JP3214910B2 - 平面導波路型光増幅器の製造方法 - Google Patents
平面導波路型光増幅器の製造方法Info
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- JP3214910B2 JP3214910B2 JP21902792A JP21902792A JP3214910B2 JP 3214910 B2 JP3214910 B2 JP 3214910B2 JP 21902792 A JP21902792 A JP 21902792A JP 21902792 A JP21902792 A JP 21902792A JP 3214910 B2 JP3214910 B2 JP 3214910B2
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- glass material
- light
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバ間を通る光を
増幅する平面導波路型光増幅器の製造方法に関し、特に
希土類元素を用いた平面導波路型光増幅器の製造方法に
関する。
増幅する平面導波路型光増幅器の製造方法に関し、特に
希土類元素を用いた平面導波路型光増幅器の製造方法に
関する。
【0002】一般に、光通信システムで使用される光増
幅器としては、光ファイバのコアにエルビウム(Er)
等の希土類元素を混入したファイバ型光増幅器がもちい
られている。
幅器としては、光ファイバのコアにエルビウム(Er)
等の希土類元素を混入したファイバ型光増幅器がもちい
られている。
【0003】
【従来の技術】図4はファイバ型光増幅器の構成を示す
図である。光ファイバ31を通る波長1.53μmの信
号光は、合波器32に入力される。合波器32では、励
起光出力器33からの波長1.48μmの励起光と信号
光とを合成し、Erドープ光ファイバ34に送る。Er
ドープ光ファイバ34では、信号光が増幅される励起光
が吸収される。分波器35では、増幅された信号光と、
Erドープ光ファイバ34により吸収されなかった励起
光とを分離し、信号光のみを光ファイバ36に出力す
る。
図である。光ファイバ31を通る波長1.53μmの信
号光は、合波器32に入力される。合波器32では、励
起光出力器33からの波長1.48μmの励起光と信号
光とを合成し、Erドープ光ファイバ34に送る。Er
ドープ光ファイバ34では、信号光が増幅される励起光
が吸収される。分波器35では、増幅された信号光と、
Erドープ光ファイバ34により吸収されなかった励起
光とを分離し、信号光のみを光ファイバ36に出力す
る。
【0004】しかし、このようなファイバ型光増幅器
は、合波器32や分波器35等の取り付けや調整に手間
がかかるという欠点があった。また、Erドープ光ファ
イバ34の余長部分の巻き付け半径にも制限があること
から、増幅器全体の小型化が困難であった。
は、合波器32や分波器35等の取り付けや調整に手間
がかかるという欠点があった。また、Erドープ光ファ
イバ34の余長部分の巻き付け半径にも制限があること
から、増幅器全体の小型化が困難であった。
【0005】このため、近年では、シリコン基板または
石英ガラス基板上にEr等の希土類元素をドープしたガ
ラス膜を堆積させ、それをエッチングすることによりコ
アを形成した平面導波路型光増幅器が提案されている。
石英ガラス基板上にEr等の希土類元素をドープしたガ
ラス膜を堆積させ、それをエッチングすることによりコ
アを形成した平面導波路型光増幅器が提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような平
面導波路型光増幅器では、製法上コア全体に希土類元素
をドープしなくてはならなかった。このため、増幅部以
外の部分では信号光や励起光が減衰して、高い増幅効率
が得られないという問題点があった。
面導波路型光増幅器では、製法上コア全体に希土類元素
をドープしなくてはならなかった。このため、増幅部以
外の部分では信号光や励起光が減衰して、高い増幅効率
が得られないという問題点があった。
【0007】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、製造や取り付けが簡単であり、小型でありな
がら高い増幅率を得ることができる平面導波路型光増幅
器の製造方法を提供することを目的とする。
のであり、製造や取り付けが簡単であり、小型でありな
がら高い増幅率を得ることができる平面導波路型光増幅
器の製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】図1は上記目的を達成す
る本発明の平面導波路型光増幅器の製造方法の原理図で
ある。光増幅用コア4の増幅部4b付近には、溝4dが
形成され、溝4dには希土類元素混入ガラス材5が充填
される。
る本発明の平面導波路型光増幅器の製造方法の原理図で
ある。光増幅用コア4の増幅部4b付近には、溝4dが
形成され、溝4dには希土類元素混入ガラス材5が充填
される。
【0009】
【作用】光増幅用コア4の増幅部4b付近に溝4dを形
成した上で希土類元素混入ガラス材5を充填するので、
容易にかつ正確に光増幅用コア4の増幅部4b付近のみ
に希土類元素をドープすることができる。
成した上で希土類元素混入ガラス材5を充填するので、
容易にかつ正確に光増幅用コア4の増幅部4b付近のみ
に希土類元素をドープすることができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図1は本実施例の平面導波路型光増幅器の構成
を示す平面図である。平面導波路型光増幅器1は、シリ
コン基板2の上に厚さ約7μmのコア4,6,7が形成
されている。また、その周囲にはクラッド3が形成され
ている。クラッド3は二酸化ケイ素(SiO2 )で形成
されており、コア4,6,7を囲むように形成されてい
る。コア4,6,7は、主に二酸化ゲルマニウム(Ge
O2 )、五酸化二リン(P2 O5 )をドープした石英ガ
ラス膜である。
明する。図1は本実施例の平面導波路型光増幅器の構成
を示す平面図である。平面導波路型光増幅器1は、シリ
コン基板2の上に厚さ約7μmのコア4,6,7が形成
されている。また、その周囲にはクラッド3が形成され
ている。クラッド3は二酸化ケイ素(SiO2 )で形成
されており、コア4,6,7を囲むように形成されてい
る。コア4,6,7は、主に二酸化ゲルマニウム(Ge
O2 )、五酸化二リン(P2 O5 )をドープした石英ガ
ラス膜である。
【0011】コア4は中央部付近が増幅部4bとなって
いる光増幅用のコアであり、その光結合部4aには入力
用の光ファイバ8が、光分離部4cには出力用の光ファ
イバ9がそれぞれ結合されている。コア6は励起光導入
用のコアであり、励起光出力器10から出力される励起
光をコア4の光結合部4aに導く。コア7は励起光分離
用のコアであり、コア4で吸収されずに余った励起光を
分離する。
いる光増幅用のコアであり、その光結合部4aには入力
用の光ファイバ8が、光分離部4cには出力用の光ファ
イバ9がそれぞれ結合されている。コア6は励起光導入
用のコアであり、励起光出力器10から出力される励起
光をコア4の光結合部4aに導く。コア7は励起光分離
用のコアであり、コア4で吸収されずに余った励起光を
分離する。
【0012】コア4には長手方向に約幅7μm、深さ約
5μmの溝4dが形成されており、その溝4dにはガラ
ス材5が充填されている。ガラス材5はエルビウム(E
r)が混入されたアルキルシリケート液をガラス化した
ものである。溝4dは、ガラス材5の中央部5bがコア
4に沿って直線的になるように、また、端部5aおよび
5cがテーパ状になるように形成されている。
5μmの溝4dが形成されており、その溝4dにはガラ
ス材5が充填されている。ガラス材5はエルビウム(E
r)が混入されたアルキルシリケート液をガラス化した
ものである。溝4dは、ガラス材5の中央部5bがコア
4に沿って直線的になるように、また、端部5aおよび
5cがテーパ状になるように形成されている。
【0013】図2は図1のA−A線に沿う断面図であ
る。クラッド3およびコア4は基板2の上にCVD(ch
emical vapour deposition) 法により形成されている。
すなわち、基板2の上には、最初に下地となるクラッド
3aが形成され、その上からコア4が火炎法およびエッ
チングにより形成される。溝4dはコア4のエッチング
のときに同時に形成される。
る。クラッド3およびコア4は基板2の上にCVD(ch
emical vapour deposition) 法により形成されている。
すなわち、基板2の上には、最初に下地となるクラッド
3aが形成され、その上からコア4が火炎法およびエッ
チングにより形成される。溝4dはコア4のエッチング
のときに同時に形成される。
【0014】エッチングが終了すると、溝4dにガラス
材5が充填される。ガラス材5は、エルビウム(Er)
を2000ppm混入したアルキルシリケート液を溝4
dに注入し、150°Cで約2時間加熱し、ガラス化し
たものである。また、ガラス材5には、コア中央部への
光パワー集中度を高めるために、二酸化ゲルマニウム
(GeO2 )、五酸化二リン(P2 O5 )が多めにドー
プされている。これにより、コア4の他の部分よりも屈
折率が高くなっている。さらに、ガラス材5には、増幅
帯域を広げるためにアルミニウム(Al)もドープされ
ている。
材5が充填される。ガラス材5は、エルビウム(Er)
を2000ppm混入したアルキルシリケート液を溝4
dに注入し、150°Cで約2時間加熱し、ガラス化し
たものである。また、ガラス材5には、コア中央部への
光パワー集中度を高めるために、二酸化ゲルマニウム
(GeO2 )、五酸化二リン(P2 O5 )が多めにドー
プされている。これにより、コア4の他の部分よりも屈
折率が高くなっている。さらに、ガラス材5には、増幅
帯域を広げるためにアルミニウム(Al)もドープされ
ている。
【0015】図1に戻り、このような構成を有する本実
施例の平面導波路型光増幅器1の動作を説明する。光フ
ァイバ8から信号光が入力されると、コア6から送られ
る励起光とコア4の光結合部で結合する。結合した信号
光および励起光は、ガラス材5を通過する。このとき、
ガラス材5の端部5aはテーパ状に形成されているの
で、コア4とガラス材5との間の屈折率に連続性が持た
されている。これにより、信号光および励起光は、ほと
んどパワー損失することなくコア4とガラス材5間との
接続面を通過する。
施例の平面導波路型光増幅器1の動作を説明する。光フ
ァイバ8から信号光が入力されると、コア6から送られ
る励起光とコア4の光結合部で結合する。結合した信号
光および励起光は、ガラス材5を通過する。このとき、
ガラス材5の端部5aはテーパ状に形成されているの
で、コア4とガラス材5との間の屈折率に連続性が持た
されている。これにより、信号光および励起光は、ほと
んどパワー損失することなくコア4とガラス材5間との
接続面を通過する。
【0016】ガラス材5に入力された信号光および励起
光は、中央部5bを通過する。このとき、信号光は励起
光からエネルギを受けて増幅し、一方、励起光はガラス
材5内のErによって大部分が吸収される。増幅された
信号光は、ガラス材5の端部5cおよびコア4の光分離
部4cを通過する。端部5cは、前述の端部5aと同様
にテーパ状に形成されているので、同じ理由から信号光
のパワー損失は少ない。
光は、中央部5bを通過する。このとき、信号光は励起
光からエネルギを受けて増幅し、一方、励起光はガラス
材5内のErによって大部分が吸収される。増幅された
信号光は、ガラス材5の端部5cおよびコア4の光分離
部4cを通過する。端部5cは、前述の端部5aと同様
にテーパ状に形成されているので、同じ理由から信号光
のパワー損失は少ない。
【0017】光分離部4cでは、信号光が光ファイバ9
に出力されるとともに、ガラス材5内のErに吸収され
なかった励起光が信号光と分離され、コア7を介して外
部に出力される。
に出力されるとともに、ガラス材5内のErに吸収され
なかった励起光が信号光と分離され、コア7を介して外
部に出力される。
【0018】このように、本実施例では、コア4に溝4
dを形成し、Erの混入されたガラス材5を注入するよ
うにしたので、容易にかつ正確に増幅部4b付近のみに
Er等の希土類元素を混入することができる。このた
め、増幅部4b以外の部分では信号光や励起光が吸収さ
れないので、高い増幅率を得ることができる。
dを形成し、Erの混入されたガラス材5を注入するよ
うにしたので、容易にかつ正確に増幅部4b付近のみに
Er等の希土類元素を混入することができる。このた
め、増幅部4b以外の部分では信号光や励起光が吸収さ
れないので、高い増幅率を得ることができる。
【0019】また、本実施例では、ガラス材5の端部5
aおよび5cをテーパ状に形成したので、信号光および
励起光のパワー損失を低減することができる。本願出願
人の実験したところでは、出力20mW、波長1.48
μmの励起光を用いて信号光を増幅した場合、20dB
の増幅利得を得ることができた。
aおよび5cをテーパ状に形成したので、信号光および
励起光のパワー損失を低減することができる。本願出願
人の実験したところでは、出力20mW、波長1.48
μmの励起光を用いて信号光を増幅した場合、20dB
の増幅利得を得ることができた。
【0020】さらに本実施例では、ガラス材5のGeO
2 およびP2 O5 の含有量を多くして屈折率を高くした
ので、コア中央部への光パワー集中度を高めることがで
きる。
2 およびP2 O5 の含有量を多くして屈折率を高くした
ので、コア中央部への光パワー集中度を高めることがで
きる。
【0021】また、本実施例では、励起光導入用のコア
6と、励起光分離用のコア7とをコア4と同一基板2上
に形成したので、平面導波路型光増幅器1の小型化を図
ることができる。
6と、励起光分離用のコア7とをコア4と同一基板2上
に形成したので、平面導波路型光増幅器1の小型化を図
ることができる。
【0022】図3は本発明の平面導波路型光増幅器をレ
ーザ発振器に応用した例を示す図である。このレーザ発
振器20の基本構造は、前述の平面導波路型光増幅器1
とほぼ同一であるので、同一構成部分には同一符号を付
して説明を省略する。コア4の両端面には、それぞれ反
射膜21,22が取り付けられている。
ーザ発振器に応用した例を示す図である。このレーザ発
振器20の基本構造は、前述の平面導波路型光増幅器1
とほぼ同一であるので、同一構成部分には同一符号を付
して説明を省略する。コア4の両端面には、それぞれ反
射膜21,22が取り付けられている。
【0023】このレーザ発振器20では、コア6から波
長1.48μmの励起光が入力され、光結合部4aでコ
ア4に導入される。導入された励起光は、ガラス材5に
よって吸収される一方、1.53μmの光を放出する。
その放出光は、反射膜22で反射されて反対方向に進
み、さらに反射膜21で反射される。こうして、反射を
繰り返しながら、放出光は徐々に増幅されて行き、パワ
ーが一定値に達するとレーザ光として反射膜22側から
出力される。
長1.48μmの励起光が入力され、光結合部4aでコ
ア4に導入される。導入された励起光は、ガラス材5に
よって吸収される一方、1.53μmの光を放出する。
その放出光は、反射膜22で反射されて反対方向に進
み、さらに反射膜21で反射される。こうして、反射を
繰り返しながら、放出光は徐々に増幅されて行き、パワ
ーが一定値に達するとレーザ光として反射膜22側から
出力される。
【0024】本願出願人の実験したところでは、波長
1.53μmのレーザ光を出力20mW、波長1.48
μmの励起光を用いて励起させた場合、15mWの出力
を得ることができた。
1.53μmのレーザ光を出力20mW、波長1.48
μmの励起光を用いて励起させた場合、15mWの出力
を得ることができた。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、光増幅
用コアの増幅部付近に溝を形成した上で希土類元素混入
ガラス材を充填するようにしたので、容易にかつ正確に
増幅部付近のみに希土類元素をドープすることができ
る。このため、製造が簡単となり、また、小型でありな
がら高い増幅率を得ることができる。したがって、コス
トも低減できる。
用コアの増幅部付近に溝を形成した上で希土類元素混入
ガラス材を充填するようにしたので、容易にかつ正確に
増幅部付近のみに希土類元素をドープすることができ
る。このため、製造が簡単となり、また、小型でありな
がら高い増幅率を得ることができる。したがって、コス
トも低減できる。
【図1】本発明の平面導波路型光増幅器の原理図であ
る。
る。
【図2】図1のA−A線に沿う断面図である。
【図3】本発明の平面導波路型光増幅器をレーザ発振器
に応用した例を示す図である。
に応用した例を示す図である。
【図4】ファイバ型光増幅器の構成を示す図である。
1 平面導波路型光増幅器 2 基板 3 クラッド 4 (光増幅用)コア 4b 増幅部 4d 溝 5 ガラス材 6 (励起光導入用)コア 7 (励起光分離用)コア 8,9 光ファイバ 21,22 反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−25083(JP,A) 特開 平4−104231(JP,A) 特開 平4−27921(JP,A) 特開 昭63−191107(JP,A) 特開 昭62−293204(JP,A) 特開 昭58−114476(JP,A) 特開 平3−35203(JP,A) 特開 平2−222182(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 3/00 - 3/30 G02B 6/12 - 6/14 JICSTファイル(JOIS)
Claims (5)
- 【請求項1】 平面導波路型光増幅器の製造方法におい
て、増幅対象の信号光を導くコアの増幅部に前記コアの幅よ
り幅の狭い溝を設け、 前記溝に希土類元素を混入した液状ガラス材を流し込
む、 ことを特徴とする平面導波路型光増幅器の製造方法。 - 【請求項2】 前記希土類元素を混入したガラス材とし
て、アルキルシリケート液をガラス化することを特徴と
する請求項1記載の平面導波路型増幅器の製造方法。 - 【請求項3】 励起光導入用コアおよび励起光分離用コ
アを前記増幅対象の信号光を導くコアと同一基板上に形
成することを特徴とする請求項1記載の平面導波路型増
幅器の製造方法。 - 【請求項4】 前記溝の両端部をテーパ状とすることを
特徴とする請求項1記載の平面導波路型増幅器の製造方
法。 - 【請求項5】 前記増幅部は、増幅対象の信号光を導く
コアと、励起光導入用コア、励起光分離用コアとが隣接
する部分を含むことを特徴とする請求項1記載の平面導
波路型増幅器の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21902792A JP3214910B2 (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 平面導波路型光増幅器の製造方法 |
US08/104,662 US5381262A (en) | 1992-08-18 | 1993-08-11 | Planar wave guide type optical amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21902792A JP3214910B2 (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 平面導波路型光増幅器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0669570A JPH0669570A (ja) | 1994-03-11 |
JP3214910B2 true JP3214910B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=16729110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21902792A Expired - Fee Related JP3214910B2 (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 平面導波路型光増幅器の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5381262A (ja) |
JP (1) | JP3214910B2 (ja) |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996000996A1 (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-11 | The Whitaker Corporation | Planar hybrid optical amplifier |
DE59406688D1 (de) * | 1994-10-13 | 1998-09-17 | Ant Nachrichtentech | Optischer Faserverstärker |
US5838868A (en) * | 1995-06-30 | 1998-11-17 | Syracuse University | Semiconductor fiber light amplifier |
FR2751759B1 (fr) * | 1996-07-24 | 1998-09-11 | Schneider Electric Sa | Dispositif d'optique integree avec des zones de guidage actives et passives |
US6330388B1 (en) | 1999-01-27 | 2001-12-11 | Northstar Photonics, Inc. | Method and apparatus for waveguide optics and devices |
EP1252359B1 (en) * | 1999-12-02 | 2020-03-11 | OEM Group, Inc | Method of operating a platinum etch reactor |
WO2001076022A2 (en) * | 2000-04-03 | 2001-10-11 | Corona Optical Systems, Inc. | Optical amplifier |
US6506289B2 (en) | 2000-08-07 | 2003-01-14 | Symmorphix, Inc. | Planar optical devices and methods for their manufacture |
US20020090170A1 (en) * | 2000-11-27 | 2002-07-11 | Bendett Mark P. | Apparatus and method for integrated photonic devices having adjustable gain |
US6533907B2 (en) | 2001-01-19 | 2003-03-18 | Symmorphix, Inc. | Method of producing amorphous silicon for hard mask and waveguide applications |
US7469558B2 (en) * | 2001-07-10 | 2008-12-30 | Springworks, Llc | As-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture |
US7404877B2 (en) * | 2001-11-09 | 2008-07-29 | Springworks, Llc | Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD |
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