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JP3202322B2 - マスク検査装置 - Google Patents

マスク検査装置

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Publication number
JP3202322B2
JP3202322B2 JP13942892A JP13942892A JP3202322B2 JP 3202322 B2 JP3202322 B2 JP 3202322B2 JP 13942892 A JP13942892 A JP 13942892A JP 13942892 A JP13942892 A JP 13942892A JP 3202322 B2 JP3202322 B2 JP 3202322B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
inspection
dust adhesion
focus
adhesion preventing
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP13942892A
Other languages
English (en)
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JPH05333529A (ja
Inventor
光雄 田畑
卓司 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Topcon Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Topcon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Topcon Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP13942892A priority Critical patent/JP3202322B2/ja
Publication of JPH05333529A publication Critical patent/JPH05333529A/ja
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
工程で使用されるフォトマスクの良否を検査する検査装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】大規模集積回路(LSI)を製造する場
合、回路パターン形成時に使用するフォトマスクにパタ
ーン欠陥が存在すると歩留りの向上は望めない。したが
って、予め何等かの手段でフォトマスクにパターン欠陥
が存在しているか否かを検査する必要がある。このよう
なことから、従来、種々のマスク検査装置が開発され、
実用化されている。
【0003】図5には、そのようなマスク検査装置の一
例が示されている。
【0004】同図において、1はマスクパターンの描か
れている被検査マスクを示し、2は被検査マスクを支持
する移動テーブルを示している。移動テーブル2の上方
には光源3が配置されており、この光源3から出た光は
照明レンズ4で集束されて被検査マスク1に照射され
る。被検査マスク1を透過した光は、対物レンズ5およ
びリレー光学系6を介してラインセンサ7に入射する。
このとき、フォーカスサーボ機構8によって対物レンズ
5の位置が制御され、これによってマスク面に描かれて
いるマスクパターンの像をラインセンサ7上に鮮明に結
像させるようにしている。
【0005】ラインセンサ7は複数のフォトダイオード
を直線状に配置して構成され、マスクパターンをx軸方
向に測定するように設置されている。このラインセンサ
7は各フォトダイオードを走査してx軸方向の各位置で
の光の強度に比例したアナログ信号を出力する。
【0006】マスクパターンの測定は、制御用計算機9
で制御されるテーブル駆動回路10により移動テーブル
2をy軸方向に連続移動させながらラインセンサ7でマ
スクパターンを測定するという方法で行う。すなわち、
図6に示すように、1回のy方向の移動によってライン
センサ7の測定幅と同じx軸方向の幅で、y軸方向には
長い1つの領域Pが測定される。その後、移動テーブル
2をx軸方向にx軸方向測定幅またはそれより少し短い
距離だけ移動させた後、上記と同様にy軸方向(前回と
は逆方向)に連続移動させて隣接した領域Pのマスクパ
ターンを測定する。この動作を繰返してマスクパターン
全面の測定を行う。
【0007】ラインセンサ7の出力はAD変換器11に
導入される。このAD変換器11は、基準クロックに同
期してラインセンサ7を走査し、この走査開始の同期信
号を位置計算回路12に向けて出力するとともにライン
センサ7から読み出されたアナログ信号をディジタル信
号に変換し、これを測定データとして比較判定回路13
に与える。
【0008】位置計算回路12は、前述した走査開始の
同期信号に同期してレーザ測長計14から移動テーブル
2の位置を取込み、制御用計算機9から与えられている
計算パラメータを用いてラインセンサ7の各素子によっ
て測定されたパターン上の測定位置を計算する。この計
算によって得られた位置データは基準データ計算回路1
5に与えられる。
【0009】基準データ計算回路15は、制御用計算機
9から被検査マスク1のマスクパターンを表わす設計パ
ターンデータを入力し、ラインセンサ7の各素子位置で
設計パターンを測定したときに得られるはずの測定値を
センサの感度特性データを基にして計算し、これを基準
データとして比較判定回路13に与える。比較判定回路
13は、基準データと測定データとの差を計算し、その
差がある指定値より大きい場合に欠陥信号を出力するよ
うに構成されている。
【0010】一方、フォーカスサーボ機構8は、光テコ
式の検出光学系20を備えている。この検出光学系20
は、光源21から出た光をスリット22,レンズ23,
反射鏡24,レンズ25,反射鏡26を介して被検査マ
スク1のマスクパターン形成面に向けて斜めに照射し、
マスクパターン形成面で反射された反射光を反射鏡2
7,レンズ28,反射鏡29,レンズ30を介して受光
器31に入射させている。 この検出光学系20では、
レンズ25,反射鏡26,反射鏡27,レンズ28が対
物レンズ5の鏡筒に固定されている。そして、反射鏡2
6を介して照射される光が対物レンズ5の焦点位置に照
射され、かつ上記焦点位置からの反射光が反射鏡27,
レンズ28,反射鏡29,レンズ30を介して受光器3
1上に設定された基準位置に入射するように各部が予め
位置合せされている。つまり、被検査マスク1のマスク
パターン形成面が対物レンズ5の焦点位置にあるときに
は受光器31上に設定された基準位置に光が入射し、ま
たマスクパターン形成面が対物レンズ5の焦点位置にな
いときには受光器31上に設定された基準位置からずれ
た位置に光が入射するようになっている。
【0011】このフォーカスサーボ機構8では、上記入
射位置の基準からのずれ量が零になるようにオートフォ
ーカス制御回路32を介して対物レンズ駆動系33を制
御し、これによってラインセンサ7上に結像されるマス
クパターンのピントを自動的に合せするようにしてい
る。
【0012】しかしながら、上記のように構成されたマ
スク検査装置にあっても次のような問題があった。すな
わち、マスクの検査工程やその前工程において何等かの
原因でマスク表面に塵埃が付着した場合、この塵埃の付
着したマスクを検査すると、マスクパターンに欠陥がな
いにも拘らず不良と判定される。また、マスク表面への
塵埃の付着は、LSI製造の歩留りの低下を招く。この
ような不具合を解消するために、最近ではマスクの製造
を終了した時点で、マスク表面を「ペリクル」と呼ばれ
る塵埃付着防止膜で覆うことが望まれている。この塵埃
付着防止膜は、透明材で形成されており、通常、フォト
マスクのマスクパターン形成面から一定距離だけ離れた
位置に張られ、周縁部が支持用の枠体を介してフォトマ
スクに固定される。
【0013】このような塵埃付着防止膜付きフォトマス
クを被検査マスクとして従来のマスク検査装置で検査す
ると、塵埃付着防止膜の存在が原因して検査光学系のピ
ント位置とフォーカスサーボ機構8の示すピント位置と
にずれが生じ、ラインセンサ7上にマスクパターンの像
を鮮明に結像させることができず、この結果、精度の高
い検査を実行できないという問題があった。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来のマ
スク検査装置では、塵埃付着防止膜付きフォトマスクに
ついては精度の高い検査を実行できない問題があった。
【0015】そこで本発明は、上述した不具合を解消で
き、塵埃付着防止膜付きフォトマスクの場合であっても
精度の高い検査を実行できるマスク検査装置を提供する
ことを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成るため
に、本発明に係るマスク検査装置では、被検査マスクの
マスクパターン形成面を覆うように装着された塵埃付着
防止膜の存在によって起こるフォーカスサーボ位置のず
れ量を予め推定し、このずれ量に応じたオフセット値を
フォーカスサーボ機構に与える位置補正手段を設けてい
る。
【0017】すなわち、上記ずれ量は使用する塵埃付着
防止膜の材質(屈折率n)および膜厚tに対して一定の
関係にあり、かつ検査前にはどのような塵埃付着防止膜
が使用されているか判明していることに着目し、上記ず
れ量を予め推定してオフセット値を設定しているのであ
る。
【0018】
【作用】塵埃付着防止膜付きフォトマスクを検査する場
合であっても、検査光学系のピント位置とフォーカスサ
ーボ機構が示すピント位置とのずれ量を補正できるの
で、センサ上にパターン像を鮮明に結像させることがで
きる。したがって、塵埃付着防止膜付きフォトマスクの
場合であっても、精度の高い検査が可能となる。
【0019】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。
【0020】図1には本発明の一実施例に係るマスク検
査装置の概略構成が示されている。なお、この図では図
5と同一部分が同一符号で示されている。したがって、
重複する部分の説明は省略する。
【0021】このマスク検査装置が従来のものと異なる
点は、フォーカスサーボ機構41の構成と、制御用計算
機9の機能とにある。
【0022】フォーカスサーボ機構41の検出光学系4
2は、従来装置と同様に光テコ方式を採用しており、光
源21,スリット22,レンズ22,反射鏡24,レン
ズ25,反射鏡26,反射鏡27,レンズ28,反射鏡
29,レンズ30および受光器31を組合せて構成され
ている。この光テコ方式の特徴は、先に説明したよう
に、受光器31に入射する光の入射位置の基準位置から
のずれ量に基いて被検査マスク1におけるマスクパター
ン形成面の図中上下方向位置を検出するものである。
【0023】受光器31の出力はオートフォーカス検出
系43に導入される。このオートフォーカス検出系43
は、受光器31に入射した光の入射位置の基準位置から
のずれ量を求め、このずれ量信号をフォーカスオフセッ
ト設定回路44に与える。この設定回路44は、上記ず
れ量信号と制御用計算機9から後述する関係に与えられ
るオフセット信号とを加算し、この加算信号をオートフ
ォーカス駆動制御系45に与える。そして、オートフォ
ーカス駆動制御系45は、加算信号に対応させて対物レ
ンズ駆動系33を制御している。
【0024】次に、上記のように構成されたマスク検査
装置の動作を説明する。
【0025】今、被検査マスク1が塵埃付着防止膜付き
フォトマスク、つまりマスクパターン形成面の前面に透
明の塵埃付着防止膜46の装着されたフォトマスクであ
るとする。このような構成の被検査マスク1の場合に
は、フォーカスサーボ機構41における検出光学系42
の途中に塵埃付着防止膜46が介在することになる。
【0026】すなわち、被検査マスク1が塵埃付着防止
膜付きフォトマスクであると、図2(a) に示すように、
反射鏡26から被検査マスク1へ向かう光Qは、塵埃付
着防止膜44によって屈折して光束中心がずれる。この
ため、被検査マスク1のマスクパターン形成面が対物レ
ンズ5の焦点位置上にあってもオートフォーカス検出系
43ではΔ1 だけ対物レンズ5の焦点位置より図中下側
に位置しているものとして検出される。
【0027】一方、検査光学系の対物レンズ5側でも、
図2(b) に示すように、塵埃付着防止膜45の存在によ
って、結像位置がSからS′へとΔ2 だけずれる。これ
らΔ1 とΔ2 が同じ値であればよいが、一般的には異な
る値となるため、塵埃付着防止膜46のないマスク試料
でオートフォーカス調整がなされていると、塵埃付着防
止膜付きフォトマスクの場合にはオートフォーカスされ
たはずの位置でピントがボケることになる。
【0028】この本発明者らは、Δ1 とΔ2 とにはある
特定の関係が成立ち、このフォーカス位置のずれ量を推
定できるのではないかと考え検討した。その結果、次に
示すような関係を導き出した。
【0029】まず、塵埃付着防止膜46を同じ厚さの空
気層に置き換えたときにおける横方向の光の入出射点の
差xは、入射角θとして、 x=t・tan θ となるが、塵埃付着防止膜46が存在すると、その差
x′は x′=t・tan θ′ =t・tan {sin -1(sin θ/n)} となる。ただし、tは塵埃付着防止膜46の膜厚,θ′
は塵埃付着防止膜46内の入射角,nは塵埃付着防止膜
46を形成している材料の屈折率である。
【0030】一方、被検査マスク1のマスクパターン形
成面で反射された光は再び塵埃付着防止膜46を透過す
る。塵埃付着防止膜46の下面での出射点と、塵埃付着
防止膜46を同じ厚さの空気層に置き換えたときの出射
点との差Δxは、光が塵埃付着防止膜46を2回通るた
めに次のようになる。
【0031】Δx=2(x−x′) これを光軸の上下動Δyに換算すると、 Δy=Δx・cos θ となる。さらに、被検査マスク1の上下動Δ1 に換算す
ると、次のようになる。 Δ1 =Δy/(2・sin θ) =Δx/(2・tan θ) =(x−x′)/tan θ =t・〔1−tan {sin -1(sin θ/n)}/tan θ〕 =t・{1−cos θ/(n2 −sin 2 θ)1/2 } =t・〔1−{(1−NAZ 2 )/(n2 −NAZ 2 )}1/2 〕…(1) ただし、NAZ =sinθである。
【0032】一方、検査光学系の対物レンズ5において
は、通常、塵埃付着防止膜46に対する球面収差を補正
できないので、近軸光線ずれ量と軸外光線のずれ量とは
異なる。このため、近軸光線(NA=0)のずれ量Δ0
と最も外側の軸外光線(NA=NAL ;NAL =sin θ
L )のずれ量を求め、2つの平均値で代表するのが妥当
と考えられる。すなわち、(1) 式でNAZ →0とするこ
とにより、 Δ0 =t・(1−1/n) (1) 式でNAZ →NAL とすることにより、 ΔL =t・〔1−{(1−NAL 2 )/(n2 −NAL 2 )}1/2 〕 であるから、 Δ2 =(Δ0 +ΔL )/2 =t・[1−〔1/n+{(1−NAL 2 ) /(n2 −NAL 2 )}1/2 〕/2] …(2) となる。(1) 式,(2) 式において、NAZ ,NAL は検
出光学系,対物レンズ光学系の設計パメータであり、予
め判明している値である。また、t,nは使用する塵埃
付着防止膜46によって異なるが、通常この情報はあら
かじめオペレータが管理しており、少なくとも検査を行
う前には知ることができる。
【0033】したがって、検査を行う前に塵埃付着防止
膜46に関する情報を制御用計算機9に入力し、ピント
位置のずれ量を推定し、フォーカスオフセット値を求め
フォーカスオフセット設定回路43にデータを与える。
【0034】制御用計算機9での処理をフローチャート
で示すと図3のようになる。まず、外部入力機器より塵
埃付着防止膜46に関する情報(防止膜の有無,防止膜
の屈折率n,防止膜の膜厚t)を入力する。次に防止膜
の有無を調べ、防止膜なしの場合はフォーカスオフセッ
ト値f0 をf0 =0とする。防止膜有りの場合には、屈
折率nと膜厚tとから(1) 式,(2) 式によりΔ1 ,Δ2
を求め、f0 =Δ2 −Δ1 とする。最後にf0 をフォー
カスオフセット設定回路44に入力する。
【0035】したがって、検査を行う際、塵埃付着防止
膜46がある場合であっても、この塵埃付着防止膜46
の影響によるピント位置のずれ量分だけオートフォーカ
ス位置にオフセットがかかるため、オートフォーカス状
態ではピントボケを起こすことはない。以上の処理はほ
とんど制御計算機9のソフトを変更するだけでよいので
容易に行うことができる。
【0036】計算の一例として、n=1.5 ,NAZ =0.
94(θ=70°),NAL =0.65(θL =40.54 °),t
=3 μmとすると、ピント位置のずれ量はΔ1 −Δ2
0.97μmと算出できる。したがって、f0 =-0.97 μm
としてフォーカスオフセット値を設定すればよい。
【0037】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものではない。実施例では検査光学系の外側にフォ
ーカスサーボ機構で必要な光テコ方式の検出光学系を設
けているが、図4に示すように検査光学系の対物レンズ
5の中を検出光50が通るTTL方式の検出光学系51
を用いるようにしてもよい。また、実施例では被検査マ
スクを透過した光を検査光学系に導く方式を採用してい
るが、反射光を検出する方式を採用してもよい。また、
実施例では基準データと測定データとを比較する比較判
定方式を採用しているが、2個の同一パターンを比較す
るダイ比較方式を採用してもよい。その他本発明の要旨
を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができ
る。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
簡単な装置の改造で塵埃付着防止膜付き付きの被検査マ
スクに対して、塵埃付着防止膜の影響を受けることなく
精度の高い検査が可能となる。したがって、マスクパタ
ーンの検査工程において、塵埃の付着を防ぐ塵埃付着防
止膜の導入が可能となり、半導体製造ラインでの歩留り
向上に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るマスク検査装置を示す
概略構成図、
【図2】塵埃付着防止膜によるピント位置のずれを説明
するための模式図、
【図3】制御用計算機での塵埃付着防止膜に対する処理
を示すフローチャート、
【図4】フォーカスサーボ機構における検出光学系の変
形例を示す図、
【図5】従来のマスク検査装置を示す概略構成図、
【図6】マスクの検査方法を説明するための図。
【符号の説明】
1…被検査マスク 2…移動テーブ
ル 3…光源 5…対物レンズ 7…ラインセンサ 9…制御用計算
機 10…テーブル駆動回路 11…AD変換器 12…位置計算回路 13…比較判定回
路 14…レーザ測長計 19…基準データ
計算回路 41…フォーカスサーボ機構 42…検出光学系 43…オートフォーカス検出系 44…フォーカス
オフセット設定回路 45…オートフォーカス駆動制御系 46…塵埃付着防
止膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−74625(JP,A) 特開 昭63−208746(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 1/08 G01B 11/24

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被検査マスクを支持する移動テーブルと、
    この移動テーブルを移動させるテーブル駆動手段と、前
    記被検査マスクに光を照射する手段と、前記被検査マス
    クに形成されているマスクパターンの像をセンサ上に結
    像させる検出光学系と、前記被検査マスクのマスクパタ
    ーン形成面位置を検出して前記検出光学系のフォーカス
    制御を行うフォーカスサーボ機構と、前記移動テーブル
    を移動させながら前記被検査マスクを走査し、このとき
    に得られた前記センサ出力をもとにして上記被検査マス
    クの良否を判定する判定手段とを備えたマスク検査装置
    において、前記被検査マスクのマスクパターン面を覆う
    ように装着された塵埃付着防止膜によって起こるフォー
    カスサーボ位置のずれ量を予め推定し、このずれ量に応
    じたオフセット値を前記フォーカスサーボ機構に与える
    位置補正手段を具備してなることを特徴とするマスク検
    査装置。
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US6952256B2 (en) * 2002-08-30 2005-10-04 Kla-Tencor Technologies Corporation Optical compensation in high numerical aperture photomask inspection systems for inspecting photomasks through thick pellicles

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