JP3281859B2 - 混成集積回路装置の製造方法 - Google Patents
混成集積回路装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は混成集積回路装置の
製造方法に関し、特に固化時間が短い熱可塑性樹脂を採
用した混成集積回路装置の製造方法に関するものであ
る。
製造方法に関し、特に固化時間が短い熱可塑性樹脂を採
用した混成集積回路装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、混成集積回路装置として採用さ
れる封止方法は、主に２種類の方法がある。１つは、半
導体素子等の回路素子が実装された混成集積回路基板の
上に蓋をかぶせるような形状の手段、一般にはケース材
と呼ばれているものを採用して封止しているものがあ
る。この構造は、中空構造やこの中に別途樹脂が注入さ
れているものがある。
れる封止方法は、主に２種類の方法がある。１つは、半
導体素子等の回路素子が実装された混成集積回路基板の
上に蓋をかぶせるような形状の手段、一般にはケース材
と呼ばれているものを採用して封止しているものがあ
る。この構造は、中空構造やこの中に別途樹脂が注入さ
れているものがある。
【０００３】２つ目は、半導体ＩＣのモールド方法とし
て有名なトランスファーモールドである。このトランス
ファーモールドは、一般に熱硬化性樹脂を採用し、金型
を約１８０度まで上昇させ、この温度を維持して硬化
（以下熱で反応して重合し固化する現象を指す。）さ
せ、その後金型から取り出し封止体としている。ここで
この実装に使用される半田は、一般に高温半田であり、
半田溶融の問題はない。
て有名なトランスファーモールドである。このトランス
ファーモールドは、一般に熱硬化性樹脂を採用し、金型
を約１８０度まで上昇させ、この温度を維持して硬化
（以下熱で反応して重合し固化する現象を指す。）さ
せ、その後金型から取り出し封止体としている。ここで
この実装に使用される半田は、一般に高温半田であり、
半田溶融の問題はない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ケース
材を使った封止構造は、ケース材と中の素子が接触しな
いように基板にマージンを取ったりして外形サイズが大
きくなる問題があった。一方、トランスファーモールド
は、前述の説明からも判るとおり、熱を加えながら硬化
させるために、この工程に長い時間が必要となり、生産
性を向上させることができない問題があった。
材を使った封止構造は、ケース材と中の素子が接触しな
いように基板にマージンを取ったりして外形サイズが大
きくなる問題があった。一方、トランスファーモールド
は、前述の説明からも判るとおり、熱を加えながら硬化
させるために、この工程に長い時間が必要となり、生産
性を向上させることができない問題があった。
【０００５】そこで本出願人は、時間がそれほどかから
ない熱可塑性樹脂に着目した。これは硬化反応をせず、
熱を加えることで溶融し、冷やせば固化（以下反応せず
に固まる現象を指す。）するものである。従ってモール
ドした後、冷やせば固化し、短時間で封止が実現でき
る。しかし熱可塑性樹脂を例えばインジェクションモー
ルドで封止する場合、注入温度が約３００度と高く、半
田が溶けて、混成集積回路基板に実装された回路素子の
電気的接続に不良を発生する問題があった。
ない熱可塑性樹脂に着目した。これは硬化反応をせず、
熱を加えることで溶融し、冷やせば固化（以下反応せず
に固まる現象を指す。）するものである。従ってモール
ドした後、冷やせば固化し、短時間で封止が実現でき
る。しかし熱可塑性樹脂を例えばインジェクションモー
ルドで封止する場合、注入温度が約３００度と高く、半
田が溶けて、混成集積回路基板に実装された回路素子の
電気的接続に不良を発生する問題があった。
【０００６】ここで、高温半田を使用すればよいが、導
電パターン下の絶縁樹脂の劣化を考えると、低融点半田
が好ましい。そこで本発明は、１８０度〜２５０度程度
の半田を採用することを前提に以下述べてゆく。
電パターン下の絶縁樹脂の劣化を考えると、低融点半田
が好ましい。そこで本発明は、１８０度〜２５０度程度
の半田を採用することを前提に以下述べてゆく。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本出願人は、混成集積回
路基板を熱可塑性樹脂(例えばＰＰＳ等)で成型する構造
について特願平９-１７８２４６号として既に出願して
いる。この場合、図３の如く、混成集積回路基板１裏面
からの放熱性を確保するため、混成集積回路基板１裏面
を封止しない形状については、上金型２０に取り付けた
押さえピン２１で混成集積回路基板１裏面を下金型２２
に押しつけ、混成集積回路基板１裏面に樹脂が流入する
ことおよび基板が横ズレする事を防止していた。
路基板を熱可塑性樹脂(例えばＰＰＳ等)で成型する構造
について特願平９-１７８２４６号として既に出願して
いる。この場合、図３の如く、混成集積回路基板１裏面
からの放熱性を確保するため、混成集積回路基板１裏面
を封止しない形状については、上金型２０に取り付けた
押さえピン２１で混成集積回路基板１裏面を下金型２２
に押しつけ、混成集積回路基板１裏面に樹脂が流入する
ことおよび基板が横ズレする事を防止していた。
【０００８】しかしこの成型方法では、ピン２１で押さ
えた所は、図４の如く、混成集積回路基板１表面が露出
（符号２３が相当する）され、ここに水分が侵入する問
題があった。ここで図３の破線は、下方矢印に沿って上
金型２０を下金型２２に当接させた際の構成を示し、矢
印Ａの部分がゲートである。本発明は上記従来の欠点に
鑑み成されたもので、半導体素子または／および受動素
子に射出される封止樹脂が直接当接しないようなゲート
位置およびこのゲートからの射出角度に設定されたゲー
トから前記封止樹脂を射出して解決するものである。
えた所は、図４の如く、混成集積回路基板１表面が露出
（符号２３が相当する）され、ここに水分が侵入する問
題があった。ここで図３の破線は、下方矢印に沿って上
金型２０を下金型２２に当接させた際の構成を示し、矢
印Ａの部分がゲートである。本発明は上記従来の欠点に
鑑み成されたもので、半導体素子または／および受動素
子に射出される封止樹脂が直接当接しないようなゲート
位置およびこのゲートからの射出角度に設定されたゲー
トから前記封止樹脂を射出して解決するものである。
【０００９】第２に、混成集積回路基板上で半田または
金属細線を介して電気的に接続される部分に保護樹脂を
ポッティングした後、封止することで解決するものであ
る。第３に、保護樹脂を、図２のように混成集積回路基
板の実質全面に塗布し、この保護樹脂を覆うように前記
熱可塑性樹脂を封止することで解決するものである。
金属細線を介して電気的に接続される部分に保護樹脂を
ポッティングした後、封止することで解決するものであ
る。第３に、保護樹脂を、図２のように混成集積回路基
板の実質全面に塗布し、この保護樹脂を覆うように前記
熱可塑性樹脂を封止することで解決するものである。
【００１０】第４に、混成集積回路基板が前記射出樹脂
の圧力により、射出方向に横ズレしないように防止手段
を設け、ここに混成集積回路基板を当接してから前記熱
可塑性樹脂を射出することで解決するものである。第５
に、射出方向は、混成集積回路基板の横長方向で、前記
熱可塑性樹脂には、所定の長さを有したファイバー樹脂
が混入され、ファイバーの向きが前記横長方向に実質的
に揃う事で解決するものである。
の圧力により、射出方向に横ズレしないように防止手段
を設け、ここに混成集積回路基板を当接してから前記熱
可塑性樹脂を射出することで解決するものである。第５
に、射出方向は、混成集積回路基板の横長方向で、前記
熱可塑性樹脂には、所定の長さを有したファイバー樹脂
が混入され、ファイバーの向きが前記横長方向に実質的
に揃う事で解決するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下で本発明の実施形態に係る混
成集積回路装置を図１を参照しながら説明する。まず混
成集積回路基板１として、ここでは金属基板やこの金属
基板の熱伝導性に近い絶縁基板を採用している。理由の
詳細は後述するが、本発明で採用する熱可塑性樹脂２の
注入温度が高いために、封止工程で基板温度が上昇する
が、例えば金属基板を採用すれば、外部への熱伝達が優
れ、またヒートシンクとして作用するため、混成集積回
路基板１上の温度上昇を抑制し半田３、４の溶融を防止
できる。
成集積回路装置を図１を参照しながら説明する。まず混
成集積回路基板１として、ここでは金属基板やこの金属
基板の熱伝導性に近い絶縁基板を採用している。理由の
詳細は後述するが、本発明で採用する熱可塑性樹脂２の
注入温度が高いために、封止工程で基板温度が上昇する
が、例えば金属基板を採用すれば、外部への熱伝達が優
れ、またヒートシンクとして作用するため、混成集積回
路基板１上の温度上昇を抑制し半田３、４の溶融を防止
できる。
【００１２】金属基板としては、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌまた
は導電性の優れた金属より成る化合物等が考えられる
が、ここではＡｌ基板を採用して説明してゆく。このＡ
ｌ基板１は、表面が陽極酸化され酸化物が生成され、そ
の上に更に絶縁性の優れた樹脂５が全面に被着されてい
る。但し耐圧を考慮しなければ、この金属酸化物は省略
しても良い。
は導電性の優れた金属より成る化合物等が考えられる
が、ここではＡｌ基板を採用して説明してゆく。このＡ
ｌ基板１は、表面が陽極酸化され酸化物が生成され、そ
の上に更に絶縁性の優れた樹脂５が全面に被着されてい
る。但し耐圧を考慮しなければ、この金属酸化物は省略
しても良い。
【００１３】そしてこの樹脂５の上に例えばＣｕより成
る導電パターン６、７が形成され、トランジスタやＩＣ
等の能動素子８、チップ抵抗、チップコンデンサ等の受
動素子９が半田を介して実装され、所定の回路が実現さ
れている。ここで一部半田を採用せず、銀ペースト等で
電気的に接続されても良い。また前記半導体素子８がフ
ェイスアップで実装される場合は、ボンデイングにより
金属細線１０を介して接続されている。更には、外部リ
ード１１が半田４を介して接続されており封止樹脂２か
ら外部に導出されている。
る導電パターン６、７が形成され、トランジスタやＩＣ
等の能動素子８、チップ抵抗、チップコンデンサ等の受
動素子９が半田を介して実装され、所定の回路が実現さ
れている。ここで一部半田を採用せず、銀ペースト等で
電気的に接続されても良い。また前記半導体素子８がフ
ェイスアップで実装される場合は、ボンデイングにより
金属細線１０を介して接続されている。更には、外部リ
ード１１が半田４を介して接続されており封止樹脂２か
ら外部に導出されている。
【００１４】ここで封止用の熱可塑性樹脂２は、例えば
インジェクション成型で実現され、樹脂の注入温度が約
３００度と非常に高く、半田で実装された回路素子を有
する混成集積回路基板１を金型にインサートして一体成
形する場合、高温の樹脂により半田が溶けて素子の半田
不良が発生する問題がある。特に樹脂ベースのプリント
基板等で、熱伝導率の低い材料は顕著である。しかし本
願では、熱伝導率が高い材料を使用するため、熱放出が
優れ、且つ基板がヒートシンクとして働くために、基板
表面の温度上昇を抑制しこれらの問題を無くすことがで
きる。ここで熱可塑性樹脂として採用したものは、ＰＰ
Ｓ（ポリフェニルサルファイド）と呼ばれるものであ
る。またＡｌ基板は、１．５ミリ厚のものを採用した。
インジェクション成型で実現され、樹脂の注入温度が約
３００度と非常に高く、半田で実装された回路素子を有
する混成集積回路基板１を金型にインサートして一体成
形する場合、高温の樹脂により半田が溶けて素子の半田
不良が発生する問題がある。特に樹脂ベースのプリント
基板等で、熱伝導率の低い材料は顕著である。しかし本
願では、熱伝導率が高い材料を使用するため、熱放出が
優れ、且つ基板がヒートシンクとして働くために、基板
表面の温度上昇を抑制しこれらの問題を無くすことがで
きる。ここで熱可塑性樹脂として採用したものは、ＰＰ
Ｓ（ポリフェニルサルファイド）と呼ばれるものであ
る。またＡｌ基板は、１．５ミリ厚のものを採用した。
【００１５】金型温度は、トランスファーモールドの金
型温度よりかなり低く、約１４０度またはそれ以下であ
り、この金型に３００度の液状樹脂を注入し、低い温度
の金型により素早く冷却固化される。このサイクルは、
およそ１０〜２０秒程度で、トランスファーモールドの
サイクル（３０〜１８０秒）から比べれば大幅に短縮が
可能である。
型温度よりかなり低く、約１４０度またはそれ以下であ
り、この金型に３００度の液状樹脂を注入し、低い温度
の金型により素早く冷却固化される。このサイクルは、
およそ１０〜２０秒程度で、トランスファーモールドの
サイクル（３０〜１８０秒）から比べれば大幅に短縮が
可能である。
【００１６】また回路素子を実装した混成集積回路基板
１を熱可塑性樹脂２で成形する場合、予め半田の接合部
３、４、ボンデイングワイヤーとベアチップを熱硬化性
樹脂（例えばエポキし樹脂）でポッティングすると良
い。またこの熱硬化性樹脂は、混成集積回路基板の熱膨
張係数と同等のものが好ましい。つまり前述した対策
は、熱可塑性樹脂の成型時、注入樹脂圧により、特に細
線（１００μｍ以下）ワイヤーが倒れるのを防止した
り、断線を防止する効果を有する。また熱可塑性樹脂
は、成形後混成集積回路基板に密着しているだけであ
り、基板と反応して接着していない。そのため熱可塑性
樹脂が直接回路素子と接触していると、冷熱衝撃で、熱
可塑性樹脂と実装部品、混成集積回路基板と熱可塑性樹
脂の熱膨張係数のミスマッチにより、半田接続部、細線
および太線も含めたワイヤー接続部に応力が発生し、断
線等が発生するが、このポッティング樹脂によりこれら
の問題を解決することができる。また成型時、熱可塑性
樹脂が直接接触しないため、半田の部分の温度上昇を抑
制することができる。
１を熱可塑性樹脂２で成形する場合、予め半田の接合部
３、４、ボンデイングワイヤーとベアチップを熱硬化性
樹脂（例えばエポキし樹脂）でポッティングすると良
い。またこの熱硬化性樹脂は、混成集積回路基板の熱膨
張係数と同等のものが好ましい。つまり前述した対策
は、熱可塑性樹脂の成型時、注入樹脂圧により、特に細
線（１００μｍ以下）ワイヤーが倒れるのを防止した
り、断線を防止する効果を有する。また熱可塑性樹脂
は、成形後混成集積回路基板に密着しているだけであ
り、基板と反応して接着していない。そのため熱可塑性
樹脂が直接回路素子と接触していると、冷熱衝撃で、熱
可塑性樹脂と実装部品、混成集積回路基板と熱可塑性樹
脂の熱膨張係数のミスマッチにより、半田接続部、細線
および太線も含めたワイヤー接続部に応力が発生し、断
線等が発生するが、このポッティング樹脂によりこれら
の問題を解決することができる。また成型時、熱可塑性
樹脂が直接接触しないため、半田の部分の温度上昇を抑
制することができる。
【００１７】原因は定かでないが、外部リード１１の半
田接続部は、ヒートサイクルの結果、樹脂をポッティン
グしなくとも不良が発生しないことが判っている。これ
は、外部リードが熱を外部へ伝えるため半田が溶けな
い、Ａの部分で樹脂がＬ状にかみ合っているため樹脂と
基板のズレが少ない、外部リードが樹脂の剥離を押さえ
ている（アンカー効果）が有る為であると考えられる。
つまり部分的にポッティングする場合は、この現象から
リードの部分のポッティングを省略しても良い。
田接続部は、ヒートサイクルの結果、樹脂をポッティン
グしなくとも不良が発生しないことが判っている。これ
は、外部リードが熱を外部へ伝えるため半田が溶けな
い、Ａの部分で樹脂がＬ状にかみ合っているため樹脂と
基板のズレが少ない、外部リードが樹脂の剥離を押さえ
ている（アンカー効果）が有る為であると考えられる。
つまり部分的にポッティングする場合は、この現象から
リードの部分のポッティングを省略しても良い。
【００１８】本出願人は、混成集積回路基板を熱可塑性
樹脂(例えばＰＰＳ等)で成型する構造について特願平９
-１７８２４６号として既に出願している。この場合、
混成集積回路基板裏面からの放熱性を確保するため、混
成集積回路基板裏面を封止しない形状については、図３
のように上金型２０に取り付けた押さえピン２１で混成
集積回路基板１裏面を下金型２２に押しつけ、混成集積
回路基板１裏面に樹脂が流入するのを防止していた。
樹脂(例えばＰＰＳ等)で成型する構造について特願平９
-１７８２４６号として既に出願している。この場合、
混成集積回路基板裏面からの放熱性を確保するため、混
成集積回路基板裏面を封止しない形状については、図３
のように上金型２０に取り付けた押さえピン２１で混成
集積回路基板１裏面を下金型２２に押しつけ、混成集積
回路基板１裏面に樹脂が流入するのを防止していた。
【００１９】しかしこの成型方法では、ピン２１で押さ
えた所は、図４のように混成集積回路基板表面の露出部
２１が形成され、ここに水分が侵入する問題があった。
つまり矢印Ａで示すゲート位置であると、射出された樹
脂は、混成集積回路基板１や保護樹脂(一次コート)２４
に流れを遮られ、乱流を起こして混成集積回路基板１の
上部と下部に回り込むため、射出樹脂が混成集積回路基
板１を浮かす。
えた所は、図４のように混成集積回路基板表面の露出部
２１が形成され、ここに水分が侵入する問題があった。
つまり矢印Ａで示すゲート位置であると、射出された樹
脂は、混成集積回路基板１や保護樹脂(一次コート)２４
に流れを遮られ、乱流を起こして混成集積回路基板１の
上部と下部に回り込むため、射出樹脂が混成集積回路基
板１を浮かす。
【００２０】この対策として、図２のように、半導体素
子または／および受動素子に向かい射出される封止樹脂
が直接当接しないようなゲート２５位置およびこのゲー
ト２５からの射出角度を調整している。図２の矢印 Ａ
に示したゲート２５位置のようにすると、射出の瞬時
に、射出樹脂は保護樹脂または／および回路素子と当た
らず、これらの上からゲートの反対側の近傍で下に向か
い、混成集積回路基板１を押圧する働きを発生させてい
る。
子または／および受動素子に向かい射出される封止樹脂
が直接当接しないようなゲート２５位置およびこのゲー
ト２５からの射出角度を調整している。図２の矢印 Ａ
に示したゲート２５位置のようにすると、射出の瞬時
に、射出樹脂は保護樹脂または／および回路素子と当た
らず、これらの上からゲートの反対側の近傍で下に向か
い、混成集積回路基板１を押圧する働きを発生させてい
る。
【００２１】図２から明らかなように、少なくとも混成
集積回路基板１表面の高さが、ゲート２５の底面よりも
低く設定されれば、射出樹脂は、基板側面に当接しない
ため、基板裏面への回り込みが防止できる。上述のよう
にゲート２５の位置を決定すれば、射出される樹脂は、
その流れを遮られず、混成集積回路基板１を下に押圧し
ながらゲート２５の反対側の下から封止されてゆく。ま
た保護樹脂(一次コート)２４の上を擦るように注入され
てゆく。
集積回路基板１表面の高さが、ゲート２５の底面よりも
低く設定されれば、射出樹脂は、基板側面に当接しない
ため、基板裏面への回り込みが防止できる。上述のよう
にゲート２５の位置を決定すれば、射出される樹脂は、
その流れを遮られず、混成集積回路基板１を下に押圧し
ながらゲート２５の反対側の下から封止されてゆく。ま
た保護樹脂(一次コート)２４の上を擦るように注入され
てゆく。
【００２２】このゲート位置であれば、射出樹脂は、混
成集積回路基板１を下金型２２に押さえつけるように働
き、図３のような押さえピン２１が不要となり、ピン２
１による混成集積回路基板１の露出を無くすことができ
る。従って、水分等の侵入を防止でき、混成集積回路装
置の劣化を防止することができる。また注入樹脂として
ガラスファイバー強化ＰＰＳを採用したが、熱可塑性樹
脂による成型では、樹脂粘度が高いこと、固化が早いこ
とから、混成集積回路基板裏面に樹脂の回り込みが全く
発生しなかった。
成集積回路基板１を下金型２２に押さえつけるように働
き、図３のような押さえピン２１が不要となり、ピン２
１による混成集積回路基板１の露出を無くすことができ
る。従って、水分等の侵入を防止でき、混成集積回路装
置の劣化を防止することができる。また注入樹脂として
ガラスファイバー強化ＰＰＳを採用したが、熱可塑性樹
脂による成型では、樹脂粘度が高いこと、固化が早いこ
とから、混成集積回路基板裏面に樹脂の回り込みが全く
発生しなかった。
【００２３】一方、前述したように、樹脂の射出によっ
て混成集積回路基板１を下金型２２に押さえつけると共
に、混成集積回路基板１を横方向に押す力も働く。この
横方向の力が混成集積回路基板１のズレを発生させる
が、これを防止するために、下金型２２に混成集積回路
基板１が入り込むような僅かな段差２６(約０．５ミリ)
を設ける。または横ズレ防止用の手段、例えばツメをゲ
ートと反対側、またはゲート側とゲート側と反対側に設
けることで、横ズレのない封止が可能となる。
て混成集積回路基板１を下金型２２に押さえつけると共
に、混成集積回路基板１を横方向に押す力も働く。この
横方向の力が混成集積回路基板１のズレを発生させる
が、これを防止するために、下金型２２に混成集積回路
基板１が入り込むような僅かな段差２６(約０．５ミリ)
を設ける。または横ズレ防止用の手段、例えばツメをゲ
ートと反対側、またはゲート側とゲート側と反対側に設
けることで、横ズレのない封止が可能となる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、注入温度を外部へ
放出したり、またヒートシンクとして熱を溜めて、基板
表面温度の上昇を抑制する金属基板や熱伝導性の優れた
基板を採用し、混成集積回路基板を下金型に押さえつけ
る力が働くように、ゲートを配置することで、押さえピ
ンの不要な成形工程の短い熱可塑性樹脂の封止が可能と
なった。
放出したり、またヒートシンクとして熱を溜めて、基板
表面温度の上昇を抑制する金属基板や熱伝導性の優れた
基板を採用し、混成集積回路基板を下金型に押さえつけ
る力が働くように、ゲートを配置することで、押さえピ
ンの不要な成形工程の短い熱可塑性樹脂の封止が可能と
なった。
【００２５】また、混成集積回路基板上で半田または金
属細線を介して電気的に接続される部分に保護樹脂をポ
ッティングした後、封止することで、半田の溶融も無く
封止することができた。また保護樹脂を、図２のように
混成集積回路基板の実質全面に塗布し、この保護樹脂を
覆うように前記熱可塑性樹脂を封止することで、半田溶
融防止、射出樹脂がこの保護樹脂を介して下金型に押さ
える力を発生させるため、良好な封止を実現できた。
属細線を介して電気的に接続される部分に保護樹脂をポ
ッティングした後、封止することで、半田の溶融も無く
封止することができた。また保護樹脂を、図２のように
混成集積回路基板の実質全面に塗布し、この保護樹脂を
覆うように前記熱可塑性樹脂を封止することで、半田溶
融防止、射出樹脂がこの保護樹脂を介して下金型に押さ
える力を発生させるため、良好な封止を実現できた。
【００２６】また、段差やツメを設けることで、射出方
向の横ズレを防止できた。更には、ファイバーの向きが
前記横長方向に実質的に揃う事で成型品の反りを防止す
ることができた。
向の横ズレを防止できた。更には、ファイバーの向きが
前記横長方向に実質的に揃う事で成型品の反りを防止す
ることができた。
【図１】本発明の混成集積回路装置の断面図である。
【図２】金型を用いた混成集積回路装置の製造方法を説
明する図である。
明する図である。
【図３】押さえピンを用いた混成集積回路装置の製造方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図４】図３により製造された混成集積回路装置を説明
する図である。
する図である。
１ 混成集積回路基板 ２０ 上金型 ２２ 下金型 ２５ ゲート
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56 B29C 45/14 B29C 45/27 B29C 33/12
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも表面が絶縁処理され、この表
面に設けられた導電パターンと、この導電パターンと半
田を介して接続された半導体素子または受動素子とを有
する金属基板から成る混成集積回路基板を封止金型の下
金型に当接し、前記混成集積回路基板が射出される封止
樹脂の圧力により射出方向に横ズレしないようにズレ防
止手段により前記混成集積回路基板を固定し、前記半導
体素子または／および受動素子に射出される封止樹脂が
直接当接しないようなゲート位置およびこのゲートから
の射出角度に設定されたゲートから前記封止樹脂を射出
して、前記混成集積回路基板を封止する事を特徴とした
混成集積回路装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記ズレ防止手段は、前記下金型に設け
られた僅かな段差であり、前記段差に前記混成集積回路
基板の底面を当接してから前記封止樹脂を射出すること
を特徴とした請求項１記載の混成集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項３】 前記ズレ防止手段は、前記下金型のゲー
トの反対側に設けられたツメであり、前記ツメに前記混
成集積回路基板の側面の１部を当接してから前記封止樹
脂を射出することを特徴とした請求項１記載の混成集積
回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35392097A JP3281859B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35392097A JP3281859B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186304A JPH11186304A (ja) | 1999-07-09 |
| JP3281859B2 true JP3281859B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=18434118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35392097A Expired - Fee Related JP3281859B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3281859B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10220239A1 (de) * | 2002-05-06 | 2003-12-04 | Orga Kartensysteme Gmbh | Chipkarte und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP2005123606A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
| JP4819416B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2011-11-24 | 株式会社パイオラックス | メッシュフィルタの製造方法及びメッシュフィルタ製造用射出成形金型 |
| CN100394569C (zh) * | 2005-07-06 | 2008-06-11 | 乾坤科技股份有限公司 | 防止封装元件溢胶的方法 |
| TW200723467A (en) * | 2005-12-15 | 2007-06-16 | qin-dong Liu | Method for packaging flash memory cards |
| JP4742877B2 (ja) * | 2006-01-18 | 2011-08-10 | 住友電装株式会社 | 樹脂成形品の成形構造 |
| DE102008029192A1 (de) * | 2008-03-13 | 2009-09-24 | Epcos Ag | Fühler zum Erfassen einer physikalischen Größe und Verfahren zur Herstellung des Fühlers |
| JP5275856B2 (ja) * | 2009-03-16 | 2013-08-28 | 株式会社東海理化電機製作所 | 装飾部材、レーダユニット、装飾部材製造方法 |
| JP6495368B2 (ja) * | 2017-04-19 | 2019-04-03 | 立山科学工業株式会社 | 電子モジュール |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP35392097A patent/JP3281859B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11186304A (ja) | 1999-07-09 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |