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JP3375555B2 - Circuit component built-in module and method of manufacturing the same - Google Patents

Circuit component built-in module and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JP3375555B2
JP3375555B2 JP32821598A JP32821598A JP3375555B2 JP 3375555 B2 JP3375555 B2 JP 3375555B2 JP 32821598 A JP32821598 A JP 32821598A JP 32821598 A JP32821598 A JP 32821598A JP 3375555 B2 JP3375555 B2 JP 3375555B2
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JP
Japan
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circuit component
wiring pattern
plate
module
component built
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP32821598A
Other languages
Japanese (ja)
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JPH11220262A (en
Inventor
誠一 中谷
浩一 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
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First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26570865&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3375555(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor

Landscapes

  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、回路部品内蔵モジ
ュールに関し、特にたとえば、回路部品が電気絶縁性基
板の内部に配置される回路部品内蔵モジュールに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit component built-in module, and more particularly to a circuit component built-in module in which circuit components are arranged inside an electrically insulating substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小型化の要
求に伴い、回路部品の高密度、高機能化が一層叫ばれて
いる。そのため、回路部品の高密度、高機能化に対応し
た回路基板が要求されている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for higher performance and smaller size of electronic equipment, higher density and higher functionality of circuit components have been sought after. Therefore, there is a demand for a circuit board that is compatible with high density and high functionality of circuit components.

【0003】回路部品を高密度化する方法として、回路
を多層化する方法が考えられるが、従来のガラス−エポ
キシ基板では、ドリルによる貫通スルーホール構造を用
いる必要があるため、高密度実装化への対応が困難であ
る。このため、最も回路の高密度化が図れる方法とし
て、LSI間や部品間の配線パターンを最短距離で接続
できるインナービアホール接続法の開発が、各方面で進
められている。
As a method of densifying circuit components, a method of forming circuits in multiple layers is conceivable. However, in the conventional glass-epoxy substrate, it is necessary to use a through-hole structure with a drill, and therefore high density packaging is required. It is difficult to deal with. For this reason, as a method for achieving the highest circuit density, development of an inner via hole connection method capable of connecting wiring patterns between LSIs and between components in the shortest distance is being promoted in various fields.

【0004】インナービアホール接続法では、必要な各
層間のみの接続が可能であり、回路部品の実装性にも優
れている(特開昭63−47991、特開平6−268
345)。
The inner via-hole connection method allows connection only between required layers, and is excellent in mountability of circuit components (Japanese Patent Laid-Open Nos. 63-47991 and 6-268).
345).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
インナービアホール接続法で用いられてきた基板は、樹
脂系の材料で構成されていたため、熱伝導度が低いとい
う問題があった。回路部品内蔵モジュールでは、回路部
品の実装密度が高密度になればなるほど部品から発生す
る熱を放熱させる必要が高くなるが、従来の基板では十
分に放熱をすることができず、回路部品内蔵モジュール
の信頼性が低下するという問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the past,
The substrate used in the inner via hole connection method has a problem of low thermal conductivity because it is made of a resin material. In the circuit component built-in module, the higher the packaging density of the circuit components, the more it becomes necessary to radiate the heat generated from the components. However, the conventional board cannot sufficiently radiate the heat and the circuit component built-in module However, there was a problem that the reliability of the device deteriorated.

【0006】本発明は、上記従来の問題を解決するた
め、高密度で回路部品の実装が可能であり且つ信頼性の
高い回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法を提供
することを目的とする。
In order to solve the above-mentioned conventional problems, it is an object of the present invention to provide a circuit component built-in module capable of mounting circuit components at high density and having high reliability, and a manufacturing method thereof.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の回路部品内蔵モジュールは、無機フィラー
と熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる1つの電気絶縁
性基板と、前記電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面
に形成された複数の配線パターン(一つの配線パターン
は、同一平面内に形成される一群の電気配線からなる)
と、前記電気絶縁性基板に埋設され前記配線パターンに
電気的に接続された回路部品とを含み、前記回路部品と
前記配線パターンとが導電性接着剤を介して電気的に接
続されている。 また、本発明の別の回路部品内蔵モジュ
ールは、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物か
らなる1つの電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性基板の
少なくとも一方の主面に形成された複数の配線パターン
と、前記電気絶縁性基板に埋設され前記配線パターンに
電気的に接続された回路部品とを含み、前記回路部品と
前記配線パターンとがバンプを介して電気的に接続され
ている。 また、本発明の別の回路部品内蔵モジュール
は、無機フィラー70重量%〜95重量%と熱硬化性樹
脂とを含む混合物からなる1つの電気絶縁性基板と、前
記電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面に形成された
複数の配線パターンと、前記電気絶縁性基板に埋設され
前記配線パターンに実装された回路部品とを含む。
た、本発明の別の回路部品内蔵モジュールは、無機フィ
ラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる積層された
複数の電気絶縁性基板と、前記積層された複数の電気絶
縁性基板の少なくとも一方の主面及び内部に形成された
複数の配線パターンと、前記積層された複数の電気絶縁
性基板に埋設され前記配線パターンに電気的に接続され
た回路部品とを含み、前記回路部品と前記配線パターン
とが導電性接着剤を介して電気的に接続されている。
た、本発明の別の回路部品内蔵モジュールは、無機フィ
ラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる積層された
複数の電気絶縁性基板と、前記積層された複数の電気絶
縁性基板の少なくとも一方の主面及び内部に形成された
複数の配線パターンと、前記積層された複数の電気絶縁
性基板に埋設され前記配線パターンに電気的に接続され
た回路部品とを含み、前記回路部品と前記配線パターン
とがバ ンプを介して電気的に接続されている。 また、本
発明の別の回路部品内蔵モジュールは、無機フィラー7
0重量%〜95重量%と熱硬化性樹脂とを含む混合物か
らなる積層された複数の電気絶縁性基板と、前記積層さ
れた複数の電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面及び
内部に形成された複数の配線パターンと、前記積層され
た複数の電気絶縁性基板に埋設され前記配線パターンに
実装された回路部品と、を含む。
In order to achieve the above object, a circuit component built-in module of the present invention comprises one electrically insulating substrate made of a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin, and the electrically insulating substrate. Wiring patterns formed on at least one main surface of the flexible substrate (one wiring pattern consists of a group of electric wirings formed in the same plane)
When, viewed contains an electrically connected circuit component on the wiring pattern embedded in the electrically insulating substrate, and the circuit component
The wiring pattern is electrically connected via a conductive adhesive.
Has been continued. Further, another circuit component built-in module of the present invention
Is the mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin?
One electrically insulating substrate, and
Multiple wiring patterns formed on at least one main surface
And embedded in the electrically insulating substrate to form the wiring pattern.
And a circuit component electrically connected to the circuit component,
The wiring pattern is electrically connected via bumps.
ing. In addition, another circuit component built-in module of the present invention
Is an inorganic filler 70% by weight to 95% by weight and a thermosetting resin.
One electrically insulative substrate consisting of a mixture containing fat;
Formed on at least one main surface of the electrically insulating substrate
A plurality of wiring patterns and embedded in the electrically insulating substrate
And a circuit component mounted on the wiring pattern. Well
Another module with built-in circuit parts of the present invention is an inorganic fiber module.
Laminates made of a mixture containing a resin and a thermosetting resin
A plurality of electrically insulating substrates, and a plurality of the laminated electric insulation.
Formed on at least one main surface and inside of the limbic substrate
A plurality of wiring patterns and a plurality of the laminated electric insulations
Embedded in a flexible substrate and electrically connected to the wiring pattern
Circuit part, and the circuit part and the wiring pattern
And are electrically connected via a conductive adhesive. Well
Another module with built-in circuit parts of the present invention is an inorganic fiber module.
Laminates made of a mixture containing a resin and a thermosetting resin
A plurality of electrically insulating substrates, and a plurality of the laminated electric insulation.
Formed on at least one main surface and inside of the limbic substrate
A plurality of wiring patterns and a plurality of the laminated electric insulations
Embedded in a flexible substrate and electrically connected to the wiring pattern
Circuit part, and the circuit part and the wiring pattern
It is electrically connected via the Togaba amplifier. Also books
Another circuit component built-in module of the invention is an inorganic filler 7
A mixture containing 0 wt% to 95 wt% and a thermosetting resin?
A plurality of laminated electrically insulating substrates,
A main surface of at least one of the plurality of electrically insulating substrates
A plurality of wiring patterns formed inside and the laminated
Embedded in multiple electrically insulating substrates
Mounted circuit components.

【0008】上記回路部品内蔵モジュールでは、電気絶
縁性基板内に形成されるインナービアによってインナー
ビアホール接続が行われるため、高密度に回路部品を実
装することができる。また、回路部品から発生する熱
が、無機フィラーによって速やかに放熱されるため、信
頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。さら
に、無機フィラーを選択することによって、内蔵する回
路部品にあわせて電気絶縁性基板の熱伝導度、線膨張係
数、誘電率、絶縁耐圧等を変化させることができる。ま
た、半導体素子およびチップコンデンサを含む回路部品
内蔵モジュールでは、半導体素子とチップコンデンサと
の距離を短くすることによって、電気信号のノイズを低
減することができる。
In the circuit component built-in module, the inner via holes are formed by the inner vias formed in the electrically insulating substrate, so that the circuit components can be mounted at a high density. In addition, since the heat generated from the circuit components is quickly dissipated by the inorganic filler, a highly reliable circuit component built-in module can be obtained. Furthermore, by selecting the inorganic filler, the thermal conductivity, linear expansion coefficient, dielectric constant, withstand voltage, etc. of the electrically insulating substrate can be changed according to the circuit components to be incorporated. Further, in the circuit component built-in module including the semiconductor element and the chip capacitor, the noise of the electric signal can be reduced by shortening the distance between the semiconductor element and the chip capacitor.

【0009】上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パ
ターンは、電気絶縁性基板の主面および内部に形成され
ていることが好ましい。配線パターンを多層構造とする
ことによって、さらに高密度に回路部品を実装すること
ができる。
In the circuit component built-in module, the wiring pattern is preferably formed on the main surface and inside of the electrically insulating substrate. By making the wiring pattern a multi-layer structure, it is possible to mount circuit components at a higher density.

【0010】上記回路部品内蔵モジュールでは、回路部
品は能動部品を含み、インナービアは導電性樹脂組成物
からなることが好ましい。回路部品が能動部品を含むこ
とによって所望の機能をもった回路部品を形成すること
ができる。また、インナービアが導電性樹脂組成物から
なる場合は、製造が容易になる。
In the circuit component built-in module, the circuit component preferably includes an active component, and the inner via is preferably made of a conductive resin composition. Since the circuit component includes the active component, the circuit component having a desired function can be formed. In addition, when the inner via is made of a conductive resin composition, the manufacturing becomes easy.

【0011】上記回路部品内蔵モジュールでは、回路部
品が、電気絶縁性基板によって外気から遮断されている
ことが好ましい。回路部品が外気から遮断されることに
よって、湿度による回路部品の信頼性低下を防止でき
る。
In the circuit component built-in module, it is preferable that the circuit component is shielded from the outside air by the electrically insulating substrate. By cutting off the circuit components from the outside air, it is possible to prevent the reliability of the circuit components from being deteriorated due to humidity.

【0012】上記回路部品内蔵モジュールでは、熱硬化
性樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネ
ート樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱硬化性樹脂を
含むことが好ましい。これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁
性に優れているからである。
In the circuit component built-in module, it is preferable that the thermosetting resin contains at least one thermosetting resin selected from epoxy resin, phenol resin and cyanate resin. This is because these resins have excellent heat resistance and electrical insulation.

【0013】上記回路部品内蔵モジュールでは、無機フ
ィラーが、Al23、MgO、BN、AlNおよびSi
2から選ばれる少なくとも一つの無機フィラーを含む
ことが好ましい。これらの無機フィラーを用いることに
よって、放熱性に優れた電気絶縁性基板が得られる。ま
た、無機フィラーとしてMgOを用いた場合は、電気絶
縁性基板の線膨張係数を大きくすることができる。ま
た、無機フィラーとしてSiO2(特に非晶質SiO2
を用いた場合は、電気絶縁性基板の誘電率を小さくする
ことができる。また、無機フィラーとしてBNを用いた
場合は、線膨張係数を低くすることができる。
In the circuit component built-in module, the inorganic filler is Al 2 O 3 , MgO, BN, AlN and Si.
It is preferable to include at least one inorganic filler selected from O 2 . By using these inorganic fillers, an electrically insulating substrate having excellent heat dissipation can be obtained. Moreover, when MgO is used as the inorganic filler, the linear expansion coefficient of the electrically insulating substrate can be increased. Further, as an inorganic filler, SiO 2 (particularly amorphous SiO 2 )
When using, the dielectric constant of the electrically insulating substrate can be reduced. Moreover, when BN is used as the inorganic filler, the linear expansion coefficient can be lowered.

【0014】上記回路部品内蔵モジュールでは、無機フ
ィラーの平均粒子径が0.1μm〜100μmであるこ
とが好ましい。上記回路部品内蔵モジュールでは、配線
パターンが銅を含むことが好ましい。銅は電気抵抗が小
さいため、微細な配線パターンを形成することができ
る。
In the circuit component built-in module, it is preferable that the average particle size of the inorganic filler is 0.1 μm to 100 μm. In the circuit component built-in module, it is preferable that the wiring pattern contains copper. Since copper has a low electric resistance, a fine wiring pattern can be formed.

【0015】上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パ
ターンが導電性樹脂組成物を含むことが好ましい。導電
性樹脂組成物を用いることによって、配線パターンを容
易に形成することができる。
In the circuit component built-in module, the wiring pattern preferably contains a conductive resin composition. The wiring pattern can be easily formed by using the conductive resin composition.

【0016】上記回路部品内蔵モジュールでは、能動部
品は半導体ベアーチップを含み、半導体ベアーチップは
配線パターンにフリップチップボンディングされている
ことが好ましい。
In the circuit component built-in module, the active component preferably includes a semiconductor bare chip, and the semiconductor bare chip is preferably flip-chip bonded to the wiring pattern.

【0017】上記回路部品内蔵モジュールでは、導電性
樹脂組成物が、金、銀、銅およびニッケルから選ばれる
一つの金属を含む金属粒子を導電性成分として含み、エ
ポキシ樹脂を樹脂成分として含むことが好ましい。上記
金属は電気抵抗が低く、また、エポキシ樹脂は耐熱性や
電気絶縁性に優れているからである。
In the circuit component built-in module, the conductive resin composition may contain metal particles containing one metal selected from gold, silver, copper and nickel as a conductive component and an epoxy resin as a resin component. preferable. This is because the above metal has a low electric resistance and the epoxy resin has excellent heat resistance and electric insulation.

【0018】上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パ
ターンが、エッチング法または打ち抜き法で形成された
金属板のリードフレームからなることが好ましい。金属
板のリードフレームは、電気抵抗が低いからである。エ
ッチング法を用いることによって、微細なパターンの配
線パターンを形成することができる。打ち抜き法を用い
ることによって、簡易な設備で配線パターンを形成する
ことができる。
In the circuit component built-in module, it is preferable that the wiring pattern is a lead frame of a metal plate formed by an etching method or a punching method. This is because the lead frame made of a metal plate has a low electric resistance. By using the etching method, a fine wiring pattern can be formed. By using the punching method, the wiring pattern can be formed with simple equipment.

【0019】上記回路部品内蔵モジュールでは、回路部
品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチ
ップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品
を含むことが好ましい。チップ状の部品を用いることに
よって、電気絶縁性基板に容易に埋設することができ
る。
In the circuit component built-in module, it is preferable that the circuit component includes at least one component selected from a chip-shaped resistor, a chip-shaped capacitor, and a chip-shaped inductor. By using the chip-shaped component, it can be easily embedded in the electrically insulating substrate.

【0020】上記回路部品内蔵モジュールでは、混合物
は、分散剤、着色剤、カップリング剤および離型剤から
選ばれる少なくとも一つの添加剤をさらに含むことが望
ましい。分散剤によって、熱硬化性樹脂中の無機フィラ
ーを均一性よく分散させることができる。着色剤によっ
て、電気絶縁性基板を着色することができるため、回路
部品内蔵モジュールの放熱性をよくすることができる。
カップリング剤によって、熱硬化性樹脂と無機フィラー
との接着強度を高くすることができるため、電気絶縁性
基板の絶縁性を向上できる。離型剤によって、金型と混
合物との離型性を向上できるため、生産性を向上でき
る。
In the circuit component built-in module, it is preferable that the mixture further contains at least one additive selected from a dispersant, a colorant, a coupling agent and a release agent. The dispersant can disperse the inorganic filler in the thermosetting resin with good uniformity. Since the electrically insulating substrate can be colored with the colorant, the heat dissipation of the circuit component built-in module can be improved.
Since the bonding strength of the thermosetting resin and the inorganic filler can be increased by the coupling agent, the insulating property of the electrically insulating substrate can be improved. The mold release agent can improve the mold releasability between the mold and the mixture, thus improving the productivity.

【0021】上記回路部品内蔵モジュールでは、電気絶
縁性基板の線膨張係数が8×10-6/℃〜20×10-6
/℃であり、かつ電気絶縁性基板の熱伝導度が1w/m
K〜10w/mKであることが好ましい。セラミック基
板に近い熱伝導度が得られ、放熱性に富む基板が得られ
るからである。
In the circuit component built-in module, the linear expansion coefficient of the electrically insulating substrate is 8 × 10 −6 / ° C. to 20 × 10 −6.
/ ° C and the thermal conductivity of the electrically insulating substrate is 1 w / m
It is preferably K to 10 w / mK. This is because a thermal conductivity close to that of a ceramic substrate can be obtained and a substrate with excellent heat dissipation can be obtained.

【0022】本発明の第1の回路部品内蔵モジュールの
製造方法は、無機フィラー70重量%〜95重量%(混
合物に対して)と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混
合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程
と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによ
って熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第2の
板状体を形成する工程と、第1の銅箔の一主面に回路部
品を実装する工程と、第1の銅箔の一主面上に、第2の
板状体を位置合わせして重ね、さらにその上に第2の銅
箔を重ねて加圧することによって、回路部品が埋設され
た第3の板状体を形成する工程と、第3の板状体を加熱
することによって、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬
化させる工程と、第1および第2の銅箔を加工して配線
パターンを形成する工程とを含む。上記第1の製造方法
によれば、本発明の回路部品内蔵モジュールを容易に製
造することができる。
In the first method for manufacturing a circuit component built-in module of the present invention, a mixture containing 70% by weight to 95% by weight of an inorganic filler (based on the mixture) and an uncured thermosetting resin is used as a through hole. A step of processing into a first plate-shaped body having: and a second plate-shaped body in which the through-hole is filled with the thermosetting conductive substance by filling the through-hole with the thermosetting conductive substance. The step of forming, the step of mounting the circuit component on the one main surface of the first copper foil, the second plate-shaped body aligned and superposed on the one main surface of the first copper foil, and further A step of forming a third plate-shaped body in which circuit components are embedded by stacking and pressing a second copper foil on the top, and heating the third plate-shaped body to form a thermosetting resin and A step of curing a conductive material, and processing the first and second copper foils to form a wiring pattern And a degree. According to the first manufacturing method, the circuit component built-in module of the present invention can be easily manufactured.

【0023】本発明の第2の回路部品内蔵モジュールの
製造方法は、無機フィラー70重量%〜95重量%(混
合物に対して)と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混
合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程
と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによ
って熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第2の
板状体を形成する工程と、第1の離型フィルムの一主面
に配線パターンを形成し、配線パターン上に回路部品を
実装する工程と、第2の離型フィルムの一主面に配線パ
ターンを形成する工程と、第1の離型フィルムと第2の
板状体と第2の離型フィルムとを配線パターンが第2の
板状体側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて
加圧することによって回路部品が埋設された第3の板状
体を形成する工程と、第3の板状体を加熱することによ
って、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬化させる工程
と、第1および第2の離型フィルムを硬化した第3の板
状体から剥離する工程とを含む。
In the second method for manufacturing a circuit component built-in module of the present invention, a mixture containing 70% by weight to 95% by weight of an inorganic filler (based on the mixture) and an uncured thermosetting resin is used as a through hole. A step of processing into a first plate-shaped body having: and a second plate-shaped body in which the through-hole is filled with the thermosetting conductive substance by filling the through-hole with the thermosetting conductive substance. Forming step, forming a wiring pattern on one main surface of the first release film, mounting a circuit component on the wiring pattern, and forming a wiring pattern on one main surface of the second release film Step, aligning and pressing the first release film, the second plate-shaped body, and the second release film in this order so that the wiring pattern faces the second plate-shaped body A step of forming a third plate-shaped body in which the circuit component is embedded by A step of curing the thermosetting resin and the conductive substance by heating the third plate-shaped body, and a step of peeling the first and second release films from the cured third plate-shaped body. Including.

【0024】上記第2の製造方法によれば、本発明の回
路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
本発明の第3の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、
多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの製造方法で
あって、無機フィラー70重量%〜95重量%(混合物
に対して)と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物
を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程と、貫
通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱
硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第2の板状体
を形成する工程と、第1の離型フィルムの一主面に配線
パターンを形成し、配線パターン上に回路部品を実装す
る工程と、第1の離型フィルムの一主面側に、第2の板
状体を位置合わせして重ね、加圧することによって回路
部品が埋設された第3の板状体を形成する工程と、第1
の離型フィルムを第3の板状体から剥離することによっ
て第4の板状体を形成する工程と、複数の第4の板状体
を位置合わせして重ね、さらに一主面に配線パターンが
形成された第2の離型フィルムを配線パターンが第4の
板状体側を向くように位置合わせして重ねて加圧し加熱
することによって、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬
化させて多層構造を有する第5の板状体を形成する工程
と、第2の離型フィルムを第5の板状体から剥離する工
程とを含むことを特徴とする。
According to the second manufacturing method, the circuit component built-in module of the present invention can be easily manufactured.
A third method for manufacturing a circuit component built-in module of the present invention is
A method of manufacturing a circuit component built-in module having a multi-layer structure, comprising a mixture containing 70% by weight to 95% by weight of an inorganic filler (relative to the mixture) and an uncured thermosetting resin, and having a through hole. 1. A step of processing into a plate-like body, and a step of forming a second plate-like body having a through-hole filled with a thermosetting conductive substance by filling the through-hole with a thermosetting conductive substance And a step of forming a wiring pattern on one main surface of the first release film and mounting a circuit component on the wiring pattern, and a second plate-shaped body on the one main surface side of the first release film. A step of forming a third plate-shaped body in which circuit components are embedded by aligning and stacking and pressurizing;
Forming the fourth plate-shaped body by peeling the release film of the third plate-shaped body from the third plate-shaped body, aligning and stacking the plurality of fourth plate-shaped bodies, and further wiring pattern on one main surface. The second release film on which is formed is aligned so that the wiring pattern faces the side of the fourth plate-shaped member, and the thermosetting resin and the conductive substance are cured by applying pressure and heating to form a multilayer. The method is characterized by including a step of forming a fifth plate-shaped body having a structure and a step of peeling the second release film from the fifth plate-shaped body.

【0025】上記第3の製造方法によれば、本発明の多
層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造す
ることができる。本発明の第4の回路部品内蔵モジュー
ルの製造方法は、多層構造を有する回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法であって、無機フィラー70重量%〜9
5重量%(混合物に対して)と未硬化状態の熱硬化性樹
脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加
工する工程と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填す
ることによって熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填さ
れた第2の板状体を形成する工程と、第1の離型フィル
ムの一主面に配線パターンを形成して配線パターン上に
回路部品を実装する工程と、第1の離型フィルムの一主
面側に、第2の板状体を位置合わせして重ねて加圧する
ことによって、回路部品が埋設された第3の板状体を形
成する工程と、第1の離型フィルムを第3の板状体から
剥離することによって第4の板状体を形成する工程と、
複数の第4の板状体を位置合わせして重ね、さらにその
上に銅箔を重ねて加圧し加熱することによって、熱硬化
性樹脂および導電性物質を硬化させて多層構造を有する
第5の板状体を形成する工程と、第5の板状体の銅箔を
加工して配線パターンを形成する工程とを含むことを特
徴とする。
According to the third manufacturing method, the circuit component built-in module having the multilayer structure of the present invention can be easily manufactured. A fourth method for manufacturing a circuit component built-in module of the present invention is a method for manufacturing a circuit component built-in module having a multilayer structure, wherein the inorganic filler is 70% by weight to 9% by weight.
A step of processing a mixture containing 5% by weight (relative to the mixture) and an uncured thermosetting resin into a first plate-like body having a through hole, and a thermosetting conductive substance in the through hole Forming a second plate-shaped body in which a through hole is filled with a thermosetting conductive material by filling the wiring pattern, and forming a wiring pattern on one main surface of the first release film to form a wiring pattern The step of mounting the circuit component on the upper surface of the first release film, and the third plate having the circuit component embedded therein by aligning and pressing the second plate-shaped member on the main surface side of the first release film. A step of forming a plate-like body, a step of peeling the first release film from the third plate-like body to form a fourth plate-like body,
A plurality of fourth plate-shaped bodies are aligned and stacked, and a copper foil is further stacked thereon and pressed and heated to cure the thermosetting resin and the conductive substance, thereby forming a fifth structure having a multilayer structure. The method is characterized by including a step of forming a plate-like body and a step of processing the copper foil of the fifth plate-like body to form a wiring pattern.

【0026】上記第4の製造方法によれば、本発明の多
層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造す
ることができる。上記第1ないし第4の回路部品内蔵モ
ジュールの製造方法では、回路部品は能動部品を含み、
導電性物質は導電性樹脂組成物からなることが好まし
い。回路部品が能動部品を含むことによって所望の機能
をもった回路部品を形成することができる。また、導電
性物質が導電性樹脂組成物からなる場合は、貫通孔への
充填および硬化が容易であるため、製造が容易になる。
According to the fourth manufacturing method, the circuit component built-in module having the multilayer structure of the present invention can be easily manufactured. In the first to fourth method for manufacturing a circuit component built-in module, the circuit component includes an active component,
The conductive substance is preferably composed of a conductive resin composition. Since the circuit component includes the active component, the circuit component having a desired function can be formed. In addition, when the conductive substance is made of a conductive resin composition, it is easy to fill the through holes and cure, and thus the production is facilitated.

【0027】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、銅箔または配線パターンに回路部
品を実装した後、銅箔または配線パターンと回路部品と
の間に封止樹脂を注入する工程をさらに含むことが好ま
しい。この工程によって、回路部品と配線パターンとの
間に空間が形成されることを防止することができ、ま
た、回路部品と配線パターンとの接続を強固にすること
ができる。
In the first to fourth method for manufacturing a circuit component built-in module, after mounting the circuit component on the copper foil or the wiring pattern, the sealing resin is injected between the copper foil or the wiring pattern and the circuit component. It is preferable to further include a step. By this step, it is possible to prevent a space from being formed between the circuit component and the wiring pattern, and to strengthen the connection between the circuit component and the wiring pattern.

【0028】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、熱硬化性樹脂および導電性物質を
加熱して硬化させる際の温度が150℃以上260℃以
下であることが好ましい。この温度範囲で加熱すること
によって、回路部品に大きなダメージを与えることなく
熱硬化性樹脂を硬化することができる。
In the first to fourth methods for manufacturing a circuit component built-in module, it is preferable that the temperature at which the thermosetting resin and the conductive substance are heated and cured is 150 ° C. or more and 260 ° C. or less. By heating within this temperature range, it is possible to cure the thermosetting resin without significantly damaging the circuit components.

【0029】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、熱硬化性樹脂および導電性物質を
加熱して硬化させる際に、加熱しながら10kg/cm
2〜200kg/cm2の圧力で加圧することが好まし
い。加熱しながら加圧することで、機械的強度に優れた
回路部品内蔵モジュールが得られる。
In the first to fourth methods for manufacturing a circuit component built-in module, when the thermosetting resin and the conductive substance are heated and cured, 10 kg / cm while heating.
It is preferable to pressurize at a pressure of 2 to 200 kg / cm 2 . By applying pressure while heating, a circuit component built-in module having excellent mechanical strength can be obtained.

【0030】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、第1の板状体を形成する工程が、
混合物を板状に成型した後、板状の混合物を熱硬化性樹
脂の硬化温度より低い温度(たとえば、硬化開始温度よ
り低い温度)で熱処理することによって、板状の混合物
の粘着性を失わせる工程を含むことが好ましい。板状の
混合物の粘着性を失わせることによって、その後の工程
が容易になるからである。
In the first to fourth circuit component built-in module manufacturing methods, the step of forming the first plate-shaped body is
After the mixture is molded into a plate, the plate-shaped mixture is heat-treated at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin (for example, a temperature lower than the curing start temperature) to lose the tackiness of the plate-shaped mixture. It is preferable to include a step. By making the plate-shaped mixture lose its tackiness, the subsequent steps are facilitated.

【0031】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、回路部品を第2の板状体に埋設す
ることによって第3の板状体を形成する工程を、熱硬化
性樹脂の硬化温度より低い温度下で行うことが好まし
い。熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で工程を行
うことによって、熱硬化性樹脂を硬化させることなく軟
化させることができるため、回路部品を第2の板状体に
埋設することが容易となり、また、回路部品内蔵モジュ
ールの表面を平滑にすることができる。
In the first to fourth circuit component built-in module manufacturing methods, the step of forming the third plate-shaped body by embedding the circuit component in the second plate-shaped body is performed by using a thermosetting resin. It is preferable to carry out at a temperature lower than the curing temperature. By performing the process at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin, the thermosetting resin can be softened without being cured, so that the circuit component can be easily embedded in the second plate-shaped body. Moreover, the surface of the circuit component built-in module can be made smooth.

【0032】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、回路部品を銅箔または配線パター
ンに実装する工程は、回路部品と銅箔または配線パター
ンとを半田によって電気的および機械的に接続する工程
からなることが好ましい。上記工程によれば、熱硬化性
樹脂を硬化させるために加熱を行う際に、加熱によって
回路部品と配線パターンとの接続不良が発生することを
防止できる。
In the first to fourth method for manufacturing a circuit component built-in module, in the step of mounting the circuit component on the copper foil or the wiring pattern, the circuit component and the copper foil or the wiring pattern are electrically and mechanically soldered. It is preferable that the method comprises the step of connecting to. According to the above process, when heating is performed to cure the thermosetting resin, it is possible to prevent defective connection between the circuit component and the wiring pattern due to heating.

【0033】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、回路部品を銅箔または配線パター
ンに実装する際に、回路部品の金バンプと銅箔または
線パターンとを導電性接着剤によって電気的に接続する
ことが好ましい。導電性接着剤を用いることによって、
後の工程で加熱する際に、接続不良や部品の位置ずれが
起こることを防止できる。
[0033] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, when implementing the circuit component in the copper foil or the wiring pattern, and the gold bumps and the copper foil or distribution <br/> line pattern of the circuit components Are preferably electrically connected by a conductive adhesive. By using a conductive adhesive,
It is possible to prevent connection failure and displacement of parts when heating in a later process.

【0034】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少な
くとも一つの熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。これ
らの樹脂は、耐熱性や電気絶縁性に優れているからであ
る。
In the first to fourth method for manufacturing a circuit component built-in module, the thermosetting resin is epoxy resin,
It is preferable to include at least one thermosetting resin selected from a phenol resin and a cyanate resin. This is because these resins are excellent in heat resistance and electric insulation.

【0035】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、無機フィラーがAl23、Mg
O、BN、AlNおよびSiO2から選ばれる少なくと
も一つの無機フィラーを含むことが好ましい。これらの
無機フィラーを用いることによって、放熱性に優れた電
気絶縁性基板が得られる。また、無機フィラーとしてM
gOを用いた場合は、電気絶縁性基板の線膨張係数を大
きくすることができる。また、無機フィラーとしてSi
2(特に非晶質SiO2)を用いた場合は、電気絶縁性
基板の誘電率を小さくすることができる。また、無機フ
ィラーとしてBNを用いた場合は、線膨張係数を低くす
ることができる。
In the first to fourth methods for manufacturing a circuit component built-in module, the inorganic fillers are Al 2 O 3 and Mg.
It is preferable to include at least one inorganic filler selected from O, BN, AlN and SiO 2 . By using these inorganic fillers, an electrically insulating substrate having excellent heat dissipation can be obtained. Also, M as an inorganic filler
When gO is used, the linear expansion coefficient of the electrically insulating substrate can be increased. Further, as an inorganic filler, Si
When O 2 (particularly amorphous SiO 2 ) is used, the dielectric constant of the electrically insulating substrate can be reduced. Moreover, when BN is used as the inorganic filler, the linear expansion coefficient can be lowered.

【0036】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、配線パターンが、銅を含むことが
好ましい。銅は電気抵抗が小さいため、微細な配線パタ
ーンを形成することができるからである。
In the above-mentioned first to fourth circuit component built-in module manufacturing methods, it is preferable that the wiring pattern contains copper. This is because copper has a small electric resistance and thus a fine wiring pattern can be formed.

【0037】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、配線パターンが、導電性樹脂組成
物を含むことが好ましい。導電性樹脂組成物を用いるこ
とによって、配線パターンを容易に形成することができ
る。
In the above-mentioned first to fourth method for manufacturing a circuit component built-in module, it is preferable that the wiring pattern contains a conductive resin composition. The wiring pattern can be easily formed by using the conductive resin composition.

【0038】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、回路部品が半導体ベアーチップを
含み、半導体ベアーチップは配線パターンにフリップチ
ップボンディングされていることが好ましい。半導体ベ
アーチップをフリップチップボンディングすることによ
って、高密度に半導体素子を実装することができる。
In the first to fourth methods for manufacturing a circuit component built-in module, it is preferable that the circuit component includes a semiconductor bare chip, and the semiconductor bare chip is flip-chip bonded to the wiring pattern. By flip-chip bonding a semiconductor bare chip, semiconductor elements can be mounted at high density.

【0039】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、導電性樹脂組成物が、金、銀、銅
およびニッケルから選ばれる少なくとも一つの金属を含
む金属粒子を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹
脂成分として含むことが好ましい。上記金属は電気抵抗
が低く、また、エポキシ樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優
れているからである。
In the first to fourth methods for manufacturing a circuit component built-in module, the conductive resin composition contains, as a conductive component, metal particles containing at least one metal selected from gold, silver, copper and nickel. It is preferable to include an epoxy resin as a resin component. This is because the above metal has a low electric resistance and the epoxy resin has excellent heat resistance and electric insulation.

【0040】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、配線パターンが、エッチング法ま
たは打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームか
らなることが好ましい。金属板のリードフレームは、電
気抵抗が低いからである。エッチング法を用いることに
よって、微細なパターンの配線パターンを形成すること
ができる。打ち抜き法を用いることによって、簡易な設
備で配線パターンを形成することができる。
In the above-mentioned first to fourth methods for manufacturing a circuit component built-in module, it is preferable that the wiring pattern is a lead frame of a metal plate formed by an etching method or a punching method. This is because the lead frame made of a metal plate has a low electric resistance. By using the etching method, a fine wiring pattern can be formed. By using the punching method, the wiring pattern can be formed with simple equipment.

【0041】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、回路部品が、チップ状の抵抗、チ
ップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選
ばれる少なくとも一つの部品を含むことが好ましい。チ
ップ状の部品を用いることによって、電気絶縁性基板に
部品を容易に埋設することができる。
In the above-described first to fourth method for manufacturing a circuit component built-in module, it is preferable that the circuit component includes at least one component selected from a chip-shaped resistor, a chip-shaped capacitor, and a chip-shaped inductor. By using the chip-shaped component, the component can be easily embedded in the electrically insulating substrate.

【0042】[0042]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態の一例について説明する。 (実施形態1)この実施形態1は、本発明の回路部品内
蔵モジュールの一例であり、図1は、この実施形態の回
路部品内蔵モジュール100の斜視断面図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An example of an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Embodiment 1) This Embodiment 1 is an example of a circuit component built-in module of the present invention, and FIG. 1 is a perspective sectional view of a circuit component built-in module 100 of this embodiment.

【0043】図1を参照して、この実施形態の回路部品
内蔵モジュール100は、電気絶縁性基板101と、電
気絶縁性基板101の一主面および他主面に形成された
配線パターン102aおよび102bと、配線パターン
102bに接続され電気絶縁性基板101の内部に配置
された回路部品103と、配線パターン102aおよび
102bを電気的に接続するインナービア104とを含
む。
Referring to FIG. 1, a circuit component built-in module 100 according to this embodiment has an electrically insulating substrate 101 and wiring patterns 102a and 102b formed on one main surface and the other main surface of the electrically insulating substrate 101. And a circuit component 103 connected to the wiring pattern 102b and arranged inside the electrically insulating substrate 101, and an inner via 104 electrically connecting the wiring patterns 102a and 102b.

【0044】電気絶縁性基板101は、無機フィラーと
熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。無機フィラーに
は、たとえば、Al23、MgO、BN、AlNまたは
SiO2などを用いることができる。無機フィラーは、
混合物に対して70重量%から95重量%であることが
好ましい。無機フィラーの平均粒子径は、0.1μm〜
100μm以下であることが好ましい。熱硬化性樹脂に
は、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール
樹脂またはシアネート樹脂が好ましい。エポキシ樹脂
は、耐熱性が特に高いため特に好ましい。なお、混合物
は、さらに分散剤、着色剤、カップリング剤または離型
剤を含んでいてもよい。
The electrically insulating substrate 101 is made of a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin. As the inorganic filler, for example, Al 2 O 3 , MgO, BN, AlN or SiO 2 can be used. The inorganic filler is
It is preferably from 70% to 95% by weight with respect to the mixture. The average particle size of the inorganic filler is from 0.1 μm to
It is preferably 100 μm or less. As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a phenol resin or a cyanate resin having high heat resistance is preferable. Epoxy resins are particularly preferable because they have particularly high heat resistance. The mixture may further contain a dispersant, a coloring agent, a coupling agent or a releasing agent.

【0045】配線パターン102aおよび102bは、
電気導電性を有する物質からなり、たとえば、銅箔や導
電性樹脂組成物からなる。配線パターンとして銅箔を用
いる場合、たとえば、電解メッキにより作製された厚さ
18μm〜35μm程度の銅箔が使用できる。銅箔は、
電気絶縁性基板101との接着性を向上させるため、電
気絶縁性基板101と接触する面を粗化することが望ま
しい。また、銅箔には、接着性および耐酸化性向上のた
め、銅箔表面をカップリング処理したものや、銅箔表面
に錫、亜鉛またはニッケルをメッキしたものを使用して
もよい。また、配線パターン102aおよび102bに
は、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板
のリードフレームを用いてもよい。
The wiring patterns 102a and 102b are
It is made of a substance having electrical conductivity, such as a copper foil or a conductive resin composition. When a copper foil is used as the wiring pattern, for example, a copper foil having a thickness of about 18 μm to 35 μm produced by electrolytic plating can be used. Copper foil
In order to improve the adhesiveness with the electrically insulating substrate 101, it is desirable to roughen the surface in contact with the electrically insulating substrate 101. Further, as the copper foil, in order to improve adhesiveness and oxidation resistance, a copper foil whose surface is subjected to a coupling treatment or a copper foil whose surface is plated with tin, zinc or nickel may be used. Moreover, you may use the lead frame of the metal plate formed by the etching method or the punching method for the wiring patterns 102a and 102b.

【0046】回路部品103は、たとえば、能動部品1
03aおよび受動部品103bを含む。能動部品103
aとしては、たとえば、トランジスタ、IC、LSIな
どの半導体素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベ
アーチップであってもよい。受動部品103bとして
は、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチッ
プ状インダクタなどが用いられる。なお、回路部品10
3は、受動部品103bを含まない場合であってもよ
い。
The circuit component 103 is, for example, the active component 1.
03a and passive component 103b. Active component 103
As a, for example, a semiconductor element such as a transistor, IC or LSI is used. The semiconductor element may be a bare semiconductor chip. A chip-shaped resistor, a chip-shaped capacitor, a chip-shaped inductor, or the like is used as the passive component 103b. The circuit component 10
3 may be a case where the passive component 103b is not included.

【0047】配線パターン102bと能動部品103a
との接続には、たとえばフリップチップボンディングが
用いられる。インナービア104は、たとえば、熱硬化
性の導電性物質からなる。熱硬化性の導電性物質として
は、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導
電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子として
は、金、銀、銅またはニッケルなどを用いることができ
る。金、銀、銅またはニッケルは導電性が高いため好ま
しく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため
特に好ましい。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用い
ることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特
に好ましい。
Wiring pattern 102b and active component 103a
Flip chip bonding, for example, is used for the connection with. The inner via 104 is made of, for example, a thermosetting conductive material. As the thermosetting conductive substance, for example, a conductive resin composition obtained by mixing metal particles and a thermosetting resin can be used. As the metal particles, gold, silver, copper or nickel can be used. Gold, silver, copper, or nickel is preferable because it has high conductivity, and copper is particularly preferable because it has high conductivity and less migration. As the thermosetting resin, for example, epoxy resin, phenol resin or cyanate resin can be used. Epoxy resins are particularly preferable because they have high heat resistance.

【0048】この実施形態1に示した回路部品内蔵モジ
ュール100では、配線パターン102aと配線パター
ン102bとが、電気絶縁性基板101の貫通孔に充填
されたインナービア104によって接続される。したが
って、回路部品内蔵モジュール100では、高密度に回
路部品103を実装することができる。
In the circuit component built-in module 100 shown in the first embodiment, the wiring pattern 102a and the wiring pattern 102b are connected by the inner via 104 filled in the through hole of the electrically insulating substrate 101. Therefore, in the circuit component built-in module 100, the circuit components 103 can be mounted with high density.

【0049】また、回路部品内蔵モジュール100で
は、電気絶縁性基板101に含まれる無機フィラーによ
って回路部品で発生した熱が速やかに伝導される。した
がって、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られ
る。
In the circuit component built-in module 100, the heat generated in the circuit component is quickly conducted by the inorganic filler contained in the electrically insulating substrate 101. Therefore, a highly reliable module with built-in circuit components can be obtained.

【0050】また、回路部品内蔵モジュール100で
は、電気絶縁性基板101に用いる無機フィラーを選択
することによって、電気絶縁性基板101の線膨張係
数、熱伝導度、誘電率などを容易に制御することができ
る。電気絶縁性基板101の線膨張係数を半導体素子と
略等しくすると、温度変化によるクラックの発生等を防
止することができるため、信頼性の高い回路部品内蔵モ
ジュールが得られる。電気絶縁性基板101の熱伝導性
を向上させると、高密度で回路部品を実装した場合に
も、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。
電気絶縁性基板101の誘電率を低くすることによっ
て、誘電損失の少ない高周波回路用モジュールが得られ
る。
In the circuit component built-in module 100, the linear expansion coefficient, thermal conductivity, dielectric constant, etc. of the electrically insulating substrate 101 can be easily controlled by selecting the inorganic filler used for the electrically insulating substrate 101. You can When the coefficient of linear expansion of the electrically insulating substrate 101 is substantially equal to that of the semiconductor element, it is possible to prevent the occurrence of cracks and the like due to temperature changes, so that a highly reliable circuit component built-in module is obtained. By improving the thermal conductivity of the electrically insulating substrate 101, a circuit component built-in module having high reliability can be obtained even when circuit components are mounted at a high density.
By reducing the dielectric constant of the electrically insulating substrate 101, a high-frequency circuit module with a small dielectric loss can be obtained.

【0051】また、回路部品内蔵モジュール100で
は、電気絶縁性基板101によって回路部品103を外
気から遮断することができるため、湿度による信頼性低
下を防止することができる。
In the circuit component built-in module 100, since the circuit component 103 can be shielded from the outside air by the electrically insulating substrate 101, it is possible to prevent the reliability from decreasing due to humidity.

【0052】また、本発明の回路部品内蔵モジュール1
00は、電気絶縁性基板101の材料として、無機フィ
ラーと熱硬化性樹脂との混合物を用いているため、セラ
ミック基板と異なり、高温で焼成する必要がなく製造が
容易である。
Further, the circuit component built-in module 1 of the present invention.
00 uses a mixture of an inorganic filler and a thermosetting resin as the material of the electrically insulating substrate 101, and thus unlike the ceramic substrate, it does not need to be fired at a high temperature and is easily manufactured.

【0053】なお、図1に示した回路部品内蔵モジュー
ル100では、配線パターン102aが電気絶縁性基板
101に埋設されていない場合を示したが、配線パター
ン102aが電気絶縁性基板101に埋設されていても
よい(図3(h)参照)。
In the circuit component built-in module 100 shown in FIG. 1, the wiring pattern 102a is not embedded in the electrically insulating substrate 101, but the wiring pattern 102a is embedded in the electrically insulating substrate 101. It may be (see FIG. 3 (h)).

【0054】また、図1に示した回路部品内蔵モジュー
ル100では、配線パターン102a上に回路部品が実
装されていない場合を示したが、配線パターン102a
上に回路部品を実装してもよく、さらに回路部品内蔵モ
ジュールを樹脂モールドしてもよい(以下の実施形態に
おいて同様である)。配線パターン102a上に回路部
品を実装することによって、さらに高密度に回路部品を
実装できる。
In the circuit component built-in module 100 shown in FIG. 1, the case where the circuit component is not mounted on the wiring pattern 102a is shown.
A circuit component may be mounted on it, and a module with a built-in circuit component may be resin-molded (the same applies in the following embodiments). By mounting the circuit component on the wiring pattern 102a, the circuit component can be mounted at a higher density.

【0055】(実施形態2)この実施形態2では、図1
に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形
態を説明する。実施形態2で用いられる材料および回路
部品は、実施形態1で説明したものである。
(Embodiment 2) In Embodiment 2, FIG.
An embodiment of a method of manufacturing the circuit component built-in module shown in FIG. The materials and circuit components used in the second embodiment are those described in the first embodiment.

【0056】図2(a)〜(h)は回路部品内蔵モジュ
ールの製造工程の一実施形態を示す断面図である。ま
ず、図2(a)に示すように、無機フィラーと熱硬化性
樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合
物200を形成する。板状の混合物200は、無機フィ
ラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂とを混合してペースト
状混練物とし、そのペースト状混練物を一定厚みに成型
することによって形成することができる。
FIGS. 2A to 2H are sectional views showing an embodiment of the manufacturing process of the circuit component built-in module. First, as shown in FIG. 2A, a plate-shaped mixture 200 is formed by processing a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin. The plate-like mixture 200 can be formed by mixing an inorganic filler and an uncured thermosetting resin into a paste-like kneaded product, and molding the paste-like kneaded product to a constant thickness.

【0057】なお、板状の混合物200を、熱硬化性樹
脂の硬化温度より低い温度で熱処理をしてもよい。熱処
理をすることによって、混合物200の可撓性を維持し
ながら粘着性を除去することができるため、その後の処
理が容易になる。また、溶剤によって熱硬化性樹脂を溶
解させた混合物では、熱処理をすることによって、溶剤
の一部を除去することができる。
The plate-shaped mixture 200 may be heat-treated at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin. By performing the heat treatment, the tackiness can be removed while maintaining the flexibility of the mixture 200, which facilitates the subsequent treatment. Further, in the mixture in which the thermosetting resin is dissolved by the solvent, a part of the solvent can be removed by heat treatment.

【0058】その後、図2(b)に示すように、混合物
200の所望の位置に貫通孔201を形成することによ
って、貫通孔201が形成された板状体を形成する。貫
通孔201は、たとえば、レーザ加工、ドリルによる加
工または金型による加工で形成することができる。レー
ザ加工は、微細なピッチで貫通孔201を形成すること
ができ、削り屑が発生しないため好ましい。レーザ加工
では、炭酸ガスレーザやエキシマレーザを用いると加工
が容易である。なお、貫通孔201は、ペースト状混練
物を成型して板状の混合物200を形成する際に、同時
に形成してもよい。
After that, as shown in FIG. 2 (b), through holes 201 are formed at desired positions of the mixture 200 to form a plate-shaped body in which the through holes 201 are formed. The through hole 201 can be formed by, for example, laser processing, drilling, or die processing. Laser processing is preferable because the through holes 201 can be formed with a fine pitch and shavings are not generated. In laser processing, if a carbon dioxide gas laser or an excimer laser is used, the processing is easy. The through holes 201 may be formed at the same time when the paste-like kneaded material is molded to form the plate-shaped mixture 200.

【0059】その後、図2(c)に示すように、貫通孔
201に導電性樹脂組成物202を充填することによっ
て、貫通孔201に導電性樹脂組成物202が充填され
た板状体を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 2C, the through hole 201 is filled with the conductive resin composition 202 to form a plate-like body having the through hole 201 filled with the conductive resin composition 202. To do.

【0060】図2(a)〜(c)の工程と平行して、図
2(d)に示すように、銅箔203に回路部品204を
フリップチップボンディングする。回路部品204は、
導電性接着剤205を介して銅箔203と電気的に接続
されている。導電性接着剤205には、たとえば、金、
銀、銅、銀−パラジウム合金などを熱硬化性樹脂で混練
したものが使用できる。また、導電性接着剤205の代
わりに、金ワイヤボンディング法で作製したバンプまた
は半田によるバンプを回路部品側にあらかじめ形成し、
熱処理によって金または半田の溶解して回路部品204
を実装することも可能である。さらに、半田バンプと導
電性接着剤とを併用することも可能である。
In parallel with the steps of FIGS. 2A to 2C, as shown in FIG. 2D, a circuit component 204 is flip-chip bonded to the copper foil 203. The circuit component 204 is
It is electrically connected to the copper foil 203 via the conductive adhesive 205. For the conductive adhesive 205, for example, gold,
A material obtained by kneading silver, copper, a silver-palladium alloy or the like with a thermosetting resin can be used. Further, in place of the conductive adhesive 205, bumps produced by a gold wire bonding method or bumps by solder are previously formed on the circuit component side,
Heat treatment melts gold or solder to produce circuit components 204
It is also possible to implement. Furthermore, it is also possible to use a solder bump and a conductive adhesive together.

【0061】なお、銅箔203に実装した回路部品20
4と銅箔203との間に封止樹脂を注入してもよい(以
下の実施形態において、回路部品と銅箔との間あるいは
回路部品と配線パターンとの間に封止樹脂を注入しても
よいことは同様である)。封止樹脂の注入によって、後
の工程で半導体素子を板状体に埋設する際に、半導体素
子と配線パターンとの間に隙間ができることを防止する
ことができる。封止樹脂には通常のフリップチップボン
ディングに使用されるアンダーフィル樹脂を用いること
ができる。
The circuit component 20 mounted on the copper foil 203
4 may be injected between the copper foil 203 and the copper foil 203 (in the following embodiments, the sealing resin may be injected between the circuit component and the copper foil or between the circuit component and the wiring pattern). The same is true). By injecting the sealing resin, it is possible to prevent a gap from being formed between the semiconductor element and the wiring pattern when the semiconductor element is embedded in the plate-shaped body in a later step. As the sealing resin, an underfill resin used for ordinary flip chip bonding can be used.

【0062】図2(a)〜(c)の工程と平行して、銅
箔206を形成する。その後、図2(f)に示すよう
に、回路部品204を実装した銅箔203、図2(c)
の板状体および銅箔206を位置合わせして重ねる。
A copper foil 206 is formed in parallel with the steps of FIGS. After that, as shown in FIG. 2F, the copper foil 203 on which the circuit component 204 is mounted, FIG.
The plate-shaped body and the copper foil 206 are aligned and stacked.

【0063】その後、図2(g)に示すように、位置合
わせして重ねたものを加圧することによって回路部品2
04が埋設された板状体を形成した後、これを加熱する
ことによって、混合物200および導電性樹脂組成物2
02中の熱硬化性樹脂を硬化させ、回路部品204が埋
設された板状体を形成する。加熱は、混合物200およ
び導電性樹脂組成物202中の熱硬化性樹脂が硬化する
温度以上の温度(たとえば150℃〜260℃)で行
い、混合物200は電気絶縁性基板207となり、導電
性樹脂組成物はインナービア208となる。この工程に
よって、銅箔203および206と回路部品204と電
気絶縁性基板207とが機械的に強固に接着する。ま
た、インナービア208によって、銅箔203および2
06が電気的に接続される。なお、加熱によって混合物
200および導電性樹脂組成物202中の熱硬化性樹脂
を硬化させる際に、加熱しながら10kg/cm2〜2
00kg/cm2の圧力で加圧することによって、回路
部品モジュールの機械的強度を向上させることができる
(以下の実施形態において同様である)。
Thereafter, as shown in FIG. 2 (g), the circuit components 2 are aligned by applying pressure to the stacked components.
After forming a plate-like body in which 04 is embedded, the mixture is heated and the mixture 200 and the conductive resin composition 2 are heated.
The thermosetting resin in 02 is cured to form a plate-shaped body in which the circuit component 204 is embedded. The heating is performed at a temperature equal to or higher than the temperature at which the thermosetting resin in the mixture 200 and the conductive resin composition 202 is cured (for example, 150 ° C. to 260 ° C.), and the mixture 200 becomes the electrically insulating substrate 207 and the conductive resin composition. The object becomes the inner via 208. By this step, the copper foils 203 and 206, the circuit component 204, and the electrically insulating substrate 207 are mechanically and firmly bonded. In addition, the inner vias 208 allow the copper foils 203 and 2 to be formed.
06 is electrically connected. In addition, when the thermosetting resin in the mixture 200 and the conductive resin composition 202 is cured by heating, 10 kg / cm 2 to 2 with heating.
By pressurizing with a pressure of 00 kg / cm 2 , the mechanical strength of the circuit component module can be improved (the same applies in the following embodiments).

【0064】その後、図2(h)に示すように、銅箔2
03および206を加工することによって配線パターン
209および210を形成する。このようにして、実施
形態1で説明した回路部品内蔵モジュールが形成され
る。上記製造方法によれば、実施形態1で説明した回路
部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
Then, as shown in FIG. 2 (h), the copper foil 2
Wiring patterns 209 and 210 are formed by processing 03 and 206. In this way, the circuit component built-in module described in the first embodiment is formed. According to the above manufacturing method, the circuit component built-in module described in the first embodiment can be easily manufactured.

【0065】なお、実施形態2では、貫通孔201に充
填する導電性物質として導電性樹脂組成物202を用い
たが、熱硬化性の導電性物質であればよい(以下の実施
形態において同様である)。
In the second embodiment, the conductive resin composition 202 is used as the conductive material with which the through holes 201 are filled, but any thermosetting conductive material may be used (the same applies to the following embodiments. is there).

【0066】(実施形態3)この実施形態3では、図1
に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実
施形態を説明する。実施形態3で用いられる材料および
回路部品は、実施形態1で説明したものである。
(Third Embodiment) In the third embodiment, FIG.
Another embodiment of the method of manufacturing the circuit component built-in module shown in FIG. The materials and circuit components used in the third embodiment are those described in the first embodiment.

【0067】図3(a)〜(h)は、実施形態3におけ
る回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図であ
る。まず、図3(a)に示すように、無機フィラーと熱
硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状
の混合物300を形成する。この工程は図2(a)と同
様であるため、重複する説明は省略する。
3A to 3H are cross-sectional views showing the manufacturing process of the circuit component built-in module according to the third embodiment. First, as shown in FIG. 3A, a plate-shaped mixture 300 is formed by processing a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin. Since this step is the same as that in FIG. 2A, duplicate description will be omitted.

【0068】その後、図3(b)に示すように、混合物
300の所望の位置に、貫通孔301を形成する。この
工程は図2(b)と同様であるため、重複する説明は省
略する。
After that, as shown in FIG. 3B, a through hole 301 is formed at a desired position of the mixture 300. Since this step is the same as that in FIG. 2B, duplicate description will be omitted.

【0069】その後、図3(c)に示すように、貫通孔
301に導電性樹脂組成物302を充填することによっ
て、貫通孔301に導電性樹脂組成物302が充填され
た板状体を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 3C, the through hole 301 is filled with the conductive resin composition 302 to form a plate-like body having the through hole 301 filled with the conductive resin composition 302. To do.

【0070】図3(a)〜(c)の工程と平行して、図
3(d)に示すように、離型フィルム305上に配線パ
ターン303を形成し、配線パターン303に回路部品
304を実装する。回路部品304を実装する方法は、
図2(d)で説明した方法と同様であるため、重複する
説明は省略する。離型フィルム305には、たとえば、
ポリエチレンテレフタレートやポリフェニレンサルファ
イトのフィルムを用いることができる。配線パターン3
03は、たとえば、離型フィルム305に銅箔を接着し
た後フォトリソ工程およびエッチング工程を行うことに
よって形成できる。また、配線パターン303には、エ
ッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリー
ドフレームを用いてもよい。
In parallel with the steps of FIGS. 3A to 3C, as shown in FIG. 3D, the wiring pattern 303 is formed on the release film 305, and the circuit component 304 is formed on the wiring pattern 303. Implement. The method of mounting the circuit component 304 is
Since the method is the same as that described with reference to FIG. 2D, duplicate description will be omitted. For the release film 305, for example,
A film of polyethylene terephthalate or polyphenylene sulfite can be used. Wiring pattern 3
03 can be formed by, for example, adhering a copper foil to the release film 305 and then performing a photolithography process and an etching process. Further, as the wiring pattern 303, a lead frame made of a metal plate formed by an etching method or a punching method may be used.

【0071】図3(a)〜(c)の工程と平行して、図
3(e)に示すように、離型フィルム307上に配線パ
ターン306を形成する。配線パターン306は、配線
パターン303と同様の方法で形成できる。
In parallel with the steps of FIGS. 3A to 3C, a wiring pattern 306 is formed on the release film 307 as shown in FIG. 3E. The wiring pattern 306 can be formed by the same method as the wiring pattern 303.

【0072】その後、図3(f)に示すように、配線パ
ターン303および306と導電性物質302とが所望
の部分で接続されるように、離型フィルム305、図2
(c)の板状体および離型フィルム307を位置合わせ
して重ねる。
After that, as shown in FIG. 3F, the release film 305, FIG. 2 is formed so that the wiring patterns 303 and 306 and the conductive material 302 are connected at a desired portion.
The plate-shaped body (c) and the release film 307 are aligned and stacked.

【0073】その後、図3(g)に示すように、位置合
わせして重ねたものを加圧し加熱することによって、混
合物300および導電性樹脂組成物302中の熱硬化性
樹脂を硬化させ、回路部品304ならびに配線パターン
303および306が埋設された板状体を形成する。加
熱は、混合物300および導電性樹脂組成物302中の
熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(たとえば15
0℃〜260℃)で行い、混合物300は電気絶縁性基
板308となり、導電性樹脂組成物302はインナービ
ア309となる。インナービア309によって、配線パ
ターン303および306が電気的に接続される。
Then, as shown in FIG. 3 (g), the thermosetting resins in the mixture 300 and the conductive resin composition 302 are cured by applying pressure to the aligned and superposed materials and heating them to form a circuit. A plate-shaped body in which the component 304 and the wiring patterns 303 and 306 are embedded is formed. The heating is performed at a temperature equal to or higher than the temperature at which the thermosetting resin in the mixture 300 and the conductive resin composition 302 is cured (for example, 15).
(0 ° C. to 260 ° C.), the mixture 300 becomes the electrically insulating substrate 308, and the conductive resin composition 302 becomes the inner via 309. The inner vias 309 electrically connect the wiring patterns 303 and 306.

【0074】その後、図3(h)に示すように、離型フ
ィルム305および307を図3(g)の板状体から剥
離する。このようにして、実施形態1で説明した回路部
品内蔵モジュールが形成される。上記製造方法によれ
ば、実施形態1で説明した回路部品内蔵モジュールを容
易に製造することができる。
Thereafter, as shown in FIG. 3 (h), the release films 305 and 307 are peeled off from the plate-shaped body of FIG. 3 (g). In this way, the circuit component built-in module described in the first embodiment is formed. According to the above manufacturing method, the circuit component built-in module described in the first embodiment can be easily manufactured.

【0075】なお、本方法では、あらかじめ配線パター
ン306を形成した離型フィルム307を用いるため、
配線パターン306が電気絶縁性基板308に埋め込ま
れ表面が平坦な回路部品内蔵モジュールを製造できる。
表面が平坦であることによって配線パターン306上に
高密度に部品を実装することができるため、より高密度
に回路部品を実装できる。
In this method, since the release film 307 on which the wiring pattern 306 is formed in advance is used,
It is possible to manufacture a circuit component built-in module in which the wiring pattern 306 is embedded in the electrically insulating substrate 308 and the surface is flat.
Since the surface is flat, components can be mounted on the wiring pattern 306 with high density, so that circuit components can be mounted with higher density.

【0076】(実施形態4)この実施形態4では、本発
明の多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの一実施
形態を説明する。図4は、この実施形態4の回路部品内
蔵モジュール400の斜視断面図である。
(Embodiment 4) In Embodiment 4, an embodiment of a circuit component built-in module having a multilayer structure of the present invention will be described. FIG. 4 is a perspective sectional view of the circuit component built-in module 400 of the fourth embodiment.

【0077】図4を参照して、この実施形態の回路部品
内蔵モジュール400は、積層された電気絶縁性基板4
01a、401bおよび401cからなる電気絶縁性基
板401と、電気絶縁性基板401の主面および内部に
形成された配線パターン402a、402b、402c
および402dと、電気絶縁性基板401の内部に配置
され配線パターン402a、402bまたは402cに
接続された回路部品403と、配線パターン402a、
402b、402cおよび402dを電気的に接続する
インナービア404とを含む。
With reference to FIG. 4, the circuit component built-in module 400 of this embodiment is composed of the laminated electrically insulating substrates 4
01a, 401b and 401c, and wiring patterns 402a, 402b, 402c formed on the main surface and inside of the electrically insulating substrate 401.
And 402d, the circuit component 403 arranged inside the electrically insulating substrate 401 and connected to the wiring pattern 402a, 402b or 402c, and the wiring pattern 402a,
And an inner via 404 for electrically connecting 402b, 402c, and 402d.

【0078】電気絶縁性基板401a、401bおよび
401cは、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合
物からなる。無機フィラーには、たとえば、Al23
MgO、BN、AlNまたはSiO2などを用いること
ができる。無機フィラーは、混合物に対して70重量%
〜95重量%であることが好ましい。無機フィラーの平
均粒子径は、0.1μm〜100μmであることが好ま
しい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポ
キシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ま
しい。エポキシ樹脂は、耐熱性が特に高いため特に好ま
しい。なお、混合物は、さらに分散剤、着色剤、カップ
リング剤または離型剤を含んでいてもよい。
The electrically insulating substrates 401a, 401b and 401c are made of a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin. Examples of the inorganic filler include Al 2 O 3 and
MgO, BN, AlN, SiO 2 or the like can be used. Inorganic filler is 70% by weight based on the mixture
It is preferably about 95% by weight. The average particle size of the inorganic filler is preferably 0.1 μm to 100 μm. As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a phenol resin or a cyanate resin having high heat resistance is preferable. Epoxy resins are particularly preferable because they have particularly high heat resistance. The mixture may further contain a dispersant, a coloring agent, a coupling agent or a releasing agent.

【0079】配線パターン402a、402b、402
cおよび402dは、実施形態1で説明した配線パター
ン102aおよび102bと同様であるので、重複する
説明は省略する。
Wiring patterns 402a, 402b, 402
Since c and 402d are the same as the wiring patterns 102a and 102b described in the first embodiment, duplicate description will be omitted.

【0080】回路部品403は、たとえば、能動部品4
03aや受動部品403bを含む。能動部品403aと
しては、たとえば、トランジスタ、IC、LSIなどの
半導体素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベアー
チップであってもよい。受動部品403bとしては、チ
ップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチップ状イ
ンダクタなどが用いられる。なお、回路部品403は、
受動部品403bを含まない場合であってもよい。
The circuit component 403 is, for example, the active component 4
03a and passive components 403b. As the active component 403a, for example, a semiconductor element such as a transistor, IC or LSI is used. The semiconductor element may be a bare semiconductor chip. A chip-shaped resistor, a chip-shaped capacitor, a chip-shaped inductor, or the like is used as the passive component 403b. The circuit component 403 is
The passive component 403b may not be included.

【0081】配線パターン402a、402bおよび4
02cと能動部品403aとの接続には、たとえばフリ
ップチップボンディングが用いられる。インナービア4
04は、たとえば、熱硬化性の導電性物質からなる。イ
ンナービア404としては、たとえば、金属粒子と熱硬
化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることが
できる。金属粒子の材料としては、金、銀、銅またはニ
ッケルなどの金属を用いることができる。金、銀、銅ま
たはニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性
が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。ま
た、熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用いることがで
きる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好まし
い。
Wiring patterns 402a, 402b and 4
For example, flip chip bonding is used to connect the 02c and the active component 403a. Inner beer 4
04 is made of, for example, a thermosetting conductive material. As the inner via 404, for example, a conductive resin composition in which metal particles and a thermosetting resin are mixed can be used. As a material for the metal particles, a metal such as gold, silver, copper or nickel can be used. Gold, silver, copper, or nickel is preferable because it has high conductivity, and copper is particularly preferable because it has high conductivity and less migration. As the thermosetting resin, for example, epoxy resin,
Phenolic resins or cyanate resins can be used. Epoxy resins are particularly preferable because they have high heat resistance.

【0082】なお、図4に示した回路部品内蔵モジュー
ル400は、配線パターン402dが電気絶縁性基板4
01cに埋設されていない場合を示したが、配線パター
ン402dが電気絶縁性基板401cに埋設されていて
もよい(図6(g)参照)。
In the circuit component built-in module 400 shown in FIG. 4, the wiring pattern 402d is the electrically insulating substrate 4
Although the case where the wiring pattern 402d is not embedded in 01c is shown, the wiring pattern 402d may be embedded in the electrically insulating substrate 401c (see FIG. 6G).

【0083】また、図4には3層構造の回路部品内蔵モ
ジュール400を示したが、設計に応じた多層構造とす
ることができる(以下の実施形態において同様であ
る)。 (実施形態5)この実施形態5では、実施形態4に示し
た回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を説
明する。実施形態5で用いられる材料および回路部品
は、実施形態4で説明したものである。
Although the circuit component built-in module 400 having a three-layer structure is shown in FIG. 4, it may have a multilayer structure according to the design (the same applies to the following embodiments). (Embodiment 5) In Embodiment 5, an embodiment of a method of manufacturing the circuit component built-in module shown in Embodiment 4 will be described. The materials and circuit components used in the fifth embodiment are those described in the fourth embodiment.

【0084】図5を参照して、実施形態4に示した回路
部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。図5
(a)〜(h)は、この実施形態の回路部品内蔵モジュ
ールの製造工程を示す断面図である。
An example of a method of manufacturing the circuit component built-in module shown in the fourth embodiment will be described with reference to FIG. Figure 5
(A)-(h) is sectional drawing which shows the manufacturing process of the circuit component built-in module of this embodiment.

【0085】まず、図5(a)に示すように、無機フィ
ラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによ
って板状の混合物500を形成し、貫通孔に導電性樹脂
組成物501を充填することによって、貫通孔に導電性
樹脂組成物501が充填された板状体を形成する。この
工程は、図2(a)〜(c)で説明した工程と同様であ
るので、重複する説明は省略する。
First, as shown in FIG. 5A, a plate-shaped mixture 500 is formed by processing a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin, and the conductive resin composition 501 is formed in the through holes. By filling, a plate-like body having the through holes filled with the conductive resin composition 501 is formed. This step is the same as the step described with reference to FIGS. 2A to 2C, and a duplicate description will be omitted.

【0086】一方、離型フィルム503上に配線パター
ン506を形成し、配線パターン506上に能動部品5
04および受動部品505を実装する。この工程は、図
3(d)で説明したものと同様であり、重複する説明は
省略する。
On the other hand, the wiring pattern 506 is formed on the release film 503, and the active component 5 is formed on the wiring pattern 506.
04 and the passive component 505 are mounted. This step is the same as that described with reference to FIG. 3D, and duplicate description will be omitted.

【0087】その後、図5(b)に示すように、図5
(a)の板状体と離型フィルム503とを位置合わせし
て重ねて加圧した後、離型フィルム503を剥離するこ
とによって、配線パターン506、能動部品504およ
び受動部品505が埋設された板状体を形成する。
After that, as shown in FIG.
The plate-shaped body of (a) and the release film 503 are aligned, overlapped and pressed, and then the release film 503 is peeled off to embed the wiring pattern 506, the active component 504, and the passive component 505. Form a plate.

【0088】図5(a)および(b)の工程と平行し
て、図5(a)および(b)と同様の工程で、配線パタ
ーン506および回路部品が埋設された板状体を複数形
成する(図5(c)および(d)、図5(e)および
(f)参照)。なお、配線パターン506と回路部品
は、設計に応じて各層ごとに異なる。
In parallel with the steps of FIGS. 5A and 5B, a plurality of plate-like bodies in which the wiring patterns 506 and circuit components are embedded are formed in the same steps as those of FIGS. 5A and 5B. (See FIGS. 5C and 5D and FIGS. 5E and 5F). The wiring pattern 506 and the circuit component are different for each layer depending on the design.

【0089】その後、図5(g)に示すように、図5
(b)、(d)および(f)の板状体を位置合わせして
重ね、図5(f)の板状体の配線パターンが形成されて
いない主面上にさらに銅箔507を重ねる。
After that, as shown in FIG.
The plate-shaped bodies of (b), (d) and (f) are aligned and stacked, and a copper foil 507 is further stacked on the main surface of the plate-shaped body of FIG. 5 (f) on which the wiring pattern is not formed.

【0090】その後、図5(h)に示すように、図5
(g)で重ねた板状体および銅箔507を加圧し加熱す
ることによって多層構造を有する板状体を形成する。加
熱は、混合物500および導電性樹脂組成物501中の
熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(たとえば15
0℃〜260℃)で行い、混合物500は電気絶縁性基
板508となり、導電性樹脂組成物501はインナービ
ア509となる。この工程によって、回路部品504お
よび505、銅箔507および電気絶縁性基板508が
機械的に強固に接着する。また、インナービア509に
よって、配線パターン506および銅箔507が電気的
に接続される。その後、銅箔507を加工して配線パタ
ーン510を形成する。
After that, as shown in FIG.
The plate-shaped body and the copper foil 507 stacked in (g) are pressed and heated to form a plate-shaped body having a multilayer structure. The heating is performed at a temperature equal to or higher than the temperature at which the thermosetting resin in the mixture 500 and the conductive resin composition 501 is cured (for example, 15
(0 ° C. to 260 ° C.), the mixture 500 becomes the electrically insulating substrate 508, and the conductive resin composition 501 becomes the inner via 509. By this process, the circuit components 504 and 505, the copper foil 507, and the electrically insulating substrate 508 are mechanically firmly bonded. The inner via 509 electrically connects the wiring pattern 506 and the copper foil 507. Then, the copper foil 507 is processed to form a wiring pattern 510.

【0091】このようにして、多層構造を有する回路部
品内蔵モジュールを形成できる。上記製造方法によれ
ば、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に
製造することができる。
In this way, a circuit component built-in module having a multilayer structure can be formed. According to the above manufacturing method, a circuit component built-in module having a multilayer structure can be easily manufactured.

【0092】(実施形態6)この実施形態6では、実施
形態4で説明した回路部品内蔵モジュールの製造方法の
他の一実施形態を説明する。実施形態6で用いられる材
料および回路部品は、実施形態4で説明したものであ
る。
(Sixth Embodiment) In the sixth embodiment, another embodiment of the method for manufacturing the circuit component built-in module described in the fourth embodiment will be described. The materials and circuit components used in the sixth embodiment are those described in the fourth embodiment.

【0093】図6を参照して、この実施形態における回
路部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。図
6(a)〜(g)は、この実施形態における回路部品内
蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。
An example of a method of manufacturing the circuit component built-in module in this embodiment will be described with reference to FIG. 6A to 6G are cross-sectional views showing the manufacturing process of the circuit component built-in module in this embodiment.

【0094】まず、図6(a)に示すように、無機フィ
ラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによ
って板状の混合物600を形成し、貫通孔に導電性物質
601を充填することによって貫通孔に導電性樹脂組成
物601が充填された板状体を形成する。この工程は、
図2(a)〜(c)で説明したものと同様であり、重複
する説明は省略する。一方、離型フィルム603上に配
線パターン606を形成し、配線パターン606上に能
動部品604および受動部品605を実装する。この工
程は、図3(d)で説明したものと同様であり、重複す
る説明は省略する。
First, as shown in FIG. 6A, a plate-shaped mixture 600 is formed by processing a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin, and the through-hole is filled with the conductive substance 601. Thus, a plate-shaped body having the through holes filled with the conductive resin composition 601 is formed. This process is
It is similar to that described with reference to FIGS. 2A to 2C, and redundant description will be omitted. On the other hand, the wiring pattern 606 is formed on the release film 603, and the active component 604 and the passive component 605 are mounted on the wiring pattern 606. This step is the same as that described with reference to FIG. 3D, and duplicate description will be omitted.

【0095】その後、図6(b)に示すように、図6
(a)の板状の混合物600と離型フィルム603とを
位置合わせして重ねて加圧した後、離型フィルム603
を剥離することによって、配線パターン606、能動部
品604および受動部品605が埋設された板状体を形
成する。
After that, as shown in FIG.
After the plate-shaped mixture 600 of (a) and the release film 603 are aligned and stacked and pressed, the release film 603 is formed.
Is peeled off to form a plate-shaped body in which the wiring pattern 606, the active component 604 and the passive component 605 are embedded.

【0096】図6(a)および(b)の工程と平行し
て、図6(a)および(b)と同様の工程で、配線パタ
ーン606および回路部品が埋設された板状体を形成す
る(図6(c)および(d)参照)。なお、配線パター
ン606と回路部品は、設計に応じて各層ごとに異な
る。
In parallel with the steps of FIGS. 6A and 6B, the plate-like body in which the wiring pattern 606 and the circuit components are embedded is formed by the same steps as those of FIGS. 6A and 6B. (See FIGS. 6 (c) and (d)). The wiring pattern 606 and the circuit component are different for each layer depending on the design.

【0097】図6(a)および(b)の工程と平行し
て、図6(e)に示すように、離型フィルム603上
に、配線パターン607を形成する。その後、図6
(f)に示すように、図6(b)および(d)の板状体
を位置合わせして重ね、図6(d)の板状体の配線パタ
ーン606が形成されていない主面上に、さらに図6
(e)の離型フィルム603を配線パターン607が内
側になるように重ねる。
In parallel with the steps of FIGS. 6A and 6B, as shown in FIG. 6E, a wiring pattern 607 is formed on the release film 603. After that, FIG.
As shown in (f), the plate-shaped bodies of FIGS. 6 (b) and 6 (d) are aligned and overlapped, and the plate-shaped bodies of FIG. 6 (d) are placed on the main surface on which the wiring pattern 606 is not formed. , And further in FIG.
The release film 603 of (e) is overlaid so that the wiring pattern 607 is inside.

【0098】その後、図6(g)に示すように、図6
(f)で重ねた板状体および離型フィルム603を加圧
し加熱することによって、多層構造を有する板状体を形
成する。加熱は、混合物600および導電性樹脂組成物
601中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(た
とえば150℃〜260℃)で行い、混合物600は電
気絶縁性基板608となり、導電性樹脂組成物601は
インナービア609となる。この工程によって、能動部
品604、受動部品605、配線パターン606および
607、および電気絶縁性基板608が機械的に強固に
接着する。また、インナービア609によって、配線パ
ターン606および607が電気的に接続される。
After that, as shown in FIG.
By pressing and heating the plate-shaped body and the release film 603 stacked in (f), a plate-shaped body having a multilayer structure is formed. The heating is performed at a temperature equal to or higher than the temperature at which the thermosetting resin in the mixture 600 and the conductive resin composition 601 is cured (for example, 150 ° C. to 260 ° C.), the mixture 600 becomes the electrically insulating substrate 608, and the conductive resin composition is formed. The object 601 becomes the inner via 609. By this step, the active component 604, the passive component 605, the wiring patterns 606 and 607, and the electrically insulating substrate 608 are mechanically firmly bonded. In addition, the inner vias 609 electrically connect the wiring patterns 606 and 607.

【0099】その後、多層構造を有する板状体から離型
フィルム603を剥離することによって、多層構造を有
する回路部品内蔵モジュールを形成できる。このように
して、上記製造方法によれば、多層構造を有する回路部
品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
After that, the release film 603 is peeled off from the plate-like body having a multi-layered structure to form a circuit component built-in module having a multi-layered structure. In this way, according to the above manufacturing method, it is possible to easily manufacture a circuit component built-in module having a multilayer structure.

【0100】[0100]

【実施例】以下に、本発明の具体的な実施例を説明す
る。 (実施例1)本発明の回路部品内蔵モジュールの作製に
際し、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物から
なる電気絶縁性基板の作製方法の一例について説明す
る。
EXAMPLES Specific examples of the present invention will be described below. (Example 1) An example of a method for producing an electrically insulating substrate made of a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin in producing the circuit component built-in module of the present invention will be described.

【0101】本実施例では、表1に示す配合組成で電気
絶縁性基板を作製した。なお、比較例を試料番号1に示
す。
In this example, an electrically insulating substrate having the composition shown in Table 1 was prepared. A comparative example is shown in Sample No. 1.

【0102】[0102]

【表1】 [Table 1]

【0103】この実施例では、液状エポキシ樹脂には、
日本ペルノックス(株)製のエポキシ樹脂(WE−20
25、酸無水系硬化剤含む)を用いた。フェノール樹脂
には、大日本インキ(株)製のフェノール樹脂(フェノ
ライト、VH4150)を用いた。シアネート樹脂に
は、旭チバ(株)製のシアネート樹脂(AroCy、M
−30)を用いた。この実施例では、添加物としてカー
ボンブラックまたは分散剤を加えた。
In this embodiment, the liquid epoxy resin contains
Epoxy resin (WE-20 manufactured by Nippon Pernox Co., Ltd.)
25, including an acid anhydride curing agent) was used. A phenol resin (Phenolite, VH4150) manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. was used as the phenol resin. The cyanate resin is a cyanate resin (AroCy, M, manufactured by Asahi Ciba Co., Ltd.).
-30) was used. In this example, carbon black or a dispersant was added as an additive.

【0104】板状体の作製は、まず、表1の組成で混合
されたペースト状の混合物を、所定量だけ離型フィルム
上に滴下する。ペースト状の混合物は、無機フィラーと
液状の熱硬化性樹脂とを攪拌混合機によって10分程度
混合して作製した。使用した攪拌混合機は、所定の容量
の容器に無機フィラーと液状の熱硬化性樹脂とを投入
し、容器自身を回転させながら公転させるもので、混合
物の粘度が比較的高くても充分な分散状態が得られる。
離型フィルムには厚み75μmのポリエチレンテレフタ
レートフィルムを用い、フィルム表面にシリコンによる
離型処理を施した。
To prepare the plate-like body, first, a predetermined amount of the paste-like mixture mixed with the composition shown in Table 1 is dropped on the release film. The pasty mixture was prepared by mixing the inorganic filler and the liquid thermosetting resin for about 10 minutes with a stir mixer. The stirring mixer used is one in which an inorganic filler and a liquid thermosetting resin are put into a container having a predetermined volume and revolved while rotating the container itself. Even if the viscosity of the mixture is relatively high, sufficient dispersion is achieved. The state is obtained.
A 75 μm-thick polyethylene terephthalate film was used as the release film, and the film surface was subjected to a release treatment with silicon.

【0105】次に、離型フィルム上のペースト状の混合
物にさらに離型フィルムを重ね、加圧プレスで厚さ50
0μmになるようにプレスして、板状の混合物を得た。
次に、離型フィルムで挟まれた板状の混合物を離型フィ
ルムごと加熱し、板状の混合物の粘着性が無くなる条件
下で熱処理した。熱処理は、120℃の温度で15分間
保持である。この熱処理によって、板状の混合物の粘着
性が失われるため、離型フィルムの剥離が容易になる。
この実施例で用いた液状エポキシ樹脂は、硬化温度が1
30℃であるため、この熱処理条件下では、未硬化状態
(Bステージ)である。
Next, the release film is further stacked on the paste-like mixture on the release film, and the thickness of the release film is 50 by a pressure press.
It pressed so that it might become 0 micrometer, and obtained the plate-shaped mixture.
Next, the plate-shaped mixture sandwiched between the release films was heated together with the release film, and heat-treated under the condition that the plate-shaped mixture had no tackiness. The heat treatment is holding at a temperature of 120 ° C. for 15 minutes. By this heat treatment, the tackiness of the plate-shaped mixture is lost, so that the release film is easily peeled off.
The liquid epoxy resin used in this example has a curing temperature of 1
Since it is 30 ° C., it is in an uncured state (B stage) under this heat treatment condition.

【0106】次に、板状の混合物から離型フィルムを剥
離し、板状の混合物を耐熱性離型フィルム(PPS:ポ
リフェニレンサルファイト、厚さ75μm)で挟んで、
50kg/cm2の圧力で加圧しながら170℃の温度
で加熱することによって板状の混合物を硬化させた。
Next, the release film was peeled off from the plate-like mixture, and the plate-like mixture was sandwiched between heat-resistant release films (PPS: polyphenylene sulfite, thickness: 75 μm),
The plate-like mixture was cured by heating at a temperature of 170 ° C. while applying a pressure of 50 kg / cm 2 .

【0107】次に、硬化した板状の混合物から耐熱性離
型フィルムを剥離することによって、電気絶縁性基板を
得た。この電気絶縁性基板を所定の寸法に加工して、熱
伝導度、線膨張係数などを測定した。熱伝導度は、10
mm角に切断した試料の表面を加熱ヒータに接触させて
加熱し、反対面の温度上昇から計算で求めた。線膨張係
数は、室温から140℃まで温度上昇させた場合の電気
絶縁性基板の寸法変化を測定し、その寸法変化の平均値
から求めた。絶縁耐圧は、電気絶縁性基板の厚み方向に
AC電圧を印加した場合の絶縁耐圧を求め、単位厚み当
たりの絶縁耐圧を計算した。
Next, the heat resistant release film was peeled off from the cured plate-like mixture to obtain an electrically insulating substrate. This electrically insulating substrate was processed into a predetermined size, and the thermal conductivity, linear expansion coefficient and the like were measured. Thermal conductivity is 10
The surface of the sample cut into mm squares was heated by bringing it into contact with a heater, and was calculated from the temperature rise on the opposite surface. The linear expansion coefficient was obtained by measuring the dimensional change of the electrically insulating substrate when the temperature was raised from room temperature to 140 ° C., and averaging the dimensional change. As for the dielectric strength, the dielectric strength when an AC voltage was applied in the thickness direction of the electrically insulating substrate was obtained, and the dielectric strength per unit thickness was calculated.

【0108】表1に示すように、上記の方法で作製され
た電気絶縁性基板は、無機フィラーとしてAl23を用
いた場合には、従来のガラス−エポキシ基板(熱伝導度
0.2w/mK〜0.3w/mK)に比べて熱伝導度が
約10倍以上となった。Al 23の量を85重量%以上
とすることによって、熱伝導度を2.8w/mK以上と
することができた。Al23はコストが安いという利点
もある。
As shown in Table 1, prepared by the above method.
The electrically insulating substrate is made of Al as an inorganic filler.2O3For
Conventional glass-epoxy substrate (thermal conductivity
0.2w / mK ~ 0.3w / mK)
It became about 10 times or more. Al 2O385% by weight or more
By setting the thermal conductivity to 2.8 w / mK or more
We were able to. Al2O3Has the advantage of low cost
There is also.

【0109】また、無機フィラーとしてAlN、MgO
を用いた場合では、Al23を用いた場合と同等以上の
熱伝導度が得られた。また、無機フィラーとして非晶質
SiO2を用いた場合では、線膨張係数がシリコン半導
体(線膨張係数3×10-6/℃)により近くなった。し
たがって、無機フィラーとして非晶質SiO2を用いた
電気絶縁性基板は、半導体を直接実装するフリップチッ
プ用基板として好ましい。
AlN and MgO are used as the inorganic filler.
In the case of using, the thermal conductivity equal to or higher than that in the case of using Al 2 O 3 was obtained. Moreover, when amorphous SiO 2 was used as the inorganic filler, the linear expansion coefficient was closer to that of a silicon semiconductor (linear expansion coefficient 3 × 10 −6 / ° C.). Therefore, an electrically insulating substrate using amorphous SiO 2 as an inorganic filler is preferable as a flip chip substrate on which a semiconductor is directly mounted.

【0110】また、無機フィラーとしてSiO2を用い
た場合には、誘電率が低い電気絶縁性基板が得られた。
SiO2は比重が軽いという利点もある。無機フィラー
としてSiO2を用いた回路部品内蔵モジュールは、携
帯電話などの高周波用モジュールとして好ましい。
When SiO 2 was used as the inorganic filler, an electrically insulating substrate having a low dielectric constant was obtained.
SiO 2 also has the advantage of having a low specific gravity. A circuit component built-in module using SiO 2 as an inorganic filler is preferable as a high frequency module such as a mobile phone.

【0111】また、無機フィラーとしてBNを用いた場
合には、熱伝導度が高く線膨張係数が低い電気絶縁性基
板が得られた。表1の比較例(試料番号1)に示すよう
に、無機フィラーとして60重量%のAl23を用いた
場合を除いて、電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、10kV
/mm以上であった。電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、電
気絶縁性基板の材料である無機フィラーと熱硬化性樹脂
との接着性の指標となる。すなわち、無機フィラーと熱
硬化性樹脂との接着性が悪いと、その間に微小な隙間が
生じて絶縁耐圧が低下する。このような微小な隙間は回
路部品内蔵モジュールの信頼性低下を招く。一般に、絶
縁耐圧が10kV/mm以上であれば無機フィラーと熱
硬化性樹脂との接着性が良好であると判断できる。した
がって、無機フィラーの量は70重量%以上であること
が好ましい。
Further, when BN was used as the inorganic filler, an electrically insulating substrate having a high thermal conductivity and a low linear expansion coefficient was obtained. As shown in the comparative example (Sample No. 1) in Table 1, the withstand voltage of the electrically insulating substrate was 10 kV, except when 60 wt% of Al 2 O 3 was used as the inorganic filler.
/ Mm or more. The withstand voltage of the electrically insulating substrate is an index of the adhesiveness between the inorganic filler, which is a material of the electrically insulating substrate, and the thermosetting resin. That is, if the adhesiveness between the inorganic filler and the thermosetting resin is poor, a minute gap is generated between them and the dielectric strength voltage is lowered. Such a minute gap causes a decrease in reliability of the circuit component built-in module. Generally, if the withstand voltage is 10 kV / mm or more, it can be judged that the adhesiveness between the inorganic filler and the thermosetting resin is good. Therefore, the amount of the inorganic filler is preferably 70% by weight or more.

【0112】なお、熱硬化性樹脂の含有量が低いと電気
絶縁性基板の強度が低下するため、熱硬化性樹脂は4.
8重量%以上であることが好ましい。 (実施例2)実施例2は、実施形態2で説明した方法で
回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
When the content of the thermosetting resin is low, the strength of the electrically insulating substrate is lowered.
It is preferably 8% by weight or more. (Example 2) Example 2 is an example in which a circuit component built-in module is manufactured by the method described in the second embodiment.

【0113】本実施例に使用した電気絶縁性基板の組成
は、Al23(昭和電工(株)製AS−40、球状、平
均粒子径12μm)が90重量%、液状エポキシ樹脂
(日本レック(株)製、EF−450)が9.5重量
%、カーボンブラック(東洋カーボン(株)製)が0.
2重量%、カップリング剤(味の素(株)製、チタネー
ト系、46B)が0.3重量%である。
The composition of the electrically insulating substrate used in this example was 90% by weight of Al 2 O 3 (AS-40 manufactured by Showa Denko KK, spherical, average particle diameter 12 μm), liquid epoxy resin (Nippon Rec EF-450 manufactured by KK is 9.5% by weight, and carbon black (manufactured by Toyo Carbon Co., Ltd.) is 0.9% by weight.
2% by weight, and 0.3% by weight of a coupling agent (manufactured by Ajinomoto Co., Inc., titanate type, 46B).

【0114】上記材料を実施例1と同様の条件で処理す
ることによって、板状体(厚み500μm)を作製し
た。上記板状体を所定の大きさに切断し、炭酸ガスレー
ザを用いてインナービアホール接続をするための貫通孔
(直径0.15mm)を形成した(図2(b)参照)。
A plate-like body (thickness: 500 μm) was produced by treating the above material under the same conditions as in Example 1. The plate-like body was cut into a predetermined size, and a through hole (diameter 0.15 mm) for connecting an inner via hole was formed using a carbon dioxide laser (see FIG. 2B).

【0115】この貫通孔に、導電性樹脂組成物をスクリ
ーン印刷法によって充填した(図2(c)参照)。導電
性樹脂組成物は、球状の銅粒子85重量%と、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ製、エピ
コート828)3重量%と、グルシジルエステル系エポ
キシ樹脂(東都化成製、YD−171)9重量%と、ア
ミンアダクト硬化剤(味の素製、MY−24)3重量%
とを混練して作製した。
The through hole was filled with a conductive resin composition by a screen printing method (see FIG. 2 (c)). The conductive resin composition comprises spherical copper particles of 85% by weight, bisphenol A type epoxy resin (made by Yuka Shell Epoxy, Epicoat 828) 3% by weight, and glycidyl ester-based epoxy resin (made by Toto Kasei, YD-171). ) 9% by weight and 3% by weight of amine adduct curing agent (manufactured by Ajinomoto, MY-24)
It was prepared by kneading and.

【0116】次に、厚さ35μmの銅箔の片面を粗化
し、粗化した面に導電性接着剤を用いて半導体素子をフ
リップチップボンディングした(図2(d)参照)。次
に、半導体素子を実装した銅箔と、導電性樹脂組成物を
充填した板状体と、別途作製した銅箔(片面を粗化処理
した銅箔で厚さ35μm)とを位置合わせして重ねた
(図2(f)参照)。この時、銅箔の粗化面は、板状体
側になるように重ねた。
Next, one surface of a copper foil having a thickness of 35 μm was roughened, and a semiconductor element was flip-chip bonded to the roughened surface using a conductive adhesive (see FIG. 2D). Next, the copper foil on which the semiconductor element is mounted, the plate-like body filled with the conductive resin composition, and the separately prepared copper foil (copper foil having one surface roughened to a thickness of 35 μm) are aligned with each other. They were overlaid (see FIG. 2 (f)). At this time, the roughened surface of the copper foil was laminated so that it was on the plate-shaped body side.

【0117】次に、これを熱プレス機によってプレス温
度120℃、圧力10kg/cm2で5分間加熱加圧し
た。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中
の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子が板状体中
に容易に埋没した。
Next, this was heated and pressed by a hot press machine at a press temperature of 120 ° C. and a pressure of 10 kg / cm 2 for 5 minutes. By heating at a temperature lower than the curing temperature, the thermosetting resin in the plate-shaped body was softened, so that the semiconductor element was easily embedded in the plate-shaped body.

【0118】次に、加熱温度を上昇させて175℃で6
0分間加熱した(図2(g)参照)。この加熱によっ
て、板状体中のエポキシ樹脂および導電性樹脂組成物中
のエポキシ樹脂が硬化し、半導体素子および銅箔と板状
体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によ
って、導電性樹脂組成物と銅箔とが電気的(インナービ
ア接続)、機械的に接続された。
Next, the heating temperature is raised to 6 at 175.degree.
It was heated for 0 minutes (see FIG. 2 (g)). By this heating, the epoxy resin in the plate-shaped body and the epoxy resin in the conductive resin composition were cured, and the semiconductor element and the copper foil were mechanically and firmly connected to the plate-shaped body. In addition, the conductive resin composition and the copper foil were electrically (inner via connection) and mechanically connected by this heating.

【0119】次に、半導体素子が埋設された板状体の表
面の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によ
ってエッチングし、配線パターンを形成した(図2
(h)参照)。このようにして、回路部品内蔵モジュー
ルを作成した。
Next, the copper foil on the surface of the plate-like body in which the semiconductor elements were embedded was etched by a photolithography process and an etching process to form a wiring pattern (FIG. 2).
(See (h)). In this way, a circuit component built-in module was created.

【0120】本実施例によって作製された回路部品内蔵
モジュールの信頼性を評価するため、半田リフロー試験
および温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験
は、ベルト式リフロー試験機を用い、最高温度が260
℃で10秒のサイクルを10回繰り返すことで行った。
温度サイクル試験は、125℃で30分間保持した後、
−60℃の温度で30分間保持する工程を200サイク
ル繰り返すことによって行った。
To evaluate the reliability of the circuit component built-in module manufactured according to this example, a solder reflow test and a temperature cycle test were conducted. The solder reflow test uses a belt type reflow tester and the maximum temperature is 260
It was carried out by repeating a cycle of 10 seconds at 10 ° C. 10 times.
In the temperature cycle test, after holding at 125 ° C. for 30 minutes,
The process of maintaining the temperature at -60 ° C for 30 minutes was repeated 200 cycles.

【0121】半田リフロー試験および温度サイクル試験
のいずれにおいても、本実施例の回路部品内蔵モジュー
ルにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても
特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素
子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわ
かる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続
の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
In both the solder reflow test and the temperature cycle test, no crack was generated in the circuit component built-in module of this example, and no particular abnormality was recognized even when the ultrasonic flaw detector was used. From this test, it is found that the semiconductor element and the electrically insulating substrate are firmly bonded to each other. Further, the resistance value of the inner via connection made of the conductive resin composition also hardly changed before and after the start of the test.

【0122】(実施例3)実施例3は、実施形態3で説
明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例で
ある。
Example 3 Example 3 is an example of manufacturing a circuit component built-in module by the method described in the third embodiment.

【0123】まず、実施例2と同様の方法で、貫通孔に
導電性樹脂組成物が充填された板状体(厚さ500μ
m)を作製した(図3(c)参照)。次に、離型フィル
ム(ポリフェニレンサルファイト製、厚さ150μm)
に、厚さ35μmの銅箔を接着剤によって接着した。こ
の銅箔は、片面が粗化処理されており、光沢面が接着剤
側になるように接着した。
First, in the same manner as in Example 2, a plate-like body (thickness: 500 μm) having through holes filled with a conductive resin composition was prepared.
m) was produced (see FIG. 3 (c)). Next, release film (made of polyphenylene sulfite, thickness 150 μm)
Then, a copper foil having a thickness of 35 μm was adhered thereto with an adhesive. This copper foil was roughened on one side and was bonded so that the glossy side was on the adhesive side.

【0124】次に、離型フィルム上の銅箔を、フォトリ
ソ工程およびエッチング工程によってエッチングして、
配線パターンを形成した。さらにこの配線パターン上
に、半田バンプを用いて半導体素子をフリップチップボ
ンディングした(図3(d)参照)。
Next, the copper foil on the release film is etched by a photolithography process and an etching process,
A wiring pattern was formed. Further, a semiconductor element was flip-chip bonded onto this wiring pattern using solder bumps (see FIG. 3D).

【0125】次に、配線パターンに実装した半導体素子
と配線パターンとの隙間に封止樹脂を注入した。具体的
には、70℃に加熱したホットプレートを傾け、そのホ
ットプレート上に、半導体素子を実装した配線パターン
を有する離型フィルムを設置した後、半導体素子と配線
パターンとの間に注射器で徐々に封止樹脂を注入した。
10秒程度で半導体素子と配線パターンとの間に封止樹
脂を注入できた。ホットプレートで加熱するのは、封止
樹脂の粘度を下げて短時間に注入できるようにするため
である。また、ホットプレートを傾けるのは注入を容易
にするためである。封止樹脂には、テクノアルファー
(株)製EL18Bを用いた。EL18Bは、一液性の
エポキシ樹脂にSiO2粉末を混入した樹脂である。
Next, a sealing resin was injected into the gap between the semiconductor element mounted on the wiring pattern and the wiring pattern. Specifically, a hot plate heated to 70 ° C. is tilted, a release film having a wiring pattern on which a semiconductor element is mounted is placed on the hot plate, and then a syringe is gradually provided between the semiconductor element and the wiring pattern. The sealing resin was injected into.
The sealing resin could be injected between the semiconductor element and the wiring pattern in about 10 seconds. The heating with the hot plate is for lowering the viscosity of the sealing resin so that the sealing resin can be injected in a short time. Also, the tilting of the hot plate is to facilitate injection. EL18B manufactured by Techno Alpha Co., Ltd. was used as the sealing resin. EL18B is a one-component epoxy resin mixed with SiO 2 powder.

【0126】一方、上記工程と平行して、上記工程と同
様に、片面に配線パターンが形成された離型フィルム
(ポリフェニレンサルファイト製、厚さ150μm)を
作製した(図3(e)参照)。
On the other hand, in parallel with the above steps, a release film (manufactured by polyphenylene sulphite, thickness 150 μm) having a wiring pattern formed on one surface was produced in the same manner as in the above steps (see FIG. 3E). .

【0127】次に、半導体素子をボンディングした離型
フィルムと、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板
状体と、片面に配線パターンが形成された離型フィルム
とを、位置合わせして重ねた(図3(f)参照)。
Next, the release film having the semiconductor element bonded thereto, the plate-like body having the through holes filled with the conductive resin composition, and the release film having the wiring pattern formed on one surface thereof are aligned with each other. Were stacked (see FIG. 3 (f)).

【0128】次に、これを熱プレス機によってプレス温
度120℃、圧力10kg/cm2で5分間加熱加圧し
た。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中
の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子および配線
パターンが板状体中に容易に埋没した。
Next, this was heated and pressed by a hot press machine at a press temperature of 120 ° C. and a pressure of 10 kg / cm 2 for 5 minutes. The heating at a temperature lower than the curing temperature softens the thermosetting resin in the plate, so that the semiconductor element and the wiring pattern were easily buried in the plate.

【0129】次に、加熱温度を上昇させて175℃で6
0分間加熱した(図3(g)参照)。この加熱によっ
て、板状体および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が
硬化するため、半導体素子および配線パターンと板状体
とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によっ
て、導電性樹脂組成物と配線パターンとが電気的(イン
ナービア接続)、機械的に接続された。さらに、この加
熱によって、半導体素子と配線パターンとの間に注入さ
れた封止樹脂も硬化した。
Next, the heating temperature is raised to 6 at 175.degree.
It was heated for 0 minutes (see FIG. 3 (g)). This heating cures the plate-shaped body and the epoxy resin in the conductive resin composition, so that the semiconductor element and the wiring pattern and the plate-shaped body are mechanically and firmly connected. Further, by this heating, the conductive resin composition and the wiring pattern were electrically (inner via connection) and mechanically connected. Further, due to this heating, the sealing resin injected between the semiconductor element and the wiring pattern was also cured.

【0130】次に、板状体から離型フィルムを剥離した
(図3(h)参照)。ポリフェニレンサルファイト製の
離型フィルムは、上記加熱温度以上の耐熱性がある。ま
た、銅箔の粗化された面は板状体およびインナービアと
接着し、銅箔の光沢面は離型フィルムと接着している。
したがって、板状体およびインナービアと銅箔との接着
強度は、離型フィルムと銅箔との接着強度よりも大きい
ため、離型フィルムだけを剥離することができる。この
ようにして、回路部品内蔵モジュールを作成した。
Next, the release film was peeled from the plate-like body (see FIG. 3 (h)). The release film made of polyphenylene sulfite has heat resistance at the heating temperature or higher. Further, the roughened surface of the copper foil is bonded to the plate-shaped body and the inner via, and the glossy surface of the copper foil is bonded to the release film.
Therefore, since the adhesive strength between the plate-shaped body and the inner via and the copper foil is larger than the adhesive strength between the release film and the copper foil, only the release film can be peeled off. In this way, a circuit component built-in module was created.

【0131】実施例3によって作製された回路部品内蔵
モジュールの信頼性を評価するため、実施例2と同様の
条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行
った。
To evaluate the reliability of the circuit component built-in module manufactured in Example 3, a solder reflow test and a temperature cycle test were conducted under the same conditions as in Example 2.

【0132】半田リフロー試験および温度サイクル試験
のいずれにおいても、実施例3の回路部品内蔵モジュー
ルにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても
特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素
子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわ
かる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続
の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
In both the solder reflow test and the temperature cycle test, no crack was generated in the circuit component built-in module of Example 3, and no particular abnormality was recognized even when the ultrasonic flaw detector was used. From this test, it is found that the semiconductor element and the electrically insulating substrate are firmly bonded to each other. Further, the resistance value of the inner via connection made of the conductive resin composition also hardly changed before and after the start of the test.

【0133】(実施例4)この実施例4は、実施形態5
で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュ
ールを作製した一例である。
Example 4 This example 4 is the same as the fifth embodiment.
It is an example of manufacturing a circuit component built-in module having a multi-layer structure by the method described in 1.

【0134】この実施例4では、回路部品として、半導
体素子とチップ部品とを用いた。まず、実施例2と同様
の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状
体を形成した。
In Example 4, semiconductor elements and chip parts were used as circuit parts. First, in the same manner as in Example 2, a plate-shaped body having through holes filled with a conductive resin composition was formed.

【0135】次に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填さ
れた板状体と、回路部品がフリップチップボンディング
された配線パターンを備える離型フィルム(ポリフェニ
レンサルファイト製)とを、位置合わせして重ねた(図
5(a)参照)。
Next, the plate-like body having the through-hole filled with the conductive resin composition and the release film (made of polyphenylene sulfite) having the wiring pattern in which the circuit component is flip-chip bonded are aligned with each other. And overlapped (see FIG. 5 (a)).

【0136】次に、これを熱プレス機によって、プレス
温度120℃、圧力10kg/cm 2で5分間加熱加圧
した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体
中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中
に容易に埋没した。そして、離型フィルムを板状体から
剥離することによって回路部品が埋設された板状体を形
成した(図5(b)参照)。
Next, this was pressed by a hot press machine.
Temperature 120 ℃, Pressure 10kg / cm 2Heat and press for 5 minutes
did. By heating at a temperature lower than the curing temperature, plate
Since the thermosetting resin inside is softened, the circuit components are
Easily buried in. Then, release film from the plate
By peeling it off, a plate-shaped body with circuit components embedded is formed.
(See FIG. 5 (b)).

【0137】この板状体を複数個作製し、複数個の板状
体と銅箔とを位置合わせして重ねた(図5(g)参
照)。次に、これを熱プレス機によって、プレス温度1
75℃、圧力50kg/cm 2で60分間加熱加圧し
た。この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設された
複数の板状体と銅箔とが一体となって、一つの板状体が
形成された。この加熱加圧処理によって、板状体および
導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品
および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続さ
れた。また、この加熱加圧処理によって、銅箔および配
線パターンと導電性樹脂組成物とが電気的(インナービ
ア接続)、機械的に接続された。
A plurality of plate-like bodies were produced to obtain a plurality of plate-like bodies.
The body and copper foil are aligned and stacked (see Figure 5 (g)).
See). Next, this is pressed at a press temperature of 1 by a hot press machine.
75 ° C, pressure 50 kg / cm 2Heat and press for 60 minutes at
It was By this heat and pressure treatment, the circuit components were buried.
Multiple plates and copper foil are integrated into one plate
Been formed. By this heat and pressure treatment,
The epoxy resin in the conductive resin composition hardens, and circuit parts
And the wiring pattern and the plate-like body are mechanically and firmly connected.
It was In addition, this heat and pressure treatment causes the copper foil and
The line pattern and the conductive resin composition are electrically
A)), mechanically connected.

【0138】次に、回路部品が埋設された板状体の表面
の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によっ
てエッチングすることによって、配線パターンを形成し
た(図5(h)参照)。このようにして、多層構造を有
する回路部品内蔵モジュールを作製した。
Next, a wiring pattern was formed by etching the copper foil on the surface of the plate-like body in which the circuit components were embedded by a photolithography process and an etching process (see FIG. 5 (h)). In this way, a circuit component built-in module having a multilayer structure was produced.

【0139】実施例4によって作製された回路部品内蔵
モジュールの信頼性を評価するため、実施例2と同様の
条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行
った。
In order to evaluate the reliability of the circuit component built-in module manufactured in Example 4, a solder reflow test and a temperature cycle test were performed under the same conditions as in Example 2.

【0140】半田リフロー試験および温度サイクル試験
のいずれにおいても、実施例4の回路部品内蔵モジュー
ルにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても
特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素
子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわ
かる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続
の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
In both the solder reflow test and the temperature cycle test, no crack was generated in the circuit component built-in module of Example 4, and no particular abnormality was recognized even when the ultrasonic flaw detector was used. From this test, it is found that the semiconductor element and the electrically insulating substrate are firmly bonded to each other. Further, the resistance value of the inner via connection made of the conductive resin composition also hardly changed before and after the start of the test.

【0141】(実施例5)この実施例5は、実施形態6
で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュ
ールを作製した一例である。
Example 5 This example 5 is the same as the sixth embodiment.
It is an example of manufacturing a circuit component built-in module having a multi-layer structure by the method described in 1.

【0142】まず、実施例2と同様の方法で、貫通孔に
導電性樹脂組成物が充填された板状体を形成した。次
に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、
回路部品がフリップチップボンディングされた配線パタ
ーンを備える離型フィルム(ポリフェニレンサルファイ
ト製)とを、位置合わせして重ねた(図6(a)参
照)。
First, in the same manner as in Example 2, a plate-like body having through holes filled with a conductive resin composition was formed. Next, a plate-like body having a through hole filled with a conductive resin composition,
A release film (made of polyphenylene sulphite) having a wiring pattern in which circuit components were flip-chip bonded was aligned and overlapped (see FIG. 6 (a)).

【0143】次に、これを熱プレス機によって、プレス
温度120℃、圧力10kg/cm 2で5分間加熱加圧
した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体
中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中
に容易に埋没した。そして、離型フィルムを板状体から
剥離することによって板状体を形成した(図6(b)参
照)。同様に、回路部品が埋設された板状体を形成した
(図6(d)参照)。
Next, this was pressed by a hot press machine.
Temperature 120 ℃, Pressure 10kg / cm 2Heat and press for 5 minutes
did. By heating at a temperature lower than the curing temperature, plate
Since the thermosetting resin inside is softened, the circuit components are
Easily buried in. Then, release film from the plate
A plate-like body was formed by peeling (see Fig. 6 (b)).
See). Similarly, a plate-like body in which circuit components were embedded was formed.
(See FIG. 6 (d)).

【0144】次に、離型フィルム(ポリフェニレンサル
ファイト製)の片面に配線パターンを形成した(図6
(e)参照)。次に、回路部品が埋設された2個の板状
体と、配線パターンが形成された離型フィルムとを位置
合わせして重ねた(図6(f)参照)。
Next, a wiring pattern was formed on one surface of the release film (made of polyphenylene sulfite) (FIG. 6).
(See (e)). Next, the two plate-shaped bodies in which the circuit components were embedded and the release film on which the wiring pattern was formed were aligned and overlapped (see FIG. 6 (f)).

【0145】次に、これを熱プレス機によって、プレス
温度175℃、圧力50kg/cm 2で60分間加熱加
圧した。この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設さ
れた複数の板状体と離型フィルムとが一体となって、一
つの板状体が形成された。この加熱加圧処理によって、
板状体中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品および配線
パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。ま
た、この加熱加圧処理によって導電性樹脂組成物中のエ
ポキシ樹脂が硬化し、配線パターンと導電性樹脂組成物
とが電気的(インナービア接続)、機械的に接続され
た。
Next, this was pressed by a hot press machine.
Temperature 175 ° C, pressure 50kg / cm 2Heat for 60 minutes
Pressed. By this heat and pressure treatment, the circuit components are buried.
The plurality of plate-shaped bodies and the release film are
Two plates were formed. By this heat and pressure treatment,
The epoxy resin in the plate is cured, and circuit parts and wiring
The pattern and the plate-like body were mechanically and firmly connected. Well
In addition, the heat and pressure treatment causes the energy in the conductive resin composition to
Wiring pattern and conductive resin composition
And are connected electrically (inner via connection) and mechanically
It was

【0146】次に、一体となった板状体から離型フィル
ムを剥離することによって、多層構造を有する回路部品
内蔵モジュールを作製した(図6(g)参照)。実施例
5によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性
を評価するため、実施例2と同様の条件で、半田リフロ
ー試験および温度サイクル試験を行った。
Next, the release film was peeled off from the integrated plate-like body to manufacture a circuit component built-in module having a multilayer structure (see FIG. 6 (g)). In order to evaluate the reliability of the circuit component built-in module manufactured in Example 5, a solder reflow test and a temperature cycle test were performed under the same conditions as in Example 2.

【0147】半田リフロー試験および温度サイクル試験
のいずれにおいても、実施例5の回路部品内蔵モジュー
ルにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても
特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素
子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわ
かる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続
の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
In both the solder reflow test and the temperature cycle test, no crack was generated in the circuit component built-in module of Example 5, and no particular abnormality was recognized even when the ultrasonic flaw detector was used. From this test, it is found that the semiconductor element and the electrically insulating substrate are firmly bonded to each other. Further, the resistance value of the inner via connection made of the conductive resin composition also hardly changed before and after the start of the test.

【0148】[0148]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の回路部品
内蔵モジュールでは、無機フィラーと熱硬化性樹脂との
混合物からなる電気絶縁性基板を用いているため、放熱
性が高い回路部品内蔵モジュールが得られる。
As described above, in the circuit component built-in module of the present invention, since the electrically insulating substrate made of the mixture of the inorganic filler and the thermosetting resin is used, the heat radiation is prevented.
It is possible to obtain a module with a built-in circuit component that is highly effective .

【0149】また、本発明の回路部品内蔵モジュールで
は、多層構造とすることによって、さらに高密度に回路
部品が実装することができる。さらに、本発明の回路部
品内蔵モジュールでは、無機フィラーを選択することに
よって、電気絶縁性基板の熱伝導度、線膨張係数、誘電
率などを制御することが可能である。したがって、本発
明の回路部品内蔵モジュールでは、電気絶縁性基板の線
膨張係数を半導体素子とほぼ同じにすることが可能であ
るため、半導体素子を内蔵した回路部品内蔵モジュール
として好ましい。また、電気絶縁性基板の熱伝導度を向
上させることができるため、放熱を必要とする半導体素
子などを内蔵した回路部品内蔵モジュールとして好まし
い。さらに、電気絶縁性基板の誘電率を低くすることも
できるため、高周波回路用の回路部品内蔵モジュールと
して好ましい。
The circuit component built-in module of the present invention has a multi-layer structure, so that the circuit components can be mounted at a higher density. Further, in the circuit component built-in module of the present invention, it is possible to control the thermal conductivity, linear expansion coefficient, dielectric constant, etc. of the electrically insulating substrate by selecting the inorganic filler. Therefore, in the circuit component built-in module of the present invention, the linear expansion coefficient of the electrically insulating substrate can be made substantially the same as that of the semiconductor element, and thus it is preferable as the circuit component built-in module having the semiconductor element built therein. Further, since the thermal conductivity of the electrically insulating substrate can be improved, it is preferable as a circuit component built-in module having a built-in semiconductor element or the like that requires heat dissipation. Further, since the dielectric constant of the electrically insulating substrate can be lowered, it is preferable as a circuit component built-in module for a high frequency circuit.

【0150】本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方
法では、上記回路部品内蔵モジュールを容易に製造する
ことができる。また、本発明の回路部品内蔵モジュール
の製造方法では、配線パターンを形成した離型フィルム
を用いることによって、配線パターンを電気絶縁性基板
に埋設することができるため、表面が平滑な回路部品内
蔵モジュールが得られる。したがって、表面の配線パタ
ーンにさらに回路部品を実装する場合に、高密度で回路
部品を実装することができる。
According to the method of manufacturing a circuit component built-in module of the present invention, the circuit component built-in module can be easily manufactured. Further, in the method for manufacturing a circuit component built-in module of the present invention, since the wiring pattern can be embedded in the electrically insulating substrate by using the release film having the wiring pattern formed, the circuit component built-in module having a smooth surface Is obtained. Therefore, when the circuit component is further mounted on the surface wiring pattern, the circuit component can be mounted with high density.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の回路部品内蔵モジュールの一実施形
態を示す斜視断面図である。
FIG. 1 is a perspective sectional view showing an embodiment of a circuit component built-in module of the present invention.

【図2】 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法
の一実施形態を示す工程図である。
FIG. 2 is a process drawing showing an embodiment of a method for manufacturing a circuit component built-in module of the present invention.

【図3】 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法
の他の一実施形態を示す工程図である。
FIG. 3 is a process drawing showing another embodiment of the method of manufacturing a circuit component built-in module of the present invention.

【図4】 本発明の回路部品内蔵モジュールの他の一実
施形態を示す斜視断面図である。
FIG. 4 is a perspective sectional view showing another embodiment of the circuit component built-in module of the present invention.

【図5】 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法
の他の一実施形態を示す工程図である。
FIG. 5 is a process drawing showing another embodiment of the method for manufacturing a circuit component built-in module of the present invention.

【図6】 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法
の他の一実施形態を示す工程図である。
FIG. 6 is a process drawing showing another embodiment of the method of manufacturing a circuit component built-in module of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100、400 回路部品内蔵モジュール 101、401、401a、401b、401c
電気絶縁性基板 102a、102b、402a、402b、402c、
402d 配線パターン 103、403 回路部品 103a、403a 能動部品 103b、403b 受動部品 104、404 インナービア
100, 400 Circuit component built-in modules 101, 401, 401a, 401b, 401c
Electrically insulating substrates 102a, 102b, 402a, 402b, 402c,
402d Wiring patterns 103, 403 Circuit parts 103a, 403a Active parts 103b, 403b Passive parts 104, 404 Inner vias

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−69191(JP,A) 特開 平4−18787(JP,A) 特開 平4−71297(JP,A) 特開 平4−283987(JP,A) 特開 平5−327228(JP,A) 特開 平6−120671(JP,A) 特開 平6−200124(JP,A) 特開 平7−30060(JP,A) 特開 平9−249795(JP,A) 特開 平11−26943(JP,A) 特開 昭60−109296(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 1/18 H05K 3/46 H01L 21/52 H01L 23/12 H01L 23/28 H01L 23/52 H01L 25/00 Continuation of front page (56) Reference JP-A-3-69191 (JP, A) JP-A-4-18787 (JP, A) JP-A-4-71297 (JP, A) JP-A-4-283987 (JP , A) JP 5-327228 (JP, A) JP 6-120671 (JP, A) JP 6-200124 (JP, A) JP 7-30060 (JP, A) JP 9-249795 (JP, A) JP 11-26943 (JP, A) JP 60-109296 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H05K 1/18 H05K 3/46 H01L 21/52 H01L 23/12 H01L 23/28 H01L 23/52 H01L 25/00

Claims (45)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混
合物からなる1つの電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性
基板の少なくとも一方の主面に形成された複数の配線パ
ターンと、前記電気絶縁性基板に埋設され前記配線パタ
ーンに電気的に接続された回路部品とを含み、前記回路
部品と前記配線パターンとが導電性接着剤を介して電気
的に接続されている回路部品内蔵モジュール。
1. An electrically insulating substrate made of a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin, a plurality of wiring patterns formed on at least one main surface of the electrically insulating substrate, and the electrically insulating substrate. embedded sexually substrate includes and electrically connected to the circuit component on the wiring pattern, the circuit
The parts and the wiring pattern are electrically connected via a conductive adhesive.
Modules with built-in circuit parts that are connected together .
【請求項2】 無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混
合物からなる1つの電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性
基板の少なくとも一方の主面に形成された複数の配線パ
ターンと、前記電気絶縁性基板に埋設され前記配線パタ
ーンに電気的に接続された回路部品とを含み、前記回路
部品と前記配線パターンとがバンプを介して電気的に接
続されている回路部品内蔵モジュール。
2. An electrically insulating substrate made of a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin, a plurality of wiring patterns formed on at least one main surface of the electrically insulating substrate, and the electrically insulating substrate. embedded sexually substrate includes and electrically connected to the circuit component on the wiring pattern, the circuit
The parts and the wiring pattern are electrically connected via bumps.
Continued circuit component built-in module.
【請求項3】 無機フィラー70重量%〜95重量%
熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる1つの電気絶縁性
基板と、前記電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面に
形成された複数の配線パターンと、前記電気絶縁性基板
に埋設され前記配線パターンに実装された回路部品とを
含む回路部品内蔵モジュール。
3. An electrically insulating substrate made of a mixture containing 70% by weight to 95% by weight of an inorganic filler and a thermosetting resin, and a plurality of electrically insulating substrates formed on at least one main surface of the electrically insulating substrate. A circuit component built-in module including a wiring pattern and a circuit component embedded in the electrically insulating substrate and mounted on the wiring pattern.
【請求項4】 無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混
合物からなる積層された複数の電気絶縁性基板と、前記
積層された複数の電気絶縁性基板の少なくとも一方の主
面及び内部に形成された複数の配線パターンと、前記積
層された複数の電気絶縁性基板に埋設され前記配線パタ
ーンに電気的に接続された回路部品とを含み、前記回路
部品と前記配線パターンとが導電性接着剤を介して電気
的に接続されている回路部品内蔵モジュール。
4. A plurality of stacked electrically insulating substrates made of a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin, and formed on at least one main surface and inside of the stacked plurality of electrically insulating substrates. a plurality of wiring patterns, wherein embedded in the plurality of stacked electrically insulating substrate and a electrically connected to the circuit component on the wiring pattern, the circuit
The parts and the wiring pattern are electrically connected via a conductive adhesive.
Modules with built-in circuit parts that are connected together .
【請求項5】 無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混
合物からなる積層された複数の電気絶縁性基板と、前記
積層された複数の電気絶縁性基板の少なくとも一方の主
面及び内部に形成された複数の配線パターンと、前記積
層された複数の電気絶縁性基板に埋設され前記配線パタ
ーンに電気的に接続された回路部品とを含み、前記回路
部品と前記配線パターンとがバンプを介して電気的に接
続されている回路部品内蔵モジュール。
5. A plurality of stacked electrically insulating substrates made of a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin, and formed on at least one main surface and inside of the stacked plurality of electrically insulating substrates. a plurality of wiring patterns, wherein embedded in the plurality of stacked electrically insulating substrate and a electrically connected to the circuit component on the wiring pattern, the circuit
The parts and the wiring pattern are electrically connected via bumps.
Continued circuit component built-in module.
【請求項6】 無機フィラー70重量%〜95重量%
熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる積層された複数の
電気絶縁性基板と、前記積層された複数の電気絶縁性基
板の少なくとも一方の主面及び内部に形成された複数の
配線パターンと、前記積層された複数の電気絶縁性基板
に埋設され前記配線パターンに実装された回路部品と、
を含む回路部品内蔵モジュール。
6. A plurality of laminated electrically insulating substrates made of a mixture containing 70% by weight to 95% by weight of an inorganic filler and a thermosetting resin, and at least one of the laminated plurality of electrically insulating substrates. A plurality of wiring patterns formed on the main surface and inside, and a circuit component embedded in the plurality of laminated electrically insulating substrates and mounted on the wiring pattern,
Module with built-in circuit parts.
【請求項7】 前記回路部品と前記配線パターンとが導
電性接着剤及びバンプを介して電気的に接続されている
請求項1又は4に記載の回路部品内蔵モジュール。
7. The circuit component and the wiring pattern are guided by each other.
It is electrically connected via an electric adhesive and bumps
The circuit component built-in module according to claim 1 or 4 .
【請求項8】 前記バンプが、金バンプ又は半田バンプ
である請求項2、5、7のいずれかに記載の回路部品内
蔵モジュール。
8. The bump is a gold bump or a solder bump
The circuit component built-in module according to any one of claims 2, 5, and 7 .
【請求項9】 前記回路部品は、導電性接着剤又はバン
プを用いて前記配線パターンに実装されたことを特徴と
する請求項3又は6に記載の回路部品内蔵モジュール。
9. The circuit component is a conductive adhesive or a bun.
Is mounted on the wiring pattern using
The circuit component built-in module according to claim 3 or 6 .
【請求項10】 前記電気絶縁性基板は、無機フィラー
70重量%〜95重量%と熱硬化性樹脂とを含む混合物
からなる請求項1、2、4、5のいずれかに記載の回路
部品内蔵モジュール。
Wherein said electrically insulating substrate, the circuit component built according to any one of claims 1, 2, 4, and 5 made of a mixture comprising an inorganic filler 70% by weight to 95% by weight and a thermosetting resin module.
【請求項11】 前記電気絶縁性基板内に形成され、前
記配線パターンに電気的に接続されたインナービアを含
む請求項1〜6のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュ
ール。
11. The circuit component built-in module according to claim 1, further comprising an inner via formed in the electrically insulating substrate and electrically connected to the wiring pattern.
【請求項12】 前記配線パターンは、前記電気絶縁性
基板の主面および内部に形成されている請求項1〜6の
いずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
12. The wiring pattern according to claim 1, wherein the wiring pattern is formed on a main surface and inside of the electrically insulating substrate .
The circuit component built-in module according to any one of the above.
【請求項13】 前記回路部品は能動部品を含み、前記
インナービアは導電性樹脂組成物からなる請求項11に
記載の回路部品内蔵モジュール。
13. The circuit component built-in module according to claim 11, wherein the circuit component includes an active component, and the inner via is made of a conductive resin composition.
【請求項14】 前記回路部品は、前記電気絶縁性基板
によって外気から遮断されている請求項1〜6のいずれ
かに記載の回路部品内蔵モジュール。
14. The circuit component according to claim 1, which is shielded from the outside air by the electrically insulating substrate.
Circuit component built-in module of crab described.
【請求項15】 前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少な
くとも一つの熱硬化性樹脂を含む請求項1〜6のいずれ
かに記載の回路部品内蔵モジュール。
15. The thermosetting resin is an epoxy resin,
Any of claims 1 to 6 containing at least one thermosetting resin selected from a phenol resin and a cyanate resin.
The circuit component built-in module according to claim 1.
【請求項16】 前記無機フィラーが、Al23、Mg
O、BN、AlNおよびSiO2から選ばれる少なくと
も一つの無機フィラーを含む請求項1〜6のいずれかに
記載の回路部品内蔵モジュール。
16. The inorganic filler is Al 2 O 3 , Mg
O, the circuit component built-in module <br/> according to claim 1 comprising at least one inorganic filler BN, selected from AlN and SiO 2.
【請求項17】 前記無機フィラーの平均粒子径が0.
1μm〜100μmである請求項1〜6のいずれかに
載の回路部品内蔵モジュール。
17. The average particle diameter of the inorganic filler is 0.
The circuit component built-in module according to any one of claims 1 to 6, which has a thickness of 1 μm to 100 μm.
【請求項18】 前記配線パターンが銅を含む請求項
〜6のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
18. The method of claim 1 wherein the wiring pattern comprises copper
7. The circuit component built-in module according to any one of items 6 to 6 .
【請求項19】 前記配線パターンが導電性樹脂組成物
を含む請求項1〜6のいずれかに記載の回路部品内蔵モ
ジュール。
19. The circuit component built-in module according to claim 1, wherein the wiring pattern contains a conductive resin composition.
【請求項20】 前記回路部品は半導体ベアーチップを
含み、前記半導体ベアーチップは前記配線パターンにフ
リップチップボンディングされている請求項1〜6のい
ずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
20. The method of claim 19, wherein the circuit component comprises a semiconductor bare chip, the semiconductor bare chip according to claim 6 gall is flip-chip bonded to the wiring pattern
The circuit component built-in module according to any one of the above.
【請求項21】 前記導電性樹脂組成物が、金、銀、銅
およびニッケルから選ばれる一つの金属を含む金属粒子
を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹脂成分とし
て含む請求項13に記載の回路部品内蔵モジュール。
21. The conductive resin composition, gold, silver, comprise metal particles including one metal selected from copper and nickel as the electrically conductive component of claim 13 containing an epoxy resin as a resin component Module with built-in circuit parts.
【請求項22】 前記配線パターンが、エッチング法ま
たは打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームか
らなる請求項1〜6のいずれかに記載の回路部品内蔵モ
ジュール。
22. The wiring pattern, the circuit component built-in module according to claim 1 comprising a lead frame of metal plate formed by etching or stamping.
【請求項23】 前記回路部品が、チップ状の抵抗、チ
ップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選
ばれる少なくとも一つの部品を含む請求項1〜6のいず
れかに記載の回路部品内蔵モジュール。
23. The circuit component, chip-like resistor, chip-like capacitors and claims 1-6 noise including at least one component selected from the chip-shaped inductor
Circuit component built-in module of Rekani described.
【請求項24】 前記混合物は、分散剤、着色剤、カッ
プリング剤および離型剤から選ばれる少なくとも一つの
添加剤をさらに含む請求項1〜6のいずれかに記載の回
路部品内蔵モジュール。
24. said mixture, dispersing agents, colorants, circuit component built-in module according to claim 1, further comprising at least one additive selected from the coupling agents and release agents.
【請求項25】 前記電気絶縁性基板の線膨張係数が8
×10-6/℃〜20×10-6/℃であり、かつ前記電気
絶縁性基板の熱伝導度が1w/mK〜10w/mKであ
る請求項1〜6のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュ
ール。
25. The linear expansion coefficient of the electrically insulating substrate is 8.
The circuit component according to any one of claims 1 to 6, wherein the electrical conductivity of the electrically insulating substrate is from 1 × 10 −6 / ° C. to 20 × 10 −6 / ° C., and the thermal conductivity of the electrical insulating substrate is from 1 w / mK to 10 w / mK. Built-in module.
【請求項26】 無機フィラー70重量%〜95重量%
と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔
を有する第1の板状体に加工する工程と、 前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによ
って熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第
2の板状体を形成する工程と、 第1の銅箔の一主面に回路部品を実装する工程と、 前記第1の銅箔の前記一主面上に、前記第2の板状体を
位置合わせして重ね、さらにその上に第2の銅箔を重ね
て加圧することによって、前記回路部品が埋設された第
3の板状体を形成する工程と、 前記第3の板状体を加熱することによって、前記熱硬化
性樹脂および前記導電性物質を硬化させる工程と、 前記第1および第2の銅箔を加工して配線パターンを形
成する工程とを含む回路部品内蔵モジュールの製造方
法。
26. 70% by weight to 95% by weight of inorganic filler
And a step of processing a mixture containing a thermosetting resin in an uncured state into a first plate-shaped body having a through hole, and a thermosetting conductive material being filled in the through hole, thereby thermosetting Forming a second plate-shaped body in which the conductive material is filled in the through hole, mounting a circuit component on one main surface of the first copper foil, and forming the second copper foil in the first copper foil. A third plate-shaped body in which the circuit component is embedded by aligning and stacking the second plate-shaped body on one main surface, and further stacking and pressing a second copper foil on the second plate-shaped body. And a step of heating the third plate-shaped body to cure the thermosetting resin and the conductive material, and processing the first and second copper foils to form a wiring pattern. And a method of manufacturing a module with a built-in circuit component.
【請求項27】 無機フィラー70重量%〜95重量%
と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔
を有する第1の板状体に加工する工程と、 前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによ
って熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第
2の板状体を形成する工程と、 第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、
前記配線パターン上に回路部品を実装する工程と、 第2の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する
工程と、 前記第1の離型フィルムと前記第2の板状体と前記第2
の離型フィルムとを前記配線パターンが前記第2の板状
体側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧
することによって前記回路部品が埋設された第3の板状
体を形成する工程と、 第3の板状体を加熱することによって、前記熱硬化性樹
脂および前記導電性物質を硬化させる工程と、 前記第1および第2の離型フィルムを前記硬化した第3
の板状体から剥離する工程とを含む回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法。
27. Inorganic filler 70% by weight to 95% by weight
And a step of processing a mixture containing a thermosetting resin in an uncured state into a first plate-shaped body having a through hole, and a thermosetting conductive material being filled in the through hole, thereby thermosetting A step of forming a second plate-like body in which the conductive material is filled in the through holes, and a wiring pattern is formed on one main surface of the first release film,
A step of mounting a circuit component on the wiring pattern; a step of forming a wiring pattern on one main surface of a second release film; the first release film, the second plate-shaped body, and the first release film. Two
The release film and the release film are aligned in this order so that the wiring pattern faces the second plate-shaped body, and are overlapped and pressed to form a third plate-shaped body in which the circuit component is embedded. A step of heating the third plate-shaped body to cure the thermosetting resin and the conductive substance; and a third step of curing the first and second release films.
The method for manufacturing a circuit component built-in module, which comprises a step of peeling from the plate-shaped body.
【請求項28】 多層構造を有する回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法であって、 無機フィラー70重量%〜95重量%と未硬化状態の熱
硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板
状体に加工する工程と、 前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによ
って熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第
2の板状体を形成する工程と、 第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、
前記配線パターン上に回路部品を実装する工程と、 前記第1の離型フィルムの前記一主面側に、前記第2の
板状体を位置合わせして重ね、加圧することによって前
記回路部品が埋設された第3の板状体を形成する工程
と、 前記第1の離型フィルムを前記第3の板状体から剥離す
ることによって第4の板状体を形成する工程と、 複数の前記第4の板状体を位置合わせして重ね、さらに
一主面に配線パターンが形成された第2の離型フィルム
を前記配線パターンが前記第4の板状体側を向くように
位置合わせして重ねて加圧し加熱することによって、前
記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を硬化させて多層
構造を有する第5の板状体を形成する工程と、 前記第2の離型フィルムを前記第5の板状体から剥離す
る工程とを含むことを特徴とする回路部品内蔵モジュー
ルの製造方法。
28. A method of manufacturing a circuit component built-in module having a multi-layer structure, comprising: a mixture containing 70 wt% to 95 wt% of an inorganic filler and an uncured thermosetting resin, and having a through hole And a second plate-shaped body in which the through-hole is filled with the thermosetting conductive substance by filling the through-hole with the thermosetting conductive substance. Process and forming a wiring pattern on one main surface of the first release film,
A step of mounting a circuit component on the wiring pattern; and a step of aligning and pressing the second plate-shaped body on the one main surface side of the first release film to apply the circuit component. A step of forming an embedded third plate-like body; a step of peeling the first release film from the third plate-like body to form a fourth plate-like body; A fourth plate-shaped body is aligned and stacked, and a second release film having a wiring pattern formed on one main surface is further aligned so that the wiring pattern faces the fourth plate-shaped body side. Stacking, pressing and heating to cure the thermosetting resin and the conductive material to form a fifth plate-like body having a multilayer structure; and the second release film to the fifth release film. And a step of peeling from the plate-shaped body of Manufacturing method of circuit component built-in module.
【請求項29】 多層構造を有する回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法であって、 無機フィラー70重量%〜95重量%と未硬化状態の熱
硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板
状体に加工する工程と、 前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによ
って熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第
2の板状体を形成する工程と、 第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成して
前記配線パターン上に回路部品を実装する工程と、 前記第1の離型フィルムの前記一主面側に、前記第2の
板状体を位置合わせして重ねて加圧することによって、
前記回路部品が埋設された第3の板状体を形成する工程
と、 前記第1の離型フィルムを前記第3の板状体から剥離す
ることによって第4の板状体を形成する工程と、 複数の前記第4の板状体を位置合わせして重ね、さらに
その上に銅箔を重ねて加圧し加熱することによって、前
記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を硬化させて多層
構造を有する第5の板状体を形成する工程と、 前記第5の板状体の前記銅箔を加工して配線パターンを
形成する工程とを含むことを特徴とする回路部品内蔵モ
ジュールの製造方法。
29. A method of manufacturing a circuit component built-in module having a multi-layer structure, comprising a mixture containing 70 wt% to 95 wt% of an inorganic filler and an uncured thermosetting resin, the first mixture having a through hole. And a second plate-shaped body in which the through-hole is filled with the thermosetting conductive substance by filling the through-hole with the thermosetting conductive substance. A step of forming a wiring pattern on one main surface of a first release film and mounting a circuit component on the wiring pattern; a step of mounting the circuit component on the one main surface side of the first release film; By aligning and stacking the two plate-shaped bodies,
A step of forming a third plate-shaped body in which the circuit component is embedded, and a step of peeling the first release film from the third plate-shaped body to form a fourth plate-shaped body A plurality of the fourth plate-shaped bodies are aligned and stacked, and a copper foil is further stacked thereon and pressed and heated to cure the thermosetting resin and the conductive substance to form a multilayer structure. A method for manufacturing a circuit component built-in module, comprising: a step of forming a fifth plate-shaped body having the step; and a step of processing the copper foil of the fifth plate-shaped body to form a wiring pattern.
【請求項30】 前記回路部品は能動部品を含み、前記
導電性物質は導電性樹脂組成物からなる請求項26〜2
9のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方
法。
30. The circuit component includes an active component, and the conductive material is a conductive resin composition.
9. The method of manufacturing a circuit component built-in module according to any one of 9 above.
【請求項31】 前記銅箔または前記配線パターンに前
記回路部品を実装した後、前記銅箔または前記配線パタ
ーンと前記回路部品との間に封止樹脂を注入する工程を
さらに含む請求項26〜29のいずれかに記載の回路部
品内蔵モジュールの製造方法。
31. The method further comprising the step of mounting the circuit component on the copper foil or the wiring pattern and then injecting a sealing resin between the copper foil or the wiring pattern and the circuit component. 29. A method of manufacturing a circuit component built-in module according to any one of 29.
【請求項32】 前記熱硬化性樹脂および前記導電性物
質を加熱して硬化させる際の温度が150℃以上260
℃以下である請求項26〜29のいずれかに記載の回路
部品内蔵モジュールの製造方法。
32. The temperature at which the thermosetting resin and the conductive substance are heated and cured is 150 ° C. or higher and 260.
The method for producing a circuit component built-in module according to any one of claims 26 to 29, wherein the temperature is not higher than ° C.
【請求項33】 前記熱硬化性樹脂および前記導電性物
質を加熱して硬化させる際に、加熱しながら10kg/
cm2〜200kg/cm2の圧力で加圧する請求項26
〜29のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製
造方法。
33. When heating and curing the thermosetting resin and the conductive substance, 10 kg /
27. Pressurizing with a pressure of cm 2 to 200 kg / cm 2.
29. A method of manufacturing a circuit component built-in module according to any one of items 29 to 29.
【請求項34】 前記第1の板状体を形成する工程が、
前記混合物を板状に成型した後、前記板状の混合物を前
記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理するこ
とによって、前記板状の混合物の粘着性を失わせる工程
を含む請求項26〜29のいずれかに記載の回路部品内
蔵モジュールの製造方法。
34. The step of forming the first plate-shaped body,
27. A step of depressurizing the plate-like mixture by heat-treating the mixture at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin after molding the mixture into a plate-like shape. 29. A method of manufacturing a circuit component built-in module according to any one of items 29 to 29.
【請求項35】 前記回路部品を前記第2の板状体に埋
設することによって前記第3の板状体を形成する工程
を、前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で行う
請求項26〜29のいずれかに記載の回路部品内蔵モジ
ュールの製造方法。
35. The step of forming the third plate-shaped body by embedding the circuit component in the second plate-shaped body is performed at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin. A method for manufacturing a circuit component built-in module according to any one of 26 to 29.
【請求項36】 前記回路部品を前記銅箔または前記配
線パターンに実装する工程は、前記回路部品と前記銅箔
または前記配線パターンとを半田によって電気的および
機械的に接続する工程からなる請求項26〜30のいず
れかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
36. The step of mounting the circuit component on the copper foil or the wiring pattern comprises a step of electrically and mechanically connecting the circuit component and the copper foil or the wiring pattern by soldering. 31. A method of manufacturing a circuit component built-in module according to any of 26 to 30.
【請求項37】 前記回路部品を前記銅箔または前記配
線パターンに実装する際に、前記回路部品の金バンプと
前記銅箔または前記配線パターンとを導電性接着剤によ
って電気的に接続する請求項26〜30のいずれかに記
載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
37. When mounting the circuit component on the copper foil or the wiring pattern, the gold bumps of the circuit component and the copper foil or the wiring pattern are electrically connected by a conductive adhesive. 31. A method of manufacturing a circuit component built-in module according to any of 26 to 30.
【請求項38】 前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少な
くとも一つの熱硬化性樹脂を含む請求項26〜30のい
ずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
38. The thermosetting resin is an epoxy resin,
The method for manufacturing a circuit component built-in module according to claim 26, comprising at least one thermosetting resin selected from a phenol resin and a cyanate resin.
【請求項39】 前記無機フィラーがAl23、Mg
O、BN、AlNおよびSiO2から選ばれる少なくと
も一つの無機フィラーを含む請求項26〜30のいずれ
かに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
39. The inorganic filler is Al 2 O 3 , Mg
The method of manufacturing a circuit component built-in module according to claim 26, comprising at least one inorganic filler selected from O, BN, AlN and SiO 2 .
【請求項40】 前記配線パターンが、銅を含む請求項
27〜30のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール
の製造方法。
40. The method of manufacturing a circuit component built-in module according to claim 27, wherein the wiring pattern contains copper.
【請求項41】 前記配線パターンが、導電性樹脂組成
物を含む請求項27〜30のいずれかに記載の回路部品
内蔵モジュールの製造方法。
41. The method of manufacturing a circuit component built-in module according to claim 27, wherein the wiring pattern contains a conductive resin composition.
【請求項42】 前記回路部品が半導体ベアーチップを
含み、前記半導体ベアーチップは前記銅箔または前記配
線パターンにフリップチップボンディングされている請
求項30または36に記載の回路部品内蔵モジュールの
製造方法。
42. The method of manufacturing a circuit component built-in module according to claim 30, wherein the circuit component includes a semiconductor bare chip, and the semiconductor bare chip is flip-chip bonded to the copper foil or the wiring pattern.
【請求項43】 前記導電性樹脂組成物が、金、銀、銅
およびニッケルから選ばれる少なくとも一つの金属を含
む金属粒子を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹
脂成分として含む請求項30または41に記載の回路部
品内蔵モジュールの製造方法。
43. The conductive resin composition contains metal particles containing at least one metal selected from gold, silver, copper and nickel as a conductive component, and an epoxy resin as a resin component. A method for manufacturing a circuit component built-in module according to.
【請求項44】 前記配線パターンが、エッチング法ま
たは打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームか
らなる請求項27〜30のいずれかに記載の回路部品内
蔵モジュールの製造方法。
44. The method for manufacturing a circuit component built-in module according to claim 27, wherein the wiring pattern comprises a lead frame made of a metal plate formed by an etching method or a punching method.
【請求項45】 前記回路部品が、チップ状の抵抗、チ
ップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選
ばれる少なくとも一つの部品を含む請求項26〜29の
いずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
45. The circuit component built-in module according to claim 26, wherein the circuit component includes at least one component selected from a chip-shaped resistor, a chip-shaped capacitor, and a chip-shaped inductor. Method.
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