JP3123301B2 - 角速度センサ - Google Patents
角速度センサInfo
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Description
測定を行う角速度センサに関するものである。
5と図6に示されている。図5に示す第1の従来例は、
音叉型振動子1の板状振動子1a,1bの外側面に駆動
用圧電素子2a,2bが配設されており、音叉型振動子
の底部1cには検出部3が突設されており、この検出部
3の両側面にはマグネットや電極などによる角速度の検
出手段(図示せず)が配設されている。底部1cは柱
(音叉軸)1dを介して固定板1eに連結されている。
この角速度センサによれば、駆動用圧電素子2a,2b
に励振信号が加わり、板状振動子1a,1bがそれぞれ
図示の矢印V1,V2のような逆方向で同じ大きさに振
動し、この状態でZ軸周りに音叉型振動子1を回転させ
ると、互いに逆向きの図示F1とF2の方向、すなわ
ち、振動方向に直交し、かつ、回転軸(Z軸)に直交す
る方向に慣性力(コリオリ力)が発生する。この逆向き
のコリオリ力によるトルクが音叉型振動子1に働いて、
音叉型振動子1は捩れ振動を起こし、この捩れ振動の振
幅の大きさを検出手段3により検出して、これを角速度
信号として出力するものである。
工によって作製されるため、微細加工が行えず、検出精
度が悪く、また、大型なものであった。一方、図6に示
す第2の従来例のものは、これらの欠点を改良しようと
したものであり、文献(PROCEEDING FOR MICRO ELECTRO
MECHANICAL SYSTEMS Feb.7−10,1993 )等で知られて
いる。同図に示す角速度センサは、シリコン基板等の半
導体基板を用いて半導体微細加工技術により形成されて
いる。基板25上の中央部には固定電極5が形成されてお
り、この固定電極5の左右両側には音叉状振動子の振動
板7,8がその角部7a,7b,8a,8bを固定部14
cに連結させて浮遊状態で配設されており、基板25と、
この基板25から浮遊している振動板7,8の各浮遊空間
を挟んだ対向面には電極(図示せず)が配設されてい
る。振動板7,8には複数の穴9が開口されており、各
振動板7,8の左右両側に櫛形電極10a,10b,11a,
11bが突設形成されており、固定電極5にも櫛形電極5
a,5bが形成されており、この櫛形電極5a,5bは
振動板7,8の櫛形電極10a,11aと僅かな間隙を介す
るよう形成されている。
極5の櫛形電極5a,5bと、振動板7,8の櫛形電極
10a,11a間に振動駆動信号が加わり、振動板7,8が
それぞれ図示のV1 ,V2 のように逆方向で同じ大きさ
に振動し、この状態でY軸周りに回転すると、振動板7
には図示のF2 方向に、また、振動板8には図示のF1
方向に、それぞれ振動方向およびY軸に直交するように
慣性力(コリオリ力)が発生する。この逆向きのコリオ
リ力によって振動板7,8に捩れ振動が生じ、この捩れ
振動の振幅変化を基板25と振動板7,8に対向配設され
た電極間の静電容量の変化として検出し、これを角速度
の検出信号として出力するものである。
来例によれば、微細加工技術を用いて製作されるため、
第1の従来例に比べて非常に加工精度よく小型化され
る。
場合、半導体の優れた機械特性から高いQ値をもたせる
ように作製することが可能であるが、第2の従来例の場
合には、以下に示すようにQ値が低くなるという問題を
生じた。すなわち、第2の従来例では、音叉型振動子の
振動板7,8が角部7a,7b,8a,8bを通じて固
定部14cに直結しているため、振動板7,8に発生する
捩れ振動により角部7a,7b,8a,8bと直結部と
の間に大きな歪みが生じ、捩れ振動を起こす振動エネル
ギの多くが固定部14cから外部伝搬エネルギとして消費
される。したがって、音叉振動子のねじれ振動に関する
Q値が低くなり、検出分解能が悪くなった。
って作製される図5に示す角速度センサでは元々Q値を
高くすることが難しく、それに加えて板状振動子1a,
1bが底部1cと柱1dを介して固定板1eに連結され
ているため、板状振動子1a,1bに捩れ振動を起こす
振動エネルギの多くは底部1cと柱1dを介して固定板
1e側へ外部伝搬エネルギとして消費される。このた
め、板状振動子1a,1bのQ値が一層低くなり、角速
度の分解能が高い角速度センサを得ることが大変難しか
った。
になされたものであり、その目的は、捩れ振動する振動
子のQ値を高くし、検出分解能の優れた角速度センサを
提供することにある。
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明は、駆動入力によって音叉振動を行い、音叉軸回り
の回転作用を受けてコリオリ力による音叉軸回りのトル
クを発生する音叉振動子と、前記音叉振動子が発生する
トルクによって捩れ振動を行う検出捩れ振動子とを備
え、前記検出捩れ振動子の振動の大きさによって音叉軸
回りの回転角速度を検出する角速度センサであって、前
記検出捩れ振動子の外側には該検出捩れ振動子の捩れ振
動の外部伝搬エネルギ損失を緩和する緩衝捩れ振動子が
設けられていることを特徴として構成されている。
の状態で音叉軸回りの回転作用を受けると、音叉軸と音
叉振動方向にそれぞれ直交するようにコリオリ力が生
じ、このコリオリ力により音叉軸回りにトルクが発生
し、このトルクにより検出捩れ振動子は捩れ振動する。
この捩れ振動の振幅の大きさを検出して、これを角速度
の検出信号として出力する。検出捩れ振動子の外側には
緩衝捩れ振動子が設けられており、検出捩れ振動子の捩
れ振動と共に緩衝捩れ振動子を捩れ振動させることによ
って、検出捩れ振動子の捩れ振動の外部伝搬エネルギ損
失が緩衝捩れ振動子の捩れ振動によって緩和されるの
で、この捩れ振動の外部伝搬エネルギ損失が極めて小さ
くなり、Q値の低下が抑制され、角速度の検出分解能が
高く、検出感度の優れたものとなる。
導体基板上に半導体微細加工技術を用いて形成した場合
には、機械特性のQ値を高く作製することが可能とな
り、かつ、緩衝捩れ振動子により捩れ振動の外部伝搬エ
ネルギ損失が緩和されるので、機械特性のQ値は低下が
抑制され、検出分解能は一層優れたものとなる。
説明する。図1には、本発明に係る角速度センサの基本
的な一構成が示されている。同図において、音叉振動子
12は、おもり部17a,17bと、このおもり部17a,17b
を連結支持するコ字形状の板部19a,19bとを有して構
成されている。音叉振動子12の中央、つまり、おもり部
17a,17b間には固定駆動電極18が配設され、おもり部
17a,17bと固定駆動電極18との各対向面には電極(図
示せず)が形成されている。
振動子13が音叉軸としての連結部26a,26bを介して連
結されており、検出捩れ振動子13の外側には、前記検出
捩れ振動子13の捩れ振動のエネルギが外部伝搬エネルギ
として損失されるのを緩和する枠状の緩衝捩れ振動子15
が、連結部27a,27bを介して連結されている。さら
に、この緩衝捩れ振動子15は、連結部28a,28bを介し
て固定枠14cに連結されている。
場合、つまり、検出捩れ振動子13を固定枠14cに直
接連結させた場合には、角速度検出の際に生ずる検出捩
れ振動子13の捩れ振動は、固定枠14cと検出捩れ振
動子13との間、つまり、それらを連結する部分の固定
枠14c側の付け根部分に大きな歪みを生じて、捩れ振
動のエネルギの多くは固定枠14c側へ外部伝搬エネル
ギとして消費されてしまうが、本基本構成では、検出捩
れ振動子13と固定枠14cとの間に緩衝捩れ振動子1
5を設けることで、捩れ振動のエネルギが検出捩れ振動
子13を捩れ振動させると共に、緩衝捩れ振動子15を
検出捩れ振動子13の動きに連動させ、捩れ振動子の外
部伝搬エネルギ損失を緩和させている。具体的には、緩
衝捩れ振動子15の固有振動周波数を検出捩れ振動子1
3のそれよりも十分低くすることにより、検出捩れ振動
子13と緩衝捩れ振動子15との間、つまり、連結部2
7a,27bの付け根部分、および、緩衝捩れ振動子1
5と固定枠14cとの間、つまり、連結部28a,28
bの付け根部分に生ずる歪みを緩和するように、緩衝捩
れ振動子15を検出捩れ振動子13の動きに位相差がな
いよう連動させ、捩れ振動の外部伝搬エネルギ損失を緩
和している。
ーン(図示せず)が形成されており、さらに、この電極
パターンに対向する上部固定側(図示せず)に固定検出
電極が形成されて角速度センサが構成されている。
は、固定駆動電極18と音叉振動子12に駆動入力としての
交流電圧等を加えると、固定駆動電極18と音叉振動子12
との間に静電力が発生し、音叉振動子12のおもり部17
a,17bは、同図の(b)に示すように、図示の矢印V
1 ,V2 のように反対方向で同じ大きさに音叉振動す
る。この状態で音叉軸周りに角速度センサが回転する
と、図示のF1 ,F2 方向のように互いに逆方向で、音
叉振動方向および音叉軸方向とは直角方向にコリオリ力
が発生する。この逆方向のコリオリ力F1 ,F2 によ
り、検出捩れ振動子13は捩れ振動を起こす。
には緩衝捩れ振動子15が設けられているので、検出捩
れ振動子13の捩れ振動は、緩衝捩れ振動子15により
緩和されて固定枠14cに伝搬されるため、連結部27
a,27bの緩衝捩れ振動子15側の付け根部分、およ
び、連結部28a,28bの固定枠14c側の付け根部
分に大きな歪を生ずることがない。したがって、捩れ振
動のエネルギは、固定枠14c側へ外部伝搬エネルギと
して消費されることが少くなるため、検出捩れ振動子1
3のQ値の低下が抑制される。
伝搬エネルギ損失が緩和される捩れ振動の振幅を、検出
捩れ振動子13の電極パターンと、これに対向する固定検
出電極との間の静電容量の変化として検出し、これを角
速度の検出信号として出力する。
出捩れ振動子13と固定枠14cとの間に緩衝捩れ振動子15
が設けられているため、検出捩れ振動子13の捩れ振動の
外部伝搬エネルギ損失は小さいので、検出捩れ振動子13
のQ値の低下が抑制され、検出分解能は高く、検出感度
が優れたものとなる。
センサの具体的な実施例を、図2を用いて説明する。本
実施例の角速度センサは、シリコン基板等の半導体基板
を利用して半導体微細加工技術によって形成されてい
る。シリコン基板14表面には、ボロンを拡散させたポリ
シリコンよりなる固定枠14c部分と、固定駆動電極18部
分とを残して凹部30が形成されている。この凹部30に
は、固定駆動電極18を囲むように音叉振動子12が、ま
た、この音叉振動子12を囲むように検出捩れ振動子13
が、さらに、検出捩れ振動子13を囲むように緩衝捩れ振
動子15が、それぞれ浮遊状態で形成されている。音叉振
動子12は連結部26a,26bを介して検出捩れ振動子13
に、検出捩れ振動子13は連結部27a,27bを介して緩衝
捩れ振動子15に、緩衝捩れ振動子15は連結部28a,28b
を介して固定枠14cに連結されている。これら音叉振動
子12と検出捩れ振動子13と緩衝捩れ振動子15もボロンを
拡散させたポリシリコンよりなり、低抵抗に形成されて
いる。
基部29a,29bと、おもり部17a,17bを基部29a,29
bへと連結支持する一対ずつの板ばね部21,22,23,24
とにより構成されており、おもり部17a,17bは固定駆
動電極18に対向配置されており、基部29a,29bは連結
部26a,26bに連結されている。
周波数は板ばね部21,22,23,24のばね定数に
よって、検出捩れ振動子13のそれは連結部27a,2
7bのばね定数によって、緩衝捩れ振動子15のそれは
連結部28a,28bの各ばね定数によってそれぞれ決
定される。角速度センサの検出精度を上げるために、音
叉振動子12と検出捩れ振動子13との固有振動周波数
をほぼ一致させるように板ばね部21,22,23,2
4と連結部27a,27bのばね定数を決定し、捩れ振
動が大きな振幅で発生するようにしている。
31が、また、連結部26a,26b,27a,27
b,28a,28bを含む検出捩れ振動子13上と緩衝
捩れ振動子15上と固定部14c上の所望領域に所要数
のリードパターンが、酸化シリコン(SiO)等の絶縁
層32を介して形成されている。このリードパターンは
音叉振動子12や検出電極31等より引き出されてい
る。
12、検出捩れ振動子13、緩衝捩れ振動子15、固定枠14c
等の上部全面にはガラス基板20が配設されており、この
ガラス基板20は、固定駆動電極18と、固定枠14cとに陽
極接合方法等により接合固定されている。このガラス基
板20には、検出捩れ振動子13上の検出電極31と対向する
位置に、アルミニウム等により電極33が形成されてお
り、角速度を受けたとき捩れ振動によって変化する検出
捩れ振動子13の検出電極31と、ガラス基板20の電極33と
の間の静電容量を角速度信号として検出する。さらに、
ガラス基板20には、固定駆動電極18と検出捩れ振動子13
に対向位置する箇所、および、その他必要箇所に、適当
数の電極取出口25が開口されており、この電極取出口25
を利用して固定駆動電極18は駆動回路(図示せず)等
に、また、検出捩れ振動子13の検出電極31とガラス基板
20の電極33とは信号検出回路(図示せず)等に接続さ
れ、その他所望の箇所に必要な電気的接続が施されて、
本実施例の角速度センサが構成されている。
サの製造工程を、図3を用いて説明する。この角速度セ
ンサは1枚の単結晶シリコンウエハ上に作製される複数
チップのうちの1チップとして半導体微細加工技術を用
いて形成され、これらのチップは単結晶シリコンウエハ
上に複数形成されている。図3に示すものは、1チップ
に形成される角速度センサの、図2に示すもののB−
B′断面部分を示している。図3の(a)では、単結晶
シリコンよりなる基板14表面の、図2の凹部30に相当す
る位置に約2μm程度の窪み34をエッチング等により形
成する。次に、図3の(b)では、PSG(Phosho-Sil
icate Glass )膜を全面に成膜した後、窪み34部分だけ
にPSG膜35が残るようレジスト等をマスクにしてパタ
ーニングする。次に、同図の(c)では、ボロン等を拡
散させて低抵抗にしたポリシリコン層36を約5μm程度
全面にCVD(Chemical Vapor Deposition )法等によ
り積層形成する。その後、検出捩れ振動子13、連結部26
a,26b,27a,27b,28a,28b上等の所望領域のリ
ードパターン形成部分と検出電極31形成部分に、酸化シ
リコン等の絶縁層32を形成する。次に、この絶縁層32形
成部分に、金属電極としてのアルミニウム薄膜を製膜し
て、検出電極31と、所要数のリードパターンとを形成す
る。
スクとしてRIE(Reactive Ion Etching)等のドライ
エッチング技術により、ポリシリコン層36を音叉振動子
12、検出捩れ振動子13、緩衝捩れ振動子15、固定駆動電
極18、連結部26a,26b,27a,27b,28a,28bのそ
れぞれの形状に加工する。また、これら音叉振動子12等
の側面が、基板14に対して垂直となるようRIE等のエ
ッチング工程で、基板14の温度を低温にすることが望ま
しい。その後、弗酸等のエッチング液で前記PSG膜35
をエッチングして除去し、音叉振動子12、検出捩れ振動
子13、緩衝捩れ振動子15、連結部26a,26b,27a,27
b,28a,28bを基板14から浮いた状態にする。
(d)に示す状態の上部全面にガラス基板20を載せる。
このガラス基板20面には、検出捩れ振動子13の検出電極
31と対向する位置にアルミニウム等により電極33が形成
され、さらに、このガラス基板20には、固定駆動電極18
と検出捩れ振動子13に対向する位置や必要な箇所に適当
数の電極取出口25が開口されている。
固定駆動電極18部分に陽極接合等により接合固定する。
その結果、捩れ振動子13とガラス基板20との間には約1
μm程度の間隙ができる。
リコンウエハ上に複数形成した角速度センサのチップを
1チップずつ切断し、その後、ガラス基板20の電極取出
口25を利用して、半田37等により固定駆動電極18やガラ
ス基板20の電極33等の所望の箇所のそれぞれにリード線
38が接続固定され、駆動回路や信号検出回路等の所望の
回路に接続され、角速度センサが作製される。
(f)に示される工程段階で、減圧雰囲気中で製造を行
うと、内部が減圧雰囲気になり、音叉振動子12と検出捩
れ振動子13のQ値が高くなり、角速度センサを高分解能
にすることができる。
サの角速度の検出動作を、図4に示す斜視図を用いて説
明する。同図において、固定駆動電極18と音叉振動子12
に駆動入力としての交流電圧が加わると、低抵抗に形成
されている音叉振動子12と固定駆動電極18との間に静電
力が発生し、音叉振動子12のおもり部17a,17bは、例
えば、図示の矢印V1 ,V2 方向のような反対向きに音
叉振動し、この状態で角速度を受けて音叉軸周りに回転
すると、おもり部17a,17bに、図示の矢印F1 ,F2
方向のような音叉軸および音叉振動方向に直交する逆向
きのコリオリ力が発生する。このコリオリ力による音叉
軸回りのトルクが検出捩れ振動子13に作用して、検出捩
れ振動子13は捩れ振動を起こす。
衝捩れ振動子15は、連結部28a,28bの固定枠1
4c側に大きな歪みを生ずることなく連動する。したが
って、検出捩れ振動子13の捩れ振動の振動エネルギ
は、固定枠14c側へ外部伝搬エネルギとして大きく消
費されることがない。この検出捩れ振動子13の捩れ振
動の振幅変化を検出捩れ振動子13に形成されている検
出電極31と、ガラス基板20に形成されている電極3
3との間の静電容量の変化として検出して、これを角速
度の検出信号として出力する。
同様に、検出捩れ振動子13と固定枠14cとの間に緩
衝捩れ振動子15を介設しているので、検出捩れ振動子
13の捩れ振動は緩衝捩れ振動子15により緩和されて
固定枠14cに伝搬する。したがって、連結部28a,
28bの固定枠14c側の付け根部分には従来例のよう
に大きな歪を生ずることがないので、検出捩れ振動子1
3の捩れ振動の外部伝搬エネルギ損失は小さくなり、検
出捩れ振動子13のQ値の低下が抑制される。すなわ
ち、角速度センサの検出分解能を高く、検出感度を優れ
たものにすることができる。
コン半導体基板を利用してエッチング等の半導体微細加
工技術により作製しているので、機械的特性のQ値を高
く形成することが可能となる。したがって、本実施例の
ように、検出捩れ振動子13と固定枠14cとの間に緩衝捩
れ振動子15を設ければ、検出捩れ振動子13の外部伝搬エ
ネルギ損失によるQ値の低下を抑制できるので、角速度
センサのQ値は一層高いものとなり、検出分解能をより
高く、検出感度をより優れたものにすることができる。
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、音叉
振動子12と検出捩れ振動子13と緩衝捩れ振動子15とを別
々に形成したが、これらを一体に形成して音叉振動子12
と検出捩れ振動子13とを兼用してもよい。この兼用する
振動子を兼用振動子とすれば、兼用振動子には駆動入力
による音叉振動と、コリオリ力による捩れ振動が発生す
ることになる。
出捩れ振動子13の内側に配設したが、音叉振動子12を緩
衝捩れ振動子15の機能も兼用するように構成すれば、音
叉振動子12を検出捩れ振動子13の外側に配設してもよ
い。
13の周囲に緩衝捩れ振動子15を一重だけ形成したが、二
重や三重などの多重に緩衝捩れ振動子15を形成してもよ
い。
固定枠14cに陽極接合方法によって接合固定したが、共
晶接合等の他の方法によって接合固定してもよい。
ムにより形成したが、他の導体金属により形成してもよ
い。
の各固有振動周波数が一致して、各振動子12、13が共振
するように角速度センサを作製すると、検出捩れ振動子
13の捩れ振動の振幅を大きくすることができるので検出
精度が向上して望ましいが、そのように角速度センサを
作製することは製作上のばらつきにより大変困難であ
る。そこで、図1の(a)に点線で表したように、連結
部26a,26b上に振動調整手段として圧電素子39a,39
bを配設し、圧電素子39a,39bに電圧を印加して反り
変形させ、音叉振動子12の板ばね部19a,19bに引っ張
り応力を作用させ、音叉振動子12の固有振動周波数を高
くし、検出捩れ振動子13のそれと等しくなるように制御
できる構成としてもよい。通常、この場合には、予め音
叉振動子12の固有振動周波数を検出捩れ振動子13のそれ
よりも低く形成しておく。このようにすることによっ
て、製作上のばらつきがあっても音叉振動子12と検出捩
れ振動子13の各固有振動周波数が一致して、Q値が飛躍
的に高まり角速度の検出分解能を良くすることができ
る。また、この場合、振動調整手段は圧電素子39a,39
bでなくとも、歪変形が制御できるものであればその他
の素子でもよい。
3、緩衝捩れ振動子15の形状は、図1に示した基本構成
や、図2に示した実施例のものに限定されるものではな
い。
捩れ振動子を設けたので、検出捩れ振動子の捩れ振動
は、この緩衝捩れ振動子により緩和される。すなわち、
検出捩れ振動子の捩れ振動の外部伝搬エネルギは緩衝捩
れ振動子を捩れ振動させた後外部に伝搬する。したがっ
て、捩れ振動の外部伝搬エネルギ損失は緩和されるた
め、検出捩れ振動子のQ値の低下が抑制され、角速度セ
ンサの検出分解能は高く、検出感度は優れたものにな
る。
を利用して半導体微細加工技術によって作製される場合
には、角速度センサのQ値を高く作製することが可能と
なり、かつ、緩衝捩れ振動子によってQ値の低下が抑制
されるので、検出分解能は一層高く、検出感度は一層優
れたものになる。
説明図である。
である。
る。
を示す説明図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 駆動入力によって音叉振動を行い、音叉
軸回りの回転作用を受けてコリオリ力による音叉軸回り
のトルクを発生する音叉振動子と、前記音叉振動子に連
結され前記音叉振動子が発生するトルクによって捩れ振
動を行う検出捩れ振動子とを備え、前記検出捩れ振動子
の振動の大きさによって音叉軸回りの回転角速度を検出
する角速度センサであって、前記検出捩れ振動子の外側
に配設されて連結され前記検出捩れ振動子の捩れ振動の
外部伝搬エネルギ損失を緩和する緩衝捩れ振動子が設け
られている角速度センサ。
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