JP3359479B2 - 研磨材、その製造方法及び研磨方法 - Google Patents
研磨材、その製造方法及び研磨方法Info
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Description
化ケイ素からなる(セリウム以外のランタノイド元素を
含まない)固溶体を含む微粒子研磨材、該微粒子研磨材
を含む安定なスラリー研磨材、該スラリー研磨材の製造
方法、及び該スラリー研磨材を用いることによる一段階
精密研磨方法に関するものであり、具体的には、シリコ
ン系化合物を主成分とする各種ガラスの研磨加工、シリ
コンウエハー等の半導体材料の研磨加工、半導体デバイ
ス工程におけるシリコン系化合物層間絶縁膜の研磨加工
等において、表面加工精度を極度に高くする必要のある
場合に用いるのに適した研磨材、その製造方法、及び研
磨方法に関するものである。
野のうち、微細な表面粗さが要求される分野について
は、コロイダルシリカを用いて研磨することが一般的で
ある。しかし、コロイダルシリカを用いた研磨では研磨
速度が低い(遅い)ので、研磨加工量が多い場合には、
例えば特開昭64−40267号公報に開示されている
ように、前加工として研磨速度の高い(速い)酸化セリ
ウムを主体とする研磨材で研磨加工を行い、その後、コ
ロイダルシリカに切替えて研磨を行う。このような二段
階の研磨加工になると、研磨加工設備が余分に必要にな
り、切替え時の段取に要する時間が無駄になる等のため
能率が著しく低下することになる。
傾向にあることから、コロイダルシリカに代わる研磨
材、即ち、研磨で達成される表面粗さがコロイダルシリ
カ研磨材で達成される微細な表面粗さと同等以上であ
り、研磨加工速度が酸化セリウムで達成される研磨加工
速度並みとなる研磨材は特に重要である。本出願人が先
に出願した特願平6−272761号において、半導体
デバイスの製造工程で用いるための平均粒径が0.1μ
m以下の酸化セリウムからなる研磨材を提案した。この
微粒子研磨材においては、従来の酸化セリウム系研磨材
における常識を破り、0.1μm以下という微細な粒子
であっても良好な研磨加工速度が得られ、シリカ系研磨
材を用いるよりも圧倒的に高い研磨加工速度が達成でき
た。
る研磨材を用いて石英ガラスを研磨すると、従来の酸化
セリウム系研磨材を用いて達成される表面粗さよりも微
細な表面粗さを得ることができた。にもかかわらず、研
磨加工速度は、従来の酸化セリウム系研磨材と同等レベ
ルであった。即ち、酸化セリウム微粒子を用いることに
より、研磨加工速度は酸化セリウム系研磨材並みで、達
成される表面粗さはコロイダルシリカ研磨材並みの研磨
材を得ることができる。
微粒子研磨材では、媒体(水)中への酸化セリウム微粒
子の分散が悪く、それで研磨機、被研磨加工物への研磨
材微粒子の均一な供給は困難である。また、研磨加工抵
抗が大きい為、被研磨加工物が薄い場合には被研磨加工
物が破損したり、研磨加工機が脆弱な場合には研磨加工
圧力を上げることができないという不都合がある。ま
た、研磨加工速度は研磨液のpHに敏感であり、pHを
10以上に維持しないと再現性の良い研磨加工速度が達
成されない。pHが10以上の領域で使用する研磨液
は、研磨加工のオペレータにとって扱いの困難な、また
危険な研磨液である。
のような課題を解決すること、即ち、研磨で達成される
表面粗さがコロイダルシリカ研磨材で達成される微細な
表面粗さと同等以上であり、研磨加工速度が酸化セリウ
ムで達成される研磨加工速度並みであり、中性域のpH
においても再現性の良い研磨加工速度が達成され、媒体
(水)中への分散性が良好で且つ安定しており、研磨加
工抵抗が低い微粒子研磨材、該微粒子研磨材を含む安定
なスラリー研磨材、該スラリー研磨材の製造方法、及び
該スラリー研磨材を用いることによる一段階精密研磨方
法を提供することである。
的を達成するために種々の試行錯誤を繰り返した。特公
昭53−6756号公報には、研磨速度を安定化させる
ために、シリカゾルを酸化セリウムスラリーに混合する
ことが開示されている。この開示に従ってシリカゾル
(日産化学製スノーテックスO、SiO2 含有率20
%)とCeO2 微粒子スラリーとを羽根式の攪拌機にて
攪拌混合したが、CeO2 の固形分を液中に安定に分散
させることはできなかった。しかしながら、このような
攪拌混合物を乾燥し、この乾燥後の粉体を湿式微粉砕機
により解凝集すると、完全に分散した安定なスラリーが
得られることが見出された。また、この場合に得られる
安定なスラリー中の固形物を透過電子顕微鏡で観察し、
EDX元素分析及びX線回折解析を行ったところ、Ce
O2 とSiO2 との単なる混合物ではなく、CeO2 と
SiO2 との固溶体となっていることが確認された。更
に、このようにして得られた研磨材は上記の目的を達成
し得ることも見出された。それで、このような固溶体を
形成することができ、長時間の放置にも沈降分離しない
スラリーが得られるように、CeO2 とSiO2 との反
応操作条件等について種々検討した。
び水を含む混合物を充分に攪拌混合し、その混合物を乾
燥し、乾燥後の粉体に液体を加え、湿式微粉砕機により
解凝集することによりスラリーを調製した。この処理に
より、SiO2 とCeO2 との固溶体が形成され、液体
中に固体が完全に分散したスラリーを得ることができ
た。これは、上記の混合物を一度乾燥することによりC
eO2 粒子とSiO2 粒子とが単一粒子レベルで近接
し、更に、湿式微粉砕機により解凝集することによって
CeO2 とSiO2 との固溶体が形成されたと考えられ
る。
研磨材を使用して研磨加工を行った所、従来の微粒子酸
化セリウム系研磨材を使用した場合に研磨加工速度が不
安定であった中性域の液条件においても安定的な研磨加
工速度が得られ、かつ、その研磨加工速度は従来と同等
以上に高いものであった。即ち、本発明のスラリー研磨
材の製造方法の第一の態様は、酸化セリウム微粒子又は
凝集塊、シリカゾル及び液体を含む混合物を攪拌混合
し、この混合物を乾燥し、乾燥後の粉体に液体を加え、
湿式微粉砕機により解凝集して、酸化セリウム及び酸化
ケイ素からなる(セリウム以外のランタノイド元素を含
まない)固溶体を含む微粒子研磨材を含有するスラリー
研磨材を得ることを特徴とする。
ゾル及び水を含む混合物を充分に攪拌混合し、その混合
物を乾燥し、乾燥後の粉体を高温熱処理し、その高温熱
処理した粉体を冷却後に液体と混合し、湿式微粉砕機に
より解凝集してスラリーを調製した。この処理により、
SiO2 とCeO2 との固溶体が形成され、液体中に固
体がほぼ完全に分散したスラリーを得ることができた。
良好な分散が得られる理由としては固溶体が形成される
ことにより個々の粒子の分極化が促進され、粒子同志の
凝集化が抑制され、小さな凝集体しか形成されないこと
にあると考えられる。また、この処理においてシリカ成
分はガラス化した。シリカがガラス化することによっ
て、このような酸化セリウム系研磨材で石英ガラスを研
磨加工する際にこのガラス化したシリカは酸化セリウム
系研磨材にメカノ作用を付加することになる。
研磨材を使用して研磨加工を行った所、従来の微粒子酸
化セリウム系研磨材を使用した場合に研磨加工速度が不
安定であった中性域の液条件においても安定的な研磨加
工速度が得られ、かつ、その研磨加工速度は従来の微粒
子酸化セリウム系研磨材に比較して約45%も高かっ
た。このスラリー研磨材を用いて研磨加工テストを実施
したところ、研磨加工抵抗は、従来の微粒子酸化セリウ
ム系研磨材に比較して低く、高荷重で研磨加工を行って
も研磨機械に振動等のトラブルは生じなかった。即ち、
本発明のスラリー研磨材の製造方法の第二の態様は、酸
化セリウム微粒子又は凝集塊、シリカゾル及び液体を含
む混合物を攪拌混合し、この混合物を乾燥し、シリカ成
分のガラス化のために乾燥後の粉体を高温熱処理し、そ
の高温熱処理した粉体を冷却後に液体と混合し、湿式微
粉砕機により解凝集して、酸化セリウム及び酸化ケイ素
からなる(セリウム以外のランタノイド元素を含まな
い)固溶体を含む微粒子研磨材を含有するスラリー研磨
材を得ることを特徴とする。
法で得られるスラリー研磨材中の本発明の微粒子研磨材
は、後記の実施例の記載からも明らかなように、酸化セ
リウム及び酸化ケイ素からなる(セリウム以外のランタ
ノイド元素を含まない)固溶体を含む。この研磨材を構
成する各微粒子は酸化セリウム及び酸化ケイ素からなる
(セリウム以外のランタノイド元素を含まない)固溶体
を含む微粒子だけからなるものであっても、或いは酸化
セリウム及び酸化ケイ素からなる(セリウム以外のラン
タノイド元素を含まない)固溶体を含む微粒子と酸化セ
リウムの微粒子との混合物であってもよい。尚、本発明
において「酸化セリウム及び酸化ケイ素からなる(セリ
ウム以外のランタノイド元素を含まない)固溶体を含む
微粒子」とは、微粒子全体にわたって固溶体となってい
るものであってもよく、或いは少なくとも表層部で固溶
体になっているものであってもよく、これらの状態は製
造条件に依存する。
中の酸化セリウム:酸化ケイ素の重量比が100:0.
1〜10であることが好ましい。その重量比が100:
0.1よりも小さい(酸化ケイ素の相対量が少ない)場
合には分散効果が小さく、また、その重量比が100:
10よりも大きい(酸化ケイ素の相対量が多い)場合に
は加工速度の低下をもたらす傾向がある。本発明の微粒
子研磨材においては、微粒子の平均粒径は、その研磨で
達成される表面粗さ、研磨加工速度及び媒体(水)中へ
の分散性を考慮すると、好ましくは0.01〜0.2μ
m、より好ましくは0.01〜0.1μmでであり、平
均粒径が0.01μm未満の場合には研磨加工速度が小
さく、0.2μmを超えると表面粗さが大きくなる。
セリウム微粒子又は凝集塊については、目的とする微粒
子研磨材の平均粒径と同じ平均粒径の酸化セリウム微粒
子又はそのような微粒子の凝集塊を用い、また酸化セリ
ウム微粒子は酸化セリウムを高濃度に抽出した高純度酸
化セリウムからなるものである。本発明で用いるシリカ
ゾルは特には限定されず、市販品として一般に入手でき
る何れのものでもよい。また、本発明で用いる液体は特
には限定されず、通常は水である。本発明の製造方法に
おいては、スラリー研磨材の製造における操作の容易
性、得られたスラリー研磨材の分散安定性及び研磨機能
等を考慮すると、酸化セリウム微粒子:シリカゾル(固
形分として計算した値):液体の配合比は重量比で好ま
しくは100:0.2〜20:50〜500、より好ま
しくは100:1〜15:100〜200である。
粉砕機による解凝集は当業者に周知の手段によって実施
することができる。本発明の製造方法において高温熱処
理は、シリカ成分のガラス化及びコストを考慮して、好
ましくは150〜1200℃、より好ましくは800〜
900℃で実施される。本発明の製造方法で得られるス
ラリー研磨材は、pHが中性であり、そのまま研磨材と
して石英ガラスの研磨加工に適用すると、研磨加工速度
は従来の微粒子酸化セリウム研磨材の45%以上高く、
研磨加工抵抗も低く、なおかつ、コロイダルシリカで達
成される表面粗さに匹敵する表面粗さを得ることができ
る。
れる表面粗さがコロイダルシリカ研磨材で達成される表
面粗さと同等以上であり、研磨加工速度が酸化セリウム
で達成される研磨加工速度並みであり、媒体(水)中へ
の分散性が良好で且つ安定しており、研磨加工抵抗が低
いので、シリコン系化合物を主成分とする基板の表面を
一段階で精密研磨することができる。
る。 実施例1 高純度酸化セリウム(凝集塊の平均粒径0.8μm) 2kg シリカゾル(SiO2 含有率20%) 0.3リットル (日産化学製スノーテックスO) 純水 2リットル の3成分を混合し、攪拌機で充分に攪拌混合してスラリ
ーとした。このスラリーを100℃に温度設定されたオ
ーブン中で水を蒸発乾固させて粉末を得た。その後この
粉末に純水を加えて再度スラリー化し、コロイドミルに
て解凝集を行ってスラリー研磨材(A)を得た。スラリ
ー中の微粒子の平均粒径は0.1μmであった。スラリ
ー研磨材(A)の製造の場合と同じ配合で混合し、蒸発
乾固させて得た粉末を電気炉中に800℃で5時間保持
した後、徐冷して得た粉末をスラリー研磨材(A)の製
造と同様にしてコロイドミルにて解凝集を行ってスラリ
ー研磨材(B)を得た。スラリー中の微粒子の平均粒径
は0.15μmであった。
の場合と同じ配合で混合し、攪拌機で充分に攪拌混合
し、このスラリーを100℃に温度設定されたオーブン
中で水を蒸発乾固させただけで得た研磨材(C)、スラ
リー研磨材(A)の製造の場合と同じ配合であるが、蒸
発乾固させずにそのままコロイドミルにて解凝集を行っ
て得たスラリー研磨材(D)、高純度酸化セリウムのみ
をそのまま純水でスラリー化し、コロイドミルにて解凝
集を行って得たスラリー研磨材(E)、更に、高純度酸
化セリウムのみをそのまま電気炉中に800℃で5時間
保持した後、徐冷しただけで得た研磨材(F)を準備し
た。
とを混合し、その液をマイクログリッドに滴下し、乾燥
させて透過型電子顕微鏡用試料とした。この試料の透過
型電子顕微鏡写真(40万倍)の一例を図1に示す。こ
の試料について、5個の数十〜100nm径の大きさの
粒子の約3nmφの領域(部位1、2、3、4及び5と
する)に電子ビームを入射してEDX元素分析を行い、
Ce及びSiについて定量を行った。そのEDX元素分
析によって得られたチャートは図2〜図6に示す通りで
あった。また、それらについてのCe及びSiの重量
%、原子%、正確度は表1に示す通りであった。
はSiを0.4〜1.7重量%含有するCeO2 粒子で
あった。SiがCeO2 粒子中に固溶しているかどうか
の厳密な解析のためには、X線回折により格子定数に変
化があるかどうかを調べる必要がある。Ce4+6配位の
イオン半径は0.80Åであり、Si4+6配位のイオン
半径は0.40Åであるので、SiがCeO2 粒子中に
固溶しているならば、Si含有CeO2 の格子定数はC
eO2 の格子定数よりも小さくなるはずである。上記の
スラリー研磨材(B)、研磨材(C)及び研磨材(F)
についてX線回折により格子定数を求めたところ、表2
に示す通りであった。
(C)及び研磨材(F)においてはSiがCeO2 粒子
中に固溶していないが、スラリー研磨材(B)において
は、SiがCeO2 粒子中に固溶している。更に、得ら
れたスラリーの沈降挙動について次のようにして調べ
た。スラリー研磨材(A)、(B)、(D)及び(E)
を、固形分濃度が5重量%になるように水で希釈し、こ
の希釈スラリーを1リットルのメスシリンダーに1リッ
トル分取し、充分震とうした後静置し、その後、時間の
経過と共に最上部の上澄み80ccを分取し、その中に
含有される固形分濃度を測定した。その結果を表3に示
す。
及び(E)を用いて下記の条件下で研磨加工を行い、研
磨加工速度を比較した。その際のpHについては、塩
酸、水酸化カリウムを用いて2〜12の間で変動させ
た。それぞれのスラリー濃度は15%に調整し、図7に
示す研磨機を用いて研磨加工を行った。図7において、
1は研磨布、2は被研磨加工物保持具、3は被研磨加工
物抑え治具、4はエアーシリンダー、5は研磨定盤、6
はスラリー研磨材、7は被研磨加工物である。 被研磨加工物 溶融石英(50×50×2mm) 研磨布 ロデール・ニッタ製 SUBA600 研磨加工圧力 0.12Kg/cm2 研磨加工時間 20分 研磨加工速度の安定性を確認するために、おのおののス
ラリーについて最も研磨加工速度の高いpHにおいて、
研磨加工を10回ずつ繰り返した。また、その際のpH
値を研磨加工開始時と10回目の研磨加工の終了時につ
いて測定した。それらの結果は表4に示す通りであっ
た。
リー研磨材(B)を用い、研磨布をロデール・ニッタ製
MHタイプとし、研磨加工圧力を0.4Kg/cm2 に
した以外は実施例2と同じ条件で研磨加工を行ったとこ
ろ、研磨加工抵抗による研磨機の振動も発生することが
なく、また研磨加工速度は3.0μm/分の高い値を示
した。ロデール・ニッタ製MHタイプの研磨布は酸化セ
リウム系研磨材に対しては研磨加工抵抗の高い研磨布で
あり、このタイプの研磨布にて研磨加工できれば、その
研磨材は研磨抵抗の高くないものであると認識できる。
の研磨加工条件で研磨加工を行った後の表面粗さをテン
コール・ジャパン(株)社製表面粗さ計、PC−10に
て測定した。比較の為に、フジミ・インコーポレイテッ
ド(株)製コロイダルシリカ コンポールEXを30%
の固形分濃度で用いて実施例2の条件にて研磨加工した
際の表面粗さを同じ装置にて測定した。その結果は表5
に示す通りであった。
される表面粗さがコロイダルシリカ研磨材で達成される
微細な表面粗さと同等以上であり、研磨加工速度が酸化
セリウムで達成される研磨加工速度並みであり、中性域
のpHにおいても再現性の良い研磨加工速度が達成さ
れ、媒体(水)中への分散性が良好で且つ安定してお
り、研磨加工抵抗が低いスラリー研磨材である。
型電子顕微鏡写真(40万倍)である。
粒子のEDX元素分析によって得られたチャートであ
る。
の粒子のEDX元素分析によって得られたチャートであ
る。
の他の粒子のEDX元素分析によって得られたチャート
である。
の粒子のEDX元素分析によって得られたチャートであ
る。
に別の粒子のEDX元素分析によって得られたチャート
である。
Claims (7)
- 【請求項1】酸化セリウム及び酸化ケイ素からなる(セ
リウム以外のランタノイド元素を含まない)固溶体を含
むことを特徴とする微粒子研磨材。 - 【請求項2】固溶体中の酸化セリウム:酸化ケイ素の重
量比が100:0.1〜10であることを特徴とする請
求項1記載の微粒子研磨材。 - 【請求項3】微粒子の平均粒径が0.01〜0.2μm
であることを特徴とする請求項1又は2記載の微粒子研
磨材。 - 【請求項4】請求項1、2又は3記載の微粒子研磨材を
含有することを特徴とするスラリー研磨材。 - 【請求項5】酸化セリウム微粒子又は凝集塊、シリカゾ
ル及び液体を含む混合物を攪拌混合し、この混合物を乾
燥し、乾燥後の粉体に液体を加え、湿式微粉砕機により
解凝集してスラリーを得ることを特徴とする請求項4記
載のスラリー研磨材の製造方法。 - 【請求項6】酸化セリウム微粒子又は凝集塊、シリカゾ
ル及び液体を含む混合物を攪拌混合し、この混合物を乾
燥し、シリカ成分のガラス化のために乾燥後の粉体を高
温熱処理し、その高温熱処理した粉体を冷却後に液体と
混合し、湿式微粉砕機により解凝集してスラリーを得る
ことを特徴とする請求項5記載の製造方法。 - 【請求項7】シリコン系化合物を主成分とする基板の表
面を請求項4記載のスラリー研磨材で研磨することを特
徴とする一段階精密研磨方法。
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