JP3487289B2 - 電力供給装置、電力供給方法、携帯型電子機器および電子時計 - Google Patents
電力供給装置、電力供給方法、携帯型電子機器および電子時計Info
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Description
子時計
として供給する電力供給装置、電力供給方法、電力供給
装置を用いた携帯型電子機器および電子時計に関する。
発電機を内蔵すれば、いつでも動作させることができ、
また、煩わしい電池の交換作業を不要とすることができ
る。ここで、発電機によって発電される電力が交流であ
れば、一般に、整流回路としてダイオードブリッジ回路
が用いることが考えられる。しかし、ダイオードブリッ
ジ回路では、ダイオード2個分の電圧降下による損失が
発生するので、小型携帯型の電子機器に用いられる発電
機、すなわち、小振幅の交流電圧を発電する発電機の整
流には適さない。
向に電流を流す一方向性ユニットを4つ使用した整流回
路が提案されている(特開平9−131064号公
報)。ここで、一方向性ユニットは2つの端子を備えて
おり、一方の端子電圧が他方の端子電圧を上回ると、一
方の端子から他方の端子へ向けて電流を流し、一方の端
子電圧が他方の電子電圧を下回ると、電流を流さないよ
うに構成されている。
コンパレータとPチャンネルあるいはNチャンネルの電
界効果型のトランジスタから構成されている。
をコンデンサなどの蓄電装置に充電し、この蓄電装置か
ら負荷に対して電力が供給される。このような構成にお
いて、発電機の出力端子間において発生した交流電力は
全波整流される。しかも、能動素子を用いていることか
ら全波整流に際しての電圧降下による損失はないので発
電機が小振幅の交流電圧を発電する場合であっても、充
電された蓄電装置コンデンサ)の電力によって、あるい
は、整流された電流によって、負荷を直接稼働させるこ
とができるようになっていた。
電圧に基づいて電流を一方向に流すものであるが、端子
電圧を比較するためのコンパレータは、両端子電圧の大
小関係が逆転してからその結果を出力信号に反映するま
でに応答遅延時間を生じる。一般にMOSトランジスタ
で構成されるコンパレータの応答遅延時間は、Cgを出
力トランジスタのゲート容量、Iopをコンパレータの動
作電流としたとき、「Cg/Iop」に比例することが知
られている。すなわち、応答遅延時間と消費電流はほぼ
反比例の関係にある。内蔵された発電機からの電力で駆
動される電子時計においては、発電機の大きさが電子時
計というスペースで制限されてしまい、大きな発電力を
得ることができない。このため、回路の低消費電流化が
図ることにより、電力のエネルギー収支が確保されてい
た。
するコンパレータにおいても、低消費電流化が図られ、
動作電流Iopは最小限に抑える必要があり、コンパレー
タの応答遅延時間は特に大きくなる傾向にある。
流用のトランジスタがオンしてしまい、電流が逆流して
しまう、といった問題があった。
コンデンサから流れ出るとコンデンサが損傷を受ける、
といった問題が生じる。
ルス状のノイズが印加されるので、電源電圧の給電によ
って動作する負荷が誤動作するおそれもあった。
が長いと、発電機の起電圧の位相に対して、一方向性ユ
ニットを制御して、コンデンサに充電するタイミングが
発電機の起電圧のタイミングに対して、遅れてしまうこ
ととなる。
発電機の起電圧の振幅が高電位側電圧と低位側電圧との
間の電位差を上回っている期間だけであるので、充電可
能な期間が短くなり、整流効率が低下してしまうという
問題点が生じる。
コンパレータの動作電流を大きくすれば、応答遅延時間
は短くなるが、コンパレータ自体で電力を消費してしま
い、電力供給装置の効率が低下してしまう、という新た
な問題点が生じることとなる。
ユニットの遅延時間に伴う電流の逆流を防止する電力供
給装置、電力供給方法、電力供給装置を用いた携帯型電
子機器および電子時計を提供することにある。
れた交流起電力を効率良く整流した電力として供給する
ことができる電力供給装置、電力供給方法、電力供給装
置を用いた携帯型電子機器および電子時計を提供するこ
とにある。
の端子電圧を比較する比較ユニットと、この比較ユニッ
トの比較結果に基づいてオン/オフが制御されるスイッ
チングユニットとを有し、一方の端子からスイッチング
ユニットを介して他方の端子へ電流を流す一方向性ユニ
ットを備え、交流電圧を整流して第1の電源ラインおよ
び第2の電源ラインに電力を供給する電力供給装置であ
って、前記第1の電源ラインと前記第2の電源ラインと
の間に電力を蓄える蓄電ユニットを備え、前記一方向性
ユニットは、前記スイッチングユニットをオフさせる動
作を、応答遅延時間に応じて前もって開始させるよう
に、一方の端子の電圧レベルが、他方の端子の電圧レベ
ルに予め定めた所定の電圧を加算した電圧レベルを下回
った場合に前記スイッチングユニットをオフさせること
を特徴としている。
2個の端子の端子電圧を比較する比較ユニットおよび前
記比較ユニットの比較結果に基づいてオン/オフ制御が
されるスイッチングユニットを有し、一方の前記端子か
ら前記スイッチングユニットを介して他方の前記端子へ
電流を流す一方向性ユニットを複数個備え、交流電流を
整流して第1および第2の電源ラインに電力を供給する
電力供給装置であって、前記第1の電源ラインと前記第
2の電源ラインとの間に設けられ電力を蓄える蓄電ユニ
ットを備え、第1の前記一方向性ユニットの一方の端子
は前記交流電流が給電される第1の入力端子に接続さ
れ、他方の端子は前記第1の電源ラインに接続されてお
り、第2の前記一方向性ユニットの一方の端子は前記交
流電流が給電される第2の入力端子に接続され、他方の
端子は前記第1の電源ラインに接続されており、第3の
前記一方向ユニットの一方の端子は前記第2の電源ライ
ンに接続され、他方の端子は前記第1の入力端子に接続
されており、第4の前記一方向ユニットの一方の端子は
前記第2の電源ラインに接続され、他方の端子は前記第
2の入力端子に接続されており、前記第1ないし第4の
一方向性ユニットのうち、少なくとも2個の一方向性ユ
ニットは、前記スイッチングユニットをオフさせる動作
を応答遅延時間に応じて前もって開始させるように、一
方の端子の電圧レベルが、他方の端子の電圧レベルに予
め定めた所定の電圧を加算した電圧レベルを下回った場
合に前記スイッチングユニットをオフさせることを特徴
としている。
2個の端子の端子電圧を比較する比較ユニットおよび前
記比較ユニットの比較結果に基づいてオン/オフ制御が
行われるスイッチングユニットを有し、一方の前記端子
から前記スイッチングユニットを介して他方の前記端子
へ電流を流す複数個の一方向性ユニットと、交流電流が
給電される第1の入力端子に一端が接続される第1の蓄
電ユニットと、前記交流が給電される第2の入力端子に
一端が接続される第2の蓄電ユニットと、を備え、第1
の前記一方向性ユニットの一方の端子は、前記第1の蓄
電ユニットの他端に接続され、他方の端子は前記交流電
圧が給電される第1の入力端子に接続されており、第2
の前記一方向性ユニットの一方の端子は、前記第2の蓄
電ユニットの他端に接続され、他方の端子は、前記第1
の蓄電ユニットの他端に接続されており、前記第1およ
び第2の一方向性ユニットは、対応するスイッチングユ
ニットをオフさせるための動作を応答遅延時間に応じて
前もって開始させるように、一方の端子の電圧レベル
が、他方の端子の電圧レベルに予め定めた所定の電圧を
加算した電圧レベルを下回った場合に前記スイッチング
ユニットをオフさせることを特徴としている。
の電力供給装置において、前記2個の端子に供給される
交流電圧を全波整流して前記第1および第2の電源ライ
ンに電力を供給するとともに、第1の入力端子と前記第
1の電源ラインとの間に接続された第1のスイッチング
ユニットと、第2の入力端子と前記第1の電源ラインと
の間に接続された第2のスイッチングユニットと、前記
第1の入力端子と前記第2の電源ラインとの間に接続さ
れ一方向にのみ電流を流す第1のユニットと、前記第2
の入力端子と前記第2の電源ラインとの間に接続され一
方向にのみ電流を流す第2のユニットと、前記第1の入
力端子の電圧と前記第1の電源ラインの電圧とを比較す
る第1の比較ユニットと、前記第2の入力端子の電圧と
前記第1の電源ラインの電圧とを比較する第2の比較ユ
ニットと、前記第1の比較ユニットの比較結果に基づい
て、前記第1のスイッチングユニットのオン/オフを制
御するとともに、この比較結果が前記第1のスイッチン
グユニットをオンすることを示す場合であっても、前記
第2の入力端子の電圧に基づいて、前記第1のスイッチ
ングユニットを強制的にオフする第1の制御ユニット
と、前記第2の比較ユニットの比較結果に基づいて、前
記第2のスイッチングユニットのオン/オフを制御する
とともに、この比較結果が第2のスイッチングユニット
をオンすることを示す場合であっても、前記第2の入力
端子の電圧に基づいて、第2のスイッチングユニットを
強制的にオフする第2の制御ユニットとを備えることを
特徴としている。
供給装置において、前記スイッチングユニットに並列に
接続されるダイオードを備えたことを特徴としている。
の電力供給装置において、前記スイッチングユニット
は、電界効果型トランジスタで構成することを特徴とし
ている。
供給装置において、前記スイッチングユニットは、電界
効果型トランジスタであり、前記ダイオードは前記電界
効果型トランジスタの寄生ダイオードであることを特徴
としている。
の電力供給装置において、前記一方向性ユニットは、半
導体基板上に集積されていることを特徴としている。
給装置において、前記第1の制御ユニットは、前記第2
の入力端子と前記第1の電源ラインとの間の電位差が予
め定められた基準値より大きくなることを検出する第1
の検出ユニットと、前記第1の比較ユニットの比較結果
に基づいて、前記第1のスイッチングユニットのオン/
オフを制御するとともに、この比較結果が前記第1のス
イッチングユニットをオンすることを示す場合であって
も、前記第1の検出ユニットの検出結果に基づいて、前
記第1のスイッチングユニットを強制的にオフする第1
の制御部とを備え、前記第2の制御ユニットは、前記第
1の入力端子と前記第1の電源ラインとの間の電位差が
予め定められた基準値より大きくなることを検出する第
2の検出ユニットと、前記第2の比較ユニットの比較結
果に基づいて、前記第2のスイッチングユニットのオン
/オフを制御するとともに、この比較結果が前記第2の
スイッチングユニットをオンすることを示す場合であっ
ても、前記検出ユニットの検出結果に基づいて、前記第
2のスイッチングユニットを強制的にオフする第2の制
御部とを備えることを特徴としている。
力供給装置において、前記第1のユニットは、前記第1
の入力端子の電圧に基づいてオン/オフが制御される第
3のスイッチングユニットであり、前記第2のユニット
は、前記第2の入力端子の電圧に基づいてオン/オフが
制御される第4のスイッチングユニットであることを特
徴とする電力供給装置。
力供給装置において、前記第2の入力端子と前記第1の
電源ラインとの間の電位差が予め定めた基準値よりも大
きくなることを検出する第1の検出ユニットと、前記第
1の入力端子と前記第1の電源ラインとの間の電位差が
予め定めた基準値よりも大きくなることを検出する第2
の検出ユニットと、を備え、前記第1の比較ユニットお
よび前記第2の比較ユニットは、前記第1の検出ユニッ
トまたは前記第2の検出ユニットにおいて検出がなされ
た場合に、電源供給がなされることを特徴としている。
力供給装置において、前記第1のスイッチングユニット
に並列に接続される第1のダイオードと、前記第2のス
イッチングユニットに並列に接続される第2のダイオー
ドと、 ;前記第3のスイッチングユニットに並列に接
続される第3のダイオードと、前記第4のスイッチング
ユニットに並列に接続される第4のダイオードとを備え
たことを特徴としている。
力供給装置において、前記第1乃至第4のスイッチング
ユニットは、それぞれ電界効果型トランジスタであるこ
とを特徴としている。
電力供給装置において、前記第1乃至第4のスイッチン
グユニットは、それぞれ電界効果型トランジスタであ
り、前記第1及び第2のダイオードは前記第1及び第2
の各電界効果型トランジスタの寄生ダイオードであるこ
とを特徴としている。
力供給装置において、2つの入力端子に供給される交流
電圧を全波整流して第1および第2の電源ラインに電力
を供給する電力供給装置であって、前記第1の入力端子
の電圧と前記第1の電源ラインの電圧とを比較する第1
の比較ユニットと、前記第2の入力端子の電圧と前記第
1の電源ラインの電圧とを比較する第2の比較ユニット
と、前記第1の入力端子の電圧と前記第2の電源ライン
の電圧とを比較するとともに、前記第2の比較ユニット
よりも応答遅延時間が短い第3の比較ユニットと、前記
第2の入力端子の電圧と前記第2の電源ラインの電圧と
を比較するとともに、前記第1の比較ユニットよりも応
答遅延時間が短い第4の比較ユニットと、前記第1の入
力端子と前記第1の電源ラインとの間に接続された第1
のスイッチングユニットと、前記第2の入力端子と前記
第1の電源ラインとの間に接続された第2のスイッチン
グユニットと、前記第1の入力端子と前記第2の電源ラ
インとの間に接続され、前記第3の比較ユニットの比較
結果に基づいてオン/オフが制御される第3のスイッチ
ングユニットと、前記第2の入力端子と前記第2の電源
ラインとの間に接続され、前記第4の比較ユニットの比
較結果に基づいてオン/オフが制御される第4のスイッ
チングユニットと、前記第1の比較ユニットの比較結果
に基づいて、前記第1のスイッチングユニットのオン/
オフを制御するとともに、この比較結果が前記第1のス
イッチングユニットをオンすることを示す場合であって
も、前記第4の比較ユニットの比較結果が前記第4のス
イッチングユニットをオフすることを示す場合には、前
記第1のスイッチングユニットを強制的にオフする第1
の制御ユニットと、前記第2の比較ユニットの比較結果
に基づいて、前記第2のスイッチングユニットのオン/
オフを制御するとともに、この比較結果が前記第2のス
イッチングユニットをオンすることを示す場合であって
も、前記第3の比較ユニットの比較結果が前記第3のス
イッチングユニットをオフすることを示す場合には、前
記第2のスイッチングユニットを強制的にオフする第2
の制御ユニットとを備えることを特徴としている。
電力供給装置において、前記第2の入力端子の電圧と前
記第2の電源ラインの電圧とを比較する第1の検出ユニ
ットと、前記第1の入力端子の電圧と前記第1の電源ラ
インの電圧とを比較する第2の検出ユニットと、を備
え、前記第1〜第4の比較ユニットは、前記第1の検出
ユニットまたは前記第2の検出ユニットにおいて発電検
出がなされた場合に、電源供給がなされることを特徴と
している。
力供給装置において、前記第1〜第4のスイッチングユ
ニットは、半導体基板上に集積されていることを特徴と
している。
項記載の電力供給装置において、前記第1のスイッチン
グユニットに並列に接続される第1のダイオードと、前
記第2のスイッチングユニットに並列に接続される第2
のダイオードとを備えたことを特徴としている。
力供給装置において、前記第1および第2のスイッチン
グユニットは、それぞれ電界効果型トランジスタである
ことを特徴としている。
電力供給装置において、前記第1および第2のスイッチ
ングユニットは、それぞれ電界効果型トランジスタであ
り、前記第1および第2のダイオードは各電界効果型ト
ランジスタの寄生ダイオードであることを特徴としてい
る。
力供給装置において、前記第1および第2のスイッチン
グユニット並びに前記第1および第2の制御ユニット
は、半導体基板上に集積化されていることを特徴として
いる。
は第3の態様の電力供給装置において、前記交流電圧を
給電する交流発電ユニットを備えたことを特徴としてい
る。
記2個の端子の端子電圧を比較する比較装置および前記
比較装置の比較結果に基づいてオン/オフが制御される
スイッチング装置を有し、一方の端子からスイッチング
装置を介して他方の端子へ電流を流す複数個の一方向性
ユニットと、第1の電源ラインと前記第2の電源ライン
との間に設けられ電力を蓄える蓄電装置と、を備え、交
流電流を整流して前記第1の電源ラインおよび前記第2
の電源ラインに電力を供給する電力供給装置の制御方法
であって、前記スイッチング装置をオフさせる動作を、
応答遅延時間に応じて前もって開始させるように、一方
の端子の電圧レベルが、他方の端子の電圧レベルに予め
定めた所定の電圧を加算した電圧レベルを下回った場合
に前記スイッチング装置をオフさせることを特徴として
いる。
記2個の端子の端子電圧を比較する比較ユニットおよび
前記比較ユニットの比較結果に基づいてオン/オフ制御
がされるスイッチング装置を有し、一方の前記端子から
前記スイッチング装置を介して他方の前記端子へ電流を
流す複数個の一方向性ユニットと、前記第1の電源ライ
ンと前記第2の電源ラインとの間に設けられ電力を蓄え
る蓄電装置と、を備え、第1の前記一方向性ユニットの
一方の端子は前記交流電流が給電される第1の入力端子
に接続され、他方の端子は前記第1の電源ラインに接続
されており、第2の前記一方向性ユニットの一方の端子
は前記交流電流が給電される第2の入力端子に接続さ
れ、他方の端子は前記第1の電源ラインに接続されてお
り、第3の前記一方向ユニットの一方の端子は前記第2
の電源ラインに接続され、他方の端子は前記第1の入力
端子に接続されており、第4の前記一方向ユニットの一
方の端子は前記第2の電源ラインに接続され、他方の端
子は前記第2の入力端子に接続されており、交流電流を
整流して第1および第2の電源ラインに電力を供給する
電力供給装置の制御方法であって、前記第1ないし第4
の一方向性ユニットのうち、少なくとも2個の一方向性
ユニットに前記スイッチング装置をオフさせる動作を応
答遅延時間に応じて前もって開始させるように、一方の
端子の電圧レベルが、他方の端子の電圧レベルに予め定
めた所定の電圧を加算した電圧レベルを下回った場合に
前記スイッチング装置をオフさせることを特徴としてい
る。
記2個の端子の端子電圧を比較する比較ユニットおよび
前記比較ユニットの比較結果に基づいてオン/オフ制御
が行われるスイッチング装置を有し、一方の前記端子か
ら前記スイッチング装置を介して他方の前記端子へ電流
を流す複数個の一方向性ユニットと、交流電流が給電さ
れる第1の入力端子に一端が接続される第1の蓄電装置
と、前記交流が給電される第2の入力端子に一端が接続
される第2の蓄電装置と、を備え、第1の前記一方向性
ユニットの一方の端子は、前記第1の蓄電装置の他端に
接続され、他方の端子は前記交流電圧が給電される第1
の入力端子に接続されており、第2の前記一方向性ユニ
ットの一方の端子は、前記第2の蓄電装置の他端に接続
され、他方の端子は、前記第1の蓄電装置の他端に接続
された電力供給装置の制御方法において、前記第1およ
び第2の一方向性ユニットにおける対応するスイッチン
グ装置をオフさせるための動作を応答遅延時間に応じて
前もって開始させるように、一方の端子の電圧レベル
が、他方の端子の電圧レベルに予め定めた所定の電圧を
加算した電圧レベルを下回った場合に前記スイッチング
装置をオフさせることを特徴としている。
は第3の態様のいずれかの電力供給装置と、前記電力供
給装置から供給される電力に基づいて予め定められた処
理を実行する処理ユニットと、を備えたことを特徴とし
ている。
は第3の態様のいずれかの電力供給装置と、前記電力供
給装置から供給される電力に基づいて、計時動作を行う
計時ユニットと、を備えたことを特徴としている。
を参照して説明する。
術分野 ここで以下に説明する第1実施形態(〜第4実施形態)
の理解を助けるべく、第1実施形態(〜第4実施形態)
の適用される技術分野について図面を参照して説明す
る。
分野である4個のダイオードに代えて一方向に電流を流
す一方向性ユニットを4つ使用した整流回路を用いた電
力供給装置の構成を示す。
一方の端子AG1は一方向性ユニットU1介して、ま
た、他方の端子AG2は一方向性ユニットU2を介し
て、それぞれ電源の高電位側電圧Vddに接続されてい
る。さらに、端子AG1は、一方向性ユニットU3を介
して、また、他方の端子AG2は一方向性ユニットU4
を介して、それぞれ電源の低位側電圧Vssに接続され
ている。
タCOM1とPチャンネル電界効果型のトランジスタP
1から、一方向性ユニットU2はコンパレータCOM2
とPチャンネル電界効果型のトランジスタP2から構成
されている。さらに、一方向性ユニットU3はコンパレ
ータCOM3とNチャンネル電界効果型のトランジスタ
N3から、一方向性ユニットU4はコンパレータCOM
4とNチャンネル電界効果型のトランジスタN4から構
成されている。なお、コンデンサ140は整流された電
流を充電するものであり、負荷150は、これを電源と
して、当該電子機器において各種処理を実行するもので
ある。
圧が、発電によって高電位側電圧Vddを上回ると、コ
ンパレータCOM1の出力電圧はローレベルとなりトラ
ンジスタP1がオンする。また、端子AG2の電圧が、
発電によって低位側電圧Vssを下回ると、コンパレー
タCOM4の出力電圧はハイレベルとなりトランジスタ
N4がオンする。これにより、電流は、端子AG1→ト
ランジスタP1→コンデンサ140→トランジスタN4
→端子AG2という閉ルートで流れる。この結果、コン
デンサ140が充電される。
圧Vssを下回り、端子AG2の電圧レベルが高電位側
電圧Vddを上回ると、トランジスタP2およびN3が
オンする。これにより、電流は、端子AG2→トランジ
スタP2→コンデンサ140→トランジスタN3→端子
AG1という閉ルートで流れる。この結果、コンデンサ
140が充電される。
て発生した交流電力は全波整流され、しかも、全波整流
に際しての電圧降下による損失はないので発電機100
が小振幅の交流電圧を発電する場合であっても、充電さ
れたコンデンサ140によって、あるいは、整流された
電流によって直接、負荷150を稼働させることができ
ることとなっている。
は、両端の電圧に基づいて電流を一方向に流すものであ
るが、端子電圧を比較するためのコンパレータCOM1
〜COM4は、両端子電圧の大小関係が逆転してからそ
の結果を出力信号に反映するまでに応答遅延時間を生じ
る。
ンパレータの応答遅延時間は、Cgを出力トランジスタ
のゲート容量、Iopをコンパレータの動作電流としたと
き、「Cg/Iop」に比例することが知られている。す
なわち、応答遅延時間と消費電流はほぼ反比例の関係に
ある。内蔵された発電機からの電力で駆動される電子時
計においては、発電機の大きさが電子時計というスペー
スで制限されてしまい、大きな発電力を得ることができ
ない。このため、回路の低消費電流化が図ることによ
り、電力のエネルギー収支が確保されていた。コンパレ
ータCOM1〜COM4においても、低消費電流化が図
られ動作電流Iopは最小限に抑える必要があり、コンパ
レータCOM1〜COM4の応答遅延時間は特に大きく
なる傾向にある。
流用のトランジスタがオンしてしまい、電流が逆流して
しまうといった問題があった。図16はコンパレータの
遅延時間に伴う電流の逆流を説明するためのタイミング
チャートである。ここで、図16(a)に示すように端
子AG1の電圧が、時刻t1において高電位側電圧Vd
dを上回り、時刻t3において高電位側電圧Vddを下
回るとする。この場合、一方向性ユニットU1のコンパ
レータCOM1は図16(b)に示す出力信号をトラン
ジスタP1に供給する。この出力信号は、時刻t1から
遅延時間td1が経過した時刻t2においてハイレベル
からローレベルに立ち下がり、また時刻t3から遅延時
間td1が経過した時刻t4においてハイレベルからロ
ーレベルに立ち下がる。
する期間にあっては、端子AG1の電圧が高電位側電圧
Vddを下回っているのにも拘わらず、トランジスタP
1がオンしている。さらに、一方向性ユニットU4にお
いても同様に、当該期間においてトランジスタN4がオ
ンしている。
サ140→トランジスタP1→端子AG1→端子AG2
→トランジスタN4→コンデンサ140の閉ルートで電
流が逆流する。
る電流を示したものである。この場合、充電電流のピー
クは、例えば、2〜3mAであるが、逆流する電流のピ
ークは10mA前後となる。
から流れ出るとコンデンサ140が損傷を受けるといっ
た問題がある。さらに、電流の逆流によって電源電圧に
パルス状のノイズが印加されるので、電源電圧の給電に
よって動作する負荷150が誤動作するおそれもある。
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、一方向性ユニットの遅延時間に伴う電流の逆流を防
止し、発電された交流起電力を効率良く整流して電力と
して供給することにある。
構成を示す回路図である。
かる電力供給装置は、一方向性ユニットU1〜U4に代
えて、一方向性ユニットU10〜U40を使用する点が
図15に示した電力供給装置と異なっている。
おいて寄生ダイオードD1〜D4は、一方向性ユニット
U10〜U40を集積化する際に作り込まれる。この場
合、トランジスタP1、P2のバルク(ボディ)は高電
位側電圧Vddに接続されているため、トランジスタP
1、P2の寄生ダイオードD1、D2は、波線で示され
る方向で発生する。また、トランジスタN3、N4のバ
ルク(ボディ)は低位側電圧Vssに接続されているた
め、トランジスタN3、N4の寄生ダイオードD3、D
4は、波線で示される方向で発生する。したがって、各
寄生ダイオードD1〜D4の向きは、各トランジスタが
オン状態となったとき、そこに流れる電流の向きと一致
するように構成されている。この例では、各寄生ダイオ
ードD1〜D4の降下電圧をVfで表すものとする。こ
こで、端子AG1の電圧が電圧(Vdd+Vf)を越え
たとすると、寄生ダイオードD1はオン状態となり、電
流が端子AG1からコンデンサ140に流れることにな
る。したがって、コンパレータCOM1に大きな応答遅
延時間があったとしても、寄生ダイオードD1によって
整流動作が行われることになる。
流が流れると、寄生トランジスタが導通してラッチアッ
プを引き起こすおそれがある。ラッチアップは、CMO
S−LSIに特有の現象であるが、ガードバンドや、ト
レンチ分離などの集積回路技術によって防止することは
十分可能である。
に集積化した場合のレイアウトを示す。整流用に用いら
れる電界効果トランジスタには、高電位側電源Vddお
よび低電位側電源Vssという電源電圧を超えた電圧が
印加されるため、ラッチアップに配慮する必要がある。
図2のレイアウトは、N型基板上に配置した場合であ
る。
のN-拡散層PhN-は、高電位側電源Vddに接続され
ており、NチャネルトランジスタN3、N4の周りのP
-拡散層PhP-は、低電位側電源Vssに接続されてい
る。これらのN-拡散層PhN-およびP-拡散層PhP-
は、ガードリングの役割を有し、ラッチアップの原因と
なる基板電流を抑制することとなる。
チャネルトランジスタP1、P2およびNチャネルトラ
ンジスタN3、N4の整流用の電界効果トランジスタの
周りを高電位側電源配線LVddおよび低電位側電源配
線LVssの電源配線で囲み、各素子P1、P2、N
3、N4間の距離も十分に離間して、分離している。
あり、整流動作特性のばらつきをより低減させるために
は、図2に示すように、端子AG1側と、端子AG2側
とで、(左右)対称に配置するのが望ましい。すなわ
ち、PチャネルトランジスタP1とPチャネルトランジ
スタP2の間あるいはNチャネルトランジスタN3とN
チャネルトランジスタN4の間を仮想的な境界線とし
て、境界線に対して図面左側にPチャネルトランジスタ
P1およびNチャネルトランジスタN3を十分に離間し
て配置し、さらに境界線から離れた方向にコンパレータ
COM1の配置領域ACOM1およびコンパレータCOM3
の配置領域ACOM3を配置する。
チャネルトランジスタN3、配置領域ACOM1およびの配
置領域ACOM3と境界線を介して対称にPチャネルトラン
ジスタP2、NチャネルトランジスタN4、コンパレー
タCOM2の配置領域ACOM2およびのコンパレータCO
M4の配置領域ACOM4を配置する。
いて、電流の逆流が生じたのは、各コンパレータCOM
1〜COM4の応答遅延時間によって、本来、トランジ
スタP1,P2,N3,N4がオフすべき期間においてオ
ンしているからであった。
パレータCOM1〜COM4により比較を行うに際し、
コンパレータCOM1〜COM4の入力信号にオフセッ
トを持たせることによって、応答の開始タイミングを従
来のものよりも早く設定し、同じ応答遅延時間であって
も比較結果が早く得られるようにしている。
を持たせるために設けられたものであり、レベルシフタ
10または20は、高電位側電圧Vddに対して各々電
圧Voffset1またはVoffset2だけ高位側に出力電圧をレ
ベルシフトさせ、このレベルシフトさせた電圧をコンパ
レータCOM1またはCOM2の正入力端子(+)に各
々供給するように構成されている。
電位側電圧Vssに対して各々電圧Voffset3またはV
offset4だけ低位側に出力電圧をレベルシフトさせ、こ
のレベルシフトさせた電圧をコンパレータCOM3およ
びCOM4の正入力端子(+)に各々供給するように構
成されている。
Voffset1〜Voffset4の値は、コンパレータCOM1〜
COM4の各応答遅延時間td1〜td4に基づいて、
電流の逆流が発生しないように定められている。より具
体的には、電圧Voffset1〜Voffset4は、数十[mV]
程度に設定される。
COM2は、端子AG1または端子AG2の電圧が高電
位側電圧Vddを下回る直前にローレベルからハイレベ
ルへ変化する各出力信号を生成し、これらにより、トラ
ンジスタP1またはP2がオンからオフに切り換わるよ
うになっている。また、コンパレータCOM3またはC
OM4は、端子AG1または端子AG2の電圧が低電位
側電圧Vssを上回る直前にハイレベルからローレベル
へ変化する各出力信号を生成し、これらにより、トラン
ジスタN3またはN4がオンからオフに切り換わるよう
になっている。
コンパレータCOM1,COM2の一例について図3を
参照して説明する。図3に示されるように、コンパレー
タCOM1,COM2は、一対の負荷トランジスタ21
1、212と、一対の入力トランジスタ213、214
と、出力トランジスタ215と、定電流源216、21
7とから構成される。このうち、負荷トランジスタ21
1、212および出力トランジスタ215はPチャネル
電界効果型であるが、入力トランジスタ213、214
はNチャネル電界効果型である。そして、入力トランジ
スタ213、214の各ゲートが、それぞれコンパレー
タ201(202)の負入力端(−)、正入力端(+)
となる一方、出力トランジスタ215のドレインが出力
端OUTとなっている。
タ211、212は、カレントミラー回路となるので、
その負荷トランジスタ211、212に流入する各電流
値は互いに等しい。したがって、入力トランジスタ21
3、214のゲートに流入する電流(電圧)差が増幅さ
れて、その差が端子Aに現れるが、これを途中で受ける
トランジスタ211、212は同じ電流値しか受容しな
いので、その差電流(電圧)は、次第に大きく増幅され
てトランジスタ215のゲートに流入することとなる。
UTたるトランジスタ215のドレイン電圧は、正入力
端(+)たるトランジスタ214のゲート電流(電圧)
が負入力端(−)たるトランジスタ213のゲート電流
(電圧)を少しでも越えると、高電位側電圧Vddに大
きく振られる一方、そうでなければ、反対に低位側電圧
Vssに大きく振られることとなる。
2)によれば、トランジスタ211、212を能動負荷
として用いているので、定電流源216、217以外に
抵抗を1個も用いないで済む。このため、集積化する場
合に極めて有利となる。
ンパレータの応答遅延時間は、Cgを出力トランジスタ
のゲート容量、Iopをコンパレータの動作電流としたと
き、「Cg/Iop」に比例することが知られている。す
なわち、応答遅延時間と消費電流はほぼ反比例の関係に
ある。内蔵された発電機からの電力で駆動される電子時
計においては、発電機の大きさが電子時計というスペー
スで制限されてしまい、大きな発電力を得ることができ
ない。このため、回路の低消費電流化が図ることによ
り、電力のエネルギー収支が確保されていた。コンパレ
ータCOM1、COM2においても、低消費電流化が図
られ動作電流Iopは最小限に抑える必要があり、コンパ
レータCOM1、COM2の応答遅延時間は特に大きく
なる傾向にある。
2は、レベルシフタ10、20によってレベルシフトさ
れた電圧を入力する構成となっているが、このような構
成は、図3における入力トランジスタ213、214の
しきい値電圧Vthを異ならせることでも可能である。
タ213のしきい値電圧Vthを、正入力端(+)側の
トランジスタ214のそれよりも大きくすれば、図1に
おけるレベルシフタ10、20と同等の作用効果を実現
できる。
3、214のしきい値電圧Vthを異ならせるには、ト
ランジスタサイズを変えることによって可能である。具
体的には、入力トランジスタ213のゲート幅を入力ト
ランジスタ214のゲート幅より狭くすることで、入力
トランジスタ213のしきい値電圧Vthを上げること
ができる。さらに、不純物の打ち込みなどのプロセス的
な方法などによっても入力トランジスタ213、214
のしきい値電圧Vthを異ならせることが可能である。
一能力のトランジスタを並列に接続することによりトラ
ンジスタ213あるいはトランジスタ214と等価な回
路を実現することができる。すなわち、トランジスタ2
13に代えて、同一サイズ・同一能力の二つのトランジ
スタ213A、213Bを並列接続し、トランジスタ2
14に代えて同一サイズ・同一能力のトランジスタ21
4A、214B、214Cを並列接続する。
端(+)側の方が差動対トランジスタの能力が高くな
り、負入力端(−)側の端子電圧を正入力端(+)側の
電圧よりも高くしないとトランジスタ214A、214
B、214Cはオン状態とならず、コンパレータ出力が
反転することはない。
例えば、正入力端(+)側を基準として、正入力端
(+)側に高電位側電圧Vddを印加した場合、負入力
端(−)側に電圧Vddよりも電圧αだけ高位の電圧
(Vdd+α)以上の電圧を印加した場合にのみ、コン
パレータは反転して“L”レベルを出力することとな
る。
パレータCOM3、COM4の一例について図5を参照
して説明する。図5に示されるように、コンパレータC
OM3(COM4)は、一対の負荷トランジスタ23
1、232と、一対の入力トランジスタ233、234
と、出力トランジスタ235と、定電流源236、23
7とから構成される。このうち、負荷トランジスタ23
1、232および出力トランジスタ235はNチャネル
電界効果型であるが、入力トランジスタ233、234
はPチャネル電界効果型である。そして、入力トランジ
スタ233、234の各ゲートが、それぞれコンパレー
タCOM3(COM4)の負入力端(−)、正入力端
(+)となる一方、出力トランジスタ235のソースが
出力端OUTとなっている。
4)は、高電位側電圧Vddに接続されるコンパレータ
COM1(COM2)(図3参照)とは、全く逆極性で
構成される。このコンパレータCOM3(COM4)に
おいても、コンパレータCOM1(COM2)と同様
に、入力トランジスタ233、234のしきい値電圧V
thを異ならせ、これによりレベルシフタ30、40を
それらの内部に取り込むことが可能である。
タ233のしきい値電圧Vthを、正入力端(+)側の
トランジスタ234のそれよりも大きくすれば、図1に
おけるレベルシフタ30、40と同等の作用効果を実現
できる。なお、入力トランジスタ30、40のしきい値
電圧Vthを異ならせる方法は、コンパレータCOM1
(COM2)の場合と同様である。
て説明する。この例では、各コンパレータCOM1〜C
OM4の応答遅延時間は、rdと等しく、各レベルシフ
タ10〜40のオフセット電圧はVoffset(=数十[m
V])に設定されており、各トランジスタP1、P2、
N3、N4の降下電圧はVonと等しいものとする。
向性ユニットU10およびU40に対して、一方向性ユ
ニットU20およびU30が対称的に構成されている。
したがって、端子AG2の電圧が端子AG1の電圧を上
回る場合の一方向性ユニットU20およびU30の動作
は、端子AG1の電圧が端子AG2の電圧を上回る場合
の一方向性ユニットU10およびU40の動作と同様で
ある。このため、以下の説明においては、端子AG1の
電圧が端子AG2の電圧を上回る場合について説明し、
逆の場合については同様であるので説明を省略する。
応答遅延時間tdに応じて定められる。したがって、オ
フセット電圧Voffsetが降下電圧Vonを下回る場合も
あれば、オフセット電圧Voffsetが降下電圧Vonを上
回る場合もある。以下、場合を分けて説明する。
ジスタの降下電圧を下回る場合 まず、Voffset<Vonの場合について、図6を参照し
つつ説明する。図6はオフセット電圧がトランジスタの
降下電圧を下回る場合のタイミングチャートである。
電位側電圧Vddを上回り、さらに上昇し、時刻t2に
おいて電圧(Vdd+Voffset)を上回ると、コンパレ
ータCOM1はその出力信号のレベルをハイレベルから
ローレベルに変化させる動作を開始する。しかしなが
ら、コンパレータCOM1には応答遅延時間tdが存在
するため、出力信号は、時刻t2の直後にローレベルと
はならない。このため、端子AG1の電圧は、さらに上
昇し、時刻t3において、電圧(Vdd+Vf)に達す
る。すると、寄生ダイオードD1がオンからオフに切り
換わる。
圧が低電位側電圧Vssを下回り、さらに下降し、時刻
t2において電圧(Vss−Voffset)を下回ると、コ
ンパレータCOM4はその出力信号のレベルをローレベ
ルからハイレベルに変化させる動作を開始する。しかし
ながら、コンパレータCOM4には応答遅延時間tdが
存在するため、出力信号は、時刻t2の直後にハイレベ
ルとはならない。
2の電圧はさらに下降し、時刻t3において、電圧(V
ss−Vf)に達する。これにより初めて寄生ダイオー
ドD4がオンからオフに切り換わる。
1およびD4による充電が開始されることとなる。この
場合、端子AG1→寄生ダイオードD1→コンデンサ1
40→寄生ダイオードD4→端子AG2の閉ルートが形
成され、充電電流がコンデンサ140に流れ込む。
経過した時刻t4に至ると、コンパレータCOM1の出
力信号は、ハイレベルからローレベルに変化し、トラン
ジスタP1がオフからオンに切り換わる。すると、端子
AG1の電圧は電圧(Vdd+Von)まで下降するこ
ととなる。
OM4の出力信号はローレベルからハイレベルに変化
し、トランジスタN4がオフからオンに切り換わる。す
ると、端子AG2の電圧は電圧(Vss−Von)まで
上昇することとなる。したがって、時刻t4からトラン
ジスタP1およびN4による充電が開始される。この場
合、端子AG1→トランジスタP1→コンデンサ140
→トランジスタN4→端子AG2の閉ルートが形成さ
れ、充電電流がコンデンサ140に流れ込む。寄生ダイ
オードのオン抵抗値よりもトランジスタのオン抵抗値の
方が小さいため、トランジスタを用いた充電の方が、大
きな充電電流を流すことができる。充電電流の波形が時
刻t4において急峻に立ち上がっているのは、このため
である。
じめ、やがて時刻t5に至ると、端子AG1の電圧が電
圧(Vdd+Voffset)を下回る。すると、コンパレー
タCOM1はその出力信号のレベルをローレベルからハ
イレベルに変化させる動作を開始する。
応答遅延時間tdが存在するので、入力の大小関係が逆
転してもそれが出力信号に即刻反映されるわけではな
い。このため、時刻t5から応答遅延時間tdが経過す
る時刻t6までの期間においては、相変わらずトランジ
スタP1がオンしている。同様にして、コンパレータC
OM4においても時刻t5から時刻t6までの期間中は
出力信号がハイレベルであるから、相変わらずトランジ
スタN4はオンしている。したがって、時刻t5から時
刻t6の期間においてもトランジスタP1およびN4を
用いた充電が行われる。
COM1の出力信号がハイレベルになるとともにコンパ
レータCOM4に出力信号がローレベルになるので、ト
ランジスタP1およびN4は、オンからオフに切り換わ
る。これにより、端子AG1→トランジスタP1→コン
デンサ140→トランジスタN4→端子AG2の閉ルー
トが遮断され、充電電流が流れなくなる。
パレータCOM1、COM4の応答遅延時間tdを考慮
して定められたものであるから、端子AG1の電圧が高
電位側電圧Vddを下回るとともに端子AG2の電圧が
低電位側電圧Vssを上回る時刻t7より前に、上記し
た閉ルートを確実に遮断することができる。換言すれ
ば、一方向性ユニットU10〜U40において、それら
の一方の端子電圧が他方の端子電圧を下回る前に、トラ
ンジスタP1、P2、N3、N4をオフするように、コ
ンパレータCOM1〜COM4の比較動作を応答遅延時
間tdに応じて前もって開始しているのである。
ジスタの降下電圧を上回る場合 次に、Vf>Voffset>Vonの場合について、図7を
参照しつつ説明する。図7はオフセット電圧がトランジ
スタの降下電圧を上回る場合のタイミングチャートであ
る。
状態へ変化する時の動作 図7に示されるように、時刻t1において、端子AG1
の電圧が高電位側電圧Vddを上回ると、コンパレータ
COM1はその出力信号をハイレベルからローレベルに
変化させるように動作を開始する。しかしながら、コン
パレータCOM1には応答遅延時間tdが存在するた
め、時刻t1の直後に出力信号のレベルはハイレベルか
らローレベルへ切り換わらない。このため、端子AG1
の電圧はさらに上昇する。
圧が低位側電圧Vssを下回ると、コンパレータCOM
4はその出力信号をローレベルからハイレベルに変化さ
せるように動作を開始する。しかしながら、コンパレー
タCOM4には応答遅延時間tdが存在するため、直ち
にトランジスタN4がオフからオンに切り換わることは
ない。このため、端子AG2の電圧はさらに下降する。
高電位側電圧Vddより寄生ダイオードD1の降下電圧
Vfだけ高位になる電圧(Vdd+Vf)に達すると、
寄生ダイオードD1がオンする。また、この時、端子A
G2の電圧が、低位側電圧Vssより寄生ダイオードD
4の降下電圧Vfだけ低位になる電圧(Vss−Vf)
に達するため、寄生ダイオードD4がオンする。
D1→コンデンサ140→寄生ダイオードD4→端子A
G2の閉ルートで充電電流が流れて、コンデンサ140
が充電される。すなわち、寄生ダイオードD1およびD
4は、コンパレータCOM1およびCOM4の動作とは
関係なく、充電電流をコンデンサ140に流し込むこと
ができる。
充電状態に切り換わる時に、寄生ダイオードD1および
D4を用いた充電が行われることになる。なお、端子A
G1の電圧が緩やかに立ち上がる場合、換言すれば発電
周波数が低い場合、あるいは電圧Voffsetの値が小さい
場合には、時刻t1から応答遅延時間が経過するまで
に、端子AG1の電圧が電圧(Vdd+Vf)を上回ら
ないことがある。そのような場合には、トランジスタP
1およびN4を用いた充電が行われることになる。
ると、コンパレータCOM1の出力信号はハイレベルか
らローレベルへ変化する。これにより、トランジスタP
1はオフからオンに切り換わると、端子AG1の電圧は
下降し、電圧(Vdd+Von)となる。
は、時刻t4においてローレベルからハイレベルへ変化
する。これにより、トランジスタN4がオフからオンに
切り換わると、端子AG2の電圧は上がり、電圧(Vs
s−Von)となる。端子AG1の電圧は次にトランジ
スタP1がオフするまで維持され、端子AG2の電圧は
次にトランジスタN4がオフするまで維持される。
期間にあっては、端子AG1→トランジスタP1→コン
デンサ140→トランジスタN4→端子AG2の閉ルー
トで充電電流が流れて、コンデンサ140が充電され
る。
オン抵抗値は小さいので、電圧Vonの値も小さくな
る。このため、時刻t3において、端子AG1の電圧は
電圧(Vdd+Voffset)を下回り、端子AG2の電圧
は電圧(Vss−Voffset)を上回る。 したがって、
時刻t3から、コンパレータCOM1はその出力信号を
ローレベルからハイレベルに変化させる動作を開始し、
一方、コンパレータCOM4はその出力信号をハイレベ
ルからローレベルに変化させる動作を開始する。
パレータCOM4には応答遅延時間tdが存在するの
で、時刻t3の直後にそれらの出力信号が変化すること
はない。
経過して時刻t4になると、コンパレータCOM1の出
力信号はハイレベルとなり、トランジスタP1はオンか
らオフに切り換わる。一方、時刻t4において、コンパ
レータCOM4の出力信号はローレベルとなり、トラン
ジスタN4はオンからオフに切り換わる。トランジスタ
P1がオフすると、端子AG1の電圧は上昇し、当該電
圧が高電位側電圧Vddより寄生ダイオードD1の降下
電圧Vfだけ高位の電圧(Vdd+Vf)に達する。す
ると、寄生ダイオードD1がオフからオンに切り換わ
る。このため、端子AG1の電圧は、次にトランジスタ
P1がオンするまで電圧(Vdd+Vf)を維持する。
いて下降して、低電位側電圧Vssより寄生ダイオード
D4の降下電圧Vfだけ低位の電圧Vss−Vfに達す
る。すると、寄生ダイオードD4がオフからオンに切り
換わる。このため、端子AG2の電圧は、次にトランジ
スタN4がオンするまで電圧(Vss−Vf)を維持す
る。
での期間にあっては、寄生ダイオードD1およびD4を
用いた充電が行われる。この場合には、端子AG1→寄
生ダイオードD1→コンデンサ140→寄生ダイオード
D4→端子AG2の閉ルートで充電電流が流れて、コン
デンサ140が充電される。
で寄生ダイオードD1およびD4がオフである第1の状
態と寄生ダイオードD1およびD4がオンでトランジス
タP1およびN4がオフの第2の状態とを交互に繰り返
し、コンデンサ140が充電される。
状態へ切り換わるときの動作 次に、充電状態から非充電状態へ切り換わるときの動作
を説明する。図7に示すように、時刻t14において、
端子AG1の電圧が電圧(Vdd+Vf)を下回わると
ともに端子AG2の電圧が電圧(Vss−Vf)を上回
ったとすると、寄生ダイオードD1、D4はオンからオ
フに切り換わり、これ以降、オフを維持する。
1,N4はオフとなるので、端子AG1の電圧は次第に
下降し、端子AG2の電圧は次第に上昇する。時刻t1
6において、トランジスタP1およびN4は再びオンす
る。しかし、時刻t15において、端子AG1の電圧が
電圧(Vdd+Voffset)を下回り、端子AG2の電圧
が電圧(Vss−Voffset)を上回るので、時刻t15
から応答遅延時間tdが経過した時刻t17において、
トランジスタP1およびN4はオフとなる。
に応答遅延時間tdを考慮して、端子AG1の電圧が高
電位側電圧Vddを下回る前にトランジスタP1がオフ
し、また、端子AG2の電圧が低電位側電圧Vssを上
回る前にトランジスタN4がオフするように設定されて
いる。したがって、コンデンサ140に充電された電流
が逆流することを確実に防止できる。
パレータCOM1〜COM4の応答遅延時間tdを考慮
したオフセット電圧Voffsetを生成し、レベルシフトさ
れた電圧を各コンパレータCOM1〜COM4の正入力
端子(+)に供給している。これにより、コンデンサ1
40の状態を充電状態から非充電状態に切り換える際、
端子AG1の電圧が高電位側電圧Vddを下回った場
合、あるいは、端子AG2の電圧が低電位側電圧Vss
を上回った場合に各トランジスタP1、P2、N3、N
4を必ずオフさせて、急峻な電流がコンデンサ140か
ら流れ出すことを確実に防止することができる。この結
果、コンデンサ140を保護することができ、さらに、
電流の逆流によって電源電圧にパルス状のノイズが重畳
されるのを防止して、負荷150を安定して動作させる
ことができる。
充電状態から充電状態に切り換わる時に寄生ダイオード
D1〜D4による充電が行われるので、充電効率を高め
ることができる。さらに、Voffset>Vonの条件下で
は、充電状態において、寄生ダイオードD1〜D4によ
る充電と各トランジスタトランジスタP1、P2、N
3、N4による充電を交互に繰り返すことができるの
で、寄生ダイオードD1〜D4を用いない場合と比較し
て、充電効率を2倍に高めることができる。
シフタ10〜40は、それぞれコンパレータCOM1〜
COM4の正入力端(+)側に設けられているが、負入
力端(−)側に設ける構成としても良い。レベルシフタ
10および20を負入力端(−)側に設ける場合には、
端子AG1、AG2の電圧が、各応答遅延時間td1、
td2に相当する電圧Voffset1、Voffset2だけ低位側
にレベルシフトされて、このレベルシフトされた電圧が
コンパレータCOM1、COM2の負入力端(−)に供
給される構成となる。また、レベルシフタ30および4
0を負入力端(−)側に設ける場合には、端子AG1、
AG2の電圧が、各応答遅延時間td3、td4に相当
する電圧Voffset3、Voffset4だけ高位側にレベルシフ
トされて、このレベルシフトされた電圧がコンパレータ
COM3、COM4の負入力端(−)に供給される構成
となる。要は、コンパレータCOM1〜COM4が、応
答遅延時間td1〜td4を考慮して、端子AG1の電
圧が高電位側電圧Vddを下回る前、端子AG2の電圧
が低電位側電圧Vssを上回る前に、閉ルートを遮断す
る構成とすれば足りる。
式のものとすれば、応答遅延時間td1〜td4が略同
一となるので、Voffset1=Voffset2=Voffset3=V
offset4とすれば足りる。ただし、整流性能等を重視す
る場合であれば、各コンパレータCOM1〜COM4の
特性に合わせて、Voffset1〜Voffset4を個別に設定す
るようにしても良い。
0〜40は、それぞれコンパレータCOM1〜COM4
に対して外部回路となっているが、コンパレータCOM
1〜COM4に内蔵する構成、さらに、トランジスタP
1,P2,N3,N4とともに集積化する構成としても良
い。
4をMOS−ICとして集積化し、あるいは、一方向性
ユニットU1〜U4および負荷150を構成する電子回
路の少なくとも一部をMOS−ICとして集積化する構
成としても良い。このように集積化すれば、小型化に大
いに寄与することが可能となる。
ジスタP1→コンデンサ140→トランジスタN4→端
子AG2の閉ルート、端子AG2→トランジスタP2→
コンデンサ140→トランジスタN3→端子AG1の閉
ルートにおいて、その一部を遮断すればよい。
のみを用いてレベルシフタ30および40を省略しても
よいし、逆に、レベルシフタ30および40のみを用い
てレベルシフタ10および20を省略してもよい。
用いてレベルシフタ20および40を省略するようにし
てもよいし、逆に、レベルシフタ20および40のみを
用いてレベルシフタ10および30を省略するようにし
てもよい。なお、この点は、コンパレータCOM1〜C
OM4の入力トランジスタにおいて、しきい値電圧Vt
hを異ならせる場合、あるいは、レベルシフタ10〜4
0をコンパレータCOM1〜COM4の負入力端子
(−)側に設ける場合にも同様である。
について図面を参照しつつ説明する。
ブロック図である。この図8に示すように電力供給装置
は、発電機100、昇圧コンデンサ130、一方向性ユ
ニットU50およびU60、コンデンサ140、および
負荷150から大略構成されており、昇圧整流ができる
ようになっている。なお、この例では、高電位側電圧V
ddを基準電位(GND)としている。まず、一方向性
ユニットU50は、電圧V2が高電位側電圧Vddを上
回る場合に端子X1から端子X2に向けて電流を流し、
電圧V2が高電位側電圧Vddを下回る場合には電流を
流さないように構成されている。この一方向性ユニット
U50は、発電機100の起電圧を半波整流し、昇圧コ
ンデンサ130を充電するために用いられる。一方向性
ユニットU50は、トランジスタP5と寄生ダイオード
D5、コンパレータCOM5およびレベルシフタ50を
備えている。レベルシフタ50は電圧V2を電圧V
offset5だけ低電位側にレベルシフトさせて電圧(V2
−Voffset5)を発生し、これをコンパレータCOM5
の負入力端子(−)に供給している。
2をコンパレータCOM5の負入力端子(−)に直接供
給したとすると、コンパレータCOM5の応答遅延時間
td5によって、電圧V2が高電位側電圧Vddを下回
ってから応答遅延時間td5が経過するまでの期間、昇
圧コンデンサ130→発電機100→トランジスタP5
→昇圧コンデンサ130の閉ルートで電流が逆流してし
まう。
るために設けられたものである。この場合、コンパレー
タCOM5は、電圧(V2−Voffset5)と高電位側電
圧Vddを比較するから、電圧V2が高電位側電圧Vd
dに対して電圧Voffset5だけ高位側にある時点で、コ
ンパレータCOM5はその出力信号をローレベルからハ
イレベルに切り換えるように動作を開始する。
td5を考慮して電流の逆流が発生しないように定めら
れており、およそ数十[mV]に設定される。したがっ
て、コンパレータCOM5は、電圧V2が高電位側電圧
Vddを下回る直前にローレベルからハイレベルへ変化
する出力信号を生成して、トランジスタP5がオンから
オフに切り換えることができるようになっている。な
お、コンパレータCOM5としては、例えば、第1実施
形態で説明したコンパレータCOM1を使用することが
できる(図3参照)。
1が電圧V2を上回る場合に端子X3から端子X1に向
けて電流を流し、電圧V1が電圧V2を下回る場合には
電流を流さないように構成されている。この一方向性ユ
ニットU60は、昇圧コンデンサ130とコンデンサ1
40とを接続することによって、昇圧を行うとともに発
電機100の起電圧を整流するために用いられる。一方
向性ユニットU60は、トランジスタN6と寄生ダイオ
ードD6、コンパレータCOM6およびレベルシフタ6
0を備えている。レベルシフタ60は電圧V1を電圧V
offset6だけ低電位側にレベルシフトさせて電圧(V1
−Voffset6)を発生し、これをコンパレータCOM6
の正入力端子(+)に供給している。
1をコンパレータCOM6の正入力端子(+)に直接供
給したとすると、コンパレータCOM6の応答遅延時間
td6によって、電圧V1が電圧V2を下回ってから応
答遅延時間td6が経過するまでの期間、トランジスタ
N6はオン状態を維持する。このため、当該期間におい
て、昇圧コンデンサ130→トランジスタN6→コンデ
ンサ140→発電機100→昇圧コンデンサ130の閉
ルートで電流が逆流してしまう。
るために設けられたものである。この場合、コンパレー
タCOM6は、電圧(V1−Voffset6)と電圧V2を
比較するから、電圧V1が電圧V2に対して電圧V
offset6だけ高位側にある時点で、コンパレータCOM
6はその出力信号をハイレベルからローレベルに切り換
えるように動作を開始する。ここで、電圧V
offset6は、応答遅延時間td6を考慮して電流の逆流
が発生しないように定められている。したがって、コン
パレータCOM6は、電圧V1が電圧V2を下回る直前
にハイレベルからローレベルへ変化する出力信号を生成
し、これにより、トランジスタN6がオンからオフに切
り換えることができるようになっている。
説明する。この例では、各コンパレータCOM5、CO
M6の応答遅延時間は、tdと等しく、各レベルシフタ
50、60オフセット電圧はVoffsetに設定されてお
り、各トランジスタN5、P6の降下電圧はVonと等
しいものとする。
応答遅延時間tdに応じて定められる。したがって、オ
フセット電圧Voffsetが降下電圧Vonを下回る場合も
あれば、オフセット電圧Voffsetが降下電圧Vonを上
回る場合もあるが、この例では、Voffset<Vonであ
るものとする。図9はオフセット電圧がトランジスタの
降下電圧を下回る場合における電圧V2の波形図であ
る。図9に示すように、電圧V2は発電機100の起電
圧に応じて略正弦波状に変化する。
電圧V2が高電位側電圧Vdd(基準電圧GND)を上
回るため、一方向性ユニットU50によって半波整流が
行われ、昇圧コンデンサ130が充電される。
ットU60によって半波整流が行われ、コンデンサ14
0が充電される。
ニットU60が接続状態となるので、昇圧コンデンサ1
30の端子間電圧と発電機100の起電圧が加算された
電圧によって、コンデンサ140が充電される。すなわ
ち、昇圧整流が行われることになる。
作を説明する。図9に示すように、時刻t1において、
電圧V2が高電位側電圧Vddより電圧Voffsetだけ高
位にある電圧(Vdd+Voffset)を上回ると、COM
5はその出力信号をハイレベルからローレベルに変化さ
せるように動作を開始する。
応答遅延時間tdが存在するため、出力信号のレベルは
時刻t1の直後にローレベルへ変化することはない。こ
のため、電圧V2はさらに上昇し、時刻t1’におい
て、電圧(Vdd+Vf)に達する。すると、寄生ダイ
オードD5がオフからオンに切り換わる。この場合、充
電電流は、端子X1→寄生ダイオードD5→端子X2→
発電機100→昇圧コンデンサ130→端子X1の閉ル
ートで流れ、これによって、昇圧コンデンサ130が充
電される。
経過して時刻t2に至ると、コンパレータCOM5の出
力信号はハイレベルからローレベルに変化する。これに
より、トランジスタP5がオンになり、端子X2と端子
X1がトランジスタP5を介して接続される。これによ
り、電圧V2が電圧(Vdd+Von)まで下降する。
トランジスタP5の降下電圧Vonは寄生ダイオードD
5の降下電圧Vfよりも小さいので、寄生ダイオードD
5は、トランジスタP5がオンするとオンからオフに切
り換わる。
ランジスタP5による充電が行われる。この場合、充電
電流は、端子X1→トランジスタP5→端子X2→発電
機100→昇圧コンデンサ130→端子X1の閉ルート
で流れ、これによって、昇圧コンデンサ130が充電さ
れる。
じめ、やがて時刻t3に至ると、電圧V2が電圧(Vd
d+Voffset)を下回る。すると、コンパレータCOM
5はその出力信号のレベルをローレベルからハイレベル
に変化させる動作を開始する。
応答遅延時間tdが存在するので、入力の大小関係が逆
転してもそれが出力信号に即刻反映されるわけでわな
い。このため、時刻t3から応答遅延時間tdが経過す
る時刻t4までの期間は、トランジスタP5がオンして
いる。したがって、時刻t3から時刻t4の期間におい
てもトランジスタP5を用いた充電が行われる。
COM5の出力信号がハイレベルになるので、端子X1
→トランジスタP5→端子X2→発電機100→昇圧コ
ンデンサ130→端子X1の閉ルートが遮断され、充電
電流が流れなくなる。
パレータCOM5の応答遅延時間tdを考慮して定めら
れたものであるから、電圧V2が高電位側電圧Vddを
下回る時刻t5より前に、上記した閉ルートを確実に遮
断することができる。したがって、昇圧コンデンサ13
0から電流が逆流するのを防止することができる。
作を説明する。図9に示すように時刻t6において、電
圧V2が電圧V1より電圧Voffsetだけ低位にある電圧
(V1−Voffset)を下回ると、COM6はその出力信
号をローレベルからハイレベルに変化させるように動作
を開始する。しかしながら、コンパレータCOM6には
応答遅延時間tdが存在するため、時刻t6の直後に出
力信号のレベルがハイレベルに変化することはなく、応
答遅延時間tdが経過して時刻t7に至った時、出力信
号はハイレベルに変化する。これにより、トランジスタ
N6がオフからオンに切り換わる。但し、この例では、
時刻t7より前の時刻t6’において、電圧V2は、電
圧(V1−Vf)に達するので、寄生ダイオードD6が
オンとなる。
ドD6による充電が開始される。この場合、端子X3→
寄生ダイオードD6→端子X1→昇圧コンデンサ130
→発電機100→コンデンサ140→端子X3の閉ルー
トが形成され、コンデンサ140が充電される。
6がオンになるので、電圧V2は電圧(V1−Von)
まで上昇して、トランジスタN6を用いた充電が開始さ
れる。この場合、端子X3→トランジスタN6→端子X
1→昇圧コンデンサ130→発電機100→コンデンサ
140→端子X3の閉ルートが形成され、コンデンサ1
40が充電される。
ランジスタN6による場合のいずれであっても、発電機
100の起電圧のみならず、起電圧と昇圧コンデンサ1
30の端子間電圧とを加算した電圧が、コンデンサ14
0に印加される。これにより、昇圧整流が行われ、コン
デンサ140の電圧を高くすることができる。
じめ、やがて時刻t8に至ると、電圧V2が電圧(Vs
s−Voffset)を上回る。すると、コンパレータCOM
6はその出力信号のレベルをハイレベルからローレベル
に変化させる動作を開始するが、応答遅延時間tdが経
過するまでは出力信号のレベルは変化しない。このた
め、時刻t8から応答遅延時間tdが経過する時刻t9
までの期間は、トランジスタN6がオンしている。した
がって、時刻t8から時刻t9の期間においてもトラン
ジスタN6を用いた充電が行われる。
N6がオフするので、端子X3→トランジスタN6→端
子X1→昇圧コンデンサ130→発電機100→コンデ
ンサ140→端子X3の閉ルートが遮断され、充電電流
が流れなくなる。ここで、オフセット電圧Voffsetは、
コンパレータCOM6の応答遅延時間tdを考慮して定
められたものであるから、電圧V2が低電位側電圧Vs
sを上回る時刻t10より前に、上記した閉ルートを確
実に遮断することができる。したがって、コンデンサ1
40から電流が逆流するのを防止することができる。
パレータCOM5およびCOM6の応答遅延時間tdを
考慮したオフセット電圧Voffsetを発生し、レベルシフ
トされた電圧を各コンパレータCOM5およびCOM6
に供給している。したがって昇圧コンデンサ130の状
態を充電状態から非充電状態に切り換える際、高電位側
電圧Vddが電圧V2を下回る前に確実にトランジスタ
P5を確実にオフさせて、急峻な電流がコンデンサ14
0から流れ出すことを防止し、コンデンサ140を保護
することができる。
態から非充電状態に切り換える際、電圧V1が電圧V2
を上回る前に確実にトランジスタN6を確実にオフさせ
て、急峻な電流がコンデンサ140から流れ出すことを
防止することができる。この結果、コンデンサ140を
保護することができ、さらに、電流の逆流によって電源
電圧にパルス状のノイズが重畳されるのを防止して、負
荷150を安定して動作させることができる。
シフタ50は、コンパレータCOM5の負入力端(−)
側に設けられているが、正入力端(+)側に設ける構成
としても良い。この場合、高電位側電圧Vddが各応答
遅延時間td5に相当する電圧Voffset5だけ高位側に
レベルシフトされて、このレベルシフトされた電圧がコ
ンパレータCOM5の正入力端(+)に供給される構成
となる。また、レベルシフタ60は、コンパレータCO
M6の正入力端(+)側に設けられているが、負入力端
(−)側に設ける構成としても良い。この場合、電圧V
2が各応答遅延時間td6に相当する電圧Voffset6だ
け高位側にレベルシフトされて、このレベルシフトされ
た電圧がコンパレータCOM6の負入力端(−)に供給
される構成となる。
式のものとすれば、応答遅延時間td5、td6が略同
一となるので、Voffset5=Voffset6とすれば足りる。
ただし、整流性能等を重視する場合であれば、各コンパ
レータCOM5、COM6の特性に合わせて、V
offset5、Voffset6を個別に設定するようにしても良
い。
0、60は、それぞれコンパレータCOM5、COM6
に対して外部回路となっているが、コンパレータCOM
5、COM6に内蔵する構成、さらに、トランジスタP
5、N6とともに集積化する構成としても良い。このよ
うに集積化すれば、小型化に大いに寄与することが可能
となる。
U60をMOS−ICとして集積化し、あるいは、一方
向性ユニットU50、U60および負荷150を構成す
る電子回路の少なくとも一部をMOS−ICとして集積
化する構成としても良い。
について図面を参照しつつ説明する。
のブロック図である。第3実施形態に係る電力供給装置
は、コンパレータCOM3に代えてバッファ31を用い
る点、およびコンパレータCOM4の替わりにバッファ
41を用いる点を除いて、図1に示す第1実施形態に係
る電力供給装置と同様に構成されている。
G2の電圧が供給され、その出力信号がトランジスタN
3のゲートに供給されるようになっている。したがっ
て、端子AG2の電圧がバッファ31のしきい値電圧を
上回るとトランジスタN3がオンする。
G1の電圧が供給され、その出力信号がトランジスタN
3のゲートに供給されるようになっている。したがっ
て、端子AG1の電圧がバッファ41のしきい値電圧を
上回るとトランジスタN4がオンする。
値電圧は(Vdd+Vss)/2に設定されている。こ
のため、端子AG1の電圧が端子AG2の電圧を上回る
とトランジスタN3がオンするとともにトランジスタN
4がオフする。逆に、端子AG2の電圧が端子AG1の
電圧を上回るとトランジスタN3がオフするとともにト
ランジスタN4がオンする。
るとトランジスタN3とトランジスタN4とは交互にオ
ン/オフを繰り返す。一方、一方向性ユニットU10、
U20は、上述した実施形態と同様に動作する。
電圧Vddを上回ると、端子AG1→トランジスタP1
→コンデンサ140→トランジスタN4→端子AG2の
閉ルートが形成され、端子AG2の電圧が高電位側電圧
Vddを上回ると、端子AG2→トランジスタP2→コ
ンデンサ140→トランジスタN3→端子AG1の閉ル
ートが形成される。これらの閉ルートによってコンデン
サ140が充電されることになる。
OM2には応答遅延時間tdが存在するが、この応答遅
延時間tdを考慮して上述した第1実施形態と同様にレ
ベルシフタ10および20によって、オフセット電圧が
各コンパレータCOM1およびCOM2に与えられてい
る。
ランジスタP1をオンからオフに切り換える動作を端子
AG1の電圧が高電位側電圧Vddを下回る前から開始
し、コンパレータCOM2は、トランジスタP2をオン
からオフに切り換える動作を端子AG2の電圧が高電位
側電圧Vddを下回る前から開始する。
電状態から非充電状態に切り換える際、各トランジスタ
P1、P2を必ずオフさせて、急峻な電流がコンデンサ
140から流れ出すことを確実に防止することができ
る。
とができ、さらに、電流の逆流によって電源電圧にパル
ス状のノイズが重畳されるのを防止して、負荷150を
安定して動作させることができる。
たる電子時計(腕時計)について説明する。
図である。この図に示されるように、腕時計に好適な発
電機100は、コイル110が巻回されたステータ11
2と、2極磁化されたディスク状のロータ114とを備
えており、腕時計を装着したユーザが手を振ると、回転
錘116が旋回運動し、当該運動が輪列機構118によ
ってロータ114を回転させる構成となっている。
れば、回転錘116の旋回によってコイル110の両端
に位置する端子AG1、AG2の間には交流電力が発生
することとなる。
交流電力は、充電回路400によって全波整流されて、
補助コンデンサ160に充電されるとともに、処理部6
00に供給される。
充電された電力、または、電力供給装置500によって
全波整流された電力によって時計装置151を駆動す
る。時計装置151は、水晶発振器や、カウンタ回路、
ステッピングモータなどから構成されており、水晶発振
器によって生成されるクロック信号をカウンタ回路で分
周し、この分周結果に基づいて時刻を計時するととも
に、ステッピングモータを駆動して、時刻等を表示する
ようになっている。
すブロック図である。図12に示されるように、この電
子時計は、上記第1実施形態にかかる電力供給装置を用
いている。さらに、この電子時計の電力供給装置500
は、昇圧回路300を備えている。
の充電電圧を必要に応じて昇圧して補助コンデンサ16
0に充電し、この電子時計の負荷である処理部600お
よびコンパレータCOM1〜COM4に電源として供給
するものである。詳細には、昇圧回路300は、低位側
電圧Vssと基準電位たる高電位側電圧Vddとの線間
電圧(絶対値)で示される電源電圧が回路各部の動作可
能な電圧下限値(もしくはその近傍値)に低下すると、
昇圧倍数を1段階上げる。逆に電圧上限値(もしくはそ
の近傍値)に上昇すると昇圧倍数を1段階下げる。
分な場合であっても、電源電圧Vssは動作可能電圧の
範囲内に維持されるので、コンパレータCOM1〜CO
M4によるトランジスタP1、P2、N3、N4の制御
が可能となって、小振幅の交流電圧を整流することが可
能となる。
で場合であって、昇圧によっても、コンパレータCOM
1〜COM4が動作しない場合であっても、寄生ダイオ
ードD1〜D4からなるダイオードブリッジの整流によ
って、コンデンサ140を充電することが可能である。
なお、この電子時計に対し、上述した第2実施形態ある
いは第3実施形態の電力供給装置を用いることも可能で
ある。
形例 本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、
例えば、以下に述べる各種の変形が可能である。
ンジスタP1、P2、N3、N4、P5、N6をNチャ
ネルあるいはPチャネル電界効果型としたが、NPN型
あるいはPNP型のバイポーラトランジスタを用いても
良い。ただし、バイポーラトランジスタにあっては、エ
ミッタ/コレクタ間の飽和電圧が通常0.3V程度である
ので、発電機100の起電圧が小さい場合には、上述の
ように電界効果型とするのが望ましい。
4、P5、N6は寄生ダイオードD1〜D6が発生する
ように構成したが、これらが発生しないような場合に
は、別途、ダイオードを各トランジスタに並列に設けれ
ばよい。
充電する主体をコンデンサ140としたが、電力を蓄電
することが可能であれば十分であり、例えば、二次電池
であっても良い。
例えば、ゼンマイなどの復元力により回転運動を発生さ
せて、この回転運動によって起電力を発生させる発電機
や、圧電体に対して外部あるいは自励による振動や変位
を加えて、その圧電効果によって電力を発生させる発電
機などであっても良い。要は、交流電力を発電するもの
であれば、その形式は問われない。
供給装置が適用される電子機器としては、上記電子時計
のほか、液晶テレビや、ビデオテープレコーダ、ノート
型パーソナルコンピュータ、携帯電話、PDA(Person
al Digital Assistant:個人情報端末)、電卓などの携
帯型電子機器が例として挙げられる。
れば、いかなるものに対しても適用可能である。そし
て、このような携帯型電子機器においては、コンデンサ
や二次電池などの蓄電素子がなくても、電子回路系や機
構系を稼働させることができるので、いつでもどこでも
使用することができるとともに、煩わしい電池の交換を
不要にでき、さらに、電池の廃棄に伴う問題も生じるこ
ともない。
向性ユニットU10〜U60のそれぞれに用いるコンパ
レータCOM1〜COM6において、オフセット電圧を
持たせることにより、コンデンサ140から電流が逆流
することを防止したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、各一方向性ユニットU10〜U60におい
て、2つのオフセット電圧を切り換えて、各トランジス
タP1、P2、N3、N4、P5、N6のオン/オフを
制御するようにしてもよい。
る一方向性ユニットの構成例を示す回路図である。この
図に示すように一方向性ユニットは、コンパレータCO
M71,COM72、レベルシフタ73,74、インバ
ータ75、SRフリップフロップ76およびPチャンネ
ルのトランジスタ77から構成されている。
圧Vddを電圧Vaだけ高電位側にレベルシフトされた
電圧をコンパレータCOM71の正入力端子に供給し、
レベルシフタ74は、高電位側電圧Vddを電圧Vbだ
け高電位側にレベルシフトされた電圧をコンパレータC
OM72の正入力端子に供給する。また、トランジスタ
77の降下電圧をVonとしたとき、Von>Vb>V
aとなるように設定されている。
の動作を示すタイミングチャートである。端子AG1の
電圧が、時刻t1において電圧(Vdd+Va)を上回
ると、時刻t1から応答遅延時間tdが経過した時刻t
2において、コンパレータCOM71の出力信号は、ハ
イレベルからローレベルに変化する。ここで、Vb>V
aに設定されているから、コンパレータCOM71の出
力信号は、コンパレータCOM72の出力信号が変化す
る以前に、ハイレベルからローレベルに変化する。
ンバータ75を介してSRフリップフロップ76のセッ
ト端子に供給されているから、トランジスタP1を時刻
t1からオンすることができる。
圧が電圧(Vdd+Vb)を下回ると、応答遅延時間t
dが経過した時刻t4において、コンパレータCOM7
2の出力信号は、ローレベルからハイレベルに変化す
る。コンパレータCOM72の出力信号は、SRフリッ
プフロップ76のリセット端子に供給されているから、
トランジスタP1を時刻t4からオフすることができ
る。
から充電状態に切り換える場合のオフセット電圧Va
と、充電状態から非充電状態に切り換える場合のオフセ
ット電圧Vbとを異ならせることによって、コンデンサ
140への充電期間を長くして充電効率を向上させると
ともに、電流の逆流を防止することが可能である。
延時間tdを考慮するとCOM71のオフセット電圧V
aは0[V]でもよい。その場合はトランジスタ77の
オン時間が長くなり、充電効率はさらに向上する。
果 以上説明したように第1実施形態〜第4実施形態によれ
ば、コンパレータ(比較手段)は、両方の端子電圧のう
ち少なくとも一方の端子電圧を応答遅延時間に応じて予
め定められた電圧だけオフセットさせて比較するので、
一方の端子電圧が他方の端子電圧を下回る前に対応する
トランジスタ(スイッチング手段)をオフすることがで
きる。したがって、一方向性ユニットを電流が逆流する
ことを防止することができる。
ることが無くなり蓄電器を保護することができ、さら
に、電流の逆流に起因して電源電圧に重畳するパルス状
のノイズを除去することができるので、電力供給装置に
接続される負荷を安定して動作させることができる。
術分野 ここで以下に説明する第5実施形態(〜第7実施形態)
の理解を助けるべく、第5実施形態(〜第7実施形態)
の適用される技術分野について図面を参照して説明す
る。
が適用される技術分野である全波整流回路を用いた電力
供給装置の回路図を示す。図28に示されるように、発
電機100の一方の端子AG1はPチャンネル電界効果
型のトランジスタP1を介して、また、他方の端子AG
2はトランジスタP2を介して、それぞれ電源の高電位
側電圧Vddに接続されている。さらに、端子AG1
は、Nチャンネル電界効果型のトランジスタN3を介し
て、また、他方の端子AG2はトランジスタN4を介し
て、それぞれ電源の低位側電圧Vssに接続されてい
る。
にはコンパレータCOM1、COM2の出力信号が各々
供給されるようになっている。さらに、トランジスタN
3のゲートは端子AG2と接続され、トランジスタN4
のゲートは端子AG1と接続されている。
た電流を充電するものであり、負荷150は、これを電
源として、当該電子機器において各種処理を実行するも
のである。
圧が、発電によって高電位側電圧Vddを上回ると、コ
ンパレータCOM1の出力電圧はローレベルとなりトラ
ンジスタP1がオンする。また、端子AG1の電圧が、
トランジスタN4のしきい値電圧を上回ると、トランジ
スタN4がオンする。これにより、電流は、端子AG1
→トランジスタP1→大容量コンデンサ140→トラン
ジスタN4→端子AG2という閉ルートで流れる。この
結果、大容量コンデンサ140が充電される。
電圧Vddを上回ると、トランジスタP2およびN3が
オンする。これにより、電流は、端子AG2→トランジ
スタP2→大容量コンデンサ140→トランジスタN3
→端子AG1という閉ルートで流れる。この結果、大容
量コンデンサ140が充電される。
て発生した交流電力は全波整流され、しかも、全波整流
に際しての電圧降下による損失はないので発電機100
が小振幅の交流電圧を発電する場合であっても、充電さ
れた大容量コンデンサ140によって、あるいは、整流
された電流によって直接、負荷150を稼働させること
ができる。
2は、高電位側電圧Vddと端子AG1、AG2の電圧
を比較し、その比較結果に基づいて電流を端子AG1か
ら高電位側電圧Vddに向けて、あるいは、端子AG2
から高電位側電圧Vddに向けて流すものである。
OM2には、正負入力端子に給電される電圧の大小関係
が逆転してからその結果を出力信号に反映するまでに応
答遅延時間を生じる。
流用のトランジスタがオンしたり、オンとなるべき期間
に整流用のトランジスタがオフしたりするといった問題
があった。図29はコンパレータの遅延時間に伴う整流
効率の低下を説明するためのタイミングチャートであ
る。なお、この例では、コンパレータの出力信号をロー
レベルからハイレベルに変化させる時に生じる応答遅延
時間をtd1、その出力信号をハイレベルからローレベ
ルに変化させる時に生じる応答遅延時間をtd2と表す
ものとする。
次第に下降し、時刻t1において高位側電圧Vddに達
すると、コンパレータCOM1は時刻t1から出力信号
のレベルをローレベルからハイレベルへ変化させる動作
を開始する。しかしながら、コンパレータCOM1には
応答遅延時間td1が存在するため、時刻t1の直後に
出力信号のレベルが変化することはなく、時刻t1から
応答遅延時間tdが経過して時刻t3に至った時点で、
コンパレータCOM1の出力信号がローレベルからハイ
レベルへ変化する。したがって、時刻t3において、ト
ランジスタP1がオフする。
し、時刻t2において高電位側電圧Vddに達すると、
コンパレータCOM2は時刻t2から出力信号のレベル
をハイレベルからローレベルへ変化させる動作を開始
し、時刻t2から応答遅延時間td2が経過して時刻t
4に至ると、コンパレータCOM2の出力信号がハイレ
ベルからローレベルへ変化してトランジスタP2がオン
する。
M2の応答遅延時間td1、td2が長いと、発電機1
00の起電圧の位相に対して、トランジスタP1、P
2、N3、N4をオン/オフして大容量コンデンサ14
0に充電するタイミングが発電機100の起電圧のタイ
ミングに対して、遅れてしまう。大容量コンデンサ14
0に充電できるのは、発電機100の起電圧の振幅が高
電位側電圧Vddと低位側電圧Vssとの間の電位差を
上回っている期間だけであるから、トランジスタP1、
P2、N3、N4をオン/オフするタイミングが遅れる
と、充電できる期間が短くなる。具体的には、図29中
に斜線で示す部分において整流がなされないことになる
ので、整流効率が低下する。
動作電流を大きくすれば、応答遅延時間が短くなるが、
そのように設定すると、コンパレータCOM1、COM
2自体で電力を消費してしまい、電力供給装置の効率が
低下することは上述した通りである。
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、整流効率を改善することにある。
示す回路図である。図17に示されるように、本実施形
態にかかる電力供給装置は、コンパレータCOM1,C
OM2とトランジスタP1,P2との間にオア回路1
1,12を設けた点、発電電圧検出回路21,22を設
けた点、および、各トランジスタP1,P2,N3,N
4と並列に寄生ダイオードD1〜D4を設けた点が図2
8に示した電力供給装置と異なっている。
圧を予め定められたしきい値電圧Vth21と比較して、
端子AG2の電圧がしきい値電圧Vth21を上回る場合
にハイレベルとなり、しきい値電圧Vth21を下回る場
合にローレベルとなる信号を生成する。
検出回路21と同様に端子AG1の電圧を予め定められ
たしきい値電圧Vth22と比較して、端子AG2の電圧
がしきい値電圧Vth22を上回る場合にハイレベルとな
り、しきい値電圧Vth22を下回る場合にローレベルと
なる信号を生成する。
一構成例を図18に示す。図18に示すように、定電流
源211は高電位側電圧VddとNチャンネルのトラン
ジスタ212のドレインとの間に接続されており、トラ
ンジスタ212のソースは低電位側電圧Vssに接続さ
れている。このため、トランジスタ212のしきい値電
圧Vth21(Vth22)は、定電流源211から供給さ
れる電流とトランジスタ212のサイズとに応じて定ま
る。なお、設定すべきしきい値電圧Vth21(Vth2
2)の値については後述する。
入力信号たる端子AG2(AG1)の電圧がしきい値電
圧Vth21(Vth22)を上回ると、トランジスタ21
2がオンして、トランジスタ212のドレイン電圧がロ
ーレベルとなる。逆に、端子AG2(AG1)の電圧が
しきい値電圧Vth21(Vth22)を下回ると、トラン
ジスタ212のドレイン電圧がローレベルとなる。トラ
ンジスタ212および定電流源211はインバータを構
成しており、トランジスタ212の出力信号がインバー
タ213を介して出力される。すなわち、発電電圧検出
回路21(22)は、入力電圧がしきい値電圧Vth21
(Vth22)を上回る場合にハイレベルとなり、しきい
値電圧Vth21(Vth22)を下回る場合にローレベル
となる信号を生成する。なお、定電流源211はデプレ
ション型トランジスタやカレントミラー回路で構成して
も良いし、また、定電流源211の代わりに抵抗素子や
Pチャンネルトランジスタと組み合わせて、トランジス
タ212とインバータを構成してもよい。
21の出力信号とコンパレータCOM1の出力信号との
論理和を算出して、トランジスタP1のゲートに供給し
ている。このため、端子AG2の電圧がしきい値電圧V
th21を上回ると、オア回路11の出力信号は、コンパ
レータCOM1の出力信号のレベルに拘わらずハイレベ
ルとなる。なお、オア回路12もオア回路11と同様に
動作する。
おいて、整流効率が低下したのは、コンパレータCOM
1,COM2の応答遅延によって、トランジスタP1,
P2が、本来、オフになる期間において、オンしている
ことに起因していた。例えば、図29に示す時刻t1か
ら時刻t3までの期間においては、トランジスタP1が
オンしているため、端子AG2の電圧は高電位側電圧V
ddに固定されていた。しかし、当該期間における端子
AG2の電圧に着目すると、この電圧は低電圧から高電
圧に向けて変化していることが分かる。
トランジスタP1がオンしているとき、他方の端子AG
2の電圧を参照すれば、発電機100の起電圧の変化
(位相)を検知することができ、さらに、検知結果に基
づいて、トランジスタP1のオフを制御すれば、発電機
100の起電圧の変化に対応して大容量コンデンサ14
0への充電を制御することが可能となる。
びオア回路11,12は、このために設けられたもので
あり、一方の端子に接続されるトランジスタがオンして
いるとき、他方の端子の電圧を予め定められたしきい値
電圧Vth21、Vth22と比較することによって、発電
機100の起電圧が大容量コンデンサ140に充電でき
ないことを検知し、その検知結果に基づいて、一方のト
ランジスタを強制的にオフするために用いられる。
h22は、発電機100の起電圧が大容量コンデンサ14
0に充電できないことを検知できるように定められる。
具体的には、しきい値電圧Vth21、Vth22は、少な
くとも低電位側電圧Vssから高電位側電圧Vddまで
の間に入るように設定される。
ランジスタP1,P2,N3,N4を集積化する際に作
り込まれる。この場合、トランジスタP1、P2のバル
ク(ボディ)は高電位側電圧Vddに接続されているた
め、トランジスタP1、P2の寄生ダイオードD1、D
2は、破線で示される方向で発生する。また、トランジ
スタN3、N4のバルク(ボディ)は低位側電圧Vss
に接続されているため、トランジスタN3、N4の寄生
ダイオードD3、D4は、波線で示される方向で発生す
る。したがって、各寄生ダイオードD1〜D4の向き
は、各トランジスタがオン状態となったとき、そこに流
れる電流の向きと一致するように構成されている。この
例では、各寄生ダイオードD1〜D4の降下電圧をVf
で表すものとする。ここで、端子AG1の電圧が電圧
(Vdd+Vf)を越えたとすると、寄生ダイオードD
1はオン状態となり、電流が端子AG1から大容量コン
デンサ140に流れることになる。したがって、コンパ
レータCOM1、COM2に大きな応答遅延時間があっ
たとしても、寄生ダイオードによって整流動作が行われ
ることになる。
流が流れると、寄生トランジスタが導通してCMOS
LSIに特有の現象であるラッチアップを引き起こすお
それがある。しかしながら、ラッチアップは、ガードバ
ンドや、トレンチ分離などの集積回路技術によって防止
することは十分可能である。
説明する。図19は本実施形態に係る電力供給装置のタ
イミングチャートであり、図20(a)、(b)は、処
理フローチャートである。
1の電圧が(高電位側電圧Vdd+オフセット電圧V
offset)を上回ったか否かを判別する(ステップS1
1)。ステップS11の判別において、端子AG1の電
圧が(高電位側電圧Vdd+オフセット電圧Voffset)
を上回ると(ステップS11;Yes)、コンパレータ
COM1は、その出力信号をハイレベルからローレベル
に切り換える動作を開始し、応答遅延時間が経過した
後、出力信号がローレベルに切り換わる。
圧がしきい値電圧Vth21を下回ったか否かを判別する
(ステップS12)。ステップS12の判別において、
端子AG2の電圧がしきい値電圧Vth21を下回った場
合に(ステップS12;Yes)、発電検出回路21
は、ローレベルとなる信号を生成しトランジスタP1を
オンする(ステップS13)。
子AG1の電圧が(高電位側電圧Vdd+オフセット電
圧Voffset)を下回ると(ステップS11;No)、コ
ンパレータCOM1は、その出力信号をローレベルから
ハイレベルに切り換える動作を開始し、応答遅延時間が
経過した後、出力信号がハイレベルに切り換わり、トラ
ンジスタP1がオフとなる(ステップS14)。したが
って、コンパレータCOM1の出力信号は、その応答遅
延時間によってトランジスタP1を本来オフすべき期間
Taにおいてもローレベルになっている。
AG2の電圧が(高電位側電圧Vdd+オフセット電圧
Voffset)を上回ったか否かを判別する(ステップS2
1)。ステップS21の判別において、端子AG2の電
圧が(高電位側電圧Vdd+オフセット電圧Voffset)
を上回ると(ステップS21;Yes)、コンパレータ
COM2は、その出力信号をハイレベルからローレベル
に切り換える動作を開始し、応答遅延時間が経過した
後、出力信号がローレベルに切り換わる。
圧がしきい値電圧Vth22を下回ったか否かを判別する
(ステップS22)。ステップS12の判別において、
端子AG1の電圧がしきい値電圧Vth22を下回った場
合に(ステップS22;Yes)、発電検出回路21
は、ローレベルとなる信号を生成しトランジスタP2を
オンする(ステップS23)。
子AG2の電圧が(高電位側電圧Vdd+オフセット電
圧Voffset)を下回ると(ステップS21;No)、コ
ンパレータCOM2は、その出力信号をローレベルから
ハイレベルに切り換える動作を開始し、応答遅延時間が
経過した後、出力信号がハイレベルに切り換わり、トラ
ンジスタP2がオフとなる(ステップS24)。したが
って、コンパレータCOM2の出力信号は、その応答遅
延時間によってトランジスタP2を本来オフすべき期間
Tbにおいてもローレベルになっている。
th21を上回る場合(端子AG2の電圧と低位側電圧V
ssの電位差がしきい値電圧Vthを越える場合)、発
電電圧検出回路21の出力信号はハイレベルとなる。
圧Vssから高電位側電圧Vddまでの間に設定されて
いる。したがって、発電電圧検出回路21の出力信号が
ローレベルからハイレベルとなり、トランジスタP1が
強制的にオフされるのは、端子AG2の電圧が低位側電
圧Vssを上回った後である。端子AG2の電圧が低位
側電圧Vssを下回っている期間は、発電機100の起
電圧によって、充電電流を大容量コンデンサ140に流
し込むことが可能な期間であるから、当該期間において
トランジスタP1を強制的にオフすることは好ましくな
い。しかしながら、しきい値電圧Vth21は、低位側電
圧Vssを上回るように設定されているから、そのよう
な不都合を招くことはない。
信号によってオン/オフが制御されるから、トランジス
タP1を本来オフする期間TaにおいてコンパレータC
OM1の出力信号がローレベルとなっていても、発電電
圧検出回路21の出力信号がハイレベルとなる時刻t1
(t3)以降は、トランジスタP1を強制的にオフする
ことができる。このため、トランジスタP1がオフする
ことにより端子AG1の電圧が高電位側電圧Vddと一
致する期間が短くなる。これにより、端子AG1の電圧
はその立ち上がりとほぼ等しい傾きで立ち下がり、端子
AG1の電圧波形は対称的な波形となる。
タCOM1、オア回路11、およびトランジスタP1
と、発電電圧検出回路22、コンパレータCOM2、オ
ア回路12、およびトランジスタP2とは対称に構成さ
れている。このため、上述した場合と同様に、トランジ
スタP2を本来オフする期間Tbにおいてコンパレータ
COM2の出力信号がローレベルとなっていても、発電
電圧検出回路22の出力信号がハイレベルとなる。
を強制的にオフすることができ、トランジスタP2がオ
ンすることにより端子AG2の電圧が高電位側電圧Vd
dと一致する期間が短くなる。
上がりとほぼ等しい傾きで立ち下がり、端子AG2の電
圧波形は対称的な波形となる。
期間においては、端子AG1→トランジスタP1→大容
量コンデンサ140→トランジスタN4→端子AG2の
閉ルートで、一方、トランジスタP2がオンしている期
間においては、端子AG2→トランジスタP2→大容量
コンデンサ140→トランジスタN3→端子AG1の閉
ルートで、電流が充電されることになる。この場合、発
電機100の起電圧の変化(位相)に対して、短い遅延
時間で大容量コンデンサ140への充電を制御すること
が可能となる。
ンジスタP1(P2)が接続される一方の端子AG1
(AG2)とは逆の他方の端子AG2(AG1)に着目
し、その電圧をしきい値電圧Vth21(Vth22)と比
較することにより、トランジスタP1(P2)を本来、
オフすべき期間を検出し、当該検出結果に基づいて、ト
ランジスタP1(P2)を強制的にオフするようにし
た。このため、応答遅延時間の長い、換言すれば消費電
力の小さいコンパレータCOM1(COM2)を使用し
ても高い整流効率の下に全波整流を行うことができる。
したがって。コンパレータCOM1(COM2)の消費
電力の削減と整流効率の向上を両立させることができ、
電力供給装置の性能を大幅に向上させることができる。
について図面を参照しつつ説明する。
のブロック図である。第6実施形態に係る電力供給装置
は、コンパレータCOM3,COM4を設け、それらの
出力信号によってトランジスタN3,N4のオン/オフ
を制御する点、発電電圧検出回路21,22の替わりに
コンパレータCOM4,COM3の各出力信号をインバ
ータ32,31を介してオア回路11,12の入力に供
給する点を除いて、図17に示した第5実施形態に係る
電力供給装置と同様に構成されている。
力端子が低位側電圧Vssに、負入力端子が端子AG1
に接続されており、端子AG1の電圧が(低位側電圧V
ss−オフセット電圧Voffset)を上回ると、その出力
信号がハイレベルとなり、これにより、トランジスタN
3がオンする。
力端子が低位側電圧Vssに、負入力端子が端子AG2
に接続されており、端子AG2の電圧が(低位側電圧V
ss−オフセット電圧Voffset)を上回ると、その出力
信号がハイレベルとなり、これにより、トランジスタN
4がオンする。
レータCOM4の具体的な回路構成は、図5の場合と同
様である。ここで、コンパレータCOM3は、コンパレ
ータCOM2より動作電流が大きく設定されており、高
速で動作することが可能である。このため、コンパレー
タCOM3の応答遅延時間はコンパレータCOM2と比
較して短い。
ンパレータCOM1より動作電流が大きく設定されてお
り、コンパレータCOM4の応答遅延時間はコンパレー
タCOM1と比較して短い。
M3)は、コンパレータCOM1(COM2)よりも速
くトランジスタP1(P2)をオフすべき期間を検出す
ることが可能である。そこで、本第6実施形態では、コ
ンパレータCOM4(COM3)の出力信号をインバー
タ32(31)を介してオア回路11(12)に供給す
ることによって、トランジスタP1(P2)を強制的に
オフしている。これにより、応答遅延時間の長いコンパ
レータCOM1(COM2)の動作を、応答遅延時間の
短いコンパレータCOM4(COM3)によって補うこ
とができ、発電機100の起電圧の変化に対して、短い
遅延時間をもって各トランジスタP1、P2、N3、N
4を制御することが可能となる。
説明する。図22は本第6実施形態に係る電力供給装置
のタイミングチャートであり、図23(a)、(b)
は、処理フローチャートである。
電流が削減されているので、応答遅延時間が比較的長
い。このため、コンパレータCOM1,COM2の出力
信号は、トランジスタP1,P2を本来オフすべき期間
Ta、Tbにおいてもローレベルになっている。
は、動作電流が比較的大きいため、応答遅延時間が短
い。このため、コンパレータCOM3の出力信号は、端
子AG1の電圧が低位側電圧Vss−オフセット電圧V
offsetを下回る期間においてハイレベルとなり、コンパ
レータCOM4の出力信号は、端子AG2の電圧が(低
位側電圧Vss−オフセット電圧Voffset)を下回る期
間においてハイレベルとなる。
COM4の出力信号をインバータ32によって反転した
信号とコンパレータCOM1の出力信号の論理和を算出
することによって与えられるから、コンパレータCOM
1の出力信号がその応答遅延時間によってローレベルと
なっている期間Taにおいてハイレベルとなる。したが
って、トランジスタP1は当該期間Taにおいてコンパ
レータCOM1の出力信号がローレベルであるにも拘わ
らず、強制的にオフされる。
コンパレータCOM3の出力信号をインバータ32によ
って反転した信号とコンパレータCOM2の出力信号の
論理和を算出することによって与えられるから、コンパ
レータCOM2の出力信号がその応答遅延時間によって
ローレベルとなっている期間Tbにおいてハイレベルと
なる。したがって、トランジスタP2は当該期間Tbに
おいてコンパレータCOM2の出力信号がローレベルで
あるにも拘わらず、強制的にオフされる。すなわち、コ
ンパレータCOM1は、端子AG1の電圧が(高電位側
電圧Vdd+オフセット電圧Voffset)を上回ったか否
かを判別する(ステップS31)。
1の電圧が(高電位側電圧Vdd+オフセット電圧V
offset)を下回っている場合には(ステップS31;N
o)、コンパレータCOM1の出力信号に基づいてトラ
ンジスタP1がオフする(あるいは、オフ状態を維持す
る)こととなる(ステップS34)。
1の電圧が(高電位側電圧Vdd+オフセット電圧V
offset)を上回っている場合には(ステップS31;Y
es)、コンパレータCOM4は、端子AG2の電圧が
(低電位側電圧Vss−オフセット電圧Voffset)を上
回ったか否かを判別する(ステップS32)。
2の電圧が(低電位側電圧Vss−オフセット電圧V
offset)を下回っている場合には(ステップS32;N
o)、コンパレータCOM4の出力信号に基づいてトラ
ンジスタP1がオフする(あるいは、オフ状態を維持す
る)こととなる(ステップS34)。
2の電圧が(低電位側電圧Vss−オフセット電圧V
offset)を上回っている場合には(ステップS32;Y
es)、コンパレータCOM4の出力信号に基づいてト
ランジスタP1がオンすることとなる(ステップS3
3)。
2の電圧が(高電位側電圧Vdd+オフセット電圧V
offset)を上回ったか否かを判別する(ステップS4
1)。
2の電圧が(高電位側電圧Vdd+オフセット電圧V
offset)を下回っている場合には(ステップS41;N
o)、コンパレータCOM2の出力信号に基づいてトラ
ンジスタP1がオフする(あるいは、オフ状態を維持す
る)こととなる(ステップS44)。
2の電圧が(高電位側電圧Vdd+オフセット電圧V
offset)を上回っている場合には(ステップS41;Y
es)、コンパレータCOM3は、端子AG1の電圧が
(低電位側電圧Vss−オフセット電圧Voffset)を上
回ったか否かを判別する(ステップS42)。
1の電圧が(低電位側電圧Vss−オフセット電圧V
offset)を下回っている場合には(ステップS42;N
o)、コンパレータCOM3の出力信号に基づいてトラ
ンジスタP2がオフする(あるいは、オフ状態を維持す
る)こととなる(ステップS44)。
1の電圧が(低電位側電圧Vss−オフセット電圧V
offset)を上回っている場合には(ステップS42;Y
es)、コンパレータCOM3の出力信号に基づいてト
ランジスタP2がオンすることとなる(ステップS3
3)。
位側電圧Vdd+オフセット電圧Voffset)を上回り、
かつ、端子AG2の電圧が(低位側電圧Vss−オフセ
ット電圧Voffset)を下回る期間においては、端子AG
1→トランジスタP1→大容量コンデンサ140→トラ
ンジスタN4→端子AG2の閉ルートで電流が流れる。
Vdd+オフセット電圧Voffset)を上回り、かつ、端
子AG1の電圧が(低位側電圧Vss−オフセット電圧
Voffset)を下回る期間においては、端子AG2→トラ
ンジスタP2→大容量コンデンサ140→トランジスタ
N3→端子AG1の閉ルートで電流が流れる。これによ
り、大容量コンデンサ140が充電されることになる。
電力を削減したコンパレータCOM1,COM2によっ
て生じる応答遅延時間を、高速のコンパレータCOM
3,COM4の出力信号を用いることによって実質的に
短くすることができるから、消費電力の削減と整流効率
の向上を両立させることができ、電力供給装置の性能を
大幅に向上させることができる。
たる電子時計(腕時計)について説明する。
1に示したものと同様であるので、詳細な説明を省略す
る。図24は、この電子時計の電気的構成を示すブロッ
ク図である。この図に示されるように、この電子時計
は、上記第1実施形態にかかる電力供給装置を用いてい
る。さらに、この電子時計の電力供給装置500は、昇
圧回路300を備えている。
140の充電電圧を必要に応じて昇圧して補助コンデン
サ160に充電し、この電子時計の負荷である処理部6
00、コンパレータCOM1、COM2、発電電圧検出
回路21、22等の回路各部に電源として供給するもの
である。詳細には、昇圧回路300は、低位側電圧Vs
sと基準電位たる高電位側電圧Vddとの線間電圧(絶
対値)で示される電源電圧が回路各部の動作可能な電圧
下限値(もしくはその近傍値)に低下すると、昇圧倍数
を1段階上げる一方、電圧上限値(もしくはその近傍
値)に上昇すると昇圧倍数を1段階下げる。
が不十分な場合であっても、電源電圧Vssは補助コン
デンサ160によって動作可能電圧の範囲内に維持され
るので、コンパレータCOM1、COM2および発電電
圧検出回路21、22によるトランジスタP1、P2の
制御が可能となって、小振幅の交流電圧を整流すること
が可能となる。
不十分で場合であって、昇圧によっても、コンパレータ
COM1、COM2が動作しない場合であっても、寄生
ダイオードD1〜D4からなるダイオードブリッジの整
流によって、コンデンサ140を充電することが可能な
点は上述した通りである。なお、第5実施形態に係る電
力供給装置を適用してもよいことは勿論である。
変形例 第5実施形態〜第7実施形態においては、以下に述べる
各種の変形が可能である。 [10.1] 第1変形例 図25に第1変形例の回路構成を示す。
においては、高電位側電圧VddにコンパレータCOM
1、COM2を接続するようにしたが、これを低位側電
圧Vssに接続するようにしてもよい。この場合、電力
供給装置は図25に示すように構成すればよい。ここ
で、発電検出回路21(22)は端子AG2(AG1)
の電圧がしきい値電圧Vthを下回るとローレベルにな
り、これを上回るとハイレベルになる信号を生成する。
このため、アンド回路11’、12’はコンパレータC
OM3、COM4の出力信号がハイレベルであってもト
ランジスタN3、N4を強制的にオフすることができ
る。したがって、変形例によれば第1実施形態と同様の
効果を奏する。
をダイオードと置き換えてもよいことは勿論である。ま
た、上述した変形例2においてトランジスタP1、P2
をダイオードに置き換えてもよいことは勿論である。
実施形態においてコンパレータCOM1(COM2)の
動作電流をコンパレータCOM4(COM3)よりも大
きく設定してもよい。この場合、電力供給装置は図26
に示すように構成すればよい。この例にあっては、コン
パレータCOM1(COM2)の出力信号がハイレベル
になると(トランジスタP1(P2)をオンからオフに
切り換える場合)、その出力信号がインバータ32(3
1)を介して反転され、アンド回路12’(11’)に
供給されるので、コンパレータCOM4(COM3)の
出力信号がハイレベルであっても、トランジスタN4
(N3)を強制的にオフさせることができる。したがっ
て、変形例によれば第2実施形態と同様の効果を奏す
る。
OM4)を常時動作させていた。
がなされていない場合には、整流動作を行う必要がない
ため、ひいては、コンパレータ(COM1〜COM4)
を動作状態にしておくことは、消費電力の観点からは好
ましくない。
に示すように、発電機100の出力端子AG1、AG2
に起電圧の発生を検出する発電検出回路700を設け、
発電(起電圧)を検出することによりイネーブル信号を
コンパレータCOM1〜COM4に出力し、コンパレー
タCOM1〜COM4を動作状態とする。なお、発電検
出回路700は第5実施形態で説明したものと同様な構
成で良く、また、第5実施形態で説明したものと兼用す
るように構成することも可能である。従って、整流動作
を行う必要がない非発電時の消費電力を低減し、携帯電
子機器などの動作時間をのばすことが可能となる。な
お、本第4変形例は、上述した第1〜第4実施形態につ
いても適用が可能である。
っては、トランジスタP1、P2、N3、N4、P5、
N6をNチャネルあるいはPチャネル電界効果型とした
が、NPN型あるいはPNP型のバイポーラトランジス
タを用いても良い。ただし、バイポーラトランジスタに
あっては、エミッタ/コレクタ間の飽和電圧が通常0.3
V程度であるので、発電機100の起電圧が小さい場合
には、上述の ように電界効果型とするのが望ましい。
4、P5、N6は寄生ダイオードD1〜D6が発生する
ように構成したが、これらが発生しないような場合に
は、別途、ダイオードを各トランジスタに並列に設けれ
ばよい。さらに、各実施形態にあっては、電力を充電す
る主体を大容量コンデンサ140としたが、電力を蓄電
することが可能であれば十分であり、例えば、二次電池
であっても良い。
を高電位側電圧Vddに設定していたが、低位側電圧V
ssを基準電圧としてもよいことは勿論である。
例えば、ゼンマイなどの復元力により回転運動を発生さ
せて、この回転運動によって起電力を発生させるタイプ
や、圧電体に対して外部あるいは自励による振動や変位
を加えて、その圧電効果によって電力を発生させるタイ
プなどであっても良い。要は、交流電力を発電するもの
であれば、その形式は問われない。
適用される携帯型電子機器としては、上記電子時計のほ
か、液晶テレビや、ビデオテープレコーダ、ノート型パ
ーソナルコンピュータ、携帯電話、PDA(Personal D
igital Assistant:個人情報端末)、電卓などが例とし
て挙げられ、要は、電力を消費する電子機器であれば、
いかなるものに対しても適用可能である。そして、この
ような携帯型電子機器においては、コンデンサや二次電
池などの蓄電素子がなくても、電子回路系や機構系を稼
働させることができるので、いつでもどこでも使用する
ことができるとともに、煩わしい電池の交換を不要にで
き、さらに、電池の廃棄に伴う問題も生じることもな
い。
効果 以上説明したように第5実施形態〜第7実施形態によれ
ば、第1および第2の比較手段の応答遅延時間が長くと
も、第1および第2のスイッチング手段を速くオフさせ
ることができるので、第1および第2のスイッチング手
段のオフをこの電力供給装置に供給される交流電圧の位
相に合わせて実行することができる。この結果、動作速
度の遅い、換言すれば、動作電流の小さい第1および第
2の比較手段を用いても高い整流効率を実現でき、電力
供給装置の性能を大幅に向上させることができる。
も可能である。
圧を全波整流して第1および第2の電源ラインに電力を
供給する電力供給装置であって、一方の入力端子と前記
第1の電源ラインとの間に接続された第1のスイッチン
グ手段と、他方の入力端子と前記第1の電源ラインとの
間に接続された第2のスイッチング手段と、前記一方の
入力端子と前記第2の電源ラインとの間に接続され一方
向にのみ電流を流す第1の手段と、前記他方の入力端子
と前記第2の電源ラインとの間に接続され一方向にのみ
電流を流す第2の手段と、前記一方の入力端子の電圧と
前記第1の電源ラインの電圧とを比較する第1の比較手
段と、前記他方の入力端子の電圧と前記第1の電源ライ
ンの電圧とを比較する第2の比較手段と、前記第1の比
較手段の比較結果に基づいて、前記第1のスイッチング
手段のオン・オフを制御するとともに、この比較結果が
前記第1のスイッチング手段をオンすることを示す場合
であっても、前記他方の入力端子の電圧に基づいて、前
記第1のスイッチング手段を強制的にオフする第1の制
御手段と、前記第2の比較手段の比較結果に基づいて、
前記第2のスイッチング手段のオン・オフを制御すると
ともに、この比較結果が第2のスイッチング手段をオン
することを示す場合であっても、前記他方の入力端子の
電圧に基づいて、第2のスイッチング手段を強制的にオ
フする第2の制御手段とを備えるように構成する。
変形例 また、第1の他の態様において、前記第1の制御手段
は、前記他方の入力端子と前記第2の電源ラインとの間
の電位差が予め定められた基準値より大きくなることを
検出する第1の検出部と、前記第1の比較手段の比較結
果に基づいて、前記第1のスイッチング手段のオン・オ
フを制御するとともに、この比較結果が前記第1のスイ
ッチング手段をオンすることを示す場合であっても、前
記第1の検出部の検出結果に基づいて、前記第1のスイ
ッチング手段を強制的にオフする第1の制御部とを備
え、前記第2の制御手段は、前記一方の入力端子と前記
第2の電源ラインとの間の電位差が予め定められた基準
値より大きくなることを検出する第2の検出部と、前記
第2の比較手段の比較結果に基づいて、前記第2のスイ
ッチング手段のオン・オフを制御するとともに、この比
較結果が前記第2のスイッチング手段をオンすることを
示す場合であっても、前記検出手段の検出結果に基づい
て、前記第2のスイッチング手段を強制的にオフする第
2の制御部とを備えるように構成することも可能であ
る。
変形例 さらに第1の他の態様において、前記第1の手段は、前
記他方の入力端子の電圧に基づいてオン・オフが制御さ
れる第3のスイッチング手段であり、前記第2の手段
は、前記一方の入力端子の電圧に基づいてオン・オフが
制御される第4のスイッチング手段であるように構成す
ることも可能である。また、第1の他の態様の第2変形
例において、さらに前記第1乃至第4のスイッチング手
段は、電界効果型トランジスタで構成するように構成す
ることも可能である。
て、さらに前記第1のスイッチング手段に並列に接続さ
れる第1のダイオードと、前記第2のスイッチング手段
に並列に接続される第2のダイオードと、前記第3のス
イッチング手段に並列に接続される第3のダイオード
と、前記第4のスイッチング手段に並列に接続される第
4のダイオードとを備えるように構成することも可能で
ある。この場合において、前記第1乃至第4のスイッチ
ング手段は、それぞれ電界効果型トランジスタであり、
前記第1乃至第4のダイオードは各電界効果型トランジ
スタの寄生ダイオードであるように構成することも可能
である。
変形例 さらに第1の他の態様において、前記第1及び第2の手
段は、ダイオードで構成することも可能である。
変形例 さらに第11の他の態様において、前記第1および第2
の電源ラインに基づいて供給された電力を蓄電する蓄電
器を備えるように構成することも可能である。
変形例 さらに第11の他の態様において、交流電圧を発電する
とともに起電圧を前記各入力端子に給電する交流発電手
段を備えるように構成することも可能である。
圧を全波整流して第1および第2の電源ラインに電力を
供給する電力供給装置であって、前記一方の入力端子の
電圧と前記第1の電源ラインの電圧とを比較する第1の
比較手段と、前記他方の入力端子の電圧と前記第1の電
源ラインの電圧とを比較する第2の比較手段と、前記一
方の入力端子の電圧と前記第2の電源ラインの電圧とを
比較するとともに、前記第2の比較手段よりも応答遅延
時間が短い第3の比較手段と、前記他方の入力端子の電
圧と前記第2の電源ラインの電圧とを比較するととも
に、前記第1の比較手段よりも応答遅延時間が短い第4
の比較手段と、前記一方の入力端子と前記第1の電源ラ
インとの間に接続された第1のスイッチング手段と、前
記他方の入力端子と前記第1の電源ラインとの間に接続
された第2のスイッチング手段と、前記一方の入力端子
と前記第2の電源ラインとの間に接続され、前記第3の
比較手段の比較結果に基づいてオン・オフが制御される
第3のスイッチング手段と、前記他方の入力端子と前記
第2の電源ラインとの間に接続され、前記第4の比較手
段の比較結果に基づいてオン・オフが制御される第4の
スイッチング手段と、前記第1の比較手段の比較結果に
基づいて、前記第1のスイッチング手段のオン・オフを
制御するとともに、この比較結果が前記第1のスイッチ
ング手段をオンすることを示す場合であっても、前記第
4の比較手段の比較結果が前記第4のスイッチング手段
をオフすることを示す場合には、前記第1のスイッチン
グ手段を強制的にオフする第1の制御手段と、前記第2
の比較手段の比較結果に基づいて、前記第2のスイッチ
ング手段のオン・オフを制御するとともに、この比較結
果が前記第2のスイッチング手段をオンすることを示す
場合であっても、前記第3の比較手段の比較結果が前記
第3のスイッチング手段をオフすることを示す場合に
は、前記第2のスイッチング手段を強制的にオフする第
2の制御手段とを備えるように構成する。
変形例 また、第2の他の態様において、前記第1乃至第4のス
イッチング手段は、電界効果型トランジスタで構成す
る。
変形例 また、第12の他の態様において、前記第1のスイッチ
ング手段に並列に接続される第1のダイオードと、前記
第2のスイッチング手段に並列に接続される第2のダイ
オードと、前記第3のスイッチング手段に並列に接続さ
れる第3のダイオードと、前記第4のスイッチング手段
に並列に接続される第4のダイオードとを備えるように
構成することも可能である。この場合において、さらに
前記第1乃至第4のスイッチング手段は、それぞれ電界
効果型トランジスタであり、前記第1乃至第4のダイオ
ードは各電界効果型トランジスタの寄生ダイオードであ
るように構成することも可能である。
変形例 また、第12の他の態様において、前記第1および第2
の電源ラインに基づいて供給された電力を蓄電する蓄電
器を備えるように構成することも可能である。
変形例 また、第12の他の態様において、交流電圧を発電する
とともに起電圧を前記各入力端子に給電する交流発電手
段を備えるように構成することも可能である。
ンとの間に接続された第1のスイッチング手段と、他方
の入力端子と前記第1の電源ラインとの間に接続された
第2のスイッチング手段と、前記一方の入力端子と第2
の電源ラインとの間に接続され一方向にのみ電流を流す
第1の手段と、前記他方の入力端子と前記第2の電源ラ
インとの間に接続され一方向にのみ電流を流す第2の手
段とを有し、各入力端子に供給される交流電圧を全波整
流して前記第1および第2の電源ラインに電力を供給す
る電力供給装置の制御方法において、前記一方の入力端
子の電圧と前記第1の電源ラインの電圧とを比較して第
1の比較結果を得て、前記他方の入力端子と前記第2の
電源ラインとの間の電位差が予め定められた基準値より
大きくなることを検出して第1の検出結果を得て、前記
第1の比較結果に基づいて、前記第1のスイッチング手
段のオン・オフを制御するとともに、前記第1の比較結
果が前記第1のスイッチング手段をオンすることを示す
場合であっても、前記第1の検出結果に基づいて、前記
第1のスイッチング手段を強制的にオフし、前記他方の
入力端子の電圧と前記第1の電源ラインの電圧とを比較
して第2の比較結果を得て、前記一方の入力端子と前記
第2の電源ラインとの間の電位差が予め定められた基準
値より大きくなることを検出して第2の検出結果を得
て、前記第2の比較結果に基づいて、前記第2のスイッ
チング手段のオン・オフ を制御するとともに、前記第
2の比較結果が前記第2のスイッチング手段をオンする
ことを示す場合であっても、前記第2の検出結果に基づ
いて、前記第1のスイッチング手段を強制的にオフする
ように構成する。
ンとの間に接続された第1のスイッチング手段と、他方
の入力端子と前記第1の電源ラインとの間に接続された
第2のスイッチング手段と、前記一方の入力端子と第2
の電源ラインとの間に接続された第3のスイッチング手
段と、前記他方の入力端子と前記第2の電源ラインとの
間に接続された第4のスイッチング手段とを有し、各入
力端子に供給される交流電圧を全波整流して前記第1お
よび第2の電源ラインに電力を供給する電力供給装置の
制御方法において、前記一方の入力端子の電圧と前記第
1の電源ラインの電圧とを比較して第1の比較結果を得
て、前記他方の入力端子の電圧と前記第1の電源ライン
の電圧とを比較して第2の比較結果を得て、前記第1の
比較結果を得るための比較動作よりも、前記一方の入力
端子の電圧と前記第2の電源ラインの電圧とを高速に比
較して第3の比較結果を得て、この比較結果に基づいて
前記第3のスイッチング手段のオン・オフを制御し、前
記第2の比較結果を得るための比較動作よりも、前記他
方の入力端子の電圧と前記第2の電源ラインの電圧とを
高速に比較して第4の比較結果を得て、この比較結果に
基づいて前記第4のスイッチング手段のオン・オフを制
御し、前記第1の比較結果に基づいて、前記第1のスイ
ッチング手段のオン・オフを制御するとともに、前記第
1の比較結果が前記第1のスイッチング手段をオンする
ことを示す場合であっても、前記第4の比較結果が前記
第4のスイッチング手段をオフすることを示す場合に
は、前記第1のスイッチング手段を強制的にオフし、前
記第2の比較結果に基づいて、前記第2のスイッチング
手段のオン・オフを制御するとともに、前記第2の比較
結果が前記第2のスイッチング手段をオンすることを示
す場合であっても、前記第3の比較結果が前記第3のス
イッチング手段をオフすることを示す場合には、前記第
2のスイッチング手段を強制的にオフするように構成す
る。
力供給装置と、前記電力供給装置から給電される電力に
基づいて、予め定められた処理を実行する処理手段とを
備えるように構成する。
様の第3変形例の電力供給装置と、前記電力供給装置か
ら給電される電力に基づいて、時刻を計時する計時手段
とを備えるように構成する。 [図面の簡単な説明] 図1は、本発明の第1実施形態にかかる電力供給装置の
構成を示す回路図である。 図2は、第1実施形態の電力供給装置の半導体基板上の
レイアウトを説明するための図である。 図3は、同実施形態におけるコンパレータCOM1およ
びCOM2の一例を示す回路図である。 図4は、同一サイズ・同一トランジスタの並列接続によ
り、差動対トランジスタにおいて、トランジスタサイズ
を異ならせた場合と等価な回路実現した場合の回路図で
ある。 図5は、同実施形態におけるコンパレータCOM3およ
びCOM4の一例を示す回路図である。 図6は、同実施形態の電力供給装置において、オフセッ
ト電圧がトランジスタの降下電圧を下回る場合のタイミ
ングチャートである。 図7は、同実施形態の電力供給装置において、オフセッ
ト電圧がトランジスタの降下電圧を上回る場合のタイミ
ングチャートである。 図8は、本発明の第2実施形態にかかる電力供給装置の
構成を示す回路図である。 図9は、同実施形態の電力供給装置において、オフセッ
ト電圧がトランジスタの降下電圧を下回る場合のタイミ
ングチャートである。 図10は、本発明の第3実施形態にかかる電力供給装置
の構成を示す回路図である。 図11は、本発明の第4実施形態にかかる電子時計の概
略構成を示す図である。 図12は、同実施形態の電子時計の電気的構成を示すブ
ロック図である。 図13は、変形例に係る一方向性ユニットの構成を示す
ブロック図である。 図14は、変形例に係る一方向性ユニットの動作を示す
タイミングチャートである。 図15は、第1〜第4実施形態の適用技術分野における
電力供給装置の構成を示す回路図である。 図16は、図15の電力供給装置においてコンパレータ
の遅延時間に伴う電流の逆流を説明するためのタイミン
グチャートである。 図17は、本発明の第5実施形態にかかる電力供給装置
の構成を示す回路図である。 図18は、第5実施形態における発電電圧検出回路の一
例を示す回路図である。 図19は、第5実施形態の電力供給装置の動作を説明す
るためのタイミングチャートである。 図20は、第5実施形態の電力供給装置の動作を説明す
るための処理フローチャートである。 図21は、本発明の第6実施形態にかかる電力供給装置
の構成を示す回路図である。 図22は、第6実施形態の電力供給装置の動作を説明す
るためのタイミングチャートである。 図23は、第6実施形態の電力供給装置の動作を説明す
るための処理フローチャートである。 図24は、本発明の第7実施形態に係る電子時計の概略
構成を示す図である。 図25は、第1変形例に係る電力供給装置の構成を示す
回路図である。 図26は、第2変形例に係る電力供給装置の構成を示す
回路図である。 図27は、第4変形例に係る電力供給装置の構成を示す
回路図である。 図28は、第5〜第7実施形態の適用技術分野における
電力供給装置の構成を示す回路図である。 図29は、図28の電力供給装置の動作を示すタイミン
グチャートである。
Claims (27)
- 【請求項1】 2個の端子と、前記2個の端子の端子電
圧を比較する比較手段と、この比較手段の比較結果に基
づいてオン/オフが制御されるスイッチング手段とを有
し、一方の端子からスイッチング手段を介して他方の端
子へ電流を流す一方向性ユニットを備え、交流電圧を整
流して第1の電源ラインおよび第2の電源ラインに電力
を供給する電力供給装置であって、 前記第1の電源ラインと前記第2の電源ラインとの間に
電力を蓄える蓄電手段を備え、 前記一方向性ユニットは、前記スイッチング手段をオフ
させる動作を、応答遅延時間に応じて前もって開始させ
るように、一方の端子の電圧レベルが、他方の端子の電
圧レベルに予め定めた所定の電圧を加算した電圧レベル
を下回った場合に前記スイッチング手段をオフさせるこ
とを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項2】 2個の端子、前記2個の端子の端子電圧
を比較する比較手段および前記比較手段の比較結果に基
づいてオン/オフ制御がされるスイッチング手段を有
し、一方の前記端子から前記スイッチング手段を介して
他方の前記端子へ電流を流す一方向性ユニットを複数個
備え、交流電流を整流して第1および第2の電源ライン
に電力を供給する電力供給装置であって、 前記第1の電源ラインと前記第2の電源ラインとの間に
設けられ電力を蓄える蓄積手段を備え、 第1の前記一方向性ユニットの一方の端子は前記交流電
流が給電される第1の入力端子に接続され、他方の端子
は前記第1の電源ラインに接続されており、 第2の前記一方向性ユニットの一方の端子は前記交流電
流が給電される第2の入力端子に接続され、他方の端子
は前記第1の電源ラインに接続されており、 第3の前記一方向ユニットの一方の端子は前記第2の電
源ラインに接続され、他方の端子は前記第1の入力端子
に接続されており、 第4の前記一方向ユニットの一方の端子は前記第2の電
源ラインに接続され、他方の端子は前記第2の入力端子
に接続されており、 前記第1ないし第4の一方向性ユニットのうち、少なく
とも2個の一方向性ユニットは、前記スイッチング手段
をオフさせる動作を応答遅延時間に応じて前もって開始
させるように、一方の端子の電圧レベルが他方の端子の
電圧レベルに予め定めた所定の電圧を加算した電圧レベ
ルを下回った場合に、対応する前記スイッチング手段を
オフさせることを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項3】 2個の端子、前記2個の端子の端子電圧
を比較する比較手段および前記比較手段の比較結果に基
づいてオン/オフ制御が行われるスイッチング手段を有
し、一方の前記端子から前記スイッチング手段を介して
他方の前記端子へ電流を流す複数個の一方向性ユニット
と、 交流電流が給電される第1の入力端子に一端が接続され
る第1の蓄電手段と、 前記交流が給電される第2の入力端子に一端が接続され
る第2の蓄電手段と、を備え、 第1の前記一方向性ユニットの一方の端子は、前記第1
の蓄電手段の他端に接続され、他方の端子は前記交流電
圧が給電される第1の入力端子に接続されており、 第2の前記一方向性ユニットの一方の端子は、前記第2
の蓄電手段の他端に接続され、他方の端子は、前記第1
の蓄電手段の他端に接続されており、 前記第1および第2の一方向性ユニットは、対応するス
イッチング手段をオフさせるための動作を応答遅延時間
に応じて前もって開始させるように、一方の端子の電圧
レベルが、他方の端子の電圧レベルに予め定めた所定の
電圧を加算した電圧レベルを下回った場合に前記スイッ
チング手段をオフさせることを特徴とする電力供給装
置。 - 【請求項4】 請求の範囲第1項記載の電力供給装置に
おいて、 前記2個の端子に供給される交流電圧を全波整流して前
記第1および第2の電源ラインに電力を供給するととも
に、 第1の入力端子と前記第1の電源ラインとの間に接続さ
れた第1のスイッチング手段と、 第2の入力端子と前記第1の電源ラインとの間に接続さ
れた第2のスイッチング手段と、 前記第1の入力端子と前記第2の電源ラインとの間に接
続され一方向にのみ電流を流す第1の手段と、 前記第2の入力端子と前記第2の電源ラインとの間に接
続され一方向にのみ電流を流す第2の手段と、 前記第1の入力端子の電圧と前記第1の電源ラインの電
圧とを比較する第1の比較手段と、 前記第2の入力端子の電圧と前記第1の電源ラインの電
圧とを比較する第2の比較手段と、 前記第1の比較手段の比較結果に基づいて、前記第1の
スイッチング手段のオン/オフを制御するとともに、こ
の比較結果が前記第1のスイッチング手段をオンするこ
とを示す場合であっても、前記第2の入力端子の電圧に
基づいて、前記第1のスイッチング手段を強制的にオフ
する第1の制御手段と、 前記第2の比較手段の比較結果に基づいて、前記第2の
スイッチング手段のオン/オフを制御するとともに、こ
の比較結果が第2のスイッチング手段をオンすることを
示す場合であっても、前記第2の入力端子の電圧に基づ
いて、第2のスイッチング手段を強制的にオフする第2
の制御手段と を備えることを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項5】 請求の範囲第1項記載の電力供給装置に
おいて、 前記スイッチング手段に並列に接続されるダイオードを
備えたことを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項6】 請求の範囲第1項記載の電力供給装置に
おいて、 前記スイッチング手段は、電界効果型トランジスタで構
成することを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項7】 請求の範囲第5項記載の電力供給装置に
おいて、 前記スイッチング手段は、電界効果型トランジスタであ
り、前記ダイオードは前記電界効果型トランジスタの寄
生ダイオードであることを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項8】 請求の範囲第1項記載の電力供給装置に
おいて、 前記一方向性ユニットは、半導体基板上に集積されてい
ることを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項9】 請求の範囲第4項記載の電力供給装置に
おいて、 前記第1の制御手段は、 前記第2の入力端子と前記第1の電源ラインとの間の電
位差が予め定められた基準値より大きくなることを検出
する第1の検出手段と、 前記第1の比較手段の比較結果に基づいて、前記第1の
スイッチング手段のオン/オフを制御するとともに、こ
の比較結果が前記第1のスイッチング手段をオンするこ
とを示す場合であっても、前記第1の検出手段の検出結
果に基づいて、前記第1のスイッチング手段を強制的に
オフする第1の制御部とを備え、 前記第2の制御手段は、 前記第1の入力端子と前記第1の電源ラインとの間の電
位差が予め定められた基準値より大きくなることを検出
する第2の検出手段と、 前記第2の比較手段の比較結果に基づいて、前記第2の
スイッチング手段のオン/オフを制御するとともに、こ
の比較結果が前記第2のスイッチング手段をオンするこ
とを示す場合であっても、前記検出手段の検出結果に基
づいて、前記第2のスイッチング手段を強制的にオフす
る第2の制御部とを備える ことを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項10】 請求の範囲第4項記載の電力供給装置
において、 前記第1の手段は、前記第1の入力端子の電圧に基づい
てオン/オフが制御される第3のスイッチング手段であ
り、前記第2の手段は、前記第2の入力端子の電圧に基
づいてオン/オフが制御される第4のスイッチング手段
であることを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項11】 請求の範囲第4項記載の電力供給装置
において、 前記第2の入力端子と前記第1の電源ラインとの間の電
位差が予め定めた基準値よりも大きくなることを検出す
る第1の検出手段と、前記第1の入力端子と前記第1の
電源ラインとの間の電位差が予め定めた基準値よりも大
きくなることを検出する第2の検出手段と、を備え、 前記第1の比較手段および前記第2の比較手段は、前記
第1の検出手段または前記第2の検出手段において検出
がなされた場合に、電源供給がなされることを特徴とす
る電力供給装置。 - 【請求項12】 請求の範囲第2項記載の電力供給装置
において、 前記第1のスイッチング手段に並列に接続される第1の
ダイオードと、 前記第2のスイッチング手段に並列に接続される第2の
ダイオードと、 前記第3のスイッチング手段に並列に接続される第3の
ダイオードと、 前記第4のスイッチング手段に並列に接続される第4の
ダイオードと を備えたことを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項13】 請求の範囲第2項記載の電力供給装置
において、 前記第1乃至第4のスイッチング手段は、それぞれの電
界効果型トランジスタであることを特徴とする電力供給
装置。 - 【請求項14】 請求の範囲第12項記載の電力供給装
置において、 前記第1乃至第4のスイッチング手段は、それぞれ電界
効果型トランジスタであり、前記第1及び第2のダイオ
ードは前記第1及び第2の各電界効果型トランジスタの
寄生ダイオードであることを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項15】 請求の範囲第2項記載の電力供給装置
において、 2つの入力端子に供給される交流電圧を全波整流して第
1および第2の電源ラインに電力を供給する電力供給装
置であって、 前記第1の入力端子の電圧と前記第1の電源ラインの電
圧とを比較する第1の比較手段と、 前記第2の入力端子の電圧と前記第1の電源ラインの電
圧とを比較する第2の比較手段と、 前記第1の入力端子の電圧と前記第2の電源ラインの電
圧とを比較するとともに、前記第2の比較手段よりも応
答遅延時間が短い第3の比較手段と、 前記第2の入力端子の電圧と前記第2の電源ラインの電
圧とを比較するとともに、前記第1の比較手段よりも応
答遅延時間が短い第4の比較手段と、 前記第1の入力端子と前記第1の電源ラインとの間に接
続された第1のスイッチング手段と、 前記第2の入力端子と前記第1の電源ラインとの間に接
続された第2のスイッチング手段と、 前記第1の入力端子と前記第2の電源ラインとの間に接
続され、前記第3の比較手段の比較結果に基づいてオン
/オフが制御される第3のスイッチング手段と、 前記第2の入力端子と前記第2の電源ラインとの間に接
続され、前記第4の比較手段の比較結果に基づいてオン
/オフが制御される第4のスイッチング手段と、 前記第1の比較手段の比較結果に基づいて、前記第1の
スイッチング手段のオン/オフを制御するとともに、こ
の比較結果が前記第1のスイッチング手段をオンするこ
とを示す場合であっても、前記第4の比較手段の比較結
果が前記第4のスイッチング手段をオフすることを示す
場合には、前記第1のスイッチング手段を強制的にオフ
する第1の制御手段と、 前記第2の比較手段の比較結果に基づいて、前記第2の
スイッチング手段のオン/オフを制御するとともに、こ
の比較結果が前記第2のスイッチング手段をオンするこ
とを示す場合であっても、前記第3の比較手段の比較結
果が前記第3のスイッチング手段をオフすることを示す
場合には、前記第2のスイッチング手段を強制的にオフ
する第2の制御手段と を備えることを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項16】 請求の範囲第15項記載の電力供給装
置において、 前記第2の入力端子の電圧と前記第2の電源ラインの電
圧とを比較する第1の検出手段と、 前記第1の入力端子の電圧と前記第1の電源ラインの電
圧とを比較する第2の検出手段と、を備え、 前記第1〜第4の比較手段は、前記第1の検出手段また
は前記第2の検出手段において発電検出がなされた場合
に、電源供給がなされることを特徴とする電力供給装
置。 - 【請求項17】 請求の範囲第2項記載の電力供給装置
において、 前記第1〜第4のスイッチング手段は、半導体基板上に
集積されていることを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項18】 請求の範囲第3項記載の電力供給装置
において、 前記第1のスイッチング手段に並列に接続される第1の
ダイオードと、 前記第2のスイッチング手段に並列に接続される第2の
ダイオードと を備えたことを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項19】 請求の範囲第3項記載の電力供給装置
において、 前記第1および第2のスイッチング手段は、それぞれ電
界効果型トランジスタであることを特徴とする電力供給
装置。 - 【請求項20】 請求の範囲第18項記載の電力供給装
置において、 前記第1および第2のスイッチング手段は、それぞれ電
界効果型トランジスタであり、前記第1および第2のダ
イオードは各電界効果型トランジスタの寄生ダイオード
であることを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項21】 請求の範囲第3項記載の電力供給装置
において、 前記第1および第2のスイッチング手段並びに前記第1
および第2の制御手段は、半導体基板上に集積化されて
いることを特徴とする電力供給装置。 - 【請求項22】 請求の範囲第1項、第2項または第3
項記載の電力供給装置において、前記交流電圧を給電す
る交流発電手段を備えたことを特徴とする電力供給装
置。 - 【請求項23】 2個の端子、前記2個の端子の端子電
圧を比較する比較装置および前記比較装置の比較結果に
基づいてオン/オフが制御されるスイッチング装置を有
し、一方の端子からスイッチング装置を介して他方の端
子へ電流を流す複数個の一方向性ユニットと、第1の電
源ラインと前記第2の電源ラインとの間に設けられ電力
を蓄える蓄電装置と、を備え、交流電流を整流して前記
第1の電源ラインおよび前記第2の電源ラインに電力を
供給する電力供給装置の制御方法であって、 前記スイッチング装置をオフさせる動作を、応答遅延時
間に応じて前もって開始させるように、一方の端子の電
圧レベルが、他方の端子の電圧レベルに予め定めた所定
の電圧を加算した電圧レベルを下回った場合に前記スイ
ッチング装置をオフさせることを特徴とする電力供給装
置の制御方法。 - 【請求項24】 2個の端子、前記2個の端子の端子電
圧を比較する比較手段および前記比較手段の比較結果に
基づいてオン/オフ制御がされるスイッチング装置を有
し、一方の前記端子から前記スイッチング装置を介して
他方の前記端子へ電流を流す複数個の一方向性ユニット
と、前記第1の電源ラインと前記第2の電源ラインとの
間に設けられ電力を蓄える蓄電装置と、を備え、第1の
前記一方向性ユニットの一方の端子は前記交流電流が給
電される第1の入力端子に接続され、他方の端子は前記
第1の電源ラインに接続されており、第2の前記一方向
性ユニットの一方の端子は前記交流電流が給電される第
2の入力端子に接続され、他方の端子は前記第1の電源
ラインに接続されており、第3の前記一方向ユニットの
一方の端子は前記第2の電源ラインに接続され、他方の
端子は前記第1の入力端子に接続されており、第4の前
記一方向ユニットの一方の端子は前記第2の電源ライン
に接続され、他方の端子は前記第2の入力端子に接続さ
れており、交流電流を整流して第1および第2の電源ラ
インに電力を供給する電力供給装置の制御方法であっ
て、 前記第1ないし第4の一方向性ユニットのうち、少なく
とも2個の一方向性ユニットに前記スイッチング装置を
オフさせる動作を応答遅延時間に応じて前もって開始さ
せるように、一方の端子の電圧レベルが、他方の端子の
電圧レベルに予め定めた所定の電圧を加算した電圧レベ
ルを下回った場合に前記スイッチング装置をオフさせる
ことを特徴とする電力供給装置の制御方法。 - 【請求項25】 2個の端子、前記2個の端子の端子電
圧を比較する比較手段および前記比較手段の比較結果に
基づいてオン/オフ制御が行われるスイッチング装置を
有し、一方の前記端子から前記スイッチング装置を介し
て他方の前記端子へ電流を流す複数個の一方向性ユニッ
トと、交流電流が給電される第1の入力端子に一端が接
続される第1の蓄電装置と、前記交流が給電される第2
の入力端子に一端が接続される第2の蓄電装置と、を備
え、第1の前記一方向性ユニットの一方の端子は、前記
第1の蓄電装置の他端に接続され、他方の端子は前記交
流電圧が給電される第1の入力端子に接続されており、
第2の前記一方向性ユニットの一方の端子は、前記第2
の蓄電装置の他端に接続され、他方の端子は、前記第1
の蓄電装置の他端に接続された電力供給装置の制御方法
において、 前記第1および第2の一方向性ユニットにおける対応す
るスイッチング装置をオフさせるための動作を応答遅延
時間に応じて前もって開始させるように、一方の端子の
電圧レベルが、他方の端子の電圧レベルに予め定めた所
定の電圧を加算した電圧レベルを下回った場合に前記ス
イッチング装置をオフさせることを特徴とする電力供給
装置の制御方法。 - 【請求項26】 請求の範囲第1項、第2項または第3
項のうちいずれか1項に記載の電力供給装置と、 前記電力供給装置から供給される電力に基づいて予め定
められた処理を実行する処理手段と、 を備えたことを特徴とする携帯型電子機器。 - 【請求項27】 請求の範囲第1項、第2項または第3
項のうちいずれか1項に記載の電力供給装置と、 前記電力供給装置から供給される電力に基づいて、計時
動作を行う計時手段と、 を備えたことを特徴とする電子時計。
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