JP3359770B2 - Transistor high frequency power amplifier - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、トランジスタ高周波電
力増幅器に係わり、特に、電池によって駆動される携帯
用通信機に用いられ、電池の寿命を短くすることなく、
しかも、電池電圧の変動に係わりなしに、常時、一定電
力で送信信号を出力するトランジスタ高周波電力増幅器
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transistor high-frequency power amplifier, and more particularly, to a high-frequency power amplifier used in a portable communication device driven by a battery without shortening the life of the battery.
In addition, the present invention relates to a transistor high-frequency power amplifier that always outputs a transmission signal with constant power irrespective of battery voltage fluctuation.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、携帯用通信機は、送信部にトラン
ジスタ高周波電力増幅器が用いられ、電池で駆動されて
いる。2. Description of the Related Art Conventionally, a portable communication device uses a transistor high-frequency power amplifier in a transmission section and is driven by a battery.
【0003】一般に、電池を電源に使用している機器に
おいては、電源の電池を交換した直後は、電池の出力電
圧が定格出力電圧よりも高く、その後、電池の使用経過
に応じて、その出力電圧が順次低下し、やがて定格出力
電圧になり、さらに、定格出力電圧よりも低くなるもの
であって、電池を電源とする携帯用通信機においても、
その例外ではない。[0003] Generally, in a device using a battery as a power supply, the output voltage of the battery is higher than the rated output voltage immediately after the battery of the power supply is replaced. The voltage gradually decreases, and eventually becomes the rated output voltage, and further becomes lower than the rated output voltage, and even in a portable communication device powered by a battery,
This is no exception.
【0004】携帯用通信機においては、送信信号の出力
電力が決められており、送信信号の出力電力は当該携帯
用通信機の高周波電力増幅器の増幅度に依存している。
また、高周波電力増幅器の増幅度は、電池の出力電圧に
依存するものであって、電池の出力電圧が高いときに増
幅度が増大し、一方、電池の出力電圧が低くなるとそれ
に応じて増幅度も減少する。In a portable communication device, the output power of a transmission signal is determined, and the output power of the transmission signal depends on the degree of amplification of a high-frequency power amplifier of the portable communication device.
Also, the amplification of the high-frequency power amplifier depends on the output voltage of the battery, and the amplification increases when the output voltage of the battery is high, while the amplification increases when the output voltage of the battery decreases. Also decreases.
【0005】そこで、このような携帯用通信機に用いる
高周波電力増幅器においては、携帯用通信機の送信信号
の出力電力を常時一定に保つため、電池と高周波電力増
幅器との間に定電圧回路を介在し、この定電圧回路によ
って、径時的に変動する電池の出力電圧を一定にし、携
帯用通信機の送信信号の出力電力の径時的な変動を抑圧
するようにしている。Therefore, in such a high-frequency power amplifier used in a portable communication device, a constant voltage circuit is provided between the battery and the high-frequency power amplifier in order to keep the output power of the transmission signal of the portable communication device constant at all times. This constant voltage circuit keeps the output voltage of the battery that fluctuates over time constant, and suppresses the fluctuating output power of the transmission signal of the portable communication device over time.
【0006】ここで、図3は、携帯用通信機の既知のト
ランジスタ高周波電力増幅器の一例の構成を示す回路図
である。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a configuration of a known transistor high-frequency power amplifier of a portable communication device.
【0007】図3に示されるように、トランジスタ高周
波電力増幅器は、高周波信号の電力を増幅する増幅段3
1と、バイアス電圧設定段32と、定電圧回路33と、
電池34とからなっている。この場合、増幅段31は、
初段増幅用トランジスタ35と、次段増幅用トランジス
タ36と、終段増幅用トランジスタ37とを備え、各ト
ランジスタ35、36、37のエミッタは接地されてい
る。また、初段増幅用トランジスタ35のベースは、コ
ンデンサ42(1)及び抵抗42(2)を介して信号入
力端子38に接続され、出力増幅用トランジスタ37の
コレクタは、コンデンサ46(1)及び抵抗46(2)
を介して信号出力端子39に接続されるとともに、抵抗
46(3)を介して定電圧回路33の出力に接続されて
いる。さらに、初段増幅用トランジスタ35のコレクタ
は、コンデンサ43(1)及び抵抗43(2)を介して
次段増幅用トランジスタ36のベースに接続され、次段
増幅用トランジスタ36のコレクタは、コンデンサ45
(1)を介して終段増幅用トランジスタ37のベースに
接続されるとともに抵抗45(2)を介して定電圧回路
33の出力に接続されている。As shown in FIG. 3, a transistor high-frequency power amplifier includes an amplification stage 3 for amplifying the power of a high-frequency signal.
1, a bias voltage setting stage 32, a constant voltage circuit 33,
It comprises a battery 34. In this case, the amplification stage 31
A first-stage amplification transistor 35, a second-stage amplification transistor 36, and a last-stage amplification transistor 37 are provided, and the emitters of the transistors 35, 36, and 37 are grounded. The base of the first-stage amplification transistor 35 is connected to the signal input terminal 38 via the capacitor 42 (1) and the resistor 42 (2), and the collector of the output amplification transistor 37 is connected to the capacitor 46 (1) and the resistor 46 (1). (2)
And to the output of the constant voltage circuit 33 via the resistor 46 (3). Further, the collector of the first-stage amplifying transistor 35 is connected to the base of the next-stage amplifying transistor 36 via the capacitor 43 (1) and the resistor 43 (2).
It is connected to the base of the final stage amplifying transistor 37 via (1) and to the output of the constant voltage circuit 33 via a resistor 45 (2).
【0008】また、バイアス電圧設定段32は、第1の
バイアス電圧設定用トランジスタ40と、第2のバイア
ス電圧設定用トランジスタ41とを備え、第1のバイア
ス電圧設定用トランジスタ40のコレクタは、抵抗47
(1)を介して第2のバイアス電圧設定用トランジスタ
41のベースに接続されるとともに、抵抗47(2)を
介して接地されている。第1のバイアス電圧設定用トラ
ンジスタ40は、エミッタがインダクタ43(3)及び
抵抗43(2)を介して初段増幅用トランジスタ34の
コレクタに接続されるとともに、抵抗48(3)を介し
て定電圧回路33の出力に接続され、コレクタが抵抗4
8(1)、48(2)を介して接地されるとともに、抵
抗48(1)、抵抗42(3)を介して初段増幅用トラ
ンジスタ35のベースに接続されている。第1のバイア
ス電圧設定用トランジスタ40のベースは、ダイオード
48(5)及び抵抗48(4)を介して定電圧回路33
の出力に接続されるとともに、抵抗48(6)及び可変
抵抗48(7)を介して接地されている。第2のバイア
ス電圧設定用トランジスタ41は、コレクタが抵抗47
(4)を介して定電圧回路33の出力に接続され、エミ
ッタが抵抗47(3)介して接地されるとともに、抵抗
43(4)を介して次段増幅用トランジスタ36のベー
スと、抵抗45(3)を介して終段増幅用トランジスタ
37のベースにそれぞれ接続されている。The bias voltage setting stage 32 includes a first bias voltage setting transistor 40 and a second bias voltage setting transistor 41, and the collector of the first bias voltage setting transistor 40 is a resistor. 47
It is connected to the base of the second bias voltage setting transistor 41 via (1) and is grounded via the resistor 47 (2). The first bias voltage setting transistor 40 has an emitter connected to the collector of the first-stage amplification transistor 34 via the inductor 43 (3) and the resistor 43 (2), and a constant voltage via the resistor 48 (3). Connected to the output of the circuit 33 and the collector
8 (1) and 48 (2) are grounded, and are also connected to the base of the first stage amplifying transistor 35 via resistors 48 (1) and 42 (3). The base of the first bias voltage setting transistor 40 is connected to a constant voltage circuit 33 via a diode 48 (5) and a resistor 48 (4).
, And grounded via a resistor 48 (6) and a variable resistor 48 (7). The collector of the second bias voltage setting transistor 41 is a resistor 47.
(4) is connected to the output of the constant voltage circuit 33, the emitter is grounded via a resistor 47 (3), and the base of the next stage amplifying transistor 36 and a resistor 45 are connected via a resistor 43 (4). These are connected to the base of the final-stage amplification transistor 37 via (3).
【0009】さらに、定電圧回路33の入力は電池34
の正極側に接続され、電池34の負極側は接地されてい
る。なお、本例においては、電池34は、定格出力電圧
が3.6Vであり、初期出力電圧が4.5Vである。ま
た、定電圧回路33は、入力電圧が3.6V以上のとき
に、2.9Vの定電圧を出力するものである。The input of the constant voltage circuit 33 is a battery 34.
, And the negative electrode side of the battery 34 is grounded. In this example, the battery 34 has a rated output voltage of 3.6 V and an initial output voltage of 4.5 V. The constant voltage circuit 33 outputs a constant voltage of 2.9 V when the input voltage is 3.6 V or more.
【0010】前記構成に係わる既知のトランジスタ高周
波電力増幅器は、次のように動作する。[0010] The known transistor high-frequency power amplifier according to the above configuration operates as follows.
【0011】いま、電池34の電圧が定電圧回路33に
おいて2.9Vに定電圧化された後、増幅段31及びバ
イアス電圧設定段32にそれぞれ供給されているとき、
増幅段31の信号入力端子38に前段回路(図示なし)
から高周波信号が加わると、その高周波信号は、最初
に、初段増幅用トランジスタ35で増幅され、次いで、
次段増幅用トランジスタ36でさらに増幅され、最後
に、終段増幅用トランジスタ37で所定の電力まで増幅
され、信号出力端子39を介してアンテナ(図示なし)
に供給され、アンテナから送信される。When the voltage of the battery 34 is constant at 2.9 V in the constant voltage circuit 33 and then supplied to the amplification stage 31 and the bias voltage setting stage 32, respectively,
A pre-stage circuit (not shown) is connected to the signal input terminal 38 of the amplification stage 31.
, The high-frequency signal is first amplified by the first-stage amplification transistor 35, and then
The signal is further amplified by the next-stage amplifying transistor 36 and finally amplified to a predetermined power by the final-stage amplifying transistor 37, and is transmitted through a signal output terminal 39 to an antenna (not shown).
And transmitted from the antenna.
【0012】この場合、増幅段31において、次段増幅
用トランジスタ36のコレクタ及び終段増幅用トランジ
スタ37のコレクタは、定電圧回路33から定電圧が駆
動電圧として直接供給され、一方、初段増幅用トランジ
スタ35のベース及びコレクタ、次段増幅用トランジス
タ36のベース、終段増幅用トランジスタ37のベース
は、バイアス電圧設定段32において適当な電圧に調整
された定電圧回路33の定電圧が駆動電圧またはバイア
ス電圧としてそれぞれ供給されている。In this case, in the amplifying stage 31, the collector of the next-stage amplifying transistor 36 and the collector of the final-stage amplifying transistor 37 are supplied with a constant voltage directly from the constant voltage circuit 33 as a driving voltage. The base and collector of the transistor 35, the base of the next-stage amplifying transistor 36, and the base of the final-stage amplifying transistor 37 are controlled by the constant voltage of the constant voltage circuit 33 adjusted to an appropriate voltage in the bias voltage setting stage 32 by the drive voltage or Each is supplied as a bias voltage.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】電池を電源とする携帯
用通信機に用いられる既知のトランジスタ高周波電力増
幅器は、前述のように、電池34と増幅段31との間に
定電圧回路33が設けられているものであるが、定電圧
回路33を設けると、定電圧回路33の内部で電圧降下
が生じ、その電圧降下分だけ、増幅段31に供給される
駆動電圧が低くなり、結果的に、電池34の寿命が短く
なるという問題がある。A known transistor high-frequency power amplifier used in a portable communication device powered by a battery has a constant voltage circuit 33 provided between a battery 34 and an amplification stage 31 as described above. However, when the constant voltage circuit 33 is provided, a voltage drop occurs inside the constant voltage circuit 33, and the drive voltage supplied to the amplification stage 31 is reduced by the voltage drop. As a result, There is a problem that the life of the battery 34 is shortened.
【0014】また、一般に、トランジスタ高周波電力増
幅器は、消費電力が大きいので、定電圧回路33の容量
を大きくする必要があり、その上、定電圧回路33に流
れる電流も大きいので、定電圧回路33における消費電
力が大きくなる。このような理由によっても、既知のト
ランジスタ高周波電力増幅器は、電池34の寿命が短く
なるという問題がある。In general, a transistor high-frequency power amplifier consumes a large amount of power, so it is necessary to increase the capacity of the constant voltage circuit 33. In addition, since the current flowing through the constant voltage circuit 33 is large, , The power consumption increases. For this reason, the known transistor high-frequency power amplifier has a problem that the life of the battery 34 is shortened.
【0015】本発明は、これらの問題点を解決するもの
で、その目的は、定電圧回路の容量及び消費電力が小さ
くて済み、送信信号の電力を一定に保ったまま電池の寿
命が長くなるようにしたトランジスタ高周波電力増幅器
を提供することにある。The present invention solves these problems. It is an object of the present invention to reduce the capacity and power consumption of a constant voltage circuit and to prolong the life of a battery while keeping the power of a transmission signal constant. It is another object of the present invention to provide a transistor high-frequency power amplifier.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、電池を電源とする携帯用通信機に用いら
れ、1個以上のトランジスタで構成される高周波電力増
幅段と、前記電池電圧を入力して一定電圧を出力する定
電圧回路、及び該定電圧回路から出力される一定電圧と
前記電池電圧とを減算し、前記電池の出力電圧の変動と
逆に変動する制御電圧を出力する減算回路からなるバイ
アス電圧設定手段と、前記トランジスタの出力電極に前
記電池電圧を駆動電圧として供給し、前記トランジスタ
の入力電極に前記制御電圧をバイアス電圧として供給す
るトランジスタ高周波電力増幅器であって、前記減算回
路は、エミッタが前記定電圧回路の出力に接続され、ベ
ースが第1の抵抗器とダイオードとの直列接続体を介し
て前記定電圧回路の出力と、第2の抵抗器を介して前記
電池と、第3の抵抗器を介して接地点とにそれぞれ接続
され、コレクタが第4の抵抗器を介して接地点に接続さ
れた第1のトランジスタを含み、前記コレクタに得られ
る電圧に基づいて前記制御電圧を発生する。In order to achieve the above object, the present invention relates to a high-frequency power amplifying stage for use in a portable communication device powered by a battery and comprising one or more transistors; A constant voltage circuit that inputs a battery voltage and outputs a constant voltage, and subtracts the battery voltage from the constant voltage output from the constant voltage circuit to obtain a control voltage that fluctuates inversely with the fluctuation of the output voltage of the battery. A bias voltage setting means comprising a subtraction circuit for outputting, and a transistor high-frequency power amplifier for supplying the battery voltage as a drive voltage to an output electrode of the transistor and supplying the control voltage as a bias voltage to an input electrode of the transistor. The subtraction circuit has an emitter connected to the output of the constant voltage circuit, and a base connected to the constant voltage circuit via a series connection of a first resistor and a diode. An output, a first resistor connected to the battery via a second resistor, and a ground via a third resistor, and a collector connected to the ground via a fourth resistor. A transistor for generating the control voltage based on a voltage obtained at the collector;
【0017】[0017]
【作用】前記手段においては、電池電圧が入力され、電
池電圧の変動と逆に変動する制御電圧を出力するバイア
ス電圧設定段を設け、トランジスタ高周波電力増幅段に
おけるトランジスタの出力電極に電池電圧を駆動電圧と
して供給するとともに、トランジスタの制御電極にバイ
アス電圧設定段で得られた制御電圧をバイアス電圧とし
て供給するようにしているので、電池を交換したばかり
のときのように、電池の電圧が高いときは、トランジス
タの制御電極に低いバイアス電圧が供給されて、トラン
ジスタに流れる電流が比較的小さくなるように制御さ
れ、一方、電池を交換してから相当時間が経過したとき
のように、電池電圧が低くなったときは、トランジスタ
の制御電極に高いバイアス電圧が供給されて、トランジ
スタに流れる電流が比較的大きくなるように制御される
ので、トランジスタ高周波電力増幅段の信号増幅度が電
池電圧の大きさに影響されず、送信信号の出力レベルが
常時一定になるように制御される。また、バイアス電圧
設定段に定電圧回路を組み込み、この定電圧回路の出力
を専らトランジスタの制御電極へのバイアス電圧の供給
に利用しているので、その定電圧回路は、小容量かつ小
電流のもので足りる。In the above means, a battery voltage is inputted, and a bias voltage setting stage for outputting a control voltage that fluctuates in reverse to the fluctuation of the battery voltage is provided, and the battery voltage is driven to the output electrode of the transistor in the transistor high-frequency power amplification stage. When the battery voltage is high, such as when the battery has just been replaced, the control voltage obtained at the bias voltage setting stage is supplied to the control electrode of the transistor as the bias voltage. Is controlled so that a low bias voltage is supplied to the control electrode of the transistor so that the current flowing through the transistor becomes relatively small, while the battery voltage is reduced, as when a considerable amount of time has passed since the battery was replaced. When the voltage drops, a high bias voltage is supplied to the control electrode of the transistor, and the current flowing through the transistor decreases. Since is controlled to comparatively large, the signal amplification factor of the transistor RF power amplifier stage is not affected by the magnitude of the battery voltage, the output level of the transmission signal is controlled to be constant at all times. In addition, since a constant voltage circuit is incorporated in the bias voltage setting stage and the output of the constant voltage circuit is exclusively used for supplying a bias voltage to the control electrode of the transistor, the constant voltage circuit has a small capacity and a small current. Things are enough.
【0018】[0018]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0019】図1は、本発明に係わるトランジスタ高周
波電力増幅器の一実施例の構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of one embodiment of a transistor high-frequency power amplifier according to the present invention.
【0020】図1に示されるように、トランジスタ高周
波電力増幅器は、高周波信号の電力を増幅する増幅段1
と、バイアス電圧設定段2と、電池3と、付加的に接続
されたトランジスタ高周波電力増幅器のオンオフ段4と
からなっている。この場合、増幅段1は、初段増幅用ト
ランジスタ5と、次段増幅用トランジスタ6と、終段増
幅用トランジスタ7とを備え、各トランジスタ5、6、
7のエミッタは接地されている。また、初段増幅用トラ
ンジスタ5のベースは、コンデンサ8(1)及び抵抗8
(2)を介して信号入力端子9に接続され、終段増幅用
トランジスタ7のコレクタは、コンデンサ10(1)及
び抵抗10(2)を介して信号出力端子11に接続され
るとともに、インダクタ10(3)を介して電池3の出
力に接続されている。さらに、初段増幅用トランジスタ
5のコレクタは、コンデンサ12(1)及びインダクタ
12(2)を介して次段増幅用トランジスタ6のベース
に接続され、次段増幅用トランジスタ6のコレクタは、
コンデンサ13(1)を介して終段増幅用トランジスタ
37のベースに接続されるとともに、インダクタ13
(2)を介して電池3の正極側に接続されている。As shown in FIG. 1, the transistor high-frequency power amplifier comprises an amplification stage 1 for amplifying the power of a high-frequency signal.
And a bias voltage setting stage 2, a battery 3, and an additionally connected transistor high frequency power amplifier on / off stage 4. In this case, the amplification stage 1 includes a first-stage amplification transistor 5, a second-stage amplification transistor 6, and a last-stage amplification transistor 7, and each of the transistors 5, 6,
The emitter of 7 is grounded. The base of the first-stage amplifying transistor 5 includes a capacitor 8 (1) and a resistor 8
(2) is connected to the signal input terminal 9, and the collector of the final stage amplifying transistor 7 is connected to the signal output terminal 11 via the capacitor 10 (1) and the resistor 10 (2). It is connected to the output of the battery 3 via (3). Further, the collector of the first-stage amplification transistor 5 is connected to the base of the next-stage amplification transistor 6 via the capacitor 12 (1) and the inductor 12 (2).
The capacitor 13 (1) is connected to the base of the transistor 37 for amplifying the final stage.
It is connected to the positive electrode side of the battery 3 via (2).
【0021】また、バイアス電圧設定段2は、第1のバ
イアス電圧設定用トランジスタ14と、第2のバイアス
電圧設定用トランジスタ15と、定電圧回路16とを備
え、第1のバイアス電圧設定用トランジスタ14のコレ
クタは、抵抗17(1)を介して第2のバイアス電圧設
定用トランジスタ15のベースに接続されるとともに、
可変抵抗17(2)を介して接地されている。第1のバ
イアス電圧設定用トランジスタ14は、エミッタがイン
ダクタ12(3)及びインダクタ12(2)を介して初
段増幅用トランジスタ5のコレクタに接続されるととも
に、抵抗18(3)を介して定電圧回路16の出力に接
続され、コレクタが抵抗18(1)、18(2)を介し
て接地されるとともに、抵抗18(4)及びインダクタ
8(3)を介して初段増幅用トランジスタ5のベースに
接続されている。第1のバイアス電圧設定用トランジス
タ14のベースは、ダイオード20(2)及び抵抗20
(1)を介して定電圧回路16の出力に接続され、抵抗
20(3)を介してトランジスタ高周波電力増幅器のオ
ンオフ段4に接続されるとともに、抵抗19を介して電
池3の正極側に接続されている。第2のバイアス電圧設
定用トランジスタ15は、コレクタが抵抗17(4)を
介して電池3の正極側に接続され、エミッタが抵抗17
(3)介して接地されるとともに、インダクタ12
(4)を介して次段増幅用トランジスタ6のベースと、
インダクタ13(3)を介して終段増幅用トランジスタ
7のベースにそれぞれ接続されている。定電圧回路16
は、入力が電池3の正極側に接続されている。The bias voltage setting stage 2 includes a first bias voltage setting transistor 14, a second bias voltage setting transistor 15, and a constant voltage circuit 16, and the first bias voltage setting transistor The collector of the transistor 14 is connected to the base of the second bias voltage setting transistor 15 via the resistor 17 (1).
It is grounded via a variable resistor 17 (2). The first bias voltage setting transistor 14 has an emitter connected to the collector of the first-stage amplification transistor 5 via the inductor 12 (3) and the inductor 12 (2), and a constant voltage via the resistor 18 (3). The collector is connected to the output of the circuit 16, the collector is grounded through the resistors 18 (1) and 18 (2), and is connected to the base of the transistor 5 for amplifying the first stage through the resistor 18 (4) and the inductor 8 (3). It is connected. The base of the first bias voltage setting transistor 14 includes a diode 20 (2) and a resistor 20
Connected to the output of the constant voltage circuit 16 via (1), connected to the on / off stage 4 of the transistor high-frequency power amplifier via the resistor 20 (3), and connected to the positive electrode side of the battery 3 via the resistor 19 Have been. The second bias voltage setting transistor 15 has a collector connected to the positive electrode side of the battery 3 via a resistor 17 (4), and an emitter connected to the resistor 17 (4).
(3) grounded through the inductor 12
(4) via the base of the next stage amplifying transistor 6;
They are connected to the bases of the final-stage amplification transistors 7 via the inductors 13 (3). Constant voltage circuit 16
Has an input connected to the positive electrode side of the battery 3.
【0022】さらに、トランジスタ高周波電力増幅器の
オンオフ段4は、エミッタ接地スイッチングトランジス
タ21を備え、スイッチングトランジスタ21は、ベー
スが抵抗22を介してスイッチング信号入力端子23に
接続され、コレクタが抵抗20(7)を介して第1のバ
イアス電圧設定用トランジスタ16のベースに接続され
ている。なお、本実施例においても、電池3は、定格出
力電圧が3.6Vであり、初期出力電圧が4.5Vであ
る。また、定電圧回路18は、入力電圧が3.6V以上
のときに、2.9Vの定電圧を出力するものである。Further, the on / off stage 4 of the transistor high-frequency power amplifier includes a common-emitter switching transistor 21. The switching transistor 21 has a base connected to a switching signal input terminal 23 via a resistor 22, and a collector connected to a resistor 20 (7). ) Is connected to the base of the first bias voltage setting transistor 16. Note that, also in the present embodiment, the battery 3 has a rated output voltage of 3.6 V and an initial output voltage of 4.5 V. The constant voltage circuit 18 outputs a constant voltage of 2.9 V when the input voltage is 3.6 V or more.
【0023】前記構成による本実施例のトランジスタ高
周波電力増幅器は、次のように動作する。The transistor high-frequency power amplifier according to this embodiment having the above-described structure operates as follows.
【0024】いま、電池3の電圧が直接及びバイアス電
圧設定段2を介して増幅段1に供給され、かつ、オンオ
フ段4のスイッチング信号入力端子23に正極性信号が
供給されると、スイッチングトランジスタ21がターン
オンしてバイアス電圧設定段2を能動状態にし、バイア
ス電圧設定段2は、以下に詳しく述べるように、増幅段
1に所定のバイアス電圧を供給する。このため、増幅段
1の信号入力端子9に前段回路(図示なし)から高周波
信号が加わると、その高周波信号は、最初に、初段増幅
用トランジスタ5で増幅され、次いで、同じく次段増幅
用トランジスタ6でさらに増幅され、最後に、終段増幅
用トランジスタ7で所要の電力まで増幅され、信号出力
端子10を介してアンテナ(図示なし)に供給され、ア
ンテナから送信される。Now, when the voltage of the battery 3 is supplied to the amplification stage 1 directly and via the bias voltage setting stage 2 and a positive signal is supplied to the switching signal input terminal 23 of the on / off stage 4, the switching transistor 21 turns on to activate the bias voltage setting stage 2, which supplies a predetermined bias voltage to the amplification stage 1, as described in detail below. For this reason, when a high-frequency signal is applied to the signal input terminal 9 of the amplification stage 1 from a previous-stage circuit (not shown), the high-frequency signal is first amplified by the first-stage amplification transistor 5, and then, similarly, by the next-stage amplification transistor The signal is further amplified at 6 and finally amplified to a required power by the final-stage amplifying transistor 7, supplied to an antenna (not shown) via the signal output terminal 10, and transmitted from the antenna.
【0025】一方、スイッチング信号入力端子23に負
極性信号または基準電位信号が供給されると、スイッチ
ングトランジスタ21がターンオフされ、バイアス電圧
設定段2を非能動状態に変化させ、増幅段1へのバイア
ス電圧の供給を停止させる。このため、増幅段1の信号
入力端子9に前段回路(図示なし)から高周波信号が加
わっても、その高周波信号は、増幅段1で増幅されるこ
とがなく、アンテナから送信されることもない。On the other hand, when a negative polarity signal or a reference potential signal is supplied to the switching signal input terminal 23, the switching transistor 21 is turned off, and the bias voltage setting stage 2 is changed to an inactive state, and the bias to the amplification stage 1 is changed. Stop supplying voltage. Therefore, even if a high-frequency signal is applied to the signal input terminal 9 of the amplification stage 1 from a preceding circuit (not shown), the high-frequency signal is not amplified by the amplification stage 1 and is not transmitted from the antenna. .
【0026】また、図2は、抵抗19の抵抗値をパラメ
ータとした場合の電池3の電圧と送信信号の出力電力と
の関係を示す特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between the voltage of the battery 3 and the output power of the transmission signal when the resistance value of the resistor 19 is used as a parameter.
【0027】図2において、縦軸は送信信号の出力電
力、横軸は電池3の電圧である。In FIG. 2, the vertical axis represents the output power of the transmission signal, and the horizontal axis represents the voltage of the battery 3.
【0028】ここで、図2を併用して、図1に図示の実
施例におけるバイアス電圧設定段2の動作について説明
する。ただし、この動作時には、スイッチング信号入力
端子23に正極性信号が供給されており、バイアス電圧
設定段2が能動状態にあるものとする。Here, the operation of the bias voltage setting stage 2 in the embodiment shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. In this operation, however, it is assumed that a positive polarity signal is supplied to the switching signal input terminal 23 and the bias voltage setting stage 2 is in an active state.
【0029】電池3の電池電圧VB がバイアス電圧設定
段2に供給されると、その電池電圧VB は定電圧回路1
6で定電圧化され、定電圧回路16の出力に2.9Vの
定電圧V2.9 が得られる。第1のバイアス電圧設定用ト
ランジスタ14には、エミッタに抵抗18(3)を介し
て定電圧V2.9 が加えられ、ベースに抵抗20(1)、
ダイオード20(2)、抵抗20(3)によって分圧さ
れた定電圧V2.9 と、抵抗19を介して電池電圧VB と
が加えられる。このとき、第1のバイアス電圧設定用ト
ランジスタ14は、エミッタ電圧が定電圧V2.9 に依存
したほぼ一定電圧に維持されるのに対し、ベース電圧が
同じく定電圧V2.9 に依存したほぼ一定電圧と電池電圧
VB に依存した変動電圧との重畳電圧VSUM になるの
で、そのコレクタ電圧に電池電圧VB に依存した変動す
るコレクタ電圧VC16 を発生させる。また、変動するコ
レクタ電圧VC16 は、抵抗17(1)を介して第2のバ
イアス電圧設定用トランジスタ15のベースに供給さ
れ、第2のバイアス電圧設定用トランジスタ15のエミ
ッタにも電池電圧VB に依存した変動するエミッタ電圧
VE17 を発生させる。そして、変動するコレクタ電圧V
C16 は、抵抗18(1)、18(4)、インダクタ8
(3)をそれぞれ介して初段増幅用トランジスタ5のベ
ースに供給され、変動するエミッタ電圧VE17 は、イン
ダクタ12(4)を介して次段増幅用トランジスタ6の
ベースに供給され、同時に、インダクタ13(3)を介
して終段増幅用トランジスタ7のベースに供給される。When the battery voltage V B of the battery 3 is supplied to the bias voltage setting stage 2, the battery voltage V B is applied to the constant voltage circuit 1.
6 and a constant voltage V 2.9 of 2.9 V is obtained at the output of the constant voltage circuit 16. A constant voltage V 2.9 is applied to the first bias voltage setting transistor 14 via the resistor 18 (3) at the emitter, and the resistor 20 (1) is connected to the base.
The constant voltage V 2.9 divided by the diode 20 (2) and the resistor 20 (3) and the battery voltage V B via the resistor 19 are applied. In this case, the first bias voltage setting transistor 14, while the emitter voltage is maintained substantially constant voltage depending on the constant voltage V 2.9, a substantially constant voltage the base voltage is also dependent on the constant voltage V 2.9 since the superposed voltage V SUM of the variable voltage which depends on the battery voltage V B, to generate the collector voltage V C16 vary depending on the battery voltage V B to the collector voltage. The fluctuating collector voltage V C16 is supplied to the base of the second bias voltage setting transistor 15 via the resistor 17 (1), and the battery voltage V B is also supplied to the emitter of the second bias voltage setting transistor 15. Generates a fluctuating emitter voltage V E17 depending on the voltage. And the fluctuating collector voltage V
C16 is a resistor 18 (1), 18 (4), an inductor 8
The fluctuating emitter voltage V E17, which is supplied to the base of the first-stage amplification transistor 5 via (3), is supplied to the base of the next-stage amplification transistor 6 via the inductor 12 (4). The signal is supplied to the base of the final-stage amplification transistor 7 via (3).
【0030】本実施例においては、電池電圧VB が電池
3の定格出力電圧である3.6Vを示すときに、重畳電
圧VSUM が所定電圧、例えば2Vになるように、抵抗2
0(5)や抵抗20(7)の抵抗値を定め、そのとき得
られた第1のバイアス電圧設定用トランジスタ14のコ
レクタ電圧(これを標準のコレクタ電圧VC16Sという)
によって初段増幅用トランジスタ5のベースバイアス電
圧が所定電圧VB5になるように抵抗18(1)、18
(2)の各抵抗値を設定し、同じくそのとき得られた第
2のバイアス電圧設定用トランジスタ15のエミッタ電
圧(これを標準のエミッタ電圧VE17Sという)によって
次段増幅用トランジスタ6のベースバイアス電圧が所定
電圧VB6に、終段増幅用トランジスタ7のベースバイア
ス電圧が所定電圧VB7になるように抵抗17(1)、可
変抵抗17(2)、抵抗17(3)の各抵抗値を設定す
る。[0030] In this embodiment, when the battery voltage V B indicates the 3.6V is the rated output voltage of the battery 3, as the superposed voltage V SUM becomes a predetermined voltage, e.g. 2V, resistance 2
0 (5) and the resistance value of the resistor 20 (7) are determined, and the collector voltage of the first bias voltage setting transistor 14 obtained at that time (this is referred to as a standard collector voltage V C16S ).
Thus, the resistors 18 (1) and 18 (1) and 18 (1) are set so that the base bias voltage of the first-stage amplification transistor 5 becomes the predetermined voltage VB5.
The respective resistance values of (2) are set, and the base bias of the next stage amplifying transistor 6 is determined by the emitter voltage of the second bias voltage setting transistor 15 (this is referred to as a standard emitter voltage VE17S ). The respective resistance values of the resistor 17 (1), the variable resistor 17 (2), and the resistor 17 (3) are set so that the voltage becomes the predetermined voltage V B6 and the base bias voltage of the final stage amplifying transistor 7 becomes the predetermined voltage V B7. Set.
【0031】かかる抵抗値の設定を行った場合、電池3
を交換してからまもない時期において、電池3の電圧V
B が3.6V以上であるときは、重畳電圧VSUM が所定
電圧、例えば2Vよりも高く、第1のバイアス電圧設定
用トランジスタ14のコレクタ電流が小さいので、第1
のバイアス電圧設定用トランジスタ14のコレクタ電圧
VC16 は標準のコレクタ電圧VC16Sよりも低く、同時
に、第2のバイアス電圧設定用トランジスタ15のエミ
ッタ電圧VE17 も標準のエミッタ電圧VE17Sよりも低
い。このため、初段増幅用トランジスタ5のベースバイ
アス電圧は、所定電圧VB5よりも低くなり、次段増幅用
トランジスタ6のベースバイアス電圧及び出力増幅用ト
ランジスタ7のベースバイアス電圧も、それぞれ、所定
電圧VB6及び所定電圧VB7よりも低くなる。When such a resistance value is set, the battery 3
Shortly after replacing the battery, the voltage V of the battery 3
When B is equal to or higher than 3.6 V, the superimposed voltage V SUM is higher than a predetermined voltage, for example, 2 V, and the collector current of the first bias voltage setting transistor 14 is small.
The collector voltage V C16 of the bias voltage setting transistor 14 is lower than the standard collector voltage V C16S , and at the same time, the emitter voltage V E17 of the second bias voltage setting transistor 15 is also lower than the standard emitter voltage V E17S . For this reason, the base bias voltage of the first-stage amplification transistor 5 becomes lower than the predetermined voltage V B5 , and the base bias voltage of the next-stage amplification transistor 6 and the base bias voltage of the output amplification transistor 7 are each equal to the predetermined voltage V B5. B6 and lower than the predetermined voltage VB7 .
【0032】このように、増幅段1を構成する初段、次
段、終段の各増幅用トランジスタ5、6、7のベースに
は、バイアス電圧設定段2を介して、電池3の電圧VB
が定格出力電圧を超えた値に対応し、その値に逆比例し
て低下する大きさのベースバイアス電圧が供給されるの
で、電池3の電圧VB が定格出力電圧よりも高いことに
伴う増幅段1の増幅度の増大は、初段、次段、終段の各
増幅用トランジスタ5、6、7のベースに供給されるベ
ースバイアス電圧の低下によって相殺され、増幅段1で
得られる送信信号の出力電力は電池3の電圧VB の超過
分に係わりなく一定になる。As described above, the voltage V B of the battery 3 is applied via the bias voltage setting stage 2 to the bases of the first, second, and last amplification transistors 5, 6, and 7 constituting the amplification stage 1.
There corresponds to the value exceeding the rated output voltage, since the base bias voltage of a magnitude that decreases in inverse proportion to the value is supplied, amplified voltage V B of the battery 3 due to higher than rated output voltage The increase in the amplification of the stage 1 is offset by the decrease in the base bias voltage supplied to the bases of the first, second, and last amplification transistors 5, 6, and 7, and the transmission signal obtained by the amplification stage 1 the output power is constant irrespective of the excess voltage V B of the battery 3.
【0033】ちなみに、電池3の電圧VB が3.6Vよ
りもやや低下したときは、重畳電圧VSUM が所定電圧、
例えば2Vよりも低下し、このとき、定電圧回路16か
ら出力されている定電圧V2.9 も若干低下し、第1のバ
イアス電圧設定用トランジスタ14のコレクタ電流は僅
かに増大し、第1のバイアス電圧設定用トランジスタ1
4のコレクタ電圧VC16 も標準のコレクタ電圧VC16Sよ
りも僅かに増大し、同時に、第2のバイアス電圧設定用
トランジスタ15のエミッタ電圧VE17 も標準のエミッ
タ電圧VE17Sよりも僅かに増大する。このため、初段増
幅用トランジスタ5のベースバイアス電圧は、所定電圧
VB5よりも僅かに増大し、次段増幅用トランジスタ6の
ベースバイアス電圧及び終段増幅用トランジスタ7のベ
ースバイアス電圧も、それぞれ、所定電圧VB6及び所定
電圧VB7よりも僅かに増大するので、電池3の電圧VB
が標準出力電圧から減少したことによる増幅段1の増幅
度の減少は相殺され、増幅度の変動は僅かながら補償さ
れる。By the way, when the voltage V B of the battery 3 is slightly lower than 3.6 V, the superimposed voltage V SUM becomes a predetermined voltage,
For example, the voltage drops below 2 V. At this time, the constant voltage V 2.9 output from the constant voltage circuit 16 also slightly decreases, the collector current of the first bias voltage setting transistor 14 slightly increases, and the first bias voltage Voltage setting transistor 1
4, the collector voltage V C16 slightly increases from the standard collector voltage V C16S , and at the same time, the emitter voltage V E17 of the second bias voltage setting transistor 15 also slightly increases from the standard emitter voltage V E17S . Therefore, the base bias voltage of the first-stage amplification transistor 5 is slightly higher than the predetermined voltage V B5 , and the base bias voltage of the next-stage amplification transistor 6 and the base bias voltage of the last-stage amplification transistor 7 are respectively Since the voltage slightly increases from the predetermined voltage V B6 and the predetermined voltage V B7 , the voltage V B
Is reduced from the standard output voltage, the decrease in the amplification of the amplification stage 1 is canceled out, and the fluctuation of the amplification is slightly compensated.
