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JP3119228B2 - 液晶表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示パネル及びその製造方法

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Publication number
JP3119228B2
JP3119228B2 JP10008718A JP871898A JP3119228B2 JP 3119228 B2 JP3119228 B2 JP 3119228B2 JP 10008718 A JP10008718 A JP 10008718A JP 871898 A JP871898 A JP 871898A JP 3119228 B2 JP3119228 B2 JP 3119228B2
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Japan
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aluminum
insulating film
display panel
crystal display
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明寿 前田
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NEC Corp
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NEC Corp
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Priority to EP99101025A priority patent/EP0930525A3/en
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    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置を構
成する液晶表示パネルに関し、特に、外部の駆動回路と
の接続をとる端子電極の構造とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄型・軽量を特徴とする液晶表示
装置、特に各画素毎にスイッチング素子を設けたアクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置が広く用いられてい
る。これは、アクティブマトリックス型液晶表示装置
が、一般に階調を容易に出せる，応答速度が速く動画に
適するという特徴を有しているためである。スイッチン
グ素子としては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やＭＩＭ
素子が利用されている。
【０００３】図１４は、アクティブマトリックス型液晶
表示パネルを示す断面図である。図１４に示すアクティ
ブマトリックス型液晶表示パネルは、スイッチング素子
を有するアクティブマトリックス基板１と、対向基板２
が約５μmの間隔で平行に配置され、これらとシール剤
３の間に液晶４が注入され、さらに両基板１，２の外側
に偏光板５が貼られて構成されている。
【０００４】図１５は、例えばＴＦＴを用いたアクティ
ブマトリックス型液晶表示パネルを示す構成図である。
図１５に示すＴＦＴを用いたアクティブマトリックス型
液晶表示パネルは、透明基板１１上に複数の走査線１２
と信号線１３が交差し、その交点にＴＦＴ１４が設けら
れている。ＴＦＴ１４は、スイッチングを行う半導体層
とゲート及びソース・ドレインの各電極から構成される
３端子素子である。１個のＴＦＴ１４には、１個の画素
電極１５が接続され、これらがマトリックス状に配置さ
れている。外部の駆動回路との接続を取るために、走査
線１２の始端（片側）には走査線端子１６、信号線１３
の始端（片側）には信号線端子１７がそれぞれ設けられ
ている。外部の駆動回路は、通常テープキャリアパッケ
ージ（ＴＣＰ）を介して、ＴＣＰとこれらの端子表面と
の間に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を挟んだ状態で圧
接され、電気的接続がとられる。
【０００５】図において、走査線１２のうち、例えばＸ
i が選択されて電圧パルスが印加されると、ゲート電圧
はしきい値電圧以上となり、これに連なる各ＴＦＴ１４
のゲートは同時にオンし、これらのオンしたＴＦＴ１４
のソースを通して各信号線１３より画像情報に対応した
信号電圧が各ＴＦＴ１４のドレインに伝達される。ドレ
インには画素電極１５が接続され、画素電極１５と液晶
層１８を挟んで他方の基板上に形成された対向電極１９
との電圧差により、液晶層１８の光透過率を変化させて
画像表示を行う。
【０００６】横方向電界型の液晶表示装置では、対抗電
極１９はＴＦＴ基板内に設けられる。Ｘｉが非選択状態
になりゲート電圧がしきい値電圧以下となると、これに
連なる各ＴＦＴ１４のゲートは一斉にオフになり、引き
続きＸi+1が選択されて、これに連なる各ＴＦＴ１４の
ゲートがオンし、上述したと同様な動作が行われる。
【０００７】なお、ゲートがオフした後も画素電極１５
と対抗電極１９との間の電圧差は、主に両電極間の静電
容量に蓄積され、次に同一走査線が選択されて新たな電
圧パルスが印加されるまで液晶層１８により保持され
る。
【０００８】ところで、半導体層に非晶質シリコン（ａ
−Ｓｉ）を用いたＴＦＴやＭＩＭ素子を利用したアクテ
ィブマトリックス基板では、各走査線や信号線の始端部
で接続端子（走査線端子１６と信号線端子１７）を設け
て外部駆動回路に接続し、例えばＴＦＴの場合には上記
のように動作を行わせている。
【０００９】接続端子の要件としては、端子部での接続
抵抗が低く安定であること，外部からの水分等の侵入に
対して信頼性の高いこと，圧接工程の再工事が容易であ
ること等があげられる。
【００１０】例えば、特開昭６０−２６０９２０号公報
には、熱書き込み型の液晶表示装置において、加熱電極
にアルミニウムまたはアルミニウム合金を用い、その表
面に水酸化アルミニウムの被膜を形成する方法が開示さ
れている。
【００１１】図１７に示す特開昭６０−２６０９２０号
公報に記載の方法では、透明基板１１上にアルミニウム
またはアルミニウム合金からなるストライプ状の加熱電
極１７１を形成した後、５０℃〜１００℃の純水中で熱
湯処理をし、加熱電極２０１の表面に厚さ０．１〜１μ
mの水酸化アルミニウムの被膜を形成する。熱湯処理を
する際、端子電極部にはフォトレジストパターンを形成
しておくため、この部分には水酸化アルミニウムは形成
されない。
【００１２】また、特開平３−２８００２１号公報に
は、端子電極部にアルミニウム等の腐食防止用金属を用
いた電気光学装置が開示されている。図１８に示す特開
平３−２８００２１号公報に記載の電気光学装置では、
透明基板１１上に画素電極（図示せず）と非線形抵抗層
１８１とクロムからなる上部電極（図示せず）及び列電
極１８２とアルミニウムからなる端子電極１８４を形成
する。
【００１３】アルミニウムやアルミニウム合金は、一般
的には腐食しやすい金属であるが、このように直接端子
電極を形成しても、外部からの水分の侵入に対して比較
的良好な信頼性を保つことができる。
【００１４】また、例えば特開平８−１２２８２２号公
報には、ゲート電極及び走査線にアルミニウムまたはア
ルミニウム合金を用いた薄膜トランジスタ基板におい
て、これらを陽極酸化膜で被覆し、かつ陽極酸化膜のゲ
ート端子部に対する境界を制御性よく形成する技術が開
示されている。図１９に示す特開平８−１２２８２２号
公報に記載の技術では、透明基板１１上に走査線１２と
信号線１３とＴＦＴ１４と画素電極１５を備え、走査線
１２とＴＦＴ１４のゲート電極はアルミニウムまたはア
ルミニウム合金で形成され、走査線端子部１６はアルミ
ニウムまたはアルミニウム合金、チタンまたはタンタ
ル、インジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）が重ねて形成され、
走査線１２とゲート電極とは、チタン層を形成した状態
にて陽極酸化処理を行うことにより、アルミニウムの陽
極酸化膜にて被覆された構造となっている。
【００１５】また同様に、特開平３−２３２２７４号公
報には、ゲート電極及び走査線にアルミニウムまたはア
ルミニウム合金を用いた薄膜トランジスタ基板におい
て、これらの所望の部分を陽極酸化膜で被覆する方法が
述べられている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６０−２６０９２０号公報に開示された従来の技術や、
特開平３−２８００２１号公報に開示された従来の技術
においては、フォトリソグラフィーの回数が１回増加す
るという問題がある。
【００１７】その理由は、特開昭６０−２６０９２０号
公報に開示された従来の技術では、端子電極部にフォト
レジストパターンを形成して熱湯処理をする必要があ
り、特開平３−２８００２１号公報に開示された従来の
技術では、端子電極部でクロムからなる列電極をアルミ
ニウムに変換する必要があるためである。
【００１８】さらに、端子電極部でのＴＣＰとの電気的
接続が全くとれなくなったり、接続抵抗（圧接抵抗）が
高く不安定になるという問題がある。
【００１９】その理由は、何れもアルミニウム表面が通
常アレイ工程の最終段階で行うアニールやセル工程で行
う配向膜焼成で酸化されたり（熱処理後温度を下げる際
に基板温度が高い状態で空気にさらされることが多いた
め）、セル工程の洗浄で酸化あるいは水酸化されて（洗
浄処理後のリンスを温水処理で行ったり、基板の乾燥を
蒸気乾燥で行うことが多いため）絶縁層が形成されるた
めである。
【００２０】さらに、表示ムラが発生しやすくなり、歩
留や信頼性が低下するという問題がある。
【００２１】その理由は、セル工程で行う洗浄時にアル
カリ洗浄や酸洗浄を用いることができない（端子電極部
のアルミニウムがエッチングされる）ため、アルカリイ
オンや塩素イオンの除去が十分行えず、これらのイオン
が液晶内に溶出し残留するからである。
【００２２】さらに、端子電極部でアルミニウムにヒロ
ックが発生し、セル工程のラビング時に素子部の配向膜
に傷をつけたり、ラビングロールを汚染するという問題
がある。
【００２３】その理由は、アレイ工程のアニールやセル
工程配向膜焼成で発生したヒロックがラビング時に押し
つぶされて素子部まで引きずられ、ラビングロールにも
付着するためである。
【００２４】次に、特開平８−１２２８２２号公報に開
示された従来の技術や特開平３−２３２２７４号公報に
開示された従来の技術では、フォトリソグラフィーの回
数が１回増加し、コストが増大するという問題がある。
【００２５】その理由は、特開平８−１２２８２２号公
報に開示された従来の技術では、端子電極部でチタンや
タンタル膜のパターニングが必要であり、特開平３−２
３２２７４号公報に開示された従来の技術では、端子電
極部でアルミニウムからなる走査線をクロムやタンタル
に変換する必要があるためである。
【００２６】本発明の目的は、端子電極部でのＴＣＰと
の圧接抵抗が低く安定で、接続信頼性の高く、工程数を
増加させない液晶表示パネル及びその製造方法を提供す
ることにある。
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶表示パ
ネルは、対をなすアクティブマトリックス基板及び対向
基板と、前記アクティブマトリックス基板と対向基板と
の間に挟持された液晶とを有する液晶表示パネルであっ
て、前記アクティブマトリックス基板は、透明基板上に
複数の走査線と、前記複数の走査線に直交して設けられ
た複数の信号線と、前記複数の走査線と複数の信号線の
各交点に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチ
ング素子に接続された画素電極と、前記走査線及び信号
線の始端部に設けられた接続電極とを有しており、前記
接続電極の少なくとも接続部は、アルミニウムまたはア
ルミニウムを主体とする合金から構成され、前記液晶が
挟持された部分の前記走査線及び信号線と前記スイッチ
ング素子の電極のうち、最上層の配線および電極の表面
は、酸化アルミニウムと水酸化アルミニウムの積層膜か
らなる絶縁膜にて被覆されたものである。
【００３２】また、本発明に係る液晶表示パネルは、対
をなすアクティブマトリックス基板及び対向基板と、前
記アクティブマトリックス基板と対向基板との間に挟持
された液晶とを有する液晶表示パネルであって、前記ア
クティブマトリックス基板は、透明基板上に複数の走査
線と、前記複数の走査線に直交して設けられた複数の信
号線と、前記複数の走査線と複数の信号線の各交点に設
けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に
接続された画素電極と、対向電極と、前記走査線及び信
号線の始端部に設けられた接続電極とを有しており、前
記接続電極の少なくとも接続部は、アルミニウムまたは
アルミニウムを主体とする合金から構成され、前記液晶
が挟持された部分の前記走査線及び信号線と前記スイッ
チング素子の電極と前記対向電極のうち、最上層の配線
及び電極の表面は、酸化アルミニウムと水酸化アルミニ
ウムの積層膜からなる絶縁膜で被覆されたものである。
【００３３】また、本発明に係る液晶表示パネルは、対
をなすアクティブマトリックス基板及び対向基板と、前
記アクティブマトリックス基板と対向基板との間に挟持
された液晶とを有する液晶表示パネルであって、前記ア
クティブマトリックス基板は、透明基板上に複数の信号
線と、前記複数の信号線に設けられた複数のスイッチン
グ素子と、前記複数のスイッチング素子の各々に接続さ
れた画素電極と、前記信号線の始端部に設けられた接続
電極とを有しており、前記接続電極の少なくとも接続部
は、アルミニウムまたはアルミニウムを主体とする合金
から構成され、前記液晶が挟持された部分の前記信号線
の表面は、酸化アルミニウムと水酸化アルミニウムの積
層膜からなる絶縁膜で被覆されたものである。
【００３４】
【００３５】
【００３６】また本発明に係る液晶表示パネルは、対を
なすアクティブマトリックス基板及び対向基板と、前記
アクティブマトリックス基板と対向基板との間に挟持さ
れた液晶とを有する液晶表示パネルの製造方法であっ
て、アクティブマトリックス基板製造工程において、ア
ルミニウムまたはアルミニウムを主体とする合金からな
る接続電極を形成し、温水処理により前記接続電極の表
面に酸化アルミニウムと水酸化アルミニウムの積層膜か
らなる絶縁膜を形成し、さらに前記接続電極上に保護絶
縁膜を形成し、前記保護絶縁膜に前記接続電極上の前記
絶縁膜に達する端子コンタクトホールを形成し、その後
の液晶表示パネル製造工程の最終以降の工程において、
前記接続電極の接続部の前記絶縁膜を選択的に除去する
ものである。
【００３７】また、本発明に係る液晶表示パネルの製造
方法は、対をなすアクティブマトリックス基板及び対向
基板と、前記アクティブマトリックス基板と対向基板と
の間に挟持された液晶とを有する液晶表示パネルの製造
方法であって、アクティブマトリックス基板製造工程に
おいて、アルミニウムまたはアルミニウムを主体とする
合金からなる接続電極を形成し、温水処理により前記接
続電極の表面に酸化アルミニウムと水酸化アルミニウム
との積層膜からなる絶縁膜を形成し、さらに前記接続電
極上に保護絶縁膜を形成し、前記保護絶縁膜に前記接続
電極上の前記絶縁膜に達する端子コンタクトホールを形
成し、その後の液晶表示パネル製造工程の最終以降の工
程において、前記接続電極の接続部の前記絶縁膜を選択
的に除去するものである。
【００３８】また、本発明に係る液晶表示パネルの製造
方法は、対をなすアクティブマトリックス基板及び対向
基板と、前記アクティブマトリックス基板と対向基板と
の間に挟持された液晶とを有する液晶表示パネルの製造
方法であって、アクティブマトリックス基板製造工程に
おいて、アルミニウムまたはアルミニウムを主体とする
合金からなる接続電極を形成し、温水処理により前記接
続電極の表面に酸化アルミニウムと水酸化アルミニウム
との積層膜からなる絶縁膜を形成し、その後の液晶表示
パネル製造工程の最終以降の工程において、前記接続電
極の表面の前記絶縁膜を選択的に除去するものである。
【００３９】また、前記絶縁膜の厚さは、少なくとも１
００nm以上である。
【００４０】本発明の液晶表示パネルによれば、アルミ
ニウムまたはアルミニウム合金からなる接続端子のＴＣ
Ｐとの接続面を酸化アルミニウムや酸化アルミニウムと
水酸化アルミニウムが積層した絶縁膜で一旦被覆した
後、セル工程の最終工程でこれらの絶縁膜を選択的にエ
ッチング除去することにより、フォトリソグラフィーの
回数を増やすことなく、端子電極部でのＴＣＰとの電気
的接続を確実にし、接続信頼性を高めることができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【００４２】（実施形態１）図１（ａ）は、本発明の実
施形態１に係る液晶表示パネルの端子電極部の短辺方向
における断面図であって、（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、
図１（ｂ）は、同平面図である。
【００４３】図１において、本発明の実施形態１に係る
液晶表示パネルでは、透明基板１１上に金属膜２１を選
択的に形成し、金属膜２１に達するように層間絶縁膜２
２に開口された端子コンタクトホール２５を介して、金
属膜２３を選択的に形成し、さらに金属膜２３に達する
ように保護絶縁膜２４に端子コンタクトホール２６を開
口し、端子電極を構成している。ここで、金属膜２３
は、アルミニウムまたはアルミニウム合金の単層膜、或
いは少なくとