[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP3458415B2 - Unit test method - Google Patents

Unit test method

Info

Publication number
JP3458415B2
JP3458415B2 JP23275593A JP23275593A JP3458415B2 JP 3458415 B2 JP3458415 B2 JP 3458415B2 JP 23275593 A JP23275593 A JP 23275593A JP 23275593 A JP23275593 A JP 23275593A JP 3458415 B2 JP3458415 B2 JP 3458415B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
unit
semiconductor
predetermined
test method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP23275593A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0786353A (en
Inventor
正人 高橋
昌平 池原
元義 廣瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP23275593A priority Critical patent/JP3458415B2/en
Publication of JPH0786353A publication Critical patent/JPH0786353A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3458415B2 publication Critical patent/JP3458415B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、複数の半導体素子を有
するユニット、例えば、ボード,パッケージ,高集積回
路(LSI) といった、単体では、通常の試験プログラムを
走行させて試験することが困難なユニットの試験方法に
係り、特に、該ユニットに実装されている半導体素子の
実際に動作しているときの温度条件を考慮した良好な試
験を行うユニット試験方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention makes it difficult for a unit having a plurality of semiconductor elements, such as a board, a package, or a highly integrated circuit (LSI), to run an ordinary test program for testing. The present invention relates to a unit test method, and more particularly, to a unit test method for performing a good test in consideration of temperature conditions of a semiconductor element mounted in the unit when the semiconductor element is actually operating.

【0002】半導体素子の特性、例えば、論理遅延時間
については、温度によって変化する。最近の主流になり
つつある、C−MOS等は、スイッチング動作に応じて
発熱するため、複数の半導体素子を有するユニットで
は、各半導体素子の動作状況に応じた温度分布が、各ユ
ニットに生じてしまう。
The characteristics of a semiconductor device, for example, the logical delay time, changes with temperature. Since C-MOS, which is becoming mainstream recently, generates heat in accordance with switching operation, in a unit having a plurality of semiconductor elements, a temperature distribution according to the operating condition of each semiconductor element occurs in each unit. I will end up.

【0003】従来は、その温度分布によるバラツキを見
込んで、即ち、該温度分布によるバラツキがあっても、
十分に動作できるように、余裕のある論理設計を行って
いる。
Conventionally, in consideration of the variation due to the temperature distribution, that is, even if there is the variation due to the temperature distribution,
We have designed the logic with enough margin so that it can operate sufficiently.

【0004】然しながら、近年のデータ処理装置の性能
の向上に伴い、その動作周波数が高くなってきている
が、これに伴い、論理設計条件が厳しくなり、温度変化
による性能のバラツキが無視できない問題になってきて
いる。
However, with the recent improvement in the performance of the data processing apparatus, the operating frequency thereof has become higher. With this, however, the logic design condition becomes stricter, and the variation in the performance due to the temperature change cannot be ignored. It has become to.

【0005】そのため、実動状態において、ユニットに
生じる温度分布を、例えば、シミュレーションで想定
し、該想定された温度に対応した論理遅延特性を考慮し
た論理設計が行う必要がある。従って、ユニットの単体
試験も、該温度分布による半導体素子の論理遅延を考慮
した半導体ユニットの試験方法が必要とされる。
Therefore, it is necessary to assume the temperature distribution occurring in the unit in the actual operating state by, for example, a simulation, and perform the logic design in consideration of the logic delay characteristic corresponding to the assumed temperature. Therefore, the unit testing of the unit also requires a method of testing the semiconductor unit in consideration of the logic delay of the semiconductor element due to the temperature distribution.

【0006】[0006]

【従来の技術】図3は、従来のユニット試験方法を説明
する図であり、図4は、実動作時の温度分布を説明する
図である。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a diagram for explaining a conventional unit test method, and FIG. 4 is a diagram for explaining a temperature distribution during actual operation.

【0007】従来は、図3に示したように、ユニット 1
内の、複数の半導体素子A,B,C,Dが実装されてい
るユニット試験を行う際、各半導体素子A,B,C,D
の温度を、外部より制御を行っていなかった為、前述の
C−MOS等のように、通電しても、実動作状態(スイ
ッチング状態)にならないと発熱しない素子では、動作
していない状態での単体試験となり、ほゞ、室温での試
験となっていた。
Conventionally, as shown in FIG. 3, the unit 1
When performing a unit test in which a plurality of semiconductor elements A, B, C, and D are mounted, each semiconductor element A, B, C, D
Since the temperature of is not controlled from the outside, an element that does not generate heat when it is in an actual operating state (switching state) even when energized, such as the C-MOS described above, is not operating. It was a unit test, and it was a test at room temperature.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】半導体素子には、前述
のように、論理遅延時間等、温度に依存して変化する特
性がある。上記のように、実際の動作 (スイッチング動
作) と共に発熱する素子では、スイッチング動作の激し
い部分, スイッチング動作の少ない部分で発熱に差が出
てくる。
As described above, the semiconductor element has a characteristic that changes depending on temperature, such as the logical delay time. As described above, in an element that generates heat along with the actual operation (switching operation), there is a difference in heat generation between the portion where switching operation is intense and the portion where switching operation is small.

【0009】図4は、ユニット 1内での実動作時の温度
分布を説明する図である。図4に示した例のように, こ
のユニット、例えば、パッケージ、ボードをデータ処理
装置に実装して、実際にプログラムを流した状態では、
半導体素子Aの部分の発熱は、1Wで、その温度は30
度Cであるが、半導体素子Bの部分では10Wの発熱が
あり、その温度は85度Cとなるとすると、図示されて
いるような温度分布が生じてしまい、前述の論理遅延時
間の特性にバラツキが出ることになる。
FIG. 4 is a diagram for explaining the temperature distribution during actual operation in the unit 1. As in the example shown in FIG. 4, when this unit, such as a package or a board, is mounted on a data processing device and a program is actually run,
The heat generated in the semiconductor element A is 1 W and the temperature is 30
Although the temperature is C, the semiconductor element B generates heat of 10 W, and if the temperature is 85 ° C., the temperature distribution shown in FIG. Will come out.

【0010】従って、該ユニット 1にクロックが供給さ
れていて、そのクロックの各半導体素子A,B,C,D
毎での、論理遅延を測定する場合、図4に示した各半導
体素子A,B,C,Dに対して、図3に示されているよ
うに、一定の温度で、クロック測定をすると、実際の動
作状態とは異なる温度条件での測定となり、論理設計と
おりの試験、例えば、クロックのバラツキの調整を行う
ことができないという問題があった。
Therefore, a clock is supplied to the unit 1, and each semiconductor element A, B, C, D of the clock is supplied.
When measuring the logical delay for each of the semiconductor devices A, B, C, and D shown in FIG. 4, clock measurement is performed at a constant temperature as shown in FIG. Since the measurement is performed under a temperature condition different from the actual operating state, there is a problem in that it is impossible to carry out a test according to the logic design, for example, adjustment of clock variations.

【0011】本発明は上記従来の欠点に鑑み、複数の半
導体素子を有するユニットの試験方法において、該ユニ
ットに実装されている半導体素子の温度特性を考慮した
試験を行うユニット試験方法を提供することを目的とす
るものである。
In view of the above-mentioned conventional drawbacks, the present invention provides a unit testing method for testing a unit having a plurality of semiconductor elements, the unit testing method taking into consideration the temperature characteristics of the semiconductor elements mounted in the unit. The purpose is.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】図1,図2は、本発明の
一実施例を示した図であって、図1は、ユニットの所定
の部分に熱源体A〜を設けて、外部から制御して、各
半導体素子A〜Dの実際の動作状態での温度条件を設定
する場合を示し、図2は、該ユニット内の所定の半導体
素子A〜内部の論理回路を、例えば、スキャンチェーン
を使用して、擬似的に動作させて、実際の動作状態での
温度条件を設定する場合を示している。上記の問題点は
下記の如くに構成したユニット試験方法によって解決さ
れる。
FIG. 1 and FIG. 2 are views showing an embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a heat source body A to be provided at a predetermined portion of a unit so FIG. 2 shows a case in which the temperature conditions in the actual operating states of the semiconductor devices A to D are controlled to be set, and FIG. 2 shows a predetermined semiconductor device A to the internal logic circuit in the unit, for example, a scan chain. Is used to set the temperature condition in the actual operating state by performing a pseudo operation. The above problems are solved by the unit test method configured as follows.

【0013】(1) 複数の半導体素子(A,B, 〜) を有する
ユニット 1の単体試験において、該ユニット 1が、装置
に実装され、実際の運用状態になった時の各半導体素子
(A,B, 〜) の温度と同等の温度条件を設定する手段 10
を備えて、該温度条件設定手段 10 によって、ユニット
1の各半導体素子(A,B, 〜) の温度を所定の温度に設定
して試験を行うように構成する。
(1) In a unit test of a unit 1 having a plurality of semiconductor elements (A, B, ...), each of the semiconductor elements when the unit 1 is mounted in an apparatus and put into an actual operating state
Means for setting temperature conditions equivalent to the temperature of (A, B, ...) 10
The temperature condition setting means 10
The test is performed by setting the temperature of each semiconductor device (A, B, ...) of 1 to a predetermined temperature.

【0014】(2) 上記温度条件設定手段 10 として、該
ユニット 1の所定の場所に、熱源体を設けて、外部 2
から、該熱源体を制御して、各半導体素子(A,B, 〜)
の温度を所定の温度に設定するように構成する。
(2) As the temperature condition setting means 10, a heat source is provided at a predetermined place of the unit 1 so that the external unit 2
From this, by controlling the heat source, each semiconductor element (A, B, ...)
Is set to a predetermined temperature.

【0015】(3) 上記温度条件設定手段 10 として、該
ユニット 1内の所定の論理回路を動作させて、各半導
体素子(A,B, 〜) の温度を所定の温度に設定するように
構成する。
(3) As the temperature condition setting means 10, a predetermined logic circuit in the unit 1 is operated to set the temperature of each semiconductor element (A, B, ...) to a predetermined temperature. To do.

【0016】(4) 上記論理回路を動作させる方法とし
て、スキャンチェーンを使用するように構成する。
(4) As a method of operating the above logic circuit, a scan chain is used.

【0017】[0017]

【作用】即ち、本発明によるユニット試験方法では、ユ
ニット内の各半導体素子A〜を、実際の動作状態に近い
温度になる迄、外部の制御装置から、例えば、熱源体A
〜を制御するか、或いは、該半導体素子A〜を構成し
ている論理回路、例えば、フリップフロップ(FF)に、ス
キャンチエーンを使用して、所定のデータを所定のクロ
ックでスキャンインして、疑似的に、該半導体素子A〜
を実際の動作に近い動作をさせて、該半導体素子A〜の
内部回路{フリップフロップ(FF)}を発熱させ、実際の
動作状態に近い温度に上昇させて、該ユニットの試験、
例えば、前述のクロックの遅延の調整,或いは、クリテ
ィカルパスの測定を行うようにしたものである。
That is, in the unit testing method according to the present invention, the semiconductor devices A to A in the unit are heated from the external control device to, for example, the heat source A until the temperature becomes close to the actual operating state.
Or by scanning a predetermined data with a predetermined clock using a scan chain to a logic circuit, such as a flip-flop (FF), which configures the semiconductor element A. The semiconductor elements A to
By operating the internal circuit {flip-flop (FF)} of the semiconductor elements A to heat up to a temperature close to the actual operating state, and performing a test of the unit.
For example, the above-mentioned clock delay adjustment or critical path measurement is performed.

【0018】従って、各半導体素子A〜を実際の動作状
態に近い状況に置くことにより、より正確なユニット試
験、例えば、クロック遅延の調整,クリティカルパスの
測定等を行うことができる効果がある。
Therefore, by placing each of the semiconductor elements A to a state close to the actual operating state, there is an effect that a more accurate unit test such as clock delay adjustment and critical path measurement can be performed.

【0019】[0019]

【実施例】以下本発明の実施例を図面によって詳述す
る。前述の図1,図2が、本発明の一実施例を示した図
である。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 and FIG. 2 described above are diagrams showing an embodiment of the present invention.

【0020】本発明においては、ユニット 1内の各半導
体素子A〜を、実際の動作状態に近い温度になるまで、
熱源体A〜で外部から熱を与えて試験を行うか、或い
は、該半導体素子A〜の内部回路を、例えば、スキャン
チェーンを使用して、疑似的に動作させて、該半導体素
子A〜の内部回路を発熱させて試験を行う手段が、本発
明を実施するのに必要な手段である。尚、全図を通して
同じ符号は同じ対象物を示している。
In the present invention, each of the semiconductor elements A to A in the unit 1 is heated to a temperature close to the actual operating state.
A test is performed by applying heat from the heat source A to the outside, or an internal circuit of the semiconductor element A is pseudo-operated by using, for example, a scan chain, so that the semiconductor element A The means for conducting the test by heating the internal circuit is the means necessary for carrying out the present invention. The same reference numerals indicate the same objects throughout the drawings.

