JP3261795B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタ、半導
体利用の各種センサのような半導体を利用したデバイス
や太陽電池その他を製造するにあたり、基板上に成膜し
たり、配線パターン等を得るために、形成した膜を所定
パターンに従ってエッチングしたりするプラズマＣＶＤ
装置、プラズマエッチング装置のようなプラズマ処理装
置に関する。
体利用の各種センサのような半導体を利用したデバイス
や太陽電池その他を製造するにあたり、基板上に成膜し
たり、配線パターン等を得るために、形成した膜を所定
パターンに従ってエッチングしたりするプラズマＣＶＤ
装置、プラズマエッチング装置のようなプラズマ処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置は各種タイプのもの
が知られている。その代表例として、図３に示す平行平
板型のプラズマＣＶＤ装置について説明すると、この装
置は真空容器１を有し、その中に被成膜基板Ｓ１を設置
する基板ホルダを兼ねる電極２及びこの電極に対向する
電極３が設けられている。
が知られている。その代表例として、図３に示す平行平
板型のプラズマＣＶＤ装置について説明すると、この装
置は真空容器１を有し、その中に被成膜基板Ｓ１を設置
する基板ホルダを兼ねる電極２及びこの電極に対向する
電極３が設けられている。
【０００３】電極２は、通常、接地電極とされ、また、
この上に設置される基板Ｓ１を成膜温度に加熱するヒー
タ２１を付設してある。輻射熱により基板Ｓ１を加熱す
るためにヒータ２１が分離配置されることもある。電極
３は、電極２との間に導入される成膜用ガスに高周波電
力や直流電力を印加してプラズマ化させるための電力印
加電極で、図示の例ではマッチングボックス３１を介し
て高周波電源３２を接続してある。
この上に設置される基板Ｓ１を成膜温度に加熱するヒー
タ２１を付設してある。輻射熱により基板Ｓ１を加熱す
るためにヒータ２１が分離配置されることもある。電極
３は、電極２との間に導入される成膜用ガスに高周波電
力や直流電力を印加してプラズマ化させるための電力印
加電極で、図示の例ではマッチングボックス３１を介し
て高周波電源３２を接続してある。
【０００４】また、図示の例では、電極３は、電極の一
部を構成するガスノズル３３の開口部に多孔電極板３４
を設けたもので、電極板３４には、直径０．５ｍｍ程度
のガス供給孔を多数形成してあり、ガスノズル３３から
供給されるガスが各孔から両電極間に全体的に放出され
るようにしてある。このような構成は広面積基板上に成
膜するのに適している。
部を構成するガスノズル３３の開口部に多孔電極板３４
を設けたもので、電極板３４には、直径０．５ｍｍ程度
のガス供給孔を多数形成してあり、ガスノズル３３から
供給されるガスが各孔から両電極間に全体的に放出され
るようにしてある。このような構成は広面積基板上に成
膜するのに適している。
【０００５】また、高周波電極３の周縁部及びそれに連
続する背面全体を取り囲むように、該電極から一定間隔
を保って、プラズマの回り込み防止用接地電極４０を設
けてある。真空容器１には、さらに、開閉弁５１を介し
て排気ポンプ５２を配管接続してあるとともに、前記ガ
スノズル３３にはガス供給部４を配管接続してある。ガ
ス供給部４には、１又は２以上のマスフローコントロー
ラ４２１、４２２・・・・及び開閉弁４３１、４３２・
・・・を介して、所定量の成膜用ガスを供給するガス源
４４１、４４２・・・・が含まれている。
続する背面全体を取り囲むように、該電極から一定間隔
を保って、プラズマの回り込み防止用接地電極４０を設
けてある。真空容器１には、さらに、開閉弁５１を介し
て排気ポンプ５２を配管接続してあるとともに、前記ガ
スノズル３３にはガス供給部４を配管接続してある。ガ
ス供給部４には、１又は２以上のマスフローコントロー
ラ４２１、４２２・・・・及び開閉弁４３１、４３２・
・・・を介して、所定量の成膜用ガスを供給するガス源
４４１、４４２・・・・が含まれている。
【０００６】この平行平板型プラズマＣＶＤ装置による
と、成膜対象基板Ｓ１が真空容器１内の電極２上に設置
され、該容器１内が弁５１の開成と排気ポンプ５２の運
転にて所定成膜真空度に維持され、ガス供給部４からノ
ズル３３及び電極板３４のガス供給孔を介して成膜用ガ
スが導入される。また、高周波電極３に電源３２から高
周波電圧が印加され、それによって導入されたガスがプ
ラズマ化され、このプラズマの下で基板Ｓ１表面に所望
の膜が形成される。
と、成膜対象基板Ｓ１が真空容器１内の電極２上に設置
され、該容器１内が弁５１の開成と排気ポンプ５２の運
転にて所定成膜真空度に維持され、ガス供給部４からノ
ズル３３及び電極板３４のガス供給孔を介して成膜用ガ
スが導入される。また、高周波電極３に電源３２から高
周波電圧が印加され、それによって導入されたガスがプ
ラズマ化され、このプラズマの下で基板Ｓ１表面に所望
の膜が形成される。
【０００７】また、プラズマエッチング装置も各種タイ
プのものが知られている。その代表例として図４に示す
平行平板型のエッチング装置について説明すると、この
装置も真空容器１０を備え、その中には、エッチング対
象膜を形成した基板Ｓ２を設置する基板ホルダを兼ねる
電極２０及び電極２０に対向配置された電極３０を備え
ている。
プのものが知られている。その代表例として図４に示す
平行平板型のエッチング装置について説明すると、この
装置も真空容器１０を備え、その中には、エッチング対
象膜を形成した基板Ｓ２を設置する基板ホルダを兼ねる
電極２０及び電極２０に対向配置された電極３０を備え
ている。
【０００８】電極２０は、電極３０との間に導入される
エッチング用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプ
ラズマ化させるための電力印加電極として使用され、図
示の例ではマッチングボックス２０１を介して高周波電
源２０２に接続されている。また、高周波電極２０の周
縁部及びそれに連続する背面全体を取り囲むように、該
電極から一定間隔を保って、プラズマの回り込み防止用
接地電極６０を設けてある。
エッチング用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプ
ラズマ化させるための電力印加電極として使用され、図
示の例ではマッチングボックス２０１を介して高周波電
源２０２に接続されている。また、高周波電極２０の周
縁部及びそれに連続する背面全体を取り囲むように、該
電極から一定間隔を保って、プラズマの回り込み防止用
接地電極６０を設けてある。
【０００９】電極３０は接地電極であり、電極の一部を
構成するガスノズル３０１の開口部に多孔電極板３０２
を設けたもので、電極板３０２には直径０．５ｍｍ程度
のガス供給孔を多数形成してあり、ガスノズル３０１か
ら供給されるガスが該孔から両電極間に全体的に放出さ
れるようになっている。真空容器１０には、さらに、開
閉弁７１を介して排気ポンプ７２を配管接続してあると
ともに、前記ガスノズル３０１にはガス供給部６を配管
接続してある。ガス供給部６には、１又は２以上のマス
フローコントローラ６２１、６２２・・・・及び開閉弁
６３１、６３２・・・・を介して所要量のエッチング用
ガスを供給するガス源６４１、６４２・・・・が含まれ
ている。
構成するガスノズル３０１の開口部に多孔電極板３０２
を設けたもので、電極板３０２には直径０．５ｍｍ程度
のガス供給孔を多数形成してあり、ガスノズル３０１か
ら供給されるガスが該孔から両電極間に全体的に放出さ
れるようになっている。真空容器１０には、さらに、開
閉弁７１を介して排気ポンプ７２を配管接続してあると
ともに、前記ガスノズル３０１にはガス供給部６を配管
接続してある。ガス供給部６には、１又は２以上のマス
フローコントローラ６２１、６２２・・・・及び開閉弁
６３１、６３２・・・・を介して所要量のエッチング用
ガスを供給するガス源６４１、６４２・・・・が含まれ
ている。
【００１０】このエッチング装置によると、エッチング
対象基板Ｓ２が容器１０内の高周波電極２０上に設置さ
れ、該容器１０内が弁７１の開成と排気ポンプ７２の運
転にて所定エッチング真空度に維持され、ガス供給部６
からエッチング用ガスがノズル３０１及び電極板３０２
のガス供給孔を介して導入される。また、電極２０に高
周波電源２０２から高周波電圧が印加され、それによっ
て導入されたガスがプラズマ化され、このプラズマの下
に基板Ｓ２上の膜がエッチングされる。なお、電極２０
は、必要に応じ、水冷装置２００等で冷却されることも
ある。
対象基板Ｓ２が容器１０内の高周波電極２０上に設置さ
れ、該容器１０内が弁７１の開成と排気ポンプ７２の運
転にて所定エッチング真空度に維持され、ガス供給部６
からエッチング用ガスがノズル３０１及び電極板３０２
のガス供給孔を介して導入される。また、電極２０に高
周波電源２０２から高周波電圧が印加され、それによっ
て導入されたガスがプラズマ化され、このプラズマの下
に基板Ｓ２上の膜がエッチングされる。なお、電極２０
は、必要に応じ、水冷装置２００等で冷却されることも
ある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなプラズマ処理装置では、プラズマ中の気相反応によ
り発生する微粒子が基板表面に形成される膜に付着した
り、その中に混入したりして膜質を悪化させるという問
題があり、また、発生した微粒子が真空容器内各部に付
着してそれを汚染するという問題がある。真空容器内各
部に付着する微粒子については、これがやがて剥落し
て、処理対象基板に付着する恐れがあるので、除去清掃
しなければならず、手間を要する。
うなプラズマ処理装置では、プラズマ中の気相反応によ
り発生する微粒子が基板表面に形成される膜に付着した
り、その中に混入したりして膜質を悪化させるという問
題があり、また、発生した微粒子が真空容器内各部に付
着してそれを汚染するという問題がある。真空容器内各
部に付着する微粒子については、これがやがて剥落し
て、処理対象基板に付着する恐れがあるので、除去清掃
しなければならず、手間を要する。
【００１２】特に、気相反応により微粒子が形成され、
それが大きく成長する可能性の高い成膜、例えば、シラ
ン（ＳｉＨ4 ）と水素（Ｈ2 ）からアモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）膜を、シランとアンモニア（ＮＨ3 ）か
らアモルファスシリコンナイトライド（ａ−ＳｉＮ）膜
を、シランと一酸化二窒素（亜酸化窒素）（Ｎ2 Ｏ）か
らアモルファスシリコンオキサイド（ａ−ＳｉＯ2 ）膜
を形成するような成膜では、基板表面に形成される膜に
付着したり、その中に混入したりする微粒子のサイズが
形成される膜の膜厚に対し大きく、その結果、その膜が
絶縁膜である場合において成膜後洗浄処理すると、その
微粒子の部分がピンホールとなって絶縁不良が生じた
り、その膜が半導体膜であると、半導体特性が悪化する
といった問題がある。
それが大きく成長する可能性の高い成膜、例えば、シラ
ン（ＳｉＨ4 ）と水素（Ｈ2 ）からアモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）膜を、シランとアンモニア（ＮＨ3 ）か
らアモルファスシリコンナイトライド（ａ−ＳｉＮ）膜
を、シランと一酸化二窒素（亜酸化窒素）（Ｎ2 Ｏ）か
らアモルファスシリコンオキサイド（ａ−ＳｉＯ2 ）膜
を形成するような成膜では、基板表面に形成される膜に
付着したり、その中に混入したりする微粒子のサイズが
形成される膜の膜厚に対し大きく、その結果、その膜が
絶縁膜である場合において成膜後洗浄処理すると、その
微粒子の部分がピンホールとなって絶縁不良が生じた
り、その膜が半導体膜であると、半導体特性が悪化する
といった問題がある。
【００１３】また、プラズマエッチング装置において
も、同様に気相反応により微粒子が形成され、これが被
エッチング面に付着したり、真空容器内各部に付着する
等の問題がある。例えば、エッチングにより配線パター
ンを形成する場合において、かかる微粒子はパターンニ
ングの精度の悪化をもたらし、細線形成においては断線
を招くことがある。
も、同様に気相反応により微粒子が形成され、これが被
エッチング面に付着したり、真空容器内各部に付着する
等の問題がある。例えば、エッチングにより配線パター
ンを形成する場合において、かかる微粒子はパターンニ
ングの精度の悪化をもたらし、細線形成においては断線
を招くことがある。
【００１４】そこで本発明は、プラズマ中の気相反応で
発生する微粒子を効率良く排除でき、該微粒子が処理対
象基板や真空容器内各部に付着することを抑制すること
ができるプラズマ処理装置を提供することを課題とす
る。なお、ここで言う「付着」及び後ほど〔発明の効
果〕で述べる「付着」とは、真空容器内各部への付着の
ほか、成膜にあっては、基板表面への直接的付着、形成
される膜への付着、該膜中への混入等を指し、エッチン
グにあっては、基板表面への直接的付着、エッチングさ
れる膜への付着や混入等を指す。
発生する微粒子を効率良く排除でき、該微粒子が処理対
象基板や真空容器内各部に付着することを抑制すること
ができるプラズマ処理装置を提供することを課題とす
る。なお、ここで言う「付着」及び後ほど〔発明の効
果〕で述べる「付着」とは、真空容器内各部への付着の
ほか、成膜にあっては、基板表面への直接的付着、形成
される膜への付着、該膜中への混入等を指し、エッチン
グにあっては、基板表面への直接的付着、エッチングさ
れる膜への付着や混入等を指す。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明のプラズマ処理装置は、排気装置により所定処理真空
状態に維持可能な真空容器内に、プラズマ生成用電力印
加のための電極及びこれに対向する電極を設け、前記電
力印加用の電極に対し一定間隙を保って該電極の周縁部
及び背面部を囲むプラズマ回り込み防止用の接地電極を
設け、前記電力印加用電極及びこれに対向する電極間に
導入した処理用ガスを該電力印加用の電極に電力を印加
してプラズマ化させ、該プラズマのもとで処理対象基板
に目的とするプラズマ処理を行うプラズマ処理装置にお
いて、前記電力印加用電極はガス通過孔を有しない電極
又はガス通過孔として前記処理用ガスの供給孔のみを有
する電極とし、前記電力印加用電極とそれを囲む前記接
地電極との間隙から排気する手段を設けたことを特徴と
する。
明のプラズマ処理装置は、排気装置により所定処理真空
状態に維持可能な真空容器内に、プラズマ生成用電力印
加のための電極及びこれに対向する電極を設け、前記電
力印加用の電極に対し一定間隙を保って該電極の周縁部
及び背面部を囲むプラズマ回り込み防止用の接地電極を
設け、前記電力印加用電極及びこれに対向する電極間に
導入した処理用ガスを該電力印加用の電極に電力を印加
してプラズマ化させ、該プラズマのもとで処理対象基板
に目的とするプラズマ処理を行うプラズマ処理装置にお
いて、前記電力印加用電極はガス通過孔を有しない電極
又はガス通過孔として前記処理用ガスの供給孔のみを有
する電極とし、前記電力印加用電極とそれを囲む前記接
地電極との間隙から排気する手段を設けたことを特徴と
する。
【００１６】前記電力印加用電極とそれを囲む前記接地
電極との間隙から排気する手段は、真空容器内を所定の
処理真空度にするための前記排気装置を利用したもので
も構わないし、これとは別に準備されてもよい。また、
この排気手段は、前記電力印加用電極に隣合うプラズマ
発生領域部分のできるだけ全体から微粒子を排除するた
めに、前記間隙のできるだけ全体から均等に排気できる
ことが望ましく、そのために、前記電力印加用電極の背
面側において前記間隙に接続されていることが望まし
く、特に該電極背面の中央部に対応する位置で該間隙に
接続されることが望ましい。
電極との間隙から排気する手段は、真空容器内を所定の
処理真空度にするための前記排気装置を利用したもので
も構わないし、これとは別に準備されてもよい。また、
この排気手段は、前記電力印加用電極に隣合うプラズマ
発生領域部分のできるだけ全体から微粒子を排除するた
めに、前記間隙のできるだけ全体から均等に排気できる
ことが望ましく、そのために、前記電力印加用電極の背
面側において前記間隙に接続されていることが望まし
く、特に該電極背面の中央部に対応する位置で該間隙に
接続されることが望ましい。
【００１７】
【作用】本発明のプラズマ処理装置によると、プラズマ
処理中、電力印加用電極の近傍に発生し、該電極周縁部
に密集する微粒子は、該電力印加用電極とそれを囲む接
地電極との間隙が排気手段により排気されることによ
り、該間隙へ吸引され、プラズマ領域外へ排出される。
従って、処理対象基板や真空容器内各部への微粒子の付
着がそれだけ抑制される。
処理中、電力印加用電極の近傍に発生し、該電極周縁部
に密集する微粒子は、該電力印加用電極とそれを囲む接
地電極との間隙が排気手段により排気されることによ
り、該間隙へ吸引され、プラズマ領域外へ排出される。
従って、処理対象基板や真空容器内各部への微粒子の付
着がそれだけ抑制される。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の実施例であるプラズマＣＶＤ装置
を示している。図２は本発明の実施例であるプラズマエ
ッチング装置を示している。図１のプラズマＣＶＤ装置
は、図３に示す従来装置において、高周波電極３とそれ
を囲むプラズマ回り込み防止用接地電極４０との間隙Ａ
に対し、電極３の背面中央部に対応する位置で排気装置
８を接続したものである。排気装置８は排気調整用弁８
１及び排気ポンプ８２を含むものである。排気装置８を
採用した点を除けば図３の装置と同様の構成であり、全
体の成膜動作も同様である。図３の装置における部品と
同じ部品については同じ参照符号を付してある。
する。図１は本発明の実施例であるプラズマＣＶＤ装置
を示している。図２は本発明の実施例であるプラズマエ
ッチング装置を示している。図１のプラズマＣＶＤ装置
は、図３に示す従来装置において、高周波電極３とそれ
を囲むプラズマ回り込み防止用接地電極４０との間隙Ａ
に対し、電極３の背面中央部に対応する位置で排気装置
８を接続したものである。排気装置８は排気調整用弁８
１及び排気ポンプ８２を含むものである。排気装置８を
採用した点を除けば図３の装置と同様の構成であり、全
体の成膜動作も同様である。図３の装置における部品と
同じ部品については同じ参照符号を付してある。
【００１９】このプラズマＣＶＤ装置によると、成膜対
象基板Ｓ１が電極２に設置され、あとは、図３の装置に
ついて説明したと同様の手順で該基板表面に目的とする
成膜がなされる。但しこの装置では、成膜中、高周波電
極３とそれを囲む接地電極４０との間隙Ａが排気装置８
により排気される。従って、成膜中、プラズマ中の気相
反応で発生した微粒子、特に高周波電極３近傍で発生
し、該電極周縁部に密集した微粒子は該間隙Ａへ効率よ
く吸引され、プラズマ領域外へ排出される。
象基板Ｓ１が電極２に設置され、あとは、図３の装置に
ついて説明したと同様の手順で該基板表面に目的とする
成膜がなされる。但しこの装置では、成膜中、高周波電
極３とそれを囲む接地電極４０との間隙Ａが排気装置８
により排気される。従って、成膜中、プラズマ中の気相
反応で発生した微粒子、特に高周波電極３近傍で発生
し、該電極周縁部に密集した微粒子は該間隙Ａへ効率よ
く吸引され、プラズマ領域外へ排出される。
【００２０】そのため、処理対象基板Ｓ１や真空容器１
内各部への微粒子の付着がそれだけ抑制され、形成され
る膜の欠陥が大幅に低減するうえ、真空容器内各部の微
粒子除去清掃等のメインテナンス回数を従来より減らす
ことができるようになり、高スループット化が達成され
る。以上説明した図１の装置により、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を
形成した例を説明する。
内各部への微粒子の付着がそれだけ抑制され、形成され
る膜の欠陥が大幅に低減するうえ、真空容器内各部の微
粒子除去清掃等のメインテナンス回数を従来より減らす
ことができるようになり、高スループット化が達成され
る。以上説明した図１の装置により、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を
形成した例を説明する。
【００２１】成膜条件 基板 ： ５インチシリコンウェハ ガス ： ＳｉＨ4 １００ｓｃｃｍ Ｈ2 ４００ｓｃｃｍ 成膜温度 ： ２３０℃ 成膜ガス圧： ０．４Ｔｏｒｒ 印加電力 ： ２００Ｗ 電極サイズ： ３６０ｍｍ×３６０ｍｍ□ 電極間隔 ： ４５ｍｍ（電極３−基板Ｓ１表面間距
離） この成膜では、形成されたａ−Ｓｉ：Ｈ膜における付着
微粒子数は、０．３μｍ以上の大きさのもので、５個以
下であった。
離） この成膜では、形成されたａ−Ｓｉ：Ｈ膜における付着
微粒子数は、０．３μｍ以上の大きさのもので、５個以
下であった。
【００２２】なお、図３の従来装置によると、間隙Ａか
ら排気しない点を除いて他は同じ成膜条件として、付着
微粒子数は約５０個であった。次に図２のプラズマエッ
チング装置は、図４に示す従来装置において、高周波電
極２０とそれを囲むプラズマ回り込み防止用接地電極６
０との間隙Ｂに対し、電極２０の背面中央部に対応する
位置で排気装置９を接続したものである。排気装置９は
排気調整用弁９１及び排気ポンプ９２を含むものであ
る。排気装置９を採用した点を除けば図４の装置と同様
の構成であり、全体のエッチング動作も同様である。図
４の装置における部品と同じ部品については同じ参照符
号を付してある。
ら排気しない点を除いて他は同じ成膜条件として、付着
微粒子数は約５０個であった。次に図２のプラズマエッ
チング装置は、図４に示す従来装置において、高周波電
極２０とそれを囲むプラズマ回り込み防止用接地電極６
０との間隙Ｂに対し、電極２０の背面中央部に対応する
位置で排気装置９を接続したものである。排気装置９は
排気調整用弁９１及び排気ポンプ９２を含むものであ
る。排気装置９を採用した点を除けば図４の装置と同様
の構成であり、全体のエッチング動作も同様である。図
４の装置における部品と同じ部品については同じ参照符
号を付してある。
【００２３】このプラズマエッチング装置によると、エ
ッチング対象基板Ｓ２が電極２０に設置され、あとは、
図４の装置について説明したと同様の手順でエッチング
がなされる。但しこの装置では、エッチング中、高周波
電極２０とそれを囲む接地電極６０との間隙Ｂが排気装
置９により排気される。従って、エッチング中、プラズ
マ中の気相反応で発生した微粒子、特に高周波電極２０
及び基板Ｓ２近傍で発生し、電極周縁部に密集する微粒
子は該間隙Ｂへ効率よく吸引され、プラズマ領域外へ排
出される。
ッチング対象基板Ｓ２が電極２０に設置され、あとは、
図４の装置について説明したと同様の手順でエッチング
がなされる。但しこの装置では、エッチング中、高周波
電極２０とそれを囲む接地電極６０との間隙Ｂが排気装
置９により排気される。従って、エッチング中、プラズ
マ中の気相反応で発生した微粒子、特に高周波電極２０
及び基板Ｓ２近傍で発生し、電極周縁部に密集する微粒
子は該間隙Ｂへ効率よく吸引され、プラズマ領域外へ排
出される。
【００２４】そのため、処理対象基板Ｓ２や真空容器１
内各部への微粒子の付着がそれだけ抑制され、エッチン
グ不良が大幅に低減するうえ、真空容器内各部の微粒子
除去清掃等のメインテナンス回数を従来より減らすこと
ができるようになり、高スループット化が達成される。
内各部への微粒子の付着がそれだけ抑制され、エッチン
グ不良が大幅に低減するうえ、真空容器内各部の微粒子
除去清掃等のメインテナンス回数を従来より減らすこと
ができるようになり、高スループット化が達成される。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、プ
ラズマ中の気相反応で発生する微粒子を効率良く排除で
き、該微粒子が処理対象基板や真空容器内各部に付着す
ることを抑制することができるプラズマ処理装置を提供
することができる。
ラズマ中の気相反応で発生する微粒子を効率良く排除で
き、該微粒子が処理対象基板や真空容器内各部に付着す
ることを抑制することができるプラズマ処理装置を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１実施例であるプラズマＣＶＤ装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】本発明の他の実施例であるプラズマエッチング
装置の概略構成図である。
装置の概略構成図である。
【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置例の概略構成図であ
る。
る。
【図４】従来のプラズマエッチング装置例の概略構成図
である。
である。
１、１０ 真空容器 ２、３０ 接地電極 ２０、３ 高周波電極 ２０１、３１ マッチングボックス ２０２、３２ 高周波電源 ２１ ヒータ ５１、７１ 開閉弁 ５２、７２ 排気ポンプ ４、６ ガス供給部 ８、９ 排気装置 ８１、９１ 排気量調整弁 ８２、９２ 排気ポンプ Ａ 電極３と電極４０の間隙 Ｂ 電極２０と電極６０の間隙 Ｓ１ 成膜対象基板 Ｓ２ エッチング対象基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−93924（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−43880（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−137621（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−107481（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−100432（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−132937（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/50 H01L 21/3065
Claims (1)
- 【請求項１】 排気装置により所定処理真空状態に維持
可能な真空容器内に、プラズマ生成用電力印加のための
電極及びこれに対向する電極を設け、前記電力印加用の
電極に対し一定間隙を保って該電極の周縁部及び背面部
を囲むプラズマ回り込み防止用の接地電極を設け、前記
電力印加用電極及びこれに対向する電極間に導入した処
理用ガスを該電力印加用の電極に電力を印加してプラズ
マ化させ、該プラズマのもとで処理対象基板に目的とす
るプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記
電力印加用電極はガス通過孔を有しない電極又はガス通
過孔として前記処理用ガスの供給孔のみを有する電極と
し、前記電力印加用電極とそれを囲む前記接地電極との
間隙から排気する手段を設けたことを特徴とするプラズ
マ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07565693A JP3261795B2 (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07565693A JP3261795B2 (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291055A JPH06291055A (ja) | 1994-10-18 |
| JP3261795B2 true JP3261795B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=13582504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07565693A Expired - Fee Related JP3261795B2 (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3261795B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5272956B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2013-08-28 | 富士電機株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
1993
- 1993-04-01 JP JP07565693A patent/JP3261795B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06291055A (ja) | 1994-10-18 |
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