【0034】本実施例において、抵抗19の抵抗値を、
7.5kオーム、12kオーム、15kオーム、無限大
(非接続)に変化させると、電池3の電圧VB の変動に
伴う重畳電圧VSUM の電圧変動の度合、即ち、増幅段1
の送信信号の出力電力は、図2に示すように変化する。
この場合、電池3の電圧VB が変動しても、増幅段1の
送信信号の出力電力の変化が小さいことが望ましいの
で、本実施例においては、抵抗19として、送信信号の
出力電力の変化が小さいような抵抗値、例えば、12k
オームになるように選択している。In this embodiment, the resistance value of the resistor 19 is
When the voltage is changed to 7.5 k ohms, 12 k ohms, 15 k ohms, or infinity (not connected), the degree of the voltage fluctuation of the superimposed voltage V SUM accompanying the fluctuation of the voltage V B of the battery 3, that is, the amplification stage 1
The output power of the transmission signal changes as shown in FIG.
In this case, even if the voltage V B of the battery 3 fluctuates, it is desirable that the change in the output power of the transmission signal of the amplification stage 1 be small. Is small, for example, 12k
You have chosen to be an ohm.
【0035】また、本実施例において、第1のバイアス
電圧設定用トランジスタ14のエミッタに接続されてい
る抵抗18(3)は、信号入力端子9に大振幅の信号が
入力された場合に、初段増幅用トランジスタ5のコレク
タに流れる大電流によって初段増幅用トランジスタ5及
び定電圧回路16が破壊されるのを防ぐためのものであ
る。そして、初段増幅用トランジスタ5のコレクタ電流
が増大すると、抵抗18(3)によって第1のバイアス
電圧設定用トランジスタ14のエミッタ電圧及びコレク
タ電圧がともに低下し、そのコレクタ電圧の低下が初段
増幅用トランジスタ5のベースバイアス電圧を低下させ
る。即ち、第1のバイアス電圧設定用トランジスタ14
を含む初段増幅用トランジスタ5のバイアス回路は、帰
還バイアス回路を構成しており、初段増幅用トランジス
タ5の直流バイアスを安定化する働きを有するものであ
る。In the present embodiment, the resistor 18 (3) connected to the emitter of the first bias voltage setting transistor 14 is connected to the first stage when a large amplitude signal is input to the signal input terminal 9. This is to prevent the first stage amplifying transistor 5 and the constant voltage circuit 16 from being destroyed by a large current flowing through the collector of the amplifying transistor 5. When the collector current of the first-stage amplification transistor 5 increases, both the emitter voltage and the collector voltage of the first bias voltage setting transistor 14 decrease due to the resistor 18 (3). 5 is decreased. That is, the first bias voltage setting transistor 14
The bias circuit of the first-stage amplification transistor 5 includes a feedback bias circuit, and has a function of stabilizing the DC bias of the first-stage amplification transistor 5.
【0036】このように、本実施例によれば、電池3の
電圧が定格出力電圧よりも高いときに、増幅段1を構成
する各トランジスタ5、6、7のベースバイアス電圧を
標準のベースバイアス電圧よりも低下させ、電池3の電
圧が高いことに伴う増幅段1の増幅度の増大を抑圧して
いるので、電池3の電圧の変動に係わりなく、増幅段1
からの送信信号の出力電力を一定にすることができ、同
時に、電池3の電圧が高いことに伴う電池3の過剰な消
耗が抑えられ、電池3の寿命が長くなる。As described above, according to the present embodiment, when the voltage of the battery 3 is higher than the rated output voltage, the base bias voltage of each of the transistors 5, 6, 7 constituting the amplification stage 1 is changed to the standard base bias. Since the voltage is lower than the voltage and the increase in the amplification of the amplification stage 1 due to the high voltage of the battery 3 is suppressed, the amplification stage 1
The output power of the transmission signal from the battery 3 can be kept constant, and at the same time, excessive consumption of the battery 3 due to the high voltage of the battery 3 is suppressed, and the life of the battery 3 is prolonged.
【0037】また、本実施例によれば、定電圧回路16
がバイアス電圧設定段2内に組み込まれ、各増幅用トラ
ンジスタ5、6、7のベースバイアス電圧等の比較的小
電流を供給する個所にのみ定電圧を与えるのに用いられ
るので、定電圧回路16は、容量が小さく、比較的小電
流を出力するものを用いれば足り、定電圧回路16にお
ける消費電力が少なく、その分、電池3の消耗が抑えら
れ、電池3の寿命がさらに長くなる。Also, according to the present embodiment, the constant voltage circuit 16
Is provided in the bias voltage setting stage 2 and is used to apply a constant voltage only to a point where a relatively small current such as a base bias voltage of each of the amplifying transistors 5, 6, 7 is supplied. It is sufficient to use a device having a small capacity and outputting a relatively small current. The power consumption in the constant voltage circuit 16 is small, and accordingly, the consumption of the battery 3 is suppressed and the life of the battery 3 is further prolonged.
【0038】なお、本実施例においては、増幅段1が3
つの増幅用トランジスタ5、6、7から構成されている
場合を例に挙げて説明したが、本発明における増幅段1
の構成は、必ずしも3つの増幅用トランジスタ5、6、
7を用いたものに限られるものではなく、1つ以上のト
ランジスタを用いたものであれば、いかなる構成のもの
を用いても構わない。In this embodiment, the amplification stage 1 has three stages.
Although the description has been given by taking as an example the case where the amplifier stage is composed of two amplifying transistors 5, 6, and 7, the amplifying stage 1 of the present invention is used.
Is not necessarily composed of three amplifying transistors 5, 6,.
The structure is not limited to the structure using the transistor 7, and any structure having at least one transistor may be used.
【0039】また、増幅段1を構成する各トランジスタ
5、6、7のベースバイアス電圧を標準のベースバイア
ス電圧よりも低下させた場合の電池3の電圧VB は、標
準出力電圧である3.6Vに限られる必要はなく、標準
出力電圧以上にも、もしくは、標準出力電圧以下にも適
宜設定して構わない。The voltage V B of the battery 3 when the base bias voltage of each of the transistors 5, 6, and 7 constituting the amplification stage 1 is lower than the standard base bias voltage is a standard output voltage. The voltage is not necessarily limited to 6 V, and may be set to a value equal to or higher than the standard output voltage or equal to or lower than the standard output voltage.
【0040】[0040]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、電池を交換したばかりのときのように、電池の電
圧が所要の電圧よりも高いときは、高周波電力増幅段を
構成する各トランジスタの入力電極に低いバイアス電圧
が供給されて、トランジスタに流れる電流が比較的小さ
くなるように制御され、一方、電池を交換してから相当
時間が経過したときのように、電池の電圧が低くなった
ときは、トランジスタの入力電極に高いバイアス電圧が
供給されて、トランジスタに流れる電流が比較的大きく
なるように制御されるので、高周波電力増幅段の増幅度
が電池電圧の大きさに影響されず、送信信号の出力電力
が常時一定になるように制御される。As described in detail above, according to the present invention, when the battery voltage is higher than the required voltage, such as when the battery has just been replaced, the high-frequency power amplifier stage is formed. A low bias voltage is supplied to the input electrode of each transistor, so that the current flowing through the transistor is controlled to be relatively small, while the voltage of the battery is reduced as if a considerable amount of time had passed since the battery was replaced. When the voltage drops, a high bias voltage is supplied to the input electrode of the transistor, and the current flowing through the transistor is controlled to be relatively large, so the amplification of the high-frequency power amplification stage affects the magnitude of the battery voltage. Instead, it is controlled so that the output power of the transmission signal is always constant.
【0041】その上に、本発明によれば、電池の電圧が
高いときであっても、高周波電力増幅段に過剰な電力が
供給されることがなく、その分、電池の寿命を長くする
ことが可能になるという効果がある。In addition, according to the present invention, even when the battery voltage is high, excessive power is not supplied to the high-frequency power amplification stage, and the battery life is prolonged accordingly. There is an effect that it becomes possible.
【0042】また、本発明によれば、定電圧回路は、小
容量のもので、かつ、小電流のもので足りるので、定電
圧回路における電力消費が少なく、その分、電池の寿命
をさらに長くすることが可能になるという効果がある。Further, according to the present invention, since the constant voltage circuit needs to have a small capacity and a small current, the power consumption in the constant voltage circuit is small, and the life of the battery is prolonged accordingly. There is an effect that it becomes possible to do.
【図1】本発明に係わるトランジスタ高周波電力増幅器
の一実施例の構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an embodiment of a transistor high-frequency power amplifier according to the present invention.
【図2】抵抗19の抵抗値をパラメータとした場合の電
池の電圧と送信信号の出力電力との関係を示す特性図で
ある。FIG. 2 is a characteristic diagram illustrating a relationship between a battery voltage and an output power of a transmission signal when a resistance value of a resistor 19 is used as a parameter.
【図3】既知のトランジスタ高周波電力増幅器の一例の
構成を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of an example of a known transistor high-frequency power amplifier.
1 増幅段 2 バイアス電圧設定段 3 電池 4 トランジスタ高周波電力増幅器のオンオフ段 5 初段増幅用トランジスタ 6 次段増幅用トランジスタ 7 終段増幅用トランジスタ 8(1)、10(1)、12(1)、13(1) コン
デンサ 8(2)、10(2)、17(1)、17(3)、17
(4)、18(1)〜18(4)、19、20(1)、
20(3)、22 抵抗 8(3)、10(3)、12(2)〜12(4)、13
(2)、13(3)インダクタ 9 信号入力端子 11 信号出力端子 14 第1のバイアス電圧設定用トランジスタ 15 第2のバイアス電圧設定用トランジスタ 16 定電圧回路 17(2) 可変抵抗 20(2) ダイオードDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Amplification stage 2 Bias voltage setting stage 3 Battery 4 On / off stage of transistor high frequency power amplifier 5 First stage transistor 6 Secondary stage transistor 7 Final stage transistor 8 (1), 10 (1), 12 (1), 13 (1) Capacitor 8 (2), 10 (2), 17 (1), 17 (3), 17
(4), 18 (1) to 18 (4), 19, 20 (1),
20 (3), 22 Resistance 8 (3), 10 (3), 12 (2) to 12 (4), 13
(2), 13 (3) Inductor 9 Signal input terminal 11 Signal output terminal 14 First bias voltage setting transistor 15 Second bias voltage setting transistor 16 Constant voltage circuit 17 (2) Variable resistor 20 (2) Diode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03F 1/30 H03G 3/10 H04B 1/04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H03F 1/30 H03G 3/10 H04B 1/04
Claims (3)
れ、1個以上のトランジスタで構成される高周波電力増
幅段と、 前記電池電圧を入力して一定電圧を出力する定電圧回
路、及び該定電圧回路から出力される一定電圧と前記電
池電圧とを減算し、前記電池の出力電圧の変動と逆に変
動する制御電圧を出力する減算回路からなるバイアス電
圧設定手段と、 前記トランジスタの出力電極に前記電池電圧を駆動電圧
として供給し、前記トランジスタの入力電極に前記制御
電圧をバイアス電圧として供給するトランジスタ高周波
電力増幅器であって、 前記減算回路は、エミッタが前記定電圧回路の出力に接
続され、ベースが第1の抵抗器とダイオードとの直列接
続体を介して前記定電圧回路の出力と、第2の抵抗器を
介して前記電池と、第3の抵抗器を介して接地点とにそ
れぞれ接続され、コレクタが第4の抵抗器を介して接地
点に接続された第1のトランジスタを含み、前記コレク
タに得られる電圧に基づいて前記制御電圧を発生するこ
とを特徴とするトランジスタ高周波電力増幅器。1. A high-frequency power amplification stage used in a portable communication device that uses a battery as a power supply, the high-frequency power amplification stage including one or more transistors, a constant voltage circuit that inputs the battery voltage and outputs a constant voltage, and Bias voltage setting means comprising a subtraction circuit for subtracting a constant voltage output from the constant voltage circuit and the battery voltage and outputting a control voltage that fluctuates in reverse to the fluctuation of the output voltage of the battery; and an output of the transistor. A transistor high-frequency power amplifier that supplies the battery voltage as a driving voltage to an electrode and supplies the control voltage as a bias voltage to an input electrode of the transistor, wherein the subtraction circuit has an emitter connected to an output of the constant voltage circuit. The base has an output of the constant voltage circuit via a series connection of a first resistor and a diode, the battery via a second resistor, and a third resistor. A first transistor connected to the ground via a resistor and having a collector connected to the ground via a fourth resistor for generating the control voltage based on a voltage available at the collector A high frequency power transistor transistor.
記第1のトランジスタのエミッタに接続され、ベースが
前記第1のトランジスタのコレクタに接続された初段ト
ランジスタ増幅器を有することを特徴とする請求項1記
載のトランジスタ高周波電力増幅器。2. The high-frequency power amplifier stage includes a first-stage transistor amplifier having a collector connected to an emitter of the first transistor and a base connected to a collector of the first transistor. 2. The transistor high-frequency power amplifier according to 1.
記定電圧回路の出力との間に小抵抗値の第5の抵抗器が
接続されることを特徴とする請求項2記載のトランジス
タ高周波電力増幅器。3. The transistor high-frequency power amplifier according to claim 2, wherein a fifth resistor having a small resistance value is connected between an emitter of said first transistor and an output of said constant voltage circuit. .
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