JP3334139B2 - 研磨装置 - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板を研磨して平坦化
する研磨装置、特に半導体集積回路等の複雑な段差を有
する基板を均一性良く平坦化する研磨装置に関するもの
である。
する研磨装置、特に半導体集積回路等の複雑な段差を有
する基板を均一性良く平坦化する研磨装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細化、超高集積化に
伴い、例えばシリコン（Ｓｉ）半導体では回路基板の多
層化が進んでいる。従って、回路基板の多層化のためは
層間絶縁膜を中心とした平坦化技術が今後ますます重要
になってくると思われる。この平坦化技術は表１に示し
たように、種々の方法が知られている。
伴い、例えばシリコン（Ｓｉ）半導体では回路基板の多
層化が進んでいる。従って、回路基板の多層化のためは
層間絶縁膜を中心とした平坦化技術が今後ますます重要
になってくると思われる。この平坦化技術は表１に示し
たように、種々の方法が知られている。
【０００３】
【表１】
【０００４】ここでは、広く知られているＣＶＤ法によ
って絶縁膜を形成した後、上方から平坦にエッチングを
行なう（ＣＶＤ＋エッチバック）プロセスを例にとって
説明する。
って絶縁膜を形成した後、上方から平坦にエッチングを
行なう（ＣＶＤ＋エッチバック）プロセスを例にとって
説明する。
【０００５】このＣＶＤ＋エッチバックプロセスは、図
４に示すように、例えばアルミニウム（Ａｌ）配線１１
上にＳｉＯ2等の層間絶縁膜のＣＶＤ膜１２を厚くＡｌ
配線１１状態にならって積層した後、その上面にレジス
トあるいはＳＯＧ（スピンオングラス）等の平坦化用塗
布膜１３を塗布して平坦化し、塗布膜１３とＣＶＤ膜１
２のエッチレートを１：１と同一条件でブランケットエ
ッチバックを行い、平坦化用塗布膜１３の塗布後、平坦
化形状を層間絶縁膜１２の形状に平坦に反映するもので
ある。しかしながら、 １）プロセスが複雑である。 ２）平坦化用塗布膜１３と層間絶縁膜１２のエッチング
比率を１：１にすることは困難である。というのは、レ
ジスト１３と層間絶縁膜１２の面積比がエッチバックが
進むにつれて変化するため、マイクロローディング効果
によってそれぞれのエッチングレートが多少異なってく
るという理由からである。このことは図４でＡ１−Ａ２
とＢ１−Ｂ２の面がＣＶＤ膜１２を切って得られるそれ
ぞれの面積が変化することからも理解できる。
４に示すように、例えばアルミニウム（Ａｌ）配線１１
上にＳｉＯ2等の層間絶縁膜のＣＶＤ膜１２を厚くＡｌ
配線１１状態にならって積層した後、その上面にレジス
トあるいはＳＯＧ（スピンオングラス）等の平坦化用塗
布膜１３を塗布して平坦化し、塗布膜１３とＣＶＤ膜１
２のエッチレートを１：１と同一条件でブランケットエ
ッチバックを行い、平坦化用塗布膜１３の塗布後、平坦
化形状を層間絶縁膜１２の形状に平坦に反映するもので
ある。しかしながら、 １）プロセスが複雑である。 ２）平坦化用塗布膜１３と層間絶縁膜１２のエッチング
比率を１：１にすることは困難である。というのは、レ
ジスト１３と層間絶縁膜１２の面積比がエッチバックが
進むにつれて変化するため、マイクロローディング効果
によってそれぞれのエッチングレートが多少異なってく
るという理由からである。このことは図４でＡ１−Ａ２
とＢ１−Ｂ２の面がＣＶＤ膜１２を切って得られるそれ
ぞれの面積が変化することからも理解できる。
【０００６】そこで、上記１）と２）の欠点を克服する
ために研磨による平坦化技術が最近Ｓｉプロセスにも取
り入れられてきた。この平坦化技術としては、従来ウエ
ハー（Ｓｉ基板）の鏡面仕上げ、最近ではＳＯＩ（Ｓil
icon Ｏn Ｉnsulator）デバイスで用いられてきた技術
である。例えば、文献「“Ｔrench Ｉsolation by Ｓel
ective Ｅpi and ＣＶＤ Ｏxide Ｃap”Ｊ．Ｅlectroch
em ＳＯＣ，Ｖol.１３７ Ｎo.１２、１９９０年１２
月」に開示されたように、ＩＢＭでは層間絶縁膜の平坦
化の研究を報告している。この研究では一般的に図５に
示したように、Ａｌ配線１１上に破線１２で示すように
層間絶縁膜としてのＣＶＤ膜１２を厚く積み、研磨装置
で研磨（ポリッシュ）して研磨後のＣＶＤ膜１２ａのよ
うに平坦化するものである。
ために研磨による平坦化技術が最近Ｓｉプロセスにも取
り入れられてきた。この平坦化技術としては、従来ウエ
ハー（Ｓｉ基板）の鏡面仕上げ、最近ではＳＯＩ（Ｓil
icon Ｏn Ｉnsulator）デバイスで用いられてきた技術
である。例えば、文献「“Ｔrench Ｉsolation by Ｓel
ective Ｅpi and ＣＶＤ Ｏxide Ｃap”Ｊ．Ｅlectroch
em ＳＯＣ，Ｖol.１３７ Ｎo.１２、１９９０年１２
月」に開示されたように、ＩＢＭでは層間絶縁膜の平坦
化の研究を報告している。この研究では一般的に図５に
示したように、Ａｌ配線１１上に破線１２で示すように
層間絶縁膜としてのＣＶＤ膜１２を厚く積み、研磨装置
で研磨（ポリッシュ）して研磨後のＣＶＤ膜１２ａのよ
うに平坦化するものである。
【０００７】この研磨装置は図６に示すように、回転す
る研磨プレート回転軸４に支承され、表面に研磨パッド
９を備えた研磨プレート３上にウエハー（基板）５をセ
ットし、研磨剤（以下、スラリーという）２を、スラリ
ー供給口１を介してウエハー５の周辺から供給しながら
研磨する装置である。
る研磨プレート回転軸４に支承され、表面に研磨パッド
９を備えた研磨プレート３上にウエハー（基板）５をセ
ットし、研磨剤（以下、スラリーという）２を、スラリ
ー供給口１を介してウエハー５の周辺から供給しながら
研磨する装置である。
【０００８】図中、６はウエハー保持試料台、７はウエ
ハー支持台回転軸、８はウエハー５をパッド９へ押し付
けるための研磨圧力調整機構であり、１０はスラリー２
を研磨パッド９上に供給するスラリー供給系である。
ハー支持台回転軸、８はウエハー５をパッド９へ押し付
けるための研磨圧力調整機構であり、１０はスラリー２
を研磨パッド９上に供給するスラリー供給系である。
【０００９】上記従来の研磨装置を用いてウエハーを研
磨すると、図７（ａ）および図９に示すようにウエハー
中心よりもウエハー周辺でより研磨がなされるというウ
エハー内の研磨速度に分布をもつことが見出された。特
に、図９からウエハーの研磨パッドへの接触圧力が小さ
い程その傾向がわかる。この原因は、上記研磨装置では
一般的に図６に示したようにウエハー周辺からスラリー
を供給するために、ウエハー中心までスラリーが充分に
行き亘らないことに起因することがわかった。
磨すると、図７（ａ）および図９に示すようにウエハー
中心よりもウエハー周辺でより研磨がなされるというウ
エハー内の研磨速度に分布をもつことが見出された。特
に、図９からウエハーの研磨パッドへの接触圧力が小さ
い程その傾向がわかる。この原因は、上記研磨装置では
一般的に図６に示したようにウエハー周辺からスラリー
を供給するために、ウエハー中心までスラリーが充分に
行き亘らないことに起因することがわかった。
【００１０】そこで、上記装置の欠点を解消するため、
下記のような２つの研磨装置が提案された。第１の例と
しては、実開昭６３−７５４号に開示された研磨装置で
ある。この研磨装置は図８に示されているように、スラ
リー系供給系１０から出たスラリー２を、研磨プレート
３とウエハー研磨パッド９に同心円状に穿った複数の小
孔（スラリー供給口）１を通して、ウエハー（図示せ
ず）の表面にほぼ均等に供給しながら、その表面を研磨
することによって研磨速度を一定にして研磨の均一性を
向上させたものである。
下記のような２つの研磨装置が提案された。第１の例と
しては、実開昭６３−７５４号に開示された研磨装置で
ある。この研磨装置は図８に示されているように、スラ
リー系供給系１０から出たスラリー２を、研磨プレート
３とウエハー研磨パッド９に同心円状に穿った複数の小
孔（スラリー供給口）１を通して、ウエハー（図示せ
ず）の表面にほぼ均等に供給しながら、その表面を研磨
することによって研磨速度を一定にして研磨の均一性を
向上させたものである。
【００１１】第２の例としては、すでに本出願人が提案
した装置で特開平２−１００３２１号に開示されている
ように、上記ウエハー研磨パッド９を多孔質で連続孔を
有する材料で形成し、上記第１の例と同じウエハー面の
研磨の均一性を向上させる装置であった。
した装置で特開平２−１００３２１号に開示されている
ように、上記ウエハー研磨パッド９を多孔質で連続孔を
有する材料で形成し、上記第１の例と同じウエハー面の
研磨の均一性を向上させる装置であった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記第１、第２の提案
例は、ウエハー外周のみからしかスラリーが供給されな
い従来の研磨装置と比較すると、ウエハー面に直接スラ
リーが供給されるような構造となったため、ウエハー内
の研磨の均一性は改善例の図７（ｂ）に示すように、ウ
エハー研磨の分布が図７（ａ）の凸レンズ状と異なり、
ほぼ一定に改善されている。
例は、ウエハー外周のみからしかスラリーが供給されな
い従来の研磨装置と比較すると、ウエハー面に直接スラ
リーが供給されるような構造となったため、ウエハー内
の研磨の均一性は改善例の図７（ｂ）に示すように、ウ
エハー研磨の分布が図７（ａ）の凸レンズ状と異なり、
ほぼ一定に改善されている。
【００１３】しかしながら、近年、ウエハーの直径が大
口径となるにつれて、ウエハー５が研磨プレート３上の
研磨パッド９に押し付けられる圧力はウエハー周辺に比
べて中心の方が大きくなり、しかもスラリー量がウエハ
ー面に直接均一に供給されるタイプでは研磨後の断面形
状が従来の凸レンズ状から凹レンズ状になることも予想
される。また、それに到らなくとも充分な研磨均一性が
得られない可能性がある。
口径となるにつれて、ウエハー５が研磨プレート３上の
研磨パッド９に押し付けられる圧力はウエハー周辺に比
べて中心の方が大きくなり、しかもスラリー量がウエハ
ー面に直接均一に供給されるタイプでは研磨後の断面形
状が従来の凸レンズ状から凹レンズ状になることも予想
される。また、それに到らなくとも充分な研磨均一性が
得られない可能性がある。
【００１４】本発明は、ウエハー表面の研磨がより均一
になされる研磨装置を提供することを目的とする。
になされる研磨装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を本発明によれ
ば、表面に研磨パッドを備えた研磨プレートと、前記研
磨パッドの表面に対向し、且つ被研磨基板を前記研磨パ
ッドに押圧するよう支持する基板支持台と、前記研磨パ
ッドに開口され、前記被研磨基板を研磨するための研磨
剤を前記研磨パッドの表面に供給するための複数の研磨
剤供給口とを具備し、前記研磨パッドにおいて、前記基
板支持板に支持される被研磨基板に対して、前記研磨剤
供給口が被研磨基板の中心部ほど疎に、被研磨基板の周
辺部ぼど密となるように構成したことを特徴とする研磨
装置によって解決される。上記課題を本発明によれば、
表面に研磨パッドを備えた研磨プレートと、前記研磨パ
ッドの表面に対向し、且つ被研磨基板を前記研磨パッド
に押圧するよう支持する基板支持台と、前記研磨パッド
に開口され、前記被研磨基板を研磨するための研磨剤を
前記研磨パッドの表面に供給するための複数の研磨剤供
給口とを具備し、前記研磨パッドにおいて、前記基板支
持板に支持される被研磨基板に対して、前記研磨剤供給
口の直径を被研磨基板の中心部ほど小さく、被研磨基板
の周辺部ほど大きくなるように構成したことを特徴とす
る研磨装置によって解決される。上記課題を本発明によ
れば、表面に研磨パッドを備えた研磨プレートと、前記
研磨パッドの表面に対向し、且つ被研磨基板を前記研磨
パッドに押圧するよう支持する基板支持台と、前記研磨
パッドに開口され、前記被研磨基板を研磨するための研
磨剤を前記研磨パッドの表面に供給するための複数の研
磨剤供給口と、前記複数の研磨剤供給口への前記研磨剤
の供給量をそれぞれ調節するための研磨剤供給量調節手
段とを具備し、前記研磨剤供給量調節手段により前記基
板支持板に支持される被研磨基板の表面の所定位置にお
ける研磨剤の供給量をコントロール可能にしたことを特
徴とする研磨装置によって解決される。
ば、表面に研磨パッドを備えた研磨プレートと、前記研
磨パッドの表面に対向し、且つ被研磨基板を前記研磨パ
ッドに押圧するよう支持する基板支持台と、前記研磨パ
ッドに開口され、前記被研磨基板を研磨するための研磨
剤を前記研磨パッドの表面に供給するための複数の研磨
剤供給口とを具備し、前記研磨パッドにおいて、前記基
板支持板に支持される被研磨基板に対して、前記研磨剤
供給口が被研磨基板の中心部ほど疎に、被研磨基板の周
辺部ぼど密となるように構成したことを特徴とする研磨
装置によって解決される。上記課題を本発明によれば、
表面に研磨パッドを備えた研磨プレートと、前記研磨パ
ッドの表面に対向し、且つ被研磨基板を前記研磨パッド
に押圧するよう支持する基板支持台と、前記研磨パッド
に開口され、前記被研磨基板を研磨するための研磨剤を
前記研磨パッドの表面に供給するための複数の研磨剤供
給口とを具備し、前記研磨パッドにおいて、前記基板支
持板に支持される被研磨基板に対して、前記研磨剤供給
口の直径を被研磨基板の中心部ほど小さく、被研磨基板
の周辺部ほど大きくなるように構成したことを特徴とす
る研磨装置によって解決される。上記課題を本発明によ
れば、表面に研磨パッドを備えた研磨プレートと、前記
研磨パッドの表面に対向し、且つ被研磨基板を前記研磨
パッドに押圧するよう支持する基板支持台と、前記研磨
パッドに開口され、前記被研磨基板を研磨するための研
磨剤を前記研磨パッドの表面に供給するための複数の研
磨剤供給口と、前記複数の研磨剤供給口への前記研磨剤
の供給量をそれぞれ調節するための研磨剤供給量調節手
段とを具備し、前記研磨剤供給量調節手段により前記基
板支持板に支持される被研磨基板の表面の所定位置にお
ける研磨剤の供給量をコントロール可能にしたことを特
徴とする研磨装置によって解決される。
【００１６】
【作用】本発明によれば、被研磨基板５に接触される研
磨パッド９の表面への研磨剤２の供給量がそのパッド表
面の所定位置でコントロール可能になっており、従っ
て、研磨パッド９の表面に接触されて研磨される被研磨
基板５がその面内で研磨剤２の供給量がコントロール可
能となっているため、研磨速度が基板表面の中心でもま
た周辺でも均一化がなされ、基板研磨の均一性が飛躍的
に向上する。
磨パッド９の表面への研磨剤２の供給量がそのパッド表
面の所定位置でコントロール可能になっており、従っ
て、研磨パッド９の表面に接触されて研磨される被研磨
基板５がその面内で研磨剤２の供給量がコントロール可
能となっているため、研磨速度が基板表面の中心でもま
た周辺でも均一化がなされ、基板研磨の均一性が飛躍的
に向上する。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１８】図１（ａ）および図１（ｂ）は、本発明の
第１の実施例を示す概略平面図および図１（ａ）のＰＰ
断面図である。本発明の実施例は、研磨プレート部のみ
を示しており、図１（ａ），（ｂ）に示した符号は図６
と同様にした。
第１の実施例を示す概略平面図および図１（ａ）のＰＰ
断面図である。本発明の実施例は、研磨プレート部のみ
を示しており、図１（ａ），（ｂ）に示した符号は図６
と同様にした。
【００１９】第１実施例は図１（ａ）および図１（ｂ）
に示すように、スラリーの供給は図８に示した装置と同
様に研磨プレート３内を介してなされるが、特にスラリ
ーの供給口１の配置は研磨プレート３の中心部、すなわ
ち被研磨基板であるウエハーの中心部Ａほど粗に構成
し、ウエハーの周辺部Ｂほど密に構成した。
に示すように、スラリーの供給は図８に示した装置と同
様に研磨プレート３内を介してなされるが、特にスラリ
ーの供給口１の配置は研磨プレート３の中心部、すなわ
ち被研磨基板であるウエハーの中心部Ａほど粗に構成
し、ウエハーの周辺部Ｂほど密に構成した。
【００２０】本研磨装置を用いて以下の条件でウエハー
上にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2の研磨を行なった。
上にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2の研磨を行なった。
【００２１】 研磨プレート３の回転数：３７ｒｐｍ ウエハー支持台回転数：１７ｒｐｍ 研磨圧力：８ｐｓｉ スラリー流量：２２５ｍｌ／ｍｉｎ 研磨パッド温度：９０℃ この結果、ＳｉＯ2研磨速度の均一化が図られ、ウエハ
ー研磨後の断面形状が凹レンズ状になることを抑制でき
た。
ー研磨後の断面形状が凹レンズ状になることを抑制でき
た。
【００２２】次に、第２の実施例を図１と同様に図２
（ａ）および図２（ｂ）で示す。本第２実施例は研磨プ
レートに設けたスラリー供給口１の直径をウエハーの中
心部では小さく、周辺部では大きくなるように構成した
研磨装置である。
（ａ）および図２（ｂ）で示す。本第２実施例は研磨プ
レートに設けたスラリー供給口１の直径をウエハーの中
心部では小さく、周辺部では大きくなるように構成した
研磨装置である。
【００２３】このようにスラリー供給口を構成した研磨
装置を用いて上記第１実施例と同じ条件でウエハー上に
ＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2の研磨を行なった。
装置を用いて上記第１実施例と同じ条件でウエハー上に
ＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2の研磨を行なった。
【００２４】この結果、第１実施例と同様にＳｉＯ2研
磨速度の均一化が図られ、ウエハー研磨後の断面形状が
凹レンズ状になることを抑制できた。
磨速度の均一化が図られ、ウエハー研磨後の断面形状が
凹レンズ状になることを抑制できた。
【００２５】次に、第３の実施例を図１と同様に図３
（ａ）および図３（ｂ）で示す。本第３実施例は図３
（ａ）および図３（ｂ）で示されるように研磨プレート
３内を介して供給されるスラリーの供給量をコントロー
ルする機構１０を複数設けた構成とし、ウエハー中心に
対するスラリー供給量を調整可能とした研磨装置であ
る。従って、本装置ではスラリーの供給をウエハー中心
に対しては少なく、ウエハー周辺に対しては多く供給す
ることができる。
（ａ）および図３（ｂ）で示す。本第３実施例は図３
（ａ）および図３（ｂ）で示されるように研磨プレート
３内を介して供給されるスラリーの供給量をコントロー
ルする機構１０を複数設けた構成とし、ウエハー中心に
対するスラリー供給量を調整可能とした研磨装置であ
る。従って、本装置ではスラリーの供給をウエハー中心
に対しては少なく、ウエハー周辺に対しては多く供給す
ることができる。
【００２６】このように、スラリー供給量をコントロー
ルする機構を有する研磨剤供給量調節手段であるスラリ
ー供給系１０を具備した本研磨装置を用いて、上記実施
例と同じ条件でウエハー上にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ
2の研磨を行なった。この結果、第１実施例と同様に、
ＳｉＯ2研磨速度の均一化が図られ、ウエハー研磨後の
断面形状が凹レンズ状になることを抑制できた。
ルする機構を有する研磨剤供給量調節手段であるスラリ
ー供給系１０を具備した本研磨装置を用いて、上記実施
例と同じ条件でウエハー上にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ
2の研磨を行なった。この結果、第１実施例と同様に、
ＳｉＯ2研磨速度の均一化が図られ、ウエハー研磨後の
断面形状が凹レンズ状になることを抑制できた。
【００２７】以上、第１〜第３の実施例では、研磨圧力
がウエハー中心程高くなり、研磨後の形状が凹レンズ状
になることを防止する実施例として説明した。
がウエハー中心程高くなり、研磨後の形状が凹レンズ状
になることを防止する実施例として説明した。
【００２８】しかしながら、本発明は、上記研磨後の形
状の凹レンズ状を防止する例のみならず、研磨後の形状
の凸レンズの防止をも可能となるようにウエハー面内に
わたってスラリー供給量をコントロールして、研磨の均
一性を高めることもできる。
状の凹レンズ状を防止する例のみならず、研磨後の形状
の凸レンズの防止をも可能となるようにウエハー面内に
わたってスラリー供給量をコントロールして、研磨の均
一性を高めることもできる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
研磨量を均一にするようにウエハー中心からウエハー周
辺まで適当量のスラリーを供給できるので、ウエハー全
体にわたり均一な研磨速度が得られ、したがって高精度
な加工ができ、高品質の半導体集積回路を製造すること
ができる。
研磨量を均一にするようにウエハー中心からウエハー周
辺まで適当量のスラリーを供給できるので、ウエハー全
体にわたり均一な研磨速度が得られ、したがって高精度
な加工ができ、高品質の半導体集積回路を製造すること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図４】従来の平坦化技術であるレジスト＋エッチバッ
クの問題点を示す断面図である。
クの問題点を示す断面図である。
【図５】研磨（ポリッシング）による平坦化を示す断面
図である。
図である。
【図６】従来の研磨装置の一例を示す概略図である。
【図７】研磨後のウエハー表面形状を示す図である。
【図８】従来の研磨装置の他の一例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図９】スラリーがウエハー外周からのみ供給される従
来装置を用いた場合の研磨量とウエハー上の研磨位置の
関係を示すグラフである。
来装置を用いた場合の研磨量とウエハー上の研磨位置の
関係を示すグラフである。
１ スラリー（研磨剤）供給口 ２ スラリー（研磨剤） ３ 研磨プレート（プラテン） ４ 研磨プレート回転軸 ５ ウエハー（被研磨基板） ６ ウエハー支持台 ７ ウエハー支持台回転軸 ８ 研磨圧力調整機構 ９ 研磨パッド １０ スラリー供給系 １１ アルミニウム（Ａｌ）配線 １２ ＣＶＤ膜 １３ 平坦化用レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B24B 37/04 B24B 57/02
Claims (3)
- 【請求項１】 表面に研磨パッドを備えた研磨プレート
と、 前記研磨パッドの表面に対向し、且つ被研磨基板を前記
研磨パッドに押圧するよう支持する基板支持台と、前記研磨パッドに開口され、 前記被研磨基板を研磨する
ための研磨剤を前記研磨パッドの表面に供給するための
複数の研磨剤供給口とを具備し、 前記研磨パッドにおいて、前記基板支持板に支持される
被研磨基板に対して、前記研磨剤供給口が被研磨基板の
中心部ほど疎に、被研磨基板の周辺部ぼど密となるよう
に構成したことを特徴とする研磨装置。 - 【請求項２】 表面に研磨パッドを備えた研磨プレート
と、 前記研磨パッドの表面に対向し、且つ被研磨基板を前記
研磨パッドに押圧するよう支持する基板支持台と、前記研磨パッドに開口され、 前記被研磨基板を研磨する
ための研磨剤を前記研磨パッドの表面に供給するための
複数の研磨剤供給口とを具備し、 前記研磨パッドにおいて、前記基板支持板に支持される
被研磨基板に対して、前記研磨剤供給口の直径を被研磨
基板の中心部ほど小さく、被研磨基板の周辺部ほど大き
くなるように構成したことを特徴とする研磨装置。 - 【請求項３】 表面に研磨パッドを備えた研磨プレート
と、 前記研磨パッドの表面に対向し、且つ被研磨基板を前記
研磨パッドに押圧するよう支持する基板支持台と、前記研磨パッドに開口され、 前記被研磨基板を研磨する
ための研磨剤を前記研磨パッドの表面に供給するための
複数の研磨剤供給口と、前記 複数の研磨剤供給口への前記研磨剤の供給量をそれ
ぞれ調節するための研磨剤供給量調節手段とを具備し、 前記研磨剤供給量調節手段により前記基板支持板に支持
される被研磨基板の表面の所定位置における研磨剤の供
給量をコントロール可能にしたことを特徴とする研磨装
置。
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ID=15720192
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