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JP3135689B2 - Active matrix type liquid crystal display - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display

Info

Publication number
JP3135689B2
JP3135689B2 JP19120592A JP19120592A JP3135689B2 JP 3135689 B2 JP3135689 B2 JP 3135689B2 JP 19120592 A JP19120592 A JP 19120592A JP 19120592 A JP19120592 A JP 19120592A JP 3135689 B2 JP3135689 B2 JP 3135689B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
signal line
crystal display
display device
pixel electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP19120592A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0634965A (en
Inventor
貴文 中村
肇 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP19120592A priority Critical patent/JP3135689B2/en
Publication of JPH0634965A publication Critical patent/JPH0634965A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3135689B2 publication Critical patent/JP3135689B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、一対の電極間に液晶分
子からなる液晶層が保持されて成るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display in which a liquid crystal layer composed of liquid crystal molecules is held between a pair of electrodes.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、一対の電極間に液晶分子からなる
液晶層が保持された液晶表示装置は、軽量、低消費電力
の特徴を生かしてコンピュータの表示装置として、ある
いはテレビ表示装置として種々の分野で利用されるよう
になってきた。
2. Description of the Related Art In recent years, a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer made of liquid crystal molecules is held between a pair of electrodes has been used as a computer display device or a television display device by utilizing the features of light weight and low power consumption. It is being used in the field.

【0003】例えば、液晶層を透過した光が光学レンズ
系によって投射されて表示される投射型液晶表示装置を
例にとって説明する。投射型液晶表示装置では、光源の
光がフィルタにより三原色に分離され、その光がそれぞ
れ液晶表示装置を透過し再び合成され投射される構造と
なっている。
[0003] For example, a projection type liquid crystal display device in which light transmitted through a liquid crystal layer is projected and displayed by an optical lens system will be described as an example. The projection type liquid crystal display device has a structure in which light from a light source is separated into three primary colors by a filter, and the light is transmitted through the liquid crystal display device, combined again, and projected.

【0004】図9は、従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置(701) の対向基板(801)からアレイ基板(711)
を見た時の概略正面図であり、図10は図9における
D−D’線に沿って切断した概略断面図である。
FIG. 9 shows a conventional active matrix type liquid crystal display device (701) from a counter substrate (801) to an array substrate (711).
FIG. 10 is a schematic front view when viewed from FIG. 10, and FIG. 10 is a schematic sectional view taken along the line DD ′ in FIG.

【0005】透明な絶縁基板(713) 上に映像信号が送ら
れてくる映像信号線(715) とMOSトランジスタから成
るスイッチ素子(721) のオン/オフ制御を行う走査信号
が送られる走査信号線(717) とが層間絶縁膜(771) を介
してマトリクス状に配線され、映像信号線(715) と走査
信号線(717) とで囲まれた領域内にスイッチ素子(721)
に接続された画素電極(731) が配置されている。そし
て、この上に所定方向にラビング処理された配向膜(78
1) が設置されてアレイ基板(711) は構成されている。
A video signal line (715) for transmitting a video signal on a transparent insulating substrate (713) and a scanning signal line for transmitting a scanning signal for controlling on / off of a switch element (721) composed of a MOS transistor. (717) are arranged in a matrix through an interlayer insulating film (771), and a switch element (721) is provided in a region surrounded by a video signal line (715) and a scanning signal line (717).
The pixel electrode (731) connected to the pixel electrode is disposed. Then, an alignment film (78) rubbed in a predetermined direction is formed thereon.
1) is installed and the array substrate (711) is configured.

【0006】また、透明な絶縁基板(811) 上に全面に対
向電極(813) が配置され、この上に所定方向にラビング
処理された配向膜(815) が設置されて対向基板(801) は
構成されている。そして、アレイ基板(711) と対向基板
(801) とが5.0 ミクロンの間隔で配置され、この間に液
晶層(901) が保持されて構成されてアクティブマトリク
ス型液晶表示装置(701) は構成されている。
A counter electrode (813) is disposed on the entire surface of a transparent insulating substrate (811), and an alignment film (815) rubbed in a predetermined direction is provided thereon. It is configured. Then, the array substrate (711) and the opposite substrate
The active matrix type liquid crystal display device (701) is configured by holding the liquid crystal layer (901) between them at intervals of 5.0 microns.

【0007】そして、このような液晶表示装置(701) で
は、表示画素のコントラストを向上させ、しかもスイッ
チ素子(721) に入射される光に起因した光電流による表
示品位の低下を防止するため、画素電極(731) よりも小
さい開口を有する遮光層がアレイ基板(711) 側、あるい
は対向基板(801) 側に設けられていた。
In such a liquid crystal display device (701), in order to improve the contrast of the display pixel and to prevent the display quality from deteriorating due to the photocurrent caused by the light incident on the switch element (721), A light-shielding layer having an opening smaller than the pixel electrode (731) was provided on the array substrate (711) side or the counter substrate (801) side.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した液
晶表示装置(701) では、アレイ基板(711) 上のパターン
の段差による配向膜(781) 自体の配向不良および映像信
号線(715) 及び走査信号線(717) からの横方向電界等の
影響による液晶分子の配向不良により、通常のプレチル
トに反する領域、即ちリバースチルトドメインによる表
示不良が発生していた。
In the above-mentioned liquid crystal display device (701), the alignment film (781) itself is poorly aligned due to a step in the pattern on the array substrate (711), and the image signal lines (715) and the scanning lines are not scanned. Due to the poor orientation of the liquid crystal molecules due to the influence of the horizontal electric field from the signal line (717), a display defect due to a region contrary to the normal pretilt, that is, a reverse tilt domain has occurred.

【0009】このリバースチルトドメインは、その表示
状態によって正常な配向領域(ノーマルチルトドメイ
ン)と透過率が異なるため、これにより表示不良を引き
起こしたり、あるいはノーマルチルトドメインとリバー
スチルトドメインとの間にディスクリネーションライン
と呼ばれる光漏れを起こす領域の発生を引き起こしてコ
ントラストの低下等を招いていた。
The reverse tilt domain has a transmittance different from that of a normal alignment region (no-multi tilt domain) depending on the display state, thereby causing display failure or causing a disc between the no-multi tilt domain and the reverse tilt domain. This causes the generation of a region that causes light leakage called a ligation line, which causes a decrease in contrast and the like.

【0010】このようなリバースチルトドメインによる
コントラスト低下を防止する方法として、例えば特開平
3-111820号には、対向電極の一部分を横方向の電界を防
ぐように除去する技術が開示されている。しかし、この
ような対向電極のパターニングは、アレイ基板との位置
合わせを困難にするため、製造上好ましい方法ではな
い。
[0010] As a method of preventing the contrast from being lowered by the reverse tilt domain, for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
3-111820 discloses a technique for removing a part of a counter electrode so as to prevent a horizontal electric field. However, such patterning of the counter electrode is not preferable in terms of manufacturing because it makes it difficult to position the counter electrode with the array substrate.

【0011】また、特開平3-243934号には画素電極と映
像信号線との間隔を液晶層の厚み以上とする技術が開示
されているが、画素電極と映像信号線との間隔を大きく
しても実質的な横方向の電界による配向不良を防止する
ことができない。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-243934 discloses a technique in which the distance between a pixel electrode and a video signal line is equal to or greater than the thickness of a liquid crystal layer. However, it is not possible to prevent poor alignment due to a substantial lateral electric field.

【0012】近年、液晶表示装置を構成する各表示画素
サイズは微細化の一途をたどっている。本発明者等が実
験に確認した、表示画素サイズが小さくなってもリバー
スチルトドメインは低減されないということからも、表
示画素サイズが小さくなるほどリバースチルトドメイン
の影響が大きくなる。
In recent years, the size of each display pixel constituting a liquid crystal display device has been steadily miniaturized. The inventors have confirmed in experiments that the reverse tilt domain is not reduced even when the display pixel size is reduced. Therefore, the influence of the reverse tilt domain increases as the display pixel size decreases.

【0013】本発明は、上述した技術課題に対処してな
されたもので、リバースチルトドメインによるコントラ
スト低下を効果的に防止することができるアクティブマ
トリクス型液晶表示装置を提供することを目的としたも
のである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above technical problems, and has as its object to provide an active matrix type liquid crystal display device which can effectively prevent a decrease in contrast due to a reverse tilt domain. It is.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にマト
リクス状に配置される映像信号線と走査信号線とによっ
て囲まれる領域内にスイッチ素子を介して配置される画
素電極および画素電極上に配置され第1の方向にラビン
グ処理された配向膜を備えたアレイ基板と、アレイ基板
と対向し第2の方向にラビング処理された配向膜を備え
た対向基板と、アレイ基板と対向基板との間に保持され
た液晶分子からなる液晶層とを備えたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、画素電極は映像信号線お
よび走査信号線上に絶縁膜を介して配置され、画素電極
に対する横方向電界によってリバスチルトドメインが生
起される領域に対応する辺側の画素電極が、他よりも多
く映像信号線又は走査信号線と重複していることを特徴
としたものである。
According to the present invention, there is provided a pixel electrode which is arranged via a switch element in a region surrounded by a video signal line and a scanning signal line which are arranged in a matrix on a substrate. Array substrate having an alignment film arranged in the first direction and rubbed in a first direction, and an array substrate
And a counter substrate having a counter and rubbed alignment film in the second direction, in an active matrix type liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer composed of liquid crystal molecules held between the array substrate and the counter substrate , Pixel electrodes are video signal lines and
And the pixel electrodes are arranged on the scanning signal lines via an insulating film.
Reversal tilt domain created by lateral electric field
There are more pixel electrodes on the side corresponding to the area where
This is characterized by overlapping with a video signal line or a scanning signal line .

【0015】また、更にアレイ基板は遮光層を含み、遮
光層は映像信号線もしくは走査信号線と画素電極との間
に配置されていもよい。
Further, the array substrate includes a light shielding layer,
The optical layer is between the video signal line or scanning signal line and the pixel electrode
May be arranged.

【0016】また、更に第1の方向から時計回りに0 か
ら45度の範囲内にベクトルABが配置されるように画素
電極上の4点を時計回りにA,B,C,Dとしたとき、
上記の遮光層の開口は辺CD,DAよりも辺AB,BC
に近接して配置されてもよい。
Moreover, when further the A, B, C, and D from the first direction 4 points on the pixel electrode to be placed vector AB in the range of 0 to 45 degrees clockwise to clockwise ,
The openings of the light-shielding layer are closer to sides AB and BC than sides CD and DA.
May be arranged in close proximity.

【0017】[0017]

【作用】リバースチルトドメインは液晶分子の配向状態
および画素電極間に発生する横方向の電界により影響を
受けるもので、次のような作用によって生じる。図8に
示すように、液晶分子は電極基板間に所定のプレチルト
角(θ1 )をもって電極基板間に配向されている。
The reverse tilt domain is affected by the alignment state of the liquid crystal molecules and the lateral electric field generated between the pixel electrodes, and is generated by the following operation. As shown in FIG. 8, the liquid crystal molecules are oriented between the electrode substrates at a predetermined pretilt angle (θ1).

【0018】この液晶分子に対して、プレチルト角(θ
1 )よりも大きく、プレチルト角(θ1 )+90 度よりも
小さい角度、例えば角度(θE )を持った図中A方向の
傾斜電界が印加されると、電界方向にならってA方向か
ら液晶分子は配向する。
For this liquid crystal molecule, the pretilt angle (θ
When a gradient electric field in the direction A in the figure having an angle larger than 1) and smaller than the pretilt angle (θ1) +90 degrees, for example, an angle (θE), is applied, the liquid crystal molecules are shifted from the direction A following the electric field direction. Are oriented.

【0019】しかし、プレチルト角(θ1 )+90 度より
も大きく、プレチルト角(θ1 )+180度よりも小さい角
度を持った傾斜電界が液晶分子に印加されると、液晶分
子は電界方向にならって、プレチルト方向とは逆方向か
ら液晶分子は配向するため、傾斜電界にならったリバー
スチルトとなりリバースチルトドメインが生じる。この
ようなことから、本発明者等の実験によれば、リバース
チルトドメインには次のような特徴があることがわかっ
た。 (1) リバースチルトドメインはプレチルト角が高い程低
減される。 (2) リバースチルトドメインは、画素電極の特定の1辺
もしくは隣接する2辺の近傍でのみ発生する。 (3) リバースチルトドメインは、横方向の電界強度が一
定であれば各信号線と画素電極端部との距離に依存する
ことなく画素電極上の同一面積に発生する。
However, when an inclined electric field having an angle larger than the pretilt angle (θ1) +90 degrees and smaller than the pretilt angle (θ1) +180 degrees is applied to the liquid crystal molecules, the liquid crystal molecules follow the electric field direction. Since the liquid crystal molecules are oriented in a direction opposite to the pretilt direction, the liquid crystal molecules are reverse tilted according to the tilted electric field, and a reverse tilt domain is generated. From the above, according to the experiments of the present inventors, it has been found that the reverse tilt domain has the following characteristics. (1) The reverse tilt domain decreases as the pretilt angle increases. (2) The reverse tilt domain occurs only near one specific side or two adjacent sides of the pixel electrode. (3) The reverse tilt domain is generated in the same area on the pixel electrode regardless of the distance between each signal line and the end of the pixel electrode if the electric field strength in the horizontal direction is constant.

【0020】上述したことから、本発明のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の如く、画素電極の一辺もしく
は隣接する2辺に他の辺に比べて近接する開口を有する
遮光層を設けることにより、リバースチルトドメインを
避け、しかも十分な開口率を確保することができる。
As described above, as in the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, by providing a light-shielding layer having an opening closer to one side or two adjacent sides of the pixel electrode than the other sides, the reverse tilt can be achieved. Domains can be avoided and a sufficient aperture ratio can be secured.

【0021】そして、発明者等の実験からリバースチル
トドメインに伴う表示不良領域は次のように特定できる
ことがわかった。即ち、上述したように、配向膜のラビ
ング方向である第1の方向から時計回りに0 から45度の
範囲内にベクトルABが配置されるように画素電極上の
4点を時計回りにA,B,C,Dとしたとき、辺CD,
DAの近傍にリバースチルトドメインは発生するという
ものである。
From the experiments performed by the inventors, it has been found that the defective display area associated with the reverse tilt domain can be specified as follows. That is, as described above, the four points on the pixel electrode are moved clockwise A, A so that the vector AB is arranged in the range of 0 to 45 degrees clockwise from the first direction which is the rubbing direction of the alignment film. When B, C, and D, the side CD,
A reverse tilt domain occurs near DA.

【0022】従って、画素電極の辺CD,DAよりも辺
AB,BCに近接して開口を設けることにより、十分な
開口率を維持しながらリバースチルトドメインに伴うコ
ントラスト低下を防止することができる。
Therefore, by providing the openings closer to the sides AB and BC than the sides CD and DA of the pixel electrode, it is possible to prevent a decrease in contrast due to the reverse tilt domain while maintaining a sufficient aperture ratio.

【0023】更に、リバースチルトドメインは横方向の
電界強度が一定であれば各信号線と画素電極端部との距
離に依存することなく画素電極上の同一面積に発生する
ことから、画素電極の辺CDもしくは辺DAの少なくと
も一方を映像信号線もしくは走査信号線と重複させて配
置しておくことによりリバースチルトドメインの一部を
各信号線上に推移させることができ、各信号線で囲まれ
る領域内での実効的なリバースチルトドメインを低減さ
せることができる。
Furthermore, the reverse tilt domain occurs in the same area on the pixel electrode without depending on the distance between each signal line and the end of the pixel electrode if the electric field strength in the horizontal direction is constant. By arranging at least one of the side CD or the side DA so as to overlap the video signal line or the scanning signal line, a part of the reverse tilt domain can be shifted on each signal line, and the area surrounded by each signal line The effective reverse tilt domain in the inside can be reduced.

【0024】そして、特に遮光層をアレイ基板の基板と
画素電極との間に設置させることにより、画素電極間の
液晶分子のプレチルト角を大きくするように作用するた
め、横方向の電界によるプレチルトに反する配向を防止
することができる。このようにして局部的にプレチルト
角を異ならしめてリバースチルトドメインを防止するこ
とにより、表示品位を低下させることなくリバースチル
トドメインの発生自体を低減させることができる。
In particular, since the light-shielding layer is provided between the substrate of the array substrate and the pixel electrode to increase the pretilt angle of the liquid crystal molecules between the pixel electrodes, it is possible to reduce the pretilt due to the lateral electric field. The opposite orientation can be prevented. By preventing the reverse tilt domain by locally varying the pretilt angle in this way, it is possible to reduce the occurrence of the reverse tilt domain without deteriorating the display quality.

【0025】[0025]

【実施例】以下、本発明の一実施例のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置(1) について図面を参照して説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An active matrix type liquid crystal display (1) according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0026】図1は、本実施例のアクティブマトリクス
型液晶表示装置(1) の対向基板(101) からアレイ基板(1
1)を見た時の概略正面図であり、図2は図1におけるA
−A’線に沿って切断した概略断面図である。
FIG. 1 shows an arrangement of the active matrix type liquid crystal display device (1) of the present embodiment from the counter substrate (101) to the array substrate (1).
FIG. 2 is a schematic front view when viewing 1), and FIG.
It is the schematic sectional drawing cut | disconnected along the -A 'line.

【0027】アクティブマトリクス型液晶表示装置(1)
を構成するアレイ基板(11)は、図2に示すように透明な
絶縁基板(13)上に映像信号駆動回路(図示せず)と走査
信号駆動回路(図示せず)とが設置され、図1に示すよ
うに映像信号駆動回路に接続された複数本の映像信号線
(15)と走査信号駆動回路に接続された複数本の走査信号
線(17)とがマトリクス状に配置されている。
Active matrix type liquid crystal display (1)
As shown in FIG. 2, an array substrate (11) is provided with a video signal driving circuit (not shown) and a scanning signal driving circuit (not shown) on a transparent insulating substrate (13). A plurality of video signal lines connected to a video signal drive circuit as shown in FIG.
(15) and a plurality of scanning signal lines (17) connected to the scanning signal drive circuit are arranged in a matrix.

【0028】各映像信号線(15)と走査信号線(17)との交
点部分には、MOSトランジスタから成るスイッチ素子
(21)を介して略四角形状のI.T.O.から成る透明導
電膜が画素電極(31)として設置されている。即ち、映像
信号線(15)はスイッチ素子(21)のポリシリコンに不純物
が添加されて成るソース領域(21b) に、画素電極(31)は
ポリシリコンに不純物が添加されて成るドレイン領域(2
1c) に接続され、走査信号線(15)はゲート電極(16)と一
体に構成されてゲート絶縁膜(23)を介してポリシリコン
から成る活性領域(21a) 上に配置されている。
At the intersection of each video signal line (15) and scanning signal line (17), a switching element composed of a MOS transistor
(21) through a substantially square I.D. T. O. A transparent conductive film made of is provided as a pixel electrode (31). That is, the video signal line (15) has a source region (21b) formed by adding impurities to polysilicon of the switch element (21), and the pixel electrode (31) has a drain region (2) formed by adding impurities to polysilicon.
1c), the scanning signal line (15) is integrally formed with the gate electrode (16), and is disposed on the active region (21a) made of polysilicon via the gate insulating film (23).

【0029】また、画素電極(31)と映像信号線(15)およ
び走査信号線(17)との間には、第2の層間絶縁膜(73)と
第3の層間絶縁膜(75)との間に挟まれた略四角形状の開
口(43)を有する不透明導電膜が遮光層(41)として画素ピ
ッチが40ミクロンとなるように設置されている。
A second interlayer insulating film (73) and a third interlayer insulating film (75) are provided between the pixel electrode (31) and the video signal line (15) and the scanning signal line (17). An opaque conductive film having a substantially square opening (43) sandwiched therebetween is provided as a light shielding layer (41) so that the pixel pitch is 40 microns.

【0030】そして、更に、画素電極(31)上には、図2
に示すように均一な配向膜(51)が設置され、図1におけ
る第1の方向(映像信号線(15)から時計回りに45度の角
度)にラビング処理が施されてアレイ基板(11)は構成さ
れている。
Further, on the pixel electrode (31), FIG.
As shown in (1), a uniform alignment film (51) is provided, rubbed in the first direction in FIG. 1 (an angle of 45 degrees clockwise from the video signal line (15)), and the array substrate (11) Is composed.

【0031】アレイ基板(11)に対向して設けられる対向
基板(101) は、図2に示すように透明な絶縁基板(111)
上にI.T.O.から成る透明導電膜が対向電極(113)
として全面に設けられ、この上に均一な配向膜(115) が
設置され、図1に示すように第1の方向と直交する第2
の方向にラビング処理が施されて構成されている。
The opposing substrate (101) provided facing the array substrate (11) is a transparent insulating substrate (111) as shown in FIG.
I. T. O. A transparent conductive film consisting of a counter electrode (113)
A uniform alignment film (115) is provided thereon, and a second direction orthogonal to the first direction is provided as shown in FIG.
The rubbing process is performed in the direction of.

【0032】そして、このアクティブマトリクス型液晶
表示装置(1) は、図2に示すようにアレイ基板(11)と対
向基板(101) とが5.0 ミクロンの間隔で対向配置され、
これら基板(11),(101)間に液晶組成物からなる液晶層(2
01) が保持されて構成されている。
In this active matrix type liquid crystal display device (1), as shown in FIG. 2, an array substrate (11) and a counter substrate (101) are arranged facing each other at an interval of 5.0 microns.
Between these substrates (11) and (101), a liquid crystal layer (2
01) is held.

【0033】ところで、本実施例において特徴的なこと
は、画素電極(31)と遮光層(41)の位置関係および遮光層
(41)の配置場所であり、これについて比較例を対比させ
て図3乃至図6を参照して説明する。尚、各図共に、走
査信号線(15),(715)から時計回りに45度の第1の方向で
アレイ基板(11),(711)の配向膜(51),(751)にラビング処
理を施し、対向基板(101),(801) には第1の方向と直交
する第2の方向にラビング処理を施した場合を示してい
る。
The features of this embodiment are characterized by the positional relationship between the pixel electrode (31) and the light shielding layer (41) and the light shielding layer (41).
This is the location of (41), which will be described with reference to FIGS. 3 to 6 in comparison with a comparative example. In each of the figures, the rubbing process was performed on the alignment films (51) and (751) of the array substrates (11) and (711) in the first direction at 45 degrees clockwise from the scanning signal lines (15) and (715). And the rubbing process is performed on the opposing substrates (101) and (801) in a second direction orthogonal to the first direction.

【0034】図5は映像信号線(715) と走査信号線(71
7) とで囲まれる領域内に各信号線(715),(717) から等
間隔で画素電極(731) が配置され、更に画素電極(731)
よりも小さい開口(743) が各信号線(715),(717) から5.
0 ミクロンの間隔(d2)で配置されて構成された比較
例を示している。
FIG. 5 shows a video signal line (715) and a scanning signal line (71).
7) Pixel electrodes (731) are arranged at equal intervals from the signal lines (715) and (717) in the area surrounded by
The smaller aperture (743) is from each signal line (715), (717) 5.
This shows a comparative example that is arranged at an interval (d2) of 0 microns.

【0035】このようにして画素電極(731) 、開口(74
3) が配置されると、図6に示すように画素電極(731)
の辺DA近傍には液晶分子がプレチルト角の向きになら
ったノーマルチルトとなる領域(A)、対向電極(813)
と画素電極(731) との間の傾斜電界にならった領域
(B)、および対向電極(813) と画素電極(731) との間
の傾斜電界にならったリバースチルトとなる領域(C)
とが存在し、領域(A),(C)との界面がディスクリ
ネーションライン(791) となる。そして、表示状態にも
よるが、領域(B)および(C)は透過率が異なる表示
不良領域を構成する。このことは、画素電極(731) の辺
CD近傍においても同様である。
Thus, the pixel electrode (731) and the opening (74
3), the pixel electrode (731) is arranged as shown in FIG.
In the vicinity of the side DA, the area where no liquid crystal molecules are oriented in the direction of the pretilt angle (A), the counter electrode (813)
A region (B) following the gradient electric field between the pixel electrode (731) and the counter-electrode (813) and a region (C) forming a reverse tilt following the gradient electric field between the counter electrode (813) and the pixel electrode (731)
And the interface with the regions (A) and (C) becomes the disclination line (791). Then, depending on the display state, the regions (B) and (C) constitute defective display regions having different transmittances. The same applies to the vicinity of the side CD of the pixel electrode (731).

【0036】尚、上述した構造では、画素電極(731) の
辺DA近傍の表示不良領域の間隔(d14 )は7.3 ミク
ロンであり、画素電極(731) の辺CD近傍での表示不良
領域の間隔(d13 )は11.1ミクロンであった。そし
て、ディスクリネーションライン(791) から開口(743)
までの間隔(d3)が不良表示領域の許容量となるが、
上述した構造では画素電極(731) の辺DA近傍での許容
量(d34 )は2.7 ミクロン、辺CD近傍での間隔(d
3 )は0.9 ミクロンと非常に小さく、温度上昇の度合
いによっては開口(43)内部に表示不良領域が形成される
ことがある。
In the structure described above, the interval (d1 4 ) between the display defective areas near the side DA of the pixel electrode (731) is 7.3 μm, and the display defective area near the side CD of the pixel electrode (731) is reduced. The spacing (d1 3 ) was 11.1 microns. Then, opening (743) from the disclination line (791)
The interval (d3) is the allowable amount of the defective display area.
In the above-described structure, the permissible amount (d3 4 ) of the pixel electrode (731) near the side DA is 2.7 μm, and the interval (d3) near the side CD is 2.7 μm.
3 3) is very small and 0.9 microns, depending on the degree of temperature rise opening (43) which may display defect region is formed inside.

【0037】これに対して、本実施例によれば、図3に
示すように、画素電極(31)の辺CDは走査信号線(17-2)
に、辺DAは映像信号線(15-1)に層間絶縁膜(71),(73),
(75)(図2参照)を介してそれぞれ重複して構成されて
いる。また、走査信号線(17-1)と開口(43)との間隔(d
1 )および映像信号線(15-2)と開口(43)との間隔(d
2 )はそれぞれ2.0 ミクロンに、走査信号線(17-2)と
開口(43)との間隔(d23 )および映像信号線(15-1)と
開口(43)との間隔(d24 )はそれぞれ3.0 ミクロンに
形成されている。
On the other hand, according to the present embodiment, as shown in FIG. 3, the side CD of the pixel electrode (31) is connected to the scanning signal line (17-2).
In addition, the side DA is connected to the interlayer insulating films (71), (73), and the video signal line (15-1).
(75) (see FIG. 2). Further, the distance between the scanning signal line (17-1) and the opening (43) (d
2 1) and the spacing between the video signal line (15-2) and the opening (43) (d
2 2 ) is 2.0 μm each, and the distance (d 2 3 ) between the scanning signal line (17-2) and the opening (43) and the distance (d 2 4 ) between the video signal line (15-1) and the opening (43). Are each formed to 3.0 microns.

【0038】このように開口(43)を画素電極(31)の辺C
D,DAよりも辺AB,辺BCに近接させて配置するこ
とにより、表示不良領域を避けて十分な開口(43)が形成
できるため、表示不良の防止はもとより、十分な開口率
を確保することができる。
As described above, the opening (43) is connected to the side C of the pixel electrode (31).
By arranging closer to sides AB and BC than to D and DA, a sufficient opening (43) can be formed avoiding a defective display region, so that a sufficient opening ratio is ensured in addition to preventing display failure. be able to.

【0039】また、本実施例において特徴的なことは、
上述したように画素電極(31)の辺DAが映像信号線(15-
1)に、辺CDが走査信号線(17-2)に重複されて配置され
ていることである。
The features of this embodiment are as follows.
As described above, the side DA of the pixel electrode (31) is connected to the video signal line (15-
1) The side CD is arranged so as to overlap the scanning signal line (17-2).

【0040】リバースチルトドメインは横方向の電界強
度が一定であれば各信号線(15),(17) と画素電極(31)端
部との距離に依存することなく画素電極(31)上の同一面
積に発生することから、上述した構成により図4に示す
ように各信号線(15),(17) によって囲まれる領域内に発
生していた表示不良領域、即ちリバースチルトドメイン
となる領域(C)の一部を各信号線(15-1),(17-2) 上に
移動させることができる。従って、各信号線(15),(17)
によって囲まれる領域内の表示不良領域の占める割合を
低減させることができる。
The reverse tilt domain is provided on the pixel electrode (31) independently of the distance between each signal line (15), (17) and the end of the pixel electrode (31) if the horizontal electric field strength is constant. Since it occurs in the same area, the above-described configuration causes a display defect area to occur in an area surrounded by the signal lines (15) and (17) as shown in FIG. 4, that is, an area serving as a reverse tilt domain ( Part C) can be moved onto each of the signal lines (15-1) and (17-2). Therefore, each signal line (15), (17)
Can reduce the proportion of the display defective area in the area surrounded by.

【0041】このように、画素電極(31)および開口(43)
を配置することにより、各信号線(15),(17) から開口(4
3)までの間隔(d2)を5.0 ミクロンとした場合の開口
率が36パーセントであったのに対し、開口率51パーセン
トを達成することができた。しかも、本実施例によれ
ば、遮光層(41)が画素電極(31)と配向膜(51)との間に配
置されているため、遮光層(41)が対向基板(101) 側等に
設置されている場合に比べ、図4に示すようにて隣接画
素電極(31)間での配向膜(51)の傾斜が大きく構成されて
いる。
As described above, the pixel electrode (31) and the opening (43)
, The opening (4) from each signal line (15), (17)
The opening ratio was 36% when the interval (d2) up to 3) was 5.0 microns, whereas the opening ratio was 51%. Moreover, according to the present embodiment, since the light-shielding layer (41) is disposed between the pixel electrode (31) and the alignment film (51), the light-shielding layer (41) is provided on the side of the counter substrate (101) or the like. As shown in FIG. 4, the inclination of the alignment film (51) between the adjacent pixel electrodes (31) is configured to be larger than that in the case where it is provided.

【0042】これにより、本実施例によれば、隣接画素
電極(31)間での液晶分子の見かけ上のプレチルト角を増
加させたこととなり、リバースチルトドメインとなる領
域(C)を一層抑えることができる。特に、本実施例に
よれば、液晶分子全体のプレチルト角を大きくしていな
いため、表示品位が低下することもない。
As a result, according to the present embodiment, the apparent pretilt angle of the liquid crystal molecules between the adjacent pixel electrodes (31) is increased, and the region (C) serving as the reverse tilt domain is further suppressed. Can be. In particular, according to the present embodiment, since the pretilt angle of the entire liquid crystal molecules is not increased, the display quality does not deteriorate.

【0043】上述した作用により、開口率が向上するこ
とは勿論のこと、本実施例の液晶表示装置(1) によれば
図3に示す画素電極(31)の辺DA近傍の表示不良領域の
間隔(d14 )を4.2 ミクロン,辺CD近傍の表示不良
領域の間隔(d13 )を7.0ミクロンと小さくすること
ができ、これにより許容量(d34 )を4.8 ミクロン,
許容量(d33 )を2.0 ミクロンと十分に大きくするこ
とができた。ところで、上述した実施例のラビング方向
にかえて、画素電極(31)の辺AB方向にラビング処理を
施した場合について説明する。このような方向にラビン
グ処理を施した場合であっても、上述したと同様に画素
電極(31)の辺CD,DA近傍に表示不良領域が発生す
る。
According to the above-described operation, the aperture ratio is improved, and according to the liquid crystal display device (1) of this embodiment, the defective display area near the side DA of the pixel electrode (31) shown in FIG. The interval (d1 4 ) can be reduced to 4.2 microns, and the interval (d1 3 ) between the display defect areas near the side CD can be reduced to 7.0 microns, whereby the allowable amount (d3 4 ) can be reduced to 4.8 microns.
The allowable amount (d3 3 ) could be sufficiently increased to 2.0 microns. A case will be described in which the rubbing process is performed in the direction of the side AB of the pixel electrode (31) instead of the rubbing direction in the above-described embodiment. Even in the case where the rubbing process is performed in such a direction, a defective display area occurs near the sides CD and DA of the pixel electrode (31) as described above.

【0044】そこで、上述したと同様に液晶表示装置
(1) を構成することにより、リバースチルトドメインと
なる領域(C)自体が低減され、画素電極(31)の辺DA
近傍の表示不良領域の間隔(d14 )は4.3 ミクロンと
非常に小さく、開口(43)までの許容量(d34 )は4.7
ミクロンと十分に大きくすることができた。
Therefore, as described above, the liquid crystal display device
By configuring (1), the region (C) itself serving as the reverse tilt domain is reduced, and the side DA of the pixel electrode (31) is reduced.
The distance (d1 4 ) between neighboring display defective areas is very small at 4.3 microns, and the allowable amount (d3 4 ) up to the opening (43) is 4.7.
It was possible to make it as large as a micron.

【0045】このことは画素電極(31)の辺CD近傍にお
いても同様であり、辺CDの表示不良領域の間隔(d1
4 )は5.9 ミクロンと小さく、しかも開口(43)までの許
容量(d33 )は3.1 ミクロンと大きくなった。
The same applies to the vicinity of the side CD of the pixel electrode (31).
4) is as small as 5.9 microns, yet allowance to the opening (43) (d3 3) was as large as 3.1 microns.

