JP3333712B2 - 流量検出素子およびそれを用いた流量センサ - Google Patents
流量検出素子およびそれを用いた流量センサInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば内燃機関
の吸入空気量を計測する流量検出素子および流量センサ
に関し、特に発熱体を備え、該発熱体あるいは発熱体に
よって加熱された部分から、流体への熱伝達現象に基づ
いて流体の流速あるいは流量を計測する流量検出素子お
よび流量センサに関する。
の吸入空気量を計測する流量検出素子および流量センサ
に関し、特に発熱体を備え、該発熱体あるいは発熱体に
よって加熱された部分から、流体への熱伝達現象に基づ
いて流体の流速あるいは流量を計測する流量検出素子お
よび流量センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２２および図２３はそれぞれ例えば特
公平５−７６５９号公報に記載された従来の感熱式流量
検出素子を示す断面図および平面図である。各図におい
て、絶縁性の支持膜２が平板状基板１の一面上に形成さ
れている。そして、格子状の発熱抵抗素子４が支持膜２
上に形成されている。また、格子状の測温抵抗素子５、
６が発熱抵抗素子４を挟んで対称に支持膜２上に形成さ
れている。さらに、絶縁性の保護膜３が発熱抵抗素子４
および一対の測温抵抗素子５、６を覆うように支持膜２
上に形成されている。ここで、発熱抵抗素子４および一
対の測温抵抗素子５、６が支持膜２と保護膜３とにより
包まれてセンサ部１４を構成している。また、空気スペ
ース９が平板状基板１のセンサ部１４の下部に設けられ
ている。この空気スペース９は、支持膜２および保護膜
３を痛めないエッチング液を用いて開口部８から平板状
基板１の一部を除去して形成されている。そこで、セン
サ部１４はその両端が平板状基板１に保持されてブリッ
ジを構成し、平板状基板１と非接触状態となっている。
また、格子状の比較抵抗素子７がセンサ部１４から離れ
た位置の支持膜２上に形成され、その上から保護膜３が
被覆されている。
公平５−７６５９号公報に記載された従来の感熱式流量
検出素子を示す断面図および平面図である。各図におい
て、絶縁性の支持膜２が平板状基板１の一面上に形成さ
れている。そして、格子状の発熱抵抗素子４が支持膜２
上に形成されている。また、格子状の測温抵抗素子５、
６が発熱抵抗素子４を挟んで対称に支持膜２上に形成さ
れている。さらに、絶縁性の保護膜３が発熱抵抗素子４
および一対の測温抵抗素子５、６を覆うように支持膜２
上に形成されている。ここで、発熱抵抗素子４および一
対の測温抵抗素子５、６が支持膜２と保護膜３とにより
包まれてセンサ部１４を構成している。また、空気スペ
ース９が平板状基板１のセンサ部１４の下部に設けられ
ている。この空気スペース９は、支持膜２および保護膜
３を痛めないエッチング液を用いて開口部８から平板状
基板１の一部を除去して形成されている。そこで、セン
サ部１４はその両端が平板状基板１に保持されてブリッ
ジを構成し、平板状基板１と非接触状態となっている。
また、格子状の比較抵抗素子７がセンサ部１４から離れ
た位置の支持膜２上に形成され、その上から保護膜３が
被覆されている。
【０００３】ここで、平板状基板１としては、半導体、
その中でも特に精密なエッチング技術を応用できる点
と、チップの生産性の高いシリコンが用いられる。ま
た、支持膜２および保護膜３としては、非常に優れた熱
的絶縁体である窒化シリコンが用いられる。さらに、発
熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および比較抵抗素子
７としては、白金が用いられる。
その中でも特に精密なエッチング技術を応用できる点
と、チップの生産性の高いシリコンが用いられる。ま
た、支持膜２および保護膜３としては、非常に優れた熱
的絶縁体である窒化シリコンが用いられる。さらに、発
熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および比較抵抗素子
７としては、白金が用いられる。
【０００４】このように構成された従来の流量検出素子
では、発熱抵抗素子４の温度が比較抵抗素子７で検出さ
れた平板状基板１の温度に対して２００℃高い温度に維
持されるように、発熱抵抗素子４に通電する加熱電流が
図示しない制御回路によって制御されている。なお、セ
ンサ部１４の下部には空気スペース９があるために、発
熱抵抗素子４で発生した熱は比較抵抗素子７まで伝導し
ない。そこで、比較抵抗素子７で検出される温度はほぼ
空気温度と等しくなっている。発熱抵抗素子４で発生し
た熱は、支持膜３および保護膜４の膜中を伝導して測温
抵抗素子５、６に伝達される。さらには、該熱は、セン
サ部１４を取り巻く空気を介して測温抵抗素子５、６に
伝達される。そこで、センサ部１４は図２３に示される
ように発熱抵抗素子４の中心に対して対称に構成されて
いるので、空気の流れがない場合には、一対の測温抵抗
素子５、６の温度間に差が生じない。また、空気の流れ
がある場合には、上流側の測温抵抗素子は冷却され、下
流側の測温抵抗素子は上流側から空気によって伝達され
た熱によって加熱され、上流側の測温抵抗素子ほど冷却
されない。例えば、図２３に矢印１０で示される方向に
気流が生じていると、測温抵抗素子６の温度は測温抵抗
素子５の温度に比べて高くなる。そして、流速が大きく
なるほど、両者の温度差は拡大される。測温抵抗素子
５、６の温度は抵抗値で表されるので、測温抵抗素子
５、６の抵抗値の差を検出することにより、流速を測定
することができる。また、気流の流れが矢印１０と逆方
向となれば、測温抵抗素子６の温度は測温抵抗素子５の
温度に比べて低くなることから、流体の流れ方向をも検
出することができる。
では、発熱抵抗素子４の温度が比較抵抗素子７で検出さ
れた平板状基板１の温度に対して２００℃高い温度に維
持されるように、発熱抵抗素子４に通電する加熱電流が
図示しない制御回路によって制御されている。なお、セ
ンサ部１４の下部には空気スペース９があるために、発
熱抵抗素子４で発生した熱は比較抵抗素子７まで伝導し
ない。そこで、比較抵抗素子７で検出される温度はほぼ
空気温度と等しくなっている。発熱抵抗素子４で発生し
た熱は、支持膜３および保護膜４の膜中を伝導して測温
抵抗素子５、６に伝達される。さらには、該熱は、セン
サ部１４を取り巻く空気を介して測温抵抗素子５、６に
伝達される。そこで、センサ部１４は図２３に示される
ように発熱抵抗素子４の中心に対して対称に構成されて
いるので、空気の流れがない場合には、一対の測温抵抗
素子５、６の温度間に差が生じない。また、空気の流れ
がある場合には、上流側の測温抵抗素子は冷却され、下
流側の測温抵抗素子は上流側から空気によって伝達され
た熱によって加熱され、上流側の測温抵抗素子ほど冷却
されない。例えば、図２３に矢印１０で示される方向に
気流が生じていると、測温抵抗素子６の温度は測温抵抗
素子５の温度に比べて高くなる。そして、流速が大きく
なるほど、両者の温度差は拡大される。測温抵抗素子
５、６の温度は抵抗値で表されるので、測温抵抗素子
５、６の抵抗値の差を検出することにより、流速を測定
することができる。また、気流の流れが矢印１０と逆方
向となれば、測温抵抗素子６の温度は測温抵抗素子５の
温度に比べて低くなることから、流体の流れ方向をも検
出することができる。
【０００５】ここで、図２２および図２３に示した従来
の感熱式流量検出素子はブリッジタイプであるが、感熱
式流量検出素子には他にダイヤフラムタイプがある。こ
の従来のダイヤフラムタイプの感熱式流量検出素子とし
ては、図２４および図２５に示されるものがある。この
ダイヤフラムタイプの感熱式流量検出素子においては、
センサ部１４が形成された面と反対の面から平板状基板
１の一部をエッチング等により除去して凹部１３を形成
している。そこで、センサ部１４はその外周部が全周に
わたって平板状基板１に保持されてダイヤフラムを構成
し、平板状基板１と非接触状態となっている。このダイ
ヤフラムタイプの感熱式流量検出素子は、平板状基板１
に全周で支持されているので、ブリッジタイプの感熱式
流量検出素子に比べて、高い強度が得られる反面、応答
性の点で劣ることになる。なお、流体の流速検出の原理
はブリッジタイプと同様である。
の感熱式流量検出素子はブリッジタイプであるが、感熱
式流量検出素子には他にダイヤフラムタイプがある。こ
の従来のダイヤフラムタイプの感熱式流量検出素子とし
ては、図２４および図２５に示されるものがある。この
ダイヤフラムタイプの感熱式流量検出素子においては、
センサ部１４が形成された面と反対の面から平板状基板
１の一部をエッチング等により除去して凹部１３を形成
している。そこで、センサ部１４はその外周部が全周に
わたって平板状基板１に保持されてダイヤフラムを構成
し、平板状基板１と非接触状態となっている。このダイ
ヤフラムタイプの感熱式流量検出素子は、平板状基板１
に全周で支持されているので、ブリッジタイプの感熱式
流量検出素子に比べて、高い強度が得られる反面、応答
性の点で劣ることになる。なお、流体の流速検出の原理
はブリッジタイプと同様である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の感熱式流量検出
素子は以上のように構成されているので、計測流体の流
量や流速が変化した場合、発熱抵抗素子４や測温抵抗素
子５、６の温度は、支持膜２、保護膜３および各抵抗素
子４、５、６の熱伝導率と熱容量とで決まる遅れを生じ
てしまう。そして、発熱抵抗素子４は温度制御されてい
るが、発熱抵抗素子４の両側にある測温抵抗素子５、６
は温度制御されてないので、その温度変化が計測流体の
正確な流量や流速を検出できる所定の温度となるまでに
時間を要することになる。従って、計測流体の流量や流
速が常に変化し続けるような場合には、測温抵抗素子
５、６が瞬時の流量や流速を正確に示す温度になること
はない。また、計測流体の速度の時間当たりの変化が大
きい程、正確な瞬時流量や流速を検出することが困難と
なる。即ち、流量検出素子としての応答性が悪いことに
なる。支持膜２や保護膜３あるいは各抵抗素子４、５、
６の厚さを薄くすることは、このような不具合を解決す
る方向に作用するが、ブリッジ構造あるいはダイヤフラ
ム構造のセンサ部１４の強度が著しく低下してしまい、
流量検出素子としての信頼性が低下するという課題が生
じてしまう。例えば、内燃機関の吸入空気量を計測する
場合、該吸入空気量は回転数に応じた脈動流となり、特
に高負荷域においては、流量変動幅が非常に大きく、ま
た高回転域においては、流量変動の速度が速いため、応
答性の良い流量検出素子が求められる。さらに、吸入空
気の最大流速が２００ｍ／ｓ近くに達することから、所
定の強度を有する流量検出素子が求められる。このよう
に、従来の感熱式流量検出素子は、応答性を向上させる
ためには強度を落とされねばならず、内燃機関の吸入空
気量の計測に適した設計が非常に困難であったという課
題があった。
素子は以上のように構成されているので、計測流体の流
量や流速が変化した場合、発熱抵抗素子４や測温抵抗素
子５、６の温度は、支持膜２、保護膜３および各抵抗素
子４、５、６の熱伝導率と熱容量とで決まる遅れを生じ
てしまう。そして、発熱抵抗素子４は温度制御されてい
るが、発熱抵抗素子４の両側にある測温抵抗素子５、６
は温度制御されてないので、その温度変化が計測流体の
正確な流量や流速を検出できる所定の温度となるまでに
時間を要することになる。従って、計測流体の流量や流
速が常に変化し続けるような場合には、測温抵抗素子
５、６が瞬時の流量や流速を正確に示す温度になること
はない。また、計測流体の速度の時間当たりの変化が大
きい程、正確な瞬時流量や流速を検出することが困難と
なる。即ち、流量検出素子としての応答性が悪いことに
なる。支持膜２や保護膜３あるいは各抵抗素子４、５、
６の厚さを薄くすることは、このような不具合を解決す
る方向に作用するが、ブリッジ構造あるいはダイヤフラ
ム構造のセンサ部１４の強度が著しく低下してしまい、
流量検出素子としての信頼性が低下するという課題が生
じてしまう。例えば、内燃機関の吸入空気量を計測する
場合、該吸入空気量は回転数に応じた脈動流となり、特
に高負荷域においては、流量変動幅が非常に大きく、ま
た高回転域においては、流量変動の速度が速いため、応
答性の良い流量検出素子が求められる。さらに、吸入空
気の最大流速が２００ｍ／ｓ近くに達することから、所
定の強度を有する流量検出素子が求められる。このよう
に、従来の感熱式流量検出素子は、応答性を向上させる
ためには強度を落とされねばならず、内燃機関の吸入空
気量の計測に適した設計が非常に困難であったという課
題があった。
【０００７】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、支持膜や保護膜の厚みを薄くす
ることなく、即ち強度を低下させることなく応答性を向
上できる流量検出素子およびそれを用いた流量センサを
得ることを目的とする。
ためになされたもので、支持膜や保護膜の厚みを薄くす
ることなく、即ち強度を低下させることなく応答性を向
上できる流量検出素子およびそれを用いた流量センサを
得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る流量検出
素子は、少なくとも一面側を開口とする空隙が設けられ
た平板状基板と、発熱抵抗素子とこの発熱抵抗素子の両
側に配置された一対の測温抵抗素子とが絶縁性の支持膜
と絶縁性の保護膜とにより上下から包まれて構成され、
上記平板状基板の一面側の表面に対してほぼ平行となる
平面上に配置されるとともに、上記空隙上に位置するよ
うに、少なくとも該支持膜の一端が上記平板状基板に保
持されて、その大部分が上記平板状基板と非接触状態に
配置されるセンサ部とを備えた流量検出素子において、
上記支持膜および上記保護膜の少なくとも一方より高い
熱伝導率を有する薄膜の熱伝導促進部材が、上記センサ
部の上記発熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との間
の熱伝導経路に配設されているものである。
素子は、少なくとも一面側を開口とする空隙が設けられ
た平板状基板と、発熱抵抗素子とこの発熱抵抗素子の両
側に配置された一対の測温抵抗素子とが絶縁性の支持膜
と絶縁性の保護膜とにより上下から包まれて構成され、
上記平板状基板の一面側の表面に対してほぼ平行となる
平面上に配置されるとともに、上記空隙上に位置するよ
うに、少なくとも該支持膜の一端が上記平板状基板に保
持されて、その大部分が上記平板状基板と非接触状態に
配置されるセンサ部とを備えた流量検出素子において、
上記支持膜および上記保護膜の少なくとも一方より高い
熱伝導率を有する薄膜の熱伝導促進部材が、上記センサ
部の上記発熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との間
の熱伝導経路に配設されているものである。
【０００９】また、熱伝導促進部材が、支持膜上の発熱
抵抗素子と一対の測温抵抗素子とのそれぞれの間に、上
記発熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との配列方向
と直交する方向に延設されているものである。
抵抗素子と一対の測温抵抗素子とのそれぞれの間に、上
記発熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との配列方向
と直交する方向に延設されているものである。
【００１０】また、熱伝導促進部材が、支持膜より高い
熱伝導率を有するとともに絶縁性を有する材料からな
り、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子の配置領域
の下部に位置し、かつ、上記発熱抵抗素子および一対の
測温抵抗素子に接触するように上記支持膜の表面上に設
けられているものである。
熱伝導率を有するとともに絶縁性を有する材料からな
り、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子の配置領域
の下部に位置し、かつ、上記発熱抵抗素子および一対の
測温抵抗素子に接触するように上記支持膜の表面上に設
けられているものである。
【００１１】また、熱伝導促進部材が、支持膜の表面と
同じ面位置となるように上記支持膜に埋設されているも
のである。
同じ面位置となるように上記支持膜に埋設されているも
のである。
【００１２】また、熱伝導促進部材が、支持膜より高い
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の下部に位置し、かつ、上
記発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と接触しない
ように、上記支持膜中に埋設されているものである。
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の下部に位置し、かつ、上
記発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と接触しない
ように、上記支持膜中に埋設されているものである。
【００１３】また、熱伝導促進部材を埋設している部位
の支持膜厚みが、上記熱伝導促進部材を埋設していない
部位の支持膜厚みより上記熱伝導促進部材の厚み分薄く
形成されて、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と
接触する側の支持膜表面を平滑な表面に構成しているも
のである。
の支持膜厚みが、上記熱伝導促進部材を埋設していない
部位の支持膜厚みより上記熱伝導促進部材の厚み分薄く
形成されて、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と
接触する側の支持膜表面を平滑な表面に構成しているも
のである。
【００１４】また、熱伝導促進部材が、支持膜より高い
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の下部に位置するように、
空隙側の上記支持膜の表面上に設けられているものであ
る。
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の下部に位置するように、
空隙側の上記支持膜の表面上に設けられているものであ
る。
【００１５】また、熱伝導促進部材が、保護膜より高い
熱伝導率を有するとともに絶縁性を有する材料からな
り、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子の配置領域
の上部に位置し、かつ、上記発熱抵抗素子および一対の
測温抵抗素子に接触するように上記保護膜の下側表面に
設けられているものである。
熱伝導率を有するとともに絶縁性を有する材料からな
り、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子の配置領域
の上部に位置し、かつ、上記発熱抵抗素子および一対の
測温抵抗素子に接触するように上記保護膜の下側表面に
設けられているものである。
【００１６】また、熱伝導促進部材が、保護膜より高い
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の上部に位置し、かつ、上
記発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と接触しない
ように、上記保護膜中に埋設されているものである。
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の上部に位置し、かつ、上
記発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と接触しない
ように、上記保護膜中に埋設されているものである。
【００１７】また、熱伝導促進部材が、保護膜より高い
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の上部に位置するように、
上記保護膜の上側表面上に設けられているものである。
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の上部に位置するように、
上記保護膜の上側表面上に設けられているものである。
【００１８】また、熱伝導促進部材が設けられている部
位の保護膜厚みが、上記熱伝導促進部材が設けられてい
ない部位の保護膜厚みより上記熱伝導促進部材の厚み分
薄く形成されて、上記保護膜の上側表面を平滑な表面に
構成しているものである。
位の保護膜厚みが、上記熱伝導促進部材が設けられてい
ない部位の保護膜厚みより上記熱伝導促進部材の厚み分
薄く形成されて、上記保護膜の上側表面を平滑な表面に
構成しているものである。
【００１９】また、この発明の流量センサは、筒状をな
し、その軸方向を計測流体の流れ方向にほぼ一致させて
該計測流体の通路内に配置される計測用管路と、少なく
とも一面側を開口とする空隙が設けられた平板状基板
と、発熱抵抗素子とこの発熱抵抗素子の両側に配置され
た一対の測温抵抗素子とが絶縁性の支持膜と絶縁性の保
護膜とにより上下から包まれて構成され、上記平板状基
板の一面側の表面に対してほぼ平行となる平面上に配置
されるとともに、上記空隙上に位置するように、少なく
とも該支持膜の一端が上記平板状基板に保持されて、そ
の大部分が上記平板状基板と非接触状態に配置されるセ
ンサ部と、このセンサ部の上記発熱抵抗素子と上記一対
の測温抵抗素子との間の熱伝導経路に配設された上記支
持膜および上記保護膜の少なくとも一方より高い熱伝導
率を有する薄膜の熱伝導促進部材とから構成され、上記
発熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との配列方向を
上記計測用管路の軸方向にほぼ一致させて上記計測用管
路内に設けられた流量検出素子と、上記発熱抵抗素子に
供給される電力を制御して該発熱抵抗素子の温度を所定
の温度に保持する制御部と、上記一対の測温抵抗素子の
温度を計測する温度計測部とを備えたものである。
し、その軸方向を計測流体の流れ方向にほぼ一致させて
該計測流体の通路内に配置される計測用管路と、少なく
とも一面側を開口とする空隙が設けられた平板状基板
と、発熱抵抗素子とこの発熱抵抗素子の両側に配置され
た一対の測温抵抗素子とが絶縁性の支持膜と絶縁性の保
護膜とにより上下から包まれて構成され、上記平板状基
板の一面側の表面に対してほぼ平行となる平面上に配置
されるとともに、上記空隙上に位置するように、少なく
とも該支持膜の一端が上記平板状基板に保持されて、そ
の大部分が上記平板状基板と非接触状態に配置されるセ
ンサ部と、このセンサ部の上記発熱抵抗素子と上記一対
の測温抵抗素子との間の熱伝導経路に配設された上記支
持膜および上記保護膜の少なくとも一方より高い熱伝導
率を有する薄膜の熱伝導促進部材とから構成され、上記
発熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との配列方向を
上記計測用管路の軸方向にほぼ一致させて上記計測用管
路内に設けられた流量検出素子と、上記発熱抵抗素子に
供給される電力を制御して該発熱抵抗素子の温度を所定
の温度に保持する制御部と、上記一対の測温抵抗素子の
温度を計測する温度計測部とを備えたものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
について説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１に係る流
量検出素子を示す平面図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ矢視
断面図である。各図において、絶縁性の支持膜２が平板
状基板１の表面上に形成されている。そして、格子状の
発熱抵抗素子４が支持膜２上に形成されている。また、
格子状の測温抵抗素子５、６が発熱抵抗素子４の両側に
位置するように支持膜２上に形成されている。さらに、
熱伝導促進部材１１が発熱抵抗素子４と一対の測温抵抗
素子５、６との間にそれぞれ形成されている。さらにま
た、絶縁性の保護膜３が発熱抵抗素子４、一対の測温抵
抗素子５、６および一対の熱伝導促進部材１１を覆うよ
うに支持膜２上に形成されている。ここで、発熱抵抗素
子４、一対の測温抵抗素子５、６および一対の熱伝導促
進部材１１が支持膜２と保護膜３とにより包まれてセン
サ部１５を構成している。そして、センサ部１５は、発
熱抵抗素子４の中心に対して対称に構成されている。ま
た、空隙としてのエッチングホール１８が平板状基板１
のセンサ部１５の下部に設けられている。このエッチン
グホール１８は、平板状基板１の裏面上に形成された裏
面保護膜１７をマスクとしてアルカリエッチングが施さ
れて、平板状基板１の一部を除去して形成されている。
そこで、センサ部１５はその全周が平板状基板１に保持
されてダイヤフラムを構成し、平板状基板１と非接触状
態となっている。また、格子状の比較抵抗素子７がセン
サ部１５から離れた位置の支持膜２上に形成され、その
上から保護膜３が被覆されている。また、リード部が比
較抵抗素子７、発熱抵抗素子４および一対の測温抵抗素
子５、６のそれぞれの格子状パターンの各端部から延出
されており、各リード部の端部上の保護膜３が取り除か
れて電極パッド１６ａ〜１６ｈを形成している。
について説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１に係る流
量検出素子を示す平面図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ矢視
断面図である。各図において、絶縁性の支持膜２が平板
状基板１の表面上に形成されている。そして、格子状の
発熱抵抗素子４が支持膜２上に形成されている。また、
格子状の測温抵抗素子５、６が発熱抵抗素子４の両側に
位置するように支持膜２上に形成されている。さらに、
熱伝導促進部材１１が発熱抵抗素子４と一対の測温抵抗
素子５、６との間にそれぞれ形成されている。さらにま
た、絶縁性の保護膜３が発熱抵抗素子４、一対の測温抵
抗素子５、６および一対の熱伝導促進部材１１を覆うよ
うに支持膜２上に形成されている。ここで、発熱抵抗素
子４、一対の測温抵抗素子５、６および一対の熱伝導促
進部材１１が支持膜２と保護膜３とにより包まれてセン
サ部１５を構成している。そして、センサ部１５は、発
熱抵抗素子４の中心に対して対称に構成されている。ま
た、空隙としてのエッチングホール１８が平板状基板１
のセンサ部１５の下部に設けられている。このエッチン
グホール１８は、平板状基板１の裏面上に形成された裏
面保護膜１７をマスクとしてアルカリエッチングが施さ
れて、平板状基板１の一部を除去して形成されている。
そこで、センサ部１５はその全周が平板状基板１に保持
されてダイヤフラムを構成し、平板状基板１と非接触状
態となっている。また、格子状の比較抵抗素子７がセン
サ部１５から離れた位置の支持膜２上に形成され、その
上から保護膜３が被覆されている。また、リード部が比
較抵抗素子７、発熱抵抗素子４および一対の測温抵抗素
子５、６のそれぞれの格子状パターンの各端部から延出
されており、各リード部の端部上の保護膜３が取り除か
れて電極パッド１６ａ〜１６ｈを形成している。
【００２１】ここで、平板状基板１としては、半導体、
その中でも特に精密なエッチング技術を応用できる点
と、チップの生産性の高いシリコンが用いられる。ま
た、支持膜２および保護膜３としては、非常に優れた熱
的絶縁体である窒化シリコンが用いられる。さらに、発
熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および比較抵抗素子
７としては、白金が用いられる。さらにまた、熱伝導促
進部材１１としては、支持膜２および保護膜３に比べて
熱伝導率の高い材料である白金が用いられる。
その中でも特に精密なエッチング技術を応用できる点
と、チップの生産性の高いシリコンが用いられる。ま
た、支持膜２および保護膜３としては、非常に優れた熱
的絶縁体である窒化シリコンが用いられる。さらに、発
熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および比較抵抗素子
７としては、白金が用いられる。さらにまた、熱伝導促
進部材１１としては、支持膜２および保護膜３に比べて
熱伝導率の高い材料である白金が用いられる。
【００２２】この流量検出素子を作製するには、まずシ
リコンからなる平板状基板１の両面の全面にスパッタリ
ングにより窒化シリコンを２μｍ着膜し、支持膜２およ
び裏面保護膜１７を形成する。そして、支持膜２上の全
面にスパッタリングにより白金を０．１μｍ着膜し、写
真製版技術およびエッチング技術により白金被膜をパタ
ーニングし、パターン幅５μｍ、パターン間隔５μｍの
格子状の発熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および比
較抵抗素子７と、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６
との間に矩形状の熱伝導促進部材１１を形成する。さら
に、支持膜２上の全面に窒化シリコンを２μｍ着膜し、
保護膜３を形成する。その後、写真製版技術およびエッ
チング技術により、発熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、
６および比較抵抗素子７の各リード部の端部上の保護膜
３を除去し、電極パッド１６ａ〜１６ｈを形成する。ま
た、写真製版技術およびエッチング技術により、センサ
部１５をカバーするように裏面保護膜１７を取り除き、
矩形状の開口を形成する。ついで、該開口から平板状基
板１をエッチングして、エッチングホール１８を形成
し、図１および図２に示される流量検出素子が得られ
る。
リコンからなる平板状基板１の両面の全面にスパッタリ
ングにより窒化シリコンを２μｍ着膜し、支持膜２およ
び裏面保護膜１７を形成する。そして、支持膜２上の全
面にスパッタリングにより白金を０．１μｍ着膜し、写
真製版技術およびエッチング技術により白金被膜をパタ
ーニングし、パターン幅５μｍ、パターン間隔５μｍの
格子状の発熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および比
較抵抗素子７と、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６
との間に矩形状の熱伝導促進部材１１を形成する。さら
に、支持膜２上の全面に窒化シリコンを２μｍ着膜し、
保護膜３を形成する。その後、写真製版技術およびエッ
チング技術により、発熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、
６および比較抵抗素子７の各リード部の端部上の保護膜
３を除去し、電極パッド１６ａ〜１６ｈを形成する。ま
た、写真製版技術およびエッチング技術により、センサ
部１５をカバーするように裏面保護膜１７を取り除き、
矩形状の開口を形成する。ついで、該開口から平板状基
板１をエッチングして、エッチングホール１８を形成
し、図１および図２に示される流量検出素子が得られ
る。
【００２３】このように構成された流量検出素子では、
発熱抵抗素子４の温度が比較抵抗素子７で検出された平
板状基板１の温度に対して例えば２００℃高い温度に維
持されるように、発熱抵抗素子４に通電する加熱電流が
図示しない制御回路によって制御されている。なお、セ
ンサ部１５の下部にはエッチングホール１８があるため
に、発熱抵抗素子４で発生した熱は比較抵抗素子７まで
伝導しない。そこで、比較抵抗素子７で検出される温度
はほぼ空気温度と等しくなっている。そして、保護膜４
側を流通する計測気体の流速が速い程、上流側の温度が
低くなり、下流側の温度が高くなるように温度分布が変
化する。ここで、図１のＩＩ−ＩＩ方向における流量検
出素子の表面温度分布を図３に示す。なお、空気（計測
気体）の流れ方向１０はＩＩ−ＩＩ方向と一致してい
る。図３中、空気の流速が０ｍ／ｓの場合の温度分布が
実線で示され、空気の流速が１７ｍ／ｓの場合の温度分
布が一点鎖線で示されている。また、Ｌ２はダイヤフラ
ム部のＩＩ−ＩＩ方向の幅を、Ｌ３は発熱抵抗素子４の
ＩＩ−ＩＩ方向の幅を、Ｌ４ａは測温抵抗素子５のＩＩ
−ＩＩ方向の幅を、Ｌ４ｂは測温抵抗素子６のＩＩ−Ｉ
Ｉ方向の幅を表している。図３から、空気が流れた場
合、流量検出素子の表面温度分布が空気の流れ方向に移
動し、測温抵抗素子５の平均温度が測温抵抗素子６の平
均温度より低くなっていることが分かる。そこで、回路
（図示せず）によって、電極パッド１６ｃ、１６ｄ、１
６ｇ、１８ｈを介して測温抵抗素子５、６のそれぞれに
一定電圧を印加しておき、測温抵抗素子５、６のそれぞ
れに流れる電流値を測定し、それらの電流値を比較して
空気の流れ方向、流量あるいは流速を計測することがで
きる。また、測温抵抗素子５、６のそれぞれに一定電流
を流しておき、電極パッド１６ｃ、１６ｄ間および電極
パッド１６ｇ、１８ｈ間の電圧を測定する方法、あるい
は測温抵抗素子５、６のそれぞれの消費電力を測定する
方法により、測温抵抗素子５、６のそれぞれの温度に相
当する量を測定し、その量を比較することにより、空気
の流れ方向、流量あるいは流速を計測することもでき
る。
発熱抵抗素子４の温度が比較抵抗素子７で検出された平
板状基板１の温度に対して例えば２００℃高い温度に維
持されるように、発熱抵抗素子４に通電する加熱電流が
図示しない制御回路によって制御されている。なお、セ
ンサ部１５の下部にはエッチングホール１８があるため
に、発熱抵抗素子４で発生した熱は比較抵抗素子７まで
伝導しない。そこで、比較抵抗素子７で検出される温度
はほぼ空気温度と等しくなっている。そして、保護膜４
側を流通する計測気体の流速が速い程、上流側の温度が
低くなり、下流側の温度が高くなるように温度分布が変
化する。ここで、図１のＩＩ−ＩＩ方向における流量検
出素子の表面温度分布を図３に示す。なお、空気（計測
気体）の流れ方向１０はＩＩ−ＩＩ方向と一致してい
る。図３中、空気の流速が０ｍ／ｓの場合の温度分布が
実線で示され、空気の流速が１７ｍ／ｓの場合の温度分
布が一点鎖線で示されている。また、Ｌ２はダイヤフラ
ム部のＩＩ−ＩＩ方向の幅を、Ｌ３は発熱抵抗素子４の
ＩＩ−ＩＩ方向の幅を、Ｌ４ａは測温抵抗素子５のＩＩ
−ＩＩ方向の幅を、Ｌ４ｂは測温抵抗素子６のＩＩ−Ｉ
Ｉ方向の幅を表している。図３から、空気が流れた場
合、流量検出素子の表面温度分布が空気の流れ方向に移
動し、測温抵抗素子５の平均温度が測温抵抗素子６の平
均温度より低くなっていることが分かる。そこで、回路
（図示せず）によって、電極パッド１６ｃ、１６ｄ、１
６ｇ、１８ｈを介して測温抵抗素子５、６のそれぞれに
一定電圧を印加しておき、測温抵抗素子５、６のそれぞ
れに流れる電流値を測定し、それらの電流値を比較して
空気の流れ方向、流量あるいは流速を計測することがで
きる。また、測温抵抗素子５、６のそれぞれに一定電流
を流しておき、電極パッド１６ｃ、１６ｄ間および電極
パッド１６ｇ、１８ｈ間の電圧を測定する方法、あるい
は測温抵抗素子５、６のそれぞれの消費電力を測定する
方法により、測温抵抗素子５、６のそれぞれの温度に相
当する量を測定し、その量を比較することにより、空気
の流れ方向、流量あるいは流速を計測することもでき
る。
【００２４】この実施の形態１では、発熱抵抗素子４と
測温抵抗素子５、６との間に熱伝導促進部材１１が配置
されている。この熱伝導促進部材１１は白金からなり、
熱伝導率が窒化シリコンからなる支持膜２および保護膜
３に比べて極めて大きく、発熱抵抗素子４と測温抵抗素
子５、６とは熱的に極めて強い結合をもつことになる。
この流量検出素子における熱伝導は次のように行われ
る。つまり、発熱抵抗素子４で発生した熱は、発熱抵抗
素子４の上下の支持膜２および保護膜３に伝達され、そ
の後膜中をＩＩ−ＩＩ方向に伝達され、熱伝導促進部材
１１の発熱抵抗素子４側の端部から熱伝導促進部材１１
に伝達される。そして、熱伝達促進材１１に伝達された
熱は、熱伝達促進材１１の測温抵抗素子５、６側の端部
から支持膜２および保護膜３に伝達され、その後膜中を
ＩＩ−ＩＩ方向に伝達され、測温抵抗素子５、６の熱伝
達促進材１１側の端部から測温抵抗素子５、６に伝達さ
れる。一方、熱伝導促進部材１１が省略されている流量
検出素子における熱伝導は次のように行われる。つま
り、発熱抵抗素子４で発生した熱は、発熱抵抗素子４の
上下の支持膜２および保護膜３に伝達され、その後膜中
をＩＩ−ＩＩ方向に伝達され、測温抵抗素子５、６から
測温抵抗素子５、６に伝達される。ここで、発熱抵抗素
子４および測温抵抗素子５、６がパターン幅５μｍ、パ
ターン間隔μｍで形成されているので、発熱抵抗素子４
の測温抵抗素子５側の中心と測温抵抗素子５の中心との
距離（Ｌ４ａ）、および、発熱抵抗素子４の測温抵抗素
子６側の中心と測温抵抗素子６の中心との距離（Ｌ４
ｂ）は、それぞれ５０μｍとなっている。熱伝導促進部
材１１がない場合には、支持膜２および保護膜３は熱伝
導率が小さいことから、熱は伝達されにくい膜中をＩＩ
−ＩＩ方向に５０μｍの距離伝達されることになる。し
かしながら、熱伝導促進部材１１がある場合には、熱伝
導促進部材１１は熱伝導率が大きいことから、熱は熱伝
導促進部材１１中をＩＩ−ＩＩ方向に速やかに伝達され
る。そこで、この実施の形態１による流量検出素子で
は、熱が伝達されにくい熱伝達経路の長さ、即ち支持膜
２および保護膜３の膜中を通る熱伝達経路の長さを短縮
できる。従って、この実施の形態１による流量検出素子
では、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱
抵抗が従来の流量検出素子に比べて極めて小さくなる。
測温抵抗素子５、６との間に熱伝導促進部材１１が配置
されている。この熱伝導促進部材１１は白金からなり、
熱伝導率が窒化シリコンからなる支持膜２および保護膜
３に比べて極めて大きく、発熱抵抗素子４と測温抵抗素
子５、６とは熱的に極めて強い結合をもつことになる。
この流量検出素子における熱伝導は次のように行われ
る。つまり、発熱抵抗素子４で発生した熱は、発熱抵抗
素子４の上下の支持膜２および保護膜３に伝達され、そ
の後膜中をＩＩ−ＩＩ方向に伝達され、熱伝導促進部材
１１の発熱抵抗素子４側の端部から熱伝導促進部材１１
に伝達される。そして、熱伝達促進材１１に伝達された
熱は、熱伝達促進材１１の測温抵抗素子５、６側の端部
から支持膜２および保護膜３に伝達され、その後膜中を
ＩＩ−ＩＩ方向に伝達され、測温抵抗素子５、６の熱伝
達促進材１１側の端部から測温抵抗素子５、６に伝達さ
れる。一方、熱伝導促進部材１１が省略されている流量
検出素子における熱伝導は次のように行われる。つま
り、発熱抵抗素子４で発生した熱は、発熱抵抗素子４の
上下の支持膜２および保護膜３に伝達され、その後膜中
をＩＩ−ＩＩ方向に伝達され、測温抵抗素子５、６から
測温抵抗素子５、６に伝達される。ここで、発熱抵抗素
子４および測温抵抗素子５、６がパターン幅５μｍ、パ
ターン間隔μｍで形成されているので、発熱抵抗素子４
の測温抵抗素子５側の中心と測温抵抗素子５の中心との
距離（Ｌ４ａ）、および、発熱抵抗素子４の測温抵抗素
子６側の中心と測温抵抗素子６の中心との距離（Ｌ４
ｂ）は、それぞれ５０μｍとなっている。熱伝導促進部
材１１がない場合には、支持膜２および保護膜３は熱伝
導率が小さいことから、熱は伝達されにくい膜中をＩＩ
−ＩＩ方向に５０μｍの距離伝達されることになる。し
かしながら、熱伝導促進部材１１がある場合には、熱伝
導促進部材１１は熱伝導率が大きいことから、熱は熱伝
導促進部材１１中をＩＩ−ＩＩ方向に速やかに伝達され
る。そこで、この実施の形態１による流量検出素子で
は、熱が伝達されにくい熱伝達経路の長さ、即ち支持膜
２および保護膜３の膜中を通る熱伝達経路の長さを短縮
できる。従って、この実施の形態１による流量検出素子
では、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱
抵抗が従来の流量検出素子に比べて極めて小さくなる。
【００２５】このように、この実施の形態１によれば、
支持膜２および保護膜３の熱伝導率に対して大きな熱伝
導率をもつ熱伝導促進材料１１が発熱抵抗素子４と測温
抵抗素子５、６との間に配置されているので、発熱抵抗
素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱抵抗を小さくす
ることができ、発熱抵抗素子４で発生した熱が速やかに
測温抵抗素子５、６に伝達される。そこで、計測流体の
流量や流速が急激に変化しても、流れ方向に移動したセ
ンサ部１５の表面温度分布が速やかに形成され、応答性
のよい流量検出素子が得られる。ここで、センサ部１５
の厚さ、即ちダイヤフラム部の厚さは従来の流量検出素
子と同一に設計されているので、従来の流量検出素子と
同一の強度で応答性のよい流量検出素子が得られること
になる。言い換えれば、ダイヤフラム部の厚さを従来の
流量検出素子より厚く設計することにより、従来の流量
検出素子と同一の応答性で高強度の流量検出素子が得ら
れることになる。
支持膜２および保護膜３の熱伝導率に対して大きな熱伝
導率をもつ熱伝導促進材料１１が発熱抵抗素子４と測温
抵抗素子５、６との間に配置されているので、発熱抵抗
素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱抵抗を小さくす
ることができ、発熱抵抗素子４で発生した熱が速やかに
測温抵抗素子５、６に伝達される。そこで、計測流体の
流量や流速が急激に変化しても、流れ方向に移動したセ
ンサ部１５の表面温度分布が速やかに形成され、応答性
のよい流量検出素子が得られる。ここで、センサ部１５
の厚さ、即ちダイヤフラム部の厚さは従来の流量検出素
子と同一に設計されているので、従来の流量検出素子と
同一の強度で応答性のよい流量検出素子が得られること
になる。言い換えれば、ダイヤフラム部の厚さを従来の
流量検出素子より厚く設計することにより、従来の流量
検出素子と同一の応答性で高強度の流量検出素子が得ら
れることになる。
【００２６】なお、上記実施の形態１では、熱伝導促進
部材１１として支持膜２および保護膜３の両者より熱伝
導の良好な材料を用いるものとしているが、支持膜２と
保護膜３とに異なる材料が用いられる場合には、熱伝導
促進部材１１は支持膜２および保護膜３の少なくとも一
方より熱伝導の良好な材料を用いれば、応答性の改善が
図られる。
部材１１として支持膜２および保護膜３の両者より熱伝
導の良好な材料を用いるものとしているが、支持膜２と
保護膜３とに異なる材料が用いられる場合には、熱伝導
促進部材１１は支持膜２および保護膜３の少なくとも一
方より熱伝導の良好な材料を用いれば、応答性の改善が
図られる。
【００２７】実施の形態２．図４はこの発明の実施の形
態２に係る流量検出素子を示す平面図、図５は図４のＶ
−Ｖ矢視断面図である。この実施の形態２では、熱伝導
促進部材２０が発熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、
６の配置領域をカバーするように支持膜２上に矩形に形
成され、発熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、６が熱
伝導促進部材２０上に形成され、保護膜３が発熱抵抗素
子４および測温抵抗素子５、６を被覆するように形成さ
れている。ここで、熱伝導促進部材２０は、支持膜２よ
り熱伝導の良好な絶縁材料、例えば酸化アルミニウム
（Al2O3）が用いられる。なお、この実施の形態２は、
熱伝導促進部材１１に代えて、熱伝導促進部材２０を発
熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、６と支持膜２との
間に配置している点を除いて、上記実施の形態１と同様
に構成されている。
態２に係る流量検出素子を示す平面図、図５は図４のＶ
−Ｖ矢視断面図である。この実施の形態２では、熱伝導
促進部材２０が発熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、
６の配置領域をカバーするように支持膜２上に矩形に形
成され、発熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、６が熱
伝導促進部材２０上に形成され、保護膜３が発熱抵抗素
子４および測温抵抗素子５、６を被覆するように形成さ
れている。ここで、熱伝導促進部材２０は、支持膜２よ
り熱伝導の良好な絶縁材料、例えば酸化アルミニウム
（Al2O3）が用いられる。なお、この実施の形態２は、
熱伝導促進部材１１に代えて、熱伝導促進部材２０を発
熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、６と支持膜２との
間に配置している点を除いて、上記実施の形態１と同様
に構成されている。
【００２８】このように構成された流量検出素子におけ
る熱伝導は次のように行われる。つまり、発熱抵抗素子
４で発生した熱は、発熱抵抗素子４の上下の熱伝導促進
部材２０および保護膜３に伝達され、その後各膜中をＶ
−Ｖ方向に伝達された後、測温抵抗素子５、６に伝達さ
れる。そこで、センサ部１５の下面側の熱伝達は、支持
膜２より熱伝導のよい熱伝導促進部材２０を介して行わ
れるので、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６との間
の熱抵抗が従来の流量検出素子に比べて小さくなる。
る熱伝導は次のように行われる。つまり、発熱抵抗素子
４で発生した熱は、発熱抵抗素子４の上下の熱伝導促進
部材２０および保護膜３に伝達され、その後各膜中をＶ
−Ｖ方向に伝達された後、測温抵抗素子５、６に伝達さ
れる。そこで、センサ部１５の下面側の熱伝達は、支持
膜２より熱伝導のよい熱伝導促進部材２０を介して行わ
れるので、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６との間
の熱抵抗が従来の流量検出素子に比べて小さくなる。
【００２９】このように、この実施の形態２によれば、
支持膜２の熱伝導率に対して大きな熱伝導率をもつ熱伝
導促進材料２０が発熱抵抗素子４および測温抵抗素子
５、６と支持膜２との間に配置されているので、発熱抵
抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱抵抗を小さく
することができ、発熱抵抗素子４で発生した熱が速やか
に測温抵抗素子５、６に伝達される。そこで、計測流体
の流量や流速が急激に変化しても、流れ方向に移動した
センサ部１５の表面温度分布が速やかに形成され、応答
性のよい流量検出素子が得られる。
支持膜２の熱伝導率に対して大きな熱伝導率をもつ熱伝
導促進材料２０が発熱抵抗素子４および測温抵抗素子
５、６と支持膜２との間に配置されているので、発熱抵
抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱抵抗を小さく
することができ、発熱抵抗素子４で発生した熱が速やか
に測温抵抗素子５、６に伝達される。そこで、計測流体
の流量や流速が急激に変化しても、流れ方向に移動した
センサ部１５の表面温度分布が速やかに形成され、応答
性のよい流量検出素子が得られる。
【００３０】実施の形態３．図６はこの発明の実施の形
態３に係る流量検出素子を示す平面図、図７は図６のＶ
ＩＩ−ＶＩＩ矢視断面図である。この実施の形態３で
は、熱伝導促進部材１１が支持膜２の下面に発熱抵抗素
子４および測温抵抗素子５、６の配置領域をカバーする
ように矩形に形成されている。なお、この実施の形態３
は、熱伝導促進部材１１が支持膜２の下面に配置されて
いる点を除いて、上記実施の形態１と同様に構成されて
いる。
態３に係る流量検出素子を示す平面図、図７は図６のＶ
ＩＩ−ＶＩＩ矢視断面図である。この実施の形態３で
は、熱伝導促進部材１１が支持膜２の下面に発熱抵抗素
子４および測温抵抗素子５、６の配置領域をカバーする
ように矩形に形成されている。なお、この実施の形態３
は、熱伝導促進部材１１が支持膜２の下面に配置されて
いる点を除いて、上記実施の形態１と同様に構成されて
いる。
【００３１】このように構成された流量検出素子におけ
る熱伝導は次のように行われる。つまり、発熱抵抗素子
４で発生した熱は、発熱抵抗素子４の上下の支持膜２お
よび保護膜３に伝達される。そして、保護膜３に伝達さ
れた熱は、その後膜中をＶＩＩ−ＶＩＩ方向に伝達され
た後、測温抵抗素子５、６に伝達される。一方、支持膜
２に伝達された熱は、熱伝導促進部材１１に伝達され、
その膜中をＶＩＩ−ＶＩＩ方向に伝達され、再び支持膜
２に伝達された後、測温抵抗素子５、６に伝達される。
この支持膜２は熱伝導しにくいが、厚みが極めて薄く形
成されているので、厚み方向には熱は速やかに伝導され
る。そこで、センサ部１５の下面側の熱伝達は、支持膜
２より熱伝導のよい熱伝導促進部材１１を介して行われ
るので、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の
熱抵抗が従来の流量検出素子に比べて小さくなる。
る熱伝導は次のように行われる。つまり、発熱抵抗素子
４で発生した熱は、発熱抵抗素子４の上下の支持膜２お
よび保護膜３に伝達される。そして、保護膜３に伝達さ
れた熱は、その後膜中をＶＩＩ−ＶＩＩ方向に伝達され
た後、測温抵抗素子５、６に伝達される。一方、支持膜
２に伝達された熱は、熱伝導促進部材１１に伝達され、
その膜中をＶＩＩ−ＶＩＩ方向に伝達され、再び支持膜
２に伝達された後、測温抵抗素子５、６に伝達される。
この支持膜２は熱伝導しにくいが、厚みが極めて薄く形
成されているので、厚み方向には熱は速やかに伝導され
る。そこで、センサ部１５の下面側の熱伝達は、支持膜
２より熱伝導のよい熱伝導促進部材１１を介して行われ
るので、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の
熱抵抗が従来の流量検出素子に比べて小さくなる。
【００３２】このように、この実施の形態３によれば、
支持膜２の熱伝導率に対して大きな熱伝導率をもつ熱伝
導促進材料１１が支持膜２の下面に配置されているの
で、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱抵
抗を小さくすることができ、発熱抵抗素子４で発生した
熱が速やかに測温抵抗素子５、６に伝達される。そこ
で、計測流体の流量や流速が急激に変化しても、流れ方
向に移動したセンサ部１５の表面温度分布が速やかに形
成され、応答性のよい流量検出素子が得られる。
支持膜２の熱伝導率に対して大きな熱伝導率をもつ熱伝
導促進材料１１が支持膜２の下面に配置されているの
で、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱抵
抗を小さくすることができ、発熱抵抗素子４で発生した
熱が速やかに測温抵抗素子５、６に伝達される。そこ
で、計測流体の流量や流速が急激に変化しても、流れ方
向に移動したセンサ部１５の表面温度分布が速やかに形
成され、応答性のよい流量検出素子が得られる。
【００３３】実施の形態４．図８はこの発明の実施の形
態４に係る流量検出素子を示す平面図、図９は図８のＩ
Ｘ−ＩＸ矢視断面図である。この実施の形態４では、熱
伝導促進部材２０が発熱抵抗素子４および測温抵抗素子
５、６の配置領域をカバーするように、かつ、支持膜２
の上面と同じ面位置となるように支持膜２に埋設されて
矩形に形成されている。なお、この実施の形態４は、熱
伝導促進部材２０が支持膜２の上面側に埋設されて発熱
抵抗素子４および測温抵抗素子５、６と支持膜２との間
に配置している点を除いて、上記実施の形態２と同様に
構成されている。
態４に係る流量検出素子を示す平面図、図９は図８のＩ
Ｘ−ＩＸ矢視断面図である。この実施の形態４では、熱
伝導促進部材２０が発熱抵抗素子４および測温抵抗素子
５、６の配置領域をカバーするように、かつ、支持膜２
の上面と同じ面位置となるように支持膜２に埋設されて
矩形に形成されている。なお、この実施の形態４は、熱
伝導促進部材２０が支持膜２の上面側に埋設されて発熱
抵抗素子４および測温抵抗素子５、６と支持膜２との間
に配置している点を除いて、上記実施の形態２と同様に
構成されている。
【００３４】ここで、支持膜２中に埋設された熱伝導促
進部材２０を作製するには、まず平板状基板１の上面に
窒化シリコンをｔｓ１の厚さに着膜し、その窒化シリコ
ン膜上に酸化アルミニウムを（ｔｓ−ｔｓ１）の厚さに
着膜する。そして、写真製版技術、エッチング技術を用
いて、酸化アルミニウム膜を矩形にエッチングし、熱伝
導促進部材２０を形成する。ついで、酸化アルミニウム
膜をエッチングするためのマスクであるフォトレジスト
を残した状態で、窒化シリコンを（ｔｓ−ｔｓ１）の厚
さに着膜する。その後、該フォトレジストを除去するこ
とにより、熱伝導促進部材２０が厚みｔｓの支持膜２中
に同じ面位置となるように埋設されて形成される。
進部材２０を作製するには、まず平板状基板１の上面に
窒化シリコンをｔｓ１の厚さに着膜し、その窒化シリコ
ン膜上に酸化アルミニウムを（ｔｓ−ｔｓ１）の厚さに
着膜する。そして、写真製版技術、エッチング技術を用
いて、酸化アルミニウム膜を矩形にエッチングし、熱伝
導促進部材２０を形成する。ついで、酸化アルミニウム
膜をエッチングするためのマスクであるフォトレジスト
を残した状態で、窒化シリコンを（ｔｓ−ｔｓ１）の厚
さに着膜する。その後、該フォトレジストを除去するこ
とにより、熱伝導促進部材２０が厚みｔｓの支持膜２中
に同じ面位置となるように埋設されて形成される。
【００３５】このように構成された流量検出素子では、
上記実施の形態２と同様に、発熱抵抗素子４で発生した
熱は、発熱抵抗素子４の上下の熱伝導促進部材２０およ
び保護膜３に伝達され、その後各膜中をＶ−Ｖ方向に伝
達された後、測温抵抗素子５、６に伝達される。そこ
で、この実施の形態４においても、上記実施の形態２と
同様に、計測流体の流量や流速が急激に変化しても、流
れ方向に移動したセンサ部１５の表面温度分布が速やか
に形成され、応答性のよい流量検出素子が得られる。
上記実施の形態２と同様に、発熱抵抗素子４で発生した
熱は、発熱抵抗素子４の上下の熱伝導促進部材２０およ
び保護膜３に伝達され、その後各膜中をＶ−Ｖ方向に伝
達された後、測温抵抗素子５、６に伝達される。そこ
で、この実施の形態４においても、上記実施の形態２と
同様に、計測流体の流量や流速が急激に変化しても、流
れ方向に移動したセンサ部１５の表面温度分布が速やか
に形成され、応答性のよい流量検出素子が得られる。
【００３６】さらに、この実施の形態４では、熱伝導促
進部材２０が支持膜２と同じ面位置となっているので、
センサ部１５の表面に凹凸が生じない。そこで、上記実
施の形態２に比べて、センサ部１５の表面を流れる気流
の乱れが抑えられ、特性を安定化させつつ、より良い応
答性が得られる。熱の伝達には、熱伝導と熱容量とが寄
与している。この実施の形態４では、熱伝導促進部材２
０が支持膜２中に埋設されているので、支持膜２を厚く
することなく熱伝導促進部材２０を設けることができ
る。そこで、支持膜２の厚みｔｓが維持されているの
で、熱伝達促進部材２０を設けることによる熱容量の増
加が抑えられ、応答性の向上が図られる。
進部材２０が支持膜２と同じ面位置となっているので、
センサ部１５の表面に凹凸が生じない。そこで、上記実
施の形態２に比べて、センサ部１５の表面を流れる気流
の乱れが抑えられ、特性を安定化させつつ、より良い応
答性が得られる。熱の伝達には、熱伝導と熱容量とが寄
与している。この実施の形態４では、熱伝導促進部材２
０が支持膜２中に埋設されているので、支持膜２を厚く
することなく熱伝導促進部材２０を設けることができ
る。そこで、支持膜２の厚みｔｓが維持されているの
で、熱伝達促進部材２０を設けることによる熱容量の増
加が抑えられ、応答性の向上が図られる。
【００３７】実施の形態５．図１０はこの発明の実施の
形態５に係る流量検出素子を示す平面図、図１１は図１
０のＸＩ−ＸＩ矢視断面図である。この実施の形態５で
は、熱伝導促進部材１１が発熱抵抗素子４および測温抵
抗素子５、６の配置領域をカバーするように支持膜２中
に内在させて矩形に形成されている。なお、この実施の
形態５は、熱伝導促進部材１１が支持膜２中に内在され
て配置されている点を除いて、上記実施の形態３と同様
に構成されている。
形態５に係る流量検出素子を示す平面図、図１１は図１
０のＸＩ−ＸＩ矢視断面図である。この実施の形態５で
は、熱伝導促進部材１１が発熱抵抗素子４および測温抵
抗素子５、６の配置領域をカバーするように支持膜２中
に内在させて矩形に形成されている。なお、この実施の
形態５は、熱伝導促進部材１１が支持膜２中に内在され
て配置されている点を除いて、上記実施の形態３と同様
に構成されている。
【００３８】ここで、支持膜２中に内在された熱伝導促
進部材１１を作製するには、まず平板状基板１の上面に
窒化シリコンを着膜し、その窒化シリコン膜上に白金を
着膜する。そして、写真製版技術、エッチング技術を用
いて、白金膜を矩形にエッチングし、熱伝導促進部材１
１を形成する。ついで、白金膜をエッチングするための
マスクであるフォトレジストを残した状態で、窒化シリ
コンを白金膜と同じ厚みに着膜する。その後、該フォト
レジストを除去することにより、熱伝導促進部材１１を
構成する白金膜と窒化シリコン膜とが同じ面位置とな
る。その上に、さらに窒化シリコンを着膜し、熱伝導促
進部材１１が支持膜２中に内在されて形成される。な
お、支持膜２は窒化シリコン膜が３層に積層されて形成
されているが、総厚が増加しないように各層の窒化シリ
コン膜の厚みを制御している。
進部材１１を作製するには、まず平板状基板１の上面に
窒化シリコンを着膜し、その窒化シリコン膜上に白金を
着膜する。そして、写真製版技術、エッチング技術を用
いて、白金膜を矩形にエッチングし、熱伝導促進部材１
１を形成する。ついで、白金膜をエッチングするための
マスクであるフォトレジストを残した状態で、窒化シリ
コンを白金膜と同じ厚みに着膜する。その後、該フォト
レジストを除去することにより、熱伝導促進部材１１を
構成する白金膜と窒化シリコン膜とが同じ面位置とな
る。その上に、さらに窒化シリコンを着膜し、熱伝導促
進部材１１が支持膜２中に内在されて形成される。な
お、支持膜２は窒化シリコン膜が３層に積層されて形成
されているが、総厚が増加しないように各層の窒化シリ
コン膜の厚みを制御している。
【００３９】このように構成された流量検出素子では、
上記実施の形態３と同様に、発熱抵抗素子４で発生した
熱は、発熱抵抗素子４の上下の支持膜２および保護膜３
に伝達される。そして、保護膜３に伝達された熱は、そ
の後膜中をＸＩ−ＸＩ方向に伝達された後、測温抵抗素
子５、６に伝達される。一方、支持膜２に伝達された熱
は、熱伝導促進部材１１に伝達され、その膜中をＸＩ−
ＸＩ方向に伝達され、再び支持膜２に伝達された後、測
温抵抗素子５、６に伝達される。そこで、この実施の形
態５においても、上記実施の形態３と同様に、計測流体
の流量や流速が急激に変化しても、流れ方向に移動した
センサ部１５の表面温度分布が速やかに形成され、応答
性のよい流量検出素子が得られる。
上記実施の形態３と同様に、発熱抵抗素子４で発生した
熱は、発熱抵抗素子４の上下の支持膜２および保護膜３
に伝達される。そして、保護膜３に伝達された熱は、そ
の後膜中をＸＩ−ＸＩ方向に伝達された後、測温抵抗素
子５、６に伝達される。一方、支持膜２に伝達された熱
は、熱伝導促進部材１１に伝達され、その膜中をＸＩ−
ＸＩ方向に伝達され、再び支持膜２に伝達された後、測
温抵抗素子５、６に伝達される。そこで、この実施の形
態５においても、上記実施の形態３と同様に、計測流体
の流量や流速が急激に変化しても、流れ方向に移動した
センサ部１５の表面温度分布が速やかに形成され、応答
性のよい流量検出素子が得られる。
【００４０】さらに、この実施の形態５では、熱伝導促
進部材１１が支持膜２中に内在されているので、センサ
部１５の表面に凹凸が生じない。そこで、上記実施の形
態３に比べて、センサ部１５の表面を流れる気流の乱れ
が抑えられ、特性を安定化させつつ、より良い応答性が
得られる。また、熱伝導促進部材１１が支持膜２中に内
在されているので、発熱抵抗素子４および測温抵抗素子
５、６と熱伝導促進部材１１との距離が短縮され、発熱
抵抗素子４および測温抵抗素子５、６と熱伝導促進部材
１１との間の支持膜２を介しての熱伝導が速められ、そ
の分応答性が向上される。熱の伝達には、熱伝導と熱容
量とが寄与している。この実施の形態５では、熱伝導促
進部材１１が支持膜２中に内在されているので、支持膜
２を厚くすることなく熱伝導促進部材１１を設けること
ができる。そこで、支持膜２の厚みが維持されるので、
熱伝達促進部材１１を設けることによる熱容量の増加が
抑えられ、応答性の向上が図られる。
進部材１１が支持膜２中に内在されているので、センサ
部１５の表面に凹凸が生じない。そこで、上記実施の形
態３に比べて、センサ部１５の表面を流れる気流の乱れ
が抑えられ、特性を安定化させつつ、より良い応答性が
得られる。また、熱伝導促進部材１１が支持膜２中に内
在されているので、発熱抵抗素子４および測温抵抗素子
５、６と熱伝導促進部材１１との距離が短縮され、発熱
抵抗素子４および測温抵抗素子５、６と熱伝導促進部材
１１との間の支持膜２を介しての熱伝導が速められ、そ
の分応答性が向上される。熱の伝達には、熱伝導と熱容
量とが寄与している。この実施の形態５では、熱伝導促
進部材１１が支持膜２中に内在されているので、支持膜
２を厚くすることなく熱伝導促進部材１１を設けること
ができる。そこで、支持膜２の厚みが維持されるので、
熱伝達促進部材１１を設けることによる熱容量の増加が
抑えられ、応答性の向上が図られる。
【００４１】実施の形態６．図１２はこの発明の実施の
形態６に係る流量検出素子を示す平面図、図１３は図１
２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ矢視断面図である。この実施の
形態６では、熱伝導促進部材２１が発熱抵抗素子４およ
び測温抵抗素子５、６を被覆するように支持膜２上に矩
形に形成され、保護膜３が熱伝導促進部材２１を被覆す
るように支持膜２上に形成されている。ここで、熱伝導
促進部材２１は、保護膜３より熱伝導の良好な絶縁材
料、例えば酸化アルミニウムが用いられる。なお、この
実施の形態６は、熱伝導促進部材１１に代えて、熱伝導
促進部材２１を発熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、
６と保護膜３との間に配置している点を除いて、上記実
施の形態１と同様に構成されている。
形態６に係る流量検出素子を示す平面図、図１３は図１
２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ矢視断面図である。この実施の
形態６では、熱伝導促進部材２１が発熱抵抗素子４およ
び測温抵抗素子５、６を被覆するように支持膜２上に矩
形に形成され、保護膜３が熱伝導促進部材２１を被覆す
るように支持膜２上に形成されている。ここで、熱伝導
促進部材２１は、保護膜３より熱伝導の良好な絶縁材
料、例えば酸化アルミニウムが用いられる。なお、この
実施の形態６は、熱伝導促進部材１１に代えて、熱伝導
促進部材２１を発熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、
６と保護膜３との間に配置している点を除いて、上記実
施の形態１と同様に構成されている。
【００４２】ここで、熱伝導促進部材２１を作製するに
は、まず支持膜２、発熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、
６および比較抵抗素子７が形成された平板状基板１上に
酸化アルミニウムを着膜する。そして、写真製版技術、
エッチング技術を用いて、酸化アルミニウム膜を矩形に
エッチングし、発熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、
６を被覆する熱伝導促進部材２１が形成される。
は、まず支持膜２、発熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、
６および比較抵抗素子７が形成された平板状基板１上に
酸化アルミニウムを着膜する。そして、写真製版技術、
エッチング技術を用いて、酸化アルミニウム膜を矩形に
エッチングし、発熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、
６を被覆する熱伝導促進部材２１が形成される。
【００４３】このように構成された流量検出素子におけ
る熱伝導は次のように行われる。つまり、発熱抵抗素子
４で発生した熱は、発熱抵抗素子４の上下の支持膜２お
よび熱伝導促進部材２１に伝達され、その後各膜中をＸ
ＩＩＩ−ＸＩＩＩ方向に伝達された後、測温抵抗素子
５、６に伝達される。そこで、センサ部１５の上面側の
熱伝達は、保護膜３より熱伝導のよい熱伝導促進部材２
１を介して行われるので、発熱抵抗素子４と測温抵抗素
子５、６との間の熱抵抗が従来の流量検出素子に比べて
小さくなる。
る熱伝導は次のように行われる。つまり、発熱抵抗素子
４で発生した熱は、発熱抵抗素子４の上下の支持膜２お
よび熱伝導促進部材２１に伝達され、その後各膜中をＸ
ＩＩＩ−ＸＩＩＩ方向に伝達された後、測温抵抗素子
５、６に伝達される。そこで、センサ部１５の上面側の
熱伝達は、保護膜３より熱伝導のよい熱伝導促進部材２
１を介して行われるので、発熱抵抗素子４と測温抵抗素
子５、６との間の熱抵抗が従来の流量検出素子に比べて
小さくなる。
【００４４】このように、この実施の形態６によれば、
保護膜３の熱伝導率に対して大きな熱伝導率をもつ熱伝
導促進材料２１が発熱抵抗素子４および測温抵抗素子
５、６と保護膜３との間に配置されているので、発熱抵
抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱抵抗を小さく
することができ、発熱抵抗素子４で発生した熱が速やか
に測温抵抗素子５、６に伝達される。そこで、計測流体
の流量や流速が急激に変化しても、流れ方向に移動した
センサ部１５の表面温度分布が速やかに形成され、応答
性のよい流量検出素子が得られる。
保護膜３の熱伝導率に対して大きな熱伝導率をもつ熱伝
導促進材料２１が発熱抵抗素子４および測温抵抗素子
５、６と保護膜３との間に配置されているので、発熱抵
抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱抵抗を小さく
することができ、発熱抵抗素子４で発生した熱が速やか
に測温抵抗素子５、６に伝達される。そこで、計測流体
の流量や流速が急激に変化しても、流れ方向に移動した
センサ部１５の表面温度分布が速やかに形成され、応答
性のよい流量検出素子が得られる。
【００４５】実施の形態７．図１４はこの発明の実施の
形態７に係る流量検出素子を示す平面図、図１５は図１
４のＸＶ−ＸＶ矢視断面図である。この実施の形態７で
は、熱伝導促進部材２２が発熱抵抗素子４および測温抵
抗素子５、６の配置領域を覆うように保護膜３上に矩形
に形成されている。ここで、熱伝導促進部材２２は、保
護膜３より熱伝導の良好な材料、例えば白金が用いられ
る。なお、この実施の形態７は、熱伝導促進部材１１に
代えて、熱伝導促進部材２２を発熱抵抗素子４および測
温抵抗素子５、６の配置領域を覆うように保護膜３上に
配置している点を除いて、上記実施の形態１と同様に構
成されている。
形態７に係る流量検出素子を示す平面図、図１５は図１
４のＸＶ−ＸＶ矢視断面図である。この実施の形態７で
は、熱伝導促進部材２２が発熱抵抗素子４および測温抵
抗素子５、６の配置領域を覆うように保護膜３上に矩形
に形成されている。ここで、熱伝導促進部材２２は、保
護膜３より熱伝導の良好な材料、例えば白金が用いられ
る。なお、この実施の形態７は、熱伝導促進部材１１に
代えて、熱伝導促進部材２２を発熱抵抗素子４および測
温抵抗素子５、６の配置領域を覆うように保護膜３上に
配置している点を除いて、上記実施の形態１と同様に構
成されている。
【００４６】このように構成された流量検出素子におけ
る熱伝導は次のように行われる。つまり、発熱抵抗素子
４で発生した熱は、発熱抵抗素子４の上下の支持膜２お
よび保護膜３に伝達される。そして、支持膜２に伝達さ
れた熱は、その後膜中をＸＶ−ＸＶ方向に伝達された
後、測温抵抗素子５、６に伝達される。一方、保護膜３
に伝達された熱は、熱伝導促進部材２２に伝達され、そ
の膜中をＸＶ−ＸＶ方向に伝達され、再び保護膜３に伝
達された後、測温抵抗素子５、６に伝達される。この保
護膜３は熱伝導しにくいが、厚みが極めて薄く形成され
ているので、厚み方向には熱は速やかに伝導される。そ
こで、センサ部１５の上面側の熱伝達は、保護膜３より
熱伝導のよい熱伝導促進部材２２を介して行われるの
で、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱抵
抗が従来の流量検出素子に比べて小さくなる。
る熱伝導は次のように行われる。つまり、発熱抵抗素子
４で発生した熱は、発熱抵抗素子４の上下の支持膜２お
よび保護膜３に伝達される。そして、支持膜２に伝達さ
れた熱は、その後膜中をＸＶ−ＸＶ方向に伝達された
後、測温抵抗素子５、６に伝達される。一方、保護膜３
に伝達された熱は、熱伝導促進部材２２に伝達され、そ
の膜中をＸＶ−ＸＶ方向に伝達され、再び保護膜３に伝
達された後、測温抵抗素子５、６に伝達される。この保
護膜３は熱伝導しにくいが、厚みが極めて薄く形成され
ているので、厚み方向には熱は速やかに伝導される。そ
こで、センサ部１５の上面側の熱伝達は、保護膜３より
熱伝導のよい熱伝導促進部材２２を介して行われるの
で、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱抵
抗が従来の流量検出素子に比べて小さくなる。
【００４７】このように、この実施の形態７によれば、
保護膜３の熱伝導率に対して大きな熱伝導率をもつ熱伝
導促進材料２２が保護膜３の上面に配置されているの
で、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱抵
抗を小さくすることができ、発熱抵抗素子４で発生した
熱が速やかに測温抵抗素子５、６に伝達される。そこ
で、計測流体の流量や流速が急激に変化しても、流れ方
向に移動したセンサ部１５の表面温度分布が速やかに形
成され、応答性のよい流量検出素子が得られる。
保護膜３の熱伝導率に対して大きな熱伝導率をもつ熱伝
導促進材料２２が保護膜３の上面に配置されているの
で、発熱抵抗素子４と測温抵抗素子５、６との間の熱抵
抗を小さくすることができ、発熱抵抗素子４で発生した
熱が速やかに測温抵抗素子５、６に伝達される。そこ
で、計測流体の流量や流速が急激に変化しても、流れ方
向に移動したセンサ部１５の表面温度分布が速やかに形
成され、応答性のよい流量検出素子が得られる。
【００４８】実施の形態８．上記実施の形態７では、熱
伝導促進部材２２を保護膜３の上面に配置するものとし
ているが、この実施の形態８では、熱伝導促進部材２２
を保護膜３の上面と同じ面位置となるように保護膜３に
埋設するものとしている。この場合、センサ部１５の表
面に凹凸がなく、センサ部１５の表面を流れる気流の乱
れが抑えられ、特性を安定化させつつ、より良い応答性
が得られる。また、保護膜３を厚くすることなく熱伝導
促進部材２２を設けることができるので、熱伝達促進部
材２２を設けることによる熱容量の増加が抑えられ、そ
の分応答性の向上が図られる。
伝導促進部材２２を保護膜３の上面に配置するものとし
ているが、この実施の形態８では、熱伝導促進部材２２
を保護膜３の上面と同じ面位置となるように保護膜３に
埋設するものとしている。この場合、センサ部１５の表
面に凹凸がなく、センサ部１５の表面を流れる気流の乱
れが抑えられ、特性を安定化させつつ、より良い応答性
が得られる。また、保護膜３を厚くすることなく熱伝導
促進部材２２を設けることができるので、熱伝達促進部
材２２を設けることによる熱容量の増加が抑えられ、そ
の分応答性の向上が図られる。
【００４９】実施の形態９．図１６はこの発明の実施の
形態９に係る流量検出素子を示す平面図、図１７は図１
６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ矢視断面図である。この実施の
形態９では、熱伝導促進部材２１が発熱抵抗素子４およ
び測温抵抗素子５、６を被覆するように支持膜２上に矩
形に形成され、保護膜３が熱伝導促進部材２１を被覆す
るように支持膜２上に形成されている。そして、熱伝導
促進部材２１の厚みと熱伝導促進部材２１上の保護膜３
の厚みとの総和が支持膜２上の保護膜３の厚みに一致す
るように構成されている。なお、この実施の形態９は、
熱伝導促進部材２１上の保護膜３の厚みを熱伝導促進部
材２１の厚み分薄く形成されている点を除いて、上記実
施の形態６と同様に構成されている。
形態９に係る流量検出素子を示す平面図、図１７は図１
６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ矢視断面図である。この実施の
形態９では、熱伝導促進部材２１が発熱抵抗素子４およ
び測温抵抗素子５、６を被覆するように支持膜２上に矩
形に形成され、保護膜３が熱伝導促進部材２１を被覆す
るように支持膜２上に形成されている。そして、熱伝導
促進部材２１の厚みと熱伝導促進部材２１上の保護膜３
の厚みとの総和が支持膜２上の保護膜３の厚みに一致す
るように構成されている。なお、この実施の形態９は、
熱伝導促進部材２１上の保護膜３の厚みを熱伝導促進部
材２１の厚み分薄く形成されている点を除いて、上記実
施の形態６と同様に構成されている。
【００５０】ここで、保護膜３を作製するには、まず支
持膜２、発熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および比
較抵抗素子７が形成された平板状基板１上に酸化アルミ
ニウムをｔｐ１の厚さに着膜する。そして、写真製版技
術、エッチング技術を用いて、酸化アルミニウム膜を矩
形にエッチングし、発熱抵抗素子４および測温抵抗素子
５、６を被覆する熱伝導促進部材２１が形成される。つ
いで、酸化アルミニウム膜をエッチングするためのマス
クであるフォトレジストを残した状態で、窒化シリコン
をｔｐ１の厚さに着膜する。その後、該フォトレジスト
を除去することにより、熱伝導促進部材２１が窒化シリ
コン膜と同じ面位置となるように窒化シリコン膜中に埋
設されて形成される。さらに、窒化シリコンを（ｔｐ−
ｔｐ１）の厚さに着膜して、保護膜３が形成される。
持膜２、発熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および比
較抵抗素子７が形成された平板状基板１上に酸化アルミ
ニウムをｔｐ１の厚さに着膜する。そして、写真製版技
術、エッチング技術を用いて、酸化アルミニウム膜を矩
形にエッチングし、発熱抵抗素子４および測温抵抗素子
５、６を被覆する熱伝導促進部材２１が形成される。つ
いで、酸化アルミニウム膜をエッチングするためのマス
クであるフォトレジストを残した状態で、窒化シリコン
をｔｐ１の厚さに着膜する。その後、該フォトレジスト
を除去することにより、熱伝導促進部材２１が窒化シリ
コン膜と同じ面位置となるように窒化シリコン膜中に埋
設されて形成される。さらに、窒化シリコンを（ｔｐ−
ｔｐ１）の厚さに着膜して、保護膜３が形成される。
【００５１】このように構成された流量検出素子では、
上記実施の形態６と同様に、発熱抵抗素子４で発生した
熱は、発熱抵抗素子４の上下の支持膜２および熱伝導促
進部材２１に伝達され、その後各膜中をＸＶＩＩ−ＸＶ
ＩＩ方向に伝達された後、測温抵抗素子５、６に伝達さ
れる。そこで、この実施の形態９においても、上記実施
の形態６と同様に、計測流体の流量や流速が急激に変化
しても、流れ方向に移動したセンサ部１５の表面温度分
布が速やかに形成され、応答性のよい流量検出素子が得
られる。
上記実施の形態６と同様に、発熱抵抗素子４で発生した
熱は、発熱抵抗素子４の上下の支持膜２および熱伝導促
進部材２１に伝達され、その後各膜中をＸＶＩＩ−ＸＶ
ＩＩ方向に伝達された後、測温抵抗素子５、６に伝達さ
れる。そこで、この実施の形態９においても、上記実施
の形態６と同様に、計測流体の流量や流速が急激に変化
しても、流れ方向に移動したセンサ部１５の表面温度分
布が速やかに形成され、応答性のよい流量検出素子が得
られる。
【００５２】さらに、この実施の形態９では、熱伝導促
進部材２１の厚みと熱伝導促進部材２１上の保護膜３の
厚みとの総和が支持膜２上の保護膜３の厚みに一致する
ように構成されているので、センサ部１５の表面に凹凸
が生じない。そこで、上記実施の形態６に比べて、セン
サ部１５の表面を流れる気流の乱れが抑えられ、特性を
安定化させつつ、より良い応答性が得られる。熱の伝達
には、熱伝導と熱容量とが寄与している。この実施の形
態９では、保護膜３を厚くすることなく熱伝導促進部材
２１を設けることができる。そこで、保護膜３の厚みｔ
ｐが維持されるので、熱伝達促進部材２１を設けること
による熱容量の増加が抑えられ、応答性の向上が図られ
る。
進部材２１の厚みと熱伝導促進部材２１上の保護膜３の
厚みとの総和が支持膜２上の保護膜３の厚みに一致する
ように構成されているので、センサ部１５の表面に凹凸
が生じない。そこで、上記実施の形態６に比べて、セン
サ部１５の表面を流れる気流の乱れが抑えられ、特性を
安定化させつつ、より良い応答性が得られる。熱の伝達
には、熱伝導と熱容量とが寄与している。この実施の形
態９では、保護膜３を厚くすることなく熱伝導促進部材
２１を設けることができる。そこで、保護膜３の厚みｔ
ｐが維持されるので、熱伝達促進部材２１を設けること
による熱容量の増加が抑えられ、応答性の向上が図られ
る。
【００５３】実施の形態１０．図１８はこの発明の実施
の形態１０に係る流量検出素子を示す平面図、図１９は
図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ矢視断面図である。この実施の
形態１０では、熱伝導促進部材２２が発熱抵抗素子４お
よび測温抵抗素子５、６の配置領域をカバーするように
保護膜３中に内在させて矩形に形成されている。なお、
この実施の形態１０は、熱伝導促進部材２２が保護膜３
中に内在されて配置されている点を除いて、上記実施の
形態７と同様に構成されている。
の形態１０に係る流量検出素子を示す平面図、図１９は
図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ矢視断面図である。この実施の
形態１０では、熱伝導促進部材２２が発熱抵抗素子４お
よび測温抵抗素子５、６の配置領域をカバーするように
保護膜３中に内在させて矩形に形成されている。なお、
この実施の形態１０は、熱伝導促進部材２２が保護膜３
中に内在されて配置されている点を除いて、上記実施の
形態７と同様に構成されている。
【００５４】ここで、保護膜３中に内在された熱伝導促
進部材２２を作製するには、まず支持膜２、発熱抵抗素
子４、測温抵抗素子５、６および比較抵抗素子７が形成
された平板状基板１上に窒化シリコンをｔｐ２の厚みに
着膜し、さらにその窒化シリコン膜上に白金をｔｐ３の
厚みに着膜する。そして、写真製版技術、エッチング技
術を用いて、白金膜を矩形にエッチングし、熱伝導促進
部材２２を形成する。ついで、白金膜をエッチングする
ためのマスクであるフォトレジストを残した状態で、窒
化シリコンをｔｐ３の厚みに着膜する。その後、該フォ
トレジストを除去することにより、熱伝導促進部材２２
を構成する白金膜と窒化シリコン膜とが同じ面位置とな
る。その上に、さらに窒化シリコンを（ｔｐ−ｔｐ２−
ｔｐ３）の厚みに着膜し、熱伝導促進部材２２が保護膜
３中に内在されて形成される。なお、保護膜３の総厚は
ｔｐに制御されている。
進部材２２を作製するには、まず支持膜２、発熱抵抗素
子４、測温抵抗素子５、６および比較抵抗素子７が形成
された平板状基板１上に窒化シリコンをｔｐ２の厚みに
着膜し、さらにその窒化シリコン膜上に白金をｔｐ３の
厚みに着膜する。そして、写真製版技術、エッチング技
術を用いて、白金膜を矩形にエッチングし、熱伝導促進
部材２２を形成する。ついで、白金膜をエッチングする
ためのマスクであるフォトレジストを残した状態で、窒
化シリコンをｔｐ３の厚みに着膜する。その後、該フォ
トレジストを除去することにより、熱伝導促進部材２２
を構成する白金膜と窒化シリコン膜とが同じ面位置とな
る。その上に、さらに窒化シリコンを（ｔｐ−ｔｐ２−
ｔｐ３）の厚みに着膜し、熱伝導促進部材２２が保護膜
３中に内在されて形成される。なお、保護膜３の総厚は
ｔｐに制御されている。
【００５５】このように構成された流量検出素子では、
上記実施の形態７と同様に、発熱抵抗素子４で発生した
熱は、発熱抵抗素子４の上下の支持膜２および保護膜３
に伝達される。そして、支持膜２に伝達された熱は、そ
の後膜中をＸＩＸ−ＸＩＸ方向に伝達された後、測温抵
抗素子５、６に伝達される。一方、保護膜３に伝達され
た熱は、熱伝導促進部材２２に伝達され、その膜中をＸ
ＩＸ−ＸＩＸ方向に伝達され、再び保護膜３に伝達され
た後、測温抵抗素子５、６に伝達される。そこで、この
実施の形態１０においても、上記実施の形態７と同様
に、計測流体の流量や流速が急激に変化しても、流れ方
向に移動したセンサ部１５の表面温度分布が速やかに形
成され、応答性のよい流量検出素子が得られる。
上記実施の形態７と同様に、発熱抵抗素子４で発生した
熱は、発熱抵抗素子４の上下の支持膜２および保護膜３
に伝達される。そして、支持膜２に伝達された熱は、そ
の後膜中をＸＩＸ−ＸＩＸ方向に伝達された後、測温抵
抗素子５、６に伝達される。一方、保護膜３に伝達され
た熱は、熱伝導促進部材２２に伝達され、その膜中をＸ
ＩＸ−ＸＩＸ方向に伝達され、再び保護膜３に伝達され
た後、測温抵抗素子５、６に伝達される。そこで、この
実施の形態１０においても、上記実施の形態７と同様
に、計測流体の流量や流速が急激に変化しても、流れ方
向に移動したセンサ部１５の表面温度分布が速やかに形
成され、応答性のよい流量検出素子が得られる。
【００５６】さらに、この実施の形態１０では、熱伝導
促進部材２２が保護膜３中に内在されているので、セン
サ部１５の表面に凹凸が生じない。そこで、上記実施の
形態７に比べて、センサ部１５の表面を流れる気流の乱
れが抑えられ、特性を安定化させつつ、より良い応答性
が得られる。また、熱伝導促進部材２２が保護膜３中に
内在されているので、発熱抵抗素子４および測温抵抗素
子５、６と熱伝導促進部材２２との距離が短縮され、発
熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、６と熱伝導促進部
材２２との間の保護膜３を介しての熱伝導が速められ、
その分応答性が向上される。熱の伝達には、熱伝導と熱
容量とが寄与している。この実施の形態１０では、熱伝
導促進部材２２が保護膜３中に内在されているので、保
護膜３を厚くすることなく熱伝導促進部材２２を設ける
ことができる。そこで、保護膜３の厚みが維持されるの
で、熱伝達促進部材２２を設けることによる熱容量の増
加が抑えられ、応答性の向上が図られる。
促進部材２２が保護膜３中に内在されているので、セン
サ部１５の表面に凹凸が生じない。そこで、上記実施の
形態７に比べて、センサ部１５の表面を流れる気流の乱
れが抑えられ、特性を安定化させつつ、より良い応答性
が得られる。また、熱伝導促進部材２２が保護膜３中に
内在されているので、発熱抵抗素子４および測温抵抗素
子５、６と熱伝導促進部材２２との距離が短縮され、発
熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、６と熱伝導促進部
材２２との間の保護膜３を介しての熱伝導が速められ、
その分応答性が向上される。熱の伝達には、熱伝導と熱
容量とが寄与している。この実施の形態１０では、熱伝
導促進部材２２が保護膜３中に内在されているので、保
護膜３を厚くすることなく熱伝導促進部材２２を設ける
ことができる。そこで、保護膜３の厚みが維持されるの
で、熱伝達促進部材２２を設けることによる熱容量の増
加が抑えられ、応答性の向上が図られる。
【００５７】なお、上記各実施の形態では、発熱抵抗素
子４の両側に配置される測温抵抗素子５、６は同一の格
子状パターンに形成するものとしているが、測温抵抗素
子５、６は異なる格子状パターンに形成されてもよい。
この場合、流体の流量および流速を計測する過程におい
て、測温抵抗素子５、６から測定される温度に相当する
量を、測温抵抗素子５、６の格子状パターンの差を考慮
して補償した後、比較するようにすればよい。また、上
記各実施の形態では、ダイヤフラムタイプの流量検出素
子に適用するものとして説明しているが、ブリッジタイ
プの流量検出素子に適用しても、同様の効果を奏する。
また、上記各実施の形態では、支持膜２、保護膜３、発
熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および熱伝導促進部
材１１、２０、２１、２２をスパッタにより成膜するも
のとしているが、成膜方法はスパッタリング法に限定さ
れるものではなく、真空蒸着、ＣＶＤ等の成膜方法を用
いてもよい。また、上記各実施の形態では、発熱抵抗素
子４および測温抵抗素子５、６として白金を用いている
が、発熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、６は白金に
限らず、温度依存性抵抗の特性を有する材料であればよ
く、例えば鉄とニッケルとの合金であるパーマロイ等を
用いることができる。また、上記各実施の形態では、支
持膜２および保護膜３として窒化シリコンを用いるもの
としているが、支持膜２および保護膜３は窒化シリコン
に限らず、絶縁性を有する材料であればよく、例えば５
酸化タンタル（Ta2O5）、二酸化珪素（SiO2）等を用い
ることができる。また、熱伝導促進部材として白金や酸
化アルミニウムを用いるものとしているが、熱伝導促進
部材は、支持膜２および保護膜３より熱伝導率の大きい
材料であればよく、例えば金（Au）、銅（Cu）、銀（A
g）等やシルミン（AlSi）、窒化チタン（TiN）等を用い
ることができる。
子４の両側に配置される測温抵抗素子５、６は同一の格
子状パターンに形成するものとしているが、測温抵抗素
子５、６は異なる格子状パターンに形成されてもよい。
この場合、流体の流量および流速を計測する過程におい
て、測温抵抗素子５、６から測定される温度に相当する
量を、測温抵抗素子５、６の格子状パターンの差を考慮
して補償した後、比較するようにすればよい。また、上
記各実施の形態では、ダイヤフラムタイプの流量検出素
子に適用するものとして説明しているが、ブリッジタイ
プの流量検出素子に適用しても、同様の効果を奏する。
また、上記各実施の形態では、支持膜２、保護膜３、発
熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および熱伝導促進部
材１１、２０、２１、２２をスパッタにより成膜するも
のとしているが、成膜方法はスパッタリング法に限定さ
れるものではなく、真空蒸着、ＣＶＤ等の成膜方法を用
いてもよい。また、上記各実施の形態では、発熱抵抗素
子４および測温抵抗素子５、６として白金を用いている
が、発熱抵抗素子４および測温抵抗素子５、６は白金に
限らず、温度依存性抵抗の特性を有する材料であればよ
く、例えば鉄とニッケルとの合金であるパーマロイ等を
用いることができる。また、上記各実施の形態では、支
持膜２および保護膜３として窒化シリコンを用いるもの
としているが、支持膜２および保護膜３は窒化シリコン
に限らず、絶縁性を有する材料であればよく、例えば５
酸化タンタル（Ta2O5）、二酸化珪素（SiO2）等を用い
ることができる。また、熱伝導促進部材として白金や酸
化アルミニウムを用いるものとしているが、熱伝導促進
部材は、支持膜２および保護膜３より熱伝導率の大きい
材料であればよく、例えば金（Au）、銅（Cu）、銀（A
g）等やシルミン（AlSi）、窒化チタン（TiN）等を用い
ることができる。
【００５８】実施の形態１１．図２０および図２１はこ
の発明の実施の形態１１に係る流量センサを示す正面図
および横断面図である。各図において、主管３１は円筒
状をなし、計測流体の通路を構成している。そして、円
筒状の計測用管路３２が主管３１の内壁面から径方向内
方に延出する支持腕３３に支持されて同軸に配置されて
いる。この計測用管路３２内には、上記実施の形態１に
よる流量検出素子３４が、発熱抵抗素子および一対の測
温抵抗素子の配列方向を計測用管路３２の軸心方向に一
致させて配置されている。また、主管３１の一端側に
は、計測流体を整流するための格子状の整流器３５が取
り付けられている。そして、制御部および温度計測部と
しての制御回路３６が主管３１の外周に設けられたケー
ス３７内に収容されている。この制御回路３６は電極パ
ッドを介して流量検出素子３４の発熱抵抗素子、測温抵
抗素子および比較抵抗素子に電気的に接続されている。
また、ケース３７には、流量検出素子３４に電力を供給
し、出力信号を取り出すためのコネクタ３８が設けられ
ている。
の発明の実施の形態１１に係る流量センサを示す正面図
および横断面図である。各図において、主管３１は円筒
状をなし、計測流体の通路を構成している。そして、円
筒状の計測用管路３２が主管３１の内壁面から径方向内
方に延出する支持腕３３に支持されて同軸に配置されて
いる。この計測用管路３２内には、上記実施の形態１に
よる流量検出素子３４が、発熱抵抗素子および一対の測
温抵抗素子の配列方向を計測用管路３２の軸心方向に一
致させて配置されている。また、主管３１の一端側に
は、計測流体を整流するための格子状の整流器３５が取
り付けられている。そして、制御部および温度計測部と
しての制御回路３６が主管３１の外周に設けられたケー
ス３７内に収容されている。この制御回路３６は電極パ
ッドを介して流量検出素子３４の発熱抵抗素子、測温抵
抗素子および比較抵抗素子に電気的に接続されている。
また、ケース３７には、流量検出素子３４に電力を供給
し、出力信号を取り出すためのコネクタ３８が設けられ
ている。
【００５９】このように構成された流量センサ３０は、
例えば内燃機関の吸気管に取り付けられ、吸入空気量の
計測に適用される。この場合、吸気管が主管３１に相当
している。流量センサ３０においては、コネクタ３８を
介して流量検出素子３４に電力が供給され、制御回路３
６により、発熱抵抗素子の温度が比較抵抗素子で計測さ
れた空気温度に対して２００℃高い温度となるように制
御されている。そして、一対の測温抵抗素子の温度が制
御回路３６により計測され、コネクタ３８を介して出力
されている。吸入空気は整流器３５により整流されて主
管３１内に流入する。主管３１内に流入した空気の一部
が計測用管路３２内に流入し、流量検出素子３４のセン
サ部表面に沿って一側の測温検出素子側から他側の測温
抵抗素子側に流通する。そこで、空気の流れによって、
上流側の測温抵抗素子の温度が低下し、下流側の測温抵
抗素子の温度が上昇する。この一対の測温抵抗素子の温
度が制御回路３６を介して計測される。そして、上記実
施の形態１で説明したように、この一対の測温抵抗素子
の温度差に基づいて、空気の流量、流れ方向あるいは流
速が検出され、内燃機関の吸入空気量の制御に供せられ
る。
例えば内燃機関の吸気管に取り付けられ、吸入空気量の
計測に適用される。この場合、吸気管が主管３１に相当
している。流量センサ３０においては、コネクタ３８を
介して流量検出素子３４に電力が供給され、制御回路３
６により、発熱抵抗素子の温度が比較抵抗素子で計測さ
れた空気温度に対して２００℃高い温度となるように制
御されている。そして、一対の測温抵抗素子の温度が制
御回路３６により計測され、コネクタ３８を介して出力
されている。吸入空気は整流器３５により整流されて主
管３１内に流入する。主管３１内に流入した空気の一部
が計測用管路３２内に流入し、流量検出素子３４のセン
サ部表面に沿って一側の測温検出素子側から他側の測温
抵抗素子側に流通する。そこで、空気の流れによって、
上流側の測温抵抗素子の温度が低下し、下流側の測温抵
抗素子の温度が上昇する。この一対の測温抵抗素子の温
度が制御回路３６を介して計測される。そして、上記実
施の形態１で説明したように、この一対の測温抵抗素子
の温度差に基づいて、空気の流量、流れ方向あるいは流
速が検出され、内燃機関の吸入空気量の制御に供せられ
る。
【００６０】従って、この実施の形態１１によれば、流
量検出素子３４が上記実施の形態１のように構成されて
いるので、十分な強度とともに、良好な応答性を備えた
流量センサが得られる。そこで、この流量センサ３０
は、吸入空気量が回転数に応じた脈動流となり、特に高
負荷域においては、流量変動幅が非常に大きくなり、ま
た高回転域においては、流量変動の速度が速くなるよう
な内燃機関の吸入空気量の計測にも、十分適用できる。
また、この流量センサ３０は、吸入空気の最大流速が２
００ｍ／ｓ近くに達するような内燃機関の吸入空気量の
計測にも、十分耐えられる。
量検出素子３４が上記実施の形態１のように構成されて
いるので、十分な強度とともに、良好な応答性を備えた
流量センサが得られる。そこで、この流量センサ３０
は、吸入空気量が回転数に応じた脈動流となり、特に高
負荷域においては、流量変動幅が非常に大きくなり、ま
た高回転域においては、流量変動の速度が速くなるよう
な内燃機関の吸入空気量の計測にも、十分適用できる。
また、この流量センサ３０は、吸入空気の最大流速が２
００ｍ／ｓ近くに達するような内燃機関の吸入空気量の
計測にも、十分耐えられる。
【００６１】なお、上記実施の形態１１では、流量セン
サ３０に上記実施の形態１による流量検出素子を用いる
ものとしているが、他の実施の形態による流量検出素子
を用いても、同様の効果を奏する。
サ３０に上記実施の形態１による流量検出素子を用いる
ものとしているが、他の実施の形態による流量検出素子
を用いても、同様の効果を奏する。
【００６２】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００６３】この発明に係る流量検出素子は、少なくと
も一面側を開口とする空隙が設けられた平板状基板と、
発熱抵抗素子とこの発熱抵抗素子の両側に配置された一
対の測温抵抗素子とが絶縁性の支持膜と絶縁性の保護膜
とにより上下から包まれて構成され、上記平板状基板の
一面側の表面に対してほぼ平行となる平面上に配置され
るとともに、上記空隙上に位置するように、少なくとも
該支持膜の一端が上記平板状基板に保持されて、その大
部分が上記平板状基板と非接触状態に配置されるセンサ
部とを備えた流量検出素子において、上記支持膜および
上記保護膜の少なくとも一方より高い熱伝導率を有する
薄膜の熱伝導促進部材が、上記センサ部の上記発熱抵抗
素子と上記一対の測温抵抗素子との間の熱伝導経路に配
設されているので、発熱抵抗素子と測温抵抗素子との間
の熱抵抗を小さくでき、強度を低下させることなく応答
性を向上できる、あるいは応答性を低下させることなく
強度を高めることができる流量検出素子が得られる。
も一面側を開口とする空隙が設けられた平板状基板と、
発熱抵抗素子とこの発熱抵抗素子の両側に配置された一
対の測温抵抗素子とが絶縁性の支持膜と絶縁性の保護膜
とにより上下から包まれて構成され、上記平板状基板の
一面側の表面に対してほぼ平行となる平面上に配置され
るとともに、上記空隙上に位置するように、少なくとも
該支持膜の一端が上記平板状基板に保持されて、その大
部分が上記平板状基板と非接触状態に配置されるセンサ
部とを備えた流量検出素子において、上記支持膜および
上記保護膜の少なくとも一方より高い熱伝導率を有する
薄膜の熱伝導促進部材が、上記センサ部の上記発熱抵抗
素子と上記一対の測温抵抗素子との間の熱伝導経路に配
設されているので、発熱抵抗素子と測温抵抗素子との間
の熱抵抗を小さくでき、強度を低下させることなく応答
性を向上できる、あるいは応答性を低下させることなく
強度を高めることができる流量検出素子が得られる。
【００６４】また、熱伝導促進部材が、支持膜上の発熱
抵抗素子と一対の測温抵抗素子とのそれぞれの間に、上
記発熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との配列方向
と直交する方向に延設されているので、発熱抵抗素子で
発生した熱は、支持膜、保護膜を介して一旦熱伝導促進
部材に伝達され、熱伝導促進部材中を伝達した後、支持
膜、保護膜を介して測温抵抗素子に伝達される。そこ
で、発熱抵抗素子で発生した熱は、主に熱伝達促進部材
中を伝導し、熱伝達しにくい支持膜、保護膜中を伝導す
る距離が縮小され、応答性の向上が図られる。
抵抗素子と一対の測温抵抗素子とのそれぞれの間に、上
記発熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との配列方向
と直交する方向に延設されているので、発熱抵抗素子で
発生した熱は、支持膜、保護膜を介して一旦熱伝導促進
部材に伝達され、熱伝導促進部材中を伝達した後、支持
膜、保護膜を介して測温抵抗素子に伝達される。そこ
で、発熱抵抗素子で発生した熱は、主に熱伝達促進部材
中を伝導し、熱伝達しにくい支持膜、保護膜中を伝導す
る距離が縮小され、応答性の向上が図られる。
【００６５】また、熱伝導促進部材が、支持膜より高い
熱伝導率を有するとともに絶縁性を有する材料からな
り、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子の配置領域
の下部に位置し、かつ、上記発熱抵抗素子および一対の
測温抵抗素子に接触するように上記支持膜の表面上に設
けられているので、発熱抵抗素子で発生し、支持膜側の
熱伝達経路によって伝達する熱は、直接熱伝導促進部材
を介して測温抵抗素子に伝達され、応答性の向上が図ら
れる。
熱伝導率を有するとともに絶縁性を有する材料からな
り、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子の配置領域
の下部に位置し、かつ、上記発熱抵抗素子および一対の
測温抵抗素子に接触するように上記支持膜の表面上に設
けられているので、発熱抵抗素子で発生し、支持膜側の
熱伝達経路によって伝達する熱は、直接熱伝導促進部材
を介して測温抵抗素子に伝達され、応答性の向上が図ら
れる。
【００６６】また、熱伝導促進部材が、支持膜の表面と
同じ面位置となるように上記支持膜に埋設されているの
で、熱伝導促進部材を設けることに起因するセンサ部の
表面の凹凸がなく、センサ部表面を流れる流体の流れに
乱れが発生せず、特性の安定化が図られる。また、支持
膜の厚みを増加させることなく熱伝導促進部材を形成で
きるようになり、熱伝導促進部材を設けることによる熱
容量の増加が抑えられ、応答性の向上が図られる。
同じ面位置となるように上記支持膜に埋設されているの
で、熱伝導促進部材を設けることに起因するセンサ部の
表面の凹凸がなく、センサ部表面を流れる流体の流れに
乱れが発生せず、特性の安定化が図られる。また、支持
膜の厚みを増加させることなく熱伝導促進部材を形成で
きるようになり、熱伝導促進部材を設けることによる熱
容量の増加が抑えられ、応答性の向上が図られる。
【００６７】また、熱伝導促進部材が、支持膜より高い
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の下部に位置し、かつ、上
記発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と接触しない
ように、上記支持膜中に埋設されているので、発熱抵抗
素子で発生し、支持膜側の熱伝達経路を伝達する熱は、
支持膜を介して一旦熱伝導促進部材に伝達され、熱伝導
促進部材中を伝達した後、支持膜を介して測温抵抗素子
に伝達される。そこで、発熱抵抗素子で発生した熱は、
主に熱伝達促進部材中を伝導し、熱伝達しにくい支持膜
中を伝導する距離が縮小され、応答性の向上が図られ
る。
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の下部に位置し、かつ、上
記発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と接触しない
ように、上記支持膜中に埋設されているので、発熱抵抗
素子で発生し、支持膜側の熱伝達経路を伝達する熱は、
支持膜を介して一旦熱伝導促進部材に伝達され、熱伝導
促進部材中を伝達した後、支持膜を介して測温抵抗素子
に伝達される。そこで、発熱抵抗素子で発生した熱は、
主に熱伝達促進部材中を伝導し、熱伝達しにくい支持膜
中を伝導する距離が縮小され、応答性の向上が図られ
る。
【００６８】また、熱伝導促進部材を埋設している部位
の支持膜厚みが、上記熱伝導促進部材を埋設していない
部位の支持膜厚みより上記熱伝導促進部材の厚み分薄く
形成されて、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と
接触する側の支持膜表面を平滑な表面に構成しているの
で、熱伝導促進部材を設けることに起因するセンサ部の
表面の凹凸がなく、センサ部表面を流れる流体の流れに
乱れが発生せず、特性の安定化が図られる。また、支持
膜の厚みを増加させることなく熱伝導促進部材を形成で
きるようになり、熱伝導促進部材を設けることによる熱
容量の増加が抑えられ、応答性の向上が図られる。
の支持膜厚みが、上記熱伝導促進部材を埋設していない
部位の支持膜厚みより上記熱伝導促進部材の厚み分薄く
形成されて、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と
接触する側の支持膜表面を平滑な表面に構成しているの
で、熱伝導促進部材を設けることに起因するセンサ部の
表面の凹凸がなく、センサ部表面を流れる流体の流れに
乱れが発生せず、特性の安定化が図られる。また、支持
膜の厚みを増加させることなく熱伝導促進部材を形成で
きるようになり、熱伝導促進部材を設けることによる熱
容量の増加が抑えられ、応答性の向上が図られる。
【００６９】また、熱伝導促進部材が、支持膜より高い
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の下部に位置するように、
空隙側の上記支持膜の表面上に設けられているので、発
熱抵抗素子で発生し、支持膜側の熱伝達経路を伝達する
熱は、主に熱伝達促進部材中を伝導し、熱伝達しにくい
支持膜中を伝導する距離が縮小され、応答性の向上が図
られる。
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の下部に位置するように、
空隙側の上記支持膜の表面上に設けられているので、発
熱抵抗素子で発生し、支持膜側の熱伝達経路を伝達する
熱は、主に熱伝達促進部材中を伝導し、熱伝達しにくい
支持膜中を伝導する距離が縮小され、応答性の向上が図
られる。
【００７０】また、熱伝導促進部材が、保護膜より高い
熱伝導率を有するとともに絶縁性を有する材料からな
り、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子の配置領域
の上部に位置し、かつ、上記発熱抵抗素子および一対の
測温抵抗素子に接触するように上記保護膜の下側表面に
設けられているので、発熱抵抗素子で発生し、保護膜側
の熱伝達経路を伝達する熱は、直接熱伝導促進部材を介
して測温抵抗素子に伝達され、応答性の向上が図られ
る。
熱伝導率を有するとともに絶縁性を有する材料からな
り、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子の配置領域
の上部に位置し、かつ、上記発熱抵抗素子および一対の
測温抵抗素子に接触するように上記保護膜の下側表面に
設けられているので、発熱抵抗素子で発生し、保護膜側
の熱伝達経路を伝達する熱は、直接熱伝導促進部材を介
して測温抵抗素子に伝達され、応答性の向上が図られ
る。
【００７１】また、熱伝導促進部材が、保護膜より高い
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の上部に位置し、かつ、上
記発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と接触しない
ように、上記保護膜中に埋設されているので、発熱抵抗
素子で発生し、保護膜側の熱伝達経路を伝達する熱は、
保護膜を介して一旦熱伝導促進部材に伝達され、熱伝導
促進部材中を伝達した後、保護膜を介して測温抵抗素子
に伝達される。そこで、発熱抵抗素子で発生し、保護膜
側の熱伝達経路を伝達する熱は、主に熱伝達促進部材中
を伝導し、熱伝達しにくい支持膜中を伝導する距離が縮
小され、応答性の向上が図られる。
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の上部に位置し、かつ、上
記発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と接触しない
ように、上記保護膜中に埋設されているので、発熱抵抗
素子で発生し、保護膜側の熱伝達経路を伝達する熱は、
保護膜を介して一旦熱伝導促進部材に伝達され、熱伝導
促進部材中を伝達した後、保護膜を介して測温抵抗素子
に伝達される。そこで、発熱抵抗素子で発生し、保護膜
側の熱伝達経路を伝達する熱は、主に熱伝達促進部材中
を伝導し、熱伝達しにくい支持膜中を伝導する距離が縮
小され、応答性の向上が図られる。
【００７２】また、熱伝導促進部材が、保護膜より高い
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の上部に位置するように、
上記保護膜の上側表面上に設けられているので、発熱抵
抗素子で発生し、保護膜側の熱伝達経路を伝達する熱
は、保護膜を介して一旦熱伝導促進部材に伝達され、熱
伝導促進部材中を伝達した後、保護膜を介して測温抵抗
素子に伝達される。そこで、発熱抵抗素子で発生し、保
護膜側の熱伝達経路を伝達する熱は、主に熱伝達促進部
材中を伝導し、熱伝達しにくい支持膜中を伝導する距離
が縮小され、応答性の向上が図られる。
熱伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一
対の測温抵抗素子の配置領域の上部に位置するように、
上記保護膜の上側表面上に設けられているので、発熱抵
抗素子で発生し、保護膜側の熱伝達経路を伝達する熱
は、保護膜を介して一旦熱伝導促進部材に伝達され、熱
伝導促進部材中を伝達した後、保護膜を介して測温抵抗
素子に伝達される。そこで、発熱抵抗素子で発生し、保
護膜側の熱伝達経路を伝達する熱は、主に熱伝達促進部
材中を伝導し、熱伝達しにくい支持膜中を伝導する距離
が縮小され、応答性の向上が図られる。
【００７３】また、熱伝導促進部材が設けられている部
位の保護膜厚みが、上記熱伝導促進部材が設けられてい
ない部位の保護膜厚みより上記熱伝導促進部材の厚み分
薄く形成されて、上記保護膜の上側表面を平滑な表面に
構成しているので、熱伝導促進部材を設けることに起因
するセンサ部の表面の凹凸がなく、センサ部表面を流れ
る流体の流れに乱れが発生せず、特性の安定化が図られ
る。また、支持膜の厚みを増加させることなく熱伝導促
進部材を形成できるようになり、熱伝導促進部材を設け
ることによる熱容量の増加が抑えられ、応答性の向上が
図られる。
位の保護膜厚みが、上記熱伝導促進部材が設けられてい
ない部位の保護膜厚みより上記熱伝導促進部材の厚み分
薄く形成されて、上記保護膜の上側表面を平滑な表面に
構成しているので、熱伝導促進部材を設けることに起因
するセンサ部の表面の凹凸がなく、センサ部表面を流れ
る流体の流れに乱れが発生せず、特性の安定化が図られ
る。また、支持膜の厚みを増加させることなく熱伝導促
進部材を形成できるようになり、熱伝導促進部材を設け
ることによる熱容量の増加が抑えられ、応答性の向上が
図られる。
【００７４】また、この発明の流量センサは、筒状をな
し、その軸方向を計測流体の流れ方向にほぼ一致させて
該計測流体の通路内に配置される計測用管路と、少なく
とも一面側を開口とする空隙が設けられた平板状基板
と、発熱抵抗素子とこの発熱抵抗素子の両側に配置され
た一対の測温抵抗素子とが絶縁性の支持膜と絶縁性の保
護膜とにより上下から包まれて構成され、上記平板状基
板の一面側の表面に対してほぼ平行となる平面上に配置
されるとともに、上記空隙上に位置するように、少なく
とも該支持膜の一端が上記平板状基板に保持されて、そ
の大部分が上記平板状基板と非接触状態に配置されるセ
ンサ部と、このセンサ部の上記発熱抵抗素子と上記一対
の測温抵抗素子との間の熱伝導経路に配設された上記支
持膜および上記保護膜の少なくとも一方より高い熱伝導
率を有する薄膜の熱伝導促進部材とから構成され、上記
発熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との配列方向を
上記計測用管路の軸方向にほぼ一致させて上記計測用管
路内に設けられた流量検出素子と、上記発熱抵抗素子に
供給される電力を制御して該発熱抵抗素子の温度を所定
の温度に保持する制御部と、上記一対の測温抵抗素子の
温度を計測する温度計測部とを備えたので、計測流体の
流量、速度あるいは方向を応答よく計測でき、内燃機関
の吸入空気量の計測にも適用できる流量センサが得られ
る。
し、その軸方向を計測流体の流れ方向にほぼ一致させて
該計測流体の通路内に配置される計測用管路と、少なく
とも一面側を開口とする空隙が設けられた平板状基板
と、発熱抵抗素子とこの発熱抵抗素子の両側に配置され
た一対の測温抵抗素子とが絶縁性の支持膜と絶縁性の保
護膜とにより上下から包まれて構成され、上記平板状基
板の一面側の表面に対してほぼ平行となる平面上に配置
されるとともに、上記空隙上に位置するように、少なく
とも該支持膜の一端が上記平板状基板に保持されて、そ
の大部分が上記平板状基板と非接触状態に配置されるセ
ンサ部と、このセンサ部の上記発熱抵抗素子と上記一対
の測温抵抗素子との間の熱伝導経路に配設された上記支
持膜および上記保護膜の少なくとも一方より高い熱伝導
率を有する薄膜の熱伝導促進部材とから構成され、上記
発熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との配列方向を
上記計測用管路の軸方向にほぼ一致させて上記計測用管
路内に設けられた流量検出素子と、上記発熱抵抗素子に
供給される電力を制御して該発熱抵抗素子の温度を所定
の温度に保持する制御部と、上記一対の測温抵抗素子の
温度を計測する温度計測部とを備えたので、計測流体の
流量、速度あるいは方向を応答よく計測でき、内燃機関
の吸入空気量の計測にも適用できる流量センサが得られ
る。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る流量検出素子
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】 図１のＩＩ−ＩＩ矢視断面図である。
【図３】 計測流体の流れ方向における流量検出素子の
表面温度分布を示す図である。
表面温度分布を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態２に係る流量検出素子
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５】 図４のＶ−Ｖ矢視断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態３に係る流量検出素子
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図７】 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ矢視断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態４に係る流量検出素子
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図９】 図８のＩＸ−ＩＸ矢視断面図である。
【図１０】 この発明の実施の形態５に係る流量検出素
子を示す平面図である。
子を示す平面図である。
【図１１】 図１０のＸＩ−ＸＩ矢視断面図である。
【図１２】 この発明の実施の形態６に係る流量検出素
子を示す平面図である。
子を示す平面図である。
【図１３】 図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ矢視断面図で
ある。
ある。
【図１４】 この発明の実施の形態７に係る流量検出素
子を示す平面図である。
子を示す平面図である。
【図１５】 図１４のＸＶ−ＸＶ矢視断面図である。
【図１６】 この発明の実施の形態９に係る流量検出素
子を示す平面図である。
子を示す平面図である。
【図１７】 図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ矢視断面図で
ある。
ある。
【図１８】 この発明の実施の形態１０に係る流量検出
素子を示す平面図である。
素子を示す平面図である。
【図１９】 図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ矢視断面図であ
る。
る。
【図２０】 この発明の実施の形態１１に係る流量セン
サを示す正面図である。
サを示す正面図である。
【図２１】 この発明の実施の形態１１に係る流量セン
サを示す横断面図である。
サを示す横断面図である。
【図２２】 従来の流量検出素子を示す断面図である。
【図２３】 従来の流量検出素子の要部を示す平面図で
ある。
ある。
【図２４】 従来の流量検出素子の他の例を示す断面図
である。
である。
【図２５】 従来の流量検出素子の他の例の要部を示す
平面図である。
平面図である。
１ 平板状基板、２ 支持膜、３ 保護膜、４ 発熱抵
抗素子、５、６ 測温抵抗素子、１０ 計測流体の流れ
方向、１１、２０、２１、２２ 熱伝導促進部材、１５
センサ部、１８ エッチングホール（空隙）、３０
流量センサ、３２ 計測用管路、３４ 流体検出素子、
３６ 制御回路（制御部、温度計測部）。
抗素子、５、６ 測温抵抗素子、１０ 計測流体の流れ
方向、１１、２０、２１、２２ 熱伝導促進部材、１５
センサ部、１８ エッチングホール（空隙）、３０
流量センサ、３２ 計測用管路、３４ 流体検出素子、
３６ 制御回路（制御部、温度計測部）。
フロントページの続き 審査官 森口 正治 (56)参考文献 特開 昭60−142268（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−132546（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−249693（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01F 1/68 - 1/699
Claims (12)
- 【請求項１】 少なくとも一面側を開口とする空隙が設
けられた平板状基板と、発熱抵抗素子とこの発熱抵抗素
子の両側に配置された一対の測温抵抗素子とが絶縁性の
支持膜と絶縁性の保護膜とにより上下から包まれて構成
され、上記平板状基板の一面側の表面に対してほぼ平行
となる平面上に配置されるとともに、上記空隙上に位置
するように、少なくとも該支持膜の一端が上記平板状基
板に保持されて、その大部分が上記平板状基板と非接触
状態に配置されるセンサ部とを備えた流量検出素子にお
いて、 上記支持膜および上記保護膜の少なくとも一方より高い
熱伝導率を有する薄膜の熱伝導促進部材が、上記センサ
部の上記発熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との間
の熱伝導経路に配設されていることを特徴とする流量検
出素子。 - 【請求項２】 熱伝導促進部材が、支持膜上の発熱抵抗
素子と一対の測温抵抗素子とのそれぞれの間に、上記発
熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との配列方向と直
交する方向に延設されていることを特徴とする請求項１
記載の流量検出素子。 - 【請求項３】 熱伝導促進部材が、支持膜より高い熱伝
導率を有するとともに絶縁性を有する材料からなり、発
熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子の配置領域の下部
に位置し、かつ、上記発熱抵抗素子および一対の測温抵
抗素子に接触するように上記支持膜の表面上に設けられ
ていることを特徴とする請求項１記載の流量検出素子。 - 【請求項４】 熱伝導促進部材が、支持膜の表面と同じ
面位置となるように上記支持膜に埋設されていることを
特徴とする請求項３記載の流量検出素子。 - 【請求項５】 熱伝導促進部材が、支持膜より高い熱伝
導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一対の
測温抵抗素子の配置領域の下部に位置し、かつ、上記発
熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と接触しないよう
に、上記支持膜中に埋設されていることを特徴とする請
求項１記載の流量検出素子。 - 【請求項６】 熱伝導促進部材を埋設している部位の支
持膜厚みが、上記熱伝導促進部材を埋設していない部位
の支持膜厚みより上記熱伝導促進部材の厚み分薄く形成
されて、発熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と接触
する側の支持膜表面を平滑な表面に構成していることを
特徴とする請求項５記載の流量検出素子。 - 【請求項７】 熱伝導促進部材が、支持膜より高い熱伝
導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一対の
測温抵抗素子の配置領域の下部に位置するように、空隙
側の上記支持膜の表面上に設けられていることを特徴と
する請求項１記載の流量検出素子。 - 【請求項８】 熱伝導促進部材が、保護膜より高い熱伝
導率を有するとともに絶縁性を有する材料からなり、発
熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子の配置領域の上部
に位置し、かつ、上記発熱抵抗素子および一対の測温抵
抗素子に接触するように上記保護膜の下側表面に設けら
れていることを特徴とする請求項１記載の流量検出素
子。 - 【請求項９】 熱伝導促進部材が、保護膜より高い熱伝
導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一対の
測温抵抗素子の配置領域の上部に位置し、かつ、上記発
熱抵抗素子および一対の測温抵抗素子と接触しないよう
に、上記保護膜中に埋設されていることを特徴とする請
求項１記載の流量検出素子。 - 【請求項１０】 熱伝導促進部材が、保護膜より高い熱
伝導率を有する材料からなり、発熱抵抗素子および一対
の測温抵抗素子の配置領域の上部に位置するように、上
記保護膜の上側表面上に設けられていることを特徴とす
る請求項１記載の流量検出素子。 - 【請求項１１】 熱伝導促進部材が設けられている部位
の保護膜厚みが、上記熱伝導促進部材が設けられていな
い部位の保護膜厚みより上記熱伝導促進部材の厚み分薄
く形成されて、上記保護膜の上側表面を平滑な表面に構
成していることを特徴とする請求項８乃至請求項１０の
いずれかに記載の流量検出素子。 - 【請求項１２】 筒状をなし、その軸方向を計測流体の
流れ方向にほぼ一致させて該計測流体の通路内に配置さ
れる計測用管路と、 少なくとも一面側を開口とする空隙が設けられた平板状
基板と、発熱抵抗素子とこの発熱抵抗素子の両側に配置
された一対の測温抵抗素子とが絶縁性の支持膜と絶縁性
の保護膜とにより上下から包まれて構成され、上記平板
状基板の一面側の表面に対してほぼ平行となる平面上に
配置されるとともに、上記空隙上に位置するように、少
なくとも該支持膜の一端が上記平板状基板に保持され
て、その大部分が上記平板状基板と非接触状態に配置さ
れるセンサ部と、このセンサ部の上記発熱抵抗素子と上
記一対の測温抵抗素子との間の熱伝導経路に配設された
上記支持膜および上記保護膜の少なくとも一方より高い
熱伝導率を有する薄膜の熱伝導促進部材とから構成さ
れ、上記発熱抵抗素子と上記一対の測温抵抗素子との配
列方向を上記計測用管路の軸方向にほぼ一致させて上記
計測用管路内に設けられた流量検出素子と、 上記発熱抵抗素子に供給される電力を制御して該発熱抵
抗素子の温度を所定の温度に保持する制御部と、 上記一対の測温抵抗素子の温度を計測する温度計測部と
を備えたことを特徴とする流量センサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16293597A JP3333712B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 流量検出素子およびそれを用いた流量センサ |
| US08/940,964 US5965811A (en) | 1997-06-19 | 1997-09-30 | Flow rate detecting element and flow rate sensor using same |
| KR1019970053873A KR100263497B1 (ko) | 1997-06-19 | 1997-10-21 | 유량 검출소자 및 그것을 사용한 유량센서 |
| DE19746692A DE19746692C2 (de) | 1997-06-19 | 1997-10-22 | Flußratenmeßelement und ein dieses verwendender Flußratensensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16293597A JP3333712B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 流量検出素子およびそれを用いた流量センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1114414A JPH1114414A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3333712B2 true JP3333712B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=15764047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16293597A Expired - Lifetime JP3333712B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 流量検出素子およびそれを用いた流量センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5965811A (ja) |
| JP (1) | JP3333712B2 (ja) |
| KR (1) | KR100263497B1 (ja) |
| DE (1) | DE19746692C2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3981907B2 (ja) | 1998-10-21 | 2007-09-26 | 株式会社デンソー | 流量測定装置 |
| JP3404300B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2003-05-06 | 三菱電機株式会社 | 感熱式流量センサ |
| JP3513041B2 (ja) * | 1999-01-25 | 2004-03-31 | 三菱電機株式会社 | 流量センサ |
| JP3484372B2 (ja) * | 1999-06-10 | 2004-01-06 | 三菱電機株式会社 | 感熱式流量センサ |
| DE19952055A1 (de) * | 1999-10-28 | 2001-05-17 | Bosch Gmbh Robert | Massenflußsensor mit verbesserter Membranstabilität |
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| US6763712B1 (en) * | 2000-10-05 | 2004-07-20 | Ford Global Technologies, Llc | Flow-sensing device and method for fabrication |
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| JP4474771B2 (ja) * | 2000-12-20 | 2010-06-09 | 株式会社デンソー | 流量測定装置 |
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| JP2013160706A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 流量検出装置、並びに、流量検出装置の製造方法 |
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