JP3481458B2 - 半導体レーザ - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 56
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 66
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 33
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 29
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000009036 growth inhibition Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体レーザ、更
に詳しくは活性層に対するキャリアブロックの部分に特
徴のある半導体レーザに関するものである。
に詳しくは活性層に対するキャリアブロックの部分に特
徴のある半導体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは光通信や各種光計測、光
記録など幅広い分野で利用される発光デバイスである。
要求される特性は用途によって多少の差異があるが、そ
の中で高出力化はあらゆる分野に共通する課題である。
記録など幅広い分野で利用される発光デバイスである。
要求される特性は用途によって多少の差異があるが、そ
の中で高出力化はあらゆる分野に共通する課題である。
【０００３】図５は光ファイバ通信の分野で用いられる
エルビウムドープファイバアンプ励起用１．４８μｍ半
導体レーザの構造例を示す図である。この半導体レーザ
においては、ｎ型ＩｎＰ基板５１上にメサ構造が形成さ
れ、メサ中にはＩｎＧａＡｓＰ光分離閉込め（ＳＣＨ）
層５２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層５３、ＩｎＧａＡｓＰ
ＳＣＨ層５４、ｐ型ＩｎＰクラッド層５５が順次積層さ
れている。
エルビウムドープファイバアンプ励起用１．４８μｍ半
導体レーザの構造例を示す図である。この半導体レーザ
においては、ｎ型ＩｎＰ基板５１上にメサ構造が形成さ
れ、メサ中にはＩｎＧａＡｓＰ光分離閉込め（ＳＣＨ）
層５２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層５３、ＩｎＧａＡｓＰ
ＳＣＨ層５４、ｐ型ＩｎＰクラッド層５５が順次積層さ
れている。
【０００４】ＩｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層５２，５４は活
性層５３とＩｎＰ層５１，５５の中間のバンドギャップ
を持ち、一様な構造を持つ場合と、内部に屈折率分布を
持つ場合( ＧＲＩＮ構造と呼ぶ) とがある。また、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層５３は、バルク型よりも量子井戸層と
障壁層を積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有する
ことが多い。以下本明細書においては、活性層と表記し
た場合はバルク構造またはＭＱＷ構造を問わず、またＳ
ＣＨ層も屈折率が一様であるものとＧＲＩＮ構造を有す
るものとを問わない。
性層５３とＩｎＰ層５１，５５の中間のバンドギャップ
を持ち、一様な構造を持つ場合と、内部に屈折率分布を
持つ場合( ＧＲＩＮ構造と呼ぶ) とがある。また、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層５３は、バルク型よりも量子井戸層と
障壁層を積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有する
ことが多い。以下本明細書においては、活性層と表記し
た場合はバルク構造またはＭＱＷ構造を問わず、またＳ
ＣＨ層も屈折率が一様であるものとＧＲＩＮ構造を有す
るものとを問わない。
【０００５】メサの両側はｐ型ＩｎＰ埋込層５６及びｎ
型ＩｎＰ埋込層５７によって埋込まれ、電流経路の狭窄
化及びストライプ型光導波路を形成している。ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層５５の上にはｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト
層５８を形成することが広く行われており、こうして作
製された半導体結晶の両面に金属電極を形成して半導体
レーザが完成する。
型ＩｎＰ埋込層５７によって埋込まれ、電流経路の狭窄
化及びストライプ型光導波路を形成している。ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層５５の上にはｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト
層５８を形成することが広く行われており、こうして作
製された半導体結晶の両面に金属電極を形成して半導体
レーザが完成する。
【０００６】レーザの高出力化を左右する因子は多数あ
るが、なかでも活性層へ注入されたキャリア( 電子と正
孔) を高い確率で発光再結合させることが重要である。
そのためにはクラッド層のｐ型ドーパントにより活性層
からあふれるキャリアをブロッキングし、活性層へのキ
ャリア閉じ込めを強くすることが望ましい。
るが、なかでも活性層へ注入されたキャリア( 電子と正
孔) を高い確率で発光再結合させることが重要である。
そのためにはクラッド層のｐ型ドーパントにより活性層
からあふれるキャリアをブロッキングし、活性層へのキ
ャリア閉じ込めを強くすることが望ましい。
【０００７】このような半導体レーザにおいては、結晶
成長には量産性に優れる有機金属気相成長法（ＭＯＶＰ
Ｅ法）が用いられ、ｐ型ドーパントとしてＺｎ、ｎ型ド
ーパントとしてＳｉが用いられることが多い。これらド
ーパントのドーピング量によって半導体中のキャリア濃
度が制御される。キャリア濃度は高い方が電気特性には
良いものの、特に正孔は光を吸収しやすいために、ｐ型
クラッド層のキャリア濃度には注意する必要がある。つ
まり、上記した活性層キャリアブロッキングの効果のみ
ならず、正孔による光吸収の効果にも留意する必要があ
る。
成長には量産性に優れる有機金属気相成長法（ＭＯＶＰ
Ｅ法）が用いられ、ｐ型ドーパントとしてＺｎ、ｎ型ド
ーパントとしてＳｉが用いられることが多い。これらド
ーパントのドーピング量によって半導体中のキャリア濃
度が制御される。キャリア濃度は高い方が電気特性には
良いものの、特に正孔は光を吸収しやすいために、ｐ型
クラッド層のキャリア濃度には注意する必要がある。つ
まり、上記した活性層キャリアブロッキングの効果のみ
ならず、正孔による光吸収の効果にも留意する必要があ
る。
【０００８】さらにｐ型ドーパントにＺｎを用いた場合
には、熱工程による拡散の問題をも考慮しなければなら
ない。すなわち活性層に近い部分のクラッド層ｐ型ドー
パントの濃度が高い場合には、Ｚｎは結晶中で拡散しや
すいために、本来アンドープであるべき活性層（ＭＱＷ
構造の場合には井戸層）にまでＺｎが入り込み、非発光
再結合の元となってレーザ特性を劣化させてしまうこと
が知られている。
には、熱工程による拡散の問題をも考慮しなければなら
ない。すなわち活性層に近い部分のクラッド層ｐ型ドー
パントの濃度が高い場合には、Ｚｎは結晶中で拡散しや
