JP3449630B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP3449630B2 JP3449630B2 JP19798993A JP19798993A JP3449630B2 JP 3449630 B2 JP3449630 B2 JP 3449630B2 JP 19798993 A JP19798993 A JP 19798993A JP 19798993 A JP19798993 A JP 19798993A JP 3449630 B2 JP3449630 B2 JP 3449630B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造工程の１つで
あり、ウェーハに薄膜を蒸着するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｉｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程、酸化
膜を生成する酸化工程、或はウェーハの拡散、熱処理の
工程に供される縦型炉を具備した半導体製造装置に関す
るものである。 【０００２】 【従来の技術】従来の半導体製造装置の縦型炉を図４に
より説明する。 【０００３】ウェーハ加熱用のヒータ１内に外部反応管
２が設置され、該外部反応管２内に内部反応管３が同心
に設けられている。前記外部反応管２と内部反応管３に
より下端が閉塞された円筒状の空間６が形成される。前
記内部反応管３の下方にガス導入管１０が接続され、前
記空間６の下端には排気管１１が接続される。図示しな
いボートエレベータに設けられたボート載置台４にはボ
ートキャップ５を介してボート７が乗置され、該ボート
７は図示しないボートエレベータにより前記内部反応管
３内に装入される。前記外部反応管２は反応室を画成す
る。前記空間６上端近傍（反応室上部）には温度センサ
１２が挿入され、該温度センサ１２よる検出結果は温度
制御器１３に入力され、検出される温度が一定になる
様、前記ヒータ１が制御される。 【０００４】前記ヒータ１により反応室内部が加熱され
た状態で、前記ボート７に装填されたウェーハ８が反応
室内に装入され、反応室が排気された後、前記ガス導入
管１０より反応ガスが導入され、排気管１１より排気さ
れて、ウェーハ８の処理が行われる。処理完了後不活性
ガスを供給して大気圧に復帰させ、前記ボート７を降下
させ引出す。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】前記半導体製造装置の
縦型炉では、処理の度に反応室へウェーハ８の装入、引
出しを行っており、装入、引出しの度に反応室下部（炉
口部近傍、図４中Ａ部分）の温度が低下する。ところが
前記温度センサ１２は反応室上部の而もヒータ１近傍の
温度検出を行っている。反応室上部の温度はボート７の
出入れに大きく影響されないと共に温度センサ１２はヒ
ータ１の発熱状態に大きく影響されるので、一時的に該
温度センサ１２は反応室下部の温度を正確には反映しな
い状態を生ずる。従って、温度センサ１２の検出結果で
前記ヒータ１を制御して、反応室下部の温度を安定させ
るには多くの時間を要するという問題があった。 【０００６】本発明は斯かる実情に鑑み、短時間で反応
室の温度の回復安定を達成し、ウェーハの処理時間の短
縮を図ろうとするものである。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハ加熱
用のヒータ内部に反応管が設置され、ボートに装填され
たウェーハが前記反応管内反応室に装入、引出しされる
半導体製造装置に於いて、前記ボートはボートキャップ
に乗置され、炉口ヒータを該炉口ヒータが前記ヒータの
下端を閉塞する様に前記ボートキャップの上端部に設
け、前記反応室下部の前記反応管と前記ボートの間に温
度センサを設け、該温度センサの検出結果に基づき前記
ヒータ、炉口ヒータの加熱を制御する様構成したことを
特徴とするものである。 【０００８】 【作用】ボートを反応室に装入すると、反応室下部の温
度が低下するが、温度センサが反応室下部の温度を検出
する。従って、該温度センサの温度検出結果を基に迅速
な温度回復、温度の安定を行える。 【０００９】 【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。 【００１０】尚、図１中、図４中で示したものと同一の
ものには同符号を付してある。 【００１１】ウェーハ加熱用のヒータ１内に外部反応管
２が設置され、該外部反応管２内に内部反応管３が同心
に設けられている。図示しないボートエレベータに設け
られたボート載置台４にはボートキャップ５を介してボ
ート７が乗置され、該ボート７は図示しないボートエレ
ベータにより前記内部反応管３内に装入される。温度セ
ンサ１２を前記ボート載置台４に貫通させ、ボートキャ
ップ５の上端近傍、即ち反応室下部に位置させて設け
る。該温度センサ１２よる検出結果は温度制御器１３に
入力され、検出される温度が一定になる様、前記ヒータ
１が制御される。 【００１２】ウェーハ８の処理については上記従来例と
同様であるので説明を省略する。 【００１３】温度センサ１２による温度検出結果を基に
前記ヒータ１を制御し、反応室の温度の安定を図った場
合、前記温度センサ１２がボート７の出入れに伴う反応
室下部の温度変化を検出し、而もヒータ１自体の発熱状
態の影響を余り受けない位置にあるので、反応室の温度
制御は効果的に行われ、反応室下部の迅速な昇温安定を
実現することができる。 【００１４】図２に示す実施例は、反応室下部ボートキ
ャップ５の上端位置に炉口ヒータ１４を設ける。該炉口
ヒータ１４を設けることで、前記ヒータ１下端開口部を
前記炉口ヒータ１４で略閉塞した状態となり、前記ヒー
タ１、炉口ヒータ１４により反応室が囲繞される。而し
て、ボート７の出入れに伴う反応室下部の温度が低下し
た場合に、温度の低下を前記温度センサ１２が迅速に検
知し、更に前記炉口ヒータ１４が反応室下部を加熱し、
所要の温度迄昇温させる。従って、より迅速な反応室の
温度の安定を実現することができる。 【００１５】図３に示す実施例は反応室下部に炉口ヒー
タ１４を設け、前記温度センサ１２を前記空間６の下部
に位置させたものであり、本実施例でも同様に反応室下
部の温度検出が行え、前記炉口ヒータ１４により反応室
下部を加熱し、迅速に所要の温度に昇温安定化させるこ
とができる。 【００１６】 【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ボート
の出入れに伴う反応室下部の温度の低下を迅速に回復さ
せることができ、炉内温度の安定時間の短縮が図れ、ス
ループットが向上し、半導体製造コストの低減が可能に
なるという優れた効果を発揮する。
あり、ウェーハに薄膜を蒸着するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｉｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程、酸化
膜を生成する酸化工程、或はウェーハの拡散、熱処理の
工程に供される縦型炉を具備した半導体製造装置に関す
るものである。 【０００２】 【従来の技術】従来の半導体製造装置の縦型炉を図４に
より説明する。 【０００３】ウェーハ加熱用のヒータ１内に外部反応管
２が設置され、該外部反応管２内に内部反応管３が同心
に設けられている。前記外部反応管２と内部反応管３に
より下端が閉塞された円筒状の空間６が形成される。前
記内部反応管３の下方にガス導入管１０が接続され、前
記空間６の下端には排気管１１が接続される。図示しな
いボートエレベータに設けられたボート載置台４にはボ
ートキャップ５を介してボート７が乗置され、該ボート
７は図示しないボートエレベータにより前記内部反応管
３内に装入される。前記外部反応管２は反応室を画成す
る。前記空間６上端近傍（反応室上部）には温度センサ
１２が挿入され、該温度センサ１２よる検出結果は温度
制御器１３に入力され、検出される温度が一定になる
様、前記ヒータ１が制御される。 【０００４】前記ヒータ１により反応室内部が加熱され
た状態で、前記ボート７に装填されたウェーハ８が反応
室内に装入され、反応室が排気された後、前記ガス導入
管１０より反応ガスが導入され、排気管１１より排気さ
れて、ウェーハ８の処理が行われる。処理完了後不活性
ガスを供給して大気圧に復帰させ、前記ボート７を降下
させ引出す。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】前記半導体製造装置の
縦型炉では、処理の度に反応室へウェーハ８の装入、引
出しを行っており、装入、引出しの度に反応室下部（炉
口部近傍、図４中Ａ部分）の温度が低下する。ところが
前記温度センサ１２は反応室上部の而もヒータ１近傍の
温度検出を行っている。反応室上部の温度はボート７の
出入れに大きく影響されないと共に温度センサ１２はヒ
ータ１の発熱状態に大きく影響されるので、一時的に該
温度センサ１２は反応室下部の温度を正確には反映しな
い状態を生ずる。従って、温度センサ１２の検出結果で
前記ヒータ１を制御して、反応室下部の温度を安定させ
るには多くの時間を要するという問題があった。 【０００６】本発明は斯かる実情に鑑み、短時間で反応
室の温度の回復安定を達成し、ウェーハの処理時間の短
縮を図ろうとするものである。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハ加熱
用のヒータ内部に反応管が設置され、ボートに装填され
たウェーハが前記反応管内反応室に装入、引出しされる
半導体製造装置に於いて、前記ボートはボートキャップ
に乗置され、炉口ヒータを該炉口ヒータが前記ヒータの
下端を閉塞する様に前記ボートキャップの上端部に設
け、前記反応室下部の前記反応管と前記ボートの間に温
度センサを設け、該温度センサの検出結果に基づき前記
ヒータ、炉口ヒータの加熱を制御する様構成したことを
特徴とするものである。 【０００８】 【作用】ボートを反応室に装入すると、反応室下部の温
度が低下するが、温度センサが反応室下部の温度を検出
する。従って、該温度センサの温度検出結果を基に迅速
な温度回復、温度の安定を行える。 【０００９】 【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。 【００１０】尚、図１中、図４中で示したものと同一の
ものには同符号を付してある。 【００１１】ウェーハ加熱用のヒータ１内に外部反応管
２が設置され、該外部反応管２内に内部反応管３が同心
に設けられている。図示しないボートエレベータに設け
られたボート載置台４にはボートキャップ５を介してボ
ート７が乗置され、該ボート７は図示しないボートエレ
ベータにより前記内部反応管３内に装入される。温度セ
ンサ１２を前記ボート載置台４に貫通させ、ボートキャ
ップ５の上端近傍、即ち反応室下部に位置させて設け
る。該温度センサ１２よる検出結果は温度制御器１３に
入力され、検出される温度が一定になる様、前記ヒータ
１が制御される。 【００１２】ウェーハ８の処理については上記従来例と
同様であるので説明を省略する。 【００１３】温度センサ１２による温度検出結果を基に
前記ヒータ１を制御し、反応室の温度の安定を図った場
合、前記温度センサ１２がボート７の出入れに伴う反応
室下部の温度変化を検出し、而もヒータ１自体の発熱状
態の影響を余り受けない位置にあるので、反応室の温度
制御は効果的に行われ、反応室下部の迅速な昇温安定を
実現することができる。 【００１４】図２に示す実施例は、反応室下部ボートキ
ャップ５の上端位置に炉口ヒータ１４を設ける。該炉口
ヒータ１４を設けることで、前記ヒータ１下端開口部を
前記炉口ヒータ１４で略閉塞した状態となり、前記ヒー
タ１、炉口ヒータ１４により反応室が囲繞される。而し
て、ボート７の出入れに伴う反応室下部の温度が低下し
た場合に、温度の低下を前記温度センサ１２が迅速に検
知し、更に前記炉口ヒータ１４が反応室下部を加熱し、
所要の温度迄昇温させる。従って、より迅速な反応室の
温度の安定を実現することができる。 【００１５】図３に示す実施例は反応室下部に炉口ヒー
タ１４を設け、前記温度センサ１２を前記空間６の下部
に位置させたものであり、本実施例でも同様に反応室下
部の温度検出が行え、前記炉口ヒータ１４により反応室
下部を加熱し、迅速に所要の温度に昇温安定化させるこ
とができる。 【００１６】 【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ボート
の出入れに伴う反応室下部の温度の低下を迅速に回復さ
せることができ、炉内温度の安定時間の短縮が図れ、ス
ループットが向上し、半導体製造コストの低減が可能に
なるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す説明図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す説明図である。
【図３】本発明の更に他の実施例を示す説明図である。
【図４】従来例の説明図である。
【符号の説明】
１ ヒータ
２ 外部反応管
３ 内部反応管
５ ボートキャップ
６ 空間
７ ボート
８ ウェーハ
１２ 温度センサ
１３ 温度制御器
１４ 炉口ヒータ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｔ
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 ウェーハ加熱用のヒータ内部に反応管が
設置され、ボートに装填されたウェーハが前記反応管内
反応室に装入、引出しされる半導体製造装置に於いて、
前記ボートはボートキャップに乗置され、炉口ヒータを
該炉口ヒータが前記ヒータの下端を閉塞する様に前記ボ
ートキャップの上端部に設け、前記反応室下部の前記反
応管と前記ボートの間に温度センサを設け、該温度セン
サの検出結果に基づき前記ヒータ、炉口ヒータの加熱を
制御する様構成したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19798993A JP3449630B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19798993A JP3449630B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729838A JPH0729838A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3449630B2 true JP3449630B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=16383664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19798993A Expired - Lifetime JP3449630B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3449630B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9666459B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for processing wafers |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11142433A (ja) | 1997-11-10 | 1999-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直針型プローブカード用のプローブ針とその製造方法 |
| JP4522507B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2010-08-11 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び半導体製造装置における加熱処理方法 |
| JP3641193B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2005-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び熱処理方法並びに保温ユニット |
| US6833418B2 (en) | 2002-04-05 | 2004-12-21 | 3M Innovative Properties Company | Dispersions containing perfluorovinyl ether homopolymers and use thereof |
| KR101299715B1 (ko) * | 2012-06-22 | 2013-08-28 | 디플러스(주) | 양방향 좌굴핀을 이용한 검사용 소켓 |
| KR102048293B1 (ko) * | 2015-02-25 | 2019-11-25 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 히터 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP6855185B2 (ja) | 2016-07-27 | 2021-04-07 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的接続装置 |
-
1993
- 1993-07-15 JP JP19798993A patent/JP3449630B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9666459B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for processing wafers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0729838A (ja) | 1995-01-31 |
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