【0021】以下、図1,図2によって、本発明のユニ
ット試験方法を説明する。先ず、図1に示したように、
ユニット 1内の各半導体素子A〜の近傍に、制御装置 2
から制御できる熱源体A〜を設ける。
The unit testing method of the present invention will be described below with reference to FIGS. First, as shown in FIG.
A control device 2 is provided near each semiconductor element A in the unit 1.
A heat source A that can be controlled from is provided.

【0022】具体的には、該ユニット 1が、プリント
板, 或いは、プリントボードのレベルであると、該ユニ
ット 1に実装されている各高集積回路(LSI) A〜の近傍
に熱源体A〜を実装して、外部の制御装置 2から、所
定の電圧を与えて、該熱源体A〜を発熱させること
で、該高集積回路(LSI) A〜を実際の動作状態に近い温
度に保持して、該ユニット 1内が、各高集積回路(LSI)
A〜の実動作時と、ほぼ同じ温度分布になったら、所定
の試験を行うようにする。
Specifically, when the unit 1 is at the level of a printed board or a printed board, the heat source bodies A to A are provided in the vicinity of the highly integrated circuits (LSI) A mounted on the unit 1. By mounting a predetermined voltage from the external control device 2 to heat the heat source bodies A to, the highly integrated circuits (LSI) A to are maintained at a temperature close to an actual operating state. In the unit 1, each highly integrated circuit (LSI)
When the temperature distributions are almost the same as those in the actual operation of A to A, a predetermined test is performed.

【0023】又、該ユニット 1が、高集積回路(LSI) で
あると、該高集積回路(LSI) を設計する段階で、各論理
素子の近傍に、抵抗体を設けて、該高集積回路(LSI) の
外から該抵抗体を制御できるようにして、該高集積回路
(LSI) 内部での温度分布が、該高集積回路(LSI) が実際
に動作しているときの温度分布に近い状態にしてから、
該高集積回路(LSI) の試験を行うようにする。
Further, when the unit 1 is a highly integrated circuit (LSI), a resistor is provided near each logic element at the stage of designing the highly integrated circuit (LSI), and the highly integrated circuit (LSI) is provided. The highly integrated circuit by controlling the resistor from outside the (LSI).
After the temperature distribution inside the (LSI) is close to the temperature distribution when the highly integrated circuit (LSI) is actually operating,
Test the highly integrated circuit (LSI).

【0024】上記のような各ユニット 1内の温度分布
は、例えば、論理シミュレーション等によって、予め、
認識することができるので、その温度分布になるよう
に、該熱源体A〜等を制御すれば良い。
The temperature distribution in each unit 1 as described above is calculated in advance by, for example, logic simulation.
Since it can be recognized, it suffices to control the heat source bodies A to etc. so as to obtain the temperature distribution.

【0025】次に、図2に示した実施例では、通常、各
ユニット 1に設けられている論理動作試験用のスキャン
チェーン回路を使用して、各半導体素子A〜を構成して
いる、前述のフリップフロップ(FF)群に対して、実際の
動作状態に近い動作を疑似的に行って、該フリップフロ
ップ(FF)群を発熱させる。
Next, in the embodiment shown in FIG. 2, each semiconductor element A is usually constructed by using the scan chain circuit for logic operation test provided in each unit 1. The flip-flop (FF) group is subjected to a pseudo operation that is close to the actual operating state to heat the flip-flop (FF) group.

【0026】具体的には、図2に示されているように、
各半導体素子A〜を構成しているスキャンチェーンに対
して、制御装置 2から、所定のデータを、所定のクロッ
クによってスキャンイン, スキャンアウトすることを所
定時間繰り返すことで、該半導体素子A〜を疑似的に動
作 (スイッチング動作) をさせ、発熱させることができ
る。
Specifically, as shown in FIG.
For the scan chains forming the semiconductor elements A to, the control device 2 repeats scanning in and scanning out predetermined data with a predetermined clock for a predetermined time, whereby the semiconductor elements A to It is possible to generate heat by artificially operating (switching operation).

【0027】該スキャンチェーンは、論理素子、特に、
フリップフロップ(FF)の論理動作試験の為に、該フリッ
プフロップ(FF)群をシリーズ接続したもので、このフリ
ップフロップ(FF)群に、所定のデータを、スキャンイ
ン, スキャンアウトすることを繰り返すことで、各フリ
ップフロップ(FF)の温度を調整し、ユニット内の対応す
る半導体素子A〜の温度分布を実動作時と等しくするこ
とができる。
The scan chain consists of logic elements, in particular
Flip-flops (FF) are connected in series to test the logical operation of the flip-flops (FF). Repeated scan-in and scan-out of predetermined data to this flip-flop (FF) group is repeated. As a result, the temperature of each flip-flop (FF) can be adjusted so that the temperature distribution of the corresponding semiconductor elements A through in the unit can be made equal to that in the actual operation.

【0028】上記の実施例は、スキャンチェーンを使用
する方法を示したが、要は、半導体素子A〜の内部回路
の動作率, 温度分布を、前述の論理シミュレーション等
で求めておき、外部の制御装置 2から制御して、該半導
体素子A〜の内部回路の発熱量を所望の値にすることが
できれば良く、その方法の差は、特に、本発明を制限す
るものではない。
The above embodiment has shown the method of using the scan chain, but the point is that the operating rates and temperature distributions of the internal circuits of the semiconductor devices A to A are obtained by the above-mentioned logic simulation and the like. It suffices that the heat generation amount of the internal circuits of the semiconductor elements A to be controlled to a desired value by controlling from the control device 2, and the difference in the method does not particularly limit the present invention.

【0029】このように、本発明は、複数の半導体素子
を有するユニットの単体試験において、該ユニットが、
装置に実装され、実際の運用状態になった時の各半導体
の温度と同等の温度条件を設定する手段を備えて、該温
度設定手段によって、ユニットの各半導体の温度を所定
の温度に設定して試験を行う。上記温度条件設定手段と
して、該ユニットの所定の場所に、熱源体を設けて、外
部から、該熱源体を制御して、各半導体素子の温度を所
定の温度に設定する。又、上記温度条件設定手段とし
て、該ユニット内の所定の論理回路を動作させて、各半
導体素子の温度を所定の温度に設定する。上記ユニット
内の所定の論理回路を動作させる手段として、スキャン
チェーンを使用するようにしたところに特徴がある。
As described above, according to the present invention, in a unit test of a unit having a plurality of semiconductor elements, the unit is
It is equipped with means for setting temperature conditions equivalent to the temperature of each semiconductor when it is mounted in the device and in the actual operating state, and the temperature setting means sets the temperature of each semiconductor of the unit to a predetermined temperature. Test. As the temperature condition setting means, a heat source body is provided at a predetermined place of the unit, and the heat source body is externally controlled to set the temperature of each semiconductor element to a predetermined temperature. Further, as the temperature condition setting means, a predetermined logic circuit in the unit is operated to set the temperature of each semiconductor element to a predetermined temperature. A feature is that a scan chain is used as a means for operating a predetermined logic circuit in the unit.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
ユニット試験方法によれば、各半導体素子A〜を実際の
動作状態に近い状況に置くことにより、より正確なユニ
ット試験、例えば、クロック遅延の調整,クリティカル
パスの測定等を行うことができる効果がある。
As described above in detail, according to the unit test method of the present invention, a more accurate unit test, for example, by placing each semiconductor device A to a state close to an actual operating state, It is effective in adjusting the clock delay and measuring the critical path.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示した図(その1)FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention (No. 1).

【図2】本発明の一実施例を示した図(その2)FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of the present invention (Part 2).

【図3】従来のユニット試験方法を説明する図FIG. 3 is a diagram illustrating a conventional unit test method.

【図4】実動作時の温度分布を説明する図FIG. 4 is a diagram for explaining temperature distribution during actual operation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ユニット 10 温度条件設
定手段 2 外部の制御装置 熱源体A〜D A,B,C,D 半導体素子, 又は、熱源体 FF フリップフロップ
1 unit 10 temperature condition setting means 2 external controller heat source A to D A, B, C, D semiconductor element or heat source FF flip-flop

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−156175(JP,A) 特開 昭54−138344(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/66 G01R 31/26 G01R 31/28 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-2-156175 (JP, A) JP-A-54-138344 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/66 G01R 31/26 G01R 31/28

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】装置に実装され実際の運用状態になったと
きの各半導体素子の温度が素子毎に異なる複数の半導体
素子を有する電子回路ユニットを試験する方法であっ
被試験ユニットの各半導体素子に対して個別に温度を設
定する温度条件設定手段を備え、 温度条件設定手段により各半導体素子の温度を実際の運
用状態に相当する温度にそれぞれ設定した状態で、 試験
を行うことを特徴とするユニット試験方法。
1. When the device is mounted in an apparatus and is in an actual operating state
There in a way that Kino temperature of the semiconductor device for testing an electronic circuit units that have a plurality of different semiconductor elements in each element
Te, set the temperature individually for each semiconductor device under test unit
The temperature condition setting means for determining the actual temperature of each semiconductor element is used by the temperature condition setting means.
A unit test method, characterized in that the test is carried out in a state where the temperature is set to a temperature corresponding to the operating state .
【請求項2】上記温度条件設定手段は、被試験ユニット
上の所定の位置に熱源体を配置し該熱源体を制御 して、各半導体素子の温度を実際の運用
状態に相当する所定の温度に設定することを特徴とする
請求項1に記載のユニット試験方法。
2. The unit to be tested is the temperature condition setting means.
The heat source body is disposed at a predetermined position of the upper, by controlling the heat source body, the actual operating temperature of the semiconductor element
The unit test method according to claim 1, wherein a predetermined temperature corresponding to the state is set.
【請求項3】上記温度条件設定手段は、被試験ユニッ
内に備えられた所定の論理回路を動作させて、各半導体
子の温度を実際の運用状態に相当する所定の温度に設
定することを特徴とする請求項1に記載のユニット試験
方法。
Wherein said temperature setting means is tested unit
By operating a predetermined logic circuits provided within, according to claim 1, characterized in that set to a predetermined temperature corresponding to the actual operating conditions the temperature of the semiconductor <br/> element Unit test method.
【請求項4】被試験ユニット内に備えられた所定の論理
回路として、スキャンチェーンを使用することを特徴と
する請求項3に記載のユニット試験方法。
4. A predetermined logic provided in the unit under test.
The unit test method according to claim 3, wherein a scan chain is used as the circuit .
JP23275593A 1993-09-20 1993-09-20 Unit test method Expired - Fee Related JP3458415B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23275593A JP3458415B2 (en) 1993-09-20 1993-09-20 Unit test method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23275593A JP3458415B2 (en) 1993-09-20 1993-09-20 Unit test method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0786353A JPH0786353A (en) 1995-03-31
JP3458415B2 true JP3458415B2 (en) 2003-10-20

Family

ID=16944253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23275593A Expired - Fee Related JP3458415B2 (en) 1993-09-20 1993-09-20 Unit test method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3458415B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014066527A (en) * 2012-09-24 2014-04-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology Inspection method for connection state of laminated lsi

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0786353A (en) 1995-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6815971B2 (en) Method and apparatus for stress testing integrated circuits using an adjustable AC hot carrier injection source
JP3490403B2 (en) How to set the clock frequency
US5519193A (en) Method and apparatus for stressing, burning in and reducing leakage current of electronic devices using microwave radiation
US4630270A (en) Method for identifying a faulty cell in a chain of cells forming a shift register
JP2004144747A (en) System and method of measuring low impedance
US7058868B2 (en) Scan testing mode control of gated clock signals for memory devices
JP2005513444A (en) Measurements for microprocessor-based integrated circuit inspection.
US7170310B2 (en) System and method using locally heated island for integrated circuit testing
US6529033B1 (en) Area efficient clock inverting circuit for design for testability
KR20070084495A (en) Method and apparatus for controlling variable delays in electronic circuitry
JP3458415B2 (en) Unit test method
JP2002139553A (en) Apparatus for specifying end position of electronic circuit element and for measuring jitter
JP2004144746A (en) System and method of measuring low impedance
KR101254280B1 (en) Test apparatus and manufacturing method
US6986087B2 (en) Method and apparatus for improving testability of I/O driver/receivers
US7065683B1 (en) Long path at-speed testing
DiBene et al. Effects of device variations on the EMI potential of high speed digital integrated circuits
JP2773709B2 (en) Semiconductor device test method and test apparatus
US6182255B1 (en) IC tester
JP3442226B2 (en) Integrated circuit with delay evaluation circuit
US7282938B2 (en) Testing apparatus and method for providing temperature stress to electronic component
JPH06201765A (en) Testing method for integrated circuit device
Hamilton Thermal aspects of burn-in of high power semiconductor devices
Nummer et al. A DFT technique for testing high-speed circuits with arbitrarily slow testers
Gomez Caicedo et al. Testing and Design for Testability of Latent Defects in Mixed-Signal Integrated Circuits

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030708

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090808

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090808

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100808

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees