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JP3125630B2 - 真空紫外用石英ガラスの製造方法および石英ガラス光学部材 - Google Patents

真空紫外用石英ガラスの製造方法および石英ガラス光学部材

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Publication number
JP3125630B2
JP3125630B2 JP07170984A JP17098495A JP3125630B2 JP 3125630 B2 JP3125630 B2 JP 3125630B2 JP 07170984 A JP07170984 A JP 07170984A JP 17098495 A JP17098495 A JP 17098495A JP 3125630 B2 JP3125630 B2 JP 3125630B2
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JP
Japan
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quartz glass
fluorine
glass
synthetic quartz
vacuum ultraviolet
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Expired - Lifetime
Application number
JP07170984A
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JPH0875901A (ja
Inventor
弘之 平岩
誠志 藤原
典男 小峯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26484109&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3125630(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
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Priority to JP07170984A priority Critical patent/JP3125630B2/ja
Publication of JPH0875901A publication Critical patent/JPH0875901A/ja
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  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光リソグラフィに代表さ
れる紫外線光学系、特にArF(193nm)エキシマ
レ−ザリソグラフィ、F2(157nm)レ−ザリソグ
ラフィなどの200nm以下の真空紫外波長域の光を用
いる光学系に使用される石英ガラスの製造方法、並びに
その方法で製造された石英ガラス光学部材に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、シリコン等のウエハ上に集積回路
の微細パターンを露光・転写する光リソグラフィ技術に
おいては、ステッパと呼ばれる露光装置が用いられる。
このステッパの光源は、近年のLSIの高集積化に伴っ
てg線(436nm)からi線(365nm)、さらに
はKrF(248nm)やArF(193nm)エキシ
マレーザへと短波長化が進められている。一般に、ステ
ッパの照明系あるいは投影系のレンズに用いられる光学
素材としては、i線よりも短い波長領域での高透過率お
よび耐紫外線性が要求されることから、合成石英ガラス
が用いられる。
【0003】しかしながら、石英ガラスであっても、真
空紫外域になると、様々な要因による吸収が生じる。ス
テッパのような高精度の光学系あるいはより短波長なF
2レーザ(157nm)を使用する光学系の場合、この
ような吸収が微少なものであっても、吸収により生じる
発熱や蛍光により光学性能の低下が問題になる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記従
来の石英ガラスには以下のような問題があり、特に真空
紫外線に対する透過率及び耐紫外線に関して未だ充分な
特性を達成するには至っていないことを見いだした。す
なわち、真空紫外域における光リソグラフィ技術におい
ては、i線やKrFエキシマレーザと比較してエネルギ
ーが高いため、レンズ等の材料に対する負担も極めて大
きい。このため、従来の合成石英ガラスを使用したレン
ズ、光学系の寿命が短く、光学系の性能低下も著しかっ
た。
【0005】また、いわゆるVAD等によって得られる
OH含有量の少ない(無水と呼ばれる)石英ガラスは、
逆に構造欠陥を多く含むことが多い。例えば、酸素欠乏
型欠陥Si−Siは、それ自体163nmの吸収帯をも
ち、さらにエキシマレーザのような高いエネルギーを持
つ紫外光の照射により、215nmにE’センター(S
i・)と呼ばれる構造欠陥による吸収帯が生成する。
【0006】本発明は、真空紫外域で光リソグラフィの
ような高精度な光学系に使用可能な、真空紫外域の高透
過率と高度の耐紫外線性を兼ね備えた合成石英ガラスを
得ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、耐紫外線
性を向上させるために水素をドープし、あわせて構造欠
陥による吸収をなくし(初期透過率の確保)、耐紫外線
性も向上させるフッ素もドープすることを考えた。そこ
で、水素およびフッ素のドープに関して実験を繰り返し
た結果、いわゆるスート体にフッ素をドープし、透明化
した後に水素のドープを行うことにより、合成石英ガラ
ス中にフッ素と共に水素を分子の状態で存在させること
ができ、しかもフッ素のない状態で水素ドープするもの
と較べて、耐紫外線性に優れた石英ガラスが得られるこ
とがわかった。
【0008】本発明は、(a)ケイ素化合物を火炎中で
加水分解せしめてガラス微粒子を得、該ガラス微粒子を
堆積させて多孔質ガラスを形成する工程と、(b)前記
多孔質ガラスをフッ素含有雰囲気中で加熱処理してフッ
素ドープされた多孔質ガラスを得る工程と、(c)前記
フッ素ドープされた多孔質ガラスを透明化してフッ素ド
ープされた合成石英ガラスを得る工程と、(d)前記フ
ッ素ドープされた合成石英ガラスを水素ガス含有雰囲気
中で加熱処理してフッ素及び水素がドープされた合成石
英ガラスを得る工程と、を含む、真空紫外線用合成石英
ガラスの製造方法を提供する。
【0009】また、本発明は、上記本発明の方法で得ら
れたフッ素及び水素がドープされた合成石英ガラスを含
む真空紫外線用合成石英ガラス光学部材を提供する。さ
らにまた、本発明は以下の露光装置を提供する。「投影
光学系を用いてマスクのパターン像を基板上に投影露光
する装置であって、真空紫外線を露光光としてマスクを
照明する照明光学系と、フッ素および水素がドープされ
た合成石英ガラス光学部材を含み、前記マスクのパター
ン像を基板上に形成する投影光学系と、からなる投影露
光装置。」または、「投影光学系を用いてマスクのパタ
ーン像を基板上に投影露光する装置であって、フッ素お
よび水素がドープされた合成石英ガラス光学部材を含
み、真空紫外線を露光光としてマスクを照明する照明光
学系と、前記マスクのパターン像を基板上に形成する投
影光学系と、からなる投影露光装置。」
【0010】
【作用】以下、まず、本発明の真空紫外線用合成石英ガ
ラスの製造方法について説明する。本発明の方法におい
ては、まず、(a)SiCl4のようなケイ素化合物を
酸水素火炎中で加水分解せしめてガラス微粒子(いわゆ
るスート)を得、該ガラス微粒子を堆積させて多孔質ガ
ラス(いわゆるスート体)を形成する。かかる多孔質ガ
ラスの形成方法及び諸条件は特に限定されず、いわゆる
VAD(Vapor PhaseAxial Deposition)法、いわゆる
OVD(Outside Vapor Deposition)法、いわゆるゾル
ゲル法等が適宜採用される。
【0011】続いて、本発明の方法においては、(b)
前記多孔質ガラスをフッ素含有雰囲気中で加熱処理して
フッ素ドープされた多孔質ガラスを得る。このフッ素含
有雰囲気としては、SiF4のようなフッ素化合物のガ
スを0.1〜100容量%含有する不活性ガス雰囲気が
好ましい。また、このフッ素ドープ処理中の圧力は、
0.1〜10atm、温度は1000〜1700℃がそ
れぞれ好ましい。上記の範囲外では充分量のフッ素がド
ープされにくい傾向にあるからである。
【0012】次いで、本発明の方法においては、(c)
前記フッ素ドープされた多孔質ガラスを透明化してフッ
素ドープされた合成石英ガラスを得る。多孔質ガラス
は、通常、Heのような不活性ガス雰囲気中で該ガラス
の軟化点(好ましくは融点)近傍以上の温度で透明化さ
れるが、本発明の方法においては、前記多孔質ガラスを
フッ素含有雰囲気中で透明化することが好ましい。フッ
素含有雰囲気中で透明化を行うと、ドープされるフッ素
量が増加、維持される傾向にあるからである。このフッ
素含有雰囲気としては、SiF4のようなフッ素化合物
のガスを0.1〜100容量%含有する不活性ガス雰囲
気が好ましい。また、このフッ素ドープ処理中の圧力
は、0.1〜10atmが好ましい。なお、フッ素含有
雰囲気中で前記多孔質ガラスを透明化する場合、前記フ
ッ素ドープ処理工程(工程(b))と、この透明化処理
工程(工程(c))とを単一の工程で行うことも可能で
ある。
【0013】そして、本発明の方法においては、(d)
前記フッ素ドープされた合成石英ガラスを水素ガス含有
雰囲気中で加熱処理することによってフッ素及び水素が
ドープされた合成石英ガラスを得る。この水素ガス含有
雰囲気としては、水素ガスを0.1〜100容量%含有
する不活性ガス雰囲気が好ましい。また、この水素ドー
プ処理中の圧力は、0.1〜10atmが好ましい。上
記の範囲外では、充分量の水素分子がドープされにくい
傾向にあるからである。
【0014】また、上記水素ドープ処理(工程(d))
の間の温度は、好ましくは500℃以下、より好ましく
は0〜500℃、特に好ましくは300〜500℃であ
る。この温度範囲が好ましい理由は後述する。上記本発
明の方法においては、まず前記多孔質ガラス(いわゆる
スート体)にフッ素をドープすることにより、多孔質ガ
ラス中の不完全構造(結合)をフッ素で終端することが
可能になる。特にVAD法等で合成された多孔質ガラス
では、脱水処理や透明化処理の際に雰囲気が酸素欠乏雰
囲気になり易く、163nmに吸収帯を持つSi−Si
結合が生成し易くなる。本発明によれば、ここにFが存
在することにより、Si−Si結合を開裂させてSi−
F結合で終端させることができるため上記吸収帯の生成
が解消される。また、Si−F結合はSi−H結合やS
i−Cl結合より結合エネルギーが大きく、紫外線の強
いエネルギーを受けても安定にその構造を保つことがで
きる。
【0015】次に、上記本発明の方法においては、上記
多孔質ガラスを透明化した後、水素ガス雰囲気中、好ま
しくは500℃以下の温度域で加熱処理する。水素分子
のドープは熱力学的には常温から2500K(2227
℃)までの温度領域で可能である。水素を好ましくは5
00℃以下という比較的低温でドープすることにより、
紫外線照射により結合が切れてE’センターになり易い
Si−H結合を作ることなく、また、Si−F結合を減
少させることなく、水素分子の状態で水素ドープを行う
ことができる。したがって、上記の強い構造に加え、紫
外線の照射により生成したE’センターが、ドープされ
ている水素分子により終端され、さらに強い耐紫外線性
を得ることができる。なお、500℃を越えた温度で水
素雰囲気での熱処理を行うと、Si−H結合が生成する
ため耐紫外線性は低下してしまう傾向があり、熱処理温
度をさらに上昇させることは好ましくない。もっとも、
熱処理温度が低い程、生産効率が低下するため、特に好
ましくは300〜500℃である。
【0016】また、上記本発明の方法においては、前記
工程(a)と(b)との間に、(f)前記多孔質ガラス
を塩素化合物ガス雰囲気中、好ましくは塩素化合物ガス
及び不活性ガスの混合ガス雰囲気中で加熱処理する工程
を更に含むことが好ましい。この処理は、加水分解法に
よって得られた前記多孔質ガラス中の水分を透明化処理
の前に除去するための、いわゆる脱水処理である。この
脱水処理によって、透明化処理後の合成石英ガラス中の
OH基濃度を例えば100ppb以下に低減することが
可能となる。
【0017】かかる脱水処理を充分に行わないまま多孔
質ガラスの透明化処理を行うと、得られる合成石英ガラ
スの構造が弱くなる傾向にある。これは、ガラス中に弱
い結合や不安定な構造が存在することに起因していると
考えられる。また、多孔質ガラス中に多くのOH基が存
在していると、続いてのフッ素ドープ処理の際にHFの
生成等が起こる傾向がある。更に、かかる脱水処理によ
って、ガラス中の金属不純物を塩化物として除去するこ
とも可能である。従って、本発明の方法においては、上
記のようにフッ素ドープ処理の前に多孔質ガラスに脱水
処理を施すことが好ましい。
【0018】更に、上記本発明の方法においては、前記
工程(c)と(d)との間に、(e)前記フッ素ドープ
された合成石英ガラスを100〜10-10atmの酸素分
圧を有する不活性ガス雰囲気中で700℃以上の温度で
加熱処理する工程を含むことが可能である。フッ素ドー
プした石英ガラスを、100〜10-10atmの酸素分圧
下で加熱処理した場合には、200〜300ppb程度
以上のOH基濃度を有する合成石英ガラスを得ることが
可能となる。この加熱処理はガラスの歪の除去目的もあ
るが、最大の目的は、フッ素ドープされた石英ガラス中
に微少のOH基を生成させることにある。この処理での
OH基の生成過程は明確ではないが、ガラス構造中に微
量に残存しているH2Oと吸収に現れない僅かなSi−
Si結合が反応してSi−OH結合を作っていると仮定
される。
【0019】次に、本発明の真空紫外線用合成石英ガラ
スについて説明する。本発明の合成石英ガラスは、上記
本発明の方法で得られたものであり、フッ素および水素
分子の双方がドープされている。本発明の合成石英ガラ
スにおいては、ドープされているフッ素および水素分子
のそれぞれの耐紫外線性に対する特性の相乗効果によっ
て耐紫外線性が飛躍的に高められる。本発明の合成石英
ガラス中のフッ素濃度は、100ppm以上が好まし
く、より好ましくは100〜30000ppm、特に好
ましくは500〜30000ppmである。また、本発
明の合成石英ガラス中の水素分子濃度は、1×1017
olecules/cm3以上が好ましく、特に好まし
くは1×1017〜1×1019molecules/cm
3である。各成分の含有量が上記範囲以外では所望の特
性が得られにくい傾向にあるからである。
【0020】更に、本発明の合成石英ガラス中のOH基
濃度は、好ましくは100ppm以下、より好ましく
は、10ppb〜100ppmである。OH基濃度を1
00ppm以下にすることで、真空紫外域での透過率と
耐紫外線性を確保できる傾向にある。より詳細には、石
英ガラス中に含まれるOH基濃度が高くなると、Fドー
プ後も残留している石英ガラス固有の構造欠陥(例え
ば、163nmにピークを持つ吸収帯の原因である酸素
欠乏性欠陥のSi−Si結合など)がOH基によって終
端されるため、紫外領域での光透過率が高くなり、耐紫
外線性が良くなる。ただし、100ppmを越えるOH
基を含有した場合、真空紫外域の吸収端が長波長側にシ
フトしてしまうため、真空紫外線の光学系においては使
用することが困難になる。
【0021】また、OH基にはガラスの構造を安定化さ
せる作用があり、レーザが照射された際に吸収帯が生成
することを抑制し、耐紫外線性(耐レーザ性)を向上さ
せる。さらに、OH基が存在するとレーザを照射する前
の、初期状態での吸収も抑制される。そのため、Kr
F、ArFエキシマレーザ等の紫外線用として用いる石
英ガラスの場合、OH基濃度は10ppb〜1000p
pmであってもよく、好ましくは10ppb〜100p
pmである。
【0022】これに対して、150nm近傍にOH基の
吸収帯が存在するため、F2レーザ等の真空紫外線に用
いる石英ガラスの場合、OH基濃度が高いと初期透過率
が低下する傾向にある。そのため、真空紫外線に用いる
石英ガラスのOH基濃度は10ppb〜20ppmであ
ることが特に好ましい。従来の水素分子を含む合成石英
ガラスは多量のOH基を含有する(100ppm以上)
ものであるが、本発明の石英ガラスはこれらの石英ガラ
スよりもさらに耐紫外線性の優れたものであった。
【0023】また、かかる多量のOH基は真空紫外域
(吸収端付近)の初期透過率を低下させるが、本発明に
よれば、かかるOH基は必須ではなく、加えてフッ素を
ドープすることにより、真空紫外域で高い透過率を有す
る石英ガラスが得られる。また、本発明の合成石英ガラ
ス中のアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属等の
金属不純物も紫外領域に吸収帯を持つ構造欠陥の原因で
あり、その結合は紫外光や真空紫外光等の高エネルギー
光の照射により簡単に切断されてしまうため、耐紫外線
性を非常に悪化させてしまう。そのため、含有金属不純
物は極力低減(望ましくは50ppb以下)させた方が
よい。
【0024】次に、本発明の真空紫外線用光学部材につ
いて説明する。本発明の光学部材は、前記本発明の方法
で得られたフッ素および水素分子がドープされた合成石
英ガラスを含むものである。かかる本発明の光学部材
は、上記合成石英ガラスを含むこと以外は特に限定され
ず、真空紫外線を用いる各種光学部材、例えばステッパ
のような露光装置に使用するレンズ、プリズム等が挙げ
られる。また、本発明の光学部材は、レンズ、プリズム
等を製造するための素材をも含む。また、上記本発明の
合成石英ガラスを本発明の光学部材に加工する方法も特
に制限されず、通常の切削法、研磨法が採用される。
【0025】本発明の光学部材は、前述のようにドープ
されているフッ素および水素分子の双方の相乗効果によ
って真空紫外線に対する高度の耐紫外線性および高透過
率とを兼ね備えた合成石英ガラスをであるため、従来の
光学部材に比べて長寿命化が達成される。ついで、本発
明の露光装置について説明する。
【0026】本発明はフォトレジストでコートされたウ
ェハー上にレチクルのパターンのイメージを投影するた
めの、ステッパと呼ばれるような投影露光装置に特に応
用される。図1に、本発明に関わる露光装置の基本構造
を示す。図1に示すように、本発明の露光装置は少なく
とも、表面3aに置かれた感光剤を塗布した基板Wを置
くことのできるウェハーステージ3,露光光として用意
された波長の真空紫外光を照射し、基板W上に用意され
たマスクのパターン(レチクルR)を転写するための照
明光学系1,照明光学系1に露光光を供給するための光
源100,基板W上にマスクRのパターンのイメージを
投影するためのマスクRが配された最初の表面P1(物
体面)と基板Wの表面と一致させた二番目の表面(像
面)との間に置かれた投影光学系5、を含む。照明光学
系1は、マスクRとウェハーWとの間の相対位置を調節
するための、アライメント光学系110も含んでおり、
マスクRはウェハーステージ3の表面に対して平行に動
くことのできるレチクルステージ2に配置される。レチ
クル交換系200は、レチクルステージ2にセットされ
たレチクル(マスクR)を交換し運搬する。レチクル交
換系200はウェハーステージ3の表面3aに対してレ
チクルステージ2を平行に動かすためのステージドライ
バーを含んでいる。投影光学系5は、スキャンタイプの
露光装置に応用されるアライメント光学系を持ってい
る。
【0027】そして、本発明の露光装置は、前記本発明
の方法で製造されたフッ素および水素分子がドープされ
た合成石英ガラスを含む光学部材(例えば、該ガラス製
の光学レンズ)を使用したものである。具体的には、図
1に示した本発明の露光装置は、照明光学系1の光学レ
ンズ9および/または投影光学系5の光学レンズ10と
して本発明にかかる光学レンズを備えることが可能であ
る。
【0028】本発明の露光装置は、前述のようにドープ
されているフッ素および水素分子の双方の相乗効果によ
って真空紫外線に対する高度の耐紫外線性および高透過
率とを兼ね備えた合成石英ガラス製の光学部材を備えて
いるため、従来の露光装置に比べて長寿命化が達成され
る。
【0029】
【実施例1】図2に示す一連の工程に従って本発明の合
成石英ガラスサンプルを製造した。なお、本実施例にお
いては、酸素の存在下における加熱処理(第5工程)は
行わなかった。具体的には、先ず、5重管構造を有する
リングバーナを用いて、下記条件により酸水素火炎中で
SiCl4を加水分解せしめてガラス微粒子(SiO2
ート)を得、それらのガラス微粒子を堆積させて直径1
80mm、長さ500mmの多孔質ガラス(スート体)
を20時間で合成した(第1工程)。
【0030】 (ガス組成) [:内側リング〜:外側リング] 四塩化ケイ素 10g/min + Heキャリア 1slm 酸素 5slm 水素 10slm 酸素 15slm 水素 40slm 次に、表1に示す諸条件下で、上記多孔質ガラスに脱水
処理を施し(第2工程)、続いてSiF4雰囲気中でフ
ッ素をドープし(第3工程)、多孔質ガラス体の透明化
処理を行った(第4工程)。得られた石英ガラスを切断
・研磨し、直径60mm,厚さ10mmのサンプルを作
製した。サンプル中のフッ素濃度を比色法により定量し
たところ、1wt.%であった。このサンプルについて
表1に示す条件下において、水素ガス中400℃で60
時間熱処理を行った(第6工程)。その結果、サンプル
中のフッ素濃度は処理前後で変化しておらず、水素分子
濃度は5×1017molecules/cm3であっ
た。また、OH基濃度は約75ppbであった。
【0031】
【表1】
【0032】水素濃度の測定は、Zhurnal Pr
ikladoni Spektroskopii,Vo
l.46,No.6,P.987−991,June,
1987に記載されている、アルゴンレーザラマン散乱
測定器により、4135cm -1と800cm-1の散乱強
度Iの比率を求め、下記式により、水素含有濃度C(H
2molecule/cm3glass)として計算する
ことが出来る。 C=[I(4135cm-1)]/[I(800cm-1)]×
k kは定数であり、k=1.22×1021 また、OH基濃度は、赤外分光光度計により2.73μ
mの吸収を測定することにより求めた。
【0033】なお、OH基濃度の測定限界は厚さ10m
mのサンプルでは10ppbであるが、より精度よく定
量的に測定することが可能な濃度は100ppb以上で
ある。
【0034】
【比較例1】実施例1と同様に酸水素火炎中でSiCl
4の加水分解を行い、SiO2スートを堆積させて多孔質
ガラス体とした(第1工程)後、表1に示す条件下で水
素ガス中で熱処理を行った(第2工程)。その後、表1
に示す諸条件下において、SiF4雰囲気中でフッ素ド
ープ処理を行い(第3工程)、多孔質ガラス体の透明化
処理を行った(第4工程)。得られた石英ガラスを切断
・研磨し、直径60mm,厚さ10mmのサンプルを作
製した。サンプル中のフッ素濃度および水素分子濃度を
測定したところ、フッ素濃度は500ppmであり、水
素分子濃度は検出下限以下(1×1016molecul
es/cm3以下)であった。また、OH基濃度は約7
5ppbであった。
【0035】
【実施例2】実施例1と同様に酸水素火炎中でSiCl
4の加水分解を行い、SiO2スートを堆積させて多孔質
ガラス体とした(第1工程)。次に、表1に示す諸条件
下において、上記多孔質ガラスに脱水処理を施し(第2
工程)、SiF4雰囲気中でフッ素をドープし(第3工
程)、多孔質ガラス体の透明化処理を行った(第4工
程)。得られた石英ガラスを切断・研磨し、直径60m
m,厚さ10mmのサンプルを作製した。サンプル中の
フッ素濃度を測定したところ、1wt.%であった。こ
のサンプルについてまず、表1に示す条件下において、
酸素分圧10-4atmのArガス中、1050℃で60
時間熱処理を行った(第5工程)。その後、水素ガス中
400℃で60時間熱処理を行った(第6工程)。その
結果、サンプル中のフッ素濃度は処理前後で変化してお
らず、水素分子濃度は7×1017molecules/
cm3であった。また、OH基については、第5工程の
処理前では約75ppbであったにもかかわらず、同処
理後で1ppmまで増加していた。
【0036】
【比較例2】第3及び第4工程においてSiF4を含有
しない雰囲気を用い、かつ第6工程を行わなかった以外
は実施例1と同様にして合成石英ガラスのサンプルを得
た。得られたサンプル中のフッ素濃度は検出限界(1p
pm)以下であり、水素分子濃度も検出下限以下(1×
1016molecules/cm3以下)であった。ま
た、OH基濃度は約75ppbであった。
【0037】
【比較例3】第6工程を行わなかった以外は実施例1と
同様にして合成石英ガラスのサンプルを得た。得られた
サンプル中のフッ素濃度は1wt%であり、水素分子濃
度も検出下限以下(1×1016molecules/c
3以下)であった。また、OH基濃度は約75ppb
であった。
【0038】
【比較例4】第3及び第4工程においてSiF4を含有
しない雰囲気を用い、かつ第6工程を行わなかった以外
は実施例1と同様にして合成石英ガラスのサンプルを得
た。得られたサンプル中のフッ素濃度は検出限界(1p
pm)以下であり、水素分子濃度も検出下限以下(1×
1016molecules/cm3以下)であった。ま
た、OH基濃度は約75ppbであった。
【0039】実施例1,2及び比較例1〜4により合成
された石英ガラスのサンプルに対して、下記条件下でF
2レーザを照射し、吸収係数の変化を測定した。結果を
表2及び図3に示す。 (照射条件) F2レーザ:波長157nm エネルギー密度:25mJ/cm2 繰り返し:50Hz
【0040】
【表2】
【0041】また、実施例1,2及び比較例1〜4によ
り合成された石英ガラスのサンプルに対して、下記条件
下でArFエキシマレーザを照射し、吸収係数の変化を
測定した。結果を表3及び図4に示す。 (照射条件) ArFレーザ:波長937nm エネルギー密度:100mJ/cm2 繰り返し:100Hz
【0042】
【表3】
【0043】表2,3及び図3,4からわかるように、
本発明の範囲外の比較例1〜4の石英ガラスはレーザ照
射と同時に構造欠陥が生成し、著しい紫外透過率の低下
が観察された。これに対し、フッ素ドープと水素分子ド
ープの両方を行った本発明の実施例1〜2の石英ガラス
は優れた耐紫外線性を示した。また、レーザ照射中の6
50nmの蛍光帯を瞬間マルチ測光システムを用いて測
定したところ、実施例1,2のサンプルにおいて全く観
測されなかったが、比較例1〜4のサンプルについては
蛍光帯が強く観測された。
【0044】
【実施例3〜8】水素ドープ処理(第6工程)の間の処
理温度を、400℃(実施例3)、500℃(実施例
4)、600℃(実施例5)、700℃(実施例6)、
800℃(実施例7)、900℃(実施例8)とした以
外は実施例1と同様にして合成石英ガラスのサンプルを
得た。
【0045】得られた石英ガラスのサンプルに対して、
下記条件でF2レーザを照射し、吸収係数を測定した。
結果を表4及び図5に示す。 (照射条件) F2レーザ:波長157nm エネルギー密度:25mJ/cm2 繰り返し:50Hz パルス数:1×106パルス
【0046】
【表4】
【0047】表4及び図5から明らかなように、水素ド
ープ処理(第6工程)の間の処理温度が500℃以下の
場合(実施例3,4)に特に耐紫外線性に優れた石英ガ
ラスが得られた。
【0048】
【実施例9】実施例1及び2の石英ガラスを使用して、
図1に示すArFレーザを光源とする半導体露光装置の
投影系のレンズ及び照明系に用いられるレンズを製造し
たところ、所望の設計性能を満足することが確認でき
た。これにより得られたレンズは線幅0.19μm程度
の解像力を有し、該レンズを備えた露光装置によって実
用上充分な平坦性を持つ集積回路パターンを得ることが
できた。また、本発明にかかる照明光学系、投影光学系
のレンズとも、従来のものと比較して寿命が約2倍にな
った。
【0049】
【発明の効果】本発明により、フッ素ドープ石英ガラス
の真空紫外透過特性を生かしながら、良好な耐紫外線性
を有し、かつウェハアライメントに用いられるHe−N
eレーザ(633nm)に近い650nmの蛍光帯のな
い石英ガラスを得ることができた。これにより、F2
ーザのような真空紫外光を用いた光リソグラフィー装置
の高性能化と高寿命化が実現できた。
【図面の簡単な説明】
【図1】は、本発明の露光装置の一例の基本構成を示す
構成図である。
【図2】は、本発明の合成石英ガラスの製造方法の一例
を示す工程図である。
【図3】は、F2レーザ照射後のF2レーザ波長における
吸収係数の変化を示すグラフである。
【図4】は、ArFレーザ照射後のArFレーザ波長に
おける吸収係数の変化を示すグラフである。
【図5】は、水素ドープ処理温度とF2レーザ照射によ
り誘起される吸収係数の変化との関係を示すグラフであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C03C 4/00 C03C 4/00 G02B 1/00 G02B 1/00 G03F 7/20 502 G03F 7/20 502 (56)参考文献 特開 平4−195101(JP,A) 特開 平6−166522(JP,A) 特開 平6−166528(JP,A) 特開 平6−227827(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C03B 20/00 C03B 8/04 C03C 3/06

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(a)ケイ素化合物を火炎中で加水分解せ
    しめてガラス微粒子を得、該ガラス微粒子を堆積させて
    多孔質ガラスを形成する工程と、 (b)前記多孔質ガラスをフッ素含有雰囲気中で加熱処
    理してフッ素ドープされた多孔質ガラスを得る工程と、 (c)前記フッ素ドープされた多孔質ガラスを透明化し
    てフッ素ドープされた合成石英ガラスを得る工程と、 (d)前記フッ素ドープされた合成石英ガラスを水素ガ
    ス含有雰囲気中、500℃より低い温度域で加熱処理し
    てフッ素及び水素がドープされた合成石英ガラスを得る
    工程と、 を含む、真空紫外線用合成石英ガラスの製造方法。
  2. 【請求項2】前記工程(c)において、前記多孔質ガラ
    スをフッ素含有雰囲気中で透明化する、請求項1に記載
    の真空紫外線用合成石英ガラスの製造方法。
  3. 【請求項3】前記工程(d)において、前記フッ素ドー
    プされた合成石英ガラスを水素ガス含有雰囲気中で50
    0℃以下の温度で加熱処理する、請求項1に記載の真空
    紫外線用合成石英ガラスの製造方法。
  4. 【請求項4】(e)前記フッ素ドープされた合成石英ガ
    ラスを10〜10ー10atmの酸素分圧を有する不
    活性ガス雰囲気中で700℃以上の温度で加熱処理する
    工程を、前記工程(c)と(d)との間に含む、請求項
    1に記載の真空紫外線用合成石英ガラスの製造方法。
  5. 【請求項5】(f)前記多孔質ガラスを塩素含有雰囲気
    中で加熱処理する工程を、前記工程(a)と(b)との
    間に含む、請求項1に記載の真空紫外線用合成石英ガラ
    スの製造方法。
  6. 【請求項6】前記工程(b)において、前記多孔質ガラ
    スを、フッ素化合物ガスを0.1〜100容量%含有す
    る不活性ガス雰囲気中、0.1〜10atmの圧力下で
    かつ1000〜1700℃の温度で加熱処理する、請求
    項1に記載の真空紫外線用合成石英ガラスの製造方法。
  7. 【請求項7】前記工程(c)において、前記多孔質ガラ
    スを、フッ素化合物ガスを0.1〜100容量%含有す
    る不活性ガス雰囲気中、0.1〜10atmの圧力下で
    かつ該ガラスの軟化点以上の温度で透明化する、請求項
    1に記載の真空紫外線用合成石英ガラスの製造方法。
  8. 【請求項8】前記工程(b)及び前記工程(c)を単一
    工程で行う、請求項1に記載の真空紫外線用合成石英ガ
    ラスの製造方法。
  9. 【請求項9】前記工程(d)において、前記フッ素ドー
    プされた合成石英ガラスを、水素ガスを0.1〜100
    容量%含有する不活性ガス雰囲気中、0.1〜10at
    mの圧力下でかつ0〜500℃の温度で加熱処理する、
    請求項1に記載の真空紫外線用合成石英ガラスの製造方
    法。
  10. 【請求項10】前記フッ素及び水素がドープされた合成
    石英ガラスが、100ppm以上のフッ素濃度及び1×
    1017molecules/cm 以上の水素分子
    濃度を有する、請求項1に記載の真空紫外線用合成石英
    ガラスの製造方法。
  11. 【請求項11】50ppm以上のフッ素濃度及び1×1
    17molecules/cm以上の水素分子濃度
    を有する、真空紫外線用合成石英ガラス光学部材。
  12. 【請求項12】 前記合成石英ガラスが、100ppm以
    上のフッ素濃度及び1×10 17 molecules/
    cm 以上の水素分子濃度を有する、請求項1に記載
    の方法により得られた真空紫外線用合成石英ガラス光学
    部材。
  13. 【請求項13】 前記合成石英ガラスが、100〜300
    00ppmのフッ素濃度及び1×10 17 〜1×10
    19 molecules/cm の水素分子濃度を有
    する、請求項12に記載の真空紫外線用合成石英ガラス
    光学部材。
  14. 【請求項14】 前記合成石英ガラスが、10ppb〜1
    00ppmのOH基濃度を有する、請求項12に記載の
    真空紫外線用合成石英ガラス光学部材。
  15. 【請求項15】投影光学系を用いてマスクのパターン像
    を基板上に投影露光する装置であって、 真空紫外線を露光光としてマスクを照明する照明光学系
    と、 請求項11または請求項12に記載の合成石英ガラス光
    学部材を含み、前記マスクのパターン像を基板上に形成
    する投影光学系と、 からなる投影露光装置。
  16. 【請求項16】投影光学系を用いてマスクのパターン像
    を基板上に投影露光する装置であって、 請求項11または請求項12に記載の合成石英ガラス光
    学部材を含み、真空紫外線を露光光としてマスクを照明
    する照明光学系と、 前記マスクのパターン像を基板上に形成する投影光学系
    と、 からなる投影露光装置。
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