【0046】以上のように、ラビング方向を画素電極(3
1)のAB方向に沿う方向としても、特定の画素電極(31)
の配置および画素電極(31)に対する開口(43)の配置によ
り、上述した実施例と同様にリバースチルトドメインと
なる領域(C)自体の低減に伴い、表示不良の解消、開
口率の向上を達成することができた。また、表示不良領
域の許容量の増大により、液晶層(201) の温度上昇に起
因したプレチルト角の低下によるリバースチルトドメイ
ンの増加に対する悪影響もない。
As described above, the rubbing direction is changed to the pixel electrode (3
A specific pixel electrode (31) is also used as a direction along the AB direction of (1).
And the arrangement of the opening (43) with respect to the pixel electrode (31) achieves the elimination of display defects and the improvement of the aperture ratio with the reduction of the region (C) itself serving as the reverse tilt domain as in the above-described embodiment. We were able to. In addition, the increase in the allowable amount of the defective display area does not adversely affect the increase in the reverse tilt domain due to the decrease in the pretilt angle due to the temperature rise of the liquid crystal layer (201).

【0047】次に、本発明の他の実施例について図7を
参照して説明する。本実施例のアクティブマトリクス型
液晶表示装置(1) が上述した実施例と相違する点は画素
電極(31)間の構造であり、上述した実施例と相違する部
分についてのみ説明する。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The difference of the active matrix type liquid crystal display device (1) of the present embodiment from the above-described embodiment is the structure between the pixel electrodes (31), and only different portions from the above-described embodiment will be described.

【0048】この実施例においては、各映像信号線(1
5),走査信号線(図示せず)上に層間絶縁膜(73),(74)
に挟まれたダミー層(81)が設置されている。そして、こ
のダミー層(81)は、画素電極(31)が重複している映像信
号線(15),走査信号線側は各信号線と同一幅で、画素電
極(31)が重複していない映像信号線(15),走査信号線側
は各信号線幅よりも幅広く構成されている。
In this embodiment, each video signal line (1
5), interlayer insulating films (73), (74) on scanning signal lines (not shown)
A dummy layer (81) sandwiched between is provided. The dummy layer (81) has the same width as each signal line on the video signal line (15) and the scanning signal line side where the pixel electrode (31) overlaps, and the pixel electrode (31) does not overlap. The video signal line (15) and the scanning signal line side are wider than each signal line width.

【0049】このようなダミー層(81)を介在させること
により、画素電極(31)間での液晶分子の見かけ上のプレ
チルト角を大きくし、上述した実施例に比べリバースチ
ルトドメインの領域(C)自体を一層低減させることが
できる。
By interposing such a dummy layer (81), the apparent pretilt angle of the liquid crystal molecules between the pixel electrodes (31) is increased, and the reverse tilt domain region (C ) Itself can be further reduced.

【0050】図3を参照すれば、画素電極(31)の辺DA
近傍の表示不良領域の間隔(d14)は4.0 ミクロンと
小さく、表示不良領域の許容量(d34 )は5.0 ミクロ
ンと十分に大きくすることができた。また、画素電極(3
1)の辺CD近傍においても同様に、表示不良領域の間隔
(d13 )は6.8 ミクロンと小さく、しかも許容量(d
3 )は2.2 ミクロンと大きくすることができた。
Referring to FIG. 3, the side DA of the pixel electrode (31)
The distance (d1 4 ) between the neighboring defective display areas was as small as 4.0 μm, and the allowable amount (d3 4 ) of the defective display area was sufficiently large as 5.0 μm. In addition, the pixel electrode (3
Similarly, also in the vicinity of the side CD of 1), the interval (d1 3 ) between the display defective areas is as small as 6.8 μm, and the allowable amount (d
3 3) was able to be increased with 2.2 microns.

【0051】以上詳述したように、本実施例によれば、
上述した実施例に比べ更にリバースチルトドメインを低
減し、これによりリバースチルトドメインによる表示品
位の低下を防止し、高い開口率が確保できると共に許容
量(d3)の大きな液晶表示装置を得ることができた。
従って、本実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、投射型の液晶表示装置等の液晶層の温度上昇を伴
う液晶表示装置に最適である。
As described in detail above, according to the present embodiment,
Compared with the above-described embodiment, the reverse tilt domain is further reduced, thereby preventing the display quality from deteriorating due to the reverse tilt domain, and ensuring a high aperture ratio and obtaining a liquid crystal display device having a large allowance (d3). Was.
Therefore, the active matrix type liquid crystal display device of this embodiment is most suitable for a liquid crystal display device such as a projection type liquid crystal display device in which the temperature of a liquid crystal layer rises.

【0052】上述した各実施例の液晶表示装置は、各信
号線に囲まれる領域内に一画素電極が設置されて成る場
合を示したが、例えば各信号線を2本一組として一領域
内に2以上の画素電極が配置される構成としても良いこ
とは言うまでもない。
In the liquid crystal display device of each of the above-described embodiments, a case where one pixel electrode is provided in a region surrounded by each signal line has been described. Needless to say, a configuration in which two or more pixel electrodes are arranged may be adopted.

【0053】[0053]

【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス型液晶表
示装置によれば、遮光層と画素電極との特定の配置によ
り、リバースチルトドメインを低減させると共に、リバ
ースチルトドメインによる表示品位の低下を防止し、し
かも高い開口率を確保することができる。
According to the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, the reverse tilt domain can be reduced by the specific arrangement of the light-shielding layer and the pixel electrode, and the degradation of the display quality due to the reverse tilt domain can be prevented. Moreover, a high aperture ratio can be secured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は本発明の一実施例のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置のアレイ基板の概略正面図である。
FIG. 1 is a schematic front view of an array substrate of an active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図2は図1におけるA−A’線に沿って切断し
たアクティブマトリクス型液晶表示装置の概略断面図で
ある。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the active matrix type liquid crystal display device taken along the line AA ′ in FIG.

【図3】図3は図1におけるアクティブマトリクス型液
晶表示装置の作用を説明するための一画素電極の概略正
面図である。
FIG. 3 is a schematic front view of one pixel electrode for explaining an operation of the active matrix type liquid crystal display device in FIG. 1;

【図4】図4は図3におけるB−B’線に沿って切断し
た概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view taken along the line BB ′ in FIG.

【図5】図5は本実施例のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の作用を説明するための比較例の一画素電極の
概略正面図である。
FIG. 5 is a schematic front view of one pixel electrode of a comparative example for explaining the operation of the active matrix type liquid crystal display device of the present embodiment.

【図6】図6は図5におけるC−C’線に沿って切断し
た概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view taken along the line CC ′ in FIG. 5;

【図7】図7は本発明の他の実施例のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の要部概略断面図である。
FIG. 7 is a schematic sectional view of a main part of an active matrix type liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

【図8】図8はアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おけるリバースチルトドメインを説明するための図であ
る。
FIG. 8 is a diagram for explaining a reverse tilt domain in an active matrix liquid crystal display device.

【図9】図9は従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置のアレイ基板の概略正面図である。
FIG. 9 is a schematic front view of an array substrate of a conventional active matrix type liquid crystal display device.

【図10】図10は図9におけるD−D’線に沿って切
断したアクティブマトリクス型液晶表示装置の概略断面
図である。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the active matrix type liquid crystal display device cut along the line DD ′ in FIG. 9;

【符号の説明】 (1),(701) …アクティブマトリクス型液晶表示装置 (11),(711)…アレイ基板 (15),(715)…映像信号線 (17),(717)…走査信号線 (31),(731)…画素電極 (41)…遮光層 (43)…開口 (101),(801) …対向基板 (201),(901) …液晶層[Description of Signs] (1), (701) ... Active matrix type liquid crystal display device (11), (711) ... Array substrate (15), (715) ... Video signal line (17), (717) ... Scanning signal Lines (31), (731) ... Pixel electrode (41) ... Light shielding layer (43) ... Opening (101), (801) ... Counter substrate (201), (901) ... Liquid crystal layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−266512(JP,A) 特開 平4−166816(JP,A) 特開 平4−188110(JP,A) 特開 平4−323625(JP,A) 特開 平5−313185(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1362 G02F 1/1343 G02F 1/1337 G02F 1/1335 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-1-266512 (JP, A) JP-A-4-166816 (JP, A) JP-A-4-188110 (JP, A) JP-A-4-266 323625 (JP, A) JP-A-5-313185 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G02F 1/1362 G02F 1/1343 G02F 1/1337 G02F 1/1335

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板上にマトリクス状に配置される映像
信号線と走査信号線とによって囲まれる領域内にスイッ
チ素子を介して配置される画素電極および前記画素電極
上に配置され第1の方向にラビング処理された配向膜を
備えたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向し第2の方
向にラビング処理された配向膜を備えた対向基板と、前
記アレイ基板と前記対向基板との間に保持された液晶分
子からなる液晶層とを備えたアクティブマトリクス型液
晶表示装置において、前記画素電極は前記映像信号線および走査信号線上に絶
縁膜を介して配置され、 前記画素電極に対する横方向電界によってリバスチルト
ドメインが生起される領域に対応する辺側の前記画素電
極が、他よりも多く前記映像信号線又は走査信号線と重
複している ことを特徴としたアクティブマトリクス型液
晶表示装置。
(1) Images arranged in a matrix on the substrate
The switch is located in the area surrounded by the signal lines and the scanning signal lines.
And a pixel electrode disposed via a switch element
The alignment film, which is disposed on the substrate and rubbed in the first direction,
An array substrate comprising:Facing the array substrateSecond person
A counter substrate having an alignment film rubbed in the opposite direction;
The liquid crystal component held between the array substrate and the counter substrate
Matrix type liquid having a liquid crystal layer composed of
Crystal display device,The pixel electrodes are separated from the video signal lines and the scanning signal lines.
Placed through the rim, Rivastilt due to lateral electric field to the pixel electrode
The pixel electrodes on the side corresponding to the region where the domain is generated
The poles overlap the video signal line or the scanning signal line more than others.
Duplicate Active matrix liquid
Crystal display device.
【請求項2】 請求項1記載のアレイ基板は遮光層を含
ことを特徴としたアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
2. The array substrate according to claim 1, further comprising a light shielding layer.
Active matrix liquid crystal display device, wherein the free it.
【請求項3】 請求項2記載の遮光層は前記映像信号線
もしくは前記走査信号線と前記画素電極との間に配置さ
れていることを特徴としたアクティブマトリクス型液晶
表示装置。
3. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 2, wherein the light shielding layer is disposed between the video signal line or the scanning signal line and the pixel electrode .
【請求項4】 請求項3記載の前記遮光層は前記映像信
号線および前記走査信号線によって囲まれる領域よりも
小さい開口を有することを特徴としたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。
Wherein said light-shielding layer of claim 3, wherein the said image signal
Signal line and the area surrounded by the scanning signal line.
An active matrix liquid crystal display device having a small opening .
【請求項5】 請求項1記載の液晶分子は前記アレイ基
板に対して所定のプレチルト角をもって配列され、前記
リバスチルトドメインが生起される領域における前記プ
レチルト角が他の領域における前記プレチルト角よりも
大きく設定されて成ることを特徴としたアクティブマト
リクス型液晶表示装置。
5. The liquid crystal molecules of claim 1 wherein the said array group
Arranged at a predetermined pretilt angle with respect to the plate,
The step in the region where the rivastilt domain occurs.
The retilt angle is greater than the pretilt angle in other areas
An active matrix type liquid crystal display device characterized by being set large .
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