JP3316947B2 - Multilayer metal film support for electronic components, multilayer metal film laminated ceramic green sheet support and laminate - Google Patents
Multilayer metal film support for electronic components, multilayer metal film laminated ceramic green sheet support and laminateInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品において例え
ば電極として用いられる金属膜を転写により供給するこ
とを可能とする、電子部品用多層金属膜支持体に関し、
特に、多層金属膜の支持体からの剥離力を高精度に制御
し得る構造が備えられた電子部品用多層金属膜支持体に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer metal film support for an electronic component, which can supply, for example, a metal film used as an electrode in an electronic component by transfer.
In particular, the present invention relates to a multilayer metal film support for electronic components provided with a structure capable of controlling the peeling force of the multilayer metal film from the support with high accuracy.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、セラミック積層電子部品に用いら
れる焼結体は、セラミックグリーンシート上に金属ペ
ーストを印刷することにより内部電極パターンを形成
し、しかる後内部電極の印刷されたセラミックグリーン
シートを積層して得られた積層体を焼成する方法、ある
いは積層ステージ上においてセラミックグリーンシー
トの成形と、導電ペーストのパターン印刷とを繰り返す
ことにより積層体を得、得られた積層体を焼成する方法
により得られていた。2. Description of the Related Art Conventionally, in a sintered body used for a ceramic laminated electronic component, an internal electrode pattern is formed by printing a metal paste on a ceramic green sheet, and then the ceramic green sheet on which the internal electrode is printed is formed. A method of firing the laminated body obtained by laminating, or a method of forming a ceramic green sheet on a lamination stage and obtaining a laminated body by repeating pattern printing of a conductive paste, and a method of firing the obtained laminated body Had been obtained.
【0003】近年、セラミック積層電子部品において、
薄型化及び小型化が進行している。それに伴って、金属
ペーストを用いて内部電極を形成する方法では、焼成後
の内部電極の厚みに対し、塗布時の金属ペーストの厚み
が大きいため、すなわち焼成前後における内部電極の寸
法変化が無視できなくなってきており、品質の高い積層
電子部品を得ることが困難となってきている。また、焼
成前の積層体を得る段階において、内部電極の形成され
ている部分とそうでない部分とで厚みにばらつきが生じ
たり、内部電極の位置ずれが生じたりし易かった。In recent years, in ceramic laminated electronic parts,
Thinning and miniaturization are in progress. Accordingly, in the method of forming an internal electrode using a metal paste, the thickness of the metal paste at the time of application is larger than the thickness of the internal electrode after firing, that is, the dimensional change of the internal electrode before and after firing can be ignored. It is becoming difficult to obtain high-quality laminated electronic components. In addition, at the stage of obtaining the laminate before firing, the thickness of the portion where the internal electrode is formed and the portion where the internal electrode is not formed tend to vary, and the internal electrode is likely to be displaced.
【0004】そこで、焼成前後における内部電極の寸法
変化、特に厚みの変化を低減するために、金属ペースト
ではなく、薄膜形成法により形成された金属膜により内
部電極を構成して積層体を得る方法が提案されている
(特開昭64−42809)。この方法では、金属ペー
ストの印刷により構成されている焼成前の内部電極に対
し、厚みの薄い薄膜形成法により形成された金属膜が内
部電極に用いられている。従って、焼成に先立って得ら
れた積層体における厚みのばらつきや内部電極の位置ず
れ等を抑制することができる。Therefore, in order to reduce the dimensional change of the internal electrode before and after firing, particularly the change in thickness, a method of forming the internal electrode by a metal film formed by a thin film forming method instead of a metal paste to obtain a laminate. Has been proposed (JP-A-64-42809). In this method, a metal film formed by a thin-film forming method with a small thickness is used for an internal electrode before firing, which is formed by printing a metal paste. Therefore, it is possible to suppress a variation in thickness and a displacement of the internal electrodes in the laminate obtained before firing.
【0005】他方、セラミック積層電子部品の小型化を
果たすために、内部電極間のセラミック層の厚みを薄く
した積層体が求められている。そのため、近年、従来の
20μm程度のセラミックグリーンシートに代えて、8
μm以下と厚みの非常に薄いセラミックグリーンシート
が用いられている。このような非常に薄いセラミックグ
リーンシートは、その機械的強度が非常に低い。よっ
て、上記セラミックグリーンシートを例えば合成樹脂フ
ィルムよりなる支持体上において成形した後に、該支持
体から剥離する際、あるいは支持体上に形成された金属
膜(内部電極)上に上記のような薄いセラミックグリー
ンシートを成形したもの(金属膜積層セラミックグリー
ンシート)を該支持体から剥離する際、その剥離力は非
常に小さくすることが必要である。また、積層体を得る
に際し、支持体に支持されたセラミックグリーンシート
と、別の支持体に支持された金属膜とを、交互に転写法
により転写し、積層していく方法も提案されている(特
開昭62−32909)。この方法においても、金属膜
のみを支持体から剥離する必要があるため、金属膜の支
持体からの剥離力の軽減が求められている。On the other hand, in order to reduce the size of the ceramic laminated electronic component, a laminate in which the thickness of the ceramic layer between the internal electrodes is reduced is required. Therefore, in recent years, instead of the conventional ceramic green sheet of about 20 μm,
A very thin ceramic green sheet having a thickness of not more than μm is used. Such a very thin ceramic green sheet has very low mechanical strength. Therefore, when the ceramic green sheet is formed on a support made of, for example, a synthetic resin film and then peeled from the support, or on a metal film (internal electrode) formed on the support, the above-described thin film is formed. When a molded ceramic green sheet (metal film laminated ceramic green sheet) is peeled from the support, the peeling force needs to be extremely small. In addition, a method of alternately transferring a ceramic green sheet supported by a support and a metal film supported by another support by a transfer method when obtaining a laminate, and laminating the same, has also been proposed. (JP-A-62-32909). Also in this method, since only the metal film needs to be peeled from the support, it is required to reduce the peeling force of the metal film from the support.
【0006】そこで、従来、支持体上にシリコン等の離
型剤を塗布し、離型剤層を形成し、該離型剤層上におい
て金属膜やセラミックグリーンシートが形成されてい
た。なお、上記剥離力とは、支持体上から、該支持体上
に直接あるいは離型剤層を介して積層された金属膜又は
金属膜積層セラミックグリーンシートを剥離するのに必
要な力を意味するものとする。Therefore, conventionally, a release agent such as silicon has been applied on a support to form a release agent layer, and a metal film or a ceramic green sheet has been formed on the release agent layer. The above-mentioned peeling force means a force required to peel a metal film or a metal film-laminated ceramic green sheet laminated on the support directly or via a release agent layer from the support. Shall be.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】積層コンデンサでは、
より一層の小型化・薄型化が求められており、従って内
部電極間のセラミック層の厚みは、5μm以下とさらに
薄くなってきているのが現状である。また、積層圧電部
品等の他のセラミック積層電子部品においても、内部電
極間のセラミック層の厚みのより薄いものが求められて
いる。SUMMARY OF THE INVENTION In a multilayer capacitor,
There is a demand for further miniaturization and thinning, and thus the thickness of the ceramic layer between the internal electrodes has been further reduced to 5 μm or less at present. Also, other ceramic multilayer electronic components such as multilayer piezoelectric components are required to have a thinner ceramic layer between internal electrodes.
【0008】ところが、上記のように内部電極間のセラ
ミック層の厚みの非常に薄い積層体を得ようとした場
合、例えば、内部電極間のセラミック層の厚みを5μm
以下とすることが必要である場合には、セラミックグリ
ーンシートあるいは内部電極を構成するための金属膜が
形成されたセラミックグリーンシートの厚みを、5μm
以下としなければならない。そのため、上記セラミック
グリーンシートや金属膜積層セラミックグリーンシート
の支持体からの剥離力は、従来に比べてより小さくしな
ければならない。However, when an attempt is made to obtain a laminate having a very thin ceramic layer between the internal electrodes as described above, for example, the thickness of the ceramic layer between the internal electrodes is reduced to 5 μm.
When it is necessary to set the thickness of the ceramic green sheet or the ceramic green sheet on which the metal film for forming the internal electrode is formed,
Must be: For this reason, the peeling force of the ceramic green sheet or the metal film-laminated ceramic green sheet from the support must be smaller than in the past.
【0009】しかしながら、上記剥離力は小さければ小
さい程よいというものではない。すなわち、金属膜を形
成する工程や、セラミックグリーンシートを成形する工
程においては、金属膜やセラミックグリーンシートが支
持体上において確実に形成もしくは成形されること、あ
るいは支持体上に金属膜を形成した後にその上にセラミ
ックグリーンシートを成形する際には、下方の金属膜が
支持体上において確実に保持されていることが必要であ
る。However, the smaller the peeling force is, the better. That is, in the step of forming the metal film and the step of forming the ceramic green sheet, the metal film and the ceramic green sheet are reliably formed or formed on the support, or the metal film is formed on the support. When a ceramic green sheet is subsequently formed thereon, it is necessary that the lower metal film is securely held on the support.
【0010】すなわち、上記金属膜やセラミックグリー
ンシートの支持体に対する剥離力は、セラミックグリー
ンシートの厚みを薄くするに従って小さくすることが求
められるものの、適度な剥離力を有するように高精度に
制御されなければならない。ところが、従来のように、
単に支持体表面に離型剤層を設けた方法では、金属膜や
セラミックグリーンシートの支持体に対する剥離力を高
精度に制御することができなかった。That is, although the peeling force of the metal film or the ceramic green sheet to the support is required to be reduced as the thickness of the ceramic green sheet is reduced, it is controlled with high precision so as to have an appropriate peeling force. There must be. However, as before,
With the method in which the release agent layer is simply provided on the support surface, the peeling force of the metal film or the ceramic green sheet on the support cannot be controlled with high accuracy.
【0011】本発明の目的は、支持体上に形成された金
属膜や金属膜積層セラミックグリーンシートの剥離力を
高精度に制御し得る構造を備えた電子部品用多層金属膜
支持体及び多層金属膜積層セラミックグリーンシート支
持体を提供することにある。An object of the present invention is to provide a multi-layer metal film support for an electronic component and a multi-layer metal having a structure capable of controlling the peeling force of a metal film or a metal film-laminated ceramic green sheet formed on the support with high precision. It is an object of the present invention to provide a film laminated ceramic green sheet support.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本願の請求項1に記載の
発明は、支持体と、前記支持体上に薄膜形成法により形
成されており、かつピンホールの開口面積率が30〜5
0%であるように複数のピンホールが形成された第1の
金属膜と、前記第1の金属膜層上にメッキにより形成さ
れた第2の金属膜とを備えることを特徴とする、電子部
品用多層金属膜支持体である。According to the first aspect of the present invention, a support, a thin film formed on the support by a thin film forming method, and an opening area ratio of a pinhole is 30 to 5 mm.
An electron, comprising: a first metal film in which a plurality of pinholes are formed so as to be 0%; and a second metal film formed by plating on the first metal film layer. It is a multilayer metal film support for components.
【0013】また、請求項2に記載の発明は、多層金属
膜を覆うように、セラミックグリーンシートが積層され
た多層金属膜積層セラミックグリーンシートを支持体上
に積層したものであって、上記第2の金属膜上に直接又
は間接に積層されたセラミックグリーンシートをさらに
備えることを特徴とする、多層金属膜積層セラミックグ
リーンシート支持体である。According to a second aspect of the present invention, there is provided a multi-layer ceramic green sheet having a multi-layered ceramic green sheet laminated on a support so as to cover the multi-layer metal film. 2. A multilayer ceramic green sheet support comprising a ceramic green sheet laminated directly or indirectly on the second metal film.
【0014】さらに、請求項3に記載の発明は、内部電
極が形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極
の形成されていないセラミックグリーンシートとを積層
することにより得られた積層体であって、前記内部電極
が形成されたセラミックグリーンシートが、請求項2に
記載の多層金属膜積層セラミックグリーンシート支持体
から転写することにより構成されている、積層体であ
る。Further, the invention according to claim 3 is a laminate obtained by laminating a ceramic green sheet on which an internal electrode is formed and a ceramic green sheet on which an internal electrode is not formed, A ceramic green sheet on which the internal electrodes are formed is a laminate formed by transferring the ceramic green sheet from the multilayer metal film-laminated ceramic green sheet support according to claim 2.
【0015】請求項1に記載の発明において、上記ピン
ホールとは、第1の金属膜に形成される貫通孔を意味
し、該ピンホールは第1の金属膜に複数形成されてい
る。もっとも、このピンホールの平面形状については特
に問わず、円形、楕円形、その他の不規則な形状等の種
々の平面形状を有するように形成されることができ、複
数のピンホールは同一形状を有する必要もない。[0015] In the first aspect of the present invention, the pinhole means a through hole formed in the first metal film, and the plurality of pinholes are formed in the first metal film. However, the plane shape of this pinhole is not particularly limited, and it can be formed to have various plane shapes such as a circle, an ellipse, and other irregular shapes, and a plurality of pinholes have the same shape. No need to have.
【0016】さらに、ピンホールの大きさも特に限定さ
れるわけではないが、通常は0.5〜3μm程度の径と
される。請求項1に記載の発明では、第1の金属膜に上
記複数のピンホールが形成されており、第2の金属膜は
メッキ法により第1の金属膜上に形成される。従って、
上記ピンホールが形成されている部分においては、第1
の金属膜は支持体に付着していない。また、第2の金属
膜は、メッキにより形成されるものであるため、ピンホ
ールにおいて支持体の露出している部分には付着しない
はずである。しかし、ピンホールが比較的小さく、かつ
第1の金属膜のピンホールに臨む部分の側面に付着する
ため、結果としては、ピンホール部分に入り込んで形成
される。従って、ピンホール部では、第2の金属膜が支
持体表面に付着することになる。Further, the size of the pinhole is not particularly limited, but is usually about 0.5 to 3 μm. In the first aspect, the plurality of pinholes are formed in the first metal film, and the second metal film is formed on the first metal film by a plating method. Therefore,
In the portion where the pinhole is formed, the first
Is not attached to the support. Further, since the second metal film is formed by plating, it should not adhere to the exposed portion of the support in the pinhole. However, since the pinhole is relatively small and adheres to the side surface of the portion of the first metal film facing the pinhole, the pinhole is formed as a result. Therefore, in the pinhole portion, the second metal film adheres to the surface of the support.
【0017】従って、ピンホール部と、その他の部分と
では、多層金属膜と支持体との間の結合力が異なるの
で、ピンホールの開口面積率を調整することにより、多
層金属膜の支持体からの剥離力が調整され得る。Therefore, since the bonding force between the multilayer metal film and the support is different between the pinhole portion and the other portions, the support of the multilayer metal film is adjusted by adjusting the opening area ratio of the pinhole. The peeling force from the can be adjusted.
【0018】ピンホールの開口面積率とは、複数のピン
ホールのすべての面積の合計の、第1の金属膜の主面の
面積に対する割合を示す。The open area ratio of the pinhole A, to indicate the sum of all the areas of the plurality of pinholes, the ratio of the area of the main surface of the first metal film.
【0019】なお、第1の金属膜は、蒸着、スパッタ又
はイオンプレーティング等の薄膜形成法により形成され
ることが好ましく、それによって、寸法安定性の高い電
極を形成し得る。また、第1の金属膜上には、上記のよ
うにメッキ法により第2の金属膜層が形成されるが、こ
のメッキ法としては、電気メッキあるいは無電解メッキ
のいずれのメッキ法であってもよく、かつ第2の金属膜
層上に、さらに1以上の金属膜層が同じくメッキ法によ
り形成されてもよい。The first metal film is preferably formed by a thin film forming method such as vapor deposition, sputtering or ion plating, whereby an electrode having high dimensional stability can be formed. Further, the second metal film layer is formed on the first metal film by the plating method as described above. The plating method may be any one of electroplating and electroless plating. Alternatively, one or more metal film layers may be similarly formed on the second metal film layer by a plating method.
【0020】また、上記支持体は、金属以外の適当な材
料により構成されるが、例えばポリエチレンテレフタレ
ート又はポリプロピレン等の合成樹脂フィルムが用いら
れる。The support is made of a suitable material other than a metal. For example, a synthetic resin film such as polyethylene terephthalate or polypropylene is used.
【0021】なお、第1,第2の金属膜を構成する材料
としては、電子部品において電極材料として用いられて
いる各種金属、例えば、Ag、Pd、Cu、Ni、Pt
もしくはこれらの合金等が用いられる。The materials forming the first and second metal films include various metals used as electrode materials in electronic parts, for example, Ag, Pd, Cu, Ni, Pt.
Alternatively, an alloy thereof is used.
【0022】[0022]
【発明の作用及び効果】請求項1に記載の発明では、第
1の金属膜層に、上記特定のピンホール開口面積率を有
するように複数のピンホールが形成されており、該第1
の金属膜上に第2の金属膜がメッキ法により形成されて
いる。従って、複数のピンホールが形成されている部分
においては、第2の支持体が支持体に比較的弱く接合し
ているだけであるため、上記ピンホール開口面積率を上
記特定の範囲内で調整することにより、多層金属膜の支
持体に対する剥離力を高精度に制御することができる。According to the first aspect of the present invention, a plurality of pinholes are formed in the first metal film layer so as to have the specific pinhole opening area ratio.
A second metal film is formed on the metal film by a plating method. Therefore, in the portion where a plurality of pinholes are formed, the second support is only relatively weakly joined to the support, so that the pinhole opening area ratio is adjusted within the specific range. By doing so, the peeling force of the multilayer metal film on the support can be controlled with high precision.
【0023】また、請求項2に記載の発明では、上記第
2の金属膜上に、直接又は間接にセラミックグリーンシ
ートが積層されているため、金属膜積層セラミックグリ
ーンシートの支持体からの剥離力を請求項1に記載の発
明と同様に高精度に制御することができる。According to the second aspect of the present invention, since the ceramic green sheet is laminated directly or indirectly on the second metal film, the peeling force of the metal film laminated ceramic green sheet from the support is increased. Can be controlled with high precision in the same manner as in the first aspect of the present invention.
【0024】従って、請求項2に記載の発明を用いて、
転写法により支持体から多層金属膜積層セラミックグリ
ーンシートを無理なく転写し、積層することができるの
で、請求項3に記載の発明のように上記多層金属膜より
なる内部電極が形成された小型のセラミック積層体を安
定に得ることができる。さらに、この積層体を焼成し、
得られた焼結体を用いることにより、例えば積層コンデ
ンサのようなセラミック積層電子部品を得ることができ
る。よって、請求項3に記載の発明では、セラミックグ
リーンシートの厚みを従来法に比べてより一層薄くする
ことができるため、より小型・薄型のセラミック積層電
子部品を提供することが可能となる。Therefore, using the invention of claim 2,
The multi-layer metal film-laminated ceramic green sheet can be easily transferred and laminated from the support by the transfer method, so that a small-sized internal electrode formed of the multi-layer metal film is formed as in the invention according to claim 3. A ceramic laminate can be obtained stably. Furthermore, firing this laminate,
By using the obtained sintered body, a ceramic multilayer electronic component such as a multilayer capacitor can be obtained. Therefore, according to the third aspect of the present invention, the thickness of the ceramic green sheet can be further reduced as compared with the conventional method, so that a smaller and thinner ceramic laminated electronic component can be provided.
【0025】[0025]
【実施例の説明】以下、本発明の非限定的な実施例を説
明することにより本発明を明らかにする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be clarified by describing non-limiting embodiments of the present invention.
【0026】実験例1 (実施例1)まず、100℃程度の温度では変形しない
ポリエチレンテレフタレートフィルムからなる支持体を
用意し、該支持体の一方面にシリコン樹脂をコーティン
グし、離型処理を行った。 EXPERIMENTAL EXAMPLE 1 (Example 1) First, a support made of a polyethylene terephthalate film which does not deform at a temperature of about 100 ° C. was prepared, and one surface of the support was coated with a silicone resin and subjected to a mold release treatment. Was.
【0027】次に、図1に示すように、支持体1上にピ
ンホール開口面積率30%、ピンホール径1μm、厚み
0.1μmの銀よりなる蒸着膜を形成し、第1の金属膜
2とした。複数のピンホールAの形成は、支持体1の上
面の全面に銀を蒸着した後、銀蒸着膜上にフォトレジス
トをコーティングし、露光・現像し、必要なピンホール
部分においてフォトレジストに開口を形成し、硝酸第2
鉄水溶液により銀蒸着膜をエッチングし、しかる後レジ
ストを除去することにより形成した。Next, as shown in FIG. 1, a vapor deposition film made of silver having a pinhole opening area ratio of 30%, a pinhole diameter of 1 μm, and a thickness of 0.1 μm is formed on the support 1 to form a first metal film. And 2. The formation of the plurality of pinholes A is performed by depositing silver on the entire upper surface of the support 1, coating the photoresist on the silver deposition film, exposing and developing, and forming openings in the photoresist at necessary pinhole portions. Formed and nitric acid second
The silver deposition film was etched with an aqueous iron solution, and then the resist was removed to form the film.
【0028】次に、図2に示すように、上記のようなピ
ンホールAが形成された第1の金属膜2上に、電気メッ
キによりパラジウムよりなる第2の金属膜3を形成し
た。なお、電気メッキに際しての電流密度は1A/dm
2 とし、メッキ浴はアンミン錯塩メッキ浴を用い、銀蒸
着膜よりなる第1の金属膜2を陰極が、白金板を陽極と
してメッキを行った。上記のようにして、厚み0.5μ
mの第2の金属膜3を形成し、図2に示す実施例1の多
層金属膜支持体を得た。Next, as shown in FIG. 2, a second metal film 3 made of palladium was formed by electroplating on the first metal film 2 on which the pinholes A were formed as described above. The current density at the time of electroplating is 1 A / dm.
The plating bath was an ammine complex plating bath, and plating was performed using the first metal film 2 made of a silver vapor-deposited film as a cathode and a platinum plate as an anode. As above, thickness 0.5μ
m of the second metal film 3 was formed, and a multilayer metal film support of Example 1 shown in FIG. 2 was obtained.
【0029】図2から明らかなように、ピンホールAの
径が1μmと小さく、かつメッキにより第2の金属膜3
がピンホールAに臨む第1の金属膜2の側面にも密着さ
れるので、結果としてピンホールA内に入り込んでい
る。 (実施例2)第2の金属膜を、電気メッキにより銀をメ
ッキすることにより形成したことを除いては、実施例1
と同様にして、実施例2の多層金属膜支持体を得た。な
お、第2の金属膜をメッキした際の条件は、電流密度を
1A/dm2 、メッキ浴をシアン浴とし、第1の金属膜
を陰極、銀よりなる板を陽極として行った。また、銀を
メッキすることにより、上記のようにして形成された第
2の金属膜の膜厚は0.5μmであった。 (実施例3)実施例2の第1の金属膜のピンホール開口
面積率を50%としたことを除いては、実施例2と同様
にして実施例3の多層金属膜支持体を得た。 (実施例4)図3に示すように、実施例1と同様にし
て、支持体1上にピンホール開口面積率30%、ピンホ
ール径1μmのピンホールAを有する第1の金属膜2を
形成した。次に、第1の金属膜2上に、実施例2と同様
にして銀をメッキすることにより、厚み0.5μmの第
2の金属膜3を形成し、さらに、その上にパラジウムを
電気メッキすることにより厚み0.25μmの第3の金
属膜4を形成した。このようにして、実施例4の多層金
属膜支持体を得た。 (比較例1)実施例1と同様にして、但しピンホールを
形成しないようにして、支持体上に全面に銀を蒸着する
ことにより第1の金属膜を形成し、次に第1の金属膜上
に、実施例1と同様にしてパラジウムを電気メッキし、
第2の金属膜を形成し、比較例1の多層金属膜支持体を
得た。As is clear from FIG. 2, the diameter of the pinhole A is as small as 1 μm, and the second metal film 3 is formed by plating.
Are also in close contact with the side surface of the first metal film 2 facing the pinhole A, and as a result, have penetrated into the pinhole A. Example 2 Example 1 except that the second metal film was formed by plating silver by electroplating.
In the same manner as in the above, a multilayer metal film support of Example 2 was obtained. The conditions for plating the second metal film were such that the current density was 1 A / dm 2 , the plating bath was a cyan bath, the first metal film was a cathode, and a silver plate was an anode. The thickness of the second metal film formed as described above by plating silver was 0.5 μm. (Example 3) A multilayer metal film support of Example 3 was obtained in the same manner as in Example 2 except that the pinhole opening area ratio of the first metal film of Example 2 was changed to 50%. . (Embodiment 4) As shown in FIG. 3, a first metal film 2 having a pinhole A having a pinhole opening area ratio of 30% and a pinhole diameter of 1 μm is formed on a support 1 in the same manner as in Embodiment 1. Formed. Next, the second metal film 3 having a thickness of 0.5 μm is formed by plating silver on the first metal film 2 in the same manner as in the second embodiment, and further, palladium is electroplated thereon. As a result, a third metal film 4 having a thickness of 0.25 μm was formed. Thus, a multilayer metal film support of Example 4 was obtained. (Comparative Example 1) A first metal film was formed by vapor-depositing silver on the entire surface of a support in the same manner as in Example 1 except that no pinhole was formed, and then the first metal film was formed. Palladium was electroplated on the membrane in the same manner as in Example 1,
A second metal film was formed, and a multilayer metal film support of Comparative Example 1 was obtained.
【0030】上述した実施例1〜4及び比較例1の各多
層金属膜支持体のそれぞれについて、転写性を評価する
ため、紙及びプラスチックからなる基材のそれぞれに多
層金属膜を転写した。In order to evaluate the transferability of each of the multilayer metal film supports of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, the multilayer metal film was transferred to each of paper and plastic substrates.
【0031】まず、実施例1〜4及び比較例1の多層金
属膜支持体のそれぞれについて、多層金属膜表面に接着
剤をコーティングし、次に、ホットスタンピング法によ
り紙及びプラスチックからなる基材に多層金属膜を転写
した。上記ホットスタンピング処理は、100kg/c
m2 の圧力を10秒間加え、ホットスタンピング処理温
度50℃、60℃、70℃及び80℃の各温度において
行った。First, with respect to each of the multilayer metal film supports of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, an adhesive was coated on the surface of the multilayer metal film, and then the substrate made of paper and plastic was hot-stamped. The multilayer metal film was transferred. The hot stamping treatment is 100 kg / c
A pressure of m 2 was applied for 10 seconds, and hot stamping was performed at each of 50 ° C., 60 ° C., 70 ° C., and 80 ° C.
【0032】結果を表1に示す。The results are shown in Table 1.
【0033】[0033]
【表1】 [Table 1]
【0034】なお、表1における評価記号の意味内容は
以下の通りである。 ○…転写が良好に行われた。 ×…転写しなかった。The meanings of the evaluation symbols in Table 1 are as follows. …: Transfer was successfully performed. X: Not transferred.
【0035】上記のように実施例1〜4では、第1の金
属膜のピンホール開口面積率を制御することにより、多
層金属薄膜の転写性を制御し得ることがわかる。なお、
実施例1〜4においては、第1の金属膜として、銀を蒸
着してなる金属膜を用いたが、代わりに、銅、ニッケル
あるいは金等を用いた場合においても、上記と同様にピ
ンホール開口面積率を制御することにより、金属薄膜の
転写性を制御し得ることが確かめられた。As described above, in Examples 1 to 4, it is found that the transferability of the multilayer metal thin film can be controlled by controlling the pinhole opening area ratio of the first metal film. In addition,
In Examples 1 to 4, a metal film formed by depositing silver was used as the first metal film. Alternatively, when copper, nickel, gold, or the like was used, a pinhole was formed in the same manner as described above. It was confirmed that the transferability of the metal thin film could be controlled by controlling the opening area ratio.
【0036】実験例2 (実施例5)ポリエチレンテレフタレートフィルムから
なる支持体上に、蒸着により厚み0.1μmのピンホー
ルのない銅蒸着膜を形成した。なお、蒸着の条件は、実
験例1における実施例1の銀蒸着膜の場合と同様とし
た。次に、銅蒸着膜に、実施例1と同様にフォトリソグ
ラフィー技術を用いて、ピンホール開口面積率30%、
ピンホール径1μmとなるように複数のピンホールを形
成し、第1の金属膜を形成した。さらに、図4に示すよ
うに、第1の金属膜12上に、第2の金属膜13とし
て、ニッケルを電気メッキし、厚み1μmのニッケル膜
を形成した。この電気メッキは、電流密度を1A/dm
2 とし、メッキ浴としてスルファミン酸浴を用い、第1
の金属膜12を陰極、ニッケル板を陽極として行った。 (比較例2)実施例5において最初に形成した第1の金
属膜にピンホールを形成しないことを除いては、実施例
5と同様にして比較例2の多層金属膜支持体を得た。 Experimental Example 2 (Example 5) A pin-hole-free copper vapor-deposited film having a thickness of 0.1 μm was formed on a support made of a polyethylene terephthalate film by vapor deposition. The conditions for the vapor deposition were the same as in the case of the silver vapor deposition film of Example 1 in Experimental Example 1. Next, a pinhole opening area ratio of 30% was applied to the copper vapor-deposited film by using the photolithography technique as in the first embodiment.
A plurality of pinholes were formed so as to have a pinhole diameter of 1 μm, and a first metal film was formed. Further, as shown in FIG. 4, nickel was electroplated as a second metal film 13 on the first metal film 12 to form a nickel film having a thickness of 1 μm. This electroplating has a current density of 1 A / dm.
2 , using a sulfamic acid bath as the plating bath,
The metal film 12 was used as a cathode and a nickel plate was used as an anode. Comparative Example 2 A multilayer metal film support of Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 5, except that no pinhole was formed in the first metal film formed first in Example 5.
【0037】上記のようにして得た実施例5及び比較例
2の多層金属膜支持体における転写性を評価するため
に、以下の実験を行った。チタン酸バリウムを主成分と
する非還元性誘電体セラミックスラリーを多層金属膜表
面にコーティングし、乾燥し、図4に示すセラミックグ
リーンシート14を形成した。比較例2についても、同
様に第2の金属膜上にセラミックグリーンシートを形成
した。The following experiment was performed to evaluate the transferability of the multilayer metal film supports of Example 5 and Comparative Example 2 obtained as described above. A non-reducing dielectric ceramic slurry containing barium titanate as a main component was coated on the surface of the multilayer metal film and dried to form a ceramic green sheet 14 shown in FIG. In Comparative Example 2, a ceramic green sheet was similarly formed on the second metal film.
【0038】次に、上記多層金属膜積層セラミックグリ
ーンシートを、支持体1から剥離し、剥離力を評価し
た。比較例2では、セラミックグリーンシートが多層金
属膜から剥離したにもかかわらず、多層金属膜は支持体
1上から全く剥離しなかった。これに対して、実施例5
では、セラミックグリーンシート14の剥離に伴って、
多層金属膜も支持体11上から円滑に剥離された。Next, the ceramic green sheet laminated with the multilayer metal film was peeled from the support 1, and the peeling force was evaluated. In Comparative Example 2, the multilayer metal film did not peel at all from the support 1 even though the ceramic green sheet was peeled from the multilayer metal film. In contrast, Example 5
Then, with the peeling of the ceramic green sheet 14,
The multilayer metal film was also smoothly separated from the support 11.
【0039】実験例3 実施例5において第2の金属膜13を形成した後に、フ
ォトリソグラフィー技術を利用して、多層金属膜を積層
コンデンサの内部電極の形状となるように加工した。す
なわち、内部電極の形状に応じたフォトレジストをパタ
ーニングし、塩化第2鉄水溶液により多層金属膜をエッ
チングし、しかる後フォトレジストを除去することによ
り、内部電極用金属パターンを上記多層金属膜により形
成した。次に、上記パターニング後に、支持体1の多層
金属膜が形成されている面上に、非還元性誘電体セラミ
ックスを主成分とするセラミックスラリーを用い、ドク
ターブレード法によりセラミックグリーンシートを成形
した。しかる後、セラミックグリーンシート側から積層
ステージ上に熱圧着し、しかる後支持体を剥離し、引き
続いて新たな多層金属膜積層セラミックグリーンシート
支持体をセラミックグリーンシート側から熱圧着し、支
持体を剥離する工程を繰り返すことにより、積層体を得
た。この場合、各熱圧着後の支持体の剥離に際し、多層
金属膜は支持体側に残ることはなかった。すなわち、セ
ラミックグリーンシートとともに支持体から円滑に剥離
され、上記積層体側に転写された。 Experimental Example 3 After the second metal film 13 was formed in Example 5, the multilayer metal film was processed by photolithography so as to have the shape of the internal electrode of the multilayer capacitor. That is, the photoresist according to the shape of the internal electrode is patterned, the multilayer metal film is etched with an aqueous ferric chloride solution, and then the photoresist is removed to form a metal pattern for the internal electrode using the multilayer metal film. did. Next, after the above-described patterning, a ceramic green sheet was formed on the surface of the support 1 on which the multilayer metal film was formed, using a ceramic slurry containing a non-reducing dielectric ceramic as a main component by a doctor blade method. Thereafter, thermocompression bonding is performed from the ceramic green sheet side onto the lamination stage, and then the support is peeled off. Subsequently, a new multilayer metal film laminated ceramic green sheet support is thermocompression bonded from the ceramic green sheet side, and the support is pressed. By repeating the step of peeling, a laminate was obtained. In this case, the multilayer metal film did not remain on the support side when the support was peeled off after each thermocompression bonding. That is, it was smoothly separated from the support together with the ceramic green sheet, and was transferred to the laminate.
【0040】上記のようにして得た積層体を1個の積層
コンデンサを構成する寸法に厚み方向に切断した後、焼
成し、得られた焼結体の両端面に外部電極を形成するこ
とにより積層コンデンサを作製した。The laminated body obtained as described above is cut in the thickness direction so as to form a single laminated capacitor, fired, and external electrodes are formed on both end surfaces of the obtained sintered body. A multilayer capacitor was manufactured.
【0041】得られた積層コンデンサでは、内部電極は
金属ペーストをスクリーン印刷により形成した従来の積
層コンデンサに比べて、その厚みは薄く、また内部電極
の厚みがセラミックグリーンシートの延びる方向におい
てより均一であった。また、内部電極にポア等の欠陥が
存在しないため、容量の低下等の電気的特性の劣化もみ
られなかった。In the obtained multilayer capacitor, the thickness of the internal electrodes is smaller than that of a conventional multilayer capacitor in which a metal paste is formed by screen printing, and the thickness of the internal electrodes is more uniform in the direction in which the ceramic green sheets extend. there were. Further, since there were no defects such as pores in the internal electrodes, no deterioration in electrical characteristics such as a decrease in capacitance was observed.
【0042】実験例4 (実施例6)まず、図5に示すように、実施例1で用い
た支持体1と同様の材料からなる支持体21を用意し
た。次に、支持体21上に銅を蒸着し、ピンホールを有
しない厚み0.1μmの銅蒸着膜を形成した。この蒸着
の条件は、実験例1における銀の蒸着膜を形成した場合
と同様とした。 Experimental Example 4 (Example 6) First, as shown in FIG. 5, a support 21 made of the same material as the support 1 used in Example 1 was prepared. Next, copper was deposited on the support 21 to form a 0.1 μm-thick copper deposited film having no pinhole. The conditions for this vapor deposition were the same as in the case of forming the silver vapor deposition film in Experimental Example 1.
【0043】銅からなる蒸着膜を、実験例1の実施例1
と同様にフォトリソグラフィー技術を用いて、ピンホー
ル開口面積率30%、ピンホール径1μmの複数のピン
ホールを形成し、第1の金属膜22を形成した。次に、
第1の金属膜22上に無電解メッキによりニッケルをメ
ッキし、第2の金属膜23を形成した。無電解メッキ
は、次亜燐酸亜鉛還元浴を用い、50℃の温度で行い、
厚み1μmのニッケルメッキ膜を得た。 (実施例7)ニッケルを電気メッキにより厚み1μmと
なるようにメッキすることにより第2の金属膜23を形
成したことを除いては、実施例6と同様にして、実施例
7の多層金属膜支持体を得た。なお、電気メッキの条件
は実験例2の実施例1と同様とした。 (比較例3)第1の金属膜にピンホールを形成しなかっ
たことを除いては、実施例6と同様にして比較例3の多
層金属膜支持体を得た。An evaporated film made of copper was used in Example 1 of Experimental Example 1.
Similarly to the above, a plurality of pinholes having a pinhole opening area ratio of 30% and a pinhole diameter of 1 μm were formed by using the photolithography technique, and the first metal film 22 was formed. next,
Nickel was plated on the first metal film 22 by electroless plating to form a second metal film 23. The electroless plating is performed at a temperature of 50 ° C. using a zinc hypophosphite reduction bath,
A 1 μm thick nickel plating film was obtained. (Example 7) The multilayer metal film of Example 7 was formed in the same manner as in Example 6, except that the second metal film 23 was formed by plating nickel to a thickness of 1 µm by electroplating. A support was obtained. The electroplating conditions were the same as in Example 1 of Experimental Example 2. Comparative Example 3 A multilayer metal film support of Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Example 6, except that no pinhole was formed in the first metal film.
【0044】上記のようにして得た実施例6,7及び比
較例3の各多層金属膜支持体の転写性を評価した。評価
方法は、実験例1と同様とした。すなわち、ホットスタ
ンピング処理により転写試験を行った。結果を下記の表
2に示す。The transferability of each of the multilayer metal film supports of Examples 6, 7 and Comparative Example 3 obtained as described above was evaluated. The evaluation method was the same as in Experimental Example 1. That is, a transfer test was performed by hot stamping. The results are shown in Table 2 below.
【0045】[0045]
【表2】 [Table 2]
【0046】なお、表2の評価記号の意味が以下の通り
である。 ○…転写が良好に行われた。 ×…転写しなかった。The meanings of the evaluation symbols in Table 2 are as follows. …: Transfer was successfully performed. X: Not transferred.
【0047】実施例6では、銅蒸着膜よりなる第1の金
属膜22のピンホール部分において、第2の金属膜23
が支持体21と直接接合することになり、多層金属膜の
剥離力は、第2の金属膜と支持体21との間の結合力と
なる。また、銅蒸着膜のピンホールが存在しない部分で
は、金属膜の剥離力は、銅蒸着膜と支持体21との間の
結合力となる。従って、全体の剥離力は、ピンホール部
分における剥離力と、ピンホールがない部分の剥離力の
総和となる。よって、上記ピンホールが存在する部分と
存在しない部分との剥離力の差により、上記のようにピ
ンホールをある程度の開口面積率を有するように形成す
ることにより、剥離力を調節することができる。In the sixth embodiment, the second metal film 23 is formed at the pinhole portion of the first metal film 22 made of a copper vapor deposition film.
Is directly bonded to the support 21, and the peeling force of the multilayer metal film becomes a bonding force between the second metal film and the support 21. In a portion where the pinhole does not exist in the copper vapor deposition film, the peeling force of the metal film becomes a bonding force between the copper vapor deposition film and the support 21. Therefore, the total peeling force is the sum of the peeling force at the pinhole portion and the peeling force at the portion without the pinhole. Therefore, the peeling force can be adjusted by forming the pinhole to have a certain opening area ratio as described above by the difference in the peeling force between the portion where the pinhole exists and the portion where the pinhole does not exist. .
【0048】上述してきた各実施例では、第1の金属膜
におけるピンホールの形成は、フォトレジストを用い、
フォトリソグラフィー技術を利用して行ったが、例え
ば、支持体表面を部分的に活性化し、支持体表面に無電
解メッキ可能な部分と不可能な部分とを構成し、それに
よって無電解メッキ不可能な部分にピンホールが形成さ
れるように無電解メッキ法により第1の金属膜を形成し
てもよく、あるいは支持体表面にマスクを被せ、該マス
クで覆われている部分がピンホールとなるように金属を
蒸着してピンホールを形成してもよい。In each of the embodiments described above, the formation of the pinhole in the first metal film uses a photoresist,
Performed by using photolithography technology, for example, partially activating the support surface, forming a portion that can be electrolessly plated on the support surface and a portion that cannot be electrolessly plated, thereby making the electroless plating impossible The first metal film may be formed by an electroless plating method so that a pinhole is formed in an appropriate portion, or a mask is placed on the surface of the support, and the portion covered with the mask becomes a pinhole. As described above, a pinhole may be formed by evaporating metal.
【図1】実施例における第1の金属膜及び支持体の構造
を説明するための分解斜視図。FIG. 1 is an exploded perspective view illustrating a structure of a first metal film and a support in an embodiment.
【図2】実施例1の多層金属膜支持体の構造を示す部分
切欠断面図。FIG. 2 is a partially cutaway sectional view showing the structure of the multilayer metal film support of Example 1.
【図3】実施例4の多層金属膜支持体を示す部分切欠断
面図。FIG. 3 is a partially cutaway sectional view showing a multilayer metal film support of Example 4.
【図4】実施例5の多層金属膜積層セラミックグリーン
シート支持体を示す部分切欠断面図。FIG. 4 is a partially cutaway sectional view showing a multilayer metal film-laminated ceramic green sheet support of Example 5.
【図5】実施例6の多層金属膜支持体を示す部分切欠断
面図。FIG. 5 is a partially cutaway sectional view showing a multilayer metal film support of Example 6.
1,21…支持体 2,12,22…第1の金属膜 3,13,23…第2の金属膜 14…セラミックグリーンシート A…ピンホール 1,21 ... Support 2,12,22 ... First metal film 3,13,23 ... Second metal film 14 ... Ceramic green sheet A ... Pinhole
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01G 4/00 - 4/42 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01G 4/00-4/42
Claims (3)
ピンホールの開口面積率が30〜50%であるように複
数のピンホールが形成された第1の金属膜と、 前記第1の金属膜上にメッキにより形成された第2の金
属膜とを備えることを特徴とする、電子部品用多層金属
膜支持体。1. A support and, first of the on the support is formed by a thin film forming method, and a plurality of pin holes so that the opening area ratio of the pinhole is 30 to 50% is formed And a second metal film formed by plating on the first metal film. A multilayer metal film support for electronic components, comprising:
層されたセラミックグリーンシートをさらに備える、多
層金属膜積層セラミックグリーンシート支持体。2. A multilayer ceramic green sheet support further comprising a ceramic green sheet directly or indirectly laminated on the second metal film.
ンシートと、内部電極の形成されていないセラミックグ
リーンシートとを積層することにより得られた積層体で
あって、 前記内部電極が形成されたセラミックグリーンシート
が、請求項2に記載の多層金属膜積層セラミックグリー
ンシート支持体から多層金属膜積層セラミックグリーン
シートを転写することにより構成されている、積層体。3. A laminated body obtained by laminating a ceramic green sheet on which an internal electrode is formed and a ceramic green sheet on which an internal electrode is not formed, wherein the ceramic green sheet has the internal electrode formed thereon. A laminate, wherein the sheet is formed by transferring the multilayer metal film-laminated ceramic green sheet from the multilayer metal film-laminated ceramic green sheet support according to claim 2.
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JP14349593 | 1993-06-15 | ||
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