JP3379880B2 - 芳香族ポリカーボネート樹脂 - Google Patents
芳香族ポリカーボネート樹脂Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は芳香族ポリカーボネ
ート樹脂に関し、さらに詳しくは電子写真用感光体とし
て有用な新規な芳香族ポリカーボネート樹脂に関する。
ート樹脂に関し、さらに詳しくは電子写真用感光体とし
て有用な新規な芳香族ポリカーボネート樹脂に関する。
【０００２】
【従来の技術】芳香族ポリカーボネート樹脂として、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下ビスフェノールＡと略称する）にホスゲンやジフェニ
ルカーボネートを反応させて得られるポリカーボネート
樹脂がその代表的なものとして知られている。かかるビ
スフェノールＡからのポリカーボネート樹脂は、透明
性、耐熱性、寸法精度および機械的強度などの面で優れ
た性質を有していることから、多くの分野で用いられて
いる。そのひとつの例として、電子写真法において使用
される有機感光体用のバインダー樹脂として様々な検討
がなされている。有機感光体の代表的な構成例として、
導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
積層型感光体が挙げられる。電荷輸送層は低分子電荷輸
送材料とバインダー樹脂より形成され、このバインダー
樹脂として芳香族ポリカーボネート樹脂が多数提案され
ている。しかしながら、低分子電荷輸送材料の含有によ
り、バインダー樹脂が本来有する機械的強度を低下さ
せ、このことが感光体の摩耗性劣化、傷、クラックなど
の原因となり、感光体の耐久性を損うものとなってい
る。
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下ビスフェノールＡと略称する）にホスゲンやジフェニ
ルカーボネートを反応させて得られるポリカーボネート
樹脂がその代表的なものとして知られている。かかるビ
スフェノールＡからのポリカーボネート樹脂は、透明
性、耐熱性、寸法精度および機械的強度などの面で優れ
た性質を有していることから、多くの分野で用いられて
いる。そのひとつの例として、電子写真法において使用
される有機感光体用のバインダー樹脂として様々な検討
がなされている。有機感光体の代表的な構成例として、
導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
積層型感光体が挙げられる。電荷輸送層は低分子電荷輸
送材料とバインダー樹脂より形成され、このバインダー
樹脂として芳香族ポリカーボネート樹脂が多数提案され
ている。しかしながら、低分子電荷輸送材料の含有によ
り、バインダー樹脂が本来有する機械的強度を低下さ
せ、このことが感光体の摩耗性劣化、傷、クラックなど
の原因となり、感光体の耐久性を損うものとなってい
る。
【０００３】一方、ポリビニルアントラセン、ポリビニ
ルピレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、トリフェニ
ルアミンを側鎖に有するアクリル系樹脂〔Ｍ．Ｓｔｏｌ
ｋａｅｔ ａｌ Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，２１ ９
６９（１９８３）〕およびベンジジン構造を有する芳香
族ポリカーボネート樹脂（特開昭６４−９９６４号公
報）などの光導電性高分子材料が検討されているが、実
用化には至っていない。
ルピレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、トリフェニ
ルアミンを側鎖に有するアクリル系樹脂〔Ｍ．Ｓｔｏｌ
ｋａｅｔ ａｌ Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，２１ ９
６９（１９８３）〕およびベンジジン構造を有する芳香
族ポリカーボネート樹脂（特開昭６４−９９６４号公
報）などの光導電性高分子材料が検討されているが、実
用化には至っていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
電荷輸送性高分子材料として特に有用な芳香族ポリカー
ボネート樹脂を提供することを、その目的とする。
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
電荷輸送性高分子材料として特に有用な芳香族ポリカー
ボネート樹脂を提供することを、その目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明らは鋭意検討した
結果、下記一般式（Ｉ），（ＩＶ）で示される繰り返し
単位からなる新規芳香族ポリカーボネート樹脂により上
記課題が解決されることを見出し、本発明に至った。
結果、下記一般式（Ｉ），（ＩＶ）で示される繰り返し
単位からなる新規芳香族ポリカーボネート樹脂により上
記課題が解決されることを見出し、本発明に至った。
【０００６】即ち、本発明は以下の（１）〜（４）であ
る。 （１）下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂。
る。 （１）下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂。
【０００７】
【化９】
【０００８】〔式中、ｎは５〜５０００の整数を表わ
す。Ａｒ1，Ａｒ2，Ａｒ3及びＡｒ4は同一又は異なる２
価の芳香族炭化水素基又は複素環基、Ａｒ5は置換もし
くは無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無
置換の複素環基を表わす。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂
肪族の２価基、または、
す。Ａｒ1，Ａｒ2，Ａｒ3及びＡｒ4は同一又は異なる２
価の芳香族炭化水素基又は複素環基、Ａｒ5は置換もし
くは無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無
置換の複素環基を表わす。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂
肪族の２価基、または、
【０００９】
【化１０】
【００１０】（ここで、Ｒ1及びＲ2は各々独立して置換
もしくは無置換のアルキル基、置換または無置換の芳香
族炭化水素基またはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各
々独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子
数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
もしくは無置換のアルキル基、置換または無置換の芳香
族炭化水素基またはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各
々独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子
数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【００１１】
【化１１】
【００１２】から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基
を表し、ａは０〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ３，Ｒ４は各々独立して置換又は無置換のアルキ
ル基ないしは置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表
す。）を表す。〕
を表し、ａは０〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ３，Ｒ４は各々独立して置換又は無置換のアルキ
ル基ないしは置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表
す。）を表す。〕
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】（２）下記一般式（ＩＶ）で表される繰り
返し単位からなる上記（１）記載の芳香族ポリカーボネ
ート樹脂。
返し単位からなる上記（１）記載の芳香族ポリカーボネ
ート樹脂。
【００１９】
【化１５】
【００２０】〔式中、ｎ，Ａｒ５、Ｘは前記（１）と同
義）
義）
【００２１】
【００２２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は従
来ポリカーボネート樹脂の製造法として、公知のビスフ
ェノールと炭酸誘導体との重合と同様の方法で製造でき
る。すなわち、下記一般式（ＶＩ）又は一般式（ＶＩ
Ｉ）で表される第３級アミノ基を有するジオール化合物
および下記一般式（ＶＩＩＩ）で表されるジオール化合
物と、ビスアリールカーボネートとのエステル交換法、
ホスゲンとの溶液または界面重合によるホスゲン法、あ
るいはジオールから誘導されるビスクロロホーメート法
等により製造される。
来ポリカーボネート樹脂の製造法として、公知のビスフ
ェノールと炭酸誘導体との重合と同様の方法で製造でき
る。すなわち、下記一般式（ＶＩ）又は一般式（ＶＩ
Ｉ）で表される第３級アミノ基を有するジオール化合物
および下記一般式（ＶＩＩＩ）で表されるジオール化合
物と、ビスアリールカーボネートとのエステル交換法、
ホスゲンとの溶液または界面重合によるホスゲン法、あ
るいはジオールから誘導されるビスクロロホーメート法
等により製造される。
【００２３】また、一般式（Ｉ）または（IV）で表わさ
れる繰り返し単位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂
は、一般式（VI）または（VII）で表わされるジオール
化合物と一般式（VIII）から誘導されるビスクロロホー
メートとの界面重合あるいは溶液重合によって得られ
る。又、一般式（VI）あるいは（VII）で表わされるジ
オール化合物から誘導されるビスクロロホーメートと一
般式（VIII）で表わされるジオールとの重合によっても
得られる。
れる繰り返し単位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂
は、一般式（VI）または（VII）で表わされるジオール
化合物と一般式（VIII）から誘導されるビスクロロホー
メートとの界面重合あるいは溶液重合によって得られ
る。又、一般式（VI）あるいは（VII）で表わされるジ
オール化合物から誘導されるビスクロロホーメートと一
般式（VIII）で表わされるジオールとの重合によっても
得られる。
【００２４】
【化１７】
【００２５】
ＨＯ−Ｘ−ＯＨ （VIII）
〔各式中、Ａｒ1，Ａｒ2，Ａｒ3，Ａｒ4，Ａｒ5，Ｘは
前義と同じ〕 以下、上記製造法に関してさらに詳細に説明する。
前義と同じ〕 以下、上記製造法に関してさらに詳細に説明する。
【００２６】エステル交換法では不活性ガス存在下に２
価フェノールとビスアリールカーボネートを混合し、通
常減圧下１２０〜３５０℃で反応させる。減圧度は段階
的に変化させ、最終的には１ｍｍＨｇ以下にして生成す
るフェノール類を系外に留去させる。反応時間は通常１
〜４時間程度である。又、必要に応じて分子量調節剤や
酸化防止剤を加えてもよい。ビスアリールカーボネート
としてはジフェニルカーボネート、ジ−ｐ−トリルカー
ボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ
−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネー
トなどが挙げられる。
価フェノールとビスアリールカーボネートを混合し、通
常減圧下１２０〜３５０℃で反応させる。減圧度は段階
的に変化させ、最終的には１ｍｍＨｇ以下にして生成す
るフェノール類を系外に留去させる。反応時間は通常１
〜４時間程度である。又、必要に応じて分子量調節剤や
酸化防止剤を加えてもよい。ビスアリールカーボネート
としてはジフェニルカーボネート、ジ−ｐ−トリルカー
ボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ
−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネー
トなどが挙げられる。
【００２７】ホスゲン法では通常脱酸剤および溶媒の存
在下に反応を行う。脱酸剤としては水酸化ナトリウムや
水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、ピリジン
などが用いられる。溶媒としては例えばジクロロメタ
ン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素が用いら
れる。又、反応促進のために例えば第３級アミン、第４
級アンモニウム塩などの触媒を用いることができ、分子
量調節剤として例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望まし
い。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜５時
間であり、反応中のｐＨは通常１０以上に保つことが好
ましい。
在下に反応を行う。脱酸剤としては水酸化ナトリウムや
水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、ピリジン
などが用いられる。溶媒としては例えばジクロロメタ
ン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素が用いら
れる。又、反応促進のために例えば第３級アミン、第４
級アンモニウム塩などの触媒を用いることができ、分子
量調節剤として例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望まし
い。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜５時
間であり、反応中のｐＨは通常１０以上に保つことが好
ましい。
【００２８】ビスクロロホーメートを用いる場合はジオ
ール化合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を添加し、これにビ
スクロロホーメートを添加することにより得られる。脱
酸剤としてはトリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リプロピルアミンのような第３級アミン及びピリジンが
使用される。反応に使用される溶媒としては、例えばジ
クロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テ
トラクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロホルム
などのハロゲン化炭化水素及びテトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどの環状エーテル系の溶媒が好ましい。又、
分子量調節剤として、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望
ましい。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜
５時間である。
ール化合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を添加し、これにビ
スクロロホーメートを添加することにより得られる。脱
酸剤としてはトリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リプロピルアミンのような第３級アミン及びピリジンが
使用される。反応に使用される溶媒としては、例えばジ
クロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テ
トラクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロホルム
などのハロゲン化炭化水素及びテトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどの環状エーテル系の溶媒が好ましい。又、
分子量調節剤として、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望
ましい。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜
５時間である。
【００２９】上記の方法に従って製造される芳香族ポリ
カーボネート樹脂には、必要に応じて酸化防止剤、光安
定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤などの添加剤を加えるこ
とができる。以下、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂について更に詳細に説明する。
カーボネート樹脂には、必要に応じて酸化防止剤、光安
定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤などの添加剤を加えるこ
とができる。以下、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂について更に詳細に説明する。
【００３０】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
前記一般式（Ｉ）、または（ＩＶ）で表される繰り返し
単位からなる交互共重合体である。又、本発明の芳香族
ポリカーボネート樹脂の分子量は、ポリスチレン換算数
平均分子量で１０００〜１００００００、好ましくは５
０００〜５０００００である。
前記一般式（Ｉ）、または（ＩＶ）で表される繰り返し
単位からなる交互共重合体である。又、本発明の芳香族
ポリカーボネート樹脂の分子量は、ポリスチレン換算数
平均分子量で１０００〜１００００００、好ましくは５
０００〜５０００００である。
【００３１】本発明の芳香族ポリカーボネートを構成す
る、前記一般式（Ｉ）、（ＩＶ）で表される繰り返し単
位を与える原料及び前記一般式（ＶＩ）、（ＶＩＩ）で
表されるジオール化合物の具体例を以下に示す。Ａｒ５
の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル
基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピレニル基、フル
オレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、
アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、ク
リセニル基、または
る、前記一般式（Ｉ）、（ＩＶ）で表される繰り返し単
位を与える原料及び前記一般式（ＶＩ）、（ＶＩＩ）で
表されるジオール化合物の具体例を以下に示す。Ａｒ５
の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル
基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピレニル基、フル
オレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、
アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、ク
リセニル基、または
【００３２】
【化１８】
【００３３】ここで、Ｗは−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，
−ＳＯ2−，−ＣＯ−及び以下の２価基を表わす。
−ＳＯ2−，−ＣＯ−及び以下の２価基を表わす。
【００３４】
【化１９】
【００３５】が挙げられる。ここでＲ5は水素原子、置
換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、ニト
ロ基、シアノ基を表わし、Ｒ6は水素原子、置換もしく
は無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール
基を表わし、ｃ，ｄは１〜１２の整数を表わす。
換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、ニト
ロ基、シアノ基を表わし、Ｒ6は水素原子、置換もしく
は無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール
基を表わし、ｃ，ｄは１〜１２の整数を表わす。
【００３６】複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
【００３７】また、Ａｒ1，Ａｒ2，Ａｒ3及びＡｒ4で示
される２価の芳香族炭化水素基又は複素環基としては上
記示した芳香族炭化水素基又は複素環基の２価基が挙げ
られる。上述の芳香族炭化水素基又は複素環基及び２価
の芳香族炭化水素基又は複素環基に置換される基として
は以下に示す基が挙げられる。
される２価の芳香族炭化水素基又は複素環基としては上
記示した芳香族炭化水素基又は複素環基の２価基が挙げ
られる。上述の芳香族炭化水素基又は複素環基及び２価
の芳香族炭化水素基又は複素環基に置換される基として
は以下に示す基が挙げられる。
【００３８】（１）ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基。 （２）アルキル基；好ましくはＣ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜
Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖または分岐鎖の
アルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素
原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フ
ェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基も
しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基
を含有してもよい。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブ
チル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメ
チル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル
基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベ
ンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル
基、４−メトキシベンジル基等が挙げられる。
基。 （２）アルキル基；好ましくはＣ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜
Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖または分岐鎖の
アルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素
原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フ
ェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基も
しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基
を含有してもよい。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブ
チル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメ
チル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル
基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベ
ンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル
基、４−メトキシベンジル基等が挙げられる。
【００３９】（３）アルコキシ基（−ＯＲ7）；Ｒ7は上
記（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的にはメ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基；アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これはＣ1〜Ｃ4のアルコ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基またはハロゲン原子を置
換基として含有してもよい。具体的にはフェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
記（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的にはメ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基；アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これはＣ1〜Ｃ4のアルコ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基またはハロゲン原子を置
換基として含有してもよい。具体的にはフェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
【００４０】（５）置換メルカプト基またはアリールメ
ルカプト基；具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げら
れる。 （６）
ルカプト基；具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げら
れる。 （６）
【００４１】
【化２０】
【００４２】式中、Ｒ8及びＲ9は各々独立に（２）で定
義したアルキル基またはアリール基を表わし、アリール
基としては例えばフェニル基、ビフェニリル基またはナ
フチル基が挙げられ、これらはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基
として含有してもよい。Ｒ8とＲ9は共同で環を形成して
もよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成
してもよい。具体的にはジエチルアミノ基、Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルア
ミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等
が挙げられる。
義したアルキル基またはアリール基を表わし、アリール
基としては例えばフェニル基、ビフェニリル基またはナ
フチル基が挙げられ、これらはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基
として含有してもよい。Ｒ8とＲ9は共同で環を形成して
もよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成
してもよい。具体的にはジエチルアミノ基、Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルア
ミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等
が挙げられる。
【００４３】（７）メチレンジオキシ基、またはメチレ
ンジチオ基等のアルキレンジオキシ基またはアルキレン
ジチオ基等が挙げられる。 一般式Ｒ1〜Ｒ4におけるハロゲン原子および置換又は無
置換のアルキル基としては、上記（１），（２）で示し
た例が具体例として挙げられ、置換又は無置換の芳香族
炭化水素基としては、置換もしくは無置換のフェニル
基、ビフェニリル基が具体例として挙げられる。一般式
（VIII）で示されるジオール化合物の具体例を以下に示
す。
ンジチオ基等のアルキレンジオキシ基またはアルキレン
ジチオ基等が挙げられる。 一般式Ｒ1〜Ｒ4におけるハロゲン原子および置換又は無
置換のアルキル基としては、上記（１），（２）で示し
た例が具体例として挙げられ、置換又は無置換の芳香族
炭化水素基としては、置換もしくは無置換のフェニル
基、ビフェニリル基が具体例として挙げられる。一般式
（VIII）で示されるジオール化合物の具体例を以下に示
す。
【００４４】１，３−プロパンジオール、１，４−ブタ
ンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキ
サンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−
デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオー
ル、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２
−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリ
コール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコ
ール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪
族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３
−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−
ジメタノール等の環状脂肪族ジオールが挙げられる。
ンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキ
サンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−
デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオー
ル、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２
−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリ
コール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコ
ール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪
族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３
−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−
ジメタノール等の環状脂肪族ジオールが挙げられる。
【００４５】又、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）−１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）−１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００４６】また一般式（Ｉ）の繰り返し単位で示され
る本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、上記一般式
（VI）又は（VII）で示される第３級アミノ基を有する
ジオール化合物と、上記一般式（VIII）で示されるジオ
ールから誘導されるビスクロロホーメートとを、溶媒、
脱酸剤の存在下で反応させることにより製造できる。
る本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、上記一般式
（VI）又は（VII）で示される第３級アミノ基を有する
ジオール化合物と、上記一般式（VIII）で示されるジオ
ールから誘導されるビスクロロホーメートとを、溶媒、
脱酸剤の存在下で反応させることにより製造できる。
【００４７】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を説明
する。なお、下記実施例において部はすべて重量部であ
る。 実施例１ ジオール化合物として下記構造の
する。なお、下記実施例において部はすべて重量部であ
る。 実施例１ ジオール化合物として下記構造の
【００４８】
【化２１】
【００４９】Ｎ，Ｎ−ビス〔４−（３−ヒドロキシスチ
リル）フェニル〕−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミン
４．９６部を脱水処理したテトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）４０部に溶解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながら
トリエチルアミンを３．０４部加えた後にジエチレング
リコールビスクロロホーメート２．３１部をＴＨＦ８部
に溶解させた液を水浴で２０℃に冷却しながら３０分か
けて滴下した。その後、室温で更に２時間撹拌反応さ
せ、４重量％のフェノールのＴＨＦ溶液を１部加え反応
を終了させた。その後、析出した塩を濾過によって除
き、得られた反応液をメタノール中へ滴下して粗生成物
を濾取した。この物を再びＴＨＦに溶解させてメタノー
ル中へ滴下する再沈殿操作を２回繰り返して下記構造式
のポリカーボネート樹脂（Ｎo.１）を得た。
リル）フェニル〕−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミン
４．９６部を脱水処理したテトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）４０部に溶解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながら
トリエチルアミンを３．０４部加えた後にジエチレング
リコールビスクロロホーメート２．３１部をＴＨＦ８部
に溶解させた液を水浴で２０℃に冷却しながら３０分か
けて滴下した。その後、室温で更に２時間撹拌反応さ
せ、４重量％のフェノールのＴＨＦ溶液を１部加え反応
を終了させた。その後、析出した塩を濾過によって除
き、得られた反応液をメタノール中へ滴下して粗生成物
を濾取した。この物を再びＴＨＦに溶解させてメタノー
ル中へ滴下する再沈殿操作を２回繰り返して下記構造式
のポリカーボネート樹脂（Ｎo.１）を得た。
【００５０】
【化２２】
【００５１】得られた樹脂の分子量をゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 ３２３００ 重量平均分子量 １１２０００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図１に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表１に示す。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 ３２３００ 重量平均分子量 １１２０００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図１に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表１に示す。
【００５２】
【表１】
【００５３】実施例２
Ｎ，Ｎ−ビス〔４−（３−ヒドロキシスチリル）フェニ
ル〕−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミン４．９６部を
脱水処理したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４０部に溶
解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルアミ
ンを３．０４部加えた後にポリテトラメチレンエーテル
グリコールビスクロロホーメート（平均分子量２５０の
ポリテトラメチレンエーテルグリコールより調整）３．
６６部をＴＨＦ８部に溶解させた液を水浴で２０℃に冷
却しながら２０分かけて滴下した。その後、室温で更に
２時間撹拌反応させ、４重量％のフェノールのＴＨＦ溶
液を１部加え反応を終了させた。その後、析出した塩を
濾過によって除き、得られた反応液をメタノール中へ滴
下して粗生成物を濾取した。この物を再びＴＨＦに溶解
させてメタノール中へ滴下する再沈殿操作を２回繰り返
して下記構造式のポリカーボネート樹脂（Ｎo.２）を得
た。
ル〕−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミン４．９６部を
脱水処理したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４０部に溶
解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルアミ
ンを３．０４部加えた後にポリテトラメチレンエーテル
グリコールビスクロロホーメート（平均分子量２５０の
ポリテトラメチレンエーテルグリコールより調整）３．
６６部をＴＨＦ８部に溶解させた液を水浴で２０℃に冷
却しながら２０分かけて滴下した。その後、室温で更に
２時間撹拌反応させ、４重量％のフェノールのＴＨＦ溶
液を１部加え反応を終了させた。その後、析出した塩を
濾過によって除き、得られた反応液をメタノール中へ滴
下して粗生成物を濾取した。この物を再びＴＨＦに溶解
させてメタノール中へ滴下する再沈殿操作を２回繰り返
して下記構造式のポリカーボネート樹脂（Ｎo.２）を得
た。
【００５４】
【化２３】
【００５５】得られた樹脂の分子量をゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 ２７５００ 重量平均分子量 ６６２００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図２に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表２に示す。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 ２７５００ 重量平均分子量 ６６２００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図２に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表２に示す。
【００５６】
【表２】
【００５７】実施例３〜４
実施例１と同様にして下表に示す本発明の芳香族ポリカ
ーボネート樹脂を得た。これらの実施例３〜４の化合物
の基本構造は下記一般式で表わされる。
ーボネート樹脂を得た。これらの実施例３〜４の化合物
の基本構造は下記一般式で表わされる。
【００５８】
【化２４】
【００５９】
【表３】
【００６０】実施例５
ジオール化合物として下記構造の
【００６１】
【化２５】
【００６２】Ｎ−〔４−（４−ヒドロキシスチリル）フ
ェニル〕−Ｎ−〔４−（３−ヒドロキシスチリル）フェ
ニル〕−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミン４．００部
を脱水処理したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３５部に
溶解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルア
ミンを２．４５部加えた後にジエチレングリコールビス
クロロホーメート１．８６部をＴＨＦ８部に溶解させた
液を水浴で２０℃に冷却しながら３０分かけて滴下し
た。その後、室温で更に２時間撹拌反応させ、４重量％
のフェノールのＴＨＦ溶液を１部加え反応を終了させ
た。その後、析出した塩を濾過によって除き、得られた
反応液をメタノール中へ滴下して粗生成物を濾取した。
この物を再びＴＨＦに溶解させてメタノール中へ滴下す
る再沈殿操作を２回繰り返して下記構造式のポリカーボ
ネート樹脂（Ｎo.５）を得た。元素分析結果を表３に示
す。
ェニル〕−Ｎ−〔４−（３−ヒドロキシスチリル）フェ
ニル〕−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミン４．００部
を脱水処理したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３５部に
溶解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルア
ミンを２．４５部加えた後にジエチレングリコールビス
クロロホーメート１．８６部をＴＨＦ８部に溶解させた
液を水浴で２０℃に冷却しながら３０分かけて滴下し
た。その後、室温で更に２時間撹拌反応させ、４重量％
のフェノールのＴＨＦ溶液を１部加え反応を終了させ
た。その後、析出した塩を濾過によって除き、得られた
反応液をメタノール中へ滴下して粗生成物を濾取した。
この物を再びＴＨＦに溶解させてメタノール中へ滴下す
る再沈殿操作を２回繰り返して下記構造式のポリカーボ
ネート樹脂（Ｎo.５）を得た。元素分析結果を表３に示
す。
【００６３】
【化２６】
【００６４】得られた樹脂の分子量をゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １５４００ 重量平均分子量 ３４４００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図５に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表４に示す。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １５４００ 重量平均分子量 ３４４００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図５に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表４に示す。
【００６５】
【表４】
【００６６】実施例６
ジオール化合物として実施例５と同じ化合物を用いた。
Ｎ−〔４−（４−ヒドロキシスチリル）フェニル〕−Ｎ
−〔４−（３−ヒドロキシスチリル）フェニル〕−Ｎ−
（４−メチルフェニル）アミン４．８６部を脱水処理し
たテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４０部に溶解させ、窒
素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルアミンを２．９
４部加えた後にポリテトラメチレンエーテルグリコール
ビスクロロホーメート（平均分子量２５０のポリテトラ
メチレンエーテルグリコールより調整）３．５４部をＴ
ＨＦ８部に溶解させた液を水槽で２０℃に冷却しながら
２０分かけて滴下した。その後、室温で更に２時間撹拌
反応させ、４重量％のフェノールのＴＨＦ溶液を１部加
え反応を終了させた。その後、析出した塩を濾過によっ
て除き、得られた反応液をメタノール中へ滴下して粗生
成物を濾取した。この物を再びＴＨＦに溶解させてメタ
ノール中へ滴下する再沈殿操作を２回繰り返して下記構
造式のポリカーボネート樹脂（Ｎo.６）を得た。
Ｎ−〔４−（４−ヒドロキシスチリル）フェニル〕−Ｎ
−〔４−（３−ヒドロキシスチリル）フェニル〕−Ｎ−
（４−メチルフェニル）アミン４．８６部を脱水処理し
たテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４０部に溶解させ、窒
素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルアミンを２．９
４部加えた後にポリテトラメチレンエーテルグリコール
ビスクロロホーメート（平均分子量２５０のポリテトラ
メチレンエーテルグリコールより調整）３．５４部をＴ
ＨＦ８部に溶解させた液を水槽で２０℃に冷却しながら
２０分かけて滴下した。その後、室温で更に２時間撹拌
反応させ、４重量％のフェノールのＴＨＦ溶液を１部加
え反応を終了させた。その後、析出した塩を濾過によっ
て除き、得られた反応液をメタノール中へ滴下して粗生
成物を濾取した。この物を再びＴＨＦに溶解させてメタ
ノール中へ滴下する再沈殿操作を２回繰り返して下記構
造式のポリカーボネート樹脂（Ｎo.６）を得た。
【００６７】
【化２７】
【００６８】得られた樹脂の分子量をゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １７５００ 重量平均分子量 ３４６００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図６に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表５に示す。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １７５００ 重量平均分子量 ３４６００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図６に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表５に示す。
【００６９】
【表５】
【００７０】実施例７
Ｎ−〔４−（４−ヒドロキシスチリル）フェニル〕−Ｎ
−〔４−（３−ヒドロキシスチリル）フェニル〕−Ｎ−
（４−メチルフェニル）アミン４．００部を脱水処理し
たテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３５部に溶解させ、窒
素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルアミンを２．４
５部加えた後にヘキサメチレングリコールビスクロロホ
ーメート１．９６部をＴＨＦ８部に溶解させた液を水浴
で２０℃に冷却しながら２０分かけて滴下した。その
後、室温で更に２時間撹拌反応させ、４重量％のフェノ
ールのＴＨＦ溶液を１部加え反応を終了させた。その
後、析出した塩を濾過によって除き、得られた反応液を
メタノール中へ滴下して粗生成物を濾取した。この物を
再びＴＨＦに溶解させてメタノール中へ滴下する再沈殿
操作を２回繰り返して下記構造式のポリカーボネート樹
脂（Ｎo.７）を得た。
−〔４−（３−ヒドロキシスチリル）フェニル〕−Ｎ−
（４−メチルフェニル）アミン４．００部を脱水処理し
たテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３５部に溶解させ、窒
素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルアミンを２．４
５部加えた後にヘキサメチレングリコールビスクロロホ
ーメート１．９６部をＴＨＦ８部に溶解させた液を水浴
で２０℃に冷却しながら２０分かけて滴下した。その
後、室温で更に２時間撹拌反応させ、４重量％のフェノ
ールのＴＨＦ溶液を１部加え反応を終了させた。その
後、析出した塩を濾過によって除き、得られた反応液を
メタノール中へ滴下して粗生成物を濾取した。この物を
再びＴＨＦに溶解させてメタノール中へ滴下する再沈殿
操作を２回繰り返して下記構造式のポリカーボネート樹
脂（Ｎo.７）を得た。
【００７１】
【化２８】
【００７２】得られた樹脂の分子量をゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １５４００ 重量平均分子量 ３３５００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図７に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表６に示す。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １５４００ 重量平均分子量 ３３５００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図７に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表６に示す。
【００７３】
【表６】
【００７４】実施例８
ジオール化合物として下記構造の化合物を用いた。
【００７５】
【化２９】
【００７６】Ｎ，Ｎ−ビス〔４−（４−ヒドロキシスチ
リル）フェニル〕−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミン
４．００部を脱水処理したテトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）３０部に溶解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながら
トリエチルアミンを２．４５部加えた後にジエチレング
リコールビスクロロホーメート１．８７部をＴＨＦ８部
に溶解させた液を水浴で２０℃に冷却しながら３０分か
けて滴下した。その後、室温で更に２時間撹拌反応さ
せ、４重量％のフェノールのＴＨＦ溶液を１部加え反応
を終了させた。その後、析出した塩を濾過によって除
き、得られた反応液をメタノール中へ滴下して粗生成物
を濾取した。この物を再びＴＨＦに溶解させてメタノー
ル中へ滴下する再沈殿操作を２回繰り返して下記構造式
のポリカーボネート樹脂（Ｎo.８）を得た。
リル）フェニル〕−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミン
４．００部を脱水処理したテトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）３０部に溶解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながら
トリエチルアミンを２．４５部加えた後にジエチレング
リコールビスクロロホーメート１．８７部をＴＨＦ８部
に溶解させた液を水浴で２０℃に冷却しながら３０分か
けて滴下した。その後、室温で更に２時間撹拌反応さ
せ、４重量％のフェノールのＴＨＦ溶液を１部加え反応
を終了させた。その後、析出した塩を濾過によって除
き、得られた反応液をメタノール中へ滴下して粗生成物
を濾取した。この物を再びＴＨＦに溶解させてメタノー
ル中へ滴下する再沈殿操作を２回繰り返して下記構造式
のポリカーボネート樹脂（Ｎo.８）を得た。
【００７７】
【化３０】
【００７８】得られた樹脂の分子量をゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 Ｍｎ＝１４０００ 重量平均分子量 Ｍｗ＝３００００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図８に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表７に示す。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 Ｍｎ＝１４０００ 重量平均分子量 Ｍｗ＝３００００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図８に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表７に示す。
【００７９】
【表７】
【００８０】実施例９
Ｎ，Ｎ−ビス〔４−（４−ヒドロキシスチリル）フェニ
ル〕−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミン４．００部を
脱水処理したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３５部に溶
解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルアミ
ンを２．４５部加えた後にポリテトラメチレンエーテル
グリコールビスクロロホーメート（平均分子量２５０の
ポリテトラメチレンエーテルグリコールより調整）２．
９５部をＴＨＦ８部に溶解させた液を水浴で２０℃に冷
却しながら４０分かけて滴下した。その後、室温で更に
２時間撹拌反応させ、４重量％のフェノールのＴＨＦ溶
液を１部加え反応を終了させた。その後、析出した塩を
濾過によって除き、得られた反応液をメタノール中へ滴
下して粗生成物を濾取した。この物を再びＴＨＦに溶解
させてメタノール中へ滴下する再沈殿操作を２回繰り返
して下記構造式のポリカーボネート樹脂（Ｎo.９）を得
た。
ル〕−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミン４．００部を
脱水処理したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３５部に溶
解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルアミ
ンを２．４５部加えた後にポリテトラメチレンエーテル
グリコールビスクロロホーメート（平均分子量２５０の
ポリテトラメチレンエーテルグリコールより調整）２．
９５部をＴＨＦ８部に溶解させた液を水浴で２０℃に冷
却しながら４０分かけて滴下した。その後、室温で更に
２時間撹拌反応させ、４重量％のフェノールのＴＨＦ溶
液を１部加え反応を終了させた。その後、析出した塩を
濾過によって除き、得られた反応液をメタノール中へ滴
下して粗生成物を濾取した。この物を再びＴＨＦに溶解
させてメタノール中へ滴下する再沈殿操作を２回繰り返
して下記構造式のポリカーボネート樹脂（Ｎo.９）を得
た。
【００８１】
【化３１】
【００８２】得られた樹脂の分子量をゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １４４００ 重量平均分子量 ２９０００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図９に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表８に示す。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １４４００ 重量平均分子量 ２９０００ 又、この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図９に
示したが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表８に示す。
【００８３】
【表８】
【００８４】実施例１０〜１１
実施例９と同様にして下表に示す本発明の芳香族ポリカ
ーボネート樹脂を得た。これらの実施例１０〜１１の化
合物の基本構造は下記一般式で表わされる。又、これら
の分析結果を表９に示す。
ーボネート樹脂を得た。これらの実施例１０〜１１の化
合物の基本構造は下記一般式で表わされる。又、これら
の分析結果を表９に示す。
【００８５】
【化３２】
【００８６】
【表９】
【００８７】
【００８８】
【００８９】
【００９０】
【００９１】
【００９２】
【００９３】
【００９４】
【００９５】
【００９６】
【００９７】
【００９８】応用例
０．２ｍｍ厚のアルミ板上にメタノール／ブタノール混
合溶媒に溶解したポリアミド樹脂（ＣＭ−８０００：東
レ社製）溶液をドクターブレードで塗布し、自然乾燥し
て０．３μｍの中間層を設けた。この上に電荷発生物質
として下記式で表わされるビスアゾ化合物をシクロヘキ
サノンで粉砕分散した分散液をドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約１μｍの電荷発生層を形成した。
合溶媒に溶解したポリアミド樹脂（ＣＭ−８０００：東
レ社製）溶液をドクターブレードで塗布し、自然乾燥し
て０．３μｍの中間層を設けた。この上に電荷発生物質
として下記式で表わされるビスアゾ化合物をシクロヘキ
サノンで粉砕分散した分散液をドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約１μｍの電荷発生層を形成した。
【００９９】
【化３６】
【０１００】次に電荷輸送物質として実施例１で得られ
たポリカーボネート樹脂Ｎo.１ １部をメチレンジクロ
ライド９部を混合溶解し、この溶液を前記電荷発生層上
にドクターブレードで塗布し、１２０℃で２０分間乾燥
して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成して感光体を作
製した。
たポリカーボネート樹脂Ｎo.１ １部をメチレンジクロ
ライド９部を混合溶解し、この溶液を前記電荷発生層上
にドクターブレードで塗布し、１２０℃で２０分間乾燥
して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成して感光体を作
製した。
【０１０１】かくしてつくられた感光体について市販の
静電複写紙試験装置〔（株）川口電機製作所製ＳＰ４２
８型〕を用いて暗所で−６ｋＶのコロナ放電を２０秒間
行って帯電せしめた後、感光体の表面電位Ｖm（Ｖ）を
測定し、更に２０秒間暗所に放置した後、表面電位Ｖ0
（ｖ）を測定した。次いでタングステンランプ光を感光
体表面での照度が４．５ｌｕｘになるように照射して、
Ｖ0が１／２になるまでの時間（秒）を求め、露光量Ｅ
1/2（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を算出した。その結果、Ｖm＝−
１１３６Ｖ、Ｖo＝−７６９（ボルト）、Ｅ1/2＝０．６
４（ｌｕｘ・ｓｅｃ）であった。
静電複写紙試験装置〔（株）川口電機製作所製ＳＰ４２
８型〕を用いて暗所で−６ｋＶのコロナ放電を２０秒間
行って帯電せしめた後、感光体の表面電位Ｖm（Ｖ）を
測定し、更に２０秒間暗所に放置した後、表面電位Ｖ0
（ｖ）を測定した。次いでタングステンランプ光を感光
体表面での照度が４．５ｌｕｘになるように照射して、
Ｖ0が１／２になるまでの時間（秒）を求め、露光量Ｅ
1/2（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を算出した。その結果、Ｖm＝−
１１３６Ｖ、Ｖo＝−７６９（ボルト）、Ｅ1/2＝０．６
４（ｌｕｘ・ｓｅｃ）であった。
【０１０２】
【発明の効果】本発明に係わるポリカーボネート樹脂
は、前記したように光導電性素材として有効に機能し、
染料やルイス酸などの増感剤によって光学的あるいは化
学的に増感される。電子写真感光体の感光層の電荷輸送
物質等として好適に使用され、特に電荷発生層と電荷輸
送層を２層に区分した、いわゆる機能分離型感光層にお
ける電荷輸送物質として有用なものである。
は、前記したように光導電性素材として有効に機能し、
染料やルイス酸などの増感剤によって光学的あるいは化
学的に増感される。電子写真感光体の感光層の電荷輸送
物質等として好適に使用され、特に電荷発生層と電荷輸
送層を２層に区分した、いわゆる機能分離型感光層にお
ける電荷輸送物質として有用なものである。
【図１】本発明の実施例１の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図２】本発明の実施例２の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図３】本発明の実施例３の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図４】本発明の実施例４の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図５】本発明の実施例５の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図６】本発明の実施例６の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図７】本発明の実施例７の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図８】本発明の実施例８の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図９】本発明の実施例９の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図１０】本発明の実施例１０の化合物の赤外吸収スペ
クトル図、
クトル図、
【図１１】本発明の実施例１１の化合物の赤外吸収スペ
クトル図。
クトル図。
フロントページの続き
(72)発明者 田元 望
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(72)発明者 安西 光利
神奈川県川崎市幸区堀川町66番地２ 保
土谷化学工業株式会社内
(72)発明者 諸岡 勝宏
神奈川県川崎市幸区堀川町66番地２ 保
土谷化学工業株式会社内
(72)発明者 島田 知幸
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(72)発明者 安達 千波矢
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(72)発明者 片山 映
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(56)参考文献 特開 平５−230202（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08G 64/00 - 64/42
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単
位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化１】 〔式中、ｎは５〜５０００の整数を表わす。Ａｒ1，Ａ
ｒ2，Ａｒ3及びＡｒ4は同一又は異なる２価の芳香族炭
化水素基又は複素環基、Ａｒ5は置換もしくは無置換の
芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の複素環
基を表わす。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価
基、または、 【化２】 （ここで、Ｒ1及びＲ2は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換または無置換の芳香族炭化水素基
またはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０
〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の
直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、
−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、 【化３】 から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基を表わし、ａ
は０〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ3，Ｒ4
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。）を表わ
す。〕 - 【請求項２】下記一般式（ＩＶ）で表わされる繰り返し
単位からなる請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹
脂。 【化７】 〔式中、ｎ，Ａｒ5、Ｘは請求項１と同義〕
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP35094296A JP3379880B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-12-27 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-12931 | 1996-01-29 | ||
| JP1293196 | 1996-01-29 | ||
| JP35094296A JP3379880B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-12-27 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35094296A Expired - Fee Related JP3379880B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-12-27 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JP2003195540A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
| US7416823B2 (en) | 2004-01-15 | 2008-08-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image formation method, image formation apparatus, and process cartridge for image formation apparatus using the same |
| US7473504B2 (en) | 2004-05-25 | 2009-01-06 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, and image forming method, apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
| EP2017676B1 (en) | 2006-04-17 | 2014-07-23 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus, image forming method, and process cartridge |
| US8043773B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-10-25 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming apparatus and process cartridge |
| JP5006164B2 (ja) | 2006-11-21 | 2012-08-22 | 株式会社リコー | 画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ |
| EP2078988B1 (en) | 2008-01-10 | 2013-06-26 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
| KR101730194B1 (ko) * | 2009-06-26 | 2017-04-25 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 폴리카보네이트 공중합체, 그것을 사용한 도포액, 및 전자사진 감광체 |
| JP5711903B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2015-05-07 | 出光興産株式会社 | ポリカーボネート共重合体、それを用いた塗工液、及び電子写真感光体 |
| JP5680886B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2015-03-04 | 出光興産株式会社 | ポリカーボネート共重合体、それを用いた塗工液、及び電子写真感光体 |
| JP5680887B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2015-03-04 | 出光興産株式会社 | ポリカーボネート共重合体、それを用いた塗工液、及び電子写真感光体 |
| JP5614651B2 (ja) | 2011-01-21 | 2014-10-29 | 株式会社リコー | 電子写真感光体、及びそれを用いた画像形成方法、画像形成装置、画像形成装置用プロセスカートリッジ |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP35094296A patent/JP3379880B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7718335B2 (en) | 2005-12-27 | 2010-05-18 | Ricoh Company Limited | Image bearing member, and image forming apparatus and process cartridge using the same |
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|---|---|
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