JP3442934B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- B01F25/40—Static mixers
- B01F25/42—Static mixers in which the mixing is affected by moving the components jointly in changing directions, e.g. in tubes provided with baffles or obstructions
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- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
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- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
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- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
- B05C11/1007—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to condition of liquid or other fluent material
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板や液
晶ガラス基板などの薄板状基板（以下、「基板」と称す
る）に対してレジストなどの薬液を塗布する基板処理装
置に関する。
晶ガラス基板などの薄板状基板（以下、「基板」と称す
る）に対してレジストなどの薬液を塗布する基板処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、上記のような基板には、パター
ンを形成するための光などに対して感光性をもつレジス
トが塗布されるが、その基板に要求される特質に応じて
塗布するレジストの膜厚を変化させる必要がある。
ンを形成するための光などに対して感光性をもつレジス
トが塗布されるが、その基板に要求される特質に応じて
塗布するレジストの膜厚を変化させる必要がある。
【０００３】従来、基板にレジストを塗布する際には、
当該基板を回転させつつノズルからレジストを噴射し、
基板面にレジスト膜を均一に塗布する手法が用いられて
いる。この手法において、レジストの膜厚を変化させる
ためには、（１）基板の回転数を変化させる、（２）異
なる粘度のレジストを使用するなどの方法が利用されて
いる。すなわち、基板の回転数を変化させる場合には、
基板の回転数を多くすれば多くするほど、薄いレジスト
膜が形成され、逆に、基板の回転数を少なくすれば、厚
いレジスト膜が形成される。また、異なる粘度のレジス
トを使用する場合には、高い粘度のレジストを使用すれ
ば、厚いレジスト膜が形成され、低い粘度のレジストを
使用すれば、薄いレジスト膜が形成される。
当該基板を回転させつつノズルからレジストを噴射し、
基板面にレジスト膜を均一に塗布する手法が用いられて
いる。この手法において、レジストの膜厚を変化させる
ためには、（１）基板の回転数を変化させる、（２）異
なる粘度のレジストを使用するなどの方法が利用されて
いる。すなわち、基板の回転数を変化させる場合には、
基板の回転数を多くすれば多くするほど、薄いレジスト
膜が形成され、逆に、基板の回転数を少なくすれば、厚
いレジスト膜が形成される。また、異なる粘度のレジス
トを使用する場合には、高い粘度のレジストを使用すれ
ば、厚いレジスト膜が形成され、低い粘度のレジストを
使用すれば、薄いレジスト膜が形成される。
【０００４】ところで、最近は、基板の大口径化が進
み、直径が３００ｍｍ以上の基板も生産されつつある。
このような大口径の基板においては、レジストを均一に
塗布できる基板の回転数が限られており、レジスト膜厚
を変化させるために基板の回転数を変化させることは困
難である。したがって、大口径の基板のレジスト膜厚を
変化させるためには、異なる粘度のレジストを使用する
方法が用いられている。
み、直径が３００ｍｍ以上の基板も生産されつつある。
このような大口径の基板においては、レジストを均一に
塗布できる基板の回転数が限られており、レジスト膜厚
を変化させるために基板の回転数を変化させることは困
難である。したがって、大口径の基板のレジスト膜厚を
変化させるためには、異なる粘度のレジストを使用する
方法が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図５は、異なる粘度の
レジストを使用する場合の、従来のノズル構成の概念図
である。図示の如く、レジストの種類ごとに複数のノズ
ルが設けられている。例えば、レジストＡを塗布すると
きに、薄いレジスト膜を形成したい場合には低粘度レジ
スト用ノズルＡ−１を、厚いレジスト膜を形成したい場
合には高粘度レジスト用ノズルＡ−２を、中厚のレジス
ト膜を形成したい場合には中粘度レジスト用ノズルＡ−
３を使用するようにしている。同様に、レジストＢおよ
びレジストＣについても、それぞれに必要とされる膜厚
ごとに複数のノズルが備えられており、基板処理装置全
体として多くのノズルを必要としていたため、配管系統
も多数要し、当該装置の構成も複雑なものとなってい
た。
レジストを使用する場合の、従来のノズル構成の概念図
である。図示の如く、レジストの種類ごとに複数のノズ
ルが設けられている。例えば、レジストＡを塗布すると
きに、薄いレジスト膜を形成したい場合には低粘度レジ
スト用ノズルＡ−１を、厚いレジスト膜を形成したい場
合には高粘度レジスト用ノズルＡ−２を、中厚のレジス
ト膜を形成したい場合には中粘度レジスト用ノズルＡ−
３を使用するようにしている。同様に、レジストＢおよ
びレジストＣについても、それぞれに必要とされる膜厚
ごとに複数のノズルが備えられており、基板処理装置全
体として多くのノズルを必要としていたため、配管系統
も多数要し、当該装置の構成も複雑なものとなってい
た。
【０００６】本発明は、上記課題に鑑み、ノズルの本数
を少なくし、簡単な構成の基板処理装置を提供すること
を目的とする。
を少なくし、簡単な構成の基板処理装置を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板に所定の薬液を塗布する基
板処理装置において、(a) 前記薬液の原液を供給する原
液供給手段と、(b) 前記原液を希釈するための溶媒を供
給する溶媒供給手段と、(c) 前記原液と前記溶媒とを混
合する混合手段と、(d) 前記混合手段によって混合され
た混合液を前記基板の主面に噴出するノズルと、(e) 前
記混合液中における前記原液と前記溶媒との混合比率を
計測する混合比率計測手段と、(f) 前記混合比率計測手
段によって計測された結果に応じて、前記溶媒の供給量
を変化させるように前記溶媒供給手段を制御する制御手
段と、を備えている。
め、請求項１の発明は、基板に所定の薬液を塗布する基
板処理装置において、(a) 前記薬液の原液を供給する原
液供給手段と、(b) 前記原液を希釈するための溶媒を供
給する溶媒供給手段と、(c) 前記原液と前記溶媒とを混
合する混合手段と、(d) 前記混合手段によって混合され
た混合液を前記基板の主面に噴出するノズルと、(e) 前
記混合液中における前記原液と前記溶媒との混合比率を
計測する混合比率計測手段と、(f) 前記混合比率計測手
段によって計測された結果に応じて、前記溶媒の供給量
を変化させるように前記溶媒供給手段を制御する制御手
段と、を備えている。
【０００８】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記混合比率計測手段
に、前記混合液の粘度を計測する粘度計を含ませ、前記
制御手段に、前記粘度計によって計測された前記混合溶
液の粘度に応じて、前記溶媒の供給量を変化させるよう
に前記溶媒供給手段を制御させている。
に係る基板処理装置において、前記混合比率計測手段
に、前記混合液の粘度を計測する粘度計を含ませ、前記
制御手段に、前記粘度計によって計測された前記混合溶
液の粘度に応じて、前記溶媒の供給量を変化させるよう
に前記溶媒供給手段を制御させている。
【０００９】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
に係る基板処理装置において、前記制御手段に、混合液
の粘度と該混合液を基板に塗布したときの薬液の膜厚と
を対応付けたテーブルを保持させている。 また、請求項
４の発明は、請求項２または請求項３の発明に係る基板
処理装置において、前記制御手段に、予め設定された混
合液の目標粘度と、前記粘度計によって測定された混合
液の測定粘度と、を比較した比較結果に応じて、前記溶
媒の供給量を変化させるように前記溶媒供給手段を制御
させている。 また、請求項５の発明は、請求項４の発明
に係る基板処理装置において、前記制御手段に、前記測
定粘度が前記目標粘度よりも高い場合は、前記溶媒の供
給量を増加するように前記溶媒供給手段を制御させ、前
記測定粘度が前記目標粘度よりも低い場合は、前記溶媒
の供給量を減少するように前記溶媒供給手段を制御させ
ている。 また、請求項６の発明は、請求項１から請求項
５のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記
混合手段に、前記原液と前記溶媒とを含む流体の進行方
向に沿って交互に配置され、該流体が通過するときの回
転方向が相互に逆となる右エレメントと左エレメントと
を備えている。
に係る基板処理装置において、前記制御手段に、混合液
の粘度と該混合液を基板に塗布したときの薬液の膜厚と
を対応付けたテーブルを保持させている。 また、請求項
４の発明は、請求項２または請求項３の発明に係る基板
処理装置において、前記制御手段に、予め設定された混
合液の目標粘度と、前記粘度計によって測定された混合
液の測定粘度と、を比較した比較結果に応じて、前記溶
媒の供給量を変化させるように前記溶媒供給手段を制御
させている。 また、請求項５の発明は、請求項４の発明
に係る基板処理装置において、前記制御手段に、前記測
定粘度が前記目標粘度よりも高い場合は、前記溶媒の供
給量を増加するように前記溶媒供給手段を制御させ、前
記測定粘度が前記目標粘度よりも低い場合は、前記溶媒
の供給量を減少するように前記溶媒供給手段を制御させ
ている。 また、請求項６の発明は、請求項１から請求項
５のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記
混合手段に、前記原液と前記溶媒とを含む流体の進行方
向に沿って交互に配置され、該流体が通過するときの回
転方向が相互に逆となる右エレメントと左エレメントと
を備えている。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明するが、ここで以下の発
明の実施の形態において使用する用語について説明して
おく。以降においては、用語の意味を明確にするため、
樹脂成分と感光剤からなる液、または樹脂成分と感光剤
からなる液に予め一定の溶媒が加えられてなる液をレジ
スト原液（薬液の原液）とし、このレジスト原液に対し
てさらに溶媒を加え、希釈した後の溶液をレジスト溶液
（混合液）とする。
実施の形態について詳細に説明するが、ここで以下の発
明の実施の形態において使用する用語について説明して
おく。以降においては、用語の意味を明確にするため、
樹脂成分と感光剤からなる液、または樹脂成分と感光剤
からなる液に予め一定の溶媒が加えられてなる液をレジ
スト原液（薬液の原液）とし、このレジスト原液に対し
てさらに溶媒を加え、希釈した後の溶液をレジスト溶液
（混合液）とする。
【００１１】図１は、本発明に係る基板処理装置の要部
斜視図である。この基板処理装置は、図示を省略する回
転駆動機構によって基板Ｗを回転させつつ、当該基板Ｗ
にレジスト溶液を噴出し、均一なレジスト膜を形成する
装置である。そして、この基板処理装置は、レジスト溶
液を噴出するノズル１０と、ノズル１０を保持するとと
もにノズル１０にレジスト溶液を導くノズルアーム１５
と、ノズル１０およびノズルアーム１５を回動するモー
タ２０とを備えている。
斜視図である。この基板処理装置は、図示を省略する回
転駆動機構によって基板Ｗを回転させつつ、当該基板Ｗ
にレジスト溶液を噴出し、均一なレジスト膜を形成する
装置である。そして、この基板処理装置は、レジスト溶
液を噴出するノズル１０と、ノズル１０を保持するとと
もにノズル１０にレジスト溶液を導くノズルアーム１５
と、ノズル１０およびノズルアーム１５を回動するモー
タ２０とを備えている。
【００１２】モータ２０は、基板処理装置本体のハウジ
ングに固定されており、当該モータ２０のモータ軸２１
には、プーリ２２が直結されている。また、ノズルアー
ム１５のアーム下部１５ａの下端部は、外筒３２に挿着
されており、外筒３２の外周には、プーリ３１が設けら
れている。モータ２０の回転運動はモータ軸２１、プー
リ２２、ベルト２５およびプーリ３１を介して外筒３２
に伝達される。外筒３２は、基板処理装置本体のハウジ
ングに固定された支持台３３に回動自在に設けられてい
るため、モータ２０の回転運動にともなって、ノズルア
ーム１５が回動することとなる。ノズルアーム１５の回
動動作により、ノズル１０は、基板Ｗを移載するときの
待避位置と基板Ｗにレジスト塗布を行うときの処理位置
との間を移動することができる。
ングに固定されており、当該モータ２０のモータ軸２１
には、プーリ２２が直結されている。また、ノズルアー
ム１５のアーム下部１５ａの下端部は、外筒３２に挿着
されており、外筒３２の外周には、プーリ３１が設けら
れている。モータ２０の回転運動はモータ軸２１、プー
リ２２、ベルト２５およびプーリ３１を介して外筒３２
に伝達される。外筒３２は、基板処理装置本体のハウジ
ングに固定された支持台３３に回動自在に設けられてい
るため、モータ２０の回転運動にともなって、ノズルア
ーム１５が回動することとなる。ノズルアーム１５の回
動動作により、ノズル１０は、基板Ｗを移載するときの
待避位置と基板Ｗにレジスト塗布を行うときの処理位置
との間を移動することができる。
【００１３】ノズルアーム１５は、中空の管であり、そ
のアーム上部１５ｂの一端にはノズル１０が設けられて
いる。一方、アーム下部１５ａの下端は支持台３３を介
して図示を省略するレジスト原液供給ラインに接続さ
