JP3260644B2 - カンチレバーおよびその製造方法 - Google Patents
カンチレバーおよびその製造方法Info
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Description
その製造方法に係り、特に、走査型原子間力顕微鏡(A
FM : Atomic Force Microscope)に代表される走査型
プローブ顕微鏡に好適なカンチレバーおよびその製造方
法に関する。さらに具体的にいえば、試料表面に近接さ
れて走査される探針を自由端に設け、探針と試料表面と
の間に発生する力によって梁部が撓むカンチレバーおよ
びその製造方法に関する。また、液中に存在する試料表
面を観察する際にカンチレバーの光テコ反射部を液中に
没すること無く観察することに関する。
片持ち梁式に支持された梁部の自由端に探針を設けたカ
ンチレバーが走査プローブとして利用される。このよう
な構成のカンチレバーでは、探針を試料表面で走査する
と試料表面と探針との間に原子間力に基づく引力または
斥力が発生するので、この原子間力をカンチレバーの撓
み量として検出することで試料表面の形状が測定でき
る。
開平5−196458号公報に記載され、図5(a) にそ
の概要を示したように全体が直線的な形状であり、探針
1が形成される自由端30bおよび顕微鏡本体に固定さ
れる固定端30cは共に梁部30aの延長線上にあっ
た。ところが、このような直線形状のカンチレバー30
を走査プローブ用に用いた場合、梁部30aが試料表面
に対して平行となる姿勢で配置してしまうと、試料表面
に大きな凹凸があったときに梁部30aが試料表面に接
触し、探針1が試料表面を正確にトレースすることがで
きなくなる場合がある。そこで、試料表面に大きな凹凸
があっても梁部30aが試料20に接触することなく探
針1が試料表面を正確にトレースできるようにするため
に、従来技術では同図(b) に示したように、カンチレバ
ー30は試料表面に対して斜めに取り付けられていた。
を測定しようとする場合には、カンチレバー全体を液に
侵漬する必要があり、光テコの反射面であるレバー部も
液中にあるため、レーザーの位置合わせが困難であった
り、屈折や吸収さらに液面の変化によって、反射位置が
変化してしまい、反射強度が弱くなったり正しい測定が
できないなどの問題点があった。
チレバー30が試料表面に対して斜めに取り付けられる
と、探針1も試料表面に対して傾いて近接することにな
る。図6は、探針1が試料表面に対して傾いて近接した
場合の原子間力の作用を模式的に示した図であり、この
ような姿勢では、原子間力が探針1に均一に加わらな
い。このため、カンチレバー30の撓み量は探針1と試
料20との距離を正確に代表することができず、感度が
低下したり測定誤差が大きくなってしまうという問題が
あった。また液中の試料を測定する場合、図8の様にカ
ンチレバー全体が液中に没してしまうため、光テコ検出
の為のレーザーが液面での反射や液中での吸収などによ
って、レーザーの反射強度が低下したり反射位置がずれ
たりして正しい検出ができなかったり、高感度の検出が
できなかった。
点を解決し、自由端に形成された探針が試料表面に垂直
に近接されて走査されてもカンチレバー本体が試料表面
に接触することなく、探針が試料表面を正確にトレース
できるようにしたカンチレバーおよびその製造方法を提
供することにある。さらに本発明をもって液中での試料
観察時にカンチレバーのレーザー反射面が液中に没しな
い為、液中試料の正確な観察を可能にする様にした、カ
ンチレバー及びその製造方法。
ために、本発明では、片持ち梁式に支持された梁部の自
由端に探針が形成されたカンチレバーおよびその製造方
法において、以下のような手段を講じた点に特徴があ
る。
態では梁部が試料表面に対して予定の角度だけ傾斜する
ように、梁部の前記固定端と自由端との間の少なくとも
一か所に屈曲部を設けた。 (2) 半導体基板の表面の一端および裏面の他端のそれぞ
れに、両者の投影が重ならないように予定の間隙を設け
て一対の保護膜を形成する工程と、保護膜をマスクとし
てシリコン基板の表面および裏面から予定の深さまで異
方性エッチングを行い、前記一対の保護膜下に残った2
つの支持部および当該各支持部を結ぶように前記間隙領
域に残った梁部からなる非直線形状のカンチレバーを形
成する工程と、一方の支持部の表面に保護膜を形成する
工程と、前記保護膜下の支持部の表面を等方性エッチン
グでアンダーカットして探針を形成する工程を設けた。
グで凹形状にし、凹部の底辺を屈曲したカンチレバーの
レバー部にする工程とカンチレバーとその外周部との間
隙を数μm にする工程と、レバー部の裏面に等方性エッ
チングで探針を形成する工程を設けた。
ば、探針を試料表面に垂直に近接させてもカンチレバー
本体と試料表面との接触が防止されるので、探針は試料
表面を正確にトレースできるようになる。 上記した構
成(2) 、構成(3) のカンチレバーの製造方法によれば、
機械加工のような複雑な研磨工程を必要とすることな
く、化学的なエッチング工程だけで屈曲部を有する非直
線形状のカンチレバーを形成できるようになる。
ば、液中の試料を観察する際に、カンチレバー全体を液
中に没する必要が無いため、位置検出のレーザーが液面
での反射や吸収によって減衰したり、乱反射によって探
針と試料との相互作用の変位以上のレーザー変位が起こ
らない為、正確な液中観察が可能になる。
細に説明する。図1は、本発明の一実施形態であるカン
チレバーの側面図であり、前記と同一の符号は同一また
は同等部分を表している。
をエッチングして構成されるもので、屈曲部51、52
を境に自由端側支持部10b、梁部10a、および固定
端側支持部10cの3つの領域を有している。自由端側
支持部10bには探針1が形成され、固定端側支持部1
0cは顕微鏡本体に固定される。自由端側支持部10b
と梁部10aとは屈曲部51において約55. 7°だけ
屈曲し、梁部10aと固定端側支持部10cとは屈曲部
52において約124. 3°だけ屈曲している。自由端
側支持部10bおよび固定端側支持部10cは同一平面
上にはないが平行であり、その表面には<100>平面
が露出している。また、梁部10aの表面には<111
>平面が露出している。 このような非直線形状のカン
チレバーによれば、試料表面に比較的大きな凹凸があっ
ても梁部10aが試料表面と接触することなく、探針1
を試料表面に垂直に近接させることができる。図2は、
探針1が試料表面に垂直に近接された際の原子間力の作
用を模式的に示した図であり、このような姿勢では、原
子間力が探針1に均一に加わるので、カンチレバー30
の撓み量は探針1と試料20との距離を正確に代表する
ことができる。
を有する非直線形状のカンチレバーの製造方法を示した
断面図であり、前記と同一の符号は同一または同等部分
を表している。初めに、<100>平面のシリコン基板
3の表面の一端および裏面の他端に酸化膜等のマスク6
1、62をそれぞれ形成する[同図(a) ]。マスク6
1、62は、両者の投影が重ならないように予定の間隙
dを設けて配置される。この際の間隙dは、基板材質
(本実施形態ではシリコン)の結晶構造、基板の厚み、
および梁部30aとなる部分の厚み等に基づいて決定さ
れる。
記シリコン基板3の表面を予定の深さまで異方性のウエ
ットエッチングで蝕刻する[同図(b) ]。エッチング溶
剤としては、60〜80℃で40重量%の水酸化カリウ
ム(KOH)水溶液や80〜90℃で20重量%の水酸
化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液などが
利用できる。このようなエッチング溶剤では、<100
>平面が<111>平面よりもはるかに早くエッチング
され、マスク61は実質的にエッチングされない。した
がって、この異方性エッチングはマスク61の端部を基
準にした<111>平面で実質的に止まり、梁部30a
となる間隙領域では<111>平面が露出するようにな
る。
方性のウエットエッチングによって蝕刻すると、間隙領
域ではマスク62の端部を基準にした<111>平面が
露出する[同図(c) ]。本実施形態のようにシリコン基
板3を用いた場合、<100>平面と<111>平面と
は約55. 7°(約124. 3°)だけ屈曲する。
スク63を形成し[図4(d) ]、探針1の高さに応じて
マスク63下のシリコンをドライエッチングによりアン
ダーカットして探針1を形成する[同図(e) ]。最後に
マスク63を除去してカンチレバー10を完成する。
雑な研磨工程を必要とすることなく、湿式および/また
は乾式のエッチング工程だけで、屈曲部を有する非直線
形状のカンチレバーを形成できるようになる。図7(a
)及び(b )は液中の試料を観察する際に有効な形状
を持つ本発明によるカンチレバーである。前記図1のカ
ンチレバーの外周部を残し凹形状にし、カンチレバーと
外周部との隙間を1〜100μm 程度の小さくすること
により表面張力による水の進入を回避しつつ図9に示す
通り探針のみを液中に浸して液中の試料表面を観察する
事を可能にすることができる。
板をエッチングしてカンチレバーを形成するものとして
説明したが、本発明はこれのみに限定されず、水晶やガ
リウム砒素基板をエッチングすることによって同様に形
成することができる。
成される。 (1) 本発明のカンチレバーでは、探針が形成される自由
端と固定端との間に屈曲部が設けられ、探針が試料表面
に垂直に近接された状態では梁部が試料表面に対して予
定の角度だけ傾斜するので、探針を試料表面に垂直に近
接させてもカンチレバー本体と試料表面との接触が防止
され、探針は試料表面を正確にトレースできるようにな
る。 (2) 本発明の製造方法によれば、機械加工のような複雑
な研磨工程を必要とすることなく、湿式および/または
乾式のエッチング工程だけで、屈曲部を有する非直線形
状のカンチレバーを形成できるようになる。 (3) 本発明のカンチレバーでは、液中にある被観察物を
カンチレバー全体を液中に浸す事なく、探針のみを液中
に没することのみで観察することが可能になる。
面図である。
間力の作用を模式的に示した図である。
チレバーの製造方法を示した図(その1)である。
チレバーの製造方法を示した図(その2)である。
使用方法を示した図である。
明した図である。
レバーの側面・平面図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 探針が、固定端を片持ち梁式に支持され
た梁部の自由端に形成されており、また探針が試料表面
に垂直に近接された状態では梁部が試料表面に対して予
定の角度だけ傾斜するように、梁部の前記固定端と自由
端との間の二か所に屈曲部が形成されると共に、前記固
定端と前記自由端とがほぼ平行に形成されるカンチレバ
ーであって、前記カンチレバーは基板に形成された上広
がりの凹部の底部から前記基板の外周部に渡って連続的
に形成された間隙によって形成されていて、前記自由端
が前記凹部の底部、前記梁部が前記底部続く前記凹部の
側部 また前記固定端が前記側部に続く前記基板外周部
の一部を用いて形成されており、前記二か所の屈曲部は
前記低部と前記側部、及び前記側部と前記固定端との間
でそれぞれ形成されていることを特徴とするカンチレバ
ー。 - 【請求項2】 前記カンチレバーは半導体基板をエッチ
ングして形成され、前記梁部の表面は(111)平面で
あり、前記固定端および自由端の表面は(100)平面
である請求項1記載のカンチレバー。 - 【請求項3】 前記間隙の幅が数μmである請求項1記
載のカンチレバー。 - 【請求項4】 片持ち梁式に支持された梁部の自由端に
探針が形成されたカンチレバーの製造方法において、 半導体基板の表面の一端および裏面の他端のそれぞれ
に、両者の投影が重ならないように予定の間隙を設けて
一対の保護膜を形成する工程と、 前記保護膜をマスクとして前記シリコン基板の表面およ
び裏面から予定の深さまで異方性エッチングを行い、前
記一対の保護膜下に残った2つの支持部および当該各支
持部を結ぶように前記間隙領域に残った梁部からなる非
直線形状のカンチレバーを形成する工程と、 一方の支持部の表面に保護膜を形成する工程と、 前記保護膜下の支持部の表面を異方性エッチングでアン
ダーカットして探針を形成する工程とからなる カンチレ
バーの製造方法。 - 【請求項5】 前記半導体基板の表面は(100)平面
であり、前記シリコン基板の表面および裏面に対する異
方性エッチングでは、(100)平面が (111)平面
よりも早くエッチングされる請求項3記載のカンチレバ
ーの製造方法。 - 【請求項6】 前記基板の表面及び裏面から予定の深さ
まで異方性エッチングを行う際に、前記基板に凹部を設
けると共に、前記凹部の底部、側部及び外周部に渡って
間隙を形成することによりカンチレバーを形成する工
程、及び前記凹部の底部裏面に探針を設ける工程とを有
する請求項4記載のカンチレバーの製造方法。 - 【請求項7】 原子間力顕微鏡観察において水中にある
被観察物を観察する際に、観察時に前記請求項1記載の
凹部の裏面にある探針を水中に没し、探針の裏側のカン
チレバーは大気中にあることを特徴とするカンチレバー
の使用方法。 - 【請求項8】 前記請求項1から7にいずれか記載のカ
ンチレバーを用い試料表面の形状、機能を検出する走査
型プローブ顕微鏡。
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Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19824107A1 (de) * | 1998-05-29 | 1999-12-23 | Werth Messtechnik Gmbh | Tastschnittverfahren sowie Anordnung zur Messgrößenbestimmung einer Oberfläche eines Prüflings nach dem Tastschnittverfahren |
JP4611436B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2011-01-12 | セイコーインスツル株式会社 | 光マイクロカンチレバー |
JP2000329677A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-11-30 | Seiko Instruments Inc | 光マイクロカンチレバーとその製造方法および光マイクロカンチレバーホルダ |
EP1061529A1 (en) * | 1999-06-11 | 2000-12-20 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | A probe tip for the investigation of a substrate and a method of fabrication therof |
US6405584B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-06-18 | Agere Systems Guardian Corp. | Probe for scanning probe microscopy and related methods |
US6647766B2 (en) * | 1999-12-31 | 2003-11-18 | International Business Machines Corporation | Device for contacting and/or modifying a surface having a cantilever and a method for production of said cantilever |
SG98006A1 (en) * | 1999-12-31 | 2003-08-20 | Ibm | Device for contacting and/or modifying a surface having a cantilever and a method for production said cantilever |
JP4535706B2 (ja) * | 2003-10-07 | 2010-09-01 | アオイ電子株式会社 | 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーおよびその製造方法 |
JP2008241711A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Tohoku Univ | マイクロ波原子間力顕微鏡のマイクロ波導波プローブ |
DE102010062009B4 (de) | 2010-11-26 | 2019-07-04 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Schrägflächen in einem Substrat und Wafer mit Schrägfläche |
WO2013050252A1 (en) * | 2011-10-04 | 2013-04-11 | Femtotools Ag | Sub-millinewton capacitive mems force sensor for mechanical testing on a microscope |
US11719719B2 (en) * | 2021-06-16 | 2023-08-08 | Bruker Nano, Inc. | Metrology probe with built-in angle and method of fabrication thereof |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2624873B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1997-06-25 | 松下電器産業株式会社 | 原子間力顕微鏡用探針およびその製造方法 |
JPH05196458A (ja) * | 1991-01-04 | 1993-08-06 | Univ Leland Stanford Jr | 原子力顕微鏡用ピエゾ抵抗性片持ばり構造体 |
US5367165A (en) * | 1992-01-17 | 1994-11-22 | Olympus Optical Co., Ltd. | Cantilever chip for scanning probe microscope |
US5400647A (en) * | 1992-11-12 | 1995-03-28 | Digital Instruments, Inc. | Methods of operating atomic force microscopes to measure friction |
US5308974B1 (en) * | 1992-11-30 | 1998-01-06 | Digital Instr Inc | Scanning probe microscope using stored data for vertical probe positioning |
EP0710370B1 (en) * | 1993-07-22 | 1998-12-02 | Btg International Limited | Intelligent sensor for near field optical device |
JP2936311B2 (ja) * | 1994-09-09 | 1999-08-23 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液中観察機能付き走査型近視野原子間力顕微鏡 |
JPH08285867A (ja) * | 1995-04-12 | 1996-11-01 | Hitachi Ltd | 探針、カンチレバー及びこれ等を具備する力顕微鏡 |
JPH09105755A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Olympus Optical Co Ltd | Afmカンチレバー及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-12-10 JP JP32987796A patent/JP3260644B2/ja not_active Expired - Lifetime
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US5992225A (en) | 1999-11-30 |
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DE69724921D1 (de) | 2003-10-23 |
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