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JP3486345B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

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JP3486345B2
JP3486345B2 JP19902098A JP19902098A JP3486345B2 JP 3486345 B2 JP3486345 B2 JP 3486345B2 JP 19902098 A JP19902098 A JP 19902098A JP 19902098 A JP19902098 A JP 19902098A JP 3486345 B2 JP3486345 B2 JP 3486345B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光装置に関
し、特にＬＥＤ（light emitting diode：発光ダイオー
ド）などの半導体発光素子と複数種類の蛍光体との組み
合わせにより発光する半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせ
た半導体発光装置は、その組み合わせや種類を選択する
ことにより発光色を自由に変化させることができるた
め、新しい光源として注目されている。すなわち、半導
体発光素子から放出される１次光を蛍光体により波長変
換して２次光として取り出すことにより、得られる波長
の選択の自由度を大幅に拡げることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者の試
作検討の結果、半導体発光素子と複数の種類の蛍光体と
を組み合わせた従来の半導体発光装置では以下に詳述す
る問題があることが分かった。
【０００４】図９は、従来の半導体発光装置の概略構成
を表す断面図である。すなわち、同図の半導体発光装置
は、リードフレーム１０２に形成された凹状のカップ部
の底面にＬＥＤチップ１０１がマウントされ、ワイア１
０６、１０７により配線され、蛍光体１１１〜１１３が
塗布されている。ここで、ＬＥＤ１０１は、紫外光領域
で発光するものであり、蛍光体は、その紫外光を吸収し
て赤色の光を放出する、赤色（Ｒ）蛍光体１１１、緑色
の光を放出する緑色（Ｇ）蛍光体１１２、青色の光を放
出する青色（Ｂ）蛍光体の混合物である。図９に示した
半導体発光装置は、このように、ＬＥＤ１０１からの紫
外光を波長変換してＲＧＢからなる白色光を得ることが
できる。
【０００５】しかし、本発明者が図９に示したような半
導体発光装置を試作・評価したところ、混合斑すなわち
発光の「むら」を引き起こしてしまうという問題がある
ことが分かった。具体的には、例えば、図９の半導体発
光装置を光の取り出し方向から眺めた場合に、発光部の
中央すなわちＬＥＤ１０１の垂直上方付近と、それより
も端の周辺部分とでは、発光色が異なるという問題が発
見された。
【０００６】本発明者はさらに詳細な検討を行った結
果、このような発光の「むら」は、ＲＧＢそれぞれの蛍
光体の比重や粒径の違いによるものであり、その塗布お
よび溶解させた樹脂の硬化の工程で発生することを見出
した。さらに、この現象にはＬＥＤチップ１０１の存在
による蛍光体塗布面の段差が大きく影響を及ぼしている
ことを知得するに至った。
【０００７】すなわち、図９から分かるように、ＬＥＤ
１０１の上部に塗布される蛍光体層と、ＬＥＤ１０１の
周囲のカップ部に塗布される蛍光体層とでは、その塗布
厚が大幅に異なる。ＬＥＤ１０１の厚みは、通常１００
〜２００μｍであり、その上に塗布される蛍光体の塗布
厚は、数１０μｍである場合が多い。つまり、ＬＥＤの
上部と、ＬＥＤの周囲のカップ部では、蛍光体の塗布厚
が数倍も異なる。
【０００８】塗布厚が異なると、塗布した蛍光体と溶媒
との混合物が乾燥、硬化するまでの時間が異なり、蛍光
体の比重の差などによってＲＧＢの蛍光体粒子の偏析の
状態が異なる。ここで、蛍光体の粒径と比重について代
表的な値を挙げると、赤色（Ｒ）蛍光体の粒径は約６μ
ｍ、比重は約６．４である。また、緑色（Ｇ）蛍光体の
粒径は約３μｍ、比重は約３．８であり、青色（Ｂ）蛍
光体の粒径は約４μｍ、比重は約４．２である。このよ
うに粒径や比重が異なる複数の蛍光体粒子を溶媒に混合
して塗布した場合には、塗布厚によって、蛍光体粒子の
偏析の状態が異なる。
【０００９】例えば、塗布厚が厚い部分においては、比
重の大きい蛍光体粒子がより顕著に下方に偏析する。そ
の結果として、ＬＥＤ１０１の上部とその周囲とでは、
蛍光体の混合状態が異なり、発光色のバランスが異なる
ために、発光の「むら」が生ずることとなる。
【００１０】図９をみても、ＬＥＤチップをマウントし
たことによる段差の存在により、ＬＥＤチップ上部と周
辺で蛍光体粒子の比重の違いにより混合比が異なってし
まい、その結果として、ＬＥＤからの発光を変換した直
上方向の光と横方向に向かい反射版で反射した光とで
は、その発光色に違いがあることは容易に見てとれる。
本発明は、かかる独自の課題の認識に基づいてなされた
ものである。すなわち、その目的は、蛍光体の塗布厚を
均一にすることにより発光の「むら」を解消することが
できる半導体発光装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数種類の蛍
光体を発光素子の周辺に塗布する場合に、それぞれの蛍
光体の比重や粒径の違いにより発生する混合斑を防ぐも
のであり、その構造として実装部材の上に埋め込まれた
形で発光素子をマウントし、このようにして得られた実
質的に平坦な面に複数の蛍光体を塗布する構造としたこ
とを特徴とする。このようにすれば、蛍光体の均一混
合、あるいは均一層上の塗布が可能になり色斑の無い発
光を実現することができる。
【００１２】すなわち、本発明の半導体発光装置は、実
装部材と、前記実装部材にマウントされた発光素子と、
前記発光素子から放出される１次光を吸収して前記１次
光とは異なる波長を有する２次光を放出する蛍光体と、
を備えた半導体発光装置であって、前記蛍光体は、実質
的に平坦な面の上において一定の厚みを有するように形
成されていることを特徴とする。
【００１３】または、本発明の半導体発光装置は、実装
部材と、前記実装部材にマウントされた発光素子と、前
記発光素子から放出される１次光を吸収して前記１次光
とは異なる波長を有する２次光を放出する蛍光体と、を
備えた半導体発光装置であって、前記実装部材は、前記
蛍光体が塗布される主面に凹部を有し、前記発光素子
は、前記実装部材の前記凹部に埋め込まれるようにマウ
ントされ、前記実装部材の前記主面と前記発光素子の上
面とは、実質的に同一の平面内に設けられることにより
実質的に平坦な塗布面を構成し、前記蛍光体は、前記塗
布面に一定の厚みを有するように塗布されていることを
特徴とする。
【００１４】ここで、前記蛍光体は、互いに比重が異な
る２種類以上の蛍光体を含むことを特徴とする。
【００１５】また、前記２種類以上の蛍光体は、それぞ
れの種類毎に層状に形成されて積層されていることを特
徴とする。
【００１６】または、本発明の半導体発光装置は、発光
素子と、前記発光素子から放出される１次光を吸収して
前記１次光とは異なる第１の波長の光を放出する第１の
蛍光体と、前記発光素子から放出される１次光を吸収し
て前記１次光とは異なる第２の波長の光を放出する第２
の蛍光体と、を備えた半導体発光装置であって、前記第
１の蛍光体は、前記発光素子の光放出面の第１の領域の
上に設けられ、前記第２の蛍光体は、前記発光素子の光
放出面の前記第１の領域とは異なる第２の領域の上に設
けられていることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。
【００１８】図１は、本発明の第１の実施の形態にかか
る半導体発光装置の要部構成を表す概略断面図である。
同図において、１１はＬＥＤチップであり、１２はその
ＬＥＤをマウントするリードフレームである。１３は赤
色（Ｒ）蛍光体、１４は緑色（Ｇ）蛍光体、１５は青色
（Ｂ）蛍光体であり、ＬＥＤ１１からの光を吸収してそ
れぞれの波長帯の２次光を放出するものである。１６，
１７はＬＥＤに駆動電流を供給するためのワイアであ
り、それぞれＬＥＤの電極とリードフレームのリード部
にボンディングされている。
【００１９】本発明の半導体発光装置が従来例と異なる
点は、リードフレーム１２に凹部１２Ａが設けられ、Ｌ
ＥＤチップ１１がこの凹部１２Ａの内部に埋め込む形で
マウントされている点にある。本発明によれば、ＬＥＤ
１１による段差が発生しないため、ＬＥＤの周囲の蛍光
体の塗布厚を一定にすることができる。その結果とし
て、蛍光体の偏析の状態を均一にすることができ、図９
に関して前述したような発光の「むら」を解消すること
ができる。
【００２０】また、本実施形態においては、ＲＧＢ蛍光
体のそれぞれを層状に形成している。すなわち、第１層
としてＲ蛍光体１３からなる層が設けられ、第２層とし
てＧ蛍光体１４からなる層が設けられ、第３層としてＢ
蛍光体１５からなる層が設けられている。本発明によれ
ば、ＬＥＤ１１の周囲において、蛍光体の塗布厚を均一
にすることができるので、このような３層構造も確実且
つ容易に実現することができる。
【００２１】図１の半導体発光装置の製造方法は以下の
如くである。すなわち、ＬＥＤチップ１１をフレーム１
２にマウントした後に、Ｒ蛍光体１３を含んだ樹脂を塗
布して硬化させ、次にＧ蛍光体１４を含んだ樹脂を塗布
して硬化させ、次にＢ蛍光体１５を含んだ樹脂を塗布し
て硬化させて作成する。ここで、塗布する蛍光体の量や
順序については、それぞれの蛍光体の変換効率や塗布領
域内部での散乱を考慮して適宜決定することができる。
【００２２】ここで、ＬＥＤ１１の平面形状は通常、一
辺が４００〜５００μｍの正方形状であるが、リードフ
レームの加工精度や、ＬＥＤ１１をマウントする際の誤
差などを考慮すると、リードフレーム１２の凹部１２Ａ
の開口寸法は、ＬＥＤ１１の寸法の一割増し、４０〜５
０μｍ程度大きめに形成することが望ましい。この場合
には、ＬＥＤの両側に隙間が生ずるが、この程度の寸法
であれば、塗布むらによる悪影響が生ずる心配はない。
【００２３】かくして得られた半導体発光装置に、ワイ
ア１６、１７を介してバイアス電流を供給したところ、
ＬＥＤの上方からみて色斑の無い均一な白色発光が得ら
れた。また本半導体発光装置では指向角に対する色純度
も良く、この点でも従来構造の装置よりも優れているこ
とが分かった。
【００２４】図２は、図１の半導体発光装置に搭載され
るＬＥＤの構成を例示する概略断面図である。図中３０
１はサファイア基板、３０２はｎ型ＧａＮコンタクト
層、３０３はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、３０４はＩｎ
ＧａＮ活性層、３０５はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、３
０６はｐ型ＧａＮコンタクト層、３０７はｐ側電極、３
０８はｎ側電極である。図２のＬＥＤは、青色から紫外
線領域の波長帯において極めて高い強度の発光を得るこ
とができるので、蛍光体と組み合わせて用いるのに好適
である。
【００２５】なお、図示したＬＥＤは、ｎ側電極３０８
の形成面とｐ側電極３０７の形成面との間に段差部を有
するが、この段差の高さはせいぜい数μｍ以下に過ぎ
ず、蛍光体の偏析状態に影響を与えることはない。
【００２６】本発明において用いることができる発光素
子は、蛍光体を励起するのに十分な特性（発光波長、発
光強度など）を有すれば良く、図２のＬＥＤに限られる
ものではない。積層構造および材料を適宜種々変形して
作成可能である。例えば、基板３０１はサファイアに限
定されず、その他にも、例えば、スピネル、ＭｇＯ、Ｓ
ｃＡｌＭｇＯ4、ＬａＳｒＧａＯ4、（ＬａＳｒ）（Ａｌ
Ｔａ）Ｏ3などの絶縁性基板や、ＳｉＣＳｉ、ＧａＡ
ｓ、ＧａＮなどの導電性基板も同様に用いてそれぞれの
効果を得ることができる。ここで、ＳｃＡｌＭｇＯ4基
板の場合には、（０００１）面、（ＬａＳｒ）（ＡｌＴ
ａ）Ｏ3基板の場合には（１１１）面を用いることが望
ましい。
【００２７】また、窒化物半導体として用いることがで
きる材料しては、ＢxＩｎyＡｌzＧａ(1-x-y-z)Ｎ（Ｏ≦
ｘ≦１、Ｏ≦ｙ≦１、Ｏ≦ｚ≦１）なる化学式で表され
るあらゆる組成のIII−Ｖ族化合物半導体を挙げること
ができ、さらに、Ｖ族元素としては、Ｎに加えてリン
（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有する混晶も含むもので
も良い。さらに、これらの窒化物半導体以外のIII−Ｖ
族化合物半導体、II−ＶI族化合物半導体、或いはＳｉ
Ｃなども同様に用いることができる。
【００２８】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図３は、本発明の第２の実施の形態にかかる
半導体発光装置を表す概略断面図である。同図において
は、図１と同様の部分については同一の符号を付した。
本実施形態の半導体発光装置は、ＲＧＢ蛍光体１３〜１
５を樹脂に一緒に混合して塗布、硬化させた点で第１実
施形態と異なる。すなわち、本実施形態においては、蛍
光体１３〜１５が、ランダムに混合されている。
【００２９】図９に関して前述したように、従来の半導
体発光装置では、ＬＥＤによる段差の存在により、発光
の「むら」が多く発生してしまったのに対して、本実施
形態によればＬＥＤ１１をリードフレーム１２に埋め込
んで段差を実質的になくしているために、蛍光体をラン
ダムに混合した場合においても発光の「むら」を解消で
きる。このように蛍光体をランダムに混合する場合は、
図１に例示したように層状に塗布するよりも容易に製造
することができる。
【００３０】かくして得られた半導体発光装置にバイア
ス電流を供給したところ、ＬＥＤ１１の上方から観察し
て色斑の無い均一な白色発光が得られた。つまり、本発
明によれば、従来と同様にＲＧＢ蛍光体を混合して塗布
しても発光「むら」の無い均一な発光を得ることができ
る。また、本装置では指向角に対する色純度も良く、こ
の点でも従来構造の装置よりも優れていることがわかっ
た。
【００３１】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。図４は、本発明の第３の実施の形態にかかる
半導体発光装置を表す概略断面図である。本実施形態の
半導体発光装置は、発光素子をマウントする実装部材と
して、前述したリードフレームの代わりに基板２２が用
いられている点が異なる。すなわち、基板２２には凹状
のカップ部が形成され、その底面には凹部２２Ａが設け
られている。ＬＥＤ１１は、この凹部２２Ａに埋め込ま
れるようにマウントされ、ワイア１６、１７により配線
されている。
【００３２】そして、実質的に平坦な面とされたカップ
部の底面とＬＥＤ１１の上面とに蛍光体１３〜１５が塗
布されている。
【００３３】本実施形態においても、蛍光体の塗布面は
段差を有せず、実質的に平坦な面とされているので、図
９に関して前述したような偏析状態のむらが生ずること
はない。その結果として、均一な発光を得ることができ
る。
【００３４】なお、図４においては、ＲＧＢ蛍光体１３
〜１５を一緒に混合してランダムに塗布した例を表した
が、図１に例示したように、各蛍光体１３〜１５を層状
に塗布しても良い。
【００３５】次に、本発明の第４の実施の形態について
説明する。図５は、本発明の第４の実施の形態にかかる
半導体発光装置を表す概略断面図である。本実施形態の
半導体発光装置も、前述した第３実施形態と同様に基板
２２にＬＥＤ１１がマウントされている。しかし、本実
施形態においては、基板２２のカップ部が樹脂２５によ
り埋め込まれている点が異なる。すなわち、基板２２に
は凹状のカップ部が形成され、その底面には凹部２２Ａ
が設けられている。このカップ部は、樹脂２５により埋
め込まれ、この樹脂２５の表面に蛍光体１３〜１５が塗
布されている。
【００３６】本実施形態においても、蛍光体の塗布面す
なわち樹脂２５の表面は段差を有せず、実質的に平坦な
面とされているので、図９に関して前述したような偏析
状態のむらが生ずることはない。その結果として、均一
な発光を得ることができる。また、本実施形態によれ
ば、ＬＥＤ１１が樹脂２５により封止されているので、
水分や各種の腐食性雰囲気の侵入によるＬＥＤの劣化や
故障を防ぐことができる。その結果として、半導体発光
装置の信頼性を向上することができる。
【００３７】なお、図５においては、ＲＧＢ蛍光体１３
〜１５を一緒に混合してランダムに塗布した例を表した
が、図１に例示したように、各蛍光体１３〜１５を層状
に塗布しても良い。また、図５においては、ＬＥＤ１１
を基板２２に埋込みマウントした例を示したが、本実施
形態はこれに限定されず、基板２２に凹部２２Ａを形成
せずに、カップ部底面の平坦なマウント面にＬＥＤ１１
をマウントしても良い。
【００３８】次に、本発明の第５の実施の形態について
説明する。図６は、本発明の第５の実施の形態にかかる
半導体発光装置を表す概略断面図である。同図において
も、前述した第１実施形態及び第２実施形態と同様の構
造部分については同一の符号を付した。図中３０は、Ｌ
ＥＤ１１から放出される１次光に対して透明な樹脂によ
り形成されたレンズである。
【００３９】本実施形態においては、ＬＥＤ１１をリー
ドフレーム１２上に埋め込みマウントした後に透明樹脂
のレンズ３０を形成し、その表面にＲＧＢ蛍光体を塗布
した点に特徴を有する。レンズ３０の表面は段差を有し
ないので、蛍光体を塗布した場合に、図９に関して前述
したような偏析状態のむらが生ずることはない。その結
果として、均一な発光を得ることができる。
【００４０】さらに、本実施形態によれば、レンズ３０
を設けたことによりさらに指向角が広くなり、表示用や
照明等の用途に広く適用することが可能となる。また、
図６にはリードフレームを用いた場合の構造を例示した
が、平面基板上へのマウントによって集積化すればその
用途は格段に広がり本発明の利点をさらに引き出すこと
ができる。
【００４１】なお、図６においては、ＬＥＤ１１をリー
ドフレーム１２に埋込みマウントした例を示したが、本
実施形態はこれに限定されず、リードフレーム１２に凹
部を形成せずに、平坦なマウント面にＬＥＤ１１をマウ
ントしても良い。
【００４２】また、蛍光体１３〜１５も、図６に示した
ように層状に塗布せずに、溶媒中にＲＧＢ蛍光体１３〜
１５を一緒に混合してランダムになるように塗布しても
良い。
【００４３】次に、本発明の第６の実施の形態について
説明する。図７は、本発明の第６の実施の形態にかかる
半導体発光装置を表す概略断面図である。同図において
も、前述した第１、第２実施形態と同様の部分について
は、同一の符号を付した。図中６０は発光部が３つの領
域に分かれたＬＥＤである。本実施形態は、ＬＥＤ６０
の３分割された発光領域のそれぞれの上部にＲＧＢ蛍光
体１３〜１５を分けて塗布した点に特徴を有する。つま
り、ＬＥＤ６０は、遮光板６２によって、３つの領域に
分割され、それぞれの領域にＲＧＢ蛍光体１３〜１５の
いずれかが塗布されている。塗布されたそれぞれの蛍光
体は、ＬＥＤ６０からの１次光を吸収して、それぞれの
発光波長の２次光を放出する。
【００４４】本実施形態によれば、１つの半導体発光装
置においてＲＧＢそれぞれの発光を別々に取り出すこと
が可能となり、または、それらの混合色も自由に表現で
きるようになる。
【００４５】図８は、第６の実施形態において用いるこ
とができるＬＥＤを表す概略断面図である。同図におい
ては、前述した図３と同様の構造部分については同一の
符号を付した。図中７０１は、ｎ型ＧａＮ基板である。
この導電性基板上へ素子を作成することによってＬＥＤ
の上下面に電極をそれぞれ形成することができる。発光
領域の分離は、ｐ型ＧａＮコンタクト層３０６からｎ型
ＧａＮ層３０２まで貫通するようにエッチングすること
により行う。その後、ｐ型ＧａＮコンタクト層３０６の
上にｐ側電極３０７を形成し、ｎ型ＧａＮ基板７０１の
裏面には共通のｎ側電極３０８を作成して、本素子が完
成する。
【００４６】なお、図７の半導体発光装置においては、
遮光板６２を設けることにより、隣接する他の領域から
の蛍光体の励起を防いでいる。図示した以外にも、発光
領域同士の間隔を広くしたり、励起光に対して吸収する
ような材質あるいは吸収材を含んだ樹脂を用いて蛍光体
を分離するようにしても良い。本実施形態においても、
色斑のない均一な発光を得ることができる。
【００４７】以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の
形態について説明した。しかし、本発明のこれらの具体
例に限定されるものではない。例えば、各実施形態で用
いた発光素子は、窒化物半導体を用いたＬＥＤ以外に
も、蛍光体の励起のために十分な波長と発光強度を有す
る他の材料系の発光素子でもよい。また、各実施形態に
おいては蛍光体としてＲＧＢの３種の蛍光体を用いた場
合を例示したが、種類の異なる２種類以上の組み合わせ
において本発明は有効である。例えば、青色の２次光を
放出する蛍光体と黄色の２次光を放出する蛍光体とを組
み合わせて白色光を得る場合においても本発明を同様に
適用して同様の効果を得ることができる。その他本発明
の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施可能であ
る。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、リードフレームなどの
実装部材に対して、ＬＥＤなどの発光素子を埋め込まれ
た形でマウントすることにより、蛍光体の塗布面を実質
的に平坦な面とし、この平坦面に蛍光体を塗布すること
により、塗布厚を均一にし、蛍光体粒子の比重や粒径の
違いにより発生する偏析の状態を均一にすることによっ
て、発光の「むら」を解消することができる。
【００４９】また、本発明によれば、半導体発光装置の
色純度を高めることができ、さらに、色純度の指向性も
向上させることができる。
【００５０】さらに、本発明によれば、単一の蛍光体を
用いる場合にも、偏析状態を均一にすることにより、２
次光の強度むらを解消して均一な発光を得ることができ
るという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体発光
装置の要部構成を表す概略断面図である。
【図２】図１の半導体発光装置に搭載されるＬＥＤの構
成を例示する概略断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態にかかる半導体発光
装置を表す概略断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態にかかる半導体発光
装置を表す概略断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態にかかる半導体発光
装置を表す概略断面図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態にかかる半導体発光
装置を表す概略断面図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態にかかる半導体発光
装置を表す概略断面図である。
【図８】第６の実施形態において用いることができるＬ
ＥＤを表す概略断面図である。
【図９】従来の半導体発光装置の概略構成を表す断面図
である。
【符号の説明】
１１、６０、１０１ ＬＥＤチップ １２、１０２ リードフレーム １３、１１１ 赤色（Ｒ）蛍光体 １４、１１２ 緑色（Ｇ）蛍光体 １５、１１３ 青色（Ｂ）蛍光体 １６、１０６ ｎ側金ワイヤ １７、１０７ ｐ側金ワイヤ ２２ 基板 ２５ 樹脂 ３０ レンズ ６２ 遮光板 ３０１ サファイア基板 ３０２ ｎ型ＧａＮコンタクト層 ３０３ ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層 ３０４ ＩｎＧａＮ活性層 ３０５ ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層 ３０６ ｐ型ＧａＮコンタクト層 ３０７ ｐ側電極 ３０８ ｎ側電極 ７０１ ＧａＮ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−107325（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−15046（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−40858（ＪＰ，Ａ) 登録実用新案3048368（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】実装部材と、前記実装部材にマウントされ
    た発光素子と、前記発光素子から放出される１次光を吸
    収して前記１次光とは異なる波長を有する２次光を放出
    する蛍光体と、を備えた半導体発光装置であって、 前記実装部材は、前記蛍光体が塗布される主面に凹部を
    有し、 前記発光素子は、前記実装部材の前記凹部に埋め込まれ
    るようにマウントされ、 前記実装部材の前記主面と前記発光素子の上面とは、実
    質的に同一の平面内に設けられることにより実質的に平
    坦な塗布面を構成し、 前記蛍光体は、互いに比重が異なる２種類以上の蛍光体
    を含み、前記塗布面に一定の厚みを有するように塗布さ
    れていることを特徴とする半導体発光装置。
  2. 【請求項２】前記２種類以上の蛍光体は、それぞれの種
    類毎に層状に形成されて積層されていることを特徴とす
    る請求項１記載の半導体発光装置。
  3. 【請求項３】前記蛍光体は、前記塗布面上に直接的に塗
    布されていることを特徴とする請求項１または請求項２
    記載の半導体発光装置。
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