れ、当該レジスト原液供給ラインはレジスト原液供給手
段１（後述する図３参照）に接続されている。また、ノ
ズルアーム１５において、アーム下部１５ａとアーム上
部１５ｂとの間にはレジスト原液と溶媒とを混合する混
合部５０が付設されている。
のアーム上部１５ｂの一端にはノズル１０が設けられて
いる。一方、アーム下部１５ａの下端は支持台３３を介
して図示を省略するレジスト原液供給ラインに接続さ
れ、当該レジスト原液供給ラインはレジスト原液供給手
段１（後述する図３参照）に接続されている。また、ノ
ズルアーム１５において、アーム下部１５ａとアーム上
部１５ｂとの間にはレジスト原液と溶媒とを混合する混
合部５０が付設されている。
【００１４】図２は、混合部５０の断面図である。この
図において、実線の矢印は、流体の流れを示している。
図示の如く、混合部５０には、図外の溶媒供給手段２
（後述する図３参照）から溶媒を導く配管４５が接続さ
れている。また、混合部５０には、レジスト原液や溶媒
などの流体の進行方向に沿って右エレメント５１と左エ
レメント５２とが交互に配置されている。右エレメント
５１と左エレメント５２とでは、流体の回転方向が逆で
あり、両エレメントを通過する液体はその回転方向が反
転することにより、十分に攪拌、混合されることにな
る。したがって、混合部５０に流入したレジスト原液と
溶媒とは、当該混合部５０によって十分に混合され、レ
ジスト溶液としてノズルアーム１５のアーム上部１５ｂ
を流れ、ノズル１０から基板Ｗに噴出されることにな
る。
図において、実線の矢印は、流体の流れを示している。
図示の如く、混合部５０には、図外の溶媒供給手段２
（後述する図３参照）から溶媒を導く配管４５が接続さ
れている。また、混合部５０には、レジスト原液や溶媒
などの流体の進行方向に沿って右エレメント５１と左エ
レメント５２とが交互に配置されている。右エレメント
５１と左エレメント５２とでは、流体の回転方向が逆で
あり、両エレメントを通過する液体はその回転方向が反
転することにより、十分に攪拌、混合されることにな
る。したがって、混合部５０に流入したレジスト原液と
溶媒とは、当該混合部５０によって十分に混合され、レ
ジスト溶液としてノズルアーム１５のアーム上部１５ｂ
を流れ、ノズル１０から基板Ｗに噴出されることにな
る。
【００１５】図１に戻り、ノズルアーム１５のアーム上
部１５ｂには、粘度計４１が設置されている。レジスト
溶液の粘度は、レジスト原液と溶媒との混合比率によっ
て変化するものであるため、粘度計４１はレジスト溶液
中におけるレジスト原液と溶媒との混合比率を計測する
混合比率計測手段として機能している。
部１５ｂには、粘度計４１が設置されている。レジスト
溶液の粘度は、レジスト原液と溶媒との混合比率によっ
て変化するものであるため、粘度計４１はレジスト溶液
中におけるレジスト原液と溶媒との混合比率を計測する
混合比率計測手段として機能している。
【００１６】粘度計４１によって測定された結果に基づ
いてレジスト溶液の粘度、すなわちレジスト原液と溶媒
との混合比率が調整されることとなる。図３は、本発明
に係る基板処理装置におけるレジスト粘度調整機構の機
能ブロック図である。この図において、実線の矢印は、
レジスト原液や溶媒などの流体の流れを示しており、点
線の矢印は、電気信号の伝達を示している。
いてレジスト溶液の粘度、すなわちレジスト原液と溶媒
との混合比率が調整されることとなる。図３は、本発明
に係る基板処理装置におけるレジスト粘度調整機構の機
能ブロック図である。この図において、実線の矢印は、
レジスト原液や溶媒などの流体の流れを示しており、点
線の矢印は、電気信号の伝達を示している。
【００１７】本発明に係る基板処理装置においては、レ
ジスト原液供給手段１から常に一定量のレジスト原液が
供給されている。そして、レジスト原液は混合部５０に
おいて溶媒供給手段２から供給された溶媒と混合され、
ノズル１０へと導かれる。ここで、混合済みのレジスト
溶液は、粘度計４１によって粘度が計測され、その測定
結果は基板処理装置に設けられた制御部５に伝達され
る。
ジスト原液供給手段１から常に一定量のレジスト原液が
供給されている。そして、レジスト原液は混合部５０に
おいて溶媒供給手段２から供給された溶媒と混合され、
ノズル１０へと導かれる。ここで、混合済みのレジスト
溶液は、粘度計４１によって粘度が計測され、その測定
結果は基板処理装置に設けられた制御部５に伝達され
る。
【００１８】制御部５には、予め、処理対象となる基板
Ｗに塗布すべきレジスト膜厚および一定回転数における
レジスト溶液粘度とレジスト膜厚との対応テーブルが入
力されている。そして、基板Ｗに塗布すべきレジスト膜
厚を得るのに必要なレジスト溶液の粘度と粘度計４１に
よって測定されたレジスト溶液の粘度とが比較され、そ
の比較結果に応じて、制御部５から溶媒供給手段２に指
令が送られ、当該溶媒供給手段２からの溶媒供給量が自
動調整される。
Ｗに塗布すべきレジスト膜厚および一定回転数における
レジスト溶液粘度とレジスト膜厚との対応テーブルが入
力されている。そして、基板Ｗに塗布すべきレジスト膜
厚を得るのに必要なレジスト溶液の粘度と粘度計４１に
よって測定されたレジスト溶液の粘度とが比較され、そ
の比較結果に応じて、制御部５から溶媒供給手段２に指
令が送られ、当該溶媒供給手段２からの溶媒供給量が自
動調整される。
【００１９】すなわち、粘度計４１によって測定された
レジスト溶液の粘度の方が塗布すべきレジスト膜厚を得
るのに必要なレジスト溶液の粘度よりも高い場合には、
溶媒供給量を増加するように自動調整され、逆に、測定
されたレジスト溶液の粘度の方が塗布すべきレジスト膜
厚を得るのに必要なレジスト溶液の粘度よりも低い場合
には、溶媒供給量を減少するように自動調整される。具
体的には、溶媒供給手段２内部の供給ポンプの回転数が
変更されることにより、溶媒供給量が自動調整される。
なお、溶媒供給量の自動調整手段はこれに限定されるも
のではなく、供給バルブの流量を変更するようにしても
よい。
レジスト溶液の粘度の方が塗布すべきレジスト膜厚を得
るのに必要なレジスト溶液の粘度よりも高い場合には、
溶媒供給量を増加するように自動調整され、逆に、測定
されたレジスト溶液の粘度の方が塗布すべきレジスト膜
厚を得るのに必要なレジスト溶液の粘度よりも低い場合
には、溶媒供給量を減少するように自動調整される。具
体的には、溶媒供給手段２内部の供給ポンプの回転数が
変更されることにより、溶媒供給量が自動調整される。
なお、溶媒供給量の自動調整手段はこれに限定されるも
のではなく、供給バルブの流量を変更するようにしても
よい。
【００２０】以上のようにすれば、レジスト溶液の粘度
を可変に調整することができるため、同一種類のレジス
ト膜であれば、形成したい膜厚が異なる場合であって
も、１本のノズル１０で所望のレジスト膜厚を得ること
ができる。
を可変に調整することができるため、同一種類のレジス
ト膜であれば、形成したい膜厚が異なる場合であって
も、１本のノズル１０で所望のレジスト膜厚を得ること
ができる。
【００２１】図４は、本発明に係る基板処理装置におけ
るノズル構成の概念図である。図示の如く、レジストの
種類ごとに１本のノズルが設けられている。すなわち、
レジストＡを塗布したい場合には、ノズルＡ−１のみで
レジストＡの溶液の粘度を可変に調整することができ、
その結果、任意の膜厚を得ることができる。同様に、レ
ジストＢおよびレジストＣについてもそれぞれ１本のノ
ズルＢ−１およびノズルＣ−１のみで任意の膜厚を得る
ことができるため、基板処理装置全体としてのノズルの
本数は少なくなりそれにともなって必要な配管系統も少
なくなり、当該装置も簡単な構成とすることができる。
るノズル構成の概念図である。図示の如く、レジストの
種類ごとに１本のノズルが設けられている。すなわち、
レジストＡを塗布したい場合には、ノズルＡ−１のみで
レジストＡの溶液の粘度を可変に調整することができ、
その結果、任意の膜厚を得ることができる。同様に、レ
ジストＢおよびレジストＣについてもそれぞれ１本のノ
ズルＢ−１およびノズルＣ−１のみで任意の膜厚を得る
ことができるため、基板処理装置全体としてのノズルの
本数は少なくなりそれにともなって必要な配管系統も少
なくなり、当該装置も簡単な構成とすることができる。
【００２２】また、混合部５０は、ノズルアーム１５の
アーム下部１５ａとアーム上部１５ｂとの間に付設され
ているため、レジスト塗布処理前後において廃棄しなけ
ればならないレジスト溶液の量は、アーム上部１５ｂに
残留しているレジスト溶液だけとなり、予め混合済みの
レジスト溶液を供給するよりも無駄になるレジスト量を
減らすことができる。
アーム下部１５ａとアーム上部１５ｂとの間に付設され
ているため、レジスト塗布処理前後において廃棄しなけ
ればならないレジスト溶液の量は、アーム上部１５ｂに
残留しているレジスト溶液だけとなり、予め混合済みの
レジスト溶液を供給するよりも無駄になるレジスト量を
減らすことができる。
【００２３】以上、この発明の実施形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではなく、
例えば、上記においては薬液としてレジストを使用して
いたが、薬液としてはポリイミドやＳＯＧ（ＬＳＩの多
層配線構造における各層間の絶縁無機膜）などであって
もかまわない。薬液としてＳＯＧを使用した場合には、
粘度計４１の代わりに濃度計を使用することによって混
合比率を計測すればよい。
たが、この発明は上記の例に限定されるものではなく、
例えば、上記においては薬液としてレジストを使用して
いたが、薬液としてはポリイミドやＳＯＧ（ＬＳＩの多
層配線構造における各層間の絶縁無機膜）などであって
もかまわない。薬液としてＳＯＧを使用した場合には、
粘度計４１の代わりに濃度計を使用することによって混
合比率を計測すればよい。
【００２４】また、混合部５０では、右エレメント５１
と左エレメント５２とを交互に配置することによりレジ
スト原液と溶媒とを混合していたが、混合部５０の構造
は２つの流体を混合できるような構造であればかまわな
い。
と左エレメント５２とを交互に配置することによりレジ
スト原液と溶媒とを混合していたが、混合部５０の構造
は２つの流体を混合できるような構造であればかまわな
い。
【００２５】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、薬液の原液を供給する原液供給手段と、原液
を希釈するための溶媒を供給する溶媒供給手段と、原液
と溶媒とを混合する混合手段とを備えているため、１本
のノズルで異なる混合比率の混合液を得ることができ、
薬液の種類ごとに１本のノズルを設置すればよく、その
結果、基板処理装置全体としてのノズルの本数は少なく
なり、当該装置も簡単な構成とすることができる。ま
た、混合液中における原液と溶媒との混合比率を計測す
る混合比率計測手段と、当該混合比率計測手段によって
計測された結果に応じて、溶媒の供給量を変化させるよ
うに溶媒供給手段を制御する制御手段とを備えているた
め、必要とされる混合比率の混合液を容易に得ることが
できる。
によれば、薬液の原液を供給する原液供給手段と、原液
を希釈するための溶媒を供給する溶媒供給手段と、原液
と溶媒とを混合する混合手段とを備えているため、１本
のノズルで異なる混合比率の混合液を得ることができ、
薬液の種類ごとに１本のノズルを設置すればよく、その
結果、基板処理装置全体としてのノズルの本数は少なく
なり、当該装置も簡単な構成とすることができる。ま
た、混合液中における原液と溶媒との混合比率を計測す
る混合比率計測手段と、当該混合比率計測手段によって
計測された結果に応じて、溶媒の供給量を変化させるよ
うに溶媒供給手段を制御する制御手段とを備えているた
め、必要とされる混合比率の混合液を容易に得ることが
できる。
【００２６】また、請求項２の発明によれば、混合比率
計測手段が混合液の粘度を計測する粘度計を含み、その
粘度計によって計測された混合溶液の粘度に応じて、溶
媒の供給量を変化させるため、必要とされる粘度の混合
液を容易に得ることができる。
計測手段が混合液の粘度を計測する粘度計を含み、その
粘度計によって計測された混合溶液の粘度に応じて、溶
媒の供給量を変化させるため、必要とされる粘度の混合
液を容易に得ることができる。
【００２７】また、請求項３の発明によれば、制御手段
が、混合液の粘度と該混合液を基板に塗布したときの薬
液の膜厚とを対応付けたテーブルを保持するため、その
テーブルを参照するだけで必要とされる粘度の混合液を
容易に得ることができる。 また、請求項４の発明によれ
ば、予め設定された混合液の目標粘度と、粘度計によっ
て測定された混合液の測定粘度と、を比較した比較結果
に応じて、溶媒の供給量を変化させるため、必要とされ
る粘度の混合液を容易に得ることができる。 また、請求
項５の発明によれば、測定粘度が目標粘度よりも高い場
合は、溶媒の供給量を増加するようにし、測定粘度が前
記目標粘度よりも低い場合は、溶媒の供給量を減少する
ようにしているため、必要とされる粘度の混合液を容易
に得ることができる。 また、請求項６の発明によれば、
混合手段は、原液と溶媒とを含む流体が通過するときの
回転方向が相互に逆となる右エレメントと左エレメント
とを該流体の進行方向に沿って交互に配置して備えてい
るため、両エレメントを通過する液体はその回転方向が
反転することにより、十分に攪拌、混合される。
が、混合液の粘度と該混合液を基板に塗布したときの薬
液の膜厚とを対応付けたテーブルを保持するため、その
テーブルを参照するだけで必要とされる粘度の混合液を
容易に得ることができる。 また、請求項４の発明によれ
ば、予め設定された混合液の目標粘度と、粘度計によっ
て測定された混合液の測定粘度と、を比較した比較結果
に応じて、溶媒の供給量を変化させるため、必要とされ
る粘度の混合液を容易に得ることができる。 また、請求
項５の発明によれば、測定粘度が目標粘度よりも高い場
合は、溶媒の供給量を増加するようにし、測定粘度が前
記目標粘度よりも低い場合は、溶媒の供給量を減少する
ようにしているため、必要とされる粘度の混合液を容易
に得ることができる。 また、請求項６の発明によれば、
混合手段は、原液と溶媒とを含む流体が通過するときの
回転方向が相互に逆となる右エレメントと左エレメント
とを該流体の進行方向に沿って交互に配置して備えてい
るため、両エレメントを通過する液体はその回転方向が
反転することにより、十分に攪拌、混合される。
【図１】本発明に係る基板処理装置の要部斜視図であ
る。
る。
【図２】図１の基板処理装置における混合部の断面図で
ある。
ある。
【図３】図１の基板処理装置におけるレジスト粘度調整
機構の機能ブロック図である。
機構の機能ブロック図である。
【図４】図１の基板処理装置におけるノズル構成の概念
図である。
図である。
【図５】異なる粘度のレジストを使用する場合の、従来
のノズル構成の概念図である。
のノズル構成の概念図である。
１ レジスト原液供給手段
２ 溶媒供給手段
５ 制御部
１０ ノズル
１５ ノズルアーム
４１ 粘度計
５０ 混合部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
B05C 11/10
G03F 7/16
Claims (6)
- 【請求項１】 基板に所定の薬液を塗布する基板処理装
置において、 (a) 前記薬液の原液を供給する原液供給手段と、 (b) 前記原液を希釈するための溶媒を供給する溶媒供給
手段と、 (c) 前記原液と前記溶媒とを混合する混合手段と、 (d) 前記混合手段によって混合された混合液を前記基板
の主面に噴出するノズルと、(e) 前記混合液中における前記原液と前記溶媒との混合
比率を計測する混合比率計測手段と、 (f) 前記混合比率計測手段によって計測された結果に応
じて、前記溶媒の供給量を変化させるように前記溶媒供
給手段を制御する制御手段と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記混合比率計測手段は、前記混合液の粘度を計測する
粘度計を含み、 前記制御手段は、前記粘度計によって計測された前記混
合溶液の粘度に応じて、前記溶媒の供給量を変化させる
ように前記溶媒供給手段を制御することを特徴とする基
板処理装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の基板処理装置において、 前記制御手段は、 混合液の粘度と該混合液を基板に塗布したときの薬液の
膜厚とを対応付けたテーブルを保持することを特徴とす
る基板処理装置。 - 【請求項４】 請求項２または請求項３記載の基板処理
装置において、 前記制御手段は、 予め設定された混合液の目標粘度と、前記粘度計によっ
て測定された混合液の測定粘度と、を比較した比較結果
に応じて、前記溶媒の供給量を変化させるように前記溶
媒供給手段を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の基板処理装置において、 前記制御手段は、 前記測定粘度が前記目標粘度よりも高い場合は、前記溶
媒の供給量を増加する ように前記溶媒供給手段を制御
し、 前記測定粘度が前記目標粘度よりも低い場合は、前記溶
媒の供給量を減少するように前記溶媒供給手段を制御す
ることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
の基板処理装置において、 前記混合手段は、前記原液と前記溶媒とを含む流体の進
行方向に沿って交互に配置され、該流体が通過するとき
の回転方向が相互に逆となる右エレメントと左エレメン
トとを備えることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21840196A JP3442934B2 (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 基板処理装置 |
| KR1019970035717A KR100279028B1 (ko) | 1996-08-20 | 1997-07-29 | 기판처리장치 및 방법 |
| US08/912,699 US6048400A (en) | 1996-08-20 | 1997-08-18 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21840196A JP3442934B2 (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064785A JPH1064785A (ja) | 1998-03-06 |
| JP3442934B2 true JP3442934B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=16719339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21840196A Ceased JP3442934B2 (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 基板処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6048400A (ja) |
| JP (1) | JP3442934B2 (ja) |
| KR (1) | KR100279028B1 (ja) |
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| KR100585448B1 (ko) * | 1999-04-08 | 2006-06-02 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 막 형성방법 및 막 형성장치 |
| JP3721016B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2005-11-30 | 宮崎沖電気株式会社 | レジスト処理装置 |
| US6740163B1 (en) * | 2001-06-15 | 2004-05-25 | Seagate Technology Llc | Photoresist recirculation and viscosity control for dip coating applications |
| US7371022B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-05-13 | Sokudo Co., Ltd. | Developer endpoint detection in a track lithography system |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| JP4923882B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2012-04-25 | 三菱化学エンジニアリング株式会社 | フォトレジスト供給装置およびフォトレジスト供給方法 |
| EP1959301A1 (de) * | 2007-02-14 | 2008-08-20 | Levitronix LLC | Vorrichtung und Verfahren zum Rotationsbeschichten |
| JP5069550B2 (ja) | 2007-05-17 | 2012-11-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 塗布装置 |
| KR100861096B1 (ko) * | 2007-08-02 | 2008-09-30 | 세메스 주식회사 | 약액 도포 장치 및 약액 토출 시간 보정 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4451507A (en) * | 1982-10-29 | 1984-05-29 | Rca Corporation | Automatic liquid dispensing apparatus for spinning surface of uniform thickness |
| US4753536A (en) * | 1987-03-09 | 1988-06-28 | Spehar Edward R | Dispensing mixer for the storage and mixing of separate materials |
| US5407267A (en) * | 1992-12-30 | 1995-04-18 | Nordson Corporation | Method and apparatus for forming and dispensing coating material containing multiple components |
| KR100340713B1 (ko) * | 1995-09-23 | 2002-11-02 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 웨이퍼백메탈식각장치 |
-
1996
- 1996-08-20 JP JP21840196A patent/JP3442934B2/ja not_active Ceased
-
1997
- 1997-07-29 KR KR1019970035717A patent/KR100279028B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-08-18 US US08/912,699 patent/US6048400A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100279028B1 (ko) | 2001-03-02 |
| US6048400A (en) | 2000-04-11 |
| JPH1064785A (ja) | 1998-03-06 |
| KR19980018227A (ko) | 1998-06-05 |
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|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |