JP3296306B2 - 異方導電性接着剤および接着用膜 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相対峙する回路を
電気的に接続すると共に接着固定するために用いられる
回路接続用の異方導電性接着剤およびこれからなる異方
導電性接着用膜に関し、特にＩＣチップを直接回路に接
続する、いわゆるフリップチップボンディングに好適に
用いられる異方導電性接着剤およびこれからなる異方導
電性接着用膜に関する。
電気的に接続すると共に接着固定するために用いられる
回路接続用の異方導電性接着剤およびこれからなる異方
導電性接着用膜に関し、特にＩＣチップを直接回路に接
続する、いわゆるフリップチップボンディングに好適に
用いられる異方導電性接着剤およびこれからなる異方導
電性接着用膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の軽量薄型化に伴い、これら電
子部品に適用する実装方式として、ＩＣチップを直接実
装するベアチップ実装、またはフリップチップボンディ
ング方式が用いられている。回路基板上にＩＣチップを
直接実装する方法としては、１）ＩＣ電極と回路端子を
金線で接続するワイヤーボンディング方式、２）ＩＣ電
極と回路端子を半田リフローで接続するフェイスダウン
方式、３）ＩＣチップにバンプを形成して、異方導電性
接着剤により接続する方式等があげられる。これらの中
では、特に異方導電性接着剤（異方導電性接着剤を剥離
フィルム上に塗布して加熱・乾燥してフィルム状にした
異方導電性接着用膜を含む）方式が、手軽で導通信頼性
が高く、しかも封止の必要がないため、最小のコストで
高密度実装が可能になる等のメリットがあり、最近広く
用いられるようになっている。
子部品に適用する実装方式として、ＩＣチップを直接実
装するベアチップ実装、またはフリップチップボンディ
ング方式が用いられている。回路基板上にＩＣチップを
直接実装する方法としては、１）ＩＣ電極と回路端子を
金線で接続するワイヤーボンディング方式、２）ＩＣ電
極と回路端子を半田リフローで接続するフェイスダウン
方式、３）ＩＣチップにバンプを形成して、異方導電性
接着剤により接続する方式等があげられる。これらの中
では、特に異方導電性接着剤（異方導電性接着剤を剥離
フィルム上に塗布して加熱・乾燥してフィルム状にした
異方導電性接着用膜を含む）方式が、手軽で導通信頼性
が高く、しかも封止の必要がないため、最小のコストで
高密度実装が可能になる等のメリットがあり、最近広く
用いられるようになっている。
【０００３】しかしながら、ますますファインピッチ
化、およびＩＣバンプ（突起電極）の面積の微小化に伴
い、異方導電性接着剤中に含まれる導電粒子の粒径を小
さくする必要があり、また導通信頼性を向上させるため
に導電粒子の配合量を増加させる傾向になっている。し
かしながら、導電粒子の粒径を小さくすると二次凝集に
より接続のバラツキやパターン間のショートが問題とな
り、配合量を増すとやはりパターン間のショートが問題
となってくる。
化、およびＩＣバンプ（突起電極）の面積の微小化に伴
い、異方導電性接着剤中に含まれる導電粒子の粒径を小
さくする必要があり、また導通信頼性を向上させるため
に導電粒子の配合量を増加させる傾向になっている。し
かしながら、導電粒子の粒径を小さくすると二次凝集に
より接続のバラツキやパターン間のショートが問題とな
り、配合量を増すとやはりパターン間のショートが問題
となってくる。
【０００４】この対策として、導電粒子の表面を絶縁層
で被覆した絶縁コート粒子を用いたり、異方導電性接着
用膜を多層化して接続の際に電極からの導電粒子の流出
を防止する試みもなされている。しかしながら絶縁コー
ト粒子を用いる場合、その硬度、弾性によって長期間の
導通信頼性が低下することが懸念される。また絶縁コー
ト粒子としては平均粒径が５μｍ程度のものが主に使用
されているが、この粒子の配合量を増加すると、例えば
膜当り４００００個／ｍｍ2程度配合すると、バンプ間
が１０μｍ以下のピッチの小さいファインピッチＩＣの
接続では絶縁信頼性を維持するのが困難になる。
で被覆した絶縁コート粒子を用いたり、異方導電性接着
用膜を多層化して接続の際に電極からの導電粒子の流出
を防止する試みもなされている。しかしながら絶縁コー
ト粒子を用いる場合、その硬度、弾性によって長期間の
導通信頼性が低下することが懸念される。また絶縁コー
ト粒子としては平均粒径が５μｍ程度のものが主に使用
されているが、この粒子の配合量を増加すると、例えば
膜当り４００００個／ｍｍ2程度配合すると、バンプ間
が１０μｍ以下のピッチの小さいファインピッチＩＣの
接続では絶縁信頼性を維持するのが困難になる。
【０００５】一方、多層化した場合、導電粒子の配合量
を増加することができ、例えば平均粒径が３μｍ程度の
粒径が小さい導電粒子を膜当り８００００個／ｍｍ2程
度まで配合することができるが、この場合高精度のバン
プを作成する必要があるほか、接続する際のプレス精度
を厳しく管理する必要があるなど、コスト高になる。
を増加することができ、例えば平均粒径が３μｍ程度の
粒径が小さい導電粒子を膜当り８００００個／ｍｍ2程
度まで配合することができるが、この場合高精度のバン
プを作成する必要があるほか、接続する際のプレス精度
を厳しく管理する必要があるなど、コスト高になる。
【０００６】ところで特開平４−１７４９８０号には、
加熱により変形する導電粒子の表面を熱可塑性絶縁層で
被覆した絶縁被覆粒子と、この絶縁被覆粒子より硬質で
ある厚み制御粒子とを、加熱により塑性流動性を示す絶
縁性接着剤中に含有させた回路の接続部材が記載されて
いる。
加熱により変形する導電粒子の表面を熱可塑性絶縁層で
被覆した絶縁被覆粒子と、この絶縁被覆粒子より硬質で
ある厚み制御粒子とを、加熱により塑性流動性を示す絶
縁性接着剤中に含有させた回路の接続部材が記載されて
いる。
【０００７】しかしながら、この接続部材は、厚み制御
粒子が絶縁体の場合、この厚み制御粒子は導通には関与
しないので高い導通信頼性が得られにくい。また厚み制
御粒子が導体の場合は、配合量が多くなると短絡が起こ
り、絶縁信頼性が得られない。さらに厚み制御粒子は変
形しないため、粒径にバラツキがある場合、最も大粒径
の粒子によって厚みが制御され、これより小粒径の粒子
は導通に関与しないため導通信頼性にも欠ける。
粒子が絶縁体の場合、この厚み制御粒子は導通には関与
しないので高い導通信頼性が得られにくい。また厚み制
御粒子が導体の場合は、配合量が多くなると短絡が起こ
り、絶縁信頼性が得られない。さらに厚み制御粒子は変
形しないため、粒径にバラツキがある場合、最も大粒径
の粒子によって厚みが制御され、これより小粒径の粒子
は導通に関与しないため導通信頼性にも欠ける。
【０００８】また特開平９−１０２６６１号には、特定
の圧縮硬さ（Ｋ値）と特定の変形回復率を有する導電性
微粒子を用いた電極間の導電接続方法が記載されてい
る。しかしながら、上記導電性微粒子を用いた場合で
も、ファインピッチＩＣの接続においては、高い導通信
頼性と高い絶縁信頼性とを得るのは難しい。
の圧縮硬さ（Ｋ値）と特定の変形回復率を有する導電性
微粒子を用いた電極間の導電接続方法が記載されてい
る。しかしながら、上記導電性微粒子を用いた場合で
も、ファインピッチＩＣの接続においては、高い導通信
頼性と高い絶縁信頼性とを得るのは難しい。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、バン
プまたはピッチの小さいＩＣを接続する場合でも、ショ
ートや回路パターンへのダメージを与えることなく、高
い導通信頼性と高い絶縁信頼性が得られ、しかも低コス
トで容易に接続することができる異方導電性接着剤、お
よびそれからなる異方導電性接着用膜を提供することで
ある。
プまたはピッチの小さいＩＣを接続する場合でも、ショ
ートや回路パターンへのダメージを与えることなく、高
い導通信頼性と高い絶縁信頼性が得られ、しかも低コス
トで容易に接続することができる異方導電性接着剤、お
よびそれからなる異方導電性接着用膜を提供することで
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は次の異方導電性
接着剤およびそれからなる異方導電性接着用膜である。 （１） 絶縁性接着剤中に導電粒子が分散された異方導
電性接着剤であって、前記導電粒子は、それぞれ高分子
核材粒子を導電材で被覆した導電被覆粒子を絶縁性接着
剤に不溶な絶縁性樹脂で被覆した絶縁被覆導電粒子であ
って、かつ平均粒径が異なる２種以上の導電粒子であ
り、上記平均粒径が異なる２種以上の導電粒子は、いず
れも接続の際の加圧により弾性変形する粒子であって、
それぞれ１ｇ荷重圧縮回復率（Ｒ）が５〜８０％であ
り、平均粒径の小さい導電粒子は平均粒径の大きい導電
粒子と同等か、それ以上の硬度を有することを特徴とす
る異方導電性接着剤。 （２） 平均粒径の小さい導電粒子のＫ値が３５０ｋｇ
ｆ／ｍｍ2以上、平均粒径の大きい導電粒子のＫ値が４
５０ｋｇｆ／ｍｍ2以下であり、平均粒径の小さい導電
粒子のＫ値が平均粒径の大きい導電粒子のＫ値より相対
的に大きいことを特徴とする上記（１）記載の異方導電
性接着剤。 （３） 平均粒子径の小さい導電粒子の含有個数が平均
粒径の大きい導電粒子の含有個数より多いことを特徴と
する上記（１）または（２）に記載の異方導電性接着
剤。 （４） 平均粒径が３±０．５μｍと５±０．５μｍの
２種類の導電粒子が分散されてなることを特徴とする上
記（１）ないし（３）のいずれかに記載の異方導電性接
着剤。 （５） ＩＣチップと回路基板とを接続するＩＣチップ
接続用である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載
の異方導電性接着剤。 （６） ＩＣチップに形成された４０００μｍ2以下の
微小バンプと回路基板とを接続するＩＣチップ接続用で
ある上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の異方導
電性接着剤。 （７） 上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の異
方導電性接着剤からなる異方導電性接着用膜。 （８） ＩＣチップと回路基板とを接続するＩＣチップ
接続用である上記（７）記載の異方導電性接着用膜。 （９） ＩＣチップに形成された４０００μｍ2以下の
微小バンプと回路基板とを接続するＩＣチップ接続用で
ある上記（７）記載の異方導電性接着用膜。 （１０） 単位面積当りの膜中に含有される平均粒径の
小さい導電粒子の含有量が３００００〜８００００個／
ｍｍ2の範囲であり、平均粒径の大きい導電粒子の含有
量が１００００〜３００００個／ｍｍ2の範囲であるこ
とを特徴とする上記（７）ないし（９）のいずれかに記
載の異方導電性接着用膜。 （１１） 膜の厚みが、接続を行うＩＣチップのバンプ
高さと回路基板上の配線パターンの高さとを合せた厚み
に対して１〜３倍である上記（７）ないし（１０）のい
ずれかに記載の異方導電性接着用膜。
接着剤およびそれからなる異方導電性接着用膜である。 （１） 絶縁性接着剤中に導電粒子が分散された異方導
電性接着剤であって、前記導電粒子は、それぞれ高分子
核材粒子を導電材で被覆した導電被覆粒子を絶縁性接着
剤に不溶な絶縁性樹脂で被覆した絶縁被覆導電粒子であ
って、かつ平均粒径が異なる２種以上の導電粒子であ
り、上記平均粒径が異なる２種以上の導電粒子は、いず
れも接続の際の加圧により弾性変形する粒子であって、
それぞれ１ｇ荷重圧縮回復率（Ｒ）が５〜８０％であ
り、平均粒径の小さい導電粒子は平均粒径の大きい導電
粒子と同等か、それ以上の硬度を有することを特徴とす
る異方導電性接着剤。 （２） 平均粒径の小さい導電粒子のＫ値が３５０ｋｇ
ｆ／ｍｍ2以上、平均粒径の大きい導電粒子のＫ値が４
５０ｋｇｆ／ｍｍ2以下であり、平均粒径の小さい導電
粒子のＫ値が平均粒径の大きい導電粒子のＫ値より相対
的に大きいことを特徴とする上記（１）記載の異方導電
性接着剤。 （３） 平均粒子径の小さい導電粒子の含有個数が平均
粒径の大きい導電粒子の含有個数より多いことを特徴と
する上記（１）または（２）に記載の異方導電性接着
剤。 （４） 平均粒径が３±０．５μｍと５±０．５μｍの
２種類の導電粒子が分散されてなることを特徴とする上
記（１）ないし（３）のいずれかに記載の異方導電性接
着剤。 （５） ＩＣチップと回路基板とを接続するＩＣチップ
接続用である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載
の異方導電性接着剤。 （６） ＩＣチップに形成された４０００μｍ2以下の
微小バンプと回路基板とを接続するＩＣチップ接続用で
ある上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の異方導
電性接着剤。 （７） 上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の異
方導電性接着剤からなる異方導電性接着用膜。 （８） ＩＣチップと回路基板とを接続するＩＣチップ
接続用である上記（７）記載の異方導電性接着用膜。 （９） ＩＣチップに形成された４０００μｍ2以下の
微小バンプと回路基板とを接続するＩＣチップ接続用で
ある上記（７）記載の異方導電性接着用膜。 （１０） 単位面積当りの膜中に含有される平均粒径の
小さい導電粒子の含有量が３００００〜８００００個／
ｍｍ2の範囲であり、平均粒径の大きい導電粒子の含有
量が１００００〜３００００個／ｍｍ2の範囲であるこ
とを特徴とする上記（７）ないし（９）のいずれかに記
載の異方導電性接着用膜。 （１１） 膜の厚みが、接続を行うＩＣチップのバンプ
高さと回路基板上の配線パターンの高さとを合せた厚み
に対して１〜３倍である上記（７）ないし（１０）のい
ずれかに記載の異方導電性接着用膜。
【００１１】本発明で用いる絶縁性接着剤としては、各
種の熱硬化性樹脂、熱可塑性の樹脂やゴムを用いること
ができる。接続後の信頼性の点から熱硬化性の樹脂が好
ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、メラミ
ン樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビ
スマレイミドトリアジン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂または
ポリイミド樹脂等の合成樹脂；ヒドロキシル基、カルボ
キシル基、ビニル基、アミノ基またはエポキシ基等の官
能基を含むゴムやエラストマなどを用いることができ
る。これらの中でも特にエポキシ樹脂が各種特性の点で
好ましく使用できる。
種の熱硬化性樹脂、熱可塑性の樹脂やゴムを用いること
ができる。接続後の信頼性の点から熱硬化性の樹脂が好
ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、メラミ
ン樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビ
スマレイミドトリアジン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂または
ポリイミド樹脂等の合成樹脂；ヒドロキシル基、カルボ
キシル基、ビニル基、アミノ基またはエポキシ基等の官
能基を含むゴムやエラストマなどを用いることができ
る。これらの中でも特にエポキシ樹脂が各種特性の点で
好ましく使用できる。
【００１２】エポキシ樹脂としては、ビスフェノール型
エポキシ樹脂、エポキシノボラック樹脂または分子内に
２個以上のオキシラン基を有するエポキシ化合物等が使
用できる。これらのエポキシ樹脂は、不純物イオン特に
塩素イオンが５０ｐｐｍ以下の高純度品を用いることが
好ましい。
エポキシ樹脂、エポキシノボラック樹脂または分子内に
２個以上のオキシラン基を有するエポキシ化合物等が使
用できる。これらのエポキシ樹脂は、不純物イオン特に
塩素イオンが５０ｐｐｍ以下の高純度品を用いることが
好ましい。
【００１３】本発明で用いる導電粒子は、高分子核材粒
子を導電材で被覆した導電被覆粒子を、前記絶縁性接着
剤に不溶な絶縁性樹脂で被覆した絶縁被覆導電粒子であ
る。
子を導電材で被覆した導電被覆粒子を、前記絶縁性接着
剤に不溶な絶縁性樹脂で被覆した絶縁被覆導電粒子であ
る。
【００１４】前記導電被覆粒子を構成する高分子核材粒
子としては、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、シリコーン
樹脂、アクリル樹脂、アクリル／スチレン樹脂（アクリ
レートとスチレンとの共重合体）、ポリオレフィン樹
脂、メラミン樹脂またはベンゾグアナミン樹脂等の合成
樹脂、ジビニルベンゼン架橋体；ＮＢＲまたはＳＢＲ等
の合成ゴム；これらの混合物などからなる粒子が使用で
きる。これらの中ではスチレン樹脂、アクリル樹脂、ア
クリル／スチレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニ
ルベンゼン架橋体が好ましい。高分子核材粒子の硬度ま
たは弾性等は特に制限されず、適宜所望する硬度または
弾性等を有するものを選択することができる。
子としては、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、シリコーン
樹脂、アクリル樹脂、アクリル／スチレン樹脂（アクリ
レートとスチレンとの共重合体）、ポリオレフィン樹
脂、メラミン樹脂またはベンゾグアナミン樹脂等の合成
樹脂、ジビニルベンゼン架橋体；ＮＢＲまたはＳＢＲ等
の合成ゴム；これらの混合物などからなる粒子が使用で
きる。これらの中ではスチレン樹脂、アクリル樹脂、ア
クリル／スチレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニ
ルベンゼン架橋体が好ましい。高分子核材粒子の硬度ま
たは弾性等は特に制限されず、適宜所望する硬度または
弾性等を有するものを選択することができる。
【００１５】上記高分子核材粒子を被覆する導電材とし
ては、ニッケル、金、銅等の金属が１種または２種以上
使用できる。導電材は高分子核材粒子表面に無電解また
は電解メッキにより膜状に被覆されているのが好まし
い。導電材の膜厚は５〜３００ｎｍ、好ましくは１０〜
２００ｎｍであるのが望ましい。特に下地としてニッケ
ルメッキを施し、その上に金メッキを施したものが好ま
しく、この場合、ニッケル下地メッキの膜厚は１０〜３
００ｎｍ、好ましくは３０〜２００ｎｍ、金メッキの膜
厚は５〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍとする
のが望ましい。
ては、ニッケル、金、銅等の金属が１種または２種以上
使用できる。導電材は高分子核材粒子表面に無電解また
は電解メッキにより膜状に被覆されているのが好まし
い。導電材の膜厚は５〜３００ｎｍ、好ましくは１０〜
２００ｎｍであるのが望ましい。特に下地としてニッケ
ルメッキを施し、その上に金メッキを施したものが好ま
しく、この場合、ニッケル下地メッキの膜厚は１０〜３
００ｎｍ、好ましくは３０〜２００ｎｍ、金メッキの膜
厚は５〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍとする
のが望ましい。
【００１６】前記導電被覆粒子を被覆する絶縁性樹脂と
しては、前記絶縁性接着剤に不溶であり、熱圧着により
被覆が溶融または破壊されて導電性を付与する絶縁性の
樹脂が制限なく使用できるが、アクリル樹脂、スチレン
樹脂またはアクリル／スチレン樹脂が好ましい。絶縁性
樹脂は導電被覆粒子表面に膜状に絶縁被覆されているの
が好ましく、特にアクリル樹脂架橋膜、スチレン樹脂架
橋膜またはアクリル／スチレン樹脂架橋膜で絶縁被覆さ
れているのが好ましい。絶縁性樹脂の膜厚は０．０５〜
２μｍ、好ましくは０．１〜０．５μｍであるのが望ま
しい。
しては、前記絶縁性接着剤に不溶であり、熱圧着により
被覆が溶融または破壊されて導電性を付与する絶縁性の
樹脂が制限なく使用できるが、アクリル樹脂、スチレン
樹脂またはアクリル／スチレン樹脂が好ましい。絶縁性
樹脂は導電被覆粒子表面に膜状に絶縁被覆されているの
が好ましく、特にアクリル樹脂架橋膜、スチレン樹脂架
橋膜またはアクリル／スチレン樹脂架橋膜で絶縁被覆さ
れているのが好ましい。絶縁性樹脂の膜厚は０．０５〜
２μｍ、好ましくは０．１〜０．５μｍであるのが望ま
しい。
【００１７】本発明で用いる平均粒径が異なる２種以上
の導電粒子は、いずれも本発明の異方導電性接着剤また
は接着用膜を使用する際の接着温度、例えば２００℃で
は熱変形を起こさず、接着する際の接着圧力、例えば４
００ｋｇｆ／ｃｍ2−バンプでは弾性変形するものを用
いる。具体的には、高分子核材粒子がスチレン樹脂、ア
クリル樹脂、アクリル／スチレン樹脂またはベンゾグア
ナミン樹脂の弾性を有する樹脂からなる導電粒子が好ま
しい。
の導電粒子は、いずれも本発明の異方導電性接着剤また
は接着用膜を使用する際の接着温度、例えば２００℃で
は熱変形を起こさず、接着する際の接着圧力、例えば４
００ｋｇｆ／ｃｍ2−バンプでは弾性変形するものを用
いる。具体的には、高分子核材粒子がスチレン樹脂、ア
クリル樹脂、アクリル／スチレン樹脂またはベンゾグア
ナミン樹脂の弾性を有する樹脂からなる導電粒子が好ま
しい。
【００１８】本発明では平均粒径の異なる２種以上の前
記導電粒子を用いる。各導電粒子の平均粒径は１〜１０
μｍ、好ましくは２〜７μｍであるのが望ましく、特に
バンプ面積が４０００μｍ2以下またはバンプ間が１０
μｍ以下の微小バンプのバンプと配線パターンとの接続
に用いる場合は２〜７μｍ、好ましくは３〜６μｍであ
るのが望ましい。平均粒径が１μｍ未満では粒子が二次
凝集を起こしやすくなるほか、製造上の取扱が難しくな
る。また１０μｍを超えると絶縁幅の狭い微細回路での
絶縁性が低下する。
記導電粒子を用いる。各導電粒子の平均粒径は１〜１０
μｍ、好ましくは２〜７μｍであるのが望ましく、特に
バンプ面積が４０００μｍ2以下またはバンプ間が１０
μｍ以下の微小バンプのバンプと配線パターンとの接続
に用いる場合は２〜７μｍ、好ましくは３〜６μｍであ
るのが望ましい。平均粒径が１μｍ未満では粒子が二次
凝集を起こしやすくなるほか、製造上の取扱が難しくな
る。また１０μｍを超えると絶縁幅の狭い微細回路での
絶縁性が低下する。
【００１９】以下、２種類の導電粒子を用いた場合を例
にして詳しく説明する。導電粒子の平均粒径の差は０．
５〜５μｍ、好ましくは１〜３μｍあるのが望ましい。
バンプ面積が４０００μｍ2以下またはバンプ間隔が１
０μｍ以下の微小バンプのバンプと配線パターンとの接
続に用いる場合、平均粒径が３±０．５μｍの導電粒子
と５±０．５μｍの導電粒子とを組み合せて用いるのが
好ましい。
にして詳しく説明する。導電粒子の平均粒径の差は０．
５〜５μｍ、好ましくは１〜３μｍあるのが望ましい。
バンプ面積が４０００μｍ2以下またはバンプ間隔が１
０μｍ以下の微小バンプのバンプと配線パターンとの接
続に用いる場合、平均粒径が３±０．５μｍの導電粒子
と５±０．５μｍの導電粒子とを組み合せて用いるのが
好ましい。
【００２０】また平均粒径が小さい導電粒子の硬度は平
均粒径が大きい導電粒子の硬度と同等かそれ以上の硬度
を有しているのが好ましい。具体的には、平均粒径の小
さい導電粒子のＫ値は３５０ｋｇｆ／ｍｍ2以上、好ま
しくは５００ｋｇｆ／ｍｍ2以上であり、平均粒径の大
きい導電粒子のＫ値は４５０ｋｇｆ／ｍｍ2以下、好ま
しくは１００〜４５０ｋｇｆ／ｍｍ2であって、平均粒
径の小さい導電粒子のＫ値が平均粒径の大きい導電粒子
のＫ値より相対的に大きいのが好ましい。特に、５０ｋ
ｇｆ／ｍｍ2以上、好ましくは１００ｋｇｆ／ｍｍ2以上
大きいのが望ましい。平均粒径が３±０．５μｍと５±
０．５μｍの２種類の導電粒子を用いる場合、３±０．
５μｍの導電粒子のＫ値は４５０ｋｇｆ／ｍｍ2以上、
好ましくは６００ｋｇｆ／ｍｍ2以上、５±０．５μｍ
の導電粒子のＫ値は４５０ｋｇｆ／ｍｍ2以下、好まし
くは１００〜４５０ｋｇｆ／ｍｍ2であって、Ｋ値の差
が５０ｋｇｆ／ｍｍ2以上、好ましくは１００ｋｇｆ／
ｍｍ2以上であるのが望ましい。
均粒径が大きい導電粒子の硬度と同等かそれ以上の硬度
を有しているのが好ましい。具体的には、平均粒径の小
さい導電粒子のＫ値は３５０ｋｇｆ／ｍｍ2以上、好ま
しくは５００ｋｇｆ／ｍｍ2以上であり、平均粒径の大
きい導電粒子のＫ値は４５０ｋｇｆ／ｍｍ2以下、好ま
しくは１００〜４５０ｋｇｆ／ｍｍ2であって、平均粒
径の小さい導電粒子のＫ値が平均粒径の大きい導電粒子
のＫ値より相対的に大きいのが好ましい。特に、５０ｋ
ｇｆ／ｍｍ2以上、好ましくは１００ｋｇｆ／ｍｍ2以上
大きいのが望ましい。平均粒径が３±０．５μｍと５±
０．５μｍの２種類の導電粒子を用いる場合、３±０．
５μｍの導電粒子のＫ値は４５０ｋｇｆ／ｍｍ2以上、
好ましくは６００ｋｇｆ／ｍｍ2以上、５±０．５μｍ
の導電粒子のＫ値は４５０ｋｇｆ／ｍｍ2以下、好まし
くは１００〜４５０ｋｇｆ／ｍｍ2であって、Ｋ値の差
が５０ｋｇｆ／ｍｍ2以上、好ましくは１００ｋｇｆ／
ｍｍ2以上であるのが望ましい。
【００２１】ここで、上記Ｋ値について説明する。ラン
ダウ−リフシッツ理論物理学教程『弾性理論』（東京図
書１９７２年発行）４２頁によれば、半径がそれぞれ
Ｒ、Ｒ′の二つの弾性球体の接触問題は次式により与え
られる。
ダウ−リフシッツ理論物理学教程『弾性理論』（東京図
書１９７２年発行）４２頁によれば、半径がそれぞれ
Ｒ、Ｒ′の二つの弾性球体の接触問題は次式により与え
られる。
【数１】 ｈ＝Ｆ2/3［Ｄ2（１／Ｒ＋１／Ｒ′）］1/3 ・・・（１） Ｄ＝（３／４）［（１−σ2）／Ｅ＋（１−σ′2）／Ｅ′］ ・・・（２） （式中、ｈはＲ＋Ｒ′と両球の中心間の距離の差、Ｆは
圧縮力、Ｅ，Ｅ′は二つの弾性球の弾性率、σ，σ′は
弾性球のポアッソン比を表す。）一方の球を剛体の板に
置き換えて他方の球と接触させ、かつ両側から圧縮する
場合、Ｒ′→∞、Ｅ≫Ｅ′とすると、近似的に次式が得
られる。
圧縮力、Ｅ，Ｅ′は二つの弾性球の弾性率、σ，σ′は
弾性球のポアッソン比を表す。）一方の球を剛体の板に
置き換えて他方の球と接触させ、かつ両側から圧縮する
場合、Ｒ′→∞、Ｅ≫Ｅ′とすると、近似的に次式が得
られる。
【数２】 Ｆ＝（２1/2／３）（Ｓ3/2）（Ｅ・Ｒ1/2）（１−σ2） ・・・（３） （式中、Ｓは圧縮変形量を表す。）
【００２２】ここで、次式によりＫ値を定義する。
【数３】 Ｋ＝Ｅ／（１−σ2） ・・・（４） 式（３）と式（４）から容易に次式が得られる。
【数４】 Ｋ＝（３／√２）・Ｆ・Ｓ-3/2・Ｒ-1/2 ・・・（５） このＫ値は球体の硬さ（硬度）を普偏的かつ定量的に表
すものである。従って、Ｋ値により微粒子の硬さを定量
的かつ一義的に表すことが可能である。
すものである。従って、Ｋ値により微粒子の硬さを定量
的かつ一義的に表すことが可能である。
【００２３】Ｋ値は下記測定方法により測定することが
できる。平滑表面を有する鋼板の上に試料粒子を散布
し、その中から１個の試料粒子を選ぶ。次に、粉体圧縮
試験機（例えば、ＰＣＴ−２００型、島津製作所製）を
用いて、ダイヤモンド製の直径５０μｍの円柱の平滑な
端面で試料粒子を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力
として電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる
変位として電気的に検出する。そして図１に示す圧縮変
位−荷重の関係が求められる。この図から試料粒子の１
０％圧縮変形における荷重値と圧縮変位がそれぞれ求め
られ、これらの値と式（５）から図２に示すＫ値と圧縮
歪みの関係が求められる。ただし、圧縮歪みは圧縮変位
を試料粒子の粒子径で割った値を％で表したものであ
る。測定条件は以下の通りである。 圧縮速度： 定負荷速度圧縮方式で毎秒０．２７グラム
重（ｇｒｆ）の割合で荷重を増加させる。 試験荷重： 最大１０ｇｒｆ 測定温度： ２０℃
できる。平滑表面を有する鋼板の上に試料粒子を散布
し、その中から１個の試料粒子を選ぶ。次に、粉体圧縮
試験機（例えば、ＰＣＴ−２００型、島津製作所製）を
用いて、ダイヤモンド製の直径５０μｍの円柱の平滑な
端面で試料粒子を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力
として電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる
変位として電気的に検出する。そして図１に示す圧縮変
位−荷重の関係が求められる。この図から試料粒子の１
０％圧縮変形における荷重値と圧縮変位がそれぞれ求め
られ、これらの値と式（５）から図２に示すＫ値と圧縮
歪みの関係が求められる。ただし、圧縮歪みは圧縮変位
を試料粒子の粒子径で割った値を％で表したものであ
る。測定条件は以下の通りである。 圧縮速度： 定負荷速度圧縮方式で毎秒０．２７グラム
重（ｇｒｆ）の割合で荷重を増加させる。 試験荷重： 最大１０ｇｒｆ 測定温度： ２０℃
【００２４】本発明で用いる平均粒径が異なる２種以上
の導電粒子は、下記方法で測定した１ｇ荷重圧縮回復率
（Ｒ）がそれぞれ５〜８０％、好ましくは３０〜８０％
のものを用いる。平滑表面を有する鋼板の上に試料粒子
を散布し、その中から１個の試料粒子を選ぶ。次に、粉
体圧縮試験機（例えば、ＰＣＴ−２００型、島津製作所
製）を用いて、ダイヤモンド製の直径５０μｍの円柱の
平滑な端面で試料粒子を圧縮する。この際、圧縮荷重を
電磁力として電気的に検出し、圧縮変位を作動トランス
による変位として電気的に検出する。そして、図３に示
すように試料粒子を反転荷重値まで圧縮した後（図中の
曲線ａ）、逆に荷重を減らして行き（図中の曲線ｂ）荷
重と圧縮変位との関係を測定する。ただし、除荷重にお
ける終点は荷重値ゼロではなく、０．１ｇの原点荷重値
とする。圧縮回復率は反転の点までの変位Ｌ1と反転の
点から原点荷重値をとる点までの変位差Ｌ2の比を％で
表した値で定義する。
の導電粒子は、下記方法で測定した１ｇ荷重圧縮回復率
（Ｒ）がそれぞれ５〜８０％、好ましくは３０〜８０％
のものを用いる。平滑表面を有する鋼板の上に試料粒子
を散布し、その中から１個の試料粒子を選ぶ。次に、粉
体圧縮試験機（例えば、ＰＣＴ−２００型、島津製作所
製）を用いて、ダイヤモンド製の直径５０μｍの円柱の
平滑な端面で試料粒子を圧縮する。この際、圧縮荷重を
電磁力として電気的に検出し、圧縮変位を作動トランス
による変位として電気的に検出する。そして、図３に示
すように試料粒子を反転荷重値まで圧縮した後（図中の
曲線ａ）、逆に荷重を減らして行き（図中の曲線ｂ）荷
重と圧縮変位との関係を測定する。ただし、除荷重にお
ける終点は荷重値ゼロではなく、０．１ｇの原点荷重値
とする。圧縮回復率は反転の点までの変位Ｌ1と反転の
点から原点荷重値をとる点までの変位差Ｌ2の比を％で
表した値で定義する。
【数５】 圧縮回復率（Ｒ）＝（Ｌ2／Ｌ1）×１００ ・・・（６） 測定条件は次の通りである。 反転荷重値： １．０ｇｒｆ 原点荷重値： ０．１ｇｒｆ 負荷および除負荷における圧縮速度： ０．２７ｇｒｆ／ｓｅｃ 測定温度： ２０℃
【００２５】本発明の異方導電性接着剤中の導電粒子の
含有量は、平均粒径の小さい導電粒子の含有個数が平均
粒径の大きい導電粒子の含有個数より多いのが好まし
い。具体的には、平均粒径の小さい導電粒子の含有量
は、３００００〜８００００個／ｍｍ2、好ましくは３
００００〜５００００個／ｍｍ2、平均粒径の大きい導
電粒子の含有量は、１００００〜３００００個／ｍ
ｍ2、好ましくは１５０００〜３００００個／ｍｍ2であ
るのが望ましい。また平均粒径の小さい導電粒子含有量
／平均粒径の大きい導電粒子含有量の比は、個数の比で
１．１〜８、好ましくは１．３〜４であるのが望まし
い。平均粒径が３±０．５μｍと５±０．５μｍの２種
類の導電粒子を用いる場合も、上記含有量が好ましい。
含有量は、平均粒径の小さい導電粒子の含有個数が平均
粒径の大きい導電粒子の含有個数より多いのが好まし
い。具体的には、平均粒径の小さい導電粒子の含有量
は、３００００〜８００００個／ｍｍ2、好ましくは３
００００〜５００００個／ｍｍ2、平均粒径の大きい導
電粒子の含有量は、１００００〜３００００個／ｍ
ｍ2、好ましくは１５０００〜３００００個／ｍｍ2であ
るのが望ましい。また平均粒径の小さい導電粒子含有量
／平均粒径の大きい導電粒子含有量の比は、個数の比で
１．１〜８、好ましくは１．３〜４であるのが望まし
い。平均粒径が３±０．５μｍと５±０．５μｍの２種
類の導電粒子を用いる場合も、上記含有量が好ましい。
【００２６】なお上記個数は、本発明の異方導電性接着
剤から接着用膜を形成し、この膜（接続に使用する前の
膜）の単位面積当りの膜中に含まれる個数、すなわち膜
の表面における面積１ｍｍ2を底面とし、膜厚を高さと
する直方体中に含まれる個数である。この場合、直方体
の側面で切断される導電粒子は１／２個と数える。な
お、上記膜厚は接続に用いる膜の膜厚とする。従って、
導電粒子の密度をより大きくすると、膜厚をより薄くし
た状態で使用することができ、逆に導電粒子の密度をよ
り小さくすると、膜厚をより厚くした状態で使用するの
が好ましい。平均粒径の大きい導電粒子および平均粒径
の小さい導電粒子を前記個数で含有している場合、接着
後のバンプ面上には、平均粒径の大きい導電粒子が、平
均−３σ（σは標準偏差を示す）で１個／１バンプ以
上、平均粒径の小さい導電粒子が、平均−３σで５個／
１バンプ以上通常存在する。なお導電粒子の膜中の含有
個数は、光学顕微鏡を用い、５００倍の倍率で写真を撮
影し、２００μｍ角中の粒子数を数え、その結果を１ｍ
ｍ2に換算して求めることができる。
剤から接着用膜を形成し、この膜（接続に使用する前の
膜）の単位面積当りの膜中に含まれる個数、すなわち膜
の表面における面積１ｍｍ2を底面とし、膜厚を高さと
する直方体中に含まれる個数である。この場合、直方体
の側面で切断される導電粒子は１／２個と数える。な
お、上記膜厚は接続に用いる膜の膜厚とする。従って、
導電粒子の密度をより大きくすると、膜厚をより薄くし
た状態で使用することができ、逆に導電粒子の密度をよ
り小さくすると、膜厚をより厚くした状態で使用するの
が好ましい。平均粒径の大きい導電粒子および平均粒径
の小さい導電粒子を前記個数で含有している場合、接着
後のバンプ面上には、平均粒径の大きい導電粒子が、平
均−３σ（σは標準偏差を示す）で１個／１バンプ以
上、平均粒径の小さい導電粒子が、平均−３σで５個／
１バンプ以上通常存在する。なお導電粒子の膜中の含有
個数は、光学顕微鏡を用い、５００倍の倍率で写真を撮
影し、２００μｍ角中の粒子数を数え、その結果を１ｍ
ｍ2に換算して求めることができる。
【００２７】本発明で導電粒子として使用する前記絶縁
被覆導電粒子は、例えば次のような方法により製造する
ことができる。まず前記高分子核材粒子の表層部分を公
知のハイブリダイゼーションシステムによる処理（以下
「ハイブリダイゼーション処理」という）によって改質
する。ハイブリダイゼーション処理は、微粒子に微粒子
を複合化するもので（例えば、粉体と工業ＶＯＬ．２
７，ＮＯ．８，１９９５，ｐ３５〜４２等参照）、母粒
子と子粒子とを気相中に分散させながら、衝撃力を主体
とする機械的熱エネルギーを粒子に与えることによっ
て、粒子の固定化および成膜処理を行うものである。
被覆導電粒子は、例えば次のような方法により製造する
ことができる。まず前記高分子核材粒子の表層部分を公
知のハイブリダイゼーションシステムによる処理（以下
「ハイブリダイゼーション処理」という）によって改質
する。ハイブリダイゼーション処理は、微粒子に微粒子
を複合化するもので（例えば、粉体と工業ＶＯＬ．２
７，ＮＯ．８，１９９５，ｐ３５〜４２等参照）、母粒
子と子粒子とを気相中に分散させながら、衝撃力を主体
とする機械的熱エネルギーを粒子に与えることによっ
て、粒子の固定化および成膜処理を行うものである。
【００２８】図４は、ハイブリダイゼーション処理を施
した高分子核材粒子の形態を模式的に示すものであり、
図４（ａ）はシリコーンゴム粒子１ａに対してニッケル
粒子２を用いてハイブリダイゼーション処理を施したも
の、図４（ｂ）はベンゾグアナミン粒子１ｂに対してア
クリル／スチレン粒子３を用いてハイブリダイゼーショ
ン処理を施したものを示す。
した高分子核材粒子の形態を模式的に示すものであり、
図４（ａ）はシリコーンゴム粒子１ａに対してニッケル
粒子２を用いてハイブリダイゼーション処理を施したも
の、図４（ｂ）はベンゾグアナミン粒子１ｂに対してア
クリル／スチレン粒子３を用いてハイブリダイゼーショ
ン処理を施したものを示す。
【００２９】図４（ａ）に示すように、シリコーンゴム
粒子１ａに対してニッケル粒子２を用いてハイブリダイ
ゼーション処理を施した場合には、母粒子であるシリコ
ーンゴム粒子１ａの表層部分に子粒子であるニッケル粒
子２が埋め込まれるように改質され、改質高分子核材粒
子５が得られる。
粒子１ａに対してニッケル粒子２を用いてハイブリダイ
ゼーション処理を施した場合には、母粒子であるシリコ
ーンゴム粒子１ａの表層部分に子粒子であるニッケル粒
子２が埋め込まれるように改質され、改質高分子核材粒
子５が得られる。
【００３０】一方、図４（ｂ）に示すように、ベンゾグ
アナミン粒子１ｂに対してアクリル／スチレン粒子３を
用いてハイブリダイゼーション処理を施した場合には、
母粒子であるベンゾグアナミン粒子１ｂの表層部分に子
粒子であるアクリル・スチレン樹脂による薄膜４が形成
されるように改質され、改質高分子核材粒子５が得られ
る。
アナミン粒子１ｂに対してアクリル／スチレン粒子３を
用いてハイブリダイゼーション処理を施した場合には、
母粒子であるベンゾグアナミン粒子１ｂの表層部分に子
粒子であるアクリル・スチレン樹脂による薄膜４が形成
されるように改質され、改質高分子核材粒子５が得られ
る。
【００３１】次に、ハイブリダイゼーション処理した改
質高分子核材粒子５を金属めっきすることにより、図４
（ｃ）に示すような、改質高分子核材粒子５表面が金属
めっき６により被覆された導電被覆粒子７を得る。金属
めっき６は公知の方法により行うことができるが、この
場合改質高分子核材粒子５の表面は金属めっき６との密
着性が向上するように改質されているので、従来の技術
では困難であったシリコーンゴムからなる粒子１ａに対
しても容易に金属めっき６を施すことができる。
質高分子核材粒子５を金属めっきすることにより、図４
（ｃ）に示すような、改質高分子核材粒子５表面が金属
めっき６により被覆された導電被覆粒子７を得る。金属
めっき６は公知の方法により行うことができるが、この
場合改質高分子核材粒子５の表面は金属めっき６との密
着性が向上するように改質されているので、従来の技術
では困難であったシリコーンゴムからなる粒子１ａに対
しても容易に金属めっき６を施すことができる。
【００３２】次に上記導電被覆粒子７表面に絶縁性樹脂
層８を形成し、絶縁被覆導電粒子９を得る。絶縁性樹脂
層８を形成するには、前記ハイブリダイゼーション処
理、静電塗装法、噴霧法、溶液塗布法、熱溶融被覆法、
高速攪拌法など、公知の方法が採用できる。またアクリ
ル樹脂架橋膜またはスチレン樹脂架橋膜などの絶縁性樹
脂層９を形成する場合も、前記ハイブリダイゼーション
処理などの方法により行うことができる。
層８を形成し、絶縁被覆導電粒子９を得る。絶縁性樹脂
層８を形成するには、前記ハイブリダイゼーション処
理、静電塗装法、噴霧法、溶液塗布法、熱溶融被覆法、
高速攪拌法など、公知の方法が採用できる。またアクリ
ル樹脂架橋膜またはスチレン樹脂架橋膜などの絶縁性樹
脂層９を形成する場合も、前記ハイブリダイゼーション
処理などの方法により行うことができる。
【００３３】本発明の異方導電性接着剤中には、前記導
電粒子の他に、熱反応性樹脂類の硬化剤、シランカップ
リング剤、フィルム形成性樹脂等の他の成分を必要に応
じ配合することができる。本発明の異方導電性接着剤
は、絶縁性接着剤中に導電粒子および必要により配合す
る他の成分を配合し、均一に分散させることにより製造
することができる。
電粒子の他に、熱反応性樹脂類の硬化剤、シランカップ
リング剤、フィルム形成性樹脂等の他の成分を必要に応
じ配合することができる。本発明の異方導電性接着剤
は、絶縁性接着剤中に導電粒子および必要により配合す
る他の成分を配合し、均一に分散させることにより製造
することができる。
【００３４】本発明の異方導電性接着剤は、相対峙する
回路を電気的に接続するとともに接着固定するために用
いられる。例えば、ＩＣチップの接続端子と回路基板上
の接続端子（配線パターン）とを接続するＩＣチップ接
続用、液晶パネルの接続端子と回路基板上の接続端子と
の接続用などに用いられる。これらの中ではＩＣチップ
接続用に用いるのが好ましく、特にＩＣチップを直接回
路基板に接続するいわゆるフリップチップボンディング
の接続に用いるのが好ましく、中でもバンプ（突起電
極）を有するＩＣチップのフリップチップボンディング
の接続に用いるのが好ましい。バンプの大きさは特に限
定されないが、４０００μｍ2以下であるのが好まし
い。このような小さいバンプを接続する場合でも、高精
度のバンプを作成する必要はない。
回路を電気的に接続するとともに接着固定するために用
いられる。例えば、ＩＣチップの接続端子と回路基板上
の接続端子（配線パターン）とを接続するＩＣチップ接
続用、液晶パネルの接続端子と回路基板上の接続端子と
の接続用などに用いられる。これらの中ではＩＣチップ
接続用に用いるのが好ましく、特にＩＣチップを直接回
路基板に接続するいわゆるフリップチップボンディング
の接続に用いるのが好ましく、中でもバンプ（突起電
極）を有するＩＣチップのフリップチップボンディング
の接続に用いるのが好ましい。バンプの大きさは特に限
定されないが、４０００μｍ2以下であるのが好まし
い。このような小さいバンプを接続する場合でも、高精
度のバンプを作成する必要はない。
【００３５】接続は、温度１５０〜２５０℃、好ましく
は１８０〜２２０℃、圧力５０〜３０００ｋｇｆ／ｃｍ
2−バンプ、好ましくは１００〜１５００ｋｇｆ／ｃｍ2
−バンプ、時間２〜３０秒、好ましくは３〜２０秒の条
件で圧着して行うのが望ましい。
は１８０〜２２０℃、圧力５０〜３０００ｋｇｆ／ｃｍ
2−バンプ、好ましくは１００〜１５００ｋｇｆ／ｃｍ2
−バンプ、時間２〜３０秒、好ましくは３〜２０秒の条
件で圧着して行うのが望ましい。
【００３６】接続後は、相対峙する回路同士は導通性が
確保され、また隣接するバンプ間または配線パターン間
では絶縁性が確保されるので、電気的異方性が維持され
た状態で接着固定することができる。
確保され、また隣接するバンプ間または配線パターン間
では絶縁性が確保されるので、電気的異方性が維持され
た状態で接着固定することができる。
【００３７】本発明の異方導電性接着用膜は前記異方導
電性接着剤からなるフィルムである。膜厚は特に限定さ
れないが、通常５〜２００μｍ、好ましくは１０〜１０
０μｍとするのが望ましい。バンプを有するＩＣチップ
の接続に使用する場合は、接続を行うＩＣチップのバン
プ高さと、回路基板上の配線パターンの高さとを合せた
厚みに対して１〜３倍、好ましくは１〜２倍の膜厚を有
する接着用膜を使用するのが好ましい。膜厚が上記値よ
り大きい場合、圧着の際にバンプと配線パターンとの間
から排除される接着剤の量が多くなるので、バンプと配
線パターンとの間に保持される導電粒子が減少する。保
持量を多くするため導電粒子の配合量を多くすることも
できるが、この場合コスト高になる。また排除された接
着剤によりプレスヘッドが汚れるなど、作業性が低下す
る。一方膜厚が上記値より小さいと、圧着の際にバンプ
間または配線パターン間に接着剤が行き渡らず、接着力
が低下する場合がある。本発明の異方導電性接着用膜中
に含まれる導電粒子の個数は前記接着剤中の個数と同じ
であるのが好ましい。
電性接着剤からなるフィルムである。膜厚は特に限定さ
れないが、通常５〜２００μｍ、好ましくは１０〜１０
０μｍとするのが望ましい。バンプを有するＩＣチップ
の接続に使用する場合は、接続を行うＩＣチップのバン
プ高さと、回路基板上の配線パターンの高さとを合せた
厚みに対して１〜３倍、好ましくは１〜２倍の膜厚を有
する接着用膜を使用するのが好ましい。膜厚が上記値よ
り大きい場合、圧着の際にバンプと配線パターンとの間
から排除される接着剤の量が多くなるので、バンプと配
線パターンとの間に保持される導電粒子が減少する。保
持量を多くするため導電粒子の配合量を多くすることも
できるが、この場合コスト高になる。また排除された接
着剤によりプレスヘッドが汚れるなど、作業性が低下す
る。一方膜厚が上記値より小さいと、圧着の際にバンプ
間または配線パターン間に接着剤が行き渡らず、接着力
が低下する場合がある。本発明の異方導電性接着用膜中
に含まれる導電粒子の個数は前記接着剤中の個数と同じ
であるのが好ましい。
【００３８】本発明の異方導電性接着用膜は単層であっ
てもよく、片面または両面に１層以上の他の層が積層さ
れていてもよい。他の層を積層することにより、接続
（接着）の際に電極からの導電粒子の流出を防止するこ
とができる。また最外層に保管および取扱いを容易にす
るためのカバーフィルムを積層することもできる。
てもよく、片面または両面に１層以上の他の層が積層さ
れていてもよい。他の層を積層することにより、接続
（接着）の際に電極からの導電粒子の流出を防止するこ
とができる。また最外層に保管および取扱いを容易にす
るためのカバーフィルムを積層することもできる。
【００３９】本発明の異方導電性接着用膜は前記接着剤
と同様の用途に使用することができ、同様にしてＩＣチ
ップ等の接続端子と回路基板上の接続端子とを接続する
ことができる。
と同様の用途に使用することができ、同様にしてＩＣチ
ップ等の接続端子と回路基板上の接続端子とを接続する
ことができる。
【００４０】本発明の異方導電性接着剤および接着用膜
は、平均粒径の異なる２種以上の導電粒子を含有してい
るので、導電粒子の凝集を防止して配合量を多くするこ
とができ、これによりバンプまたはピッチの小さいＩＣ
を接続する場合でも、ショートや回路パターンへのダメ
ージを与えることなく、高い導通信頼性と高い絶縁信頼
性を確保した状態で容易に低コストで接続することがで
きる。
は、平均粒径の異なる２種以上の導電粒子を含有してい
るので、導電粒子の凝集を防止して配合量を多くするこ
とができ、これによりバンプまたはピッチの小さいＩＣ
を接続する場合でも、ショートや回路パターンへのダメ
ージを与えることなく、高い導通信頼性と高い絶縁信頼
性を確保した状態で容易に低コストで接続することがで
きる。
【００４１】このような異方導電性接着剤および接着用
膜の中でも、導電粒子が加圧により変形し、しかも平均
粒径の大きい導電粒子の硬度が平均粒径の小さい導電粒
子の硬度と同等かそれ以下の場合、圧着の際に平均粒径
の大きい導電粒子がまず変形して相対峙する回路同士を
導通させ、続いて平均粒径の小さい導電粒子も変形して
回路同士を導通させるので、より高い導通信頼性が得ら
れるので好ましい。この場合でも、隣接するバンプ間ま
たは配線パターン間は、絶縁性樹脂および絶縁性接着剤
により高い絶縁信頼性が維持される。このように本発明
においては、粒径の大きい粒子により圧着の際の厚みが
制御されることはない。
膜の中でも、導電粒子が加圧により変形し、しかも平均
粒径の大きい導電粒子の硬度が平均粒径の小さい導電粒
子の硬度と同等かそれ以下の場合、圧着の際に平均粒径
の大きい導電粒子がまず変形して相対峙する回路同士を
導通させ、続いて平均粒径の小さい導電粒子も変形して
回路同士を導通させるので、より高い導通信頼性が得ら
れるので好ましい。この場合でも、隣接するバンプ間ま
たは配線パターン間は、絶縁性樹脂および絶縁性接着剤
により高い絶縁信頼性が維持される。このように本発明
においては、粒径の大きい粒子により圧着の際の厚みが
制御されることはない。
【００４２】
【発明の効果】本発明の異方導電性接着剤は、絶縁性接
着剤中に、それぞれ高分子核材粒子を導電材で被覆した
導電被覆粒子を絶縁性接着剤に不溶な絶縁性樹脂で被覆
した絶縁被覆導電粒子であって、加圧によりいずれも弾
性変形可能でそれぞれ特定の圧縮回復率を有する平均粒
径の異なる２種以上の導電粒子を含有しているので、バ
ンプまたはピッチの小さいＩＣを接続する場合でも、シ
ョートや回路パターンへのダメージを与えることなく、
高い導通信頼性と高い絶縁信頼性が得られ、しかも低コ
ストで容易に接続することができる。本発明の異方導電
性接着用膜は上記接着剤からなっているので、ピッチの
小さいＩＣを接続する場合でも、ショートや回路パター
ンへのダメージを与えることなく、高い導通信頼性と高
い絶縁信頼性が得られ、しかも低コストで容易に接続す
ることができ、しかもフィルム状であるので取扱性およ
び作業性に優れている。
着剤中に、それぞれ高分子核材粒子を導電材で被覆した
導電被覆粒子を絶縁性接着剤に不溶な絶縁性樹脂で被覆
した絶縁被覆導電粒子であって、加圧によりいずれも弾
性変形可能でそれぞれ特定の圧縮回復率を有する平均粒
径の異なる２種以上の導電粒子を含有しているので、バ
ンプまたはピッチの小さいＩＣを接続する場合でも、シ
ョートや回路パターンへのダメージを与えることなく、
高い導通信頼性と高い絶縁信頼性が得られ、しかも低コ
ストで容易に接続することができる。本発明の異方導電
性接着用膜は上記接着剤からなっているので、ピッチの
小さいＩＣを接続する場合でも、ショートや回路パター
ンへのダメージを与えることなく、高い導通信頼性と高
い絶縁信頼性が得られ、しかも低コストで容易に接続す
ることができ、しかもフィルム状であるので取扱性およ
び作業性に優れている。
【００４３】
【発明の実施の形態】本発明の異方導電性接着用膜を用
いてＩＣチップを接続した実施の形態を図面を用いて説
明する。図５は、本発明の異方導電性接着用膜を用いて
ＩＣチップを回路基板上に直接フリップチップボンディ
ング方式により接続した垂直断面模式図であり、１０は
異方導電性接着用膜で、平均粒径の小さい導電粒子１１
と平均粒径が大きい導電粒子１２とが絶縁性接着剤１３
中に分散している。１４はＩＣチップであって、バンプ
１５が形成されている。１６は回路基板であって、配線
パターン１７が形成されている。導電粒子１１、１２は
高分子核材粒子表面に金属めっき層が形成され、さらに
絶縁樹脂層で被覆されているが、これらの層の図示は省
略されている。
いてＩＣチップを接続した実施の形態を図面を用いて説
明する。図５は、本発明の異方導電性接着用膜を用いて
ＩＣチップを回路基板上に直接フリップチップボンディ
ング方式により接続した垂直断面模式図であり、１０は
異方導電性接着用膜で、平均粒径の小さい導電粒子１１
と平均粒径が大きい導電粒子１２とが絶縁性接着剤１３
中に分散している。１４はＩＣチップであって、バンプ
１５が形成されている。１６は回路基板であって、配線
パターン１７が形成されている。導電粒子１１、１２は
高分子核材粒子表面に金属めっき層が形成され、さらに
絶縁樹脂層で被覆されているが、これらの層の図示は省
略されている。
【００４４】図５において、ＩＣチップ１４に形成され
ているバンプ１５と回路基板１６上の配線パターン１７
とは、導電粒子１１、１２上の金属めっき層（図示せ
ず）により導通され、かつＩＣチップ１４と回路基板１
６とは絶縁性接着剤１３により接着、固定されている。
ているバンプ１５と回路基板１６上の配線パターン１７
とは、導電粒子１１、１２上の金属めっき層（図示せ
ず）により導通され、かつＩＣチップ１４と回路基板１
６とは絶縁性接着剤１３により接着、固定されている。
【００４５】図５のようにＩＣチップ１４と回路基板１
６とを接続するには、ＩＣチップ１４と回路基板１６と
の間に異方導電性接着剤用膜１０を介在させた状態で、
バンプ１５と配線パターン１７とを上下に相対峙するよ
うに配置し、この状態で上下方向に加圧するとともに加
熱して熱圧着する。これにより、まずバンプ１５と配線
パターン１７との間に存在する平均粒径の大きい導電粒
子１２表面の絶縁性樹脂層が軟化ないし溶融あるいは破
壊するとともに粒子が変形し、絶縁性樹脂層がバンプ１
５および配線パターン１７の接触部から排除され、金属
めっき層によりバンプ１５と配線パターン１７とが導通
する。続いて、平均粒径の小さい導電粒子１１において
も、上記平均粒径の大きい導電粒子１２の場合と同様に
してバンプ１５と配線パターン１７とが導通される。こ
のように、本発明の異方導電性接着用膜１０において
は、平均粒径の大きい導電粒子１２および平均粒径の小
さい導電粒子１１の両方によりバンプ１５と配線パター
ン１７とが導通するので、高い導通信頼性が得られる。
この場合においても、隣接する導電粒子１１、１２間は
絶縁性樹脂層および絶縁性接着剤１３により絶縁性が確
保される。
６とを接続するには、ＩＣチップ１４と回路基板１６と
の間に異方導電性接着剤用膜１０を介在させた状態で、
バンプ１５と配線パターン１７とを上下に相対峙するよ
うに配置し、この状態で上下方向に加圧するとともに加
熱して熱圧着する。これにより、まずバンプ１５と配線
パターン１７との間に存在する平均粒径の大きい導電粒
子１２表面の絶縁性樹脂層が軟化ないし溶融あるいは破
壊するとともに粒子が変形し、絶縁性樹脂層がバンプ１
５および配線パターン１７の接触部から排除され、金属
めっき層によりバンプ１５と配線パターン１７とが導通
する。続いて、平均粒径の小さい導電粒子１１において
も、上記平均粒径の大きい導電粒子１２の場合と同様に
してバンプ１５と配線パターン１７とが導通される。こ
のように、本発明の異方導電性接着用膜１０において
は、平均粒径の大きい導電粒子１２および平均粒径の小
さい導電粒子１１の両方によりバンプ１５と配線パター
ン１７とが導通するので、高い導通信頼性が得られる。
この場合においても、隣接する導電粒子１１、１２間は
絶縁性樹脂層および絶縁性接着剤１３により絶縁性が確
保される。
【００４６】このように、異方導電性接着用膜１０を用
いることにより、ＩＣチップ１４と回路基板１６との接
着固定、バンプ１５と配線パターン１７との導通、およ
び隣接回路間の絶縁を同時にしかも簡単に低コストで行
うことができる。しかも本発明の異方導電性接着用膜１
０は、平均粒径の異なる導電粒子１１、１２を含有して
いるので、バンプ１５面積が小さい場合やバンプ１５の
間隔が狭い場合でも、ショートや回路パターンへのダメ
ージを与えることなく、高い導通信頼性と高い絶縁信頼
性が得られる。
いることにより、ＩＣチップ１４と回路基板１６との接
着固定、バンプ１５と配線パターン１７との導通、およ
び隣接回路間の絶縁を同時にしかも簡単に低コストで行
うことができる。しかも本発明の異方導電性接着用膜１
０は、平均粒径の異なる導電粒子１１、１２を含有して
いるので、バンプ１５面積が小さい場合やバンプ１５の
間隔が狭い場合でも、ショートや回路パターンへのダメ
ージを与えることなく、高い導通信頼性と高い絶縁信頼
性が得られる。
【００４７】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。 実施例１ 絶縁性接着剤としてエポキシ系樹脂組成物（高分子量ビ
スフェノールＡ系エポキシ樹脂３３．３重量％、ナフタ
レン系エポキシ樹脂３３．３重量％およびビスフェノー
ルＦ系エポキシ分散型潜在性硬化剤３３．３重量％を含
む組成物）を用い、この絶縁性接着剤中に下記平均粒径
３μｍおよび５μｍの２種類の導電粒子を配合し、異方
導電性接着剤を調製した。
スフェノールＡ系エポキシ樹脂３３．３重量％、ナフタ
レン系エポキシ樹脂３３．３重量％およびビスフェノー
ルＦ系エポキシ分散型潜在性硬化剤３３．３重量％を含
む組成物）を用い、この絶縁性接着剤中に下記平均粒径
３μｍおよび５μｍの２種類の導電粒子を配合し、異方
導電性接着剤を調製した。
【００４８】上記平均粒径３μｍの導電粒子としては、
ベンゾグアナミン樹脂からなる高分子核材粒子にＡｕ／
Ｎｉめっきを施し、さらにその表面を約０．３μｍの膜
厚のアクリル／スチレン樹脂架橋膜で絶縁コートした導
電粒子（以下、Ｂ粒子と略記する）を用いた。なおアク
リル／スチレン樹脂架橋膜による絶縁被覆は、ハイブリ
ダイゼーションシステムによる処理によって行った。こ
のＢ粒子の配合量は３００００個／ｍｍ2とした。
ベンゾグアナミン樹脂からなる高分子核材粒子にＡｕ／
Ｎｉめっきを施し、さらにその表面を約０．３μｍの膜
厚のアクリル／スチレン樹脂架橋膜で絶縁コートした導
電粒子（以下、Ｂ粒子と略記する）を用いた。なおアク
リル／スチレン樹脂架橋膜による絶縁被覆は、ハイブリ
ダイゼーションシステムによる処理によって行った。こ
のＢ粒子の配合量は３００００個／ｍｍ2とした。
【００４９】前記平均粒径５μｍの導電粒子としては、
アクリル／スチレン樹脂からなる高分子核材粒子にＡｕ
／Ｎｉめっきを施し、さらにその表面を約０．３μｍの
膜厚のアクリル／スチレン樹脂架橋膜で絶縁コートした
導電粒子（以下、ＬＬ粒子と略記する）を用いた。
アクリル／スチレン樹脂からなる高分子核材粒子にＡｕ
／Ｎｉめっきを施し、さらにその表面を約０．３μｍの
膜厚のアクリル／スチレン樹脂架橋膜で絶縁コートした
導電粒子（以下、ＬＬ粒子と略記する）を用いた。
【００５０】前記異方導電性接着剤をフィルム成形し、
膜厚７５μｍの単層の異方導電性接着用膜を得た。この
膜中のＬＬ粒子の配合量は、単位面積当りの膜中に含有
される個数として２００００個／ｍｍ2であった。この
異方導電性接着用膜を用いて、下記のようにしてＩＣチ
ップの導通評価および絶縁評価を行った。
膜厚７５μｍの単層の異方導電性接着用膜を得た。この
膜中のＬＬ粒子の配合量は、単位面積当りの膜中に含有
される個数として２００００個／ｍｍ2であった。この
異方導電性接着用膜を用いて、下記のようにしてＩＣチ
ップの導通評価および絶縁評価を行った。
【００５１】《導通評価》 ＩＣチップ：１００μｍ×１００μｍ角パット上にスタ
ッドバンプを立て、バンプ面積１０００、２０００、３
０００、４０００または５０００μｍ2となるように平
坦化処理を行い、評価用ＩＣを作成した。バンプ高さは
いずれも約４０μｍ、ＩＣサイズは６ｍｍ×６ｍｍであ
る。 基板：ＢＴ樹脂０．７ｍｍ厚の基板上に、１８μｍ厚の
ＣｕおよびＡｕめっきで配線パターンを形成した基板。
配線パターン間のピッチは１５０μｍ。
ッドバンプを立て、バンプ面積１０００、２０００、３
０００、４０００または５０００μｍ2となるように平
坦化処理を行い、評価用ＩＣを作成した。バンプ高さは
いずれも約４０μｍ、ＩＣサイズは６ｍｍ×６ｍｍであ
る。 基板：ＢＴ樹脂０．７ｍｍ厚の基板上に、１８μｍ厚の
ＣｕおよびＡｕめっきで配線パターンを形成した基板。
配線パターン間のピッチは１５０μｍ。
【００５２】上記ＩＣチップと基板との間（バンプ高さ
と配線パターンの高さとの合計は約５８μｍ）に前記異
方導電性接着用膜を介在させた状態で、温度２００℃、
圧力４００ｋｇｆ／ｃｍ2−バンプの条件で２０秒間加
熱加圧し、圧着して接続した。この接続サンプルを２４
０℃、リフロー２回通した後、１２１℃、２．１ａｔｍ
飽和プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）１００Ｈｒ
後の抵抗上昇値で導通信頼性を評価した。結果を表１に
示す。 ○：抵抗上昇 ０．１Ω以下 △：抵抗上昇 ０．１Ωを超え０．３以下 ×：抵抗上昇 ０．３Ωを超える
と配線パターンの高さとの合計は約５８μｍ）に前記異
方導電性接着用膜を介在させた状態で、温度２００℃、
圧力４００ｋｇｆ／ｃｍ2−バンプの条件で２０秒間加
熱加圧し、圧着して接続した。この接続サンプルを２４
０℃、リフロー２回通した後、１２１℃、２．１ａｔｍ
飽和プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）１００Ｈｒ
後の抵抗上昇値で導通信頼性を評価した。結果を表１に
示す。 ○：抵抗上昇 ０．１Ω以下 △：抵抗上昇 ０．１Ωを超え０．３以下 ×：抵抗上昇 ０．３Ωを超える
【００５３】《絶縁評価》 ＩＣチップ：バンプサイズ＝７０μｍ×１００μｍ、ス
ペース＝１０μｍ、バンプ高さ＝２０μｍ、ＩＣサイズ
＝６ｍｍ×６ｍｍ 基板：ガラス上にＩＴＯ(Indium Tin Oxide）で配線
パターンを作成した透明基板、ピッチ＝８０μｍ、ライ
ン＝７０μｍ、スペース＝１０μｍ。ショートの発生の
有無を顕微鏡で確認するため透明基板を使用。
ペース＝１０μｍ、バンプ高さ＝２０μｍ、ＩＣサイズ
＝６ｍｍ×６ｍｍ 基板：ガラス上にＩＴＯ(Indium Tin Oxide）で配線
パターンを作成した透明基板、ピッチ＝８０μｍ、ライ
ン＝７０μｍ、スペース＝１０μｍ。ショートの発生の
有無を顕微鏡で確認するため透明基板を使用。
【００５４】上記ＩＣチップと基板とを導通評価の場合
と同様にして接続した。この接続サンプルを８５℃、８
５％ＲＨ、１０００Ｈｒエージングした後、隣接する２
ピン間に２５Ｖ、１ｍｉｎ印加し、絶縁抵抗を評価し
た。結果を表１に示す。 ○：１０8Ω以上 ×：１０8Ω未満
と同様にして接続した。この接続サンプルを８５℃、８
５％ＲＨ、１０００Ｈｒエージングした後、隣接する２
ピン間に２５Ｖ、１ｍｉｎ印加し、絶縁抵抗を評価し
た。結果を表１に示す。 ○：１０8Ω以上 ×：１０8Ω未満
【００５５】実施例２〜５、比較例１〜８ 実施例１の導電粒子の種類および配合量を表１または表
２に示すように変更した以外は実施例１と同様にして行
った。結果を表１または表２に示す。
２に示すように変更した以外は実施例１と同様にして行
った。結果を表１または表２に示す。
【００５６】
【表１】
【００５７】
【表２】
【００５８】表１および表２の注 ＊１ 導電粒子を含む膜厚２５μｍの異方導電性接着用
膜に、膜厚５０μｍの導電粒子を含有しない膜を積層し
たもの。この２層化接着膜は導電粒子を含む面を基板側
にして使用。 ＊２ ＊１と同じ ＊３ ＊１と同じ ＊４ ハミ出し多く、プレスヘッドを汚す ＊５ スペースをつめられなく接着力が低下し、剥離
膜に、膜厚５０μｍの導電粒子を含有しない膜を積層し
たもの。この２層化接着膜は導電粒子を含む面を基板側
にして使用。 ＊２ ＊１と同じ ＊３ ＊１と同じ ＊４ ハミ出し多く、プレスヘッドを汚す ＊５ スペースをつめられなく接着力が低下し、剥離
【００５９】試験例１ 実施例１で用いたエポキシ系樹脂中に下記導電粒子を所
定量配合して異方導電性接着剤を調製した。平均粒径５
μｍのベンゾグアナミン樹脂からなる高分子核材に、Ａ
ｕ／Ｎｉめっきを施し、さらにその表面を膜厚０．３μ
ｍのアクリル／スチレン樹脂で絶縁コートしたＢ粒子。
定量配合して異方導電性接着剤を調製した。平均粒径５
μｍのベンゾグアナミン樹脂からなる高分子核材に、Ａ
ｕ／Ｎｉめっきを施し、さらにその表面を膜厚０．３μ
ｍのアクリル／スチレン樹脂で絶縁コートしたＢ粒子。
【００６０】上記接着剤をフィルム成形して膜厚７５μ
ｍの単層の接着用膜を得た。この接着用膜を用いて、バ
ンプ面積が１０００〜５０００μｍ2のＩＣチップの接
続を実施例１と同様にして行った。
ｍの単層の接着用膜を得た。この接着用膜を用いて、バ
ンプ面積が１０００〜５０００μｍ2のＩＣチップの接
続を実施例１と同様にして行った。
【００６１】接着後、２００℃にＩＣチップを加熱して
剥離し、バンプおよび基板上の粒子数を数え、合計した
粒子数をバンプ上に存在していた粒子数としてカウント
し、バンプ面上の導電粒子の平均数を求め、さらに平均
数と３σ（σは標準偏差である）との差を求めた。この
差と異方導電性接着用膜中の導電粒子数との関係を図６
に示す。また導電粒子数が２００００個／ｍｍ2または
３００００個／ｍｍ2の接着用膜におけるバンプ面積と
バンプ上の導電粒子数との関係を図７に示す。
剥離し、バンプおよび基板上の粒子数を数え、合計した
粒子数をバンプ上に存在していた粒子数としてカウント
し、バンプ面上の導電粒子の平均数を求め、さらに平均
数と３σ（σは標準偏差である）との差を求めた。この
差と異方導電性接着用膜中の導電粒子数との関係を図６
に示す。また導電粒子数が２００００個／ｍｍ2または
３００００個／ｍｍ2の接着用膜におけるバンプ面積と
バンプ上の導電粒子数との関係を図７に示す。
【００６２】図６からバンプ面積が３０００μｍ2以下
のＩＣチップの接続においては、バンプ上に確実に５個
の粒子を存在させるためには、３００００個／ｍｍ2以
上の粒子が必要であり、また１０００μｍ2では４００
００個／ｍｍ2以上の粒子が必要であることがわかる。
のＩＣチップの接続においては、バンプ上に確実に５個
の粒子を存在させるためには、３００００個／ｍｍ2以
上の粒子が必要であり、また１０００μｍ2では４００
００個／ｍｍ2以上の粒子が必要であることがわかる。
【００６３】図７から、バンプ上に必ず５個以上の粒子
を存在させるには、２００００個／ｍｍ2の異方導電性
接続用膜ではバンプ面積が５０００μｍ2以上必要であ
り、３００００個／ｍｍ2の異方導電性接着用膜ではバ
ンプ面積が３０００μｍ2以上必要であることがわか
る。
を存在させるには、２００００個／ｍｍ2の異方導電性
接続用膜ではバンプ面積が５０００μｍ2以上必要であ
り、３００００個／ｍｍ2の異方導電性接着用膜ではバ
ンプ面積が３０００μｍ2以上必要であることがわか
る。
【図１】導電粒子の圧縮変位と荷重との関係を示すグラ
フである。
フである。
【図２】導電粒子の圧縮歪みとＫ値との関係を示すグラ
フである。
フである。
【図３】導電粒子の負荷時および除負荷時の圧縮変位と
荷重との関係を示すグラフである。
荷重との関係を示すグラフである。
【図４】（ａ）は高分子核材粒子と金属粒子とをハイブ
リダイゼーション処理した場合の高分子核材粒子の改質
状態を示す断面模式図、（ｂ）は高分子核材粒子と樹脂
粒子とをハイブリダイゼーション処理した場合の高分子
核材粒子の改質状態を示す断面模式図、（ｃ）は改質高
分子核材粒子を金属めっきした状態を示す断面模式図、
（ｄ）は（ｃ）の粒子を絶縁性樹脂で被覆した状態を示
す断面模式図である。
リダイゼーション処理した場合の高分子核材粒子の改質
状態を示す断面模式図、（ｂ）は高分子核材粒子と樹脂
粒子とをハイブリダイゼーション処理した場合の高分子
核材粒子の改質状態を示す断面模式図、（ｃ）は改質高
分子核材粒子を金属めっきした状態を示す断面模式図、
（ｄ）は（ｃ）の粒子を絶縁性樹脂で被覆した状態を示
す断面模式図である。
【図５】本発明の異方導電性接着用膜を用いてバンプと
配線パターンとを接続したときの状態を示す垂直断面模
式図である。
配線パターンとを接続したときの状態を示す垂直断面模
式図である。
【図６】異方導電性接着用膜中の導電粒子数に対するバ
ンプ上の導電粒子が存在する確率を示すグラフである。
ンプ上の導電粒子が存在する確率を示すグラフである。
【図７】バンプ面積に対するバンプ上の導電粒子数の確
率を示すグラフである。
率を示すグラフである。
１ａ シリコーンゴム粒子 １ｂ ベンゾグアナミン粒子 ２ ニッケル粒子 ３ アクリル／スチレン粒子 ４ 薄膜 ５ 改質高分子核材粒子 ６ 金属めっき ７ 導電被覆粒子 ８ 絶縁性樹脂層 ９ 絶縁被覆導電粒子 １０ 異方導電性接着用膜 １１ 平均粒径の小さい導電粒子 １２ 平均粒径の大きい導電粒子 １３ 絶縁性接着剤 １４ ＩＣチップ １５ バンプ １６ 回路基板 １７ 配線パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 5/16 Ｈ０１Ｂ 5/16 Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１Ｓ Ｈ０１Ｒ 11/01 Ｈ０１Ｒ 11/01 Ｈ (72)発明者 武市 元秀 栃木県鹿沼市さつき町12−３ ソニーケ ミカル株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−174980（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−102661（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−125332（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−301407（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−18793（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−58148（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−131153（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−279903（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−126516（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−339558（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09J 201/00 - 201/10 C09J 7/00 C09J 9/02 H01B 1/20 - 1/24 H01B 5/00 H01B 5/16 H01L 21/60 H01R 11/01
Claims (11)
- 【請求項１】 絶縁性接着剤中に導電粒子が分散された
異方導電性接着剤であって、 前記導電粒子は、それぞれ高分子核材粒子を導電材で被
覆した導電被覆粒子を絶縁性接着剤に不溶な絶縁性樹脂
で被覆した絶縁被覆導電粒子であって、かつ平均粒径が
異なる２種以上の導電粒子であり、上記 平均粒径が異なる２種以上の導電粒子は、いずれも
接続の際の加圧により弾性変形する粒子であって、それ
ぞれ１ｇ荷重圧縮回復率（Ｒ）が５〜８０％であり、 平均粒径の小さい導電粒子は平均粒径の大きい導電粒子
と同等か、それ以上の硬度を有することを特徴とする異
方導電性接着剤。 - 【請求項２】 平均粒径の小さい導電粒子のＫ値が３５
０ｋｇｆ／ｍｍ2以上、平均粒径の大きい導電粒子のＫ
値が４５０ｋｇｆ／ｍｍ2以下であり、平均粒径の小さ
い導電粒子のＫ値が平均粒径の大きい導電粒子のＫ値よ
り相対的に大きいことを特徴とする請求項１記載の異方
導電性接着剤。 - 【請求項３】 平均粒子径の小さい導電粒子の含有個数
が平均粒径の大きい導電粒子の含有個数より多いことを
特徴とする請求項１または２に記載の異方導電性接着
剤。 - 【請求項４】 平均粒径が３±０．５μｍと５±０．５
μｍの２種類の導電粒子が分散されてなることを特徴と
する請求項１ないし３のいずれかに記載の異方導電性接
着剤。 - 【請求項５】 ＩＣチップと回路基板とを接続するＩＣ
チップ接続用である請求項１ないし４のいずれかに記載
の異方導電性接着剤。 - 【請求項６】 ＩＣチップに形成された４０００μｍ2
以下の微小バンプと回路基板とを接続するＩＣチップ接
続用である請求項１ないし５のいずれかに記載の異方導
電性接着剤。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の異
方導電性接着剤からなる異方導電性接着用膜。 - 【請求項８】 ＩＣチップと回路基板とを接続するＩＣ
チップ接続用である請求項７記載の異方導電性接着用
膜。 - 【請求項９】 ＩＣチップに形成された４０００μｍ2
以下の微小バンプと回路基板とを接続するＩＣチップ接
続用である請求項７記載の異方導電性接着用膜。 - 【請求項１０】 単位面積当りの膜中に含有される平均
粒径の小さい導電粒子の含有量が３００００〜８０００
０個／ｍｍ2の範囲であり、平均粒径の大きい導電粒子
の含有量が１００００〜３００００個／ｍｍ2の範囲で
あることを特徴とする請求項７ないし９のいずれかに記
載の異方導電性接着用膜。 - 【請求項１１】 膜の厚みが、接続を行うＩＣチップの
バンプ高さと回路基板上の配線パターンの高さとを合せ
た厚みに対して１〜３倍である請求項７ないし１０のい
ずれかに記載の異方導電性接着用膜。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30076398A JP3296306B2 (ja) | 1997-10-28 | 1998-10-22 | 異方導電性接着剤および接着用膜 |
| EP99306548A EP0996321B1 (en) | 1998-10-22 | 1999-08-19 | Anisotropically electroconductive adhesive and adhesive film |
| DE1999636089 DE69936089T2 (de) | 1998-10-22 | 1999-08-19 | Anisotropisch leitfähiger Kleber und Klebefilm |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-296005 | 1997-10-28 | ||
| JP29600597 | 1997-10-28 | ||
| JP30076398A JP3296306B2 (ja) | 1997-10-28 | 1998-10-22 | 異方導電性接着剤および接着用膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11241054A JPH11241054A (ja) | 1999-09-07 |
| JP3296306B2 true JP3296306B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=26560500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30076398A Expired - Lifetime JP3296306B2 (ja) | 1997-10-28 | 1998-10-22 | 異方導電性接着剤および接着用膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3296306B2 (ja) |
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| JP2002358825A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方導電性接着フィルム |
| JP4539813B2 (ja) * | 2003-08-19 | 2010-09-08 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | 絶縁被覆導電粒子 |
| JP2005244189A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-09-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップ接合用接着性樹脂シート及び半導体装置 |
| KR100667374B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2007-01-10 | 제일모직주식회사 | 이방전도성 접속부재용 고분자 수지 미립자, 전도성 미립자 및 이를 포함한 이방 전도성 접속재료 |
| JP5099284B2 (ja) * | 2005-02-24 | 2012-12-19 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | 異方性接続シート材料 |
| JP2007012378A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Fujikura Kasei Co Ltd | 導電性微粒子 |
| EP1949440A2 (en) * | 2005-11-01 | 2008-07-30 | SanDisk Corporation | Multiple die integrated circuit package |
| KR100724720B1 (ko) | 2005-11-02 | 2007-06-04 | 중앙대학교 산학협력단 | 도전성 접착제와 이 도전성 접착제를 이용한 단자간의 접속 방법 |
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| JP5164257B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2013-03-21 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 接続構造体の製造方法 |
| JP4905502B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2012-03-28 | 日立化成工業株式会社 | 回路板の製造方法及び回路接続材料 |
| JP4998520B2 (ja) | 2009-06-15 | 2012-08-15 | 住友電気工業株式会社 | 電極の接続方法、電極の接続構造及び電子機器 |
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| JP5365816B2 (ja) * | 2011-07-27 | 2013-12-11 | デクセリアルズ株式会社 | 絶縁被覆導電粒子 |
| JP2015003935A (ja) * | 2011-10-20 | 2015-01-08 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物並びに接続構造体及びその製造方法 |
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| JP2013182823A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Dexerials Corp | 接続体の製造方法、及び異方性導電接着剤 |
| WO2014061435A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | 株式会社サンメディカル技術研究所 | 異方導電性コネクタ |
| KR101527104B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2015-06-09 | 이성호 | 통전율이 향상된 이방성 도전 필름 |
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| JP6523794B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2019-06-05 | 積水化学工業株式会社 | 導電材料及び接続構造体 |
| WO2016114320A1 (ja) | 2015-01-13 | 2016-07-21 | デクセリアルズ株式会社 | 多層基板 |
| KR102529562B1 (ko) * | 2015-05-20 | 2023-05-09 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 도전성 점착재 및 도전성 기재 부착 도전성 점착재 |
-
1998
- 1998-10-22 JP JP30076398A patent/JP3296306B2/ja not_active Expired - Lifetime
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