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JP3230051B2 - 乾燥処理方法及びその装置 - Google Patents

乾燥処理方法及びその装置

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JP3230051B2
JP3230051B2 JP14111297A JP14111297A JP3230051B2 JP 3230051 B2 JP3230051 B2 JP 3230051B2 JP 14111297 A JP14111297 A JP 14111297A JP 14111297 A JP14111297 A JP 14111297A JP 3230051 B2 JP3230051 B2 JP 3230051B2
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JP
Japan
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drying
gas
carrier gas
heating
processing chamber
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JP14111297A
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光明 小美野
内澤　　修
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
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Priority to DE69838120T priority patent/DE69838120T2/de
Priority to KR1019980017625A priority patent/KR100483310B1/ko
Priority to SG1998001081A priority patent/SG74629A1/en
Priority to US09/079,768 priority patent/US6134807A/en
Priority to EP98108926A priority patent/EP0878832B1/en
Priority to CNB981024998A priority patent/CN1138117C/zh
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体に乾燥ガスを接
触して乾燥する乾燥処理方法及び装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の被処理体
（以下にウエハ等という）を薬液やリンス液（洗浄液）
等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄を行
う洗浄処理方法が広く採用されている。また、このよう
な洗浄処理装置においては、洗浄後のウエハ等の表面に
例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の揮発性を
有する溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させ、乾燥ガ
スの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハ等の水分の
除去及び乾燥を行う乾燥処理装置が装備されている（特
開平８−４５８９３号公報参照）。
【０００３】従来のこの種の乾燥処理装置は、特開平８
−４５８９３号公報に示すように、キャリアガス例えば
窒素（Ｎ2）ガスの供給部と、乾燥ガス例えばＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）を受ける多段の蒸発皿とヒ
ータを具備する蒸気発生器と、この蒸気発生器で生成さ
れた蒸気すなわち乾燥ガスを乾燥処理室に供給すべく開
閉弁を介設する主供給路と、主供給路を加熱するヒータ
とを具備してなる。
【０００４】上記のように構成される従来の乾燥処理装
置によれば、Ｎ2ガス供給源から供給されるＮ2ガスが蒸
気発生器に供給され、蒸気発生器で蒸発されたＩＰＡガ
スと混合されて主供給路を介して処理室内に供給され、
処理室内に収容されたウエハとＩＰＡガスとが接触して
ウエハ等の水分の除去及び乾燥を行うことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の乾燥処理装置においては、多段式の蒸発皿を有
する蒸気発生器にて乾燥ガスを生成する構造であるた
め、蒸気発生器の有する熱容量が限定されるので、ＩＰ
Ａの蒸発量が限定されてしまい、蒸発能力が低下すると
いう問題があった。したがって、蒸気発生器にＩＰＡを
供給してから停止するまでの時間すなわちＩＰＡガスの
発生から停止までの時間がかかり過ぎるという問題があ
った。
【０００６】また、蒸気発生器が多段式の蒸発皿を有す
るため、装置全体が大型になるという問題もあった。
【０００７】更には、乾燥工程に処理室内を大気圧以下
にする工程が含まれた場合、処理室内の大気圧以下の状
態から大気圧状態に戻す際に処理室内の雰囲気を極端に
変化させないようにする必要がある。その理由は、処理
室内の雰囲気の極端な変化に起因するパーティクルの巻
き上げ等を防止するためである。したがって、そのため
には、極めて少量のＮ2ガスを処理室内に供給しなけれ
ばならず、そのため多くの時間がかかり、処理能力の低
下を招くという問題があるが、その具体的解決手段がな
いのが現状である。
【０００８】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、キャリアガスの加熱手段の伝熱効率の向上、乾燥ガ
スの生成量の増大及び蒸気生成時間の短縮を図り、かつ
乾燥処理終了後の処理室内の雰囲気の乱れを防止するよ
うにした乾燥処理方法及びその装置を提供することを目
的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、被処理体を収容する処理室
内に乾燥用蒸気を供給して前記被処理体を乾燥する乾燥
処理方法において、キャリアガスを加熱する工程と、
加熱された前記キャリアガスによって乾燥ガス用液体を
霧状にすると共に、加熱して乾燥ガスを生成する工程
と、 前記乾燥ガスの流量を制御して前記処理室内に供
給する工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】請求項２記載の発明は、被処理体を収容す
る処理室内に乾燥用蒸気を供給して前記被処理体を乾燥
する乾燥処理装置において、 キャリアガスを加熱する
キャリアガス加熱手段と、 前記加熱手段によって加熱
された前記キャリアガスによって乾燥ガス用液体を霧状
にすると共に、加熱して乾燥ガスを生成する蒸気発生手
段と、を具備することを特徴とする。
【００１１】請求項３記載の発明は、被処理体を収容す
る処理室内に乾燥用蒸気を供給して前記被処理体を乾燥
する乾燥処理装置において、 キャリアガスを加熱する
キャリアガス加熱手段と、 前記加熱手段によって加熱
された前記キャリアガスによって乾燥ガス用液体を霧状
にすると共に、加熱して乾燥ガスを生成する蒸気発生手
段と、 前記乾燥用ガスの所定量を前記処理室内に供給
する流量制御手段と、を具備することを特徴とする。
【００１２】請求項４記載の発明は、請求項２又は３記
載の乾燥処理装置において、 前記キャリアガス加熱手
段は、キャリアガスの供給路に連通する導入管と、この
導入管内に挿入され、導入管の内壁面との間に螺旋状流
路を形成する流路形成管と、少なくとも前記流路形成管
の内方に挿入される加熱手段と、を具備することを特徴
とする。
【００１３】請求項５記載の発明は、請求項２又は３記
載の乾燥処理装置において、 前記キャリアガス加熱手
段は、キャリアガスの供給路に連通する導入管と、この
導入管内に挿入されるコイル状部材と、このコイル状部
材内に挿入される加熱手段とで、導入管の内壁面部に螺
旋状流路を形成することを特徴とする。
【００１４】この発明において、前記蒸気発生手段は、
加熱手段によって加熱された前記キャリアガスによって
乾燥ガス用液体を霧状にすると共に、加熱して乾燥ガス
を生成するものであれば、その構造は任意でよく、例え
ば蒸気発生手段を、キャリアガスの供給路に連通する管
状体内に形成される衝撃波形成部と、前記衝撃波形成部
の近傍に乾燥ガス用液体を供給する供給口と、前記衝撃
波形成部及び供給口の近傍、あるいはその下流側の管状
体の内方及び又は外方に配設される加熱手段とで主要部
を構成することができる（請求項６）。
【００１５】また、前記流量制御手段は、供給路に介設
される開度調整弁と、処理室内の圧力を検出する検出手
段からの信号と予め記憶された情報とを比較演算する制
御部と、この制御部からの信号に基いて開度調整弁の作
動圧を制御する制御弁と、を具備する方が好ましい（請
求項７）。
【００１６】また、前記乾燥ガスの供給路に、乾燥ガス
の温度検出手段を配設する方が好ましい（請求項８）。
この場合、前記温度検出手段を熱電対にて形成し、この
熱電対を、供給路を形成する管体に固着される受けナッ
トと、この受けナットにねじ結合される取付ナットとの
間に介在される金属製シール部材に溶接によって固着す
る方が好ましい（請求項９）。
【００１７】この発明によれば、キャリアガス供給源か
ら供給されるキャリアガスを加熱して蒸気発生手段に供
給し、蒸気発生手段において、キャリアガスによって蒸
気発生手段に供給される乾燥ガス用液体を霧状にし、か
つ加熱手段により加熱することにより乾燥ガスを生成す
ることができる。そして、生成された乾燥ガスを処理室
内に供給することで、処理室内に収容された被処理体に
乾燥ガスを接触させて被処理体を乾燥することができる
（請求項１，２）。
【００１８】また、流量制御手段により乾燥ガスの所定
の少量を制御しつつ処理室内に供給することで、乾燥工
程に、処理室内を大気圧以下にする工程がある場合にも
乾燥処理終了直前の処理室内の減圧雰囲気から大気圧雰
囲気に変換する際の急激な変化を抑制することができ、
パーティクル等の飛散による被処理体への付着を防止す
ることができる（請求項１，３）。
【００１９】また、キャリアガス加熱手段に、キャリア
ガスの供給路に連通する導入管と、この導入管内に挿入
され、導入管の内壁面との間に螺旋状流路を形成する流
路形成管と、流路形成管の内方に挿入される加熱手段を
具備させるか、あるいは、流路形成管に代えてコイル状
部材を用いて螺旋状流路を形成することで、キャリアガ
スと加熱手段との接触面積と接触滞留時間を増大させる
ことができ、キャリアガス加熱手段の熱伝達効率の向上
を図ることができると共に、所定温度のキャリアガスを
蒸気発生手段に供給することができる。したがって、キ
ャリアガス加熱手段を小型にすることができると共に、
乾燥ガスの生成効率を向上させることができる（請求項
４，５）。
【００２０】また、蒸気発生手段を、キャリアガスの供
給路に連通する管状体内に形成される衝撃波形成部と、
この衝撃波形成部の近傍に乾燥ガス用液体を供給する供
給口と、衝撃波形成部及び供給口の近傍あるいはその下
流側の管状体の内方及び又は外方に配設される加熱手段
とで主要部を構成することにより、乾燥ガス用液体を効
率よくかつ迅速に乾燥ガスに生成することができる（請
求項６）。したがって、乾燥処理の効率の向上を図るこ
とができると共に、蒸気発生手段を小型にすることがで
きる。
【００２１】また、流量制御手段に、供給路に介設され
る開度調整弁と、処理室内の圧力を検出する検出手段か
らの信号と予め記憶された情報とを比較演算する制御部
と、この制御部からの信号に基いて開度調整弁の作動圧
を制御する制御弁と、を具備することで、処理室内の圧
力変化に追従して開度調整弁を制御することができ、乾
燥工程に、処理室内を大気圧以下にする工程がある場合
にも乾燥終了後の処理室内の減圧雰囲気から大気圧雰囲
気への変換をスムースに行うことができる（請求項
７）。したがって、処理室内の減圧雰囲気から大気圧雰
囲気への変換時のパーティクルの飛散を防止することが
できると共に、被処理体へのパーティクルの付着を防止
することができる。
【００２２】加えて、乾燥ガスの供給路に、乾燥ガスの
温度検出手段を配設することにより、乾燥ガスの温度を
最適状態に維持することができる（請求項８）。この場
合、温度検出手段を熱電対にて形成し、この熱電対を、
供給路を形成する管体に固着される受けナットと、この
受けナットにねじ結合される取付ナットとの間に介在さ
れる金属製シール部材に溶接によって固着することによ
り、正確に乾燥ガスの温度を測定することができると共
に、外部リークを防止でき、温度サイクルに対しての温
度検出手段の信頼性を高めることができる（請求項
９）。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では半導体
ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説明
する。
【００２４】図１はこの発明に係る乾燥処理装置を適用
した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図、図２は
その概略側面図である。
【００２５】上記洗浄処理システムは、被処理体である
半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を水平状態に収
納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出するための搬
送部２と、ウエハＷを薬液、洗浄液等の液処理すると共
に乾燥処理する処理部３と、搬送部２と処理部３との間
に位置してウエハＷの受渡し、位置調整及び姿勢変換等
を行うインターフェース部４とで主に構成されている。
【００２６】上記搬送部２は、洗浄処理システムの一側
端部に併設して設けられる搬入部５と搬出部６とで構成
されている。また、搬入部５及び搬出部６のキャリア１
の搬入口５ａ及び搬出口６ｂには、キャリア１を搬入部
５、搬出部６に出入れ自在のスライド式の載置テーブル
７が設けられている。また、搬入部５と搬出部６には、
それぞれキャリアリフタ８（容器搬送手段）が配設さ
れ、このキャリアリフタ８によって搬入部間又は搬出部
間でのキャリア１の搬送を行うことができると共に、空
のキャリア１を搬送部２上方に設けられたキャリア待機
部９への受け渡し及びキャリア待機部からの受け取りを
行うことができるように構成されている（図２参照）。
【００２７】上記インターフェース部４は、区画壁４ｃ
によって搬入部５に隣接する第１の室４ａと、搬出部６
に隣接する第２の室４ｂとに区画されている。そして、
第１の室４ａ内には、搬入部５のキャリア１から複数枚
のウエハＷを取り出して搬送する水平方向（Ｘ，Ｙ方
向），垂直方向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウ
エハ取出しアーム１０（基板取出し手段）と、ウエハＷ
に設けられたノッチを検出するノッチアライナー１１
（位置検出手段）と、ウエハ取出しアーム１０によって
取り出された複数枚のウエハＷの間隔を調整する間隔調
整機構１２を具備すると共に、水平状態のウエハＷを垂
直状態に変換する第１の姿勢変換装置１３（姿勢変換手
段）が配設されている。
【００２８】また、第２の室４ｂ内には、処理済みの複
数枚のウエハＷを処理部３から垂直状態のまま受け取っ
て搬送するウエハ受渡しアーム１４（基板搬送手段）
と、ウエハ受渡しアーム１４から受け取ったウエハＷを
垂直状態から水平状態に変換する第２の姿勢変換装置１
３Ａ（姿勢変換手段）と、この第２の姿勢変換装置１３
Ａによって水平状態に変換された複数枚のウエハＷを受
け取って搬出部６に搬送された空のキャリア１内に収納
する水平方向（Ｘ，Ｙ方向），垂直方向（Ｚ方向）及び
回転（θ方向）可能なウエハ収納アーム１５（基板収納
手段）が配設されている。なお、第２の室４ｂは外部か
ら密閉されており、図示しない不活性ガス例えば窒素
（Ｎ2）ガスの供給源から供給されるＮ2ガスによって室
内が置換されるように構成されている。
【００２９】一方、上記処理部３には、ウエハＷに付着
するパーティクルや有機物汚染を除去する第１の処理ユ
ニット１６と、ウエハＷに付着する金属汚染を除去する
第２の処理ユニット１７と、ウエハＷに付着する酸化膜
を除去すると共に乾燥処理する洗浄・乾燥処理ユニット
であるこの発明に係る乾燥処理装置１８及びチャック洗
浄ユニット１９が直線状に配列されており、これら各ユ
ニット１６〜１９と対向する位置に設けられた搬送路２
０に、Ｘ，Ｙ方向（水平方向）、Ｚ方向（垂直方向）及
び回転（θ）可能なウエハ搬送アーム２１（搬送手段）
が配設されている。
【００３０】前記乾燥処理装置１８は、図３に示すよう
に、キャリアガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの供給源３０
に供給路３１ａを介して接続するＮ2ガス加熱手段とし
てのＮ2ガス加熱器３２（以下に単に加熱器という）
と、この加熱器３２に供給路３１ｂを介して接続する一
方、乾燥ガス用液体例えばＩＰＡの供給源３３に供給路
３１ｃを介して接続する蒸気発生手段としての蒸気発生
器３４と、この蒸気発生器３４と乾燥処理室３５（以下
に単に処理室という）とを接続する供給路３１ｄに配設
される流量制御手段３６とを具備してなる。この場合、
Ｎ2ガス供給源３０と加熱器３２とを接続する供給路３
１ａには開閉弁３７ａが介設されている。また、ＩＰＡ
供給源３３と蒸気発生器３４とを接続する供給路３１ｃ
には開閉弁３７ｂが介設され、この開閉弁３７ｂのＩＰ
Ａ供給源側には分岐路３８及び開閉弁３７ｃを介してＩ
ＰＡ回収部３９が接続されている。また、図３に二点鎖
線で示すように、蒸気発生器３４には、必要に応じてＩ
ＰＡのドレン管４０が接続され、このドレン管４０にド
レン弁４１が介設されると共に、チェッキ弁４２を介設
する分岐路４０ａが接続されている。このようにドレン
管４０、ドレン弁４１等を接続することにより、蒸気発
生器３４内をクリーニングする際の洗浄液等の排出に便
利となる。
【００３１】前記加熱器３２は、図４（ａ）に示すよう
に、Ｎ2ガスの供給路３１ａに連通する導入管４３と、
この導入管４３内に挿入され、導入管４３の内壁面との
間に螺旋状流路４４を形成する流路形成管４５と、この
流路形成管４５の内方に挿入される加熱手段例えばカー
トリッジヒータ４６とで主要部が構成されている。この
場合、導入管４３は、一端に供給路３１ａと接続する流
入口４３ａを有し、他端部の側面に、供給路３１ｂに接
続する流出口４３ｂが設けられている。また、流路形成
管４５は、図４（ｂ）に示すように、その外周面に例え
ば台形ねじのような螺旋状の凹凸溝４７が形成されて、
この螺旋状凹凸溝４７と導入管４３の内壁面４３ｃとで
螺旋状流路４４が形成されている。なお、螺旋状流路４
４は必ずしもこのような構造である必要はなく、例えば
導入管４３の内壁面に螺旋状凹凸溝を形成し、流路形成
管４５の外周面を平坦面としてもよく、あるいは導入管
４３の内壁面及び流路形成管４５の外周面の双方に螺旋
状凹凸溝を形成して螺旋状流路を形成するようにしても
よい。なお、加熱手段として、上記カートリッジヒータ
４６に加えて導入管４３の外部を加熱するヒータを設け
てもよい。
【００３２】上記説明では、導入管４３と、この導入管
４３内に挿入される流路形成管４５とで螺旋状流路４４
を形成する場合について説明したが、図５に示すよう
に、導入管４３と、この導入管４３内に挿入されるコイ
ル状部材例えばコイルスプリング４５Ａと、このコイル
スプリング４５Ａ内に挿入されるカートリッジヒータ４
６とで螺旋状流路４４を形成するようにしてもよい。す
なわち、導入管４３内にコイルスプリング４５Ａを挿入
すると共に、コイルスプリング４５Ａ内にカートリッジ
ヒータ４６を挿入して導入管４５Ａとカートリッジヒー
タ４３との間に介在されるコイルスプリング４５Ａによ
って導入管４３の内壁面部に螺旋状流路４４を形成する
ことができる。
【００３３】上記のように、Ｎ2ガス供給源３０側の供
給路３１ａに接続する導入管４３と、この導入管４３内
に挿入される流路形成管４５又はコイルスプリング４５
Ａとの間に螺旋状流路４４を形成し、流路形成管４５内
にカートリッジヒータ４６を挿入することにより、Ｎ2
ガスの流路とカートリッジヒータ４６との接触する流路
長さを長くすると共に、螺旋状の流れを形成して、それ
がない場合に比べ流速を早めることができ、その結果レ
イノルズ数（Ｒｅ数）及びヌッセルト数（Ｎｕ数）を増
大して、境界層を乱流領域に入れ、加熱器３２の伝熱効
率の向上を図ることができる。したがって、１本のカー
トリッジヒータ４６で効率よくＮ2ガスを所定温度例え
ば２００℃に加熱することができるので、加熱器３２を
小型化することができる。なお、加熱温度を更に高める
必要がある場合は、導入管４３の外側に外筒ヒータを配
設すればよい。
【００３４】前記蒸気発生器３４は、図６に示すよう
に、キャリアガスの供給路３１ｂに接続する例えばステ
ンレス鋼製のパイプ状本体５０にて形成されており、こ
のパイプ状本体５０の内周面にキャリアガスの流れ方向
に沿って漸次狭小となる狭小テーパ面５１ａと、この狭
小テーパ面５１ａの狭小部５１ｂから流れ方向に沿って
徐々に拡開する拡開テーパ面５１ｃとからなる衝撃波形
成部５１が形成されている。この衝撃波形成部５１は、
衝撃波形成部５１の流入側圧力（一次圧力）と流出側圧
力（二次圧力）との圧力差によって衝撃波が形成され
る。例えば、一次圧力（Kgf/cm2G）とＮ2ガスの通過流
量（Nl/min）を適宜選択することによって衝撃波を形成
することができる。例えば図７に示すように、狭小部５
１ｂの内径を１．４（mm），１．７（mm），２．０（m
m）とした場合、Ｎ2ガス通過流量が４０（Nl/min），６
０（Nl/min），８０（Nl/min）のとき衝撃波が発生す
る。この場合、衝撃波形成部５１の一次側と二次側を接
続する分岐路５２に圧力調整弁５３を介設して、この圧
力調整弁の調節によって衝撃波の発生条件を適宜設定し
ている。なお、一次側圧力を高めることが可能であれ
ば、圧力調整弁５３を用いなくても衝撃波形成が可能と
なる。
【００３５】このように形成される衝撃波形成部５１の
拡開テーパ面５１ｃの途中にはＩＰＡ供給口５４が開設
されている。この供給口５４にＩＰＡ供給管すなわち供
給路３１ｃを介してＩＰＡ供給源３３が接続されてい
る。また、拡開テーパ面５１ｃの流出側のパイプ状本体
５０内に内筒ヒータ５５が挿入され、その外側には外筒
ヒータ５６が配設されている。なおこの場合、衝撃波形
成部５１及びＩＰＡ供給口５４付近にヒータを設けても
よい。
【００３６】上記のように構成することにより、ＩＰＡ
供給源３３から供給されるＩＰＡを衝撃波形成部５１の
供給口５４から供給すると、衝撃波形成部５１で形成さ
れた衝撃波によってＩＰＡが霧状にされ、その後ヒータ
５５，５６の加熱によってＩＰＡ蒸気が生成される。こ
のときのＩＰＡ濃度は、例えば、Ｎ2ガス流量１００（N
l/min）の場合、ＩＰＡ供給量が１（cc/sec），２（cc/
sec），３（cc/sec）ではそれぞれＩＰＡ濃度は約２０
（％），約３０（％），約４０（％）となる。
【００３７】なお、上記説明では、供給口５４を衝撃波
形成部５１の二次側すなわち衝撃波発生後側に設けた場
合について説明したが、必ずしもこのような構成とする
必要はなく、供給口５４を衝撃波形成部５１の一次側す
なわち衝撃波発生前の位置に設けて、Ｎ2ガスとＩＰＡ
とを混合した後に衝撃波によって霧状にしてもよい。
【００３８】前記流量制御手段３６は、図３及び図８に
示すように、供給路３１ｄに介設される開度調整弁例え
ばダイアフラム弁６０と、前記処理室３５内の圧力を検
出する検出手段である圧力センサ６１からの信号と予め
記憶された情報とを比較演算する制御部例えばＣＰＵ６
２（中央演算処理装置）と、ＣＰＵ６２からの信号に基
いてダイアフラム弁６０の作動圧を制御する制御弁例え
ばマイクロバルブ６３とを具備してなる。
【００３９】この場合、マイクロバルブ６３は、例えば
図９に示すように、前記ダイアフラム弁６０の作動流体
例えば空気の流入路６４に排出路６５を連通し、この排
出路６５と対向する面に可撓性部材６６を介して制御液
体例えば熱伸縮性オイル６７を収容する室６８を形成す
ると共に、室６８における可撓性部材６６と対向する面
に配設される複数の抵抗ヒータ６９を配設してなる。な
おこの場合、可撓性部材６６は、上部材６３ａと下部材
６３ｃとの間に介在される中部材６３ｂを有すると共
に、下部材６３ｃと接合する台座６３ｄを有しており、
可撓性部材６６の撓み変形によって中部材６３ｂが排出
路６５を開閉し得るように構成されている。なお、この
マイクロバルブ６３は全体がシリコンにて形成されてい
る。
【００４０】このように構成することにより、前記ＣＰ
Ｕ６２からの信号をデジタル／アナログ変換させて抵抗
ヒータ６９に伝達されると、抵抗ヒータ６９が加熱され
ると共に、制御液体すなわちオイル６７が膨脹収縮し、
これにより可撓性部材６６が流入側に出没移動して排出
路６５の上部が開状態となり、制御流体すなわちガス圧
力を調節することができる。したがって、マイクロバル
ブ６３によって遅延制御された流体すなわち空気によっ
てダイアフラム弁６０を作動して予め記憶された情報と
処理室３５内の圧力を比較し、ダイアフラム弁６０の作
動を制御してＮ2ガスを処理室３５内に供給することが
でき、処理室３５内の圧力回復の時間制御を行うことが
できる。
【００４１】一方、前記処理室３５は、図１０に示すよ
うに、例えばフッ化水素酸等の薬液や純水等の洗浄液を
貯留（収容）し、貯留した洗浄液にウエハＷを浸漬する
洗浄槽７０の上部に形成されており、その上方に設けら
れたウエハＷの搬入・搬出用の開口部７０ａに蓋体７１
が開閉可能に装着されている。また、処理室３５と洗浄
槽７０との間には、複数例えば５０枚のウエハＷを保持
してこのウエハＷを洗浄槽７０内及び処理室３５内に移
動する保持手段例えばウエハボート７２が設けられてい
る。また、処理室３５内には、処理室３５内に供給され
たＩＰＡガスを冷却する冷却管７３を配設してもよい。
なお、洗浄槽７０は、底部に排出口７４を有する内槽７
５と、この内槽７５からオーバーフローした洗浄液を受
け止める外槽７６とで構成されている。なおこの場合、
内槽７５の下部に配設される薬液又は純水の供給ノズル
７７から内槽７５内に供給され貯留される薬液又は純水
にウエハＷが浸漬されて洗浄されるようになっている。
また、外槽７６の底部に設けられた排出口７６ａに排出
管７６ｂが接続されている。このように構成することに
より、洗浄処理されたウエハＷはウエハボート７２によ
って処理室３５内に移動され、処理室３５内に供給され
るＩＰＡガスと接触し、ＩＰＡガスの蒸気を凝縮あるい
は吸着させて、ウエハＷの水分の除去及び乾燥が行なわ
れる。
【００４２】なお、供給路３１ｄには、前記ダイアフラ
ム弁６０の下流側（二次側）にフィルタ８０が介設され
ており、パーティクルの少ない乾燥ガスを供給できるよ
うに構成されている。また、供給路３１ｄの外側には保
温用ヒータ８１が配設されてＩＰＡガスの温度を一定に
維持し得るように構成されている。
【００４３】更に、供給路３１ｄの処理室３５側にはＩ
ＰＡガスの温度センサ９０（温度検出手段）が配設され
て、供給路３１ｄ中を流れるＩＰＡガスの温度が測定さ
れるようになっている。この温度センサ９０は熱電対９
５にて形成されており、かつ熱電対９５は、図１１に示
すように、供給路３１ｄを構成する例えばステンレス鋼
製の管体３１Ａに固着されると共に、管体３１Ａに設け
られた挿入孔３１ｅに連通する貫通孔９１を有する例え
ばステンレス鋼製の受けナット９２と、この受けナット
９２にねじ結合される例えばステンレス鋼製の取付ナッ
ト９３との間に介在される金属製シール部材例えばメタ
ルガスケット９４に溶接によって固着されている。
【００４４】この場合、受けナット９２及び取付ナット
９３にはそれぞれ熱電対９５を貫挿するフランジ付きの
スリーブ９６，９７が嵌着されており、取付ナット９３
のスリーブ９７には熱電対９５を固定保持する保持筒９
８が固着されている。このように構成される温度センサ
９０を供給路３１ｄに取り付けるには、まずメタルガス
ケット９４を熱電対９５に溶接（例えばティグ溶接）に
よって固定し、熱電対９５の先端側を受けナット９２内
の貫通孔９１及び挿入孔３１ｅ内を嵌挿して供給路３１
ｄ内に配設し、次に、受けナット９２に取付ナット９３
をねじ結合することにより、受けナット９２のスリーブ
９６と取付ナット９３のスリーブ９７のフランジ９６
ａ，９７ａ間にメタルガスケット９４を挾持固定した状
態で取り付けることができる。したがって、取付部のデ
ッドスペースを少なくすることができるので、熱電対９
５により正確に供給路３１ｄ中を流れるＩＰＡガスの温
度を測定することができ、また、外部リークを防止する
ことができると共に、温度サイクルに対しての温度セン
サ９０の信頼性の向上を図ることができる。なお、ここ
では、温度センサ９０に関して説明したが、このような
構造はその他のサンプリング例えば濃度を検出するとき
にも使用できる。
【００４５】次に、この発明に係る乾燥処理装置の動作
態様について説明する。まず、上記のように洗浄槽７０
に搬入されたウエハＷを洗浄処理した後、ウエハボート
７２を上昇させてウエハＷを処理室３５内に移動する。
このとき、処理室３５は蓋体７１が閉塞される。この状
態において、前記加熱器３２により加熱されたＮ2ガス
によって蒸気発生器３４で生成された乾燥ガスすなわち
ＩＰＡガスを処理室３５内に供給することにより、ＩＰ
ＡガスとウエハＷが接触し、ＩＰＡガスの蒸気が凝縮あ
るいは吸着されて、ウエハＷの水分の除去及び乾燥が行
われる。
【００４６】乾燥処理が終了あるいは終了直前になる
と、ＩＰＡの供給が停止する。乾燥中は排出管７６ｂよ
り排気又は必要に応じて減圧を行う場合があり、処理室
３５内が大気圧より低くなることがある。そのため、処
理室３５内の圧力を検出する圧力センサ６１からの信号
と、予め記憶された情報とをＣＰＵ６２で比較演算して
その出力信号をマイクロバルブ６３に送り、マイクロバ
ルブ６３にて遅延制御された制御流体例えば空気によっ
てダイアフラム弁６０が作動して、処理室３５内の圧力
に応じた少量のＮ2ガスが処理室３５内に供給され、処
理室３５内の雰囲気が徐々に大気圧下状態から大気圧状
態に置換される。したがって、乾燥処理後の処理室３５
内の雰囲気が大気圧下状態から一気に大気圧状態になる
ことがなく、巻き上げによるウエハＷへのパーティクル
の付着等を防止することができる。
【００４７】このようにして、処理室３５内の圧力を大
気圧に置換した後、蓋体７１が開放し、処理室３５の上
方へ移動してきた搬送アーム（図示せず）と上昇するウ
エハボート７２との間でウエハＷの受け渡しを行う。ウ
エハＷを受け取った搬送アームは処理室３５上方から後
退して前記インターフェース部４へウエハＷを搬送す
る。
【００４８】なお、上記実施形態では、この発明に係る
乾燥処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用
した場合について説明したが、洗浄処理以外の処理シス
テムにも適用できることは勿論であり、また、半導体ウ
エハ以外のＬＣＤ用ガラス基板等にも適用できることは
勿論である。
【００４９】また、上記実施形態では、乾燥方法に関し
て、水とＩＰＡの置換による方法について説明したが、
この他にマランゴニー力を利用した乾燥装置等乾燥ガス
を処理室内に供給することによって被処理体を乾燥する
方法や装置に適用できることは勿論である。
【００５０】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、以下のような優れた効果が得られる。
【００５１】１）請求項１又は２記載の発明によれば、
キャリアガスによって蒸気発生手段に供給される乾燥ガ
ス用液体を霧状にし、かつ加熱手段により加熱すること
により乾燥ガスを効率よく生成することができ、生成さ
れた乾燥ガスを処理室内に供給することで、処理室内に
収容された被処理体に乾燥ガスを接触させて被処理体を
乾燥することができる。
【００５２】２）請求項１又は３記載の発明によれば、
流量制御手段により乾燥ガスの所定の少量を制御しつつ
処理室内に供給することで、乾燥終了後の処理室内の減
圧雰囲気から大気圧雰囲気に変換する際の急激な変化を
抑制することができ、パーティクル等の飛散による被処
理体への付着を防止することができる。
【００５３】３）請求項４又は５記載の発明によれば、
キャリアガス加熱手段は、キャリアガスの供給路に連通
する導入管と、この導入管内に挿入され、導入管の内壁
面との間に螺旋状流路を形成する流路形成管又はコイル
状部材と、流路形成管の内方に挿入される加熱手段とを
具備してなるので、キャリアガスと加熱手段との接触面
積と接触滞留時間を増大させることができ、キャリアガ
ス加熱手段の熱伝達効率の向上を図ることができると共
に、所定温度のキャリアガスを蒸気発生手段に供給する
ことができる。したがって、上記１）に加えてキャリア
ガス加熱手段を小型にすることができると共に、乾燥ガ
スの生成効率を向上させることができる。
【００５４】４）請求項６記載の発明によれば、蒸気発
生手段を、キャリアガスの供給路に連通する管状体内に
形成される衝撃波形成部と、この衝撃波形成部の近傍に
乾燥ガス用液体を供給する供給口と、衝撃波形成部及び
供給口の近傍あるいはその下流側の管状体の内方及び又
は外方に配設される加熱手段とで主要部を構成すること
により、乾燥ガス用液体を効率よくかつ迅速に乾燥ガス
を生成することができる。したがって、上記１）に加え
て乾燥処理の効率の向上を図ることができると共に、蒸
気発生手段を小型にすることができる。
【００５５】５）請求項７記載の発明によれば、流量制
御手段は、供給路に介設される開度調整弁と、処理室内
の圧力を検出する検出手段からの信号と予め記憶された
情報とを比較演算する制御部と、この制御部からの信号
に基いて開度調整弁の作動圧を制御する制御弁と、を具
備するので、処理室内の圧力変化に追従して開度調整弁
を制御することができ、乾燥終了後の処理室内の減圧雰
囲気から大気圧雰囲気への変換をスムースに行うことが
できる。したがって、上記２）に加えて処理室内の減圧
雰囲気から大気圧雰囲気への変換時のパーティクルの飛
散を防止することができると共に、被処理体へのパーテ
ィクルの付着を防止することができる。
【００５６】６）請求項８記載の発明によれば、乾燥ガ
スの供給路に、乾燥ガスの温度検出手段を配設すること
により、乾燥ガスの温度を最適状態に維持することがで
きる。また、温度検出手段を熱電対にて形成し、この熱
電対を、供給路を形成する管体に固着される受けナット
と、この受けナットにねじ結合される取付ナットとの間
に介在される金属製シール部材に溶接によって固着する
ことにより、正確に乾燥ガスの温度を測定することがで
きると共に、外部リークを防止でき、温度サイクルに対
しての温度検出手段の信頼性を高めることができる（請
求項９）。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る乾燥処理装置を適用した洗浄処
理システムの概略平面図である。
【図２】上記洗浄処理システムの概略側面図である。
【図３】この発明に係る乾燥処理装置の概略構成図であ
る。
【図４】この発明におけるキャリアガス加熱器の断面図
（ａ）及びその要部の一部断面図（ｂ）である。
【図５】この発明におけるキャリアガス加熱器の別の実
施形態の一部を拡大してを示す断面図である。
【図６】この発明における蒸気発生器の一例を示す断面
図である。
【図７】蒸気発生器における一次圧力と乾燥用ガス流量
との関係を示すグラフである。
【図８】この発明における流量制御手段の概略構成図で
ある。
【図９】上記流量制御手段の制御弁の一例を示す断面図
である。
【図１０】この発明における処理室を示す概略断面図で
ある。
【図１１】この発明における温度検出手段の取付状態を
示す断面図である。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ３０ Ｎ2ガス供給源（キャリアガス供給源） ３１ａ〜３１ｄ 供給路 ３２ 加熱器（キャリアガス加熱手段） ３３ ＩＰＡ供給源（乾燥ガス用液体供給源） ３４ 蒸気発生器（蒸気発生手段） ３５ 処理室（乾燥処理室） ３６ 流量制御手段 ４３ 導入管 ４４ 螺旋状流路 ４５ 流路形成管 ４５Ａ コイルスプリング（コイル状部材） ４６ カートリッジヒータ ５０ パイプ状本体（管状体） ５１ 衝撃波形成部 ５４ ＩＰＡ供給口 ５５ 内筒ヒータ ５６ 外筒ヒータ ６０ ダイアフラム弁（開度調整弁） ６１ 圧力センサ ６２ ＣＰＵ（制御部） ６３ マイクロバルブ（制御弁） ９０ 温度センサ（温度検出手段） ９１ 貫通孔 ９２ 受けナット ９３ 取付ナット ９４ メタルガスケット ９５ 熱電対
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−335601（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 651

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体を収容する処理室内に乾燥用蒸
    気を供給して前記被処理体を乾燥する乾燥処理方法にお
    いて、 キャリアガスを加熱する工程と、 加熱された前記キャリアガスによって乾燥ガス用液体を
    霧状にすると共に、加熱して乾燥ガスを生成する工程
    と、 前記乾燥ガスの流量を制御して前記処理室内に供給する
    工程と、を有することを特徴とする乾燥処理方法。
  2. 【請求項２】 被処理体を収容する処理室内に乾燥用蒸
    気を供給して前記被処理体を乾燥する乾燥処理装置にお
    いて、 キャリアガスを加熱するキャリアガス加熱手段と、 前記加熱手段によって加熱された前記キャリアガスによ
    って乾燥ガス用液体を霧状にすると共に、加熱して乾燥
    ガスを生成する蒸気発生手段と、を具備することを特徴
    とする乾燥処理装置。
  3. 【請求項３】 被処理体を収容する処理室内に乾燥用蒸
    気を供給して前記被処理体を乾燥する乾燥処理装置にお
    いて、 キャリアガスを加熱するキャリアガス加熱手段と、 前記加熱手段によって加熱された前記キャリアガスによ
    って乾燥ガス用液体を霧状にすると共に、加熱して乾燥
    ガスを生成する蒸気発生手段と、 前記乾燥ガスの所定量を前記処理室内に供給する流量制
    御手段と、を具備することを特徴とする乾燥処理装置。
  4. 【請求項４】 請求項２又は３記載の乾燥処理装置にお
    いて、 前記キャリアガス加熱手段は、キャリアガスの供給路に
    連通する導入管と、この導入管内に挿入され、導入管の
    内壁面との間に螺旋状流路を形成する流路形成管と、少
    なくとも前記流路形成管の内方に挿入される加熱手段
    と、を具備することを特徴とする乾燥処理装置。
  5. 【請求項５】 請求項２又は３記載の乾燥処理装置にお
    いて、 前記キャリアガス加熱手段は、キャリアガスの供給路に
    連通する導入管と、この導入管内に挿入されるコイル状
    部材と、このコイル状部材内に挿入される加熱手段と
    で、導入管の内壁面部に螺旋状流路を形成することを特
    徴とする乾燥処理装置。
  6. 【請求項６】 請求項２又は３記載の乾燥処理装置にお
    いて、 前記蒸気発生手段は、キャリアガスの供給路に連通する
    管状体内に形成される衝撃波形成部と、前記衝撃波形成
    部の近傍に乾燥ガス用液体を供給する供給口と、前記衝
    撃波形成部及び供給口の近傍あるいはその下流側の管状
    体の内方及び又は外方に配設される加熱手段と、を具備
    することを特徴とする乾燥処理装置。
  7. 【請求項７】 請求項３記載の乾燥処理装置において、 前記流量制御手段は、供給路に介設される開度調整弁
    と、前記処理室内の圧力を検出する検出手段からの信号
    と予め記憶された情報とを比較演算する制御部と、この
    制御部からの信号に基いて前記開度調整弁の作動圧を制
    御する制御弁と、を具備することを特徴とする乾燥処理
    装置。
  8. 【請求項８】 請求項２又は３記載の乾燥処理装置にお
    いて、 前記乾燥ガスの供給路に、乾燥ガスの温度検出手段を配
    設したことを特徴とする乾燥処理装置。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の乾燥処理装置において、 前記温度検出手段を熱電対にて形成し、この熱電対を、
    供給路を形成する管体に固着される受けナットと、この
    受けナットにねじ結合される取付ナットとの間に介在さ
    れる金属製シール部材に溶接によって固着してなること
    を特徴とする乾燥処理装置。
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SG1998001081A SG74629A1 (en) 1997-05-16 1998-05-15 Drying processing method and apparatus using same
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Families Citing this family (380)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT407680B (de) * 1999-06-04 2001-05-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren und vorrichtung zum trocknen von scheibenförmigen gegenständen
US6401353B2 (en) * 2000-03-08 2002-06-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate dryer
US6502591B1 (en) * 2000-06-08 2003-01-07 Semitool, Inc. Surface tension effect dryer with porous vessel walls
US6401361B1 (en) * 2000-11-15 2002-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for drying wafers by a solvent
US6519869B2 (en) * 2001-05-15 2003-02-18 United Microelectronics, Corp. Method and apparatus for drying semiconductor wafers
KR20020087310A (ko) * 2001-05-15 2002-11-22 삼성전자 주식회사 웨이퍼 건조 장치
DE10216786C5 (de) * 2002-04-15 2009-10-15 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
JP3802446B2 (ja) * 2002-05-15 2006-07-26 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
US6918192B2 (en) * 2002-11-07 2005-07-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate drying system
US6928748B2 (en) * 2003-10-16 2005-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method to improve post wafer etch cleaning process
JP2006156648A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US7637029B2 (en) * 2005-07-08 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Vapor drying method, apparatus and recording medium for use in the method
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
WO2007047163A2 (en) * 2005-10-04 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for drying a substrate
KR100786700B1 (ko) * 2006-07-14 2007-12-21 삼성전자주식회사 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP4762835B2 (ja) 2006-09-07 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体
CN101210769B (zh) * 2006-12-25 2010-04-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶片干燥方法及装置
JP4805862B2 (ja) * 2007-02-21 2011-11-02 富士通セミコンダクター株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法
JP5184631B2 (ja) * 2008-06-02 2013-04-17 東京エレクトロン株式会社 流体加熱器、その製造方法、流体加熱器を備えた基板処理装置および基板処理方法
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
CN102467141A (zh) * 2010-10-28 2012-05-23 汉唐科技股份有限公司 烘烤与烘烤后的低温干燥环境控制整合装置
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
TWI522589B (zh) * 2011-07-08 2016-02-21 友達光電股份有限公司 乾燥設備及乾燥方法
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN102602684A (zh) * 2012-03-14 2012-07-25 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板基材的运输控制方法及系统
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
ITMI20131867A1 (it) * 2013-11-11 2015-05-12 Iwt Srl Apparato di abbattimento vapori per macchine di lavaggio e macchina di lavaggio comprendente apparato
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
CN103920630B (zh) * 2013-12-03 2016-09-21 华南理工大学 一种有机涂层充氮控氧密闭循环干燥设备及工艺
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9349620B2 (en) * 2014-07-09 2016-05-24 Asm Ip Holdings B.V. Apparatus and method for pre-baking substrate upstream of process chamber
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
JP6543481B2 (ja) 2015-02-23 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 蒸気供給装置、蒸気乾燥装置、蒸気供給方法および蒸気乾燥方法
US9829249B2 (en) * 2015-03-10 2017-11-28 Mei, Llc Wafer dryer apparatus and method
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR101860631B1 (ko) * 2015-04-30 2018-05-23 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
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US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
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US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
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US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
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US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
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US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
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US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
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CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
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TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220009518A (ko) * 2020-07-15 2022-01-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
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USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4736758A (en) * 1985-04-15 1988-04-12 Wacom Co., Ltd. Vapor drying apparatus
US4878931A (en) * 1988-08-29 1989-11-07 Quadrex Hps Inc. Two stage vapor recovery system
US4967486A (en) * 1989-06-19 1990-11-06 Glatt Gmbh Microwave assisted fluidized bed processor
WO1991007239A1 (fr) * 1989-11-21 1991-05-30 Interface Technical Laboratories Co., Ltd. Methode et appareil de sechage
US4982512A (en) * 1989-12-11 1991-01-08 Jvc Magnetics America Co. Vapor recovery system
US5371950A (en) * 1990-02-23 1994-12-13 S & K Products International, Inc. Isopropyl alcohol vapor dryer system
US5054210A (en) * 1990-02-23 1991-10-08 S&K Products International, Inc. Isopropyl alcohol vapor dryer system
NL9000484A (nl) * 1990-03-01 1991-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het in een centrifuge verwijderen van een vloeistof van een oppervlak van een substraat.
US5052126A (en) * 1990-06-21 1991-10-01 Rolf Moe Vapor drier for semiconductor wafers and the like
JP2752001B2 (ja) * 1990-10-19 1998-05-18 株式会社日立製作所 蒸気乾燥装置
US5226242A (en) * 1992-02-18 1993-07-13 Santa Clara Plastics, Division Of Preco, Inc. Vapor jet dryer apparatus and method
US5351419A (en) * 1992-07-27 1994-10-04 Motorola, Inc. Method for vapor drying
JP2902222B2 (ja) * 1992-08-24 1999-06-07 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置
JPH06177200A (ja) * 1992-12-09 1994-06-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の形成方法
JP3003016B2 (ja) * 1992-12-25 2000-01-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5575079A (en) * 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
JP2894535B2 (ja) * 1994-01-18 1999-05-24 信越半導体株式会社 ウェーハホルダー
US5539995A (en) * 1994-03-16 1996-07-30 Verteq, Inc. Continuous flow vapor dryer system
US5535525A (en) * 1994-03-17 1996-07-16 Vlsi Technology, Inc. Vapor/liquid phase separator for an open tank IPA-dryer
JP3302170B2 (ja) * 1994-04-15 2002-07-15 新日本製鐵株式会社 竪型電解処理装置
JP3066249B2 (ja) 1994-07-28 2000-07-17 大日本スクリーン製造株式会社 蒸気発生装置
JPH08189768A (ja) * 1994-11-07 1996-07-23 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 蒸気乾燥装置、それを組込んだ洗浄装置および蒸気乾燥方法
TW301761B (ja) * 1994-11-29 1997-04-01 Sharp Kk
US5715612A (en) * 1995-08-17 1998-02-10 Schwenkler; Robert S. Method for precision drying surfaces
US5752532A (en) * 1995-08-17 1998-05-19 Schwenkler; Robert S. Method for the precision cleaning and drying surfaces
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
US5815942A (en) * 1996-12-13 1998-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor drying system and method
JP3897404B2 (ja) * 1997-07-22 2007-03-22 オメガセミコン電子株式会社 ベーパ乾燥装置及び乾燥方法
US5884640A (en) * 1997-08-07 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for drying substrates

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