、各種
電子部品を搭載したり、分割して電子部品とするための
フェライト基板や、電磁波を吸収して磁気ヘッド等をシ
ールドしたり、発熱するための電磁波吸収体等として用
いることができる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように 本発明によれば、５５〜
７５重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１〜２５重量％のＺｎＯ
と、５〜３５重量％のＮｉＯと、０．１〜５重量％のＣ
ｕＯを主成分とするフェライト材料において、上記主成
分１００重量％に対し、０．０１〜２重量％のＣｏＯ
と、０．０１〜１重量％のＢｉ2 Ｏ3 と、０．０１〜２
重量％のＡｌ2 Ｏ3 を含有させることによって、焼成後
に再度焼鈍する必要がなく、高密度で機械的強度や寸法
精度が高く、高周波領域での損失が低いフェライト材料
を提供することができる。
７５重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１〜２５重量％のＺｎＯ
と、５〜３５重量％のＮｉＯと、０．１〜５重量％のＣ
ｕＯを主成分とするフェライト材料において、上記主成
分１００重量％に対し、０．０１〜２重量％のＣｏＯ
と、０．０１〜１重量％のＢｉ2 Ｏ3 と、０．０１〜２
重量％のＡｌ2 Ｏ3 を含有させることによって、焼成後
に再度焼鈍する必要がなく、高密度で機械的強度や寸法
精度が高く、高周波領域での損失が低いフェライト材料
を提供することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】５５〜７５重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１〜２
５重量％のＺｎＯと、５〜３５重量％のＮｉＯと、０．
１〜５重量％のＣｕＯから成る主成分１００重量％に対
し、０．０１〜２重量％のＣｏＯと、０．０１〜１重量
％のＢｉ2 Ｏ3 と、０．０１〜２重量％のＡｌ2 Ｏ3 を
含有し、周波数３０ＭＨｚにおける損失係数（ｔａｎδ
／μ）が５００×１０ −６ 以下であることを特徴とする
低損失フェライト材料。 - 【請求項２】さらに３重量％以下のＳｉＯ2 及び／又は
２重量％以下のＭｇＯを含有することを特徴とする請求
項１記載の低損失フェライト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04102695A JP3492802B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 低損失フェライト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04102695A JP3492802B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 低損失フェライト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08231268A JPH08231268A (ja) | 1996-09-10 |
| JP3492802B2 true JP3492802B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=12596892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04102695A Expired - Fee Related JP3492802B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 低損失フェライト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3492802B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100210369B1 (ko) * | 1997-02-12 | 1999-07-15 | 홍성용 | 전자기파 흡수체 조성물 및 그 제조 방법 |
| JP3672161B2 (ja) * | 1997-07-16 | 2005-07-13 | Ｔｄｋ株式会社 | フェライトの製造方法およびインダクタの製造方法 |
| KR100320944B1 (ko) * | 1997-12-11 | 2002-03-08 | 이형도 | 고주파 인덕터용 자성재료 |
| JPH11243024A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Kyocera Corp | ノーコンタクトチャージャー対応型電気器具 |
| US6191934B1 (en) * | 1998-10-02 | 2001-02-20 | Sarnoff Corporation & Co., Ltd. | High dielectric constant embedded capacitors |
| JP5137275B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2013-02-06 | 京セラ株式会社 | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
| JP4557690B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2010-10-06 | 京セラ株式会社 | コイル内蔵基板 |
| JP6024843B1 (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-16 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および電子部品 |
| KR20160118973A (ko) | 2015-04-02 | 2016-10-12 | 티디케이가부시기가이샤 | 페라이트 조성물 및 전자 부품 |
| JP6740817B2 (ja) | 2016-08-30 | 2020-08-19 | Tdk株式会社 | フェライト組成物，フェライト焼結体、電子部品およびチップコイル |
| CN106495677A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-03-15 | 电子科技大学 | 一种高强度耐热冲击功率镍锌铁氧体及其制备方法 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP04102695A patent/JP3492802B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08231268A (ja) | 1996-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1314697B1 (en) | Ferrite material | |
| JPH10163018A (ja) | インダクター用軟磁性材料およびそれを用いたインダクターの製造方法 | |
| JP2923268B2 (ja) | 低温焼成用高周波軟磁性材料およびそれを用いたインダクターの製造方法 | |
| JP3492802B2 (ja) | 低損失フェライト材料 | |
| JP2004247603A (ja) | ＭｎＺｎ系フェライト電波吸収体 | |
| JP4668404B2 (ja) | 磁性材料とその磁性材料を用いたコイル部品 | |
| JP4823531B2 (ja) | 酸化物磁性材料 | |
| KR101886489B1 (ko) | 페라이트 조성물 및 전자 부품 | |
| JP3405630B2 (ja) | フェライト材料 | |
| KR100794066B1 (ko) | 연자성 육방정 페라이트 복합 입자, 및 그를 이용한 그린시트 및 연자성 육방정 페라이트 소결 세라믹 | |
| JP3550251B2 (ja) | 高周波領域用フェライト焼結体及びこれを用いた信号用チップインダクタ | |
| US6558566B2 (en) | Oxide magnetic materials, chip components using the same, and method for producing oxide magnetic materials and chip components | |
| JP3487552B2 (ja) | フェライト材料 | |
| JP5105660B2 (ja) | フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア | |
| JP3544633B2 (ja) | 酸化物磁性材料の製造方法 | |
| JPH09270314A (ja) | フェライト材料及びフェライト | |
| JP2802839B2 (ja) | 酸化物軟質磁性材料 | |
| JP4436493B2 (ja) | 高周波低損失フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア | |
| JP6079951B2 (ja) | フェライト系磁性体、その製造方法および該フェライト系磁性体を用いた電子部品 | |
| JP3550247B2 (ja) | フェライト材料 | |
| JP2000299217A (ja) | 高透磁率酸化物磁性材料 | |
| JPH0366254B2 (ja) | ||
| JP3692057B2 (ja) | フェライト材料 | |
| JPH08268719A (ja) | フェライト材料 | |
| JPH097814A (ja) | 酸化物磁性材料及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071114 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |