JP3261482B2 - アルミニウム電解コンデンサの電極およびその製造方法 - Google Patents
アルミニウム電解コンデンサの電極およびその製造方法Info
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- JP3261482B2 JP3261482B2 JP15117190A JP15117190A JP3261482B2 JP 3261482 B2 JP3261482 B2 JP 3261482B2 JP 15117190 A JP15117190 A JP 15117190A JP 15117190 A JP15117190 A JP 15117190A JP 3261482 B2 JP3261482 B2 JP 3261482B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、アルミニウム電解コンデンサの電極および
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
従来技術とその問題点 アルミニウム電解コンデンサの電極は、化学的或いは
電気化学的エッチングによりアルミニウム箔表面に複雑
なエッチピット構造を効率良く形成させた後、陽極酸化
（化成）によりその表面にAl2O3からなる誘電酸化皮膜
を形成させることにより、製造されている。
電気化学的エッチングによりアルミニウム箔表面に複雑
なエッチピット構造を効率良く形成させた後、陽極酸化
（化成）によりその表面にAl2O3からなる誘電酸化皮膜
を形成させることにより、製造されている。
しかしながら、Al2O3は、耐電圧が約15Å/Vと優秀な
絶縁体ではあるものの、比誘電率が約８〜10と比較的低
いために、Al2O3からなる皮膜の形成では、静電容量の
増大には、限界がある。従って、エッチドアルミニウム
箔の表面に、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、BaTiO3などの高誘電
性膜を形成する技術が種々提案されている。
絶縁体ではあるものの、比誘電率が約８〜10と比較的低
いために、Al2O3からなる皮膜の形成では、静電容量の
増大には、限界がある。従って、エッチドアルミニウム
箔の表面に、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、BaTiO3などの高誘電
性膜を形成する技術が種々提案されている。
例えば、特開昭63−306614号公報には、アルミニウム
箔の表面にTiをイオンプレーティングした後、陽極酸化
して、Al−Ti混在酸化物の誘電酸化皮膜を形成する方法
が開示されている。また、特開昭63−304613号公報に
は、アルミニウム箔の表面にBaTiO3を溶射した後、陽極
酸化して、複合誘電酸化皮膜を形成する方法が開示され
ている。しかしながら、これらの方法では、複雑なエッ
チピット構造のアルミニウム箔のピット内部に至るまで
高誘電酸化皮膜を均一に形成することは、出来ない。
箔の表面にTiをイオンプレーティングした後、陽極酸化
して、Al−Ti混在酸化物の誘電酸化皮膜を形成する方法
が開示されている。また、特開昭63−304613号公報に
は、アルミニウム箔の表面にBaTiO3を溶射した後、陽極
酸化して、複合誘電酸化皮膜を形成する方法が開示され
ている。しかしながら、これらの方法では、複雑なエッ
チピット構造のアルミニウム箔のピット内部に至るまで
高誘電酸化皮膜を均一に形成することは、出来ない。
特開昭60−60709号公報には、陽極酸化したアルミニ
ウム箔にチタンエトキシドの様な金属アルコキシドの有
機溶剤溶液を浸漬塗布し、加熱処理して、複合誘電酸化
皮膜を形成する方法が開示されている。また、特開昭55
−69291号公報には、アルミニウム箔にチタンブトキシ
ドの様な金属アルコキシドの有機溶剤溶液を浸漬塗布
し、これを水中で煮沸することにより、金属アルコキシ
ドを加水分解させ、加熱後、陽極酸化して、TiO2層を形
成させる方法が開示されている。さらに、特開平２−65
219号公報には、エッチングしたアルミニウム箔にジメ
チルアンモニウムチタネート水溶液を浸漬塗布し、加熱
後、陽極酸化して、TiO2層を形成させる方法が開示され
ている。しかしながら、これらの方法では、いずれもア
ルミニウム箔上に高密度で欠陥の少ないTiO2層を形成さ
せることが難しいので、耐電圧性の全てもしくは殆どを
Al2O3層に依存することになり、結局静電容量の増大は
あまり期待できない。
ウム箔にチタンエトキシドの様な金属アルコキシドの有
機溶剤溶液を浸漬塗布し、加熱処理して、複合誘電酸化
皮膜を形成する方法が開示されている。また、特開昭55
−69291号公報には、アルミニウム箔にチタンブトキシ
ドの様な金属アルコキシドの有機溶剤溶液を浸漬塗布
し、これを水中で煮沸することにより、金属アルコキシ
ドを加水分解させ、加熱後、陽極酸化して、TiO2層を形
成させる方法が開示されている。さらに、特開平２−65
219号公報には、エッチングしたアルミニウム箔にジメ
チルアンモニウムチタネート水溶液を浸漬塗布し、加熱
後、陽極酸化して、TiO2層を形成させる方法が開示され
ている。しかしながら、これらの方法では、いずれもア
ルミニウム箔上に高密度で欠陥の少ないTiO2層を形成さ
せることが難しいので、耐電圧性の全てもしくは殆どを
Al2O3層に依存することになり、結局静電容量の増大は
あまり期待できない。
問題点を解決するための手段 本発明者は、上記の如き技術の現状に鑑みて種々研究
を重ねた結果、エッチングしたアルミニウム箔に特定金
属のアルコキシドの有機溶剤溶液を浸漬塗布し、アルコ
キシドを加水分解し、次いで陽極酸化処理を行なうに際
し、加熱を一段階で行なうのではなく、特定条件下に二
段階で行なう場合には、高密度で欠陥の少ない複層の金
属酸化物層が形成されることを見出した。
を重ねた結果、エッチングしたアルミニウム箔に特定金
属のアルコキシドの有機溶剤溶液を浸漬塗布し、アルコ
キシドを加水分解し、次いで陽極酸化処理を行なうに際
し、加熱を一段階で行なうのではなく、特定条件下に二
段階で行なう場合には、高密度で欠陥の少ない複層の金
属酸化物層が形成されることを見出した。
すなわち、本発明は、下記のアルミニウム電解コンデ
ンサの電極およびその製造方法を提供するものである： エッチングしたアルミニウム箔の表面にTiO2およびTa
2O5から選ばれた少なくとも一種の酸化物からなる耐電
圧性に優れた高誘電酸化皮膜が陽極酸化皮膜（Al2O
3層）を介して設けられており、該陽極酸化皮膜の厚さ
が高誘電酸化皮膜と陽極酸化皮膜との合計厚さの10〜90
％の範囲にあることを特徴とするアルミニウム電解コン
デンサの電極。
ンサの電極およびその製造方法を提供するものである： エッチングしたアルミニウム箔の表面にTiO2およびTa
2O5から選ばれた少なくとも一種の酸化物からなる耐電
圧性に優れた高誘電酸化皮膜が陽極酸化皮膜（Al2O
3層）を介して設けられており、該陽極酸化皮膜の厚さ
が高誘電酸化皮膜と陽極酸化皮膜との合計厚さの10〜90
％の範囲にあることを特徴とするアルミニウム電解コン
デンサの電極。
エッチングしたアルミニウム箔をTiおよびTaの少なく
とも一種を含むアルコキシドの有機溶剤溶液により濡ら
し、200〜400℃で乾燥し、500〜650℃で焼成した後、陽
極酸化することを特徴とするアルミニウム電解コンデン
サの電極の製造方法。
とも一種を含むアルコキシドの有機溶剤溶液により濡ら
し、200〜400℃で乾燥し、500〜650℃で焼成した後、陽
極酸化することを特徴とするアルミニウム電解コンデン
サの電極の製造方法。
本発明で使用するアルミニウム箔は、純度99.9〜99.9
9％の範囲内にあることが好ましい。
9％の範囲内にあることが好ましい。
本発明方法は、通常以下の様にして実施される。ま
ず、アルミニウム箔を電解エッチングする。エッチング
は、常法に従って、HCl系、NaCl系などのエッチング液
を使用して行なえば良く、エッチング条件などは、特に
限定されない。
ず、アルミニウム箔を電解エッチングする。エッチング
は、常法に従って、HCl系、NaCl系などのエッチング液
を使用して行なえば良く、エッチング条件などは、特に
限定されない。
次いで、エッチングを終えたアルミニウム箔の表面に
は、金属アルコキシドの有機溶剤溶液が塗布乃至付与さ
れる。金属アルコキシドとしては、 Ti（ｉ−OC3H7）４、 Ti（ｎ−OC4H9）４、 Ta（ｉ−OC3H7）５、 Ta（OC2H5）５などが例示される。また、有機溶剤とし
ては、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール
などのアルコール類；ベンゼン、トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素類；ナフサなどが例示される。有機
溶剤溶液中の金属アルコキシドの濃度は、通常0.02〜1M
程度であり、より好ましくは、0.1〜0.5M程度である。
また、有機溶剤溶液には、加水分解のために、金属アル
コキシドに対し、水２倍当量程度を加えておく。また、
アセチルアセトン、トリエタノールアミン、ジエタノー
ルアミンなどの加水分解を遅らせる有機物を添加しても
良い。エッチングされたアルミニウム箔表面に対する金
属アルコキシドの有機溶剤溶液の付与は、浸漬法、スピ
ンコート法、スプレイコート法などの任意の方法で行な
うことができる。有機溶剤溶液の付与に際しては、加水
分解を防止するために、雰囲気湿度を40％以下に保持
し、且つ温度を25℃以下に維持することが望ましい。
は、金属アルコキシドの有機溶剤溶液が塗布乃至付与さ
れる。金属アルコキシドとしては、 Ti（ｉ−OC3H7）４、 Ti（ｎ−OC4H9）４、 Ta（ｉ−OC3H7）５、 Ta（OC2H5）５などが例示される。また、有機溶剤とし
ては、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール
などのアルコール類；ベンゼン、トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素類；ナフサなどが例示される。有機
溶剤溶液中の金属アルコキシドの濃度は、通常0.02〜1M
程度であり、より好ましくは、0.1〜0.5M程度である。
また、有機溶剤溶液には、加水分解のために、金属アル
コキシドに対し、水２倍当量程度を加えておく。また、
アセチルアセトン、トリエタノールアミン、ジエタノー
ルアミンなどの加水分解を遅らせる有機物を添加しても
良い。エッチングされたアルミニウム箔表面に対する金
属アルコキシドの有機溶剤溶液の付与は、浸漬法、スピ
ンコート法、スプレイコート法などの任意の方法で行な
うことができる。有機溶剤溶液の付与に際しては、加水
分解を防止するために、雰囲気湿度を40％以下に保持
し、且つ温度を25℃以下に維持することが望ましい。
次いで、表面に金属アルコキシドの有機溶剤溶液を付
与されたアルミニウム箔は、そのまま或いは室温乾燥後
に通常200〜400℃で１〜120分間程度乾燥処理される。
この乾燥段階で、有機溶剤が完全に分解除去され、且つ
金属アルコキシドが部分的に加水分解されて、その有機
物成分の脱離が促進される。乾燥温度が200℃未満の場
合には、有機物の除去が十分に行なわれないので、次の
焼成時に酸化物層に欠陥を発生させる原因となる。一
方、乾燥温度が400℃を上回る場合には、金属アルコキ
シド塗布層の急速な収縮により、欠陥を生ずる場合があ
り、また、熱エネルギーの損失が大きくなるので、不利
である。TiO2および／またはTa2O5層の厚さを必要に応
じて増大させるためには、アルミニウム箔に対する金属
アルコキシド有機溶剤溶液の付与および乾燥を必要回数
だけ繰返して行えば良い。
与されたアルミニウム箔は、そのまま或いは室温乾燥後
に通常200〜400℃で１〜120分間程度乾燥処理される。
この乾燥段階で、有機溶剤が完全に分解除去され、且つ
金属アルコキシドが部分的に加水分解されて、その有機
物成分の脱離が促進される。乾燥温度が200℃未満の場
合には、有機物の除去が十分に行なわれないので、次の
焼成時に酸化物層に欠陥を発生させる原因となる。一
方、乾燥温度が400℃を上回る場合には、金属アルコキ
シド塗布層の急速な収縮により、欠陥を生ずる場合があ
り、また、熱エネルギーの損失が大きくなるので、不利
である。TiO2および／またはTa2O5層の厚さを必要に応
じて増大させるためには、アルミニウム箔に対する金属
アルコキシド有機溶剤溶液の付与および乾燥を必要回数
だけ繰返して行えば良い。
次いで、上記の様にして乾燥されたアルミニウム箔を
500〜650℃程度で10〜120分間程度焼成することによ
り、Al2O3と同程度の優れた耐電圧性（約25Å/V乃至約1
2Å/V程度）を有する高誘電酸化皮膜を形成することが
できる。焼成により形成されるアルミニウム箔上に形成
される皮膜は、高密度であり、ピットの内部にいたるま
で均一にコートする欠陥の非常に少ない高誘電酸化皮膜
である。チタンアルコキシドを使用する場合に形成され
る高誘電酸化皮膜は、アナターゼ型TiO2からなってい
る。焼成温度が500℃未満の場合には、結晶化が十分で
なく、低密度の酸化皮膜が形成され、耐電圧性を有する
高誘電酸化皮膜は得られない。また、前記の乾燥を200
℃未満で行ない、次いで焼成を500〜650℃の範囲で行な
う場合には、TiO2および／またはTa2O5層が大きな熱収
縮応力を受けるので、欠陥の多い酸化皮膜が形成され、
やはり耐電圧性を有する高誘電酸化皮膜は得られない。
さらに、焼成温度が650℃を上回る場合には、変形が起
こり始めるので、好ましくない。
500〜650℃程度で10〜120分間程度焼成することによ
り、Al2O3と同程度の優れた耐電圧性（約25Å/V乃至約1
2Å/V程度）を有する高誘電酸化皮膜を形成することが
できる。焼成により形成されるアルミニウム箔上に形成
される皮膜は、高密度であり、ピットの内部にいたるま
で均一にコートする欠陥の非常に少ない高誘電酸化皮膜
である。チタンアルコキシドを使用する場合に形成され
る高誘電酸化皮膜は、アナターゼ型TiO2からなってい
る。焼成温度が500℃未満の場合には、結晶化が十分で
なく、低密度の酸化皮膜が形成され、耐電圧性を有する
高誘電酸化皮膜は得られない。また、前記の乾燥を200
℃未満で行ない、次いで焼成を500〜650℃の範囲で行な
う場合には、TiO2および／またはTa2O5層が大きな熱収
縮応力を受けるので、欠陥の多い酸化皮膜が形成され、
やはり耐電圧性を有する高誘電酸化皮膜は得られない。
さらに、焼成温度が650℃を上回る場合には、変形が起
こり始めるので、好ましくない。
次いで、上記の様にしてTiO2および／またはTa2O5皮
膜を形成されたアルミニウム箔は、陽極酸化（化成）処
理される。陽極酸化時の電解液の組成、電解条件など
は、常法におけるものと同様で良い。この化成処理によ
り、アルミニウムとTiO2および／またはTa2O5皮膜との
間には、陽極酸化皮膜（Al2O3層）が形成される。化成
に際しては、電解液は、アルミニウム箔には直接接触し
ていないものと考えられるが、TiO2および／またはTa2O
5皮膜内を拡散する酸素がAl2O3層の形成に寄与して、化
成が可能となるものと推測される。本発明の電解コンデ
ンサの電極におけるAl2O3層は、使用電圧に応じて、高
誘電酸化皮膜の電圧不足分を補う機能を発揮し、また、
高誘電酸化皮膜内の欠陥をさらに減少させる。すなわ
ち、化成による体積膨脹により、内壁の皮膜はピットの
中心方向へと押し込められ、残存する亀裂などの欠陥が
修復される。
膜を形成されたアルミニウム箔は、陽極酸化（化成）処
理される。陽極酸化時の電解液の組成、電解条件など
は、常法におけるものと同様で良い。この化成処理によ
り、アルミニウムとTiO2および／またはTa2O5皮膜との
間には、陽極酸化皮膜（Al2O3層）が形成される。化成
に際しては、電解液は、アルミニウム箔には直接接触し
ていないものと考えられるが、TiO2および／またはTa2O
5皮膜内を拡散する酸素がAl2O3層の形成に寄与して、化
成が可能となるものと推測される。本発明の電解コンデ
ンサの電極におけるAl2O3層は、使用電圧に応じて、高
誘電酸化皮膜の電圧不足分を補う機能を発揮し、また、
高誘電酸化皮膜内の欠陥をさらに減少させる。すなわ
ち、化成による体積膨脹により、内壁の皮膜はピットの
中心方向へと押し込められ、残存する亀裂などの欠陥が
修復される。
本発明の電解コンデンサの電極におけるAl2O3層の厚
さは、TiO2および／またはTa2O5層とAl2O3層との合計厚
さの10〜90％程度、より好ましくは10〜70％程度、特に
好ましくは10〜50％程度とする。
さは、TiO2および／またはTa2O5層とAl2O3層との合計厚
さの10〜90％程度、より好ましくは10〜70％程度、特に
好ましくは10〜50％程度とする。
静電容量は、高誘電酸化皮膜と陽極酸化皮膜との合成
容量と見なすことができるので、電極の表面積をＳ、高
誘電酸化皮膜の厚さおよび比誘電率をそれぞれdHおよび
εＨとし、陽極酸化皮膜の厚さおよび比誘電率をそれぞ
れdLおよびεＬとすると、静電容量Ｃは、下式により表
わされる。
容量と見なすことができるので、電極の表面積をＳ、高
誘電酸化皮膜の厚さおよび比誘電率をそれぞれdHおよび
εＨとし、陽極酸化皮膜の厚さおよび比誘電率をそれぞ
れdLおよびεＬとすると、静電容量Ｃは、下式により表
わされる。
Ｃ＝S/（dH/εＨ＋dL/εＬ） ここで、Ｓ、dH＋dL、εＨおよびεＬ（εＨ＞εＬ）
を一定とすると、静電容量Ｃは、dHおよびdL、特にdLを
小さくする程、即ち、dL/（dH＋dL）値を小さくする
程、増大することが明らかである。また、上記の式か
ら、本発明によれば、低圧から高圧にいたる使用電圧に
応じて適切なdL/（dH＋dL）値を選択することにより、
静電容量を任意に増大することができることが明らかで
ある。高誘電酸化皮膜と陽極酸化皮膜との合計厚さ（dH
＋dL）に占める陽極酸化皮膜（dL）の割合が、10％未満
の場合には、使用電圧を制御し得る範囲が狭くなり、ま
た高誘電酸化皮膜を修復する効果が失われる。一方、こ
の割合が、90％を上回る場合には、比誘電率の低いAl2O
3層が酸化皮膜の殆どを占めることになり、従来のアル
ミニウム電解コンデンサと大差のないものとなる。
を一定とすると、静電容量Ｃは、dHおよびdL、特にdLを
小さくする程、即ち、dL/（dH＋dL）値を小さくする
程、増大することが明らかである。また、上記の式か
ら、本発明によれば、低圧から高圧にいたる使用電圧に
応じて適切なdL/（dH＋dL）値を選択することにより、
静電容量を任意に増大することができることが明らかで
ある。高誘電酸化皮膜と陽極酸化皮膜との合計厚さ（dH
＋dL）に占める陽極酸化皮膜（dL）の割合が、10％未満
の場合には、使用電圧を制御し得る範囲が狭くなり、ま
た高誘電酸化皮膜を修復する効果が失われる。一方、こ
の割合が、90％を上回る場合には、比誘電率の低いAl2O
3層が酸化皮膜の殆どを占めることになり、従来のアル
ミニウム電解コンデンサと大差のないものとなる。
発明の効果 本発明によれば、下記の様な顕著な効果が達成され
る。
る。
（１）金属アルコキシド法により形成された薄膜を特定
条件下に２段階で加熱処理するので、複雑なエッチピッ
ト構造を有するアルミニウム箔表面に高密度で、欠陥の
少ない高誘電率酸化皮膜を均一に形成することが出来
る。
条件下に２段階で加熱処理するので、複雑なエッチピッ
ト構造を有するアルミニウム箔表面に高密度で、欠陥の
少ない高誘電率酸化皮膜を均一に形成することが出来
る。
（２）金属アルコキシド法により形成された薄膜を乾燥
後、500〜650℃という高温で焼成するので、アルミナと
同程度の優れた耐電圧性を有する高誘電酸化皮膜が得ら
れる。
後、500〜650℃という高温で焼成するので、アルミナと
同程度の優れた耐電圧性を有する高誘電酸化皮膜が得ら
れる。
（３）焼成後に行なう陽極酸化処理により、高誘電酸化
皮膜の欠陥が修復される。
皮膜の欠陥が修復される。
（４）陽極酸化皮膜の厚さを小さくすることができるの
で、静電容量を顕著に増大させることができる。
で、静電容量を顕著に増大させることができる。
（５）陽極酸化皮膜の厚さを調整することにより、各種
の用途に応じて広範囲の使用電圧に対応することができ
る。
の用途に応じて広範囲の使用電圧に対応することができ
る。
実 施 例 以下に実施例および比較例を示し、本発明の特徴とす
るところをより一層明確にする。
るところをより一層明確にする。
実施例１ 厚さ100μｍの99.99％Al箔を塩酸水溶液中で電解エッ
チングして粗面化した後、下記の組成（モル比）の溶液
に３秒間浸漬した。その際の湿度は、40％以下とした。
チングして粗面化した後、下記の組成（モル比）の溶液
に３秒間浸漬した。その際の湿度は、40％以下とした。
Ti（ｎ−OC4H9）４ 0.15 CH3COCH2COCH3 0.45 C2H5OH 18 H2O 0.3 浸漬処理後のAl箔を自然乾燥させた後、空気中300℃
で１時間乾燥して、溶媒を完全に除去した。
で１時間乾燥して、溶媒を完全に除去した。
上記の溶液浸漬および乾燥をさらに３回繰返して、Al
箔上に厚さ0.15μｍのTiO2層を形成した後、所定の温度
で１時間焼成した。
箔上に厚さ0.15μｍのTiO2層を形成した後、所定の温度
で１時間焼成した。
次いで、５％硼酸水溶液中で150Vの陽極酸化を行な
い、Al箔とTiO2層との間にAl2O3層を形成させた。
い、Al箔とTiO2層との間にAl2O3層を形成させた。
第１表に焼成温度と焼成製品の特性との関係を示す。
注１）dHおよびdLは、それぞれ試料断面の透過電子顕微
鏡写真から測定した誘電酸化皮膜および陽極酸化皮膜の
厚さ（μｍ）を示す。
鏡写真から測定した誘電酸化皮膜および陽極酸化皮膜の
厚さ（μｍ）を示す。
注２）TiO2層の耐電圧は、陽極酸化皮膜の耐電圧を13Å
/Vとして、dHおよびdLから算出した。
/Vとして、dHおよびdLから算出した。
また、陽極酸化後のAl箔の断面を透過電子顕微鏡によ
り観察したところ、500〜650℃で焼成したものは、いず
れも十分な厚さの欠陥の少ないTiO2層の耐電圧層を有
し、このTiO2層とAlとの間に比較的薄いAl2O3層が形成
されていた。これに対し、300〜400℃で焼成したもので
は、TiO2層とAlとの間に、TiO2層を形成しない場合と同
程度の厚いAl2O3層が形成されていることが判明した。
り観察したところ、500〜650℃で焼成したものは、いず
れも十分な厚さの欠陥の少ないTiO2層の耐電圧層を有
し、このTiO2層とAlとの間に比較的薄いAl2O3層が形成
されていた。これに対し、300〜400℃で焼成したもので
は、TiO2層とAlとの間に、TiO2層を形成しない場合と同
程度の厚いAl2O3層が形成されていることが判明した。
さらに、Ｘ線回折の結果、500〜650℃で焼成した場合
には、アナターゼ型TiO2が形成され、300〜400℃で焼成
した場合には、無定型のTiO2が形成されていることが確
認された。
には、アナターゼ型TiO2が形成され、300〜400℃で焼成
した場合には、無定型のTiO2が形成されていることが確
認された。
実施例２ TiO2層形成後のAl箔の化成を300Vで行なう以外は実施
例１と同様にして、Al箔の処理を行なった。
例１と同様にして、Al箔の処理を行なった。
結果を第２表に示す。
実施例３ 下記組成（モル比）の浸漬液を使用してAl箔上に厚さ
0.25μｍのTiO2層を形成させるとともに、化成を300Vで
行なう以外は実施例１と同様にして、Al箔の処理を行な
った。
0.25μｍのTiO2層を形成させるとともに、化成を300Vで
行なう以外は実施例１と同様にして、Al箔の処理を行な
った。
Ti（ｎ−OC4H9）４ 0.15 CH3COCH2COCH3 0.45 C2H5OH 9 H2O 0.3 結果を第３表に示す。
実施例４ 浸漬液の成分としてTi（ｎ−OC4H9）４に代えてTa（O
C2H5）５を使用する以外は実施例１と同様にして、Al箔
の処理を行なった。
C2H5）５を使用する以外は実施例１と同様にして、Al箔
の処理を行なった。
結果を第４表に示す。
フロントページの続き (72)発明者 清水 遵 大阪府大阪市中央区久太郎町３丁目６番 ８号 東洋アルミニウム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−60709（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−69291（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−145335（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−65219（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/055 H01G 9/04 301 H01G 9/07
Claims (2)
- 【請求項１】エッチングしたアルミニウム箔の表面にTi
O2およびTa2O5から選ばれた少なくとも一種の酸化物か
らなる耐電圧性に優れた高誘電酸化皮膜が陽極酸化皮膜
（Al2O3層）を介して設けられており、該高誘電酸化皮
膜の耐電圧が25Å/V乃至12Å/Vであって、該陽極酸化皮
膜の厚さが高誘電酸化皮膜と陽極酸化皮膜との合計厚さ
の10〜90％の範囲にあることを特徴とするアルミニウム
電解コンデンサの電極。 - 【請求項２】エッチングしたアルミニウム箔をTiおよび
Taの少なくとも一種を含むアルコキシドの有機溶剤溶液
により濡らし、200〜400℃で乾燥し、次いで500〜650℃
で焼成した後、陽極酸化することを特徴とするアルミニ
ウム電解コンデンサの電極の製造方法。
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| JP15117190A JP3261482B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | アルミニウム電解コンデンサの電極およびその製造方法 |
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