JP3120884B2 - ＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材 - Google Patents
ＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材Info
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程で使用
されるサセプタ、ヒータ、ルツボ等や、核融合炉炉壁
材、タービンブレード、航空用ブレーキ材、宇宙航空機
体用ＳｉＣ複合材として用いられるＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複
合材に関するものである。
されるサセプタ、ヒータ、ルツボ等や、核融合炉炉壁
材、タービンブレード、航空用ブレーキ材、宇宙航空機
体用ＳｉＣ複合材として用いられるＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複
合材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材が半導体
分野で広く用いられている。これは、Ｃ／Ｃ複合基材の
表面に、ＣＶＤ法等の気相成長法や、けい化法、塗布
法、含浸法等によってＳｉＣ層をコーティングしたもの
である。Ｃ／Ｃ複合基材は熱伝導性が良好で高周波誘導
加熱によって均一に加熱できると共に、耐熱衝撃性に優
れ、かつ高純度化が可能である。従って高温部材として
適している。しかし、Ｃ／Ｃ複合基材はガスを吸収し易
く加熱時にそれを放出するため、表面にＳｉＣ層を形成
してこれを防止している。
分野で広く用いられている。これは、Ｃ／Ｃ複合基材の
表面に、ＣＶＤ法等の気相成長法や、けい化法、塗布
法、含浸法等によってＳｉＣ層をコーティングしたもの
である。Ｃ／Ｃ複合基材は熱伝導性が良好で高周波誘導
加熱によって均一に加熱できると共に、耐熱衝撃性に優
れ、かつ高純度化が可能である。従って高温部材として
適している。しかし、Ｃ／Ｃ複合基材はガスを吸収し易
く加熱時にそれを放出するため、表面にＳｉＣ層を形成
してこれを防止している。
【０００３】しかしながら、ＳｉＣ被膜とＣ／Ｃ複合基
材は熱膨張係数が異なるため、急熱急冷を繰り返すヒー
トサイクルによって、ＳｉＣ被膜にクラックが生じたり
剥離する等の不都合が生じている。また、両者は機械的
性質も異なるので、全体的強度の点でもマイナスであ
る。
材は熱膨張係数が異なるため、急熱急冷を繰り返すヒー
トサイクルによって、ＳｉＣ被膜にクラックが生じたり
剥離する等の不都合が生じている。また、両者は機械的
性質も異なるので、全体的強度の点でもマイナスであ
る。
【０００４】ＳｉＣ被膜とＣ／Ｃ複合基材の熱膨張差を
吸収緩和するために、両者の間に中間層を形成すること
が試みられている。例えば、ＳｉＣ被膜をコーティング
する前にＣ／Ｃ複合基材にけい化処理を施し、その表層
部にけい化層を形成する。そして、けい化層の表面にＳ
ｉＣ被膜をコーティングするのである。
吸収緩和するために、両者の間に中間層を形成すること
が試みられている。例えば、ＳｉＣ被膜をコーティング
する前にＣ／Ｃ複合基材にけい化処理を施し、その表層
部にけい化層を形成する。そして、けい化層の表面にＳ
ｉＣ被膜をコーティングするのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにし
てＳｉＣ被膜とＣ／Ｃ複合基材の間に形成した従来のけ
い化層は、表層部が炭素繊維の中心部まで１００％また
はそれに近い比率でけい化されている。このため、緩衝
層として充分に機能せず、他方では機械的強度の低下も
生じている。このため、依然として、ＳｉＣ被膜の剥離
等の問題が生じ、充分な製品寿命が得られていない状況
にある。
てＳｉＣ被膜とＣ／Ｃ複合基材の間に形成した従来のけ
い化層は、表層部が炭素繊維の中心部まで１００％また
はそれに近い比率でけい化されている。このため、緩衝
層として充分に機能せず、他方では機械的強度の低下も
生じている。このため、依然として、ＳｉＣ被膜の剥離
等の問題が生じ、充分な製品寿命が得られていない状況
にある。
【０００６】本発明は、Ｃ／Ｃ複合基材とＳｉＣ被膜の
熱的及び機械的マッチングを良好に行い、耐熱衝撃性に
優れ機械的強度も充分に高く、製品としての耐用寿命が
長いＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材を提供することを目的とし
ている。
熱的及び機械的マッチングを良好に行い、耐熱衝撃性に
優れ機械的強度も充分に高く、製品としての耐用寿命が
長いＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材を提供することを目的とし
ている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、Ｃ繊維を含
むＣ／Ｃ複合基材にＳｉＣ層を被覆したＳｉＣ被覆Ｃ／
Ｃ複合材において、Ｃ／Ｃ複合基材とＳｉＣ層の間に強
化層を設け、強化層がＣ／Ｃ複合基材を部分的にけい化
処理することによって構成されていて、強化層の厚さが
ＳｉＣ層の厚さの７／１０〜１０／７倍でありかつＣ繊
維直径の１０〜３０倍であって、強化層におけるけい化
部分の総断面積がけい化されていないＣ繊維の総断面積
の１／９〜１倍であることを特徴とするＳｉＣ被覆Ｃ／
Ｃ複合材を要旨としている。
むＣ／Ｃ複合基材にＳｉＣ層を被覆したＳｉＣ被覆Ｃ／
Ｃ複合材において、Ｃ／Ｃ複合基材とＳｉＣ層の間に強
化層を設け、強化層がＣ／Ｃ複合基材を部分的にけい化
処理することによって構成されていて、強化層の厚さが
ＳｉＣ層の厚さの７／１０〜１０／７倍でありかつＣ繊
維直径の１０〜３０倍であって、強化層におけるけい化
部分の総断面積がけい化されていないＣ繊維の総断面積
の１／９〜１倍であることを特徴とするＳｉＣ被覆Ｃ／
Ｃ複合材を要旨としている。
【０００８】
【作用】Ｃ／Ｃ複合基材とＳｉＣ層の間に形成された強
化層は、熱的及び機械的にＣ／Ｃ複合基材とＳｉＣ層の
中間的性質を有する。従って、Ｃ／Ｃ複合基材とＳｉＣ
層を熱的及び機械的に良好にマッチングすることができ
る。
化層は、熱的及び機械的にＣ／Ｃ複合基材とＳｉＣ層の
中間的性質を有する。従って、Ｃ／Ｃ複合基材とＳｉＣ
層を熱的及び機械的に良好にマッチングすることができ
る。
【０００９】
【実施例】強化層の厚さをＳｉＣ層の厚さの７／１０〜
１０／７倍にしたのは、これが７／１０倍未満であると
Ｃ／Ｃ複合基材とＳｉＣ層の熱膨張差を充分に吸収でき
ないからである。また、１０／７倍を超えると強化層が
厚くなりすぎて、けい化処理の段階で強化層の外側部分
のけい化が進みすぎてけい化度１００％の層が形成され
る可能性があるからである。
１０／７倍にしたのは、これが７／１０倍未満であると
Ｃ／Ｃ複合基材とＳｉＣ層の熱膨張差を充分に吸収でき
ないからである。また、１０／７倍を超えると強化層が
厚くなりすぎて、けい化処理の段階で強化層の外側部分
のけい化が進みすぎてけい化度１００％の層が形成され
る可能性があるからである。
【００１０】強化層の厚さをＣ繊維の直径の１０〜３０
倍に設定したのは、これが１０倍未満であると強化層の
厚さが不充分となり、熱膨張差を充分に吸収できないか
らである。また３０倍を超えると、強化層が厚くなりす
ぎて、前述したように、けい化処理によって部分的にけ
い化度１００％の層が形成される恐れがあるからであ
る。
倍に設定したのは、これが１０倍未満であると強化層の
厚さが不充分となり、熱膨張差を充分に吸収できないか
らである。また３０倍を超えると、強化層が厚くなりす
ぎて、前述したように、けい化処理によって部分的にけ
い化度１００％の層が形成される恐れがあるからであ
る。
【００１１】所定位置で断面をとった場合に、強化層に
おけるけい化部分の総断面積がけい化されていないＣ繊
維の総断面積の１／９〜１倍になるように設定したの
は、この範囲内であると、強化層の熱的及び機械的性質
がＣ／Ｃ複合基材とＳｉＣ層の性質の中間的値を有し、
良好なマッチングが可能になるからである。
おけるけい化部分の総断面積がけい化されていないＣ繊
維の総断面積の１／９〜１倍になるように設定したの
は、この範囲内であると、強化層の熱的及び機械的性質
がＣ／Ｃ複合基材とＳｉＣ層の性質の中間的値を有し、
良好なマッチングが可能になるからである。
【００１２】ＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材の製造方法を簡単
に説明する。まず、Ｃ／Ｃ複合基材の表面に多孔性のＳ
ｉＣ被膜を形成する。被覆はＣＶＤ法や他の気相成長
法、または塗布法によって行ってもよい。次に、多孔性
ＳｉＣ被膜の上からけい化処理を行って、強化層を形成
する。最後に、強化層の表面に緻密なＳｉＣ被膜を形成
する。緻密ＳｉＣ被膜はＣＶＤ法によってＳｉＣ柱状結
晶となるように形成するのが望ましい。
に説明する。まず、Ｃ／Ｃ複合基材の表面に多孔性のＳ
ｉＣ被膜を形成する。被覆はＣＶＤ法や他の気相成長
法、または塗布法によって行ってもよい。次に、多孔性
ＳｉＣ被膜の上からけい化処理を行って、強化層を形成
する。最後に、強化層の表面に緻密なＳｉＣ被膜を形成
する。緻密ＳｉＣ被膜はＣＶＤ法によってＳｉＣ柱状結
晶となるように形成するのが望ましい。
【００１３】多孔性ＳｉＣ被膜の膜厚は５〜５０μｍに
設定するのが望ましい。この範囲の膜厚ならば、けい化
処理の際に適度な浸透が得られるからである。また、多
孔性ＳｉＣ被覆の孔径は、１〜５０μｍが望ましい。孔
径が１μｍ未満であると、この孔を通してのＣ／Ｃ複合
基材のけい化が行われにくくなる。５０μｍを超える
と、この孔を通してのＣ／Ｃ複合基材の表層部のけい化
が過度に進行し、けい化度が１００％の層が形成される
可能性がある。さらに望ましくは１０〜３０μｍに設定
する。
設定するのが望ましい。この範囲の膜厚ならば、けい化
処理の際に適度な浸透が得られるからである。また、多
孔性ＳｉＣ被覆の孔径は、１〜５０μｍが望ましい。孔
径が１μｍ未満であると、この孔を通してのＣ／Ｃ複合
基材のけい化が行われにくくなる。５０μｍを超える
と、この孔を通してのＣ／Ｃ複合基材の表層部のけい化
が過度に進行し、けい化度が１００％の層が形成される
可能性がある。さらに望ましくは１０〜３０μｍに設定
する。
【００１４】強化層の厚さは前述の条件を満し、しかも
５０〜１５０μｍにするのが望ましい。
５０〜１５０μｍにするのが望ましい。
【００１５】Ｃ繊維の直径が５〜１０μｍで、ＳｉＣ層
の厚みが５０〜２００μｍが好ましい。
の厚みが５０〜２００μｍが好ましい。
【００１６】Ｃ／Ｃ複合基材は、ＰＡＮ系、ピッチ系、
セルロール系のＣファイバーがフィラーで、ピッチ含
浸、焼成、ＣＶＩによりカーボンを含浸したマトリック
スからなる材料である。Ｃ／Ｃ複合基材の種類は製品の
用途に合せて適当に選択する。例えば、半導体製造具と
しては密度が１．６０〜１．８５ｇ／ｃｍ3 で２次元材
または短繊維系のものが用いられ、また、航空宇宙用耐
熱材としては密度が１．７０〜１．８５ｇ／ｃｍ3 で１
次元の積層構造のものが用いられる。Ｃ／Ｃ複合基材の
厚さは半導体用が１０〜３０ｍｍで、航空用が１〜１０
ｍｍであることが望ましい。
セルロール系のＣファイバーがフィラーで、ピッチ含
浸、焼成、ＣＶＩによりカーボンを含浸したマトリック
スからなる材料である。Ｃ／Ｃ複合基材の種類は製品の
用途に合せて適当に選択する。例えば、半導体製造具と
しては密度が１．６０〜１．８５ｇ／ｃｍ3 で２次元材
または短繊維系のものが用いられ、また、航空宇宙用耐
熱材としては密度が１．７０〜１．８５ｇ／ｃｍ3 で１
次元の積層構造のものが用いられる。Ｃ／Ｃ複合基材の
厚さは半導体用が１０〜３０ｍｍで、航空用が１〜１０
ｍｍであることが望ましい。
【００１７】緻密なＳｉＣ被膜の厚さは２０〜２０００
μｍが望ましい。２０μ未満であると表面の被覆が不充
分で耐酸化性に劣ってしまう。また２０００μｍを超え
ると使用に際しＳｉＣ被覆の歪が大きくなり、クラッ
ク、剥離を生じ易い。より望ましくは４０〜１２０μｍ
である。
μｍが望ましい。２０μ未満であると表面の被覆が不充
分で耐酸化性に劣ってしまう。また２０００μｍを超え
ると使用に際しＳｉＣ被覆の歪が大きくなり、クラッ
ク、剥離を生じ易い。より望ましくは４０〜１２０μｍ
である。
【００１８】図示例 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
【００１９】密度１．８ｇ／ｃｍ3 、ＰＡＮ系２次元の
黒鉛繊維を含有するＣ／Ｃ複合基材５（２×５×３０ｍ
ｍ）を反応炉内に設置し、反応温度１５００℃で反応ガ
スとしてＳｉＣｌ4 ，ＣＨ4 及びＨ2 を流し、蒸着スピ
ード１〜１０μｍ／ｈｒでＣＶＤ反応を行い、厚さ２０
μｍ、孔径１〜５０μｍの多孔性のＳｉＣ被膜３を形成
した。
黒鉛繊維を含有するＣ／Ｃ複合基材５（２×５×３０ｍ
ｍ）を反応炉内に設置し、反応温度１５００℃で反応ガ
スとしてＳｉＣｌ4 ，ＣＨ4 及びＨ2 を流し、蒸着スピ
ード１〜１０μｍ／ｈｒでＣＶＤ反応を行い、厚さ２０
μｍ、孔径１〜５０μｍの多孔性のＳｉＣ被膜３を形成
した。
【００２０】ついで、反応温度１５００℃で反応ガスと
してＳｉＯガスを流し、Ｃ／Ｃ複合基材１の表層部にけ
い化処理を施し、厚さ２００μｍの強化層４を形成し
た。このけい化処理に際し、多孔性のＳｉＣ被膜３はマ
スクとして機能する。多孔性ＳｉＣ被膜３によって強化
層４の表層部におけるけい化が適度に抑制され、けい化
度１００％の領域は形成されず、Ｃ／Ｃ複合基材の表層
部が選択的に深部までけい化される。図１では強化層４
におけるけい化部分を符号９で示した。また、反応等は
未だ充分解明されていないが、Ｃ充填物の方が繊維より
選択的にけい化され、繊維８のけい化はその表層部でわ
ずかに表面にとどまり、中心部までには達していない。
けい化部は０．０５〜０．１μｍのＳｉＣ微結晶層とな
る。強化層４では、けい化部分９の総断面積がけい化さ
れていないＣ繊維８の総断面積の約１倍になっている。
また、強化層４の厚さはＳｉＣ層２の厚さの約８〜１０
倍、Ｃ繊維１０の直径の約１０倍になっている。図１の
例では強化層４とＣ／Ｃ複合基材５の境界が平面になっ
ているが、実際には図２に示すように凹凸になる。
してＳｉＯガスを流し、Ｃ／Ｃ複合基材１の表層部にけ
い化処理を施し、厚さ２００μｍの強化層４を形成し
た。このけい化処理に際し、多孔性のＳｉＣ被膜３はマ
スクとして機能する。多孔性ＳｉＣ被膜３によって強化
層４の表層部におけるけい化が適度に抑制され、けい化
度１００％の領域は形成されず、Ｃ／Ｃ複合基材の表層
部が選択的に深部までけい化される。図１では強化層４
におけるけい化部分を符号９で示した。また、反応等は
未だ充分解明されていないが、Ｃ充填物の方が繊維より
選択的にけい化され、繊維８のけい化はその表層部でわ
ずかに表面にとどまり、中心部までには達していない。
けい化部は０．０５〜０．１μｍのＳｉＣ微結晶層とな
る。強化層４では、けい化部分９の総断面積がけい化さ
れていないＣ繊維８の総断面積の約１倍になっている。
また、強化層４の厚さはＳｉＣ層２の厚さの約８〜１０
倍、Ｃ繊維１０の直径の約１０倍になっている。図１の
例では強化層４とＣ／Ｃ複合基材５の境界が平面になっ
ているが、実際には図２に示すように凹凸になる。
【００２１】上記けい化処理後、反応温度１３００℃で
反応ガスとしてメチルトリクロロシラン（ＭＴＣＳ）と
Ｈ2 を流し、蒸着スピード５〜１０μｍ／ｈｒでＣＶＤ
反応を行い、厚さ８０μｍの緻密なＳｉＣ柱状結晶から
なる被膜２を形成した。柱状結晶の径は５μｍである。
このＳｉＣ被膜２は、表層部のけい化層及び多孔性のＳ
ｉＣ被膜３と一体となっている。
反応ガスとしてメチルトリクロロシラン（ＭＴＣＳ）と
Ｈ2 を流し、蒸着スピード５〜１０μｍ／ｈｒでＣＶＤ
反応を行い、厚さ８０μｍの緻密なＳｉＣ柱状結晶から
なる被膜２を形成した。柱状結晶の径は５μｍである。
このＳｉＣ被膜２は、表層部のけい化層及び多孔性のＳ
ｉＣ被膜３と一体となっている。
【００２２】得られたＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材は、以下
に述べるヒートサイクルテストを施したがマイクロクラ
ックは全く発生せず、また剥離も生じなかった。
に述べるヒートサイクルテストを施したがマイクロクラ
ックは全く発生せず、また剥離も生じなかった。
【００２３】ヒートサイクルテストは、試験片を１２０
０℃まで昇温した炉内に挿入し、２分間保持した後、炉
外（室温約２５℃）へ取り出す操作を繰り返し行うもの
で、５回おきにその表面状態を目視により観察し、５０
回まで行った。
０℃まで昇温した炉内に挿入し、２分間保持した後、炉
外（室温約２５℃）へ取り出す操作を繰り返し行うもの
で、５回おきにその表面状態を目視により観察し、５０
回まで行った。
【００２４】また、曲げ強度を測定したところ、６５Ｍ
Ｐａであった。
Ｐａであった。
【００２５】比較例 実験例と同様のＣ／Ｃ複合基材を反応炉内に納置し、反
応温度１５００℃で反応ガスとしてＳｉＯガスを流し、
Ｃ／Ｃ複合基材の表層部にけい化処理を施し、厚さ２０
０μｍのけい化層を形成した。このけい化処理によっ
て、けい化度１００％領域が表面から８０〜１２０μｍ
の深さで全面に亘って形成された。
応温度１５００℃で反応ガスとしてＳｉＯガスを流し、
Ｃ／Ｃ複合基材の表層部にけい化処理を施し、厚さ２０
０μｍのけい化層を形成した。このけい化処理によっ
て、けい化度１００％領域が表面から８０〜１２０μｍ
の深さで全面に亘って形成された。
【００２６】ついで、反応温度１３００℃で反応ガスと
してＭＴＣＳ＋Ｈ2を流し、蒸着スピード５〜１０μｍ
／ｈｒでＣＶＤ反応を行い、厚さ８０μｍの緻密なＳｉ
Ｃ被膜を形成した。
してＭＴＣＳ＋Ｈ2を流し、蒸着スピード５〜１０μｍ
／ｈｒでＣＶＤ反応を行い、厚さ８０μｍの緻密なＳｉ
Ｃ被膜を形成した。
【００２７】得られたＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合体は、５回
のヒートサイクルテストでマイクロクラックが多数発生
し、ＳｉＣ被膜が剥離した。また、曲げ強度を測定した
ところ、３５ＭＰａであった。
のヒートサイクルテストでマイクロクラックが多数発生
し、ＳｉＣ被膜が剥離した。また、曲げ強度を測定した
ところ、３５ＭＰａであった。
【００２８】従って、本発明に係る実施例によるもの
は、耐熱衝撃性に優れていると共に、強度も優れている
ことがわかる。
は、耐熱衝撃性に優れていると共に、強度も優れている
ことがわかる。
【００２９】
【発明の効果】本発明のＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材におい
ては、強化層によってＣ／Ｃ複合基材とＳｉＣ被膜のマ
ッチングが良好に行われているので、耐熱衝撃性に優
れ、機械的強度も充分に高い。従って、本発明のＳｉＣ
被覆Ｃ／Ｃ複合材は従来品にくらべて高品質であって耐
用寿命が飛躍的に長い。
ては、強化層によってＣ／Ｃ複合基材とＳｉＣ被膜のマ
ッチングが良好に行われているので、耐熱衝撃性に優
れ、機械的強度も充分に高い。従って、本発明のＳｉＣ
被覆Ｃ／Ｃ複合材は従来品にくらべて高品質であって耐
用寿命が飛躍的に長い。
【図１】本発明のＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材の実施例を模
式的に示した断面図。
式的に示した断面図。
【図２】本発明のＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材の実施例を示
す断面図。
す断面図。
１ ＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材 ２ ＳｉＣ柱状結晶被膜 ３ 多孔質ＳｉＣ被膜 ４ 強化層 ５ Ｃ／Ｃ複合基材 ６ ＳｉＣ柱状結晶 ８ 表層のみがけい化されたＣ繊維 ９ けい化部 １０ Ｃ繊維 １１ 境界
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ０４Ｂ 35/83 Ｃ０４Ｂ 35/80 Ｂ (72)発明者 菅井 照夫 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番 地 東芝セラミックス株式会社小国製造 所内 (72)発明者 小池 弘明 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番 地 東芝セラミックス株式会社小国製造 所内 (72)発明者 保立 四郎 東京都新宿区西新宿１―26―２ 東芝セ ラミックス株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 41/80 - 41/91
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｃ繊維を含むＣ／Ｃ複合基材にＳｉＣ層
を被覆したＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材において、Ｃ／Ｃ複
合基材とＳｉＣ層の間に強化層を設け、強化層がＣ／Ｃ
複合基材を部分的にけい化処理することによって構成さ
れていて、強化層の厚さがＳｉＣ層の厚さの７／１０〜
１０／７倍でありかつＣ繊維直径の１０〜３０倍であっ
て、強化層におけるけい化部分の総断面積がけい化され
ていないＣ繊維の総断面積の１／９〜１倍であることを
特徴とするＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材。
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|---|---|---|---|
| JP03351272A JP3120884B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | ＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材 |
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|---|---|---|---|
| JP03351272A JP3120884B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | ＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05163086A JPH05163086A (ja) | 1993-06-29 |
| JP3120884B2 true JP3120884B2 (ja) | 2000-12-25 |
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ID=18416196
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|---|---|---|---|
| JP03351272A Expired - Fee Related JP3120884B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | ＳｉＣ被覆Ｃ／Ｃ複合材 |
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| JP (1) | JP3120884B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
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| EP2471764B1 (de) * | 2010-12-28 | 2016-05-11 | SGL Carbon SE | Verfahren zur Herstellung von Reibscheiben mit strukturierter keramischer Reibschicht |
| CN105645966B (zh) * | 2015-12-30 | 2018-02-23 | 南京航空航天大学 | 一种C/C‑SiC复合材料真空隔热板的制备方法 |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP03351272A patent/JP3120884B2/ja not_active Expired - Fee Related
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