[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP3444574B2 - Substrate cleaning nozzle - Google Patents

Substrate cleaning nozzle

Info

Publication number
JP3444574B2
JP3444574B2 JP00533796A JP533796A JP3444574B2 JP 3444574 B2 JP3444574 B2 JP 3444574B2 JP 00533796 A JP00533796 A JP 00533796A JP 533796 A JP533796 A JP 533796A JP 3444574 B2 JP3444574 B2 JP 3444574B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cleaning liquid
cleaning
ultrasonic wave
ultrasonic waves
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP00533796A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH09199466A (en
Inventor
雄二 深澤
逸郎 石崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP00533796A priority Critical patent/JP3444574B2/en
Publication of JPH09199466A publication Critical patent/JPH09199466A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3444574B2 publication Critical patent/JP3444574B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板洗浄装置に取
り付けられた基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate cleaning nozzle attached to a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method.

【0002】[0002]

【従来の技術】図10は、従来の基板洗浄ノズルを横面
から見た断面図である。ノズル53において洗浄液入口
52より注入された洗浄液は、単一の周波数を有する振
動子51より下方に発振された超音波が印加されて噴出
口54より半導体基板上に噴出される。この超音波と基
板上に付着しているパーティクルが共振することによっ
て、効果的にパーティクルを除去することができる。
2. Description of the Related Art FIG. 10 is a cross-sectional view of a conventional substrate cleaning nozzle viewed from the side. The cleaning liquid injected from the cleaning liquid inlet 52 in the nozzle 53 is ejected onto the semiconductor substrate from the ejection port 54 by applying ultrasonic waves oscillated downward from the vibrator 51 having a single frequency. The ultrasonic waves resonate with the particles adhering to the substrate, so that the particles can be effectively removed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】除去できるパーティク
ルの粒径及び材料は、印加する超音波の周波数による。
その一例として、半導体シリコン基板上の酸化膜をパー
ティクルとし、周波数f=1.5MHzの場合のパーテ
ィクルの粒径と除去率の関係を図11に示す。図11の
横軸はパーティクルの粒径(μm)、縦軸はパーティク
ルの除去率(%)である。図11をみると、粒径が0.
4及び0.8(μm)であるパーティクルは効率良く除
去されるが、それ以外の粒径のパーティクルに関しては
除去率が低くなってしまう。つまり、一定の周波数によ
って効率良く除去できるパーティクルの粒径は限定され
てしまうことになる。パーティクルを共振させ効率良く
除去するためには、パーティクルの粒径は、印加する超
音波の波長の1/(2n)倍(nは整数)であるという
相関関係を満足させる必要がある。また、nがあまり大
きくなると除去効果は徐々に下降してしまう。
The particle size and material of the particles that can be removed depend on the frequency of the applied ultrasonic waves.
As an example thereof, FIG. 11 shows the relationship between the particle size of particles and the removal rate when the oxide film on the semiconductor silicon substrate is used as particles and the frequency f = 1.5 MHz. In FIG. 11, the horizontal axis represents particle diameter (μm) and the vertical axis represents particle removal rate (%). As shown in FIG. 11, the particle size is 0.
Particles having particle sizes of 4 and 0.8 (μm) are efficiently removed, but particles having other particle sizes have a low removal rate. That is, the particle size of the particles that can be efficiently removed is limited by the constant frequency. In order to cause the particles to resonate and be efficiently removed, it is necessary to satisfy the correlation that the particle size of the particles is 1 / (2n) times the wavelength of the applied ultrasonic wave (n is an integer). Further, when n becomes too large, the removal effect gradually decreases.

【0004】従って、1種類の周波数で効率良く除去で
きるパーティクルの粒径には制限があり、超音波による
共振では除去されにくい粒径が存在してしまうという問
題がある。
Therefore, there is a limit to the particle size of particles that can be efficiently removed with one type of frequency, and there is a problem that there are particle sizes that are difficult to remove by resonance with ultrasonic waves.

【0005】本発明は、上記のような事情を考慮したも
のであり、例えば半導体シリコン基板上に付着した酸化
シリコン等の多様な粒径のパーティクルを効果的に除去
することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to effectively remove particles having various particle sizes such as silicon oxide adhering to a semiconductor silicon substrate.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板を洗浄するための洗浄液を注入する洗
浄液入口と、各々異なる周波数を有する超音波を発し、
前記洗浄液に前記超音波を印加する2つの振動子と、前
記超音波が印加された前記洗浄液を前記基板上に噴出す
る洗浄液噴出口とを具備したことを特徴とするものであ
る。
To achieve the above object, the present invention provides a cleaning solution inlet for injecting a cleaning solution for cleaning a substrate and ultrasonic waves having different frequencies,
It is characterized by comprising two vibrators for applying the ultrasonic wave to the cleaning liquid, and a cleaning liquid ejection port for ejecting the cleaning liquid to which the ultrasonic wave is applied onto the substrate.

【0007】また、前記異なる2つの共振周波数は、一
方の周波数の波長が他方の周波数の波長の偶数倍以外で
あることが好ましい。更に、前記振動子から発した超音
波のうち、最も強度が大きい部分を基板上に照射するよ
うに反射させる反射板を具備してもよい。
Further, it is preferable that the two different resonance frequencies have a wavelength of one frequency other than an even multiple of the wavelength of the other frequency. Further, the ultrasonic wave emitted from the vibrator may be provided with a reflection plate for reflecting a portion having the highest intensity so as to irradiate the portion on the substrate.

【0008】また、反射板の代わりに、反射及び透過さ
せる手段を具備してもよい。また、上記基板洗浄ノズル
を用いた基板洗浄方法としては、2つ以上の異なる周波
数を有する超音波を洗浄液に印加する工程と、前記洗浄
液を基板上に噴出し、付着しているパーティクルを除去
する工程とを具備したことを特徴とするものである。そ
こで、特に前記基板が半導体シリコン基板であり、前記
パーティクルが酸化シリコンであることを特徴とするも
のである。
Further, instead of the reflecting plate, a means for reflecting and transmitting may be provided. Further, as a substrate cleaning method using the substrate cleaning nozzle, a step of applying ultrasonic waves having two or more different frequencies to the cleaning liquid, and the cleaning liquid is jetted onto the substrate to remove adhering particles. And a process. Therefore, in particular, the substrate is a semiconductor silicon substrate, and the particles are silicon oxide.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法を図面を参照して説
明する。図1は、本発明の第1の実施例に係る基板洗浄
ノズルを横面から見た断面図、図2は、本発明の第1の
実施例に係る基板洗浄ノズルを側面から見た断面図であ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A substrate cleaning nozzle and a substrate cleaning method according to embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a substrate cleaning nozzle according to a first embodiment of the present invention seen from a lateral side, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate cleaning nozzle according to a first embodiment of the present invention seen from a side surface. Is.

【0010】基板洗浄ノズル8は円筒部と円錐部の結合
形であり、発振器(図示せず)に接続されている異なる
共振周波数を持つ円筒形の振動子2、3から発生した超
音波を洗浄液入口1から注入された洗浄液に印加して、
この洗浄液を噴出口7から基板11上に噴出して、基板
洗浄をおこなう。
The substrate cleaning nozzle 8 is a combination of a cylindrical portion and a conical portion, and ultrasonic waves generated from cylindrical vibrators 2 and 3 having different resonance frequencies connected to an oscillator (not shown) are used as a cleaning liquid. Apply to the cleaning liquid injected from the inlet 1,
This cleaning liquid is ejected from the ejection port 7 onto the substrate 11 to clean the substrate.

【0011】図3は、本発明の第1の実施例に係る基板
洗浄ノズル8を用いて基板11を洗浄する場合に使用さ
れる基板11をのせる基板支持台9の構成を示した説明
図である。基板支持台9には6つの支持ピン10が取り
付けられており、基板11が載せられると半円柱形の支
持ピン10が回転して基板11を押さえ、その後、基板
支持台9の支持棒部分を中心として基板支持台9が回転
する。
FIG. 3 is an explanatory view showing the structure of a substrate support base 9 on which the substrate 11 is mounted, which is used when the substrate 11 is cleaned using the substrate cleaning nozzle 8 according to the first embodiment of the present invention. Is. Six support pins 10 are attached to the substrate support base 9. When the substrate 11 is placed, the semi-cylindrical support pins 10 rotate to press the substrate 11, and then the support rod portion of the substrate support base 9 is moved. The substrate support 9 rotates around the center.

【0012】図4は、本発明の第1の実施例に係る基板
洗浄ノズル8の移動行程図である。リニア揺動機構の場
合21は、回転の中心から回転円周方向までの直線上を
往復して移動し、揺動アーム機構の場合22は、点23
を中心とした円周の円周上を往復して移動する。
FIG. 4 is a movement process diagram of the substrate cleaning nozzle 8 according to the first embodiment of the present invention. In the case of the linear rocking mechanism, 21 moves back and forth on a straight line from the center of rotation to the circumferential direction of rotation, and in the case of the rocking arm mechanism 22, the point 23
It moves back and forth on the circumference of a circle centered around.

【0013】このように基板洗浄ノズル8を移動させる
ことによって、基板11をくまなく洗浄することができ
る。また、ノズル内には発振器(図示せず)に接続され
ている異なる周波数を持つ円筒形の振動子2、3が互い
に影響を受けないように対象に離して設置されている。
一般に、振動子から発振された超音波の強度は振動子の
真ん中から発振されたものが最も大きいので、振動子
2、3の中心から発振された最も強度が大きい超音波
の、各々の照射方向の延長線上の交点が基板11上にく
るように、反射板6の角度を決め設置する。
By moving the substrate cleaning nozzle 8 in this manner, the substrate 11 can be thoroughly cleaned. Further, in the nozzle, cylindrical vibrators 2 and 3 having different frequencies, which are connected to an oscillator (not shown), are installed apart from each other so that they are not affected by each other.
Generally, the intensity of the ultrasonic wave oscillated from the oscillator is the highest from the center of the oscillator, so that the irradiation direction of each ultrasonic wave emitted from the centers of the oscillators 2 and 3 is the highest. The angle of the reflection plate 6 is determined and set so that the intersection on the extension line of is on the substrate 11.

【0014】これによって洗浄液入口1から注入された
洗浄液に印加された超音波は、超音波の減衰を最小限に
押さえた状態で基板上に到達でき、パーティクルの除去
率を向上させることができる。
As a result, the ultrasonic waves applied to the cleaning liquid injected from the cleaning liquid inlet 1 can reach the substrate in a state in which the attenuation of the ultrasonic waves is suppressed to the minimum, and the particle removal rate can be improved.

【0015】本発明におけるパーティクルの除去は、被
洗浄物に付着しているパーティクルを超音波で共振させ
て、付着エネルギーを超える運動エネルギーを与えて除
去する方法で行われる。パーティクルの共振は、印加さ
れる超音波の波長をλ、共振するパーティクル径をDと
すると、D=λ/(2n)(nは整数)の関係が成立
し、更に、nがあまり大きくなると効果は徐々に下降し
てくるので、除去しやすいパーティクル径は限定される
ことになる。図8(a)に波長λの波形図を示す。この
図で、横軸は時間、縦軸は振幅である。この場合、除去
しやすいパーティクル径はD=λ/2,λ/4,・・・
となり、λ/2と3λ/4の間やλ/4とλ/2の間に
はパーティクルを共振させる波長がなく、これに該当す
る領域の粒径を持つパーティクルに対する除去効果は低
くなる。これに対して図8(b)に波長λ' =λ/3の
波形図を示す。この図で、横軸は時間、縦軸は振幅であ
る。波長λ' =λ/3の超音波で除去しやすいパーティ
クル径はD' =λ/3,λ/6,λ/9,・・・とな
り、(a)のλの超音波では除去しにくいλ/3,λ/
9等の粒径のパーティクルを共振させ、除去することが
できる。従って2種類の波長の超音波を用いることで多
様な粒径のパーティクルを除去することができるように
なる。
The removal of particles in the present invention is carried out by a method of causing particles adhering to an object to be cleaned to resonate with ultrasonic waves and giving kinetic energy exceeding the adhesion energy to remove the particles. Resonance of particles has a relationship of D = λ / (2n) (n is an integer), where λ is the wavelength of the applied ultrasonic wave and D is the diameter of the resonating particle, and when n is too large, it is effective. Since the particle diameter gradually drops, the particle diameter that can be easily removed is limited. FIG. 8A shows a waveform diagram of the wavelength λ. In this figure, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents amplitude. In this case, the particle diameter that can be easily removed is D = λ / 2, λ / 4, ...
Therefore, there is no wavelength for resonating particles between λ / 2 and 3λ / 4 or between λ / 4 and λ / 2, and the effect of removing particles having a particle diameter in the corresponding region is low. On the other hand, FIG. 8B shows a waveform diagram of the wavelength λ ′ = λ / 3. In this figure, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents amplitude. The particle diameter that can be easily removed by the ultrasonic wave of wavelength λ '= λ / 3 is D' = λ / 3, λ / 6, λ / 9, ... , And it is difficult to remove λ by the ultrasonic wave of λ of (a). / 3, λ /
Particles having a particle size of 9 or the like can be resonated and removed. Therefore, it becomes possible to remove particles having various particle diameters by using ultrasonic waves of two kinds of wavelengths.

【0016】図5に、2つの周波数個々を独立して使用
した場合と併用した場合のパーティクルの粒径と除去率
の関係を示す。図5の横軸はパーティクルの粒径(μ
m)、縦軸は除去率(%)である。これをみると、周波
数f=1.5MHzの場合のグラフa及び周波数f=
0.5MHzの場合のグラフbでは、各々パーティクル
の粒径によって除去率に大きな差が見られるが、2つの
周波数を併用した場合のグラフcではパーティクルの粒
径にかかわらず高い除去率を維持することができる。
FIG. 5 shows the relationship between the particle size of particles and the removal rate when the two frequencies are used independently and in combination. The horizontal axis of FIG. 5 indicates the particle size (μ
m), the vertical axis is the removal rate (%). Looking at this, the graph a for the frequency f = 1.5 MHz and the frequency f =
In the graph b at 0.5 MHz, there is a large difference in the removal rate depending on the particle size of each particle, but in the graph c when two frequencies are used together, a high removal rate is maintained regardless of the particle size of the particles. be able to.

【0017】次に、図7を参照して本発明の第2の実施
例に係る基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法を説明す
る。図7は、本発明の第2の実施例に係る基板洗浄ノズ
ルを横面から見た断面図である。
Next, a substrate cleaning nozzle and a substrate cleaning method according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a lateral cross-sectional view of a substrate cleaning nozzle according to a second embodiment of the present invention.

【0018】基板洗浄ノズル40は、二つの円筒部と一
つの円錐部の結合形である。振動子32から発振された
超音波は反射板兼透過板36で反射して噴出口37へ向
かう。また、振動子31から発振された超音波は反射板
兼透過板36を透過して噴出口37へ向かう。二つの振
動子31、32から発振された超音波は、洗浄液入口3
5から注入された洗浄液に印加され、この洗浄液が噴出
口37から噴出して基板を洗浄する。
The substrate cleaning nozzle 40 is a combination of two cylindrical parts and one conical part. The ultrasonic waves oscillated from the oscillator 32 are reflected by the reflector / transmissive plate 36 and travel toward the ejection port 37. In addition, the ultrasonic waves oscillated from the oscillator 31 pass through the reflector / transmissive plate 36 and head toward the ejection port 37. The ultrasonic waves oscillated from the two vibrators 31 and 32 are used as the cleaning liquid inlet 3
5 is applied to the cleaning liquid injected from the nozzle 5, and the cleaning liquid is ejected from the ejection port 37 to clean the substrate.

【0019】この際、反射板兼透過板36はノズル内の
音波のはね返りや干渉、また振動子32からの音波に対
する反射率や振動子31からの音波に対する透過率を考
慮して、洗浄液の流れと周波数の向きを同一にするよう
に設定する。また洗浄液入口35の位置は、洗浄液の対
流を考慮し、両方の超音波が印加しやすく、また振動に
よって生じる気泡がノズル内にたまらないように決めら
れている。
At this time, the reflection plate / transmission plate 36 allows the flow of the cleaning liquid in consideration of the rebound and interference of the sound wave in the nozzle, the reflectance of the sound wave from the vibrator 32 and the transmittance of the sound wave from the vibrator 31. And the frequency direction are set to be the same. Further, the position of the cleaning liquid inlet 35 is determined in consideration of convection of the cleaning liquid so that both ultrasonic waves are easily applied, and bubbles generated by vibration do not collect in the nozzle.

【0020】尚、図1及び図7で用いられている装置に
おいて、円筒部の直径は10〜15mm、噴出口の直径
は3〜4mmである。このように噴出口の直径を円筒部
に対して小さくするのは基板への負担と洗浄液の流量を
考慮したものである。噴出口の径を図1及び図7が記載
されている紙面に垂直な方向よりも、紙面に平行な方向
に大きくすると、2つの超音波の各々の照射方向の延長
線上の交点が基板上に来るとき、噴出口と基板との距離
を保つことができる。
In the apparatus used in FIGS. 1 and 7, the diameter of the cylindrical portion is 10 to 15 mm and the diameter of the ejection port is 3 to 4 mm. The reason why the diameter of the ejection port is made smaller than that of the cylindrical portion in this way is to consider the load on the substrate and the flow rate of the cleaning liquid. When the diameter of the ejection port is made larger in the direction parallel to the paper surface than the direction perpendicular to the paper surface in which FIGS. 1 and 7 are described, the intersections on the extension lines of the irradiation directions of the two ultrasonic waves are located on the substrate. When coming, the distance between the ejection port and the substrate can be maintained.

【0021】また、本発明の実施例での一方の振動子か
ら発した超音波の波長と、他方の振動子から発した超音
波の波長との関係はλ' =λ/3に限定されず、一方の
波長の偶数倍でなければいかなる波長を用いても可能で
ある。
In the embodiment of the present invention, the relationship between the wavelength of the ultrasonic wave emitted from one transducer and the wavelength of the ultrasonic wave emitted from the other transducer is not limited to λ '= λ / 3. Any wavelength can be used as long as it is not an even multiple of one wavelength.

【0022】尚、第1の実施例において、3種類の周波
数を発する3個の振動子を用いることも可能である。こ
の場合の効果を図6に示す。図6の縦軸はパーティクル
の粒径(μm)、横軸は除去率(%)である。周波数
1.5MHzの場合はグラフa、0.9MHzの場合は
グラフd、0.5MHzの場合はグラフbであり、この
3種類の周波数を用いるとパーティクルの粒径に対する
除去率はグラフeのようになり、更に安定した除去効果
が得られることになる。
In the first embodiment, it is possible to use three vibrators that emit three kinds of frequencies. The effect in this case is shown in FIG. In FIG. 6, the vertical axis represents the particle size (μm) of particles, and the horizontal axis represents the removal rate (%). When the frequency is 1.5 MHz, it is graph a, when it is 0.9 MHz, it is graph d, and when it is 0.5 MHz, it is graph b. Therefore, a more stable removal effect can be obtained.

【0023】更に、図9を参照して本発明の第3の実施
例に係る基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法を説明す
る。図9は、本発明の第3の実施例に係る基板洗浄ノズ
ルの説明図である。
Further, a substrate cleaning nozzle and a substrate cleaning method according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9 is an explanatory diagram of a substrate cleaning nozzle according to the third embodiment of the present invention.

【0024】基板洗浄ノズル44はFPD(Flat
Panel Display)の洗浄装置に取り付けら
れる。この場合基板46は回転させず、基板洗浄ノズル
44から超音波が印加された洗浄液を滝状に噴出し、基
板46の単位面積当りの洗浄時間が均一になるように移
動する。2つの異なる周波数を持つ振動子を用いること
によって、前述の半導体基板の場合と同様に高い除去効
果が得られる。
The substrate cleaning nozzle 44 is an FPD (Flat).
Panel Display). In this case, the substrate 46 is not rotated, and the cleaning liquid to which ultrasonic waves are applied is jetted from the substrate cleaning nozzle 44 in a waterfall shape and moved so that the cleaning time per unit area of the substrate 46 becomes uniform. By using the vibrator having two different frequencies, a high removal effect can be obtained as in the case of the semiconductor substrate described above.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明によれば、二つ以上の周波数を用
いることにより、多様な粒径のパーティクルを効率良く
除去することが可能である。
According to the present invention, it is possible to efficiently remove particles having various particle sizes by using two or more frequencies.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の第1の実施例の基板洗浄ノズルを横
面から見た断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a substrate cleaning nozzle according to a first embodiment of the present invention as viewed from the side.

【図2】 本発明の第1の実施例の基板洗浄ノズルを側
面から見た断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate cleaning nozzle according to the first embodiment of the present invention as seen from a side surface.

【図3】 本発明で用いられている基板支持台の説明図
である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a substrate support base used in the present invention.

【図4】 本発明の基板洗浄ノズルの移動行程図であ
る。
FIG. 4 is a movement process diagram of the substrate cleaning nozzle of the present invention.

【図5】 2種の周波数個々の場合と併用した場合のパ
ーティクルの粒径と除去率の相関図である。
FIG. 5 is a correlation diagram between the particle size of particles and the removal rate when the two frequencies are used individually and in combination.

【図6】 3種の周波数個々の場合と併用した場合のパ
ーティクルの粒径と除去率の相関図である。
FIG. 6 is a correlation diagram between the particle size of particles and the removal rate when used in combination with each of the three frequencies.

【図7】 本発明の第2の実施例の基板洗浄ノズルを横
面から見た断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of a substrate cleaning nozzle according to a second embodiment of the present invention as seen from the side.

【図8】 (a)波長λの波形図である。 (b)波長λ' =λ/3の波形図である。FIG. 8A is a waveform diagram of wavelength λ. (B) It is a waveform diagram of wavelength λ ′ = λ / 3.

【図9】 本発明の第3の実施例の基板洗浄ノズルの説
明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram of a substrate cleaning nozzle according to a third embodiment of the present invention.

【図10】 従来の基板洗浄ノズルを横面から見た断面
図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view of a conventional substrate cleaning nozzle viewed from the side.

【図11】 従来の基板洗浄ノズルを周波数1.5MH
zの条件で用いたときのパーティクルの粒径と除去率の
相関図である。
FIG. 11 shows a conventional substrate cleaning nozzle with a frequency of 1.5 MHz.
It is a correlation diagram of a particle size of particles and a removal rate when used under the condition of z.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,35.52…洗浄液入口、2,3,31,32,4
1,42,51…振動子、4,5,32,33…発振器
へ、6…反射板、7,37,45,54…洗浄液噴出
口、8,40,44,53…基板洗浄ノズル、9…基板
支持台、10…支持ピン、11,46…基板、36,4
3…反射板兼透過板
1, 35.52 ... Cleaning liquid inlet, 2, 3, 31, 32, 4
1, 42, 51 ... Oscillator, 4, 5, 32, 33 ... Oscillator, 6 ... Reflector, 7, 37, 45, 54 ... Cleaning liquid jet, 8, 40, 44, 53 ... Substrate cleaning nozzle, 9 ... Substrate support, 10 ... Support pins, 11, 46 ... Substrate, 36, 4
3 ... Reflective plate and transparent plate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−224555(JP,A) 特開 平8−281230(JP,A) 特開 昭49−102323(JP,A) 特公 昭36−22806(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 B08B 3/12 ─────────────────────────────────────────────────── --Continued from the front page (56) References JP-A-8-224555 (JP, A) JP-A-8-281230 (JP, A) JP-A-49-102323 (JP, A) JP-B-36- 22806 (JP, B1) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 B08B 3/12

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板を洗浄するための洗浄液を注入する
洗浄液入口と、 各々異なる周波数を有する超音波を発し、前記洗浄液に
前記超音波を印加する2つの振動子と、前記振動子から発した前記超音波のうち、最も強度が大
きい部分を基板上に照射するように反射させる反射板と
前記超音波が印加された前記洗浄液を前記基板上に噴出
する洗浄液噴出口とを具備したことを特徴とする基板洗
浄ノズル。
1. A cleaning liquid inlet for injecting a cleaning liquid for cleaning a substrate, two oscillators for emitting ultrasonic waves having different frequencies and applying the ultrasonic waves to the cleaning liquid, and an oscillator for emitting the ultrasonic waves . Of the above ultrasonic waves, the highest intensity
A substrate cleaning nozzle comprising: a reflecting plate for reflecting a threshold portion onto a substrate so as to irradiate the substrate; and a cleaning liquid ejection port for ejecting the cleaning liquid to which the ultrasonic wave is applied onto the substrate. .
【請求項2】 前記2つの超音波は、一方の超音波の波
長が他方の超音波の波長の奇数倍であることを特徴とす
る請求項1記載の基板洗浄ノズル。
2. The substrate cleaning nozzle according to claim 1, wherein the two ultrasonic waves have a wavelength of one ultrasonic wave that is an odd multiple of the wavelength of the other ultrasonic wave.
【請求項3】 基板を洗浄するための洗浄液を注入する
洗浄液入口と、 各々異なる周波数を有する超音波を発し、前記洗浄液に
前記超音波を印加する2つの振動子と、 前記振動子から発した前記超音波のうち、最も強度が大
きい部分を基板上に照射するように反射及び透過させる
手段と前記超音波が印加された前記洗浄液を前記基板上
に噴出する洗浄液噴出口とを具備したことを特徴とする
基板洗浄ノズル。
3. Injecting a cleaning liquid for cleaning a substrate
The cleaning liquid inlet and ultrasonic waves with different frequencies are emitted to the cleaning liquid.
Of the two oscillators that apply the ultrasonic wave and the ultrasonic wave that is emitted from the oscillator, the intensity is the highest.
Reflect and transmit as if irradiating the threshold on the substrate
Means and the cleaning liquid to which the ultrasonic wave is applied on the substrate.
And a cleaning liquid jetting port for jetting
Substrate cleaning nozzle.
【請求項4】 前記2つの超音波は、一方の超音波の波
長が他方の超音波の波長の奇数倍であることを特徴とす
る請求項3記載の基板洗浄ノズル。
4. The two ultrasonic waves are waves of one ultrasonic wave.
Characterized in that the length is an odd multiple of the wavelength of the other ultrasonic wave
The substrate cleaning nozzle according to claim 3.
JP00533796A 1996-01-17 1996-01-17 Substrate cleaning nozzle Expired - Lifetime JP3444574B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00533796A JP3444574B2 (en) 1996-01-17 1996-01-17 Substrate cleaning nozzle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00533796A JP3444574B2 (en) 1996-01-17 1996-01-17 Substrate cleaning nozzle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09199466A JPH09199466A (en) 1997-07-31
JP3444574B2 true JP3444574B2 (en) 2003-09-08

Family

ID=11608423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00533796A Expired - Lifetime JP3444574B2 (en) 1996-01-17 1996-01-17 Substrate cleaning nozzle

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3444574B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101017104B1 (en) * 2008-11-14 2011-02-25 세메스 주식회사 Supersonic nozzle and wafer cleaning apparatus compring the same
KR101988869B1 (en) * 2017-09-07 2019-06-13 한국기계연구원 Ultrasonic cleaning module and cleaning system using air fir substrate
JP7349730B2 (en) * 2020-02-28 2023-09-25 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 Ultrasonic cleaning method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09199466A (en) 1997-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6276370B1 (en) Sonic cleaning with an interference signal
JP4442383B2 (en) Ultrasonic cleaning equipment
US20070175502A1 (en) Apparatus and method for delivering acoustic energy through a liquid stream to a target object for disruptive surface cleaning or treating effects
JP2002529923A (en) Continuous cleaning megasonic tank with transducer with reduced duty cycle
US20020134402A1 (en) Article produced by acoustic cavitation in a liquid insonification medium
JP2019531201A (en) Ultrasonic fluid removal system
JP3323385B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP3444574B2 (en) Substrate cleaning nozzle
JP2000216126A (en) Substrate cleaning method and apparatus therefor
KR20080098422A (en) Ultrasound actuator for cleaning objects
JP3322163B2 (en) Ultrasonic cleaning method and apparatus
JPH05317820A (en) Ultrasonic cleaning method and device therefor
JPH0234923A (en) Ultrasonic cleaner
JP2007319748A (en) Ultrasonic cleaning device
JPH0695382B2 (en) Disc cleaning method
JPH06106144A (en) Ultrasonic cleaning method and device therefor
JP2789178B2 (en) Ultrasonic cleaning equipment
KR20060122741A (en) Ultrasonic washing apparatus
JP3783174B2 (en) Flowing water type ultrasonic cleaning equipment
JP4144201B2 (en) Wet cleaning processing equipment
CN102725825B (en) Ultrasonic precision cleaning apparatus
JP2004167377A (en) Ultrasonic washing machine
JP2868679B2 (en) Fluid agitator
JP3017755U (en) Laser mold cleaning device
JPH0760189A (en) Focusing ultrasonic generator

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030613

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627

Year of fee payment: 7