JP3209290B2 - 薄膜磁気ヘッド及び磁気ディスク装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド及び磁
気ディスク装置に関し、更に詳しくは、磁気抵抗効果素
子（以下ＭＲ素子と称する）を読み出し素子とし、誘導
型磁気変換素子を書き込み素子として用いた薄膜磁気ヘ
ッドの改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッドとしては、誘導型
薄膜磁気変換素子を読み書き素子として使用したものが
最もよく知られている。誘導型薄膜磁気変換素子を用い
た薄膜磁気ヘッドにおいて、高い読み出し出力を得るに
は、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の相対速度を上げ
るか、または、コイルのターン数を増大させる必要があ
る。しかし、磁気ディスクが小型化される傾向にあるた
め、相対速度の高速化による読み出し出力の増大は実情
に合わない。また、コイルのターン数増大による読み出
し出力は、コイルのインダクタンス及び直流抵抗値の増
大を招き、高周波特性を悪化させ、高速読み出しに適応
できなくなる。かかる問題点を解決する手段として、読
み出し素子をＭＲ素子によって構成し、誘導型薄膜磁気
変換素子は書込み専用として用いるようにした技術が提
案されている。公知技術文献としては、例えば特公昭５
９−３５０８８号公報、特公昭６４ー１８４６号公報等
がある。

【０００３】これらの公知文献に示された薄膜磁気ヘッ
ドは、読み出し素子の上に分離膜を介して書き込み素子
を積層した構造となっている。読み出し素子は、磁気シ
ールド膜と、ＭＲ素子を含み、ＭＲ素子が磁気シールド
膜間の電気絶縁層中に配置されている。分離膜は、主
に、書き込み磁場によって読み出し素子側で生じるバル
クハウゼン．ノイズを防止する目的で設けられている。
ＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘッドにおけるバルクハウゼ
ン．ノイズは、ＭＲ素子における磁区の磁化方向が書き
込み磁場の方向に配向することによって生じるものであ
る。バルクハウゼン．ノイズを抑制する手段として、従
来は分離膜を厚くすることによって対応している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、バルク
ハウゼン．ノイズを抑制する手段として、従来は分離膜
の厚み選定によって対応していたため、ＭＲ素子と書き
込み素子との間に生じる間隔を、バルクハウゼン．ノイ
ズ抑制に必要な値以下には小さくできない。

【０００５】しかも、通常、この種の薄膜磁気ヘッド
は、書き込み素子と読み出し素子との間に磁気シールド
膜を有するので、ＭＲ素子と書き込み素子との間の間隔
が、磁気シールド膜の厚みによっても左右される。磁気
シールド膜の厚みを決定する重要な要因の一つに、磁気
シールド膜の飽和磁束密度Ｂｓがあり、磁気シールド膜
は飽和磁束密度Ｂｓによって定まる厚み以下には薄くす
ることができない。具体的には、従来の磁気シールド膜
は、飽和磁束密度Ｂｓが８（ｋＧａｕｓｓ）程度のパー
マロイ膜によって構成されており、外部磁場、特に他の
磁化反転遷移領域から生じる磁場による磁気飽和を回避
するために、２μｍ以上の膜厚が必要である。

【０００６】従来の薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲ素子と書
き込み素子との間に生じる間隔は９μｍ程度であり、そ
れよりも縮小することが困難である。このため、特に、
ロータリ・アクチュエータ式位置決め装置を用いた場
合、ＭＲ素子と書き込み素子との間で、トラック幅方向
の位置ずれを生じる。トラック幅方向の位置ずれによる
トラックズレを吸収する手段として、通常、記録トラッ
ク幅を再生トラック幅よりも広くとり、位置ズレを生じ
ても再生トラックが常に記録トラック内をトレースする
ようになっている。この結果、トラック．ロスが大きく
なり、磁気ディスク上での記録密度が低下する。従来の
の薄膜磁気ヘッドにおいて、トラック．ロス幅は３．２
μｍ以上になる。上述した公知文献には、このような問
題を解決する手段が開示されていない。

【０００７】そこで、本発明の課題は、トラック．ロス
を減少させ、高記録密度を達成し得る薄膜磁気ヘッド及
び磁気ディスク装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明は、スライダと、読み出し素子と、書き込
み素子と、分離膜とを含む薄膜磁気ヘッドであって、前
記読み出し素子は、ＭＲ素子を含み、前記スライダ上に
設けられており、前記書き込み素子は、前記読み出し素
子の上に積層して設けられており、前記分離膜は、前記
読み出し素子と前記書き込み素子との間に設けられ、反
磁性膜を含む。

【０００９】

【作用】読み出し素子は、ＭＲ素子を含んでいるから、
誘導型素子の場合と異なって、インダクタンスが小さ
く、高周波特性が悪化しない。

【００１０】分離膜は、読み出し素子と書き込み素子と
の間に設けられ、反磁性膜を含むから、書き込み素子側
から読み出し素子側への書き込み磁場の通過が反磁性膜
によって阻止される。このため、分離膜の膜厚を薄く
し、書き込み素子と読み出し素子との間の間隔を縮小す
ることができる。反磁性は、磁場をかけたとき逆向きに
磁化される特性、すなわち、磁化率が負である特性とし
て知られており、磁化率が正である常磁性と対応する特
性である。ある物質に磁場をかけたときの磁化率をＸ、
反磁性項をＸｄ、常磁性項をＸｐとすると、 Ｘ＝Ｘｄ＋Ｘｐ となる。本発明に係る反磁性膜はＸｐ≒０を満たすよう
な反磁性材料によって構成される。反磁性材料の具体例
としては、ＢｉもしくはＳｂ系反磁性材料または超電導
材料、好ましくは高温超電導材料を挙げることができ
る。

【００１１】また、書き込み素子側から読み出し素子側
への書き込み磁場の通過が反磁性膜によって阻止される
ため、磁気シールド膜の膜厚を従来よりも著しく薄くで
きる。一般的な薄膜磁気ヘッドを例にとると、従来、２
μｍ以上必要であった磁気シールド膜の膜厚を、１μｍ
未満の範囲に設定できる。場合によっては、磁気シール
ド膜を省略し、より一層、間隔を縮小することも可能で
ある。

【００１２】この結果、書き込み素子とＭＲ素子との間
の間隔が、例えば、例えば５μｍ以下に縮小され、ロー
タリ・アクチュエータ式位置決め装置によって駆動した
場合、スキュー角の大きくなる領域において、書き込み
素子とＭＲ素子との間のトラック幅方向のずれが縮小
し、トラック．ロスが減少し、高密度記録が可能にな
る。また、スキュー角を大きくしてもトラック幅方向の
ずれが少なくて済むので、最大スキュー角を大きくでき
る。このため、最大スキュー角が大きくなる傾向にある
小型の磁気ディスク装置に対応し得るようになる。

【００１３】

【実施例】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面
図、図２は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの磁極配置を示
す拡大図である。１はスライダ、２は読み出し素子、３
は書き込み素子、４は分離膜、５は反磁性膜である。

【００１４】スライダ１はセラミック構造体でなる基体
部分１０を有し、媒体対向面側が高度の平面度を有する
空気ベアリング面１０１となっている。ａは媒体走行方
向を示す。

【００１５】読み出し素子２は、ＭＲ素子２０を含み、
スライダ１上に設けられている。書き込み素子３は、読
み出し素子２の上に積層して設けられている。分離膜４
は、読み出し素子２と書き込み素子３との間に設けら
れ、反磁性膜５を含んでいる。

【００１６】上述のように、読み出し素子２は、ＭＲ素
子２０を含んでいるから、誘導型素子の場合と異なっ
て、インダクタンスが小さく、高周波特性が悪化しな
い。

【００１７】分離膜４は、読み出し素子２と書き込み素
子３との間に設けられ、反磁性膜５を含むから、書き込
み素子３側から読み出し素子２側への書き込み磁場の通
過が、反磁性膜５によって阻止される。このため、分離
膜４の膜厚を薄くし、書き込み素子３と読み出し素子２
との間の間隔ｄ１（図２参照）を縮小することができ
る。間隔ｄ１は従来の薄膜磁気ヘッドでは９μｍ程度が
標準であるが、本発明によれば５μｍ以下に設定するこ
とは容易である。

【００１８】この結果、書き込み素子３とＭＲ素子２０
との間の間隔ｄ１が縮小され、ロータリ・アクチュエー
タ式位置決め装置によって駆動した場合、スキュー角の
大きくなる領域において、書き込み素子３とＭＲ素子２
０との間のトラック幅方向のずれが縮小し、トラック．
ロスが減少し、高密度記録が可能になる。また、スキュ
ー角を大きくしてもトラック幅方向のずれが少なくて済
むので、最大スキュー角を大きくできる。このため、最
大スキュー角が大きくなる傾向にある小型の磁気ディス
ク装置に対応し得るようになる。

【００１９】図示の読み出し素子２は、ＭＲ素子２０の
ほかに、下部磁気シールド膜２１と、上部磁気シールド
膜２２とを含んでいる。

【００２０】ＭＲ素子２０は、下部磁気シールド膜２１
と上部磁気シールド膜２２との間の電気絶縁膜１１の内
部に埋設されている。ＭＲ素子２０はＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ
−Ｃｏ等の磁性薄膜材料を用いた薄膜であり、図２に図
示するように、導体膜２４ー２５間に配置されている。
導体膜２４、２５は間隔を隔ててほぼ平行に横並びに配
置され、空気ベアリング面１０１側に位置する間隔がト
ラック幅を規定している。電気絶縁膜１１はＡｌ₂Ｏ₃ま
たはＳｉＯ₂等によって構成されている。読み出し動作
において、導体膜２４、２５を通してＭＲ素子２０にセ
ンス電流を流すと共に、磁気ディスク（図示しない）の
磁場の変化を、ＭＲ素子２０の電気抵抗値の変化として
検出する。ＭＲ素子２０には、導体膜２４、２５を通し
てセンス電流を流す他、入力磁場に対して直線性のよい
検出信号を得るため、バイアス磁場が加えられる。バイ
アス磁場を発生する手段として、ＭＲ素子２０に直接に
バイアス導体膜を成膜し、バイアス導体膜に流す電流に
よる発生磁場を利用してバイアスを加えるシャントバイ
アス方式、ＭＲ素子２０からマグネティク・セパレーシ
ョン・レイヤー（ＭＳＬ）によって分離されて配置され
たソフト・アジェースント・レイヤー（ＳＡＬ）から発
生する磁場を利用するソフト・フィルム・バイアス方
法、ＭＲ素子２０に近接して薄膜永久磁石を配置し、薄
膜永久磁石の発生磁場を利用するマグネットバイアス方
式等が知られている。そして、磁気ディスクの磁場の変
化を、ＭＲ素子２０の電気抵抗値の変化として検出す
る。

【００２１】下部磁気シールド膜２１は基体部分１０の
上にほぼ均一な膜厚となるように形成され、上部磁気シ
ールド膜２２は下部磁気シールド膜２１から間隔を隔て
て分離膜４中に配置されている。下部磁気シールド膜２
１及び上部磁気シールド膜２２は例えばパーマロイなど
の他の磁性材料によって構成できる。

【００２２】書き込み素子３は、下部磁性膜３１、上部
磁性膜３２、コイル膜３３、アルミナ等でなるギャップ
膜３４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成された絶縁
膜３５及び保護膜３６などを有して、読み出し素子２の
上に積層されている。

【００２３】下部磁性膜３１及び上部磁性膜３２の先端
部は微小厚みのギャップ膜３４を隔てて対向するポール
部Ｐ１、Ｐ２となっており、ポール部Ｐ１、Ｐ２におい
て書き込みを行なう。下部磁性膜３１及び上部磁性膜３
２のヨーク部であり、ポール部Ｐ１、Ｐ２とは反対側に
あるバックギャップ部において、磁気回路を完成するよ
うに互いに結合されている。絶縁膜３５の上に、ヨーク
部の結合部のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜
３３を形成してある。

【００２４】分離膜４はＡｌ₂Ｏ₃またはＳｉＯ₂等の電
気絶縁膜であり、書き込み素子３はこの分離膜４の上に
積層されている。反磁性膜５は分離膜４の膜厚の中間部
に配置されている。

【００２５】書き込み素子３側から読み出し素子２側へ
の書き込み磁場の通過が、反磁性膜５によって阻止され
るため、磁気シールド膜２２の膜厚を従来よりも著しく
薄くできる。一般的な薄膜磁気ヘッドを例にとると、従
来、２μｍ以上必要であった磁気シールド膜の膜厚を、
１μｍ未満の範囲に設定できる。このため、書き込み素
子３とＭＲ素子２０との間の間隔ｄ１が一層縮小され、
ロータリ・アクチュエータ式位置決め装置によって駆動
した場合、スキュー角の大きくなる領域において、書き
込み素子３とＭＲ素子３０との間のトラック幅方向のず
れが縮小し、トラック．ロスが減少し、高密度記録が可
能になる。また、スキュー角を大きくしてもトラック幅
方向のずれが少なくて済むので、最大スキュー角を大き
くできる。

【００２６】図２を参照すると、ロータリ・アクチュエ
ータ式位置決め装置を用いた場合において、ＭＲ素子２
０と書き込み素子３との間におけるトラック幅方向の位
置ずれによるトラックズレを吸収する手段として、下部
磁性膜３１及び上部磁性膜３２による記録トラック幅Ｔ
Ｗを、ＭＲ素子２０を用いた読み出し素子２の再生トラ
ック幅ＴＲよりも広くとり、位置ズレを生じても再生ト
ラックが常に記録トラック内をトレースするようになっ
ている。ｄ１はＭＲ素子２０と書き込み素子３との間の
間隔、Ｇ１はギャップ幅、ｄ３１は下部磁性膜３１の膜
厚、ｄ２２は上部磁気シールド膜２２の膜厚、ｄ３２は
上部磁性膜３２の膜厚、ＴＬは記録トラック幅ＴＷと再
生トラック幅ＴＲとの間に差を持たせたことによって生
じるトラック．ロス幅、△Ｔはトラック．マージン、Ｇ
１は書き込み変換ギャップである。

【００２７】図３は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に
別の実施例を示す断面図である。図において、図１と同
一の参照符号は同一性ある構成部分を示している。この
実施例では、反磁性膜５が上部磁気シールド膜を構成し
ている。すなわち、反磁性膜５から独立する上部磁気シ
ールド膜を有していない。したがって、この実施例の場
合は、書き込み素子３とＭＲ素子２３との間の間隔をよ
り一層縮小することができる。

【００２８】図４は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に
別の実施例を示す拡大断面図である。この実施例の場
合、反磁性膜５が読み出し素子２の上部磁気シールド膜
を構成している他、書き込み素子３の下部磁性膜３１
が、飽和磁束密度Ｂｓが１０（ｋＧａｕｓｓ）以上であ
る磁性材料によって構成されている。従来、下部磁性膜
３１は、飽和磁束密度Ｂｓが８（ｋＧａｕｓｓ）程度の
パーマロイ膜によって構成されており、必要なオーバラ
イト特性（Ｏ／Ｗ＜−３０ｄＢ）を確保するため、２μ
ｍ以上の膜厚が必要であった。実施例における下部磁性
膜３１は飽和磁束密度Ｂｓが１０（ｋＧａｕｓｓ）以上
であり、その膜厚ｄ３１を２μｍ未満に設定しても、必
要なオーバライト特性（Ｏ／Ｗ＜−３０ｄＢ）を確保で
きる。下部磁性膜３１のために適した磁性材料の例はＣ
ｏ−Ｆｅ系磁性材料、Ｃｏ−Ｚｒ系磁性材料またはＦｅ
Ｎ系磁性材料である。上部磁性膜３２は下部磁性膜３１
と同一の材料または例えばパーマロイなどの他の磁性材
料によって構成できる。

【００２９】図５は本発明に係る磁気ディスク装置を示
す図である。６は位置決め装置、７は磁気ディスク、８
は周知のヘッド支持装置、９は本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドである。磁気ディスク７は、図示しない回転駆動機
構により、矢印ａの方向に回転駆動される。位置決め装
置６は、ロータリ・アクチュエータ式であり、ヘッド支
持装置８の一端側を支持し磁気ディスク７の面上で所定
角度で、矢印ｂ１またはｂ２の方向に駆動する。それに
よって、所定のトラックにおいて、磁気ディスク７への
書き込み及び読み出しが行なわれる。

【００３０】図６は磁気ヘッド装置の正面部分断面図、
図７は同じく底面部分断面図である。ヘッド支持装置８
は、金属薄板でなる支持体８１の長手方向の一端にある
自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体８２を取付け、
この可撓体８２の下面に薄膜磁気ヘッド９を取付けた構
造となっていて、磁気ディスク７に薄膜磁気ヘッド９を
押付ける荷重力を与える。図示の可撓体８２は、支持体
８１の長手方向軸線Ｏ２と略平行して伸びる２つの外側
枠部８２１、８２２と、支持体８１から離れた端におい
て外側枠部８２１、８２２を連結する横枠８２３と、横
枠８２３の略中央部から外側枠部８２１、８２２に略平
行するように延びていて先端を自由端とした舌状片８２
４とを有して構成され、横枠８２３のある方向とは反対
側の一端を、支持体８１の自由端付近に溶接等の手段に
よって取付けてある。

【００３１】可撓体８２の舌状片８２４の上面には、例
えば半球状の荷重用突起８２５が設けられていて、この
荷重用突起８２５により、支持体８１の自由端から舌状
片８２４へ荷重力を伝えるようにしてある。

【００３２】舌状片８２４の下面に薄膜磁気ヘッド９を
接着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド９
は、スライダ１及び磁気変換素子２、３を有し、磁気変
換素子２、３がスライダ１の長さ方向の１側端面に設け
られており、長さ方向がヘッド支持装置８の長手方向に
一致するように、磁気ヘッド支持装置８に取付けられて
いる。本発明に適用可能なヘッド支持装置８は、上記実
施例に限らない。これまで提案され、またはこれから提
案されることのあるヘッド支持装置を、広く適用でき
る。

【００３３】図８は図５に示した磁気ディスク装置の動
作を説明する図である。読み書き動作において、薄膜磁
気ヘッド９を支持するヘッド支持装置８がロータリ・ア
クチュエータ式位置決め装置４によりピポット中心Ｏ１
を中心にして、矢印ｂ１、ｂ２の方向にスイングするご
とく駆動される。磁気ディスク７上の薄膜磁気ヘッド９
の位置は、通常、スキュー角によって表現される。図示
の場合、薄膜磁気ヘッド９が磁気ディスク７の最内周に
位置する時をスキュー角＝０となるように設定し、外周
側にスキューするようになっているので、ヘッド支持装
置８の回転角度がスキュー角に対応する。

【００３４】図９は図５の磁気ディスク装置に図１及び
図２に示した本発明に係る薄膜磁気ヘッドを組み合わせ
た場合におけるスキュー角＝０の時の記録トラックと再
生トラックとの関係を示す図、図１０は図５の磁気ディ
スク装置に図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドを組み
合わせた場合におけるスキュー角＝２０度の時の記録ト
ラックＷと再生トラックＲとの関係を示す図である。Ｍ
Ｒ素子２０と書き込み素子３との間の間隔ｄ１（図２参
照）を５μｍとし、最大スキュー角を２０度に設定し、
再生トラック幅ＴＲを３μｍとしたとき、記録トラック
幅ＴＷは５．８μｍでよく、トラック．ロス幅ＴＬは
１．８μｍになる。従来は、再生トラック幅ＴＲを２μ
ｍとした場合、７．７μｍの記録トラック幅ＴＷが必要
になり、３．３μｍのトラック．ロス幅ＴＬを生じてい
た。従って、本発明によれば、トラック．ロス幅ＴＬを
従来の約半分近くまで縮小できる。

【００３５】図示は、面内記録再生用磁気ヘッドである
が、垂直磁気記録再生用磁気ヘッド等であってもよい。

【００３６】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）読み出し素子は、ＭＲ素子を含んでいるから、誘
導型素子の場合と異なって、インダクタンス値が小さ
く、高周波特性が悪化しない。 （ｂ）分離膜は、読み出し素子と書き込み素子との間に
設けられ、反磁性膜を含むから、書き込み素子側から読
み出し素子側への書き込み磁場の通過が反磁性膜によっ
て阻止される。この結果、書き込み素子とＭＲ素子との
間の間隔が縮小され、ロータリ・アクチュエータ式位置
決め装置によって駆動した場合、スキュー角の大きくな
る領域において、書き込み素子とＭＲ素子との間のトラ
ック幅方向のずれが縮小し、トラック．ロスが減少し、
高密度記録が可能になる。 （ｃ）スキュー角を大きくしてもトラック幅方向のずれ
が少なくて済むので、最大スキュー角を大きくできる。
このため、最大スキュー角が大きくなる傾向にある小型
の磁気ディスク装置に対応し得るようになる。 （ｄ）書き込み素子側から読み出し素子側への書き込み
磁場の通過が反磁性膜によって阻止されるため、磁気シ
ールド膜の膜厚を従来よりも著しく薄くし、または省略
し、より一層、間隔を縮小することも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドをモデル化して示
す断面図である。

【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの磁極配置を示す
拡大図である。

【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の例をモデル
化して示す断面図である。

【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の例をモデル
化して示す断面図である。

【図５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディ
スク装置を示す図である。

【図６】図５に示した磁気ディスク装置を構成する磁気
ヘッド装置の正面部分断面図である。

【図７】図５に示した磁気ディスク装置を構成する磁気
ヘッド装置の底面部分断面図である。

【図８】図５に示した磁気ディスク装置の動作を説明す
る図である

【図９】図５の磁気ディスク装置に図１及び図２に示し
た本発明に係る薄膜磁気ヘッドを組み合わせた場合にお
けるスキュー角＝０の時の記録トラックと再生トラック
との関係を示す図である。

【図１０】図５の磁気ディスク装置に図１及び図２に示
した本発明に係る薄膜磁気ヘッドを組み合わせた場合に
おけるスキュー角＝２０度の時の記録トラックと再生ト
ラックとの関係を示す図である。

【符号の説明】

１ スライダ ２ 読み出し素子 ２０ ＭＲ素子 ３ 書き込み素子 ４ 分離膜 ５ 反磁性膜

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スライダと、読み出し素子と、書き込み
   素子と、分離膜とを含む薄膜磁気ヘッドであって、 前記読み出し素子は、磁気抵抗効果素子を含み、前記ス
   ライダ上に設けられており、 前記書き込み素子は、前記読み出し素子の上に積層して
   設けられており、 前記分離膜は、前記読み出し素子と前記書き込み素子と
   の間に設けられ、反磁性膜を含む薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記反磁性膜は、超電導材料でなる請求
   項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】前記読み出し素子は、前記書き込み素子側
   に上部磁気シールド膜を有しており、 前記反磁性膜は、前記上部磁気シールド膜と、前記書き
   込み素子との間に配置されている請求項１または２に記
   載の薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記読み出し素子は、前記書き込み素子
   側に上部磁気シールド膜を有しており、 前記反磁性膜は、前記上部磁気シールド膜を構成する請
   求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 前記書き込み素子は、下部磁性膜と、上
   部磁性膜と、コイル膜とを有し、前記読み出し素子の上
   に設けられており、前記下部磁性膜及び上部磁性膜は、
   先端が書き込みギャップを構成し、後方が互いに結合さ
   れて磁気回路を構成しており、前記コイル膜は前記下部
   磁性膜及び前記上部磁性膜の後方結合部を回るように配
   置されている請求項１、２、３または４に記載の薄膜磁
   気ヘッド。
6. 【請求項６】 前記下部磁性膜は、飽和磁束密度Ｂｓが
   １０（ｋＧａｕｓｓ）以上である磁性材料によって構成
   されている請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 前記下部磁性膜は、Ｃｏ−Ｆｅ系磁性材
   料、Ｃｏ−Ｚｒ系磁性材料またはＦｅＮ系磁性材料の少
   なくとも一種でなる請求項６に記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 磁気ディスクと、位置決め装置と、ヘッ
   ド支持装置と、薄膜磁気ヘッドとを含む磁気ディスク装
   置であって、 前記位置決め装置は、前記ヘッド支持装置の一端側を支
   持し前記磁気ディスクの面上で所定角度で面回転させる
   ものであり、 前記ヘッド支持装置は、他端側で前記薄膜磁気ヘッドを
   支持しており、 前記薄膜磁気ヘッドは、請求項１乃至７に記載の何れか
   でなる磁気ディスク装置。