JP3281783B2 - プリント配線板用銅箔、その製造法及び電解装置 - Google Patents
プリント配線板用銅箔、その製造法及び電解装置Info
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Description
の銅箔を製造する方法及びそれにより得られるカールが
少なくピンホールのない優れた物性を有する銅箔、さら
に該銅箔を製造するための電解装置に関する。
線板用の電解銅箔を製造する方法に関して、特公平3−
1391及び特開平1−198495に記述が見られ
る。
製造技術は、ある濃度の銅イオンを含有する電解液と前
記電解液中に表面を浸漬して移動する陰極面とこれに対
向する位置に固定された陽極面とを有する電解槽を用
い、該陰極面が通過する電解槽内の第一の領域において
限界電流より大きい値と小さい値に脈動する第一の電流
密度を与えて前記陰極表面に核形成部位を形成し、次い
で該陰極面が通過する電解槽内の第二の領域において、
限界電流密度より小さい電流密度を適用して前記陰極表
面に比較的平滑な銅箔沈着物を形成し、さらに該陰極面
が通過する電解槽内の第三の領域において限界電流密度
より大きい値と小さい値に脈動する第二の高電流密度を
与え、前記銅箔沈着物上に多数のこぶ模様を形成するこ
とを含む表面処理を施した銅箔の製造方法である。
箔製造技術においては、接着性の良いこぶ状の外表面を
有し、高度に細孔の少ない超薄金属箔を形成するもので
あるが、電気メッキされた金属にこぶ模様の層を生成す
るために、少なくとも一か所の限界電流密度より大きい
電流密度領域が設けられる。この電流密度領域は、一次
陽極から完全に分離する空隙または絶縁材料を介して設
けた処理陽極によって形成され、電解浴の出口又は入口
及び出口に設けられている。
銅箔製造技術では、処理陽極が液面下の電解浴中に設置
されており、陰極面の電着開始面、即ち気液界面近傍の
陰極面は、対向した位置に処理陽極が存在せず、処理陽
極に対向した陰極面より電流密度が低く、十分に高い電
流密度にできず、得られた銅箔の特性は初期に多数の核
形成を十分に行えず、その結果、カールが少なくピンホ
ールのない銅箔という本発明の課題を解決するには至っ
ていない。
た技術は、ピンホールのない銅箔を得るため、電解によ
って発生する多量のガスを含有する電解液のオーバーフ
ローを陽極上部に設けた液流出口より排出し、電解初期
および終期にガスを含まない電解液で電解を行うという
方法であるが、この場合も、陽極は液面下に埋没して配
置されているので、特公平3−1391と同様に、本発
明の課題を解決するには至っていない。
銅箔には、程度に差はあるが内部歪みやピンホールを有
しており、これらを解決するための上記従来技術にも種
々の問題がありかつ完全な解決にはなっていないのが現
状である。
膜化の傾向があり、それに伴って銅箔の内部歪みやピン
ホールに対する要求が厳しくなってきている。特に銅箔
の内部歪みはカールと称される現象として表れる。これ
は平坦な台の上等に銅箔を置いたときに銅箔の端部が持
ち上がることから確認できる。もともとプリント配線板
用銅箔のピンホールやカールは、銅箔の厚さが薄いほど
増加する傾向があるため、薄膜の銅箔の使用が増えてき
たことによって大きな問題となってきた。
の製造技術で得られた銅箔では、銅箔を自動化によりロ
ボットを使用してラミネートする際に、銅箔のカールに
起因してロボットがハンドリングする際に銅箔をつかめ
ない等のミスが生じ易かったため、プリント配線板の製
造上、問題があった。従って、カールの少ない銅箔が要
求されていた。
ント配線板用の銅箔を製造する方法及びそれにより得ら
れるカールが少なくピンホールの無い優れた物性を有す
る銅箔、さらに該銅箔を製造するための電解装置を提供
することにある。
術の問題点について鋭意研究を重ねた結果、電解用陽極
とは別に回転陰極上の電着開始面に高電流を流すための
高電流用陽極をオーバーフローして流出する電解液の表
面より上に出して電解液の上面に、特に気液界面近傍に
高電流を給電することによって上記課題が達成されるこ
とを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
と電解用陽極との間に通電して該回転陰極の表面に銅を
電着させてプリント配線板用の電解銅箔を製造する方法
において、該回転陰極上の電着開始面に対向する位置に
前記銅電解液の液面より上に一部が突出するように高電
流用陽極を配設し、該高電流用陽極とこれに対向する前
記回転陰極面との間に存在する銅電解液中に、前記電解
用陽極より高い電流密度の高電流を流す高電流ゾーンを
設けて通電することを特徴とする前記製造方法にある。
箔を製造する方法により得られるカールが少なくピンホ
ールのない優れた物性を有する銅箔、さらに該銅箔を製
造するための電解装置をも包含する。
に詳しく説明する。
移行するまでの電流密度の変化を表したグラフを表す。
図1中、aの曲線は理想的な場合の電流密度の変化を示
したものである。また、bの曲線は本発明の実施例3の
場合の実測値、さらに、cの曲線は比較例1の場合、d
の曲線は比較例2の場合の実測値をそれぞれ示す。
模式図を示す。図3は、実施例2の電解入り口付近の拡
大模式図を示す。図4は、一般に用いられる銅箔製造装
置の模式図を示す。図5は、本発明の銅箔製造装置の模
式図を示す。
に対向して設置される電解用陽極を示す。3は電解液が
通過できる網状、櫛状、その他通液孔を有する高電流用
陽極を示す。3′は従来から使用されてきた板状の高電
流用陽極を示す。また、4は高電流用陽極3と電解用陽
極2とを絶縁するための絶縁板、5は巻き取りリール、
6はタンクをそれぞれ示す。
る方法における特徴は2つあり、図3に示されるよう
に、1つは電着開始面に高電流を流すための高電流用陽
極3が、図2のように従来技術で使用されている板状で
はなく網状または櫛形等、電解液が陽極面を自由に出入
りできるような構造であることである。
電解用陽極と陰極間の電流密度より高い電流密度となる
ように高電流を流し、電着開始面に多数の結晶核を形成
させることである。
うに、初期電着用に用いる陽極3′が電解液に完全に水
没しており、その上を電解液を通過させながら高電流に
よる核形成を行おうとしていた。
で、核形成は電解初期の極めて短い時間で完成してしま
うことを見い出した。図1から明らかなように、その時
間は0.1〜1秒(高電流ゾーンを通過する時間)であ
り、しかも電着が始まる瞬間の電流密度が最も重要な因
子であることを突き止めた。
法のような水没した初期電着用の陽極に高電流を流した
場合には、電着が始まる瞬間の電流密度は該電極の平均
電流密度より低くなってしまうために、図1のdの曲線
から明らかなように、十分な核形成を行うことができな
い。一方、本発明のような方法によれば、図3及び図5
のように電着開始液面の陰極1に対向する面に該陽極3
が存在するので、図1のbの曲線から明らかなように、
電着が始まる瞬間から十分な電流密度を印加することが
できる。
開始面が電解液に突入してから高電流用陽極3を経て通
常の電解用陽極2に対面するまでの電流変化が、図1a
のような曲線となるのが理想的であり、本発明の場合は
bのようになり、従来法の場合dに比べて理想曲線に近
いことがわかる。
る方法に用いる高電流用陽極3は、例えばペルメレック
社のラス状DSEのような網状のものを通常の電解用陽
極2の入り口に釣り下げまたは絶縁体4の台の上に据付
ける等の方法で設置される。高電流用陽極3は電解液が
容易に通過できるならば網状に限定されるものではな
く、例えば櫛形や板状の陽極に適当な大きさと数の穴を
開けた物でも良い。
て陽極近傍に発生した多量のガスを排除するために、気
泡を含む電解液が容易に通過できる形状が好ましい。
ければならないのは、該陽極3が電解液に浸漬されてい
ると同時に該陽極の一部が必ず電解液の表面より上に出
るようにすることであり、上下に可変できるように、知
られている様々な機構、技術を用いて設置すると電解液
の補給量を変化させた場合等、電解液面の変動にも簡単
に対応できる。
形成が完成されるまでの0〜1秒の間に回転陰極面1に
十分な電流密度となるような電流を高電流用陽極3から
供給することであり、その範囲は1.0〜3.0A/c
m2であり、好ましくは1.5〜2.5A/cm2であ
る。1.0A/cm2未満では十分な核形成が行われ
ず、3.0A/cm2を超えると陽極の劣化が起こるた
め好ましくない。またこの時陰極面1に印加される電流
密度が大きいので短時間に核形成が完了し、電流密度が
大きいまま結晶成長が始まることになるため、焼けメッ
キと称される粒状の銅析出が起り、得られた銅箔の物性
に悪影響が出る(図1の焼けメッキ領域)。
電着開始直後に最も高い電流密度が印加され、核形成が
進行すると共に電流密度が低下し、核形成が完了した時
は焼けメッキ領域に入らぬまま通常の電解電流密度に収
束する。
の変化を示したものであるが理想に近い電流密度の変化
曲線となっている。
行われている方法で行った比較例2での電流密度の変化
であるが、核形成期に十分な電流が流れていないばかり
でなく、核形成の終期から結晶成長の初期にかけての電
流密度が焼けメッキ領域に入ってしまっている。
メッキ領域に深く踏み込むことになるため、得られる銅
箔の物性に悪影響がある。
る方法によれば、銅箔の常態の抗張力が44.8Kg/
mm2以上、伸び率が8.5%以上、熱間(180℃雰
囲気中での測定値)抗張力が20.9Kg/mm2以
上、伸び率が5.1%以上、析出面の表面粗さがR Z 3
μm以下でカールが少なくピンホールのないプリント配
線板用電解銅箔が得られる。
ば、回転する陰極が電解液に入る瞬間に一時的に高電流
密度の電流を流すことによって、多数の結晶核を密度高
く形成させ、カールが少なくピンホールの無い優れた物
性を有する電解銅箔が得られる。
箔を製造するための電解装置は、回転陰極1、該回転陰
極1に対向して設置される電解用陽極2、前記陰極1及
び電解用陽極2間に供給される銅電解液を電解してプリ
ント配線板用電解銅箔を製造する電解装置において、前
記陰極1の電着開始面に電解用陽極2よりも高い電流密
度の高電流を流すための高電流用陽極3を前記銅電解液
の液面より上に、その一部が突出するように絶縁板4を
介して前記電解用陽極2の上に設けたことを特徴とする
ものである。
解液の液面より上に突出するように絶縁板4を介して前
記電解用陽極2の上に設けて、電着時に該高電流用陽極
3をオーバーフローして流出する電解液の表面より上に
出して陰極面の電着開始面、即ち気液界面近傍の陰極面
に高電流を給電することによって、優れた物性を有する
電解銅箔を製造することができる。
法は、簡単な電解設備によって銅箔のカールやピンホー
ルを無くすことができ、しかもこれらを自由にコントロ
ールすることができ、それによって得られる銅箔は優れ
た銅箔物性(高抗張力、低粗度など)を有し、最近主流
となっている多層プリント配線板で問題となっているホ
イールクラックにも十分対応できる熱間物性を併せ持つ
電解銅箔となる。
らに具体的に説明する。
較例3については高電流用陽極の電流密度の最適範囲の
特定に関し、実施例4から実施例6及び比較例4から比
較例6については高電流用陽極の電解時間の特定につい
ての例を示す。実施例1 回転する円筒状陰極1とそれに対向する電解用陽極2を
有し、両極の間に銅イオンを含有する電解液を通しなが
ら電解を行い、連続的に銅箔を製造する図4に示す銅箔
製造装置に図3のように、入り口(電解始め)部分の電
解液オーバーフローの表面より上まで出るように網状の
高電流用陽極3を設置し(絶縁板高さ2mm、陽極高さ5
0mm、浸液深さ10mm)、該陽極3に1.1A/cm2
の電流を流しながら、下記のような条件で電解を行い厚
さ18μmおよび12μmの銅箔を作製した。
10g/l、塩化物イオン濃度:20mg/l、液温:
50℃、電解用陽極2の電流密度:0.6A/cm2 、
ゼラチン濃度:3ppm、高電流用陽極3での電解時
間:0.5sec実施例2 高電流用陽極3の電流密度を1.5A/cm2 に変えた
以外は、実施例1と全く同様の条件及び電解装置で電解
を行い、厚さ18μm及び12μmの銅箔を作製した。実施例3 高電流用陽極3の電流密度を2.5A/cm2 に変えた
以外は、実施例1と全く同様の条件及び電解装置で電解
を行い、厚さ18μm及び12μmの銅箔を作製した。比較例1 高電流用陽極3の電流密度を0.9A/cm2 に変えた
以外は、実施例1と全く同様の条件及び電解装置で電解
を行い、厚さ18μm及び12μmの銅箔を作製した。
が、カールが若干発生した。比較例2 回転する円筒状陰極1とそれに対向する電解用陽極2を
有し、両極の間に銅イオンを含有する電解液を通しなが
ら電解を行い、連続的に銅箔を製造する図4に示す銅箔
製造装置に図2のように、入り口(電解始め)部分に板
状の陽極3’(溢流型高電流用陽極)を設置し(絶縁板
高さ2mm、陽極高さ10mm)、該陽極3’に1.5A/
cm2 の電流を流しながら、実施例2の高電流用陽極3
を該陽極3’に変えた以外は、実施例2と全く同様の条
件で電解を行い、厚さ18μm及び12μmの銅箔を作
製した。
に発生した。比較例3 回転する円筒状陰極1とそれに対向する陽極を有し、両
極の間に銅イオンを含有する電解液を通しながら電解を
行い、連続的に銅箔を製造する図4に示す銅箔製造装置
を用いて、実施例1の高電流用陽極3を設置しない以外
は、実施例1と全く同様の条件で電解を行い、厚さ18
μm及び12μmの銅箔を作製した。実施例4 高電流用陽極3での電解時間を0.1secに変えた以
外は、実施例2と全く同様の条件及び電解装置で電解を
行い、厚さ18μm及び12μmの銅箔を作製した。実施例5 高電流用陽極3での電解時間を0.5secに変えた以
外は、実施例4と全く同様の条件及び電解装置で電解を
行い、厚さ18μm及び12μmの銅箔を作製した。本
実施例は実施例2と全く同じ条件であるが、実施例の記
載上の都合で便宜的に実施例5として記載した。実施例6 高電流用陽極3での電解時間を1.0secに変えた以
外は、実施例4と全く同様の条件及び電解装置で電解を
行い、厚さ18μm及び12μmの銅箔を作製した。比較例4 比較例3と全く同様の条件及び電解装置で電解を行い、
厚さ18μm及び12μmの銅箔を作製した。本比較例
は比較例3と全く同じ条件であるが、比較例の記載上の
都合で便宜的に比較例4として記載した。
に発生した。比較例5 高電流用陽極3での電解時間を0.05secに変えた
以外は、実施例4と全く同様の条件及び電解装置で電解
を行い、厚さ18μm及び12μmの銅箔を作製した。
に発生した。比較例6 高電流用陽極3での電解時間を2.0secに変えた以
外は、実施例4と全く同様の条件及び電解装置で電解を
行い、厚さ18μm及び12μmの銅箔を作製した。
し、カールは0mmだったがピンホールが大量に発生し
た。試験例1 実施例1〜6及び比較例1〜6で作製した銅箔のピンホ
ールをJIS規格に記載の浸透液法によって検査を行い
1m2 中のピンホールの数を調査した。
製した銅箔を10cm角に切り出し、陰極面側を下にし
て平坦な台の上に置き4つの角が台から浮き上がる高さ
(カール)を測定した。各サンプルの内部歪みは4角の
カールの平均値で表した。得られた測定結果を表1及び
表3に示す。試験例2 実施例1〜6及び比較例1〜6で作成した銅箔の析出面
の粗度(Ra、Rz及びRmax)と常態および熱間
(180℃雰囲気中での測定値)の引張り強さと伸び率
を測定した。得られた測定結果を表2及び表4に示す。
めて示すと表5のようになる。
った場合、核形成が初期に密に行われる。その結果、得
られる銅箔はカールが小さく、ピンホールがなく、結晶
成長面の平滑性が大きくなる。核形成が密に行われた場
合の結晶成長のモデル図を図6に示す。
合、核形成が疎に行われる。その結果得られる銅箔はカ
ールが大きく、ピンホールが多く、粗面側の粗度が大き
くなる。核形成が疎に行われた場合の結晶成長のモデル
図を図7に示す。
ール、ピンホールの関係
の電流密度の変化を表したグラフを表す。
す。
す。
す。
ル図
ル図
3′:従来の板状高電流用陽極、4:絶縁板、5:巻き
取りリール、6:タンク。
Claims (6)
- 【請求項1】 銅電解液中で回転陰極と電解用陽極との
間に通電して該回転陰極の表面に銅を電着させてプリン
ト配線板用の電解銅箔を製造する方法において、該回転
陰極上の電着開始面に対向する位置に前記銅電解液の液
面より上に一部が突出するように高電流用陽極を配設
し、該高電流用陽極とこれに対向する前記回転陰極面と
の間に存在する銅電解液中に、前記電解用陽極より高い
電流密度の高電流を流す高電流ゾーンを設けて通電する
ことを特徴とする前記製造方法。 - 【請求項2】 前記高電流ゾーンに1.0〜3.0A/
cm2 の高電流を通電することを特徴とする請求項1に
記載の製造方法。 - 【請求項3】 前記回転陰極の高電流ゾーンを通過する
時間が0.1〜1秒であることを特徴とする請求項1ま
たは2に記載の製造方法。 - 【請求項4】 回転陰極1、該回転陰極1に対向して設
置される電解用陽極2、前記陰極1及び電解用陽極2間
に供給される銅電解液を電解してプリント配線板用電解
銅箔を製造する電解装置において、前記陰極1の電着開
始面に前記電解用陽極2よりも高い電流密度の高電流を
流すための高電流用陽極3を前記銅電解液の液面より上
に、その一部が突出するように絶縁板4を介して前記電
解用陽極2の上に設けたことを特徴とする前記電解装
置。 - 【請求項5】 前記高電流用陽極3が前記銅電解液が通
過できる通液孔を有することを特徴とする請求項4に記
載の電解装置。 - 【請求項6】 前記通液孔が網状、櫛状であることを特
徴とする請求項5に記載の電解装置。
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