すいために、本来アンドープであるべき活性層（ＭＱＷ
構造の場合には井戸層）にまでＺｎが入り込み、非発光
再結合の元となってレーザ特性を劣化させてしまうこと
が知られている。
【０００９】活性層へのＺｎ拡散を防ぐためのｐ型クラ
ッド層のドーピング濃度分布として、例えば特開平７−
１９３３２１に、活性層に近い部分のドーピング濃度を
低くし、活性層から離れるに従ってドーピング濃度を高
くするという技術が開示されている。
ッド層のドーピング濃度分布として、例えば特開平７−
１９３３２１に、活性層に近い部分のドーピング濃度を
低くし、活性層から離れるに従ってドーピング濃度を高
くするという技術が開示されている。
【００１０】また、活性層電子のブロッキングを行いつ
つ必要以上の光の吸収を抑えるため、特開平９−４５９
８９では、活性層近傍の薄い層のみを高ドープとし、そ
の上の層は低ドープにするという方法を採用している。
ただしドーパントとしては拡散しやすいＺｎでなく、Ｃ
かＭｇを用いる。
つ必要以上の光の吸収を抑えるため、特開平９−４５９
８９では、活性層近傍の薄い層のみを高ドープとし、そ
の上の層は低ドープにするという方法を採用している。
ただしドーパントとしては拡散しやすいＺｎでなく、Ｃ
かＭｇを用いる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら特開平７
−１９３３２１に示された方法では、クラッド層のドー
パント濃度が活性層から徐々に大きくなるため、活性層
からあふれる電子をその活性層近傍において十分にブロ
ックするのが困難である。したがって、活性層から電子
があふれやすく、活性層への注入電流を有効に発光再結
合させることができないため、高出力化には不向きであ
る。
−１９３３２１に示された方法では、クラッド層のドー
パント濃度が活性層から徐々に大きくなるため、活性層
からあふれる電子をその活性層近傍において十分にブロ
ックするのが困難である。したがって、活性層から電子
があふれやすく、活性層への注入電流を有効に発光再結
合させることができないため、高出力化には不向きであ
る。
【００１２】また特開平９−４５９８９に示された方法
では、活性層へのドーパントの拡散を抑えるためＣかＭ
ｇを用いる必要がある。しかしこれらの材料は、Ｚｎに
比べて純度が低くまた価格が高いという問題点があり、
ｐ型ドーパントとして用いるには一般的なものではな
い。
では、活性層へのドーパントの拡散を抑えるためＣかＭ
ｇを用いる必要がある。しかしこれらの材料は、Ｚｎに
比べて純度が低くまた価格が高いという問題点があり、
ｐ型ドーパントとして用いるには一般的なものではな
い。
【００１３】本発明は、このような実情を考慮してなさ
れたもので、ｐ型ドーパントとしてたとえＺｎを用いた
場合であっても、十分なキャリアブロッキングを行いつ
つｐ型ドーパントの活性層への拡散を防止し、かつｐ型
クラッド層での光吸収を最小限に抑えて高発光効率、高
出力を得ることができる半導体レーザを提供することを
目的とする。
れたもので、ｐ型ドーパントとしてたとえＺｎを用いた
場合であっても、十分なキャリアブロッキングを行いつ
つｐ型ドーパントの活性層への拡散を防止し、かつｐ型
クラッド層での光吸収を最小限に抑えて高発光効率、高
出力を得ることができる半導体レーザを提供することを
目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に対応する発明は、ＩｎＰ材料からなるｎ
型半導体基板上に、ＩｎＧａＡｓＰを含む材料で形成さ
れた活性層及びｐ型ＩｎＰからなるｐ型クラッド層を有
する半導体レーザにおいて、ｐ型クラッド層は、活性層
側から順番に配列された、低不純物濃度を有する低濃度
ｐ型クラッド層、高不純物濃度を有する高濃度ｐ型クラ
ッド層、及びｐ型クラッド層内での正孔による光の吸収
を抑えるための中不純物濃度を有する中濃度ｐ型クラッ
ド層からなる。さらに、活性層よりｐ型クラッド層側の
ｐ型不純物の濃度分布が、活性層の端から５０乃至２５
０ｎｍ離れた位置に極大値を有する。
に、請求項１に対応する発明は、ＩｎＰ材料からなるｎ
型半導体基板上に、ＩｎＧａＡｓＰを含む材料で形成さ
れた活性層及びｐ型ＩｎＰからなるｐ型クラッド層を有
する半導体レーザにおいて、ｐ型クラッド層は、活性層
側から順番に配列された、低不純物濃度を有する低濃度
ｐ型クラッド層、高不純物濃度を有する高濃度ｐ型クラ
ッド層、及びｐ型クラッド層内での正孔による光の吸収
を抑えるための中不純物濃度を有する中濃度ｐ型クラッ
ド層からなる。さらに、活性層よりｐ型クラッド層側の
ｐ型不純物の濃度分布が、活性層の端から５０乃至２５
０ｎｍ離れた位置に極大値を有する。
【００１５】 本発明はこのような手段を設けたので、
ｐ型不純物濃度の極大値の部分によって活性層に対する
キャリアブロッキングを行うことができる。また、この
極大値位置から活性層端まで少なくとも５０ｎｍあるた
め、ｐ型不純物の活性層への拡散を防止できるととも
に、極大値位置以降は少なくとも一旦ｐ型不純物濃度が
低下するので、ｐ型クラッド層での光吸収を最小限に抑
えることができる。したがって高発光効率、高出力な半
導体レーザを実現することができる。また、半導体の材
料系をＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰとしたので、長距離ファ
イバ通信に使用される半導体レーザに広く適用でき、特
に高出力が必要なファイバアンプ励起用に使用可能な半
導体レーザを得ることができる。
ｐ型不純物濃度の極大値の部分によって活性層に対する
キャリアブロッキングを行うことができる。また、この
極大値位置から活性層端まで少なくとも５０ｎｍあるた
め、ｐ型不純物の活性層への拡散を防止できるととも
に、極大値位置以降は少なくとも一旦ｐ型不純物濃度が
低下するので、ｐ型クラッド層での光吸収を最小限に抑
えることができる。したがって高発光効率、高出力な半
導体レーザを実現することができる。また、半導体の材
料系をＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰとしたので、長距離ファ
イバ通信に使用される半導体レーザに広く適用でき、特
に高出力が必要なファイバアンプ励起用に使用可能な半
導体レーザを得ることができる。
【００１６】次に、請求項２に対応する発明は、請求項
１に対応する発明において、ｐ型不純物を亜鉛としたも
のである。本発明はこのような手段を設けたので、活性
層と極大値間に低濃度不純物領域が設けられることとな
り、ｐ型不純物が拡散しやすい亜鉛であってもこれが活
性層へ入り込むことがない。したがって、請求項１に対
応する発明と同様な作用効果が得られる他、混入亜鉛に
よる非発光再結合の増加でレーザ特性が劣化するのを防
止できるとともに、安価であり、また純度が高くかつ適
用実績も十分にあって信頼性の高い材料をドーパントと
して使用することができる。
１に対応する発明において、ｐ型不純物を亜鉛としたも
のである。本発明はこのような手段を設けたので、活性
層と極大値間に低濃度不純物領域が設けられることとな
り、ｐ型不純物が拡散しやすい亜鉛であってもこれが活
性層へ入り込むことがない。したがって、請求項１に対
応する発明と同様な作用効果が得られる他、混入亜鉛に
よる非発光再結合の増加でレーザ特性が劣化するのを防
止できるとともに、安価であり、また純度が高くかつ適
用実績も十分にあって信頼性の高い材料をドーパントと
して使用することができる。
【００１７】
【００１８】 次に、請求項３に対応する発明は、請求
項１又は２に対応する発明において、ｐ型不純物濃度の
極大値を１×１０１８／ｃｍ３以上としたものである。
本発明はこのような手段を設けたので、請求項１又は２
に対応する発明と同様な作用効果が得られる他、十分な
キャリアブロッキングを行うことができる。
項１又は２に対応する発明において、ｐ型不純物濃度の
極大値を１×１０１８／ｃｍ３以上としたものである。
本発明はこのような手段を設けたので、請求項１又は２
に対応する発明と同様な作用効果が得られる他、十分な
キャリアブロッキングを行うことができる。
【００１９】 次に、請求項４に対応する発明は、請求
項１〜３に対応する発明において、活性層の端から極大
値間におけるＰ型不純物濃度の最小値を３×１０１７／
ｃｍ３以下以下としたものである。
項１〜３に対応する発明において、活性層の端から極大
値間におけるＰ型不純物濃度の最小値を３×１０１７／
ｃｍ３以下以下としたものである。
【００２０】 本発明はこのような手段を設けたので、
請求項１〜３に対応する発明と同様な作用効果が得られ
る他、ｐ型不純物の活性層への混入をより一層有効に防
止することができる。
請求項１〜３に対応する発明と同様な作用効果が得られ
る他、ｐ型不純物の活性層への混入をより一層有効に防
止することができる。
【００２１】 次に、請求項５に対応する発明は、請求
項１〜４に対応する発明において、活性層とｐ型クラッ
ド層の間に光分離閉じ込め層を有するものである。本発
明はこのような手段を設けたので、光閉じ込め層を設け
た場合でも請求項１〜４に対応する発明と同様な作用効
果を得ることができる。なお、本発明の場合では、不純
物濃度の極大値が光閉じ込め層内に位置する場合もあり
得る。
項１〜４に対応する発明において、活性層とｐ型クラッ
ド層の間に光分離閉じ込め層を有するものである。本発
明はこのような手段を設けたので、光閉じ込め層を設け
た場合でも請求項１〜４に対応する発明と同様な作用効
果を得ることができる。なお、本発明の場合では、不純
物濃度の極大値が光閉じ込め層内に位置する場合もあり
得る。
【００２２】
【００２３】 次に、請求項６に対応する発明は、Ｉｎ
Ｐ材料からなるｎ型半導体基板上に、ＩｎＧａＡｓＰを
含む材料で形成された活性層及びｐ型不純物として亜鉛
を用いるｐ型ＩｎＰからなるｐ型クラッド層を有する半
導体レーザにおいて、ｐ型クラッド層は、活性層側から
順番に配列された、低不純物濃度を有する低濃度ｐ型ク
ラッド層、高不純物濃度を有する高濃度ｐ型クラッド
層、及びｐ型クラッド層内での正孔による光の吸収を抑
えるための中不純物濃度を有する中濃度ｐ型クラッド層
（７）からなる。そして、活性層よりｐ型クラッド層側
の前記ｐ型不純物の濃度分布が、活性層の端からアンド
ープ領域若しくは低濃度領域を挟んで少なくとも一つの
極大値を有する。
Ｐ材料からなるｎ型半導体基板上に、ＩｎＧａＡｓＰを
含む材料で形成された活性層及びｐ型不純物として亜鉛
を用いるｐ型ＩｎＰからなるｐ型クラッド層を有する半
導体レーザにおいて、ｐ型クラッド層は、活性層側から
順番に配列された、低不純物濃度を有する低濃度ｐ型ク
ラッド層、高不純物濃度を有する高濃度ｐ型クラッド
層、及びｐ型クラッド層内での正孔による光の吸収を抑
えるための中不純物濃度を有する中濃度ｐ型クラッド層
（７）からなる。そして、活性層よりｐ型クラッド層側
の前記ｐ型不純物の濃度分布が、活性層の端からアンド
ープ領域若しくは低濃度領域を挟んで少なくとも一つの
極大値を有する。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は本発明の実施の形態に係る半導体レ
ーザの構成例を示す図である。この半導体レーザは、ｐ
型クラッド層の濃度分布を除けば従来技術で説明した半
導体レーザと同様に構成されている。すなわちｎ型Ｉｎ
Ｐ基板１上にメサ構造が形成され、メサ中にはＩｎＧａ
ＡｓＰ光分離閉込め（ＳＣＨ）層２、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層３、ＩｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層４、ｐ型ＩｎＰクラ
ッド層５，６，７が順次積層されている。
て説明する。図１は本発明の実施の形態に係る半導体レ
ーザの構成例を示す図である。この半導体レーザは、ｐ
型クラッド層の濃度分布を除けば従来技術で説明した半
導体レーザと同様に構成されている。すなわちｎ型Ｉｎ
Ｐ基板１上にメサ構造が形成され、メサ中にはＩｎＧａ
ＡｓＰ光分離閉込め（ＳＣＨ）層２、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層３、ＩｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層４、ｐ型ＩｎＰクラ
ッド層５，６，７が順次積層されている。
【００２５】ここでｐ型クラッド層は３層からなり、活
性層３に近い側から低濃度ｐ型クラッド層５、高濃度ｐ
型クラッド層６及び中濃度ｐ型クラッド層７から構成さ
れる。
性層３に近い側から低濃度ｐ型クラッド層５、高濃度ｐ
型クラッド層６及び中濃度ｐ型クラッド層７から構成さ
れる。
【００２６】中濃度ｐ型クラッド層７にはさらにｐ型コ
ンタクト層８が積層されている。またメサの両側はｐ型
ＩｎＰ埋込層９及びｎ型ＩｎＰ埋込層１０によって埋込
まれ、電流経路の狭窄化及びストライプ型光導波路を形
成している。
ンタクト層８が積層されている。またメサの両側はｐ型
ＩｎＰ埋込層９及びｎ型ＩｎＰ埋込層１０によって埋込
まれ、電流経路の狭窄化及びストライプ型光導波路を形
成している。
【００２７】さらにｎ型ＩｎＰ基板１及びｐ型コンタク
ト層８にｎ電極１１及びｐ電極１２が設けられて半導体
レーザが構成されている。また、ｐ型クラッド層５，
６，７に用いられるドーパントは亜鉛Ｚｎであり、各層
５，６，７のキャリア濃度とその層方向分布が重要であ
る。
ト層８にｎ電極１１及びｐ電極１２が設けられて半導体
レーザが構成されている。また、ｐ型クラッド層５，
６，７に用いられるドーパントは亜鉛Ｚｎであり、各層
５，６，７のキャリア濃度とその層方向分布が重要であ
る。
【００２８】図２は本実施形態の半導体レーザにおける
ｐ型クラッド層のキャリア濃度分布の一例を示す図であ
る。同図に示すキャリア濃度分布では、活性層３の端部
から最初の５０ｎｍは低濃度にドープされ（低濃度ｐ型
クラッド層５）、続いて１００ｎｍは高濃度にドープさ
れている（高濃度ｐ型クラッド層６）。そして以降は中
濃度にドープされている（中濃度ｐ型クラッド層７）。
また、同図においては実線はクラッド層積層時のキャリ
ア（Ｚｎ）濃度分布であり、一点鎖線は最終的に得られ
る半導体レーザにおけるキャリア（Ｚｎ）濃度分布であ
る。つまり、半導体レーザ製造過程において熱工程等に
よりＺｎが拡散するために、当初分布（実線）から最終
的な分布（一点鎖線）へと変化するものである。
ｐ型クラッド層のキャリア濃度分布の一例を示す図であ
る。同図に示すキャリア濃度分布では、活性層３の端部
から最初の５０ｎｍは低濃度にドープされ（低濃度ｐ型
クラッド層５）、続いて１００ｎｍは高濃度にドープさ
れている（高濃度ｐ型クラッド層６）。そして以降は中
濃度にドープされている（中濃度ｐ型クラッド層７）。
また、同図においては実線はクラッド層積層時のキャリ
ア（Ｚｎ）濃度分布であり、一点鎖線は最終的に得られ
る半導体レーザにおけるキャリア（Ｚｎ）濃度分布であ
る。つまり、半導体レーザ製造過程において熱工程等に
よりＺｎが拡散するために、当初分布（実線）から最終
的な分布（一点鎖線）へと変化するものである。
【００２９】また図２ではＳＣＨ層４の図示は省略され
ている。すなわち上記では活性層３の端部から最初の５
０ｎｍは低濃度ドープとしたが、この５０ｎｍの距離は
ＳＣＨ層４の厚さも含むものである。また、続く高濃度
ドープ部分もクラッド層内に必ずしも位置する必要はな
く、ＳＣＨ層４内に高濃度ドープ部分が位置してもよ
い。つまり、本明細書で低濃度ｐ型クラッド層５、高濃
度ｐ型クラッド層６並びに中濃度ｐ型クラッド層７を順
次設けるという言い方をするのは、亜鉛Ｚｎの低濃度ド
ープ層、高濃度ドープ層並びに中濃度ドープ層を活性層
上端から順次設けるという意味であり、各ドープ濃度部
分が実際にはＳＣＨ層４に位置するかクラッド層に位置
するかを問うものではない。この関係は以下同様であ
る。
ている。すなわち上記では活性層３の端部から最初の５
０ｎｍは低濃度ドープとしたが、この５０ｎｍの距離は
ＳＣＨ層４の厚さも含むものである。また、続く高濃度
ドープ部分もクラッド層内に必ずしも位置する必要はな
く、ＳＣＨ層４内に高濃度ドープ部分が位置してもよ
い。つまり、本明細書で低濃度ｐ型クラッド層５、高濃
度ｐ型クラッド層６並びに中濃度ｐ型クラッド層７を順
次設けるという言い方をするのは、亜鉛Ｚｎの低濃度ド
ープ層、高濃度ドープ層並びに中濃度ドープ層を活性層
上端から順次設けるという意味であり、各ドープ濃度部
分が実際にはＳＣＨ層４に位置するかクラッド層に位置
するかを問うものではない。この関係は以下同様であ
る。
【００３０】次に、このキャリア濃度分布形状の意味す
るところを説明する。高濃度ｐ型クラッド層６は、活性
層３からあふれる電子をブロックするキャリアブロック
としての役割を果たしている。この層６が活性層３の近
傍に設けられていることで有効なキャリアブロックが行
われ、高効率高出力の半導体レーザが実現される。有機
金属気相成長法による結晶成長では、１×１０18／ｃｍ
3 程度のドーピングは容易に実現でき、これが電子をブ
ロックして活性層へ閉じ込める。
るところを説明する。高濃度ｐ型クラッド層６は、活性
層３からあふれる電子をブロックするキャリアブロック
としての役割を果たしている。この層６が活性層３の近
傍に設けられていることで有効なキャリアブロックが行
われ、高効率高出力の半導体レーザが実現される。有機
金属気相成長法による結晶成長では、１×１０18／ｃｍ
3 程度のドーピングは容易に実現でき、これが電子をブ
ロックして活性層へ閉じ込める。
【００３１】また、単に高濃度ｐ型クラッド層６を活性
層３近くに設けたというだけでなく、上記高濃度ｐ型ク
ラッド層６と活性層３と間に低濃度ｐ型クラッド層５を
挟んで設けた点が重要である。これは亜鉛Ｚｎの拡散し
やすさを考慮したものである。
層３近くに設けたというだけでなく、上記高濃度ｐ型ク
ラッド層６と活性層３と間に低濃度ｐ型クラッド層５を
挟んで設けた点が重要である。これは亜鉛Ｚｎの拡散し
やすさを考慮したものである。
【００３２】すなわち図２からもわかるように、高濃度
ｐ型クラッド層６と活性層３と間に低濃度ｐ型クラッド
層５が挟まれている場合には、高濃度ｐ型クラッド層６
からのＺｎの拡散があっても、そのＺｎ拡散は低濃度ｐ
型クラッド層５内で止まり活性層３まで達することがな
い。こうして効果的なキャリアブロッキングが行われつ
つ、ｐ型ドーパントが活性層内に混入され発光効率が低
下するという弊害が防止される。したがって、低濃度ｐ
型クラッド層５はアンドープあるいは３×１０17／ｃｍ
3 程度以下の低濃度であることが望ましい。
ｐ型クラッド層６と活性層３と間に低濃度ｐ型クラッド
層５が挟まれている場合には、高濃度ｐ型クラッド層６
からのＺｎの拡散があっても、そのＺｎ拡散は低濃度ｐ
型クラッド層５内で止まり活性層３まで達することがな
い。こうして効果的なキャリアブロッキングが行われつ
つ、ｐ型ドーパントが活性層内に混入され発光効率が低
下するという弊害が防止される。したがって、低濃度ｐ
型クラッド層５はアンドープあるいは３×１０17／ｃｍ
3 程度以下の低濃度であることが望ましい。
【００３３】さらに、高濃度ｐ型クラッド層６に続く部
分を中キャリア濃度の中濃度ｐ型クラッド層７としたこ
とも発光の高効率化高出力化に貢献している。すなわち
キャリアブロックするには高Ｚｎドープ濃度部分が必要
だが、本来正孔は光を吸収しやすいため、クラッド層内
に必要以上な高濃度部分を設けるべきではない。この点
を考慮して、キャリアブロック層たる高濃度ｐ型クラッ
ド層６以降は中Ｚｎドープ濃度領域（中濃度ｐ型クラッ
ド層７）としたのである。こうしてクラッド層全体で正
孔の濃度を高すぎないようにし、正孔による光の吸収を
抑えるようにしている。なお、導電率などとの兼ね合い
から、クラッド層の大部分を占める中濃度ｐ型クラッド
層７は、全体的にはキャリア濃度５×１０17／ｃｍ3 程
度が好ましい。
分を中キャリア濃度の中濃度ｐ型クラッド層７としたこ
とも発光の高効率化高出力化に貢献している。すなわち
キャリアブロックするには高Ｚｎドープ濃度部分が必要
だが、本来正孔は光を吸収しやすいため、クラッド層内
に必要以上な高濃度部分を設けるべきではない。この点
を考慮して、キャリアブロック層たる高濃度ｐ型クラッ
ド層６以降は中Ｚｎドープ濃度領域（中濃度ｐ型クラッ
ド層７）としたのである。こうしてクラッド層全体で正
孔の濃度を高すぎないようにし、正孔による光の吸収を
抑えるようにしている。なお、導電率などとの兼ね合い
から、クラッド層の大部分を占める中濃度ｐ型クラッド
層７は、全体的にはキャリア濃度５×１０17／ｃｍ3 程
度が好ましい。
【００３４】このように低濃度高濃度中濃度のｐ型クラ
ッド層５，６，７を順次設けることで、キャリア濃度分
布は図２の一点鎖線で示すような濃度ピーク（極大値）
を有する分布となる。すなわちこの極大値位置より活性
層３から離れる方向には少なくとも一度濃度が減少する
分布となる。
ッド層５，６，７を順次設けることで、キャリア濃度分
布は図２の一点鎖線で示すような濃度ピーク（極大値）
を有する分布となる。すなわちこの極大値位置より活性
層３から離れる方向には少なくとも一度濃度が減少する
分布となる。
【００３５】本実施形態の半導体レーザでは、このｐ型
不純物濃度ピークが活性層３の端から５０〜２５０ｎｍ
離れた位置となるように各層５，６，７の濃度を調整し
ている。またこの極大値点が活性層３から５０〜２５０
ｎｍ程度離れている場合には、Ｚｎの拡散が生じても活
性層３までは到達しない。
不純物濃度ピークが活性層３の端から５０〜２５０ｎｍ
離れた位置となるように各層５，６，７の濃度を調整し
ている。またこの極大値点が活性層３から５０〜２５０
ｎｍ程度離れている場合には、Ｚｎの拡散が生じても活
性層３までは到達しない。
【００３６】以上のように構成された本実施形態におけ
る半導体レーザでは、電子が活性層内に十分に閉じ込め
られ、正孔による光損失も少ない高い発光効率が得ら
れ、高出力となる。
る半導体レーザでは、電子が活性層内に十分に閉じ込め
られ、正孔による光損失も少ない高い発光効率が得ら
れ、高出力となる。
【００３７】図３は本実施形態の半導体レーザの出力特
性を示す図である。同図からわかるように、本実施形態
の半導体レーザは従来品と比べれば２割以上の高出力を
実現している。なお、同図に示した半導体レーザの具体
的な製造手順は後述する。
性を示す図である。同図からわかるように、本実施形態
の半導体レーザは従来品と比べれば２割以上の高出力を
実現している。なお、同図に示した半導体レーザの具体
的な製造手順は後述する。
【００３８】なお、上記極大値はクラッド層内のキャリ
ア濃度最大値である必要はないと考えられる。例えば上
記極大値位置よりさらに活性層３から離れた位置にキャ
リア高濃度点（最大値）があっても上記高い発光効率は
得られるものと予想される。
ア濃度最大値である必要はないと考えられる。例えば上
記極大値位置よりさらに活性層３から離れた位置にキャ
リア高濃度点（最大値）があっても上記高い発光効率は
得られるものと予想される。
【００３９】次に、上記極大値位置を活性層３の上端部
からどのくらい離れた位置とした場合が最も有効である
かについて検討する。図４はｐ型クラッド層におけるキ
ャリア濃度極大値の活性層上端から距離と光出力との関
係を示す図である。
からどのくらい離れた位置とした場合が最も有効である
かについて検討する。図４はｐ型クラッド層におけるキ
ャリア濃度極大値の活性層上端から距離と光出力との関
係を示す図である。
【００４０】同図は、そのキャリア濃度極大値が図中の
各点の位置となるように、図１及び図２のキャリア濃度
分布形状を有する半導体レーザを作成し、注入電流５０
０ｍＡでの光出力を測定したものである。なお、各半導
体レーザは、低濃度ｐ型クラッド層５がアンドープであ
り、低反射、高反射コーティングを施していないもので
ある。なお、図３のものは低反射、高反射コーティング
を施した後、低反射側からの出力光を測定しているた
め、図４に比べ、見かけ上光出力が大きくなっている。
各点の位置となるように、図１及び図２のキャリア濃度
分布形状を有する半導体レーザを作成し、注入電流５０
０ｍＡでの光出力を測定したものである。なお、各半導
体レーザは、低濃度ｐ型クラッド層５がアンドープであ
り、低反射、高反射コーティングを施していないもので
ある。なお、図３のものは低反射、高反射コーティング
を施した後、低反射側からの出力光を測定しているた
め、図４に比べ、見かけ上光出力が大きくなっている。
【００４１】図４からわかるように、高出力の半導体レ
ーザを得るためには、活性層上端から極大濃度位置まで
の距離を１００ｎｍ前後とするのが最適である。また、
上記距離の範囲が５０〜２５０ｎｍ程度あれば高効率発
光、高出力な半導体レーザが得られ、より好ましくは、
極大位置までの距離範囲が５０〜１５０ｎｍ程度であれ
ば相当の大きな高出力化効果が得られる。
ーザを得るためには、活性層上端から極大濃度位置まで
の距離を１００ｎｍ前後とするのが最適である。また、
上記距離の範囲が５０〜２５０ｎｍ程度あれば高効率発
光、高出力な半導体レーザが得られ、より好ましくは、
極大位置までの距離範囲が５０〜１５０ｎｍ程度であれ
ば相当の大きな高出力化効果が得られる。
【００４２】なお、図４の各半導体レーザは、低濃度ｐ
型クラッド層５をアンドープとした場合である。これに
対し、クラッド層５を低濃度ドープした場合には、活性
層上端から極大濃度位置が遠くになったときでも、図４
に示す場合よりは光出力が低下しない旨の知見が得られ
ている。
型クラッド層５をアンドープとした場合である。これに
対し、クラッド層５を低濃度ドープした場合には、活性
層上端から極大濃度位置が遠くになったときでも、図４
に示す場合よりは光出力が低下しない旨の知見が得られ
ている。
【００４３】上述したように、本発明の実施の形態に係
る半導体レーザは、ｐ型クラッド層内で活性層３から低
濃度ｐ型クラッド層５を挟んで高濃度ｐ型クラッド層６
を設けるようにしたので、ｐ型ドーパントとしてＺｎを
用いた場合であっても、ｐ型ドーパントの活性層３への
拡散もなく、かつ高濃度層６によるブロッキングで電子
が活性層内に十分に閉じ込められて高発光効率及び高出
力を得ることができる。
る半導体レーザは、ｐ型クラッド層内で活性層３から低
濃度ｐ型クラッド層５を挟んで高濃度ｐ型クラッド層６
を設けるようにしたので、ｐ型ドーパントとしてＺｎを
用いた場合であっても、ｐ型ドーパントの活性層３への
拡散もなく、かつ高濃度層６によるブロッキングで電子
が活性層内に十分に閉じ込められて高発光効率及び高出
力を得ることができる。
【００４４】また、本実施形態の半導体レーザは、高濃
度ｐ型クラッド層６に続いて中濃度ｐ型クラッド層７を
設けて、最終的なキャリア濃度分布が高濃度ｐ型クラッ
ド層６で極大値をとるようにし、かつその極大位置を活
性層上端から所定範囲に入るようにしたので、上記効果
の他、ｐ型クラッド層内での正孔による光の吸収も最小
限に抑えることができ、より一層高出力なものとするこ
とができる。
度ｐ型クラッド層６に続いて中濃度ｐ型クラッド層７を
設けて、最終的なキャリア濃度分布が高濃度ｐ型クラッ
ド層６で極大値をとるようにし、かつその極大位置を活
性層上端から所定範囲に入るようにしたので、上記効果
の他、ｐ型クラッド層内での正孔による光の吸収も最小
限に抑えることができ、より一層高出力なものとするこ
とができる。
【００４５】
【実施例】上記実施形態に係る半導体レーザを製造する
場合の具体的な実施例について説明する。本実施例で
は、光ファイバ通信の分野で用いられるエルビウムドー
プファイバアンプ励起用１．４８μｍ半導体レーザの製
造工程を示すものであり、その構造は図１に示すものと
同じである。
場合の具体的な実施例について説明する。本実施例で
は、光ファイバ通信の分野で用いられるエルビウムドー
プファイバアンプ励起用１．４８μｍ半導体レーザの製
造工程を示すものであり、その構造は図１に示すものと
同じである。
【００４６】まず、キャリア濃度１×１０18／ｃｍ3 の
ｎ型ＩｎＰ基板1 上に、ＭＯＶＰＥ法によりバンドギャ
ップ波長１．１５μｍ組成、同１．０８μｍ組成、同
０．９９μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰをそれぞれ３０ｎｍ
づつの厚さで積層し、ＳＣＨ層２を形成する。
ｎ型ＩｎＰ基板1 上に、ＭＯＶＰＥ法によりバンドギャ
ップ波長１．１５μｍ組成、同１．０８μｍ組成、同
０．９９μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰをそれぞれ３０ｎｍ
づつの厚さで積層し、ＳＣＨ層２を形成する。
【００４７】次いで無歪み時にバンドギャップ波長１．
２５μｍとなる組成に−０．５％の引張り歪みを導入し
たＩｎＧａＡｓＰ層を障壁層、同じく１．５５μｍとな
る組成に＋１％の圧縮歪みを導入したＩｎＧａＡｓＰ層
を井戸層として、井戸層数４の多重量子井戸構造の活性
層３を成長する。
２５μｍとなる組成に−０．５％の引張り歪みを導入し
たＩｎＧａＡｓＰ層を障壁層、同じく１．５５μｍとな
る組成に＋１％の圧縮歪みを導入したＩｎＧａＡｓＰ層
を井戸層として、井戸層数４の多重量子井戸構造の活性
層３を成長する。
【００４８】その上にバンドギャップ波長０．９９μｍ
組成、同１．０８μｍ組成、同１．１５μｍ組成のＩｎ
ＧａＡｓＰをそれぞれ３０ｎｍずつの厚さで積層し、Ｓ
ＣＨ層４を形成する。
組成、同１．０８μｍ組成、同１．１５μｍ組成のＩｎ
ＧａＡｓＰをそれぞれ３０ｎｍずつの厚さで積層し、Ｓ
ＣＨ層４を形成する。
【００４９】次いで、アンドープのＩｎＰ５０ｎｍを低
濃度ｐ型クラッド層５として、キャリア濃度１×１０18
／ｃｍ3 のｐ型ＩｎＰ１００ｎｍを高濃度ｐ型クラッド
層６として、同じく５×１０17／ｃｍ3 のｐ型ＩｎＰ３
００ｎｍを中濃度ｐ型クラッド層７として順次積層す
る。ここでドーパントはＺｎであり、また、低濃度ｐ型
クラッド層５はキャリア濃度３×１０17／ｃｍ3 程度で
あってもよい。
濃度ｐ型クラッド層５として、キャリア濃度１×１０18
／ｃｍ3 のｐ型ＩｎＰ１００ｎｍを高濃度ｐ型クラッド
層６として、同じく５×１０17／ｃｍ3 のｐ型ＩｎＰ３
００ｎｍを中濃度ｐ型クラッド層７として順次積層す
る。ここでドーパントはＺｎであり、また、低濃度ｐ型
クラッド層５はキャリア濃度３×１０17／ｃｍ3 程度で
あってもよい。
【００５０】この後、プラズマＣＶＤ法等によりＳｉＯ
2 膜を数十ｎｍ程度堆積し、これをフォトリソグラフィ
工程で幅２μｍ程度のストライプに成形したものをエッ
チングマスクとして、硫酸、臭酸、塩酸などからなるエ
ッチング溶液に浸し、メサ形状を形成する。
2 膜を数十ｎｍ程度堆積し、これをフォトリソグラフィ
工程で幅２μｍ程度のストライプに成形したものをエッ
チングマスクとして、硫酸、臭酸、塩酸などからなるエ
ッチング溶液に浸し、メサ形状を形成する。
【００５１】続いて前記ＳｉＯ2 膜を成長阻害マスクに
してＭＯＶＰＥ法によりｐ型ＩｎＰ埋込層９、続いてｎ
型ＩｎＰ埋込層１０を積層してメサを埋め込んだあとＳ
ｉＯ2 膜を除去し、全面にキャリア濃度５×１０17／ｃ
ｍ3 のｐ型ＩｎＰクラッド層７を２μｍ、さらにキャリ
ア濃度５×１０18／ｃｍ3 のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層８を０．５μｍ成長する。
してＭＯＶＰＥ法によりｐ型ＩｎＰ埋込層９、続いてｎ
型ＩｎＰ埋込層１０を積層してメサを埋め込んだあとＳ
ｉＯ2 膜を除去し、全面にキャリア濃度５×１０17／ｃ
ｍ3 のｐ型ＩｎＰクラッド層７を２μｍ、さらにキャリ
ア濃度５×１０18／ｃｍ3 のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層８を０．５μｍ成長する。
【００５２】最後にｎ型ＩｎＰ基板を厚さ１００μｍ程
度に研磨し、成長面側にはＡｕ及びＺｎを含むｐ電極１
２を、基板面側にはＡｕ及びＧｅを含むｎ電極１１を蒸
着して、最後にＡｕメッキを行う。
度に研磨し、成長面側にはＡｕ及びＺｎを含むｐ電極１
２を、基板面側にはＡｕ及びＧｅを含むｎ電極１１を蒸
着して、最後にＡｕメッキを行う。
【００５３】さらに、へき開後の端面に誘電体膜による
低反射コーティングまたは高反射コーティングを蒸着等
の方法により施す。実施形態で示した図３における本発
明の注入電流−光出力特性は、以上のようにして作成さ
れた半導体レーザの特性である。なお、図３における従
来技術は、比較のためにｐ型クラッドのキャリア濃度を
全て５×１０17／ｃｍ3 一定にして作製した素子の特性
である。
低反射コーティングまたは高反射コーティングを蒸着等
の方法により施す。実施形態で示した図３における本発
明の注入電流−光出力特性は、以上のようにして作成さ
れた半導体レーザの特性である。なお、図３における従
来技術は、比較のためにｐ型クラッドのキャリア濃度を
全て５×１０17／ｃｍ3 一定にして作製した素子の特性
である。
【００５４】図３からわかるように、本発明の実施によ
り光出力は注入電流５００Ａ時で２割以上向上した。な
お、本発明は、上記実施形態又は実施例に限定されるも
のでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変形する
ことが可能である。
り光出力は注入電流５００Ａ時で２割以上向上した。な
お、本発明は、上記実施形態又は実施例に限定されるも
のでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変形する
ことが可能である。
【００５５】例えば実施例では、３層構造のＧＲＩＮ
ＳＣＨ層と井戸層数４の歪ＭＱＷ構造の活性層を有する
場合を示したが、本発明はこれらの構造に限定されるも
のではなく、種々の構造の半導体レーザに適用可能であ
る。
ＳＣＨ層と井戸層数４の歪ＭＱＷ構造の活性層を有する
場合を示したが、本発明はこれらの構造に限定されるも
のではなく、種々の構造の半導体レーザに適用可能であ
る。
【００５６】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、活
性層から低不純物濃度領域を挟んで高不純物濃度領域を
設けるようにしたので、ｐ型ドーパントとしてたとえＺ
ｎを用いた場合であっても、十分なキャリアブロッキン
グを行いつつｐ型ドーパントの活性層への拡散を防止
し、かつｐ型クラッド層での光吸収を最小限に抑えて高
発光効率、高出力を得ることができる半導体レーザを提
供することができる。
性層から低不純物濃度領域を挟んで高不純物濃度領域を
設けるようにしたので、ｐ型ドーパントとしてたとえＺ
ｎを用いた場合であっても、十分なキャリアブロッキン
グを行いつつｐ型ドーパントの活性層への拡散を防止
し、かつｐ型クラッド層での光吸収を最小限に抑えて高
発光効率、高出力を得ることができる半導体レーザを提
供することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体レーザの構成
例を示す図。
例を示す図。
【図２】同実施形態の半導体レーザにおけるｐ型クラッ
ド層のキャリア濃度分布の一例を示す図。
ド層のキャリア濃度分布の一例を示す図。
【図３】同実施形態の半導体レーザの出力特性を示す
図。
図。
【図４】ｐ型クラッド層におけるキャリア濃度極大値の
活性層上端から距離と光出力との関係を示す図。
活性層上端から距離と光出力との関係を示す図。
【図５】光ファイバ通信の分野で用いられるエルビウム
ドープファイバアンプ励起用１．４８μｍ半導体レーザ
の構造例を示す図。
ドープファイバアンプ励起用１．４８μｍ半導体レーザ
の構造例を示す図。
１…ｎ型ＩｎＰ基板
２…ＳＣＨ層
３…活性層
４…ＳＣＨ層
５…低濃度ｐ型クラッド層
６…高濃度ｐ型クラッド層
７…中濃度ｐ型クラッド層
８…ｐ型コンタクト層
９…ｐ型ＩｎＰ埋込層
１０…ｎ型ＩｎＰ埋込層
１１…ｎ電極
１２…ｐ電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 菊川 知之
東京都港区南麻布五丁目10番27号 アン
リツ株式会社内
(72)発明者 中野 好典
東京都港区南麻布五丁目10番27号 アン
リツ株式会社内
(56)参考文献 特開 平６−37405（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−340145（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−54828（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−245447（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−249575（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/00 - 5/50
Claims (6)
- 【請求項１】 ＩｎＰ材料からなるｎ型半導体基板
（１）上に、ＩｎＧａＡｓＰを含む材料で形成された活
性層（３）及びｐ型ＩｎＰからなるｐ型クラッド層
（５，６，７）を有する半導体レーザにおいて、 前記ｐ型クラッド層は、前記活性層側から順番に配列さ
れた、低不純物濃度を有する低濃度ｐ型クラッド層
（５）、高不純物濃度を有する高濃度ｐ型クラッド層
（６）、及び前記ｐ型クラッド層内での正孔による光の
吸収を抑えるための中不純物濃度を有する中濃度ｐ型ク
ラッド層（７）からなり、 前記活性層より前記ｐ型クラッド層側のｐ型不純物の濃
度分布が、前記活性層の端から５０乃至２５０ｎｍ離れ
た位置に極大値を有することを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項２】 前記ｐ型不純物が亜鉛である請求項１に
記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記ｐ型不純物濃度の極大値が１×１０
１８／ｃｍ３以上である請求項１又は２に記載の半導体
レーザ。 - 【請求項４】 前記活性層の端から前記極大値間におけ
るｐ型不純物濃度の最小値が３×１０１７／ｃｍ３以下
となる請求項１乃至３のうち何れか１項に記載の半導体
レーザ。 - 【請求項５】 前記活性層と前記ｐ型クラッド層の間に
光分離閉じ込め層（４）を有する請求項１乃至４のうち
何れか１項に記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】 ＩｎＰ材料からなる形成されたｎ型半導
体基板（１）上に、ＩｎＧａＡｓＰを含む材料で形成さ
れた活性層（３）及びｐ型不純物として亜鉛を用いるｐ
型ＩｎＰからなるｐ型クラッド層（５，６，７）を有す
る半導体レーザにおいて、 前記ｐ型クラッド層は、前記活性層側から順番に配列さ
れた、低不純物濃度を有する低濃度ｐ型クラッド層
（５）、高不純物濃度を有する高濃度ｐ型クラッド層
（６）、及び前記ｐ型クラッド層内での正孔による光の
吸収を抑えるための中不純物濃度を有する中濃度ｐ型ク
ラッド層（７）からなり、 前記活性層より前記ｐ型クラッド層側の前記ｐ型不純物
の濃度分布が、前記活性層の端からアンドープ領域若し
くは低濃度領域を挟んで少なくとも一つの極大値を有す
ることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13180098A JP3481458B2 (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 半導体レーザ |
| US09/307,438 US6351479B1 (en) | 1998-05-14 | 1999-05-10 | Semiconductor laser having effective output increasing function |
| EP99109559A EP0959540B1 (en) | 1998-05-14 | 1999-05-12 | Semiconductor laser having effective output increasing function |
| DE69902421T DE69902421T2 (de) | 1998-05-14 | 1999-05-12 | Halbleiterlaser mit erhöhter Ausgangsleistung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13180098A JP3481458B2 (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330605A JPH11330605A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3481458B2 true JP3481458B2 (ja) | 2003-12-22 |
Family
ID=15066414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13180098A Expired - Lifetime JP3481458B2 (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 半導体レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6351479B1 (ja) |
| EP (1) | EP0959540B1 (ja) |
| JP (1) | JP3481458B2 (ja) |
| DE (1) | DE69902421T2 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6240114B1 (en) * | 1998-08-07 | 2001-05-29 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Multi-quantum well lasers with selectively doped barriers |
| CA2351014A1 (en) * | 2000-06-20 | 2001-12-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Semiconductor laser device |
| RU2168249C1 (ru) * | 2000-08-30 | 2001-05-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт "Полюс" | Инжекционный лазер |
| RU2176842C1 (ru) * | 2000-08-30 | 2001-12-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт "Полюс" | Способ регулирования диапазона рабочих частот лазерной модуляции |
| RU2176841C1 (ru) * | 2000-08-30 | 2001-12-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт "Полюс" | Способ изготовления инжекционного лазера |
| FR2820891B1 (fr) * | 2001-02-13 | 2004-08-27 | Cit Alcatel | Laser semi conducteur a ruban enterre et procede de fabrication |
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| US7084444B2 (en) | 2001-03-19 | 2006-08-01 | Trumpf Photonics, Inc. | Method and apparatus for improving efficiency in opto-electronic radiation source devices |
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| KR100602973B1 (ko) * | 2003-10-30 | 2006-07-20 | 한국과학기술연구원 | 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
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| JP2010192528A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Anritsu Corp | 半導体光素子とそれを用いた波長掃引光源 |
| JP6291849B2 (ja) | 2014-01-10 | 2018-03-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
| JP6519921B2 (ja) * | 2014-07-07 | 2019-05-29 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法 |
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| US11056434B2 (en) | 2017-01-26 | 2021-07-06 | Epistar Corporation | Semiconductor device having specified p-type dopant concentration profile |
| US10084282B1 (en) | 2017-08-14 | 2018-09-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Fundamental mode operation in broad area quantum cascade lasers |
| JP6414306B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2018-10-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
| US11031753B1 (en) | 2017-11-13 | 2021-06-08 | The Government Of The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Extracting the fundamental mode in broad area quantum cascade lasers |
| US10833480B2 (en) * | 2018-07-03 | 2020-11-10 | Skorpios Technologies, Inc. | Diffusion blocking layer for a compound semiconductor structure |
| CN112398003B (zh) * | 2019-08-19 | 2023-01-06 | 朗美通日本株式会社 | 调制掺杂半导体激光器及其制造方法 |
| CN115023869A (zh) * | 2020-01-28 | 2022-09-06 | 三菱电机株式会社 | 光半导体装置及其制造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE3789695T2 (de) | 1986-08-08 | 1994-08-25 | Toshiba Kawasaki Kk | Doppelheterostruktur-Halbleiterlaser mit streifenförmigem Mesa-Wellenleiter. |
| EP0403293B1 (en) | 1989-06-16 | 1995-12-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing III-V group compound semiconductor device |
| EP0571021B1 (en) | 1992-05-18 | 1997-08-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optoelectronic semiconductor device |
| JPH06222406A (ja) | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光デバイス |
| JP2699848B2 (ja) | 1993-12-27 | 1998-01-19 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| JP2778454B2 (ja) * | 1994-03-07 | 1998-07-23 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
| JPH07249575A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光素子の製造方法 |
| US5949807A (en) | 1994-12-28 | 1999-09-07 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor laser device |
| JP3645320B2 (ja) | 1995-07-31 | 2005-05-11 | 三井化学株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP3652072B2 (ja) * | 1997-07-30 | 2005-05-25 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
-
1998
- 1998-05-14 JP JP13180098A patent/JP3481458B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-10 US US09/307,438 patent/US6351479B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-12 EP EP99109559A patent/EP0959540B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-12 DE DE69902421T patent/DE69902421T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6351479B1 (en) | 2002-02-26 |
| DE69902421T2 (de) | 2003-04-24 |
| EP0959540B1 (en) | 2002-08-07 |
| DE69902421D1 (de) | 2002-09-12 |
| EP0959540A3 (en) | 2000-02-02 |
| EP0959540A2 (en) | 1999-11-24 |
| JPH11330605A (ja) | 1999-11-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081010 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091010 Year of fee payment: 6 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101010 Year of fee payment: 7 |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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