JP3234854B2 - 多層膜フィルタ及びその製造方法 - Google Patents
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- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、波長選択性を有する多
層膜フィルタ及びその製造方法に関し、特に多層膜を形
成するための基板が除去された、いわゆる基板無しの多
層膜フィルタ及びその製造方法に関する。
層膜フィルタ及びその製造方法に関し、特に多層膜を形
成するための基板が除去された、いわゆる基板無しの多
層膜フィルタ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、この種の多層膜フィルタは、透
明な例えばガラス基板上に多層膜を形成することにより
製造される。しかしながら、この基板付きの多層膜フィ
ルタは、基板の分だけ厚くなって光路長が長くなるの
で、合波、分波フィルタとして用いて光ファイバ間に配
置したり、レーザダイオードとフォトダイオードの間に
配置した場合に拡散光を集光するレンズが必要になると
いう難点がある。
明な例えばガラス基板上に多層膜を形成することにより
製造される。しかしながら、この基板付きの多層膜フィ
ルタは、基板の分だけ厚くなって光路長が長くなるの
で、合波、分波フィルタとして用いて光ファイバ間に配
置したり、レーザダイオードとフォトダイオードの間に
配置した場合に拡散光を集光するレンズが必要になると
いう難点がある。
【0003】そこで、例えば特開平4−7505号公報
には、基板上に多層膜を形成した後に、この基板を除去
した基板無しの多層膜フィルタが示されている。このよ
うな基板無しの多層膜フィルタによれば、基板が無い分
だけ素子を小型化することができ、また、合波、分波フ
ィルタとして用いて光ファイバ間に配置したり、レーザ
ダイオードとフォトダイオードの間に配置した場合に厚
みが薄いので集光レンズを省略することができる。
には、基板上に多層膜を形成した後に、この基板を除去
した基板無しの多層膜フィルタが示されている。このよ
うな基板無しの多層膜フィルタによれば、基板が無い分
だけ素子を小型化することができ、また、合波、分波フ
ィルタとして用いて光ファイバ間に配置したり、レーザ
ダイオードとフォトダイオードの間に配置した場合に厚
みが薄いので集光レンズを省略することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の基板無しの多層膜フィルタは、多層膜フィルタ
が多層の成膜層のみで構成されているので、各層の内部
応力や膨張係数の差によりカール等の変形が発生し、所
望の光学特性を得ることができない。そこで、合波、分
波フィルタとして用いて光ファイバ間やレーザダイオー
ドとフォトダイオードの間に配置する場合には、多層膜
の両面に光ファイバの先端やガラスを当接する方法が考
えられるが、この場合にも、多層膜の厚みは通常5〜1
0μm程度であるので、取扱いが非常に面倒であるとい
う問題がある。
た従来の基板無しの多層膜フィルタは、多層膜フィルタ
が多層の成膜層のみで構成されているので、各層の内部
応力や膨張係数の差によりカール等の変形が発生し、所
望の光学特性を得ることができない。そこで、合波、分
波フィルタとして用いて光ファイバ間やレーザダイオー
ドとフォトダイオードの間に配置する場合には、多層膜
の両面に光ファイバの先端やガラスを当接する方法が考
えられるが、この場合にも、多層膜の厚みは通常5〜1
0μm程度であるので、取扱いが非常に面倒であるとい
う問題がある。
【0005】本発明は、上記した従来技術の実情に鑑み
てなされたもので、その目的は、カール等の変形を防止
して所望の光学特性を得ることができ、また、取扱いを
簡単にすることができる基板無しの多層膜フィルタ及び
その製造方法を提供することにある。
てなされたもので、その目的は、カール等の変形を防止
して所望の光学特性を得ることができ、また、取扱いを
簡単にすることができる基板無しの多層膜フィルタ及び
その製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による多層膜フィルタの製造方法は、基板の
上に窓を有するフィルタ枠層を形成し、前記窓内の基板
の上及びフィルタ枠層の上に多層膜を形成し、前記基板
を前記フィルタ枠層及び多層膜から除去することを特徴
とする。
に、本発明による多層膜フィルタの製造方法は、基板の
上に窓を有するフィルタ枠層を形成し、前記窓内の基板
の上及びフィルタ枠層の上に多層膜を形成し、前記基板
を前記フィルタ枠層及び多層膜から除去することを特徴
とする。
【0007】また、本発明による多層膜フィルタの製造
方法は、単結晶Si基板の上にフィルタチップ毎に切断
するための溝をへき解方向に形成し、前記基板の上に前
記溝に沿って窓を有するフィルタ枠層を形成し、前記窓
内の基板の上及びフィルタ枠層の上に多層膜を形成し、
前記フィルタ枠層及び多層膜が形成された基板を前記溝
に沿って切断し、前記基板を前記フィルタ枠層及び多層
膜から除去することを特徴とする。
方法は、単結晶Si基板の上にフィルタチップ毎に切断
するための溝をへき解方向に形成し、前記基板の上に前
記溝に沿って窓を有するフィルタ枠層を形成し、前記窓
内の基板の上及びフィルタ枠層の上に多層膜を形成し、
前記フィルタ枠層及び多層膜が形成された基板を前記溝
に沿って切断し、前記基板を前記フィルタ枠層及び多層
膜から除去することを特徴とする。
【0008】また、本発明による多層膜フィルタの製造
方法は、基板の上に窓を有するフィルタ枠層を形成し、
前記窓内の基板の上及びフィルタ枠層の上に多層膜を保
護するための第1の保護層を形成し、前記保護層の上に
保護層より外側に突出しないように多層膜を形成し、前
記多層膜の上に多層膜より外側に突出するように第2の
保護層を形成し、前記基板を除去すると共に、前記多層
膜より外側に突出した位置でチップ毎に切断することを
特徴とする。
方法は、基板の上に窓を有するフィルタ枠層を形成し、
前記窓内の基板の上及びフィルタ枠層の上に多層膜を保
護するための第1の保護層を形成し、前記保護層の上に
保護層より外側に突出しないように多層膜を形成し、前
記多層膜の上に多層膜より外側に突出するように第2の
保護層を形成し、前記基板を除去すると共に、前記多層
膜より外側に突出した位置でチップ毎に切断することを
特徴とする。
【0009】また、前記フィルタ枠層の上面に枠に沿っ
て溝を形成し、この溝の上に前記多層膜を形成すること
を特徴とする。
て溝を形成し、この溝の上に前記多層膜を形成すること
を特徴とする。
【0010】更に、本発明による多層膜フィルタは、窓
を有するフィルタ枠層の上面に多層膜を形成すると共
に、前記多層膜を前記窓内に前記フィルタ枠層の下面と
面一になるように形成したことを特徴とする。
を有するフィルタ枠層の上面に多層膜を形成すると共
に、前記多層膜を前記窓内に前記フィルタ枠層の下面と
面一になるように形成したことを特徴とする。
【0011】また、本発明による多層膜フィルタは、前
記多層膜の上面、下面及び側面を覆うように保護膜を設
けたことを特徴とする。
記多層膜の上面、下面及び側面を覆うように保護膜を設
けたことを特徴とする。
【0012】また、フィルタ枠層の上面に枠に沿って溝
を形成し、この溝の上に前記多層膜を形成したことを特
徴とする。
を形成し、この溝の上に前記多層膜を形成したことを特
徴とする。
【0013】
【作用】本発明によれば、基板の上に窓を有するフィル
タ枠層を形成し、前記窓内の基板の上及びフィルタ枠層
の上に多層膜を形成し、基板をフィルタ枠層及び多層膜
から除去するので、カール等の変形を防止して所望の光
学特性を得ることができ、また、取扱いを簡単にするこ
とができる。
タ枠層を形成し、前記窓内の基板の上及びフィルタ枠層
の上に多層膜を形成し、基板をフィルタ枠層及び多層膜
から除去するので、カール等の変形を防止して所望の光
学特性を得ることができ、また、取扱いを簡単にするこ
とができる。
【0014】また、基板の上に窓を有するフィルタ枠層
を形成し、窓内の基板の上及びフィルタ枠層の上に多層
膜を保護するための第1の保護層を形成し、保護層の上
に保護層より外側に突出しないように多層膜を形成し、
多層膜の上に多層膜より外側に突出するように第2の保
護層を形成し、基板を除去すると共に多層膜より外側に
突出した位置でチップ毎に切断するので、カール等の変
形を防止することができると共に、プレーナ成膜法で保
護層を形成するので簡単な製造方法で外部からの水が多
層膜に侵入することを防止することができ、したがっ
て、所望の光学特性を得ることができる。また、取扱い
を簡単にすることができる。
を形成し、窓内の基板の上及びフィルタ枠層の上に多層
膜を保護するための第1の保護層を形成し、保護層の上
に保護層より外側に突出しないように多層膜を形成し、
多層膜の上に多層膜より外側に突出するように第2の保
護層を形成し、基板を除去すると共に多層膜より外側に
突出した位置でチップ毎に切断するので、カール等の変
形を防止することができると共に、プレーナ成膜法で保
護層を形成するので簡単な製造方法で外部からの水が多
層膜に侵入することを防止することができ、したがっ
て、所望の光学特性を得ることができる。また、取扱い
を簡単にすることができる。
【0015】また、窓を有するフィルタ枠層の上面に多
層膜を形成すると共に多層膜を窓内にフィルタ枠層の下
面と面一になるように形成したので、フィルタ枠層の下
面を光軸方向に位置合わせすることにより多層膜の面を
簡単に位置合わせすることができる。
層膜を形成すると共に多層膜を窓内にフィルタ枠層の下
面と面一になるように形成したので、フィルタ枠層の下
面を光軸方向に位置合わせすることにより多層膜の面を
簡単に位置合わせすることができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は本発明の第1実施例に係る基板無しの多層
膜フィルタの製造工程を示す説明図である。図1に示す
製造工程は、図1(d)に示す矩形のフィルタ窓4を有
するフィルタチップFを製造するためのものであり、ま
た、基板1は製造時のベースとなるのみであり、後で除
去される。基板1は例えばSi、金属等により構成さ
れ、厚さが1500μmのものが用いられる。
する。図1は本発明の第1実施例に係る基板無しの多層
膜フィルタの製造工程を示す説明図である。図1に示す
製造工程は、図1(d)に示す矩形のフィルタ窓4を有
するフィルタチップFを製造するためのものであり、ま
た、基板1は製造時のベースとなるのみであり、後で除
去される。基板1は例えばSi、金属等により構成さ
れ、厚さが1500μmのものが用いられる。
【0017】まず、図1(a)に示すように、この基板
1上に多層膜フィルタを保持するための枠層2が例えば
5〜10μmの厚みでイオンビームスパッタ法を用いて
成膜される。枠層2の材料は、製造工程時に各層が変形
しなよいうに基板1とほぼ同一の膨張係数を有し、内部
応力を最小化することができるものが選択される。例え
ば、基板1がSiの場合にはSiN4が用いられ、金属
の場合にはAlが用いられる。
1上に多層膜フィルタを保持するための枠層2が例えば
5〜10μmの厚みでイオンビームスパッタ法を用いて
成膜される。枠層2の材料は、製造工程時に各層が変形
しなよいうに基板1とほぼ同一の膨張係数を有し、内部
応力を最小化することができるものが選択される。例え
ば、基板1がSiの場合にはSiN4が用いられ、金属
の場合にはAlが用いられる。
【0018】次いで、図1(b)に示すように、これら
基板1と枠層2の上に所望の波長選択性を有する、例え
ばTiO2、SiO2等の多層膜3が形成される。したが
って、フィルタ窓4内の多層膜3は基板1上に形成され
るので、枠層2と多層膜3の下面は面一に形成される。
次いで、図1(c)に示すように、チップ毎に切断され
た後、図1(d)に示すように、基板1のみが除去され
ることにより、フィルタ窓4を有する枠付きのフィルタ
チップFが完成する。なお、図1(c)に示す基板1の
切断工程と、図1(d)に示す除去工程は逆でもよい。
基板1と枠層2の上に所望の波長選択性を有する、例え
ばTiO2、SiO2等の多層膜3が形成される。したが
って、フィルタ窓4内の多層膜3は基板1上に形成され
るので、枠層2と多層膜3の下面は面一に形成される。
次いで、図1(c)に示すように、チップ毎に切断され
た後、図1(d)に示すように、基板1のみが除去され
ることにより、フィルタ窓4を有する枠付きのフィルタ
チップFが完成する。なお、図1(c)に示す基板1の
切断工程と、図1(d)に示す除去工程は逆でもよい。
【0019】このように構成された多層膜フィルタによ
れば、図1(d)に示すように、各フィルタチップFの
多層膜3の回りが枠層2により保持され、また、枠層2
により囲まれた窓4が波長選択性を有するフィルタ部と
なるので、カール等の変形を防止して所望の光学特性を
得ることができる。なお、窓4の形状は矩形に限定され
ず、例えば円形であってもよい。また、図2に示すよう
に、枠層2の中央に溝2aを形成することにより、枠層
2と多層膜3との間の強度を高めるようにしてもよい。
れば、図1(d)に示すように、各フィルタチップFの
多層膜3の回りが枠層2により保持され、また、枠層2
により囲まれた窓4が波長選択性を有するフィルタ部と
なるので、カール等の変形を防止して所望の光学特性を
得ることができる。なお、窓4の形状は矩形に限定され
ず、例えば円形であってもよい。また、図2に示すよう
に、枠層2の中央に溝2aを形成することにより、枠層
2と多層膜3との間の強度を高めるようにしてもよい。
【0020】図3は本発明の第2実施例に係る基板無し
の多層膜フィルタの製造工程を示す説明図である。この
第2の実施例では基板1として単結晶Siが用いられて
おり、まず、図3(a)に示すように、単結晶Si基板
1の下面にチップ毎に切断するためのV溝1aがへき解
方向に沿って形成される。次いで、図3(b)に示すよ
うに、基板1の上にこのV溝1aに沿って窓4を有する
枠層2が形成され、更に、図3(c)に示すように、基
板1と枠層2の上に所望の波長選択性を有する、例えば
TiO2,SiO2等の多層膜3が形成される、次いで、
図3(d)に示すように、V溝1aに沿ってチップ毎に
切断された後、この基板1付きのチップをフッ酸中に浸
漬することにより、図3(e)に示すように、基板1が
フッ酸に溶解して除去されてフィルタ窓4を有する枠付
きのフィルタチップFが完成する。
の多層膜フィルタの製造工程を示す説明図である。この
第2の実施例では基板1として単結晶Siが用いられて
おり、まず、図3(a)に示すように、単結晶Si基板
1の下面にチップ毎に切断するためのV溝1aがへき解
方向に沿って形成される。次いで、図3(b)に示すよ
うに、基板1の上にこのV溝1aに沿って窓4を有する
枠層2が形成され、更に、図3(c)に示すように、基
板1と枠層2の上に所望の波長選択性を有する、例えば
TiO2,SiO2等の多層膜3が形成される、次いで、
図3(d)に示すように、V溝1aに沿ってチップ毎に
切断された後、この基板1付きのチップをフッ酸中に浸
漬することにより、図3(e)に示すように、基板1が
フッ酸に溶解して除去されてフィルタ窓4を有する枠付
きのフィルタチップFが完成する。
【0021】図4は本発明の第3実施例に係る基板無し
の多層膜フィルタの製造工程を示す説明図である。ここ
で、多層膜3を構成する材料として例えばTiO2,S
iO2は、外部からの水により組成が変化して波長選択
性が変化しやすく、伝送光をポンピング光で増幅する光
アンプにこのようなフィルタを用いても適正に増幅する
ことができなくなる。そこで、この第3実施例では、多
層膜3の上下の面に透光性を有し耐湿性のある緻密な
膜、例えばMgf2,AIN,AION,SiAIO
N,SiON等からなる保護膜5a,5bをプレーナ法
により成膜することにより、外部からの水が侵入しない
ようにしている。
の多層膜フィルタの製造工程を示す説明図である。ここ
で、多層膜3を構成する材料として例えばTiO2,S
iO2は、外部からの水により組成が変化して波長選択
性が変化しやすく、伝送光をポンピング光で増幅する光
アンプにこのようなフィルタを用いても適正に増幅する
ことができなくなる。そこで、この第3実施例では、多
層膜3の上下の面に透光性を有し耐湿性のある緻密な
膜、例えばMgf2,AIN,AION,SiAIO
N,SiON等からなる保護膜5a,5bをプレーナ法
により成膜することにより、外部からの水が侵入しない
ようにしている。
【0022】すなわち、図4(a)に示すように、基板
1上に窓4を有する枠層2が形成された後、図4(b)
に示すように、基板1と枠層2を全て覆うように第1の
保護膜5aが形成される。次いで、この第1の保護膜5
aの上に多層膜3を形成する場合には、第1の保護膜5
a全ての上に多層膜3を形成し、窓4に対応する領域と
その回りの一部の領域が覆われ、その外側は覆われない
ように、不要な多層膜3をエッチングで除去する。これ
により、図4(c)に示すように、第1の保護膜5aは
多層膜3より外側に突出するように形成される。
1上に窓4を有する枠層2が形成された後、図4(b)
に示すように、基板1と枠層2を全て覆うように第1の
保護膜5aが形成される。次いで、この第1の保護膜5
aの上に多層膜3を形成する場合には、第1の保護膜5
a全ての上に多層膜3を形成し、窓4に対応する領域と
その回りの一部の領域が覆われ、その外側は覆われない
ように、不要な多層膜3をエッチングで除去する。これ
により、図4(c)に示すように、第1の保護膜5aは
多層膜3より外側に突出するように形成される。
【0023】次いで、図4(d)に示すように、多層膜
3とその回りの第1の保護膜5aの上に第2の保護膜5
bが形成された後、基板1の除去と多層膜3より外側に
突出した位置でチップ毎に切断を行うことにより、多層
膜3の上面、下面、側面が全て第2の保護膜5bにより
覆われたフィルタチップFが完成する。
3とその回りの第1の保護膜5aの上に第2の保護膜5
bが形成された後、基板1の除去と多層膜3より外側に
突出した位置でチップ毎に切断を行うことにより、多層
膜3の上面、下面、側面が全て第2の保護膜5bにより
覆われたフィルタチップFが完成する。
【0024】図5は上記多層膜フィルタが適用された光
分波ユニット10の説明図である。この光分波ユニット
10は、前述した枠付きフィルタチップFと、先端の拡
散光を減少するように加工されたテックファイバ11
と、これらのフィルタチップF及びテックファイバ11
をガイドするためにマイクロマシニング加工、エッチン
グ加工されたガイド付きSi基体12と、この基体12
を覆う蓋13とによって構成され、フィルタチップFは
基体12に対して枠層2をレーザ溶接することにより固
定される。この場合、多層膜3と面一の枠層2の面を位
置合わせすることにより、多層膜3の面を簡単に位置合
わせすることができる。
分波ユニット10の説明図である。この光分波ユニット
10は、前述した枠付きフィルタチップFと、先端の拡
散光を減少するように加工されたテックファイバ11
と、これらのフィルタチップF及びテックファイバ11
をガイドするためにマイクロマシニング加工、エッチン
グ加工されたガイド付きSi基体12と、この基体12
を覆う蓋13とによって構成され、フィルタチップFは
基体12に対して枠層2をレーザ溶接することにより固
定される。この場合、多層膜3と面一の枠層2の面を位
置合わせすることにより、多層膜3の面を簡単に位置合
わせすることができる。
【0025】このように構成された光分波ユニット10
によれば、ファイバ11間にフィルタチップFを配置す
る場合に、フィルタチップFが薄いのでファイバ11間
距離を短くすることができ、したがって、集光レンズを
省略することができる。また、フィルタチップFが枠付
きであるので、カール等の変形を防止して所望の分波特
性を得ることができる。
によれば、ファイバ11間にフィルタチップFを配置す
る場合に、フィルタチップFが薄いのでファイバ11間
距離を短くすることができ、したがって、集光レンズを
省略することができる。また、フィルタチップFが枠付
きであるので、カール等の変形を防止して所望の分波特
性を得ることができる。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の上に窓を有するフィルタ枠層を形成し、前記窓内
の基板の上及びフィルタ枠層の上に多層膜を形成し、基
板をフィルタ枠層及び多層膜から除去するので、カール
等の変形を防止して所望の光学特性を得ることができ、
また、取扱いを簡単にすることができる。
基板の上に窓を有するフィルタ枠層を形成し、前記窓内
の基板の上及びフィルタ枠層の上に多層膜を形成し、基
板をフィルタ枠層及び多層膜から除去するので、カール
等の変形を防止して所望の光学特性を得ることができ、
また、取扱いを簡単にすることができる。
【0027】また、基板の上に窓を有するフィルタ枠層
を形成し、窓内の基板の上及びフィルタ枠層の上に多層
膜を保護するための第1の保護層を形成し、保護層の上
に保護層より外側に突出しないように多層膜を形成し、
多層膜の上に多層膜より外側に突出するように第2の保
護層を形成し、基板を除去すると共に多層膜より外側に
突出した位置でチップ毎に切断するので、カール等の変
形を防止することができると共に、プレーナ成膜法で保
護層を形成するので簡単な製造方法で外部からの水が多
層膜に侵入することを防止することができ、したがっ
て、所望の光学特性を得ることができる。また、取扱い
を簡単にすることができる。
を形成し、窓内の基板の上及びフィルタ枠層の上に多層
膜を保護するための第1の保護層を形成し、保護層の上
に保護層より外側に突出しないように多層膜を形成し、
多層膜の上に多層膜より外側に突出するように第2の保
護層を形成し、基板を除去すると共に多層膜より外側に
突出した位置でチップ毎に切断するので、カール等の変
形を防止することができると共に、プレーナ成膜法で保
護層を形成するので簡単な製造方法で外部からの水が多
層膜に侵入することを防止することができ、したがっ
て、所望の光学特性を得ることができる。また、取扱い
を簡単にすることができる。
【0028】また、窓を有するフィルタ枠層の上面に多
層膜を形成すると共に、多層膜を窓内にフィルタ枠層の
下面と面一になるように形成したので、フィルタ枠層の
下面を光軸方向に位置合わせすることにより、多層膜の
面を簡単に位置合わせすることができる。
層膜を形成すると共に、多層膜を窓内にフィルタ枠層の
下面と面一になるように形成したので、フィルタ枠層の
下面を光軸方向に位置合わせすることにより、多層膜の
面を簡単に位置合わせすることができる。
【図1】本発明の第1実施例に係る基板無しの多層膜フ
ィルタの製造工程を示す説明図である。
ィルタの製造工程を示す説明図である。
【図2】図1の枠層の変形例を示す説明図である。
【図3】本発明の第2実施例に係る基板無しの多層膜フ
ィルタの製造工程を示す説明図である。
ィルタの製造工程を示す説明図である。
【図4】本発明の第3実施例に係る基板無しの多層膜フ
ィルタの製造工程を示す説明図である。
ィルタの製造工程を示す説明図である。
【図5】本発明の多層膜フィルタが適用された光分波ユ
ニットを示す説明図である。
ニットを示す説明図である。
1 基板 1a V溝 2 枠層 2a 溝 3 多層膜 4 フィルタ窓 5a 第1の保護膜 5b 第2の保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 5/28
Claims (7)
- 【請求項1】 基板の上に窓を有するフィルタ枠層を形
成する工程と、前記窓内の基板の上及びフィルタ枠層の
上に多層膜を形成する工程と、前記基板を前記フィルタ
枠層及び多層膜から除去する工程とを具備してなる多層
膜フィルタの製造方法。 - 【請求項2】 単結晶Si基板の上にフィルタチップ毎
に切断するための溝をへき解方向に形成する工程と、前
記基板の上に前記溝に沿って窓を有するフィルタ枠層を
形成する工程と、前記窓内の基板の上及びフィルタ枠層
の上に多層膜を形成する工程と、前記フィルタ枠層及び
多層膜が形成された基板を前記溝に沿って切断する工程
と、前記基板を前記フィルタ枠層及び多層膜から除去す
る工程とを具備してなる多層膜フィルタの製造方法。 - 【請求項3】 基板の上に窓を有するフィルタ枠層を形
成する工程と、前記窓内の基板の上及びフィルタ枠層の
上に多層膜を保護するための第1の保護層を形成する工
程と、前記保護層の上に保護層より外側に突出しないよ
うに多層膜を形成する工程と、前記多層膜の上に多層膜
より外側に突出するように第2の保護層を形成する工程
と、前記基板を除去すると共に、前記多層膜より外側に
突出した位置でチップ毎に切断する工程とを具備してな
る多層膜フィルタの製造方法。 - 【請求項4】 前記フィルタ枠層の上面に枠に沿って溝
を形成し、この溝の上に前記多層膜を形成することを特
徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の多層膜フ
ィルタの製造方法。 - 【請求項5】 窓を有するフィルタ枠層の上面に多層膜
を形成すると共に、前記多層膜を前記窓内に前記フィル
タ枠層の下面と面一になるように形成したことを特徴と
する多層膜フィルタ。 - 【請求項6】 前記多層膜の上面、下面及び側面を覆う
ように保護膜を設けたことを特徴とする多層膜フィル
タ。 - 【請求項7】 フィルタ枠層の上面に枠に沿って溝を形
成し、この溝の上に前記多層膜を形成したことを特徴と
する請求項5または6に記載の多層膜フィルタ。
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---|---|---|---|
JP21891795A JP3234854B2 (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 多層膜フィルタ及びその製造方法 |
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US08/893,411 US6088162A (en) | 1995-08-28 | 1997-07-11 | Multilayered filter films |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP21891795A JP3234854B2 (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 多層膜フィルタ及びその製造方法 |
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Family
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JP21891795A Expired - Fee Related JP3234854B2 (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 多層膜フィルタ及びその製造方法 |
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CN101272982B (zh) | 2005-09-30 | 2012-03-21 | 高通Mems科技公司 | Mems装置及其互连 |
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US7535621B2 (en) | 2006-12-27 | 2009-05-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Aluminum fluoride films for microelectromechanical system applications |
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US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US7570415B2 (en) | 2007-08-07 | 2009-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
JP2015099084A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | カルソニックカンセイ株式会社 | 文字板構造 |
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CN111270215A (zh) * | 2020-03-17 | 2020-06-12 | 广州康滤净化科技有限公司 | 一种离子束法制备的金属过滤膜及其制备方法 |
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US4373775A (en) * | 1980-06-23 | 1983-02-15 | International Telephone And Telegraph Corporation | Fiber dichroic coupler |
DE3232498A1 (de) * | 1982-09-01 | 1984-03-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels roentgenstrahllithographie und verfahren zu ihrer herstellung |
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-
1995
- 1995-08-28 JP JP21891795A patent/JP3234854B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-22 US US08/685,014 patent/US5751487A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-11 US US08/893,411 patent/US6088162A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US6088162A (en) | 2000-07-11 |
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