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JP3451721B2 - 投影光学装置及びそれを備えた露光装置並びにその調整方法 - Google Patents

投影光学装置及びそれを備えた露光装置並びにその調整方法

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Publication number
JP3451721B2
JP3451721B2 JP12376294A JP12376294A JP3451721B2 JP 3451721 B2 JP3451721 B2 JP 3451721B2 JP 12376294 A JP12376294 A JP 12376294A JP 12376294 A JP12376294 A JP 12376294A JP 3451721 B2 JP3451721 B2 JP 3451721B2
Authority
JP
Japan
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projection optical
optical system
substrate
projection
image
Prior art date
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Application number
JP12376294A
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English (en)
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JPH07335525A (ja
Inventor
正紀 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Priority to US08/453,538 priority patent/US5729331A/en
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Publication of JPH07335525A publication Critical patent/JPH07335525A/ja
Priority to US08/587,346 priority patent/US6157497A/en
Priority to US09/173,530 priority patent/US6351305B1/en
Priority to US09/722,278 priority patent/US6480262B1/en
Priority to US09/722,515 priority patent/US6509954B1/en
Priority to US09/722,516 priority patent/US6556278B1/en
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Application granted granted Critical
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Priority to US11/101,553 priority patent/US7088425B2/en
Priority to US11/471,658 priority patent/US7372543B2/en
Priority to US11/797,605 priority patent/US7372544B2/en
Priority to US12/078,863 priority patent/US7956984B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクの像をプレート
上に投影露光する投影光学系及び露光装置に関し、特
に、マスクとプレートとを移動させつつ投影露光を行う
走査型の露光装置及びこの走査型の露光装置に好適な投
影光学系に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ワープロ、パソコン、テレビ等に
用いられる表示素子として、液晶表示パネルが多用され
るようになった。このような液晶表示パネルの製造の際
には、ガラス基板上に透明薄膜電極をフォトリソグラフ
ィの手法で所望の形状にパターンニングすることが行わ
れている。
【０００３】このようなリソグラフィのための装置とし
て、例えばミラープロジエクションタイプのアライナー
が知られている。このアライナー型の露光装置として
は、例えば図１０に示すものが知られている。図１０に
おいて、図示なき照明光学系により、マスクＭが円弧状
の照射ＭＩにて照明される。この照射ＭＩからの光は、
台形ミラー７１の反射面７１ａにて光路が９０°偏向さ
れ、凹面鏡７２及び凸面鏡７３を介して再び凹面鏡７２
にて反射される。凹面鏡７２からの光は、台形ミラー７
１の反射面７１ｂにて光路が９０°偏向され、プレート
Ｐ上に照射ＭＩの像ＰＩを形成する。そして、このアラ
イナー型の露光装置においては、マスクＭとプレートＰ
とを図中Ｚ方向に沿って移動させつつ露光を行うことに
より、プレートＰ上にマスクＭの像が順次転写される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の如きアライナー
型の露光装置において、露光領域の拡大化を図る場合に
は、まず、露光領域を複数の領域に分割して露光を行う
ことが考えられる。このときには、分割された複数の露
光領域に対応する複数のマスクを用意して、これらのマ
スクを交換しながら露光を行うことによって、プレート
上には、分割された複数の露光領域にマスクの像が順次
形成される。
【０００５】しかしながら、この露光方法においては、
複数の露光領域を露光する間の工程において、マスクを
交換する動作を行う必要があるため、スループットの低
下を招くと共に、露光領域の間で精度良くパターンを継
ぐ必要があるため、各マスクのパターンの精度を非常に
高める必要が生じる。次に、マスクを交換することなく
露光領域の拡大化を図るためには、凹面鏡７２及び凸面
鏡７３からなる投影光学系の視野よりも大きなマスクを
用いることが考えられる。この場合、マスクを所定の視
野でもって走査露光した後、走査直交方向においてマス
クとプレートとを移動させた後に、前記所定の視野とは
異なる視野でマスクを走査することによって、拡大され
た露光領域を継ぎ露光によって得ることができる。
【０００６】しかしながら、投影光学系が形成するマス
クの像は、一般的に倒立像となるため、マスクとプレー
トとを互いに逆方向に移動させて走査露光しなくてはな
らない。この場合には、マスクとプレートとを走査させ
るための機構の複雑化を招く問題点が生じる。また、図
１０に示す如きオフナー型の投影光学系７１〜７３で
は、走査方向における横倍率は正ではあるが、走査直交
方向における横倍率が負となるため、そのままでは走査
直交方向における左右の関係が逆転し、上述の如き継ぎ
露光を達成することができない。
【０００７】ここで、走査方向及び走査直交方向におけ
る横倍率を共に正として、上述の問題点を解決するため
には、マスクの中間像を形成する投影光学系と、この中
間像からの光により、マスクの２次像を形成する投影光
学系とを備えた露光装置が考えられる。しかしながら、
上述の如き２組の投影光学系を用いる系では、２組の投
影光学系の間において、光軸ずれが発生し易い問題点が
ある。
【０００８】また、２組の投影光学系の製造誤差などに
より発生する諸収差があるため、それぞれの投影光学系
を調整した後に、２組の投影光学系全体として再度調整
する、特にそれぞれの投影光学系にて生じるディストー
ションのマッチングを考慮して調整する必要がある。そ
こで、本発明は、光軸ずれの調整や諸収差の調整などの
光学調整を容易に行うことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】 上述の目的を達成する
ために、本発明による請求項１に係る投影光学装置は、
例えば図１に示す如く、光軸と２つの共役点とを有する
投影光学系と、投影光学系の２つの共役点のうち一方の
共役点側に配置され、かつ投影光学系の視野を分割する
視野分割部材と、投影光学系の他方の共役点側に配置さ
れ、かつ視野分割部材及び投影光学系を順に介した光を
投影光学系の光軸を横切る方向に沿って移送する光束移
送部材とを有し、 前記視野分割部材と前記光束移送部材
とは、前記物体からの光が前記視野分割部材、前記投影
光学系、前記光束移送部材、前記投影光学系、及び前記
視野分割部材の順に通過して前記像面上へ導かれるよう
に位置決めされる。
【００１０】また、上述の目的を達成するために、本発
明による請求項８に係る露光装置は、例えば図２に示す
如く、第１の基板と第２の基板とを同一方向に移動させ
つつ、第１の基板のパターンを第２の基板上に投影する
露光装置であって、第１の基板を介した光を偏向させる
第１反射面と、第１反射面を介した光に基づいて、第１
の基板の中間像を形成する光学系と、この光学系を介し
た第１反射面からの光を光学系の光軸を横切る方向に沿
って移送し、かつ移送された光を再び光学系へ導く光束
移送部材と、光学系を介した光束移送部材からの光を偏
向させ、第２の基板へ導く第２反射面とを有するように
構成される。
【００１１】そして、上述の目的を達成するために、本
発明による請求項９に係る露光装置は、例えば図３に示
す如く、第１の基板と第２の基板とを同一方向に移動さ
せつつ、前記第１の基板をパターンを前記第２の基板上
に投影する露光装置であって、第１の基板の正立正像を
第２の基板上に形成する第１及び第２光学系を有するよ
うに構成される。そして、第１及び第２光学系は、光軸
と２つの共役点とを有する投影光学系と、投影光学系の
一方の共役点側に配置され、かつ第１の基板からの光を
偏向させて投影光学系へ導く第１反射面と、投影光学系
を介した第１反射面からの光を投影光学系の光軸を横切
る方向に沿って移送させ、かつ移送された光を再び投影
光学系へ導く光束移送部材と、投影光学系を介した光束
移送部材からの光を偏向させ、第２の基板へ導く第２反
射面とをそれぞれ有するように構成される。
【００１２】また、本発明による請求項１４に係る露光
装置は、第１の基板と第２の基板とを同一方向に移動さ
せつつ、前記第１の基板をパターンを前記第２の基板上
に投影する露光装置であって、前記第１の基板の正立正
像を前記第２の基板上にそれぞれ形成する複数の投影光
学系と、前記投影光学系の倍率を調整するための倍率調
整手段と、前記基板の伸縮量に関する情報を入力するた
めの入力手段と、該情報に基づいて前記複数の投影光学
系に対する倍率制御を行うための制御手段とを備えるよ
うに構成される。また、本発明による請求項１７に係る
投影光学装置の調整方法は、投影光学系の光軸を検出す
る工程と、この投影光学系の光軸に対して、投影光学系
の２つの視野を空間的に分割する視野分割部材を位置決
めする工程と、投影光学系の光軸に対して、視野分割部
材及び投影光学系を順に介した光を投影光学系の光軸を
横切る方向に沿って移送する光束移送部材を位置決めす
る工程とを有し、前記視野分割部材と前記光束移送部材
とは、前記物体からの光が前記視野分割部材、前記投影
光学系、前記光束移送部材、前記投影光学系、及び前記
視野分割部材の順に通過して前記像面上へ導かれるよう
に位置決めされる。
【００１３】
【作用】上述の如き本発明においては、投影光学系を一
つの鏡筒内に収めることができるため、投影光学系自体
の芯ずれが生じにくくなる利点があり、複数の投影光学
系同士の芯ずれが発生するという問題は、原理的に発生
しない。また、請求項９に係る本発明においては、複数
の投影光学系を並列配置する構成であるため、広い露光
領域を一括して走査露光することができる利点がある。
これにより、スループットを格段に向上することができ
る。また、請求項１４に係る本発明においては、基板の
伸縮、特に部分的に伸縮している場合であっても対応で
きる。
【００１４】ここで、一般的に、投影光学系の瞳位置に
反射面が存在する場合には、この反射面の傾きにより、
投影光学系の結像位置が移動する問題点があるが、本発
明においては、投影光学系の瞳位置に光を偏向させる部
材が存在しないため、結像位置を安定させることが可能
となる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明による実施例を
説明する。図１は、本発明による第１実施例の構成を示
す図である。図１においては、マスクとプレートとの走
査方向をＺ軸にとり、マスク面内の走査直交方向をＹ軸
にとり、マスクとプレートとの法線方向をＸ軸にとって
いる。
【００１６】図１において、照明光学系ＩＬは、例えば
超高圧水銀ランプを有し、露光光（例えばｇ線（435.8n
m)）の波長でマスクＭを照明する。ここで、マスクＭ
は、図示なき回路パターンを有し、この回路パターンが
プレートＰ側（図中下側）となるようにマスクステージ
ＭＳによって保持されている。このマスクステージＭＳ
は、図中ＹＺ平面内で可動となるように構成されてい
る。また、プレートＰは、例えば表面にレジストが塗布
されたガラス基板であり、図中ＹＺ平面内で可動に設け
られたプレートステージＰＳにより保持されている。
【００１７】これらのマスクステージＭＳとプレートス
テージＰＳとは、図２に示すように、ＸＹ平面でコの字
形状の断面を持つキャリッジＣ上に一体に設けられる。
このキャリッジＣは、ＹＺ平面内で可動となるように設
けられる。図１に戻って、マスクＭとプレートＰとの間
には、Ｚ方向に沿った光軸を持つ投影レンズ２０が設け
られている。そして、投影レンズ２０の一方の側には、
マスクＭに対して４５°で斜設された反射面１０ａとプ
レートＰに対して４５°で斜設された反射面１０ｂとを
有する反射部材１０が設けられている。また、投影レン
ズ２０の他方の側には、光束移送部材として、投影レン
ズ２０の光軸に対して４５°で斜設された反射面１３ａ
を持つ反射部材１３と、投影レンズ２０の光軸に対して
４５°で斜設された反射面１５ａを持つ反射部材１５と
が設けられている。ここで、反射面１３ａと反射面１５
ａとは、互いの面が直交するように設けられている。
【００１８】上記投影レンズ２０は、レンズ成分Ｌ1 〜
Ｌ4 を有し全体として正屈折力の前群ＧF と、投影レン
ズ２０の開口数を規定する開口絞りＡＳと、レンズ成分
Ｌ5〜Ｌ8 を有し全体として正屈折力の後群ＧR とを有
する。本実施例においては、前群ＧF と後群ＧR とは、
同一の構成のものを用い、前群ＧF の後側焦点位置と後
群ＧR の前側焦点位置とを開口絞りＡＳの位置となるよ
うに配置している。従って、投影レンズ２０は、両側テ
レセントリックな光学系となる。
【００１９】また、反射部材１０は、露光装置本体に固
設された支持部材１１に取り付けられており、反射部材
１３，１５は、同じく露光装置本体に固設された支持部
材１６に取り付けられている。また、投影レンズ２０の
各レンズ成分Ｌ1 〜Ｌ8 及び開口絞りは、露光装置本体
に固設された鏡筒１２に取り付けられている。さて、照
明光学系ＩＬにより照明されたマスクＭからの光は、反
射面１０ａにて光路が９０°偏向されて、投影レンズ２
０の光軸方向（Ｚ方向）に沿って進行し、投影レンズ２
０のレンズ成分Ｌ1 に達する。この光は、レンズ成分Ｌ
1 〜Ｌ 4 を順次通過した後、開口絞りＡＳに達する。開
口絞りＡＳを通過した光は、レンズ成分Ｌ5 〜Ｌ8 を順
次通過した後に、投影レンズ２０の光軸と平行に射出さ
れる。投影レンズ２０から射出された光は、反射面１３
ａにて光路を９０°偏向され、支持部材１６に固設され
た視野絞り１４へ向かう。ここで、視野絞り１４は、投
影レンズ２０に関してマスクＭと共役な位置に設けられ
ているため、ここにはマスクＭの中間像が形成される。
この中間像は、Ｙ方向の横倍率が−１倍であり、Ｚ方向
の横倍率が＋１倍である。
【００２０】次に、視野絞り１４上の中間像からの光
は、反射面１５ａを介して光路が９０°偏向され、投影
レンズ２０の光軸と平行に進行し、投影レンズ２０のレ
ンズ成分Ｌ8 に達する。この光は、レンズ成分Ｌ8 〜Ｌ
5 、開口絞りＡＳ及びレンズ成分Ｌ4 〜Ｌ1 を順次通過
した後、投影レンズ２０の光軸と平行に射出される。投
影レンズ２０からの光は、反射面１０ｂにて光路を９０
°偏向されてプレートＰ上に達する。ここで、視野絞り
１４とプレートＰとは、投影レンズ２０に関して共役と
なるように配置されているため、プレートＰ上には、マ
スクＭの２次像が形成される。このマスクＭの中間像
は、Ｙ方向及びＺ方向における横倍率が＋１倍となる等
倍の正立正像である。このように、本実施例では、反射
面にて４回反射させ、かつ投影レンズにて２回結像させ
ることにより正立正像を得ている。
【００２１】なお、上述の実施例においては、前群ＧF
と後群ＧR とを同一構成のものを用いている。すなわ
ち、前群ＧF の焦点距離と後群ＧR の焦点距離とが共に
等しいため、マスクＭと視野絞り１４上の中間像とが等
倍となり、かつ視野絞り１４上の中間像とプレートＰ上
の２次像とが等倍となっている。しかしながら、本実施
例では、前群ＧF と後群ＧR の焦点距離が異なった場合
においても、マスクＭとプレートＰ上の２次像との倍率
関係は等倍となる。すなわち、マスクＭと視野絞り１４
上の中間像との倍率関係がβ（≠±１）であっても、こ
の中間像とプレートＰ上の２次像との倍率関係が１／β
となるため、全体としてみれば、マスクＭとプレートＰ
上の２次像との倍率関係は、等倍であることが分かる。
例えば、マスクＭと視野絞り１４上の中間像との倍率を
上げれば、反射部材１０の反射面１０ａ及び１０ｂと、
マスクＭ及びプレートＰとの間隔（ワーキングディスタ
ンス）を広げることができる。このように、本実施例に
よる投影光学系においては、光学設計上の自由度が高い
利点がある。
【００２２】以下、図２を参照して、第１実施例におけ
る露光動作につき簡単に説明する。なお、以下の説明で
は、マスクＭ上を３つの領域ｍ1 〜ｍ3 に分割して、こ
の領域ｍ1 〜ｍ3 をプレートＰ上の３つの領域ｐ1 〜ｐ
3 に露光する例を示す。プレートＰに対する第２回目以
降の露光時には、まず、不図示のアライメント光学系を
用いてマスクＭとプレートＰとの位置ずれについて検出
し、この検出結果に基づいて、マスクステージＭＳまた
はプレートステージＰＳの少なくとも一方をＹＺ平面内
で移動させて位置合わせを行う。
【００２３】その後、キャリッジＣを駆動して、マスク
Ｍの領域ｍ1 のＺ方向における端部と、プレートＰの領
域ｐ1 のＺ方向における端部とが投影レンズ２０の視野
内に位置するように位置決めする。そして、図２では図
示省略した照明光学系ＩＬによりマスクＭを照射しつ
つ、キャリッジＣをＺ方向（走査方向）に沿って所定の
速度で移動させる。これにより、プレートＰ上の領域ｐ
1 には、マスクＭの領域ｍ1 の像が逐次形成される。
【００２４】次に、キャリッジＣを図中Ｙ方向（走査直
交方向）に沿って移動させ、マスクＭ上の領域ｍ2 と、
プレートＰ上の領域ｐ2 とが一致するように位置決めす
る。その後、キャリッジＣをＺ方向（走査方向）に沿っ
て所定の速度で移動させ、プレートＰ上の領域ｐ2 上に
マスクＭの領域ｍ2 の像を逐次形成する。最後に、キャ
リッジＣを図中Ｙ方向（走査直交方向）に沿って移動さ
せ、マスクＭ上の領域ｍ3 と、プレートＰ上の領域ｐ3
とが一致するように位置決めする。その後、キャリッジ
ＣをＺ方向（走査方向）に沿って所定の速度で移動さ
せ、プレートＰ上の領域ｐ3 上にマスクＭの領域ｍ3 の
像を逐次形成する。
【００２５】ここで、上記露光動作においては、マスク
Ｍの領域ｍ1 ，ｍ3 の走査露光時におけるキャリッジＣ
の移動方向と、マスクＭの領域ｍ2 の走査露光時におけ
るキャリッジＣの移動方向とは、１８０°異なる方向で
ある。なお、プレートＰに対する１回目の露光の際に
は、図示なきアライメント光学系を用いた位置決め動作
を省略しても良い。
【００２６】また、上述の実施例では、キャリッジＣを
ＹＺ平面内で可動であるように設けているが、キャリッ
ジＣがＺ方向にのみ可動である場合には、マスクステー
ジＭＳとプレートステージＰＳとをＹ方向に移動させる
ことにより、キャリッジＣのＹ方向への動作と等価とす
ることができる。上述の実施例において、投影レンズ２
０が片側テレセントリックな光学系である場合には、少
なくともプレートＰ側でテレセントリックを達成するた
めに、テレセントリックとなる側に視野分割部材として
の反射部材１０を設け、非テレセントリックとなる側に
反射部材１３，１５を設けることが良い。これにより、
マスクＭ側及びプレートＰ側においてテレセントリック
が達成される。このとき、反射部材１３，１５の各反射
面１３ａ，１５ａは、各反射面１３ａ，１５ａのなす角
度が、投影レンズ２０から反射面１３ａへ向かう光束の
主光線と、反射面１５ａから投影レンズ２０へ向かう光
束の主光線とが投影レンズ２０の光軸に関して対称とな
るように設ければ良い。なお、上記の如き片側テレセン
トリックな光学系では、プレートＰ上のマスクＭの２次
像の倍率がＺ方向において部分的に異なる恐れがあるた
め、投影レンズ２０は、両側テレセントリックな光学系
で構成されることが好ましい。
【００２７】上述の図１及び図２に示す実施例では、マ
スクＭ及びプレートＰを走査直交方向に移動させる動作
にて露光を行なっているが、複数の投影光学系を設けて
一回の走査にて露光を行うこともできる。以下、複数の
投影光学系を設けた第２実施例について図３を参照して
説明する。図３は、複数の投影光学系の配置を示す模式
図である。なお、図３では、図１及び図２に示す部材と
同一の機能を有する部材には、同じ符号を付してあり、
図１及び図２と同一の座標系を採用している。
【００２８】図３において、マスクＭとプレートＰとの
間の空間には、５本の投影光学系２１〜２５が設けられ
ている。本実施例においては、図１の投影レンズ２０、
反射部材１０、反射部材１３，１５及び視野絞り１４を
有する光学系全体を投影光学系と称する。そして、各投
影光学系２１〜２５は、それぞれマスクＭ上の視野領域
ＭＬ1 〜ＭＬ5 の等倍の正立正像をプレートＰ上の露光
領域ＰＬ1 〜ＰＬ5 上に形成する。
【００２９】投影光学系２１〜２３は、視野領域ＭＬ1
〜ＭＬ3 がＹ方向に沿って配列されるように設けられ、
投影光学系２４，２５は、視野領域ＭＬ4 ，ＭＬ5 がＹ
方向に沿って配列されるように設けられる。このとき、
視野領域ＭＬ1 〜ＭＬ3 が配列されるＺ方向の位置と、
視野領域ＭＬ4 ，ＭＬ5 が配列されるＺ方向の位置とは
異なる。また、図３では、各視野領域ＭＬ1 〜ＭＬ5 及
び各露光領域ＰＬ1 〜ＰＬ5 の形状は、スリット状（長
方形状）で図示しているが、この形状は、各視野領域Ｍ
Ｌ1 〜ＭＬ5 のＺ方向（走査方向）における長さの和が
Ｙ方向（走査直交方向）において常に等しくなる形状で
あれば良い。具体的には、六角形状、円弧形状または台
形状などが考えられる。この形状については後に詳述す
る。
【００３０】さて、実際の露光時には、図示なき照明光
学系によりマスクＭを照明し、マスクＭとプレートＰと
をＺ方向に沿って一体に移動させることにより、視野領
域ＭＬ1 〜ＭＬ5 がマスクＭ上の全面を走査すると共
に、露光領域ＰＬ1 〜ＰＬ5 がプレートＰ上の全面を走
査する。これにより、プレートＰ上には、マスクＭの像
が逐次形成される。
【００３１】本実施例においては、投影光学系２１〜２
３と、投影光学系２４，２５とを光束移送部材としての
反射部材１３，１５が互いに反対側を向くように設けて
いるため、露光領域ＰＬ1 〜ＰＬ3 と露光領域ＰＬ4 ，
ＰＬ5 との走査方向の間隔を縮めることができ、配置上
で好都合である。なお、上記実施例においては、投影光
学系の数は、５本に限られないことは言うまでもない。
【００３２】また、本実施例による投影レンズ２０は、
以下の条件を満足することが好ましい。
【００３３】
【数１】 φ／２ ＞ ｄ …（１） ただし、φ：投影レンズ２０の最大のレンズ径、 ｄ：投影レンズ２０の作動距離、である。なお、上記作
動距離ｄは、投影光学系のマスクＭ及びプレートＰ側の
拡大図である図４(a) に示すように、反射部材１０の反
射面１０ａによる光路の折曲げを無視した場合のもので
ある。
【００３４】投影レンズ２０が上記条件式（１）の関係
を満足しない場合には、マスクＭと、投影レンズ２０
（または鏡筒１２）とが干渉するため望ましくない。ま
た、本実施例では、投影レンズ２０の視野を反射部材１
０によって２つに分割しているため、図５(a) に示すよ
うに投影レンズ２０の光軸近傍の視野領域のケラれが生
じる。なお、図５(a) では、投影レンズ２０の視野全体
を破線で表し、投影レンズ２０の有効視野（ケラれない
視野）の領域をハッチングで表している。図４(a) 及び
図５(a) において、マスクＭ面又はプレートＰ面におい
てケラれる領域のＸ方向における長さＹ1minは、反射部
材１０の頂点と投影レンズ２０の物点との距離をｄL 、
投影レンズ２０の開口数をＮＡ1 とし、ＮＡ1 ＝ｓｉｎ
θ1 により求まる角度をθ1 とするとき、以下の条件式
（２）にて表される。
【００３５】
【数２】 Ｙ1min ＝ ｄL ・ｔａｎθ1 …（２） ただし、図４(a) に示す投影レンズ２０の物点の位置及
び図５(a) に示す投影レンズ２０の視野は、図中破線に
て示すように反射部材１０の反射面１０ａによる光路の
折曲げを無視した場合のものである。
【００３６】また、投影レンズ２０の中間像側において
は、反射部材１３，１５により投影レンズ２０の光軸を
横切る方向へ光束を移送しているため、図５(b) に示す
ように投影レンズ２０中間像側における視野領域にケラ
れが生じる。図５(b) では、投影レンズ２０の中間像側
の視野領域全体を破線で表し、投影レンズ２０の中間像
側の有効視野（ケラれない領域）をハッチングで表して
いる。図４(b) 及び図５(b) において、中間像面におい
てケラれる領域のＸ方向における長さＹ2minは、投影レ
ンズ２０と中間像面との距離をｄM 、投影レンズ２０の
開口数をＮＡ2とし、ＮＡ2 ＝ｓｉｎθ2 により求まる
角度をθ2 とするとき、以下の条件式（３）にて表され
る。
【００３７】
【数３】 Ｙ2min ＝ ｄM ・ｔａｎθ2 …（３） ただし、図４(b) に示す投影レンズ２０と中間像面との
距離及び図５(b) に示す投影レンズ２０の視野は、反射
部材１３，１５による光路の折曲げを無視した場合のも
のである。
【００３８】以上より、本実施例による投影光学系にお
いて、用いることのできる視野領域及び露光領域は、図
５(a),(b) に示す２つの有効視野の重なり合う領域であ
る。従って、視野絞り１４の開口部の領域は、上記有効
視野の重なる領域内であることが望ましい。以下の図６
に、視野絞り１４の開口部の形状と投影レンズ２０の有
効視野との関係を示す。なお、図６では、プレートＰ上
における投影レンズ２０の有効視野を破線にて示し、投
影レンズ２０によって投影される視野絞り１４の開口部
のの像を実線で示す。ここで、投影レンズ２０の有効視
野は、図５(a),(b) に示す２つの有効視野の重なる領域
を指す。
【００３９】図６(a) は、視野絞り１４がスリット状の
開口部を持つ場合を示す。例えば１つの投影光学系によ
り１回の走査露光を行う場合には、このようなスリット
状の開口部を用いることが良い。図６(b) は、視野絞り
１４が六角形状の開口部を持つ場合を示し、図６(c)
は、視野絞り１４が円弧形状の開口部を持つ場合を示
し、図６(d) は、視野絞り１４が台形状の開口部を持つ
場合を示す。このように、図６(b) 〜(d) に示す開口部
は、Ｚ方向（走査方向）における開口部の長さが一定で
ない部分を持つ。例えば図２に示す如き１つの投影光学
系により２回以上の走査露光を行う場合や、図３に示す
如き複数の投影光学系により１回の走査露光を行う場合
には、開口部の長さが一定でない部分をオーバーラップ
領域とすれば良い。なお、オーバーラップ領域とは、複
数の露光領域間で互いに重なり合う領域を指す。このと
き、オーバーラップ領域における複数の開口部のＺ方向
における長さの和は、Ｙ方向（走査直交方向）において
常に等しくなる。これにより、複数の露光領域間の露光
量差は常に０となる。
【００４０】ここで、図６(a) 〜図６(d) に示すよう
に、視野絞り１４の開口部は、投影レンズ２０の有効視
野内に位置するように設けられる。次に、図７を参照し
て、環境変化による誤差を補正する光学部材を組み込ん
だ投影光学系の実施例について説明する。図７は、本実
施例の投影光学系の構成を示す図であり、図１と同様の
座標系を採用している。なお、図７では、図１の実施例
と同様の機能を有する部材には、同一の符号を付してあ
る。
【００４１】図７において、図１の投影光学系とは異な
る構成は、投影レンズ２０を構成する複数のレンズ成分
Ｌ1 〜Ｌ8 間の特定の空間に封入された気体の圧力を変
化させる圧力調整部３０と、反射部材１０の反射面１０
ａとプレートＰとの間の光路中に設けられた一対の平行
平面板３３，３４とを有する点である。図７に示す圧力
調整部３０は、レンズ成分Ｌ1 とレンズ成分Ｌ2 との間
の密閉された空間であるレンズ室３１の圧力をパイプ３
２を介して変化させ、レンズ室３１の屈折率を変えるこ
とによって、投影レンズ２０の投影倍率や焦点位置を変
化させるものである。このような圧力調整部３０の具体
的な構成については、本件出願人と同一出願人による特
願昭58-186267 号公報に開示されているため、ここでは
説明を省略する。
【００４２】図７に示す実施例では、圧力調整部３０を
制御する制御部３５と、所望の投影倍率に関する情報を
入力するための例えばキーボード等からなる入力部３６
とを更に有する。また、制御部３５には、レンズ室３１
の圧力と投影倍率（マスクＭに対する２次像の横倍率）
との関係について記憶されたレファレンステーブルが設
けられており、制御部３５は、入力部３６からの倍率に
関する情報と、このレファレンステーブルとを参照し
て、レンズ室３１の圧力が所定の投影倍率となるように
圧力調整部３０を制御する。
【００４３】次に、レンズ室３１の圧力変化によって、
前群ＧF の焦点距離がｆからｆ＋Δへ変化した場合にお
ける圧力変化による焦点距離の変化量と、倍率変化量及
び像面位置変動量との関係について説明する。なお、実
際には、投影レンズ２０を構成する各レンズ成分の屈折
力などにより、投影倍率の変化に強く影響を及ぼすレン
ズ室や像面位置変動に強く変動を及ぼすレンズ室が存在
する。しかしながら、ここでは説明を簡単にするため
に、投影レンズ２０の前群ＧF と後群ＧR との焦点距離
を共にｆとし、これら前群ＧF 及び後群ＧR をを薄肉近
似した状態を仮定して説明する。
【００４４】上述のように、前群ＧF の焦点距離がｆか
らｆ＋Δに変化した場合には、中間像位置における倍率
変化及び像面位置変動は、前群ＧF 及び後群ＧR に対し
てレンズの公式を適用すると、以下の如く示される。ま
ず、中間像の像面位置変動は、
【００４５】
【数４】 ｆ｛（ｆ＋３Δ）／（ｆ＋２Δ）−１｝ …（４） で表され、中間像の倍率は、
【００４６】
【数５】 −（ｆ＋Δ）／（ｆ＋２Δ） …（５） で表される。また、２次像の像面位置変動は、以下の如
く示され、
【００４７】
【数６】 ｆ｛（ｆ＋３Δ）（ｆ＋Δ）｝／｛ｆ（ｆ＋３Δ）−Δ（ｆ＋Δ）｝…（６） ２次像面位置における２次像の倍率、すなわち投影倍率
は、
【００４８】
【数７】 （ｆ＋Δ）2 ／｛ｆ（ｆ＋３Δ）−Δ（ｆ＋Δ）｝ …（７） で表される。従って、レンズ室３１の圧力変化による前
群ＧF の焦点距離変化量が算出できれば、２次像面位置
における２次像の倍率を求めることができ、さらには、
２次像の像面位置変動量をも求めることができる。な
お、２次像の像面位置が変動すると、プレートＰ上での
２次像は、ディフォーカス状態となるが、このときに
は、マスクＭまたはプレートＰあるいはその双方を図中
Ｘ方向に沿って移動させれば良い。また、図７の投影光
学系においては、圧力を変化させる１つのレンズ室を設
けているが、この圧力を変化させるレンズ室は１つには
限られない。例えば２つのレンズ室を設ければ、上記
（７）式で示される２次像の像面位置変動を０にしつ
つ、投影倍率のみを変化させることが可能となる。な
お、図７の投影光学系では、前群ＧF にのみ圧力を変化
させるレンズ室を設けているが、後群ＧR に圧力を変化
させるレンズ室を設けても良い。
【００４９】また、図７に示す投影光学系においては、
反射部材１０の反射面１０ｂとプレートＰとの間の光路
中に、一対の平行平面板３３，３４を設けている。図７
において、平行平面板３３は、Ｙ方向を回転軸として揺
動可能に設けられており、平行平面板３４は、Ｚ方向を
回転軸として揺動可能に設けられている。ここで、平行
平面板３３をプレートＰに対して傾けるように揺動させ
ることにより、投影光学系の視野に対する２次像の位置
をＺ方向において移動させることができる。また、平行
平面板３４をプレートＰに対して傾けるように揺動させ
ることにより、投影光学系の視野に対する２次像の位置
をＹ方向において移動させることができる。
【００５０】尚、平行平面板を揺動させる代わりに、く
さび型の断面形状を持つ一対の偏角プリズムを反射面１
０ｂとプレートＰとの間の光路中に設け、これらの偏角
プリズム間の間隔を変化させることにより、２次像の位
置を移動させることもできる。ここで、一対の偏角プリ
ズムは、所定の頂角をなす平面を持つように構成され、
互いの頂点が逆向きになるように設けられる。
【００５１】上述の如き２次像の位置を移動させる動作
は、１つの投影光学系によって１回の走査露光を行う場
合や、図１及び図２に示す実施例の如き１つの投影光学
系によって複数の走査露光を行う場合には、必須のもの
とはならない。しかしながら、図３に示す如き複数の投
影光学系によって１回の走査露光を行う場合には、一対
の平行平面板３３，３４を設けることが好ましい。
【００５２】図３に示す実施例は、例えば大画面の液晶
パネルの製造に好適なものであり、このような大画面の
液晶パネルの製造にあたっては、プロセスによりプレー
トＰが伸縮する場合がある。従って、例えば１回目の露
光時におけるプレートＰの大きさと２回目の露光時にお
けるプレートＰの大きさとが変化する。このときには、
１回目の露光時における投影倍率（マスクＭに対するプ
レートＰ上の２次像の倍率）と、２回目の露光時におけ
る投影倍率とを圧力調整部３０によって変化させれば良
い。しかしながら、投影倍率を変化させた場合には、プ
レートＰ上における複数の露光領域が互いに重なり合わ
ない。
【００５３】以下、図８を参照して詳述する。図８は、
投影光学系２１，２２の投影倍率が縮小倍率である場合
におけるマスクＭ上の視野領域とプレートＰ上の露光領
域との関係を示す平面図である。なお、図８において
は、視野領域及び露光領域の形状を台形状であるとし、
隣合う視野領域及び露光領域の台形の向きが相似である
場合を示している。
【００５４】図８において、マスクＭ上の視野領域ＭＬ
1 ，ＭＬ2 は、図示なき投影光学系２１，２２によっ
て、プレートＰ上の露光領域ＰＬ1 ，ＰＬ2 上に視野領
域の２次像を形成する。このとき、露光領域ＰＬ1 ，Ｐ
Ｌ2 の倍率がそれぞれ小さくなるため、マスクＭ上でオ
ーバーラップ領域である部分が、マスクＭ上で互いに重
なり合わなくなる。
【００５５】そこで、露光領域ＰＬ2 をＹ方向に移動さ
せるように、図７に示す投影光学系において平行平面板
３４を揺動させる。このとき、平行平面板３４の揺動角
は、プレートＰ上にて露光領域ＰＬ1 ，ＰＬ2 の各オー
バーラップ領域がＹ方向において互いに重なるように定
める。なお、平行平面板の揺動角は、各投影光学系２１
〜２５の投影倍率、各投影光学系２１〜２５の視野領域
ＭＬ1 〜ＭＬ5 の大きさ及び各投影光学系の視野全体に
対する視野領域ＭＬ1 〜ＭＬ5 の位置から求めることが
できる。
【００５６】また、上述の例では、露光領域ＰＬ2 のみ
を移動させているが、露光領域ＰＬ 1 を移動させる、ま
たは露光領域ＰＬ1 ，ＰＬ2 の双方を移動させても良
い。さらに、Ｚ方向において露光領域ＰＬ1 ，ＰＬ2 の
位置を移動させる必要がある場合には、図７に示す投影
光学系において平行平面板３３を揺動させれば良い。図
７に示す投影光学系では、投影レンズ２０のレンズ室の
圧力を調整することによって、投影倍率を変化させてい
たが、視野絞り１４付近に屈折力の小さなレンズを設
け、このレンズを光軸方向に移動させることにより投影
倍率を変化させることもできる。以下、図９を参照して
説明する。図９では、図１と同様の座標系を採用してい
る。なお、説明を簡単にするために、図１及び図７の投
影光学系と同一の機能を有する部材には、同一の符号を
付してある。
【００５７】図９において、反射面１３ａと反射面１５
ａとの間に光路中には、視野絞り１４を挟むようにレン
ズ４１，４２が設けられている。これらのレンズ４１，
４２は、光軸方向に沿って可動である。ここで、レンズ
４１，４２を光軸方向に沿って移動させれば、投影レン
ズ２０とレンズ４１との合成焦点距離または投影レンズ
２０とレンズ４２との合成焦点距離あるいはその双方が
変化する。これにより、投影光学系全体の投影倍率を変
化させることができる。
【００５８】ここで、視野絞り１４の倍率（プレートＰ
上に投影される視野絞り１４の像の倍率）を変化させる
場合には、視野絞り１４よりも反射面１５ａ側の光路中
に上記レンズ４１，４２を配置すれば良い。また、視野
絞り１４の倍率を変化させない場合には、視野絞り１４
よりも反射面１３ａ側の光路中に上記レンズ４１，４２
を配置すれば良い。
【００５９】なお、図７及び図９に示す投影光学系を図
３に示す露光装置に適用する場合には、プレートＰの伸
縮量に関する情報を入力する入力手段を設け、この伸縮
量に関する情報に基づいて、複数の投影光学系２１〜２
５に対する倍率制御を行うことが好ましい。このときに
は、伸縮量と、レンズ室の圧力（図７の場合）またはレ
ンズ４１，４２の移動量（図９の場合）との関係をレフ
ァレンステーブルの形で記憶させておくことが好まし
い。ここで、プレートＰの伸縮を補正するために投影光
学系の倍率を変化させる場合には、各投影光学系２１〜
２５による２次像の移動を補正する必要があるため、上
記レファレンステーブルには、伸縮量と平行平面板３
３，３４の揺動角との関係を記憶させておくことが好ま
しい。
【００６０】また、プレートＰが部分的に伸縮している
場合には、各投影光学系２１〜２５の倍率及び各々の２
次像の移動量を独立に制御すれば良い。さらに、図７の
投影光学系を図３に示す露光装置に適用する場合には、
各投影光学系２１〜２５を１つの圧力調整部により制御
することもできる。このときには、各投影光学系２１〜
２５に設けられたレンズ室を１つの空間となるように構
成し、この空間内の圧力を圧力調整部によって制御すれ
ば良い。
【００６１】また、図１、図７及び図９に示す投影光学
系においては、光束移送部材としての反射面１３ａ，１
５ａを露光光を反射し、露光光とは異なる波長（例えば
露光光よりも長い波長）の光を透過するダイクロイック
ミラーで構成することもできる。このように反射面１３
ａ，１５ａをダイクロイックミラーで構成した場合に
は、反射面１３ａ又は反射面１５ａ或いはその双方の反
射面１３ａ，１５ａの透過側にアライメント光学系を配
置することもできる。このときには、投影光学系を介し
てマスクＭとプレートＰとの位置検出、いわゆるＴＴＬ
（Through the Lens）方式のアライメントを行うことが
できる。
【００６２】次に、本実施例による投影光学系の調整方
法について簡単に説明する。まず、投影レンズ２０の収
差、倍率及びテレセントリック性が所定の値となるよう
に調節する。そして、反射部材１０の反射面１０ａと反
射面１０ｂとのなす角度が９０°となるように調整した
後に支持部材１１に固定する。また、反射部材１３の反
射面１３ａと反射部材１５の反射面１５ａとのなす角度
が９０°となるように調整した後に支持部材１６に固定
する。その後、投影レンズ２０の鏡筒１２を露光装置の
本体側に固設する。次に、投影レンズ２０の光軸に対し
て、反射面１３ａ，１５ａがそれぞれ４５°をなすよう
に支持部材１６を位置決めし、この支持部材を露光装置
本体に固定する。最後に、投影レンズの光軸に対して、
反射面１０ａ，１０ｂがそれぞれ４５°をなすように支
持部材１１を位置決めし、この支持部材１１を露光装置
本体側に固設する。
【００６３】上述の如き調整方法によれば、反射面１０
ａ，１０ｂ，１３ａ，１５ａによる誤差と、投影レンズ
２０による誤差とを別々に求めることができるため、ど
の箇所を調節すれば良いのかが簡単に分かり、投影光学
系全体の調整が容易となる利点がある。なお、上述の各
実施例における投影光学系においては、視野分割部材と
しての反射部材１０は反射面１０ａ，１０ｂを有するよ
うに構成されているが、この反射部材１０をプリズムで
構成しても良い。また、反射面１０ａ，１０ｂは、反射
部材１０上に一体に設けられているが、反射面１０ａを
有する部材と反射分１０ｂを有する部材とに分割して設
けてもよい。さらに、各反射部材１０，１３，１５をＸ
ＹＺ軸を中心に回転可能に設ければ、投影光学系全体の
調整が可能となる利点がある。
【００６４】さらに、上述の各実施例による露光装置に
おいては、１組の投影光学系により、マスクＭの正立正
像を得ることができるため、マスクＭとプレートＰとの
間の距離を短く構成できる。これにより、マスクＭとプ
レートＰとを一体に移動させるキャリッジＣの剛性を取
りやすい利点がある。
【００６５】
【発明の効果】上述の如き本発明によれば、光軸ずれの
調整や諸収差の調整などの光学調整を容易に行うことが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１実施例の投影光学系の構成を
示す図である。
【図２】本発明による第１実施例の露光装置の構成を示
す図である。
【図３】本発明による第２実施例の露光装置の構成を示
す図である。
【図４】投影光学系の一部を拡大して示す図である。
【図５】投影光学系の視野を表す図である。
【図６】投影光学系の視野と視野絞りの開口部との関係
を示す図である。
【図７】投影光学系の変形例を示す図である。
【図８】倍率とオーバーラップ領域との関係を示す図で
ある。
【図９】投影光学系の変形例を示す図である。
【図１０】従来の露光装置を示す図である。
【符号の説明】
１０ … 反射部材（視野分割部材）、 １３，１５ … 反射部材（光束移送部材）、 ２０ … 投影レンズ、 １４ … 視野絞り、

Claims (17)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 物体面上に配置された物体の像を所定の
    像面上に形成する投影光学装置において、 光軸と、２つの共役点とを有する投影光学系と、 該投影光学系の前記２つの共役点のうち一方の共役点側
    に配置され、かつ前記投影光学系の視野を分割する視野
    分割部材と、 前記投影光学系の他方の共役点側に配置され、かつ前記
    視野分割部材及び前記投影光学系を順に介した光を前記
    投影光学系の前記光軸を横切る方向に沿って移送する光
    束移送部材とを有し、 前記視野分割部材と前記光束移送部材とは、前記物体か
    らの光が前記視野分割部材、前記投影光学系、前記光束
    移送部材、前記投影光学系、及び前記視野分割部材の順
    に通過して前記像面上へ導かれるように位置決めされる
    ことを特徴とする投影光学装置。
  2. 【請求項２】 前記投影光学装置は前記物体の中間像を
    形成し、 該中間像が形成される位置には視野絞りが配置されるこ
    とを特徴とする請求項１記載の投影光学装置。
  3. 【請求項３】 前記投影光学系の投影倍率を変化させる
    ための倍率制御手段をさらに有することを特徴とする請
    求項１又は２記載の投影光学装置。
  4. 【請求項４】 前記像面上に形成される前記物体の像の
    位置を前記像面の面内方向に沿って移動させる像移動手
    段をさらに有することを特徴とする請求項１乃至３の何
    れか一項記載の投影光学装置。
  5. 【請求項５】 前記投影光学系は１つの鏡筒内に納めら
    れていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項
    記載の投影光学装置。
  6. 【請求項６】 前記視野分割部材は前記投影光学系がテ
    レセントリックとなる側に配置されることを特徴とする
    請求項１乃至５の何れか一項記載の投影光学装置。
  7. 【請求項７】 前記投影光学系は両側テレセントリック
    な光学系であることを特徴とする請求項６記載の投影光
    学装置。
  8. 【請求項８】 第１の基板と第２の基板とを同一方向に
    移動させつつ、前記第１の基板のパターンを前記第２の
    基板上に投影する露光装置において、 第１の基板を介した光を偏向させる第１反射面と、 該第１反射面を介した光に基づいて、前記第１の基板の
    中間像を形成する光学系と、 該光学系を介した前記第１反射面からの光を前記光学系
    の光軸を横切る方向に沿って移送し、かつ該移送された
    光を再び前記光学系へ導く光束移送部材と、 前記光学系を介した前記光束移送部材からの光を偏向さ
    せ、前記第２の基板へ導く第２反射面とを有することを
    特徴とする露光装置。
  9. 【請求項９】 第１の基板と第２の基板とを同一方向に
    移動させつつ、前記第１の基板をパターンを前記第２の
    基板上に投影する露光装置において、 前記第１の基板の正立正像を前記第２の基板上に形成す
    る第１及び第２光学系を有し、 前記第１及び第２光学系は、 光軸と２つの共役点とを有する投影光学系と、 該投影光学系の一方の共役点側に配置され、かつ前記第
    １の基板からの光を偏向させて前記投影光学系へ導く第
    １反射面と、 前記投影光学系を介した前記第１反射面からの光を前記
    投影光学系の光軸を横切る方向に沿って移送させ、かつ
    該移送された光を再び前記投影光学系へ導く光束移送部
    材と、 前記投影光学系を介した前記光束移送部材からの光を偏
    向させ、前記第２の基板へ導く第２反射面とをそれぞれ
    有することを特徴とする露光装置。
  10. 【請求項１０】 前記中間像が形成される位置には、視
    野絞りが配置されることを特徴とする請求項８又は９記
    載の露光装置。
  11. 【請求項１１】 前記投影光学系の投影倍率を変化させ
    るための倍率制御手段をさらに有することを特徴とする
    請求項８乃至１０の何れか一項記載の露光装置。
  12. 【請求項１２】 前記第２の基板上に形成される前記第
    １の基板の像の位置を前記第２の基板の面内方向に沿っ
    て移動させる像移動手段をさらに有することを特徴とす
    る請求項８乃至１１の何れか一項記載の露光装置。
  13. 【請求項１３】 前記投影光学系の光軸は、前記第１及
    び第２の基板の移動方向と平行であることを特徴とする
    請求項８乃至１２の何れか一項記載の露光装置。
  14. 【請求項１４】 第１の基板と第２の基板とを同一方向
    に移動させつつ、前記第１の基板をパターンを前記第２
    の基板上に投影する露光装置において、 前記第１の基板の正立正像を前記第２の基板上にそれぞ
    れ形成する複数の投影光学系と、 前記投影光学系の倍率を調整するための倍率調整手段
    と、 前記基板の伸縮量に関する情報を入力するための入力手
    段と、 該情報に基づいて前記複数の投影光学系に対する倍率制
    御を行うための制御手段とを備えることを特徴とする露
    光装置。
  15. 【請求項１５】 前記複数の投影光学系は、前記第２の
    基板上に形成される前記第１の基板の像の位置を前記第
    ２の基板の面内方向に沿って移動させる像移動手段を有
    し、 前記制御手段は、前記像移動手段による像移動量を制御
    することを特徴とする請求項１４記載の露光装置。
  16. 【請求項１６】 前記複数の投影光学系に対する倍率制
    御を独立に制御することを特徴とする請求項１４又は１
    ５に記載の露光装置。
  17. 【請求項１７】 投影光学系の光軸を検出する工程と、 該投影光学系の光軸に対して、前記投影光学系の２つの
    視野を空間的に分割する視野分割部材を位置決めする工
    程と、 前記投影光学系の光軸に対して、前記視野分割部材及び
    前記投影光学系を順に介した光を前記投影光学系の前記
    光軸を横切る方向に沿って移送する光束移送部材を位置
    決めする工程とを有し、前記視野分割部材と前記光束移送部材とは、前記物体か
    らの光が前記視野分割部材、前記投影光学系、前記光束
    移送部材、前記投影光学系、及び前記視野分割部材の順
    に通過して前記像面上へ導かれるように位置決めされる
    ことを特徴とする 投影光学装置の調整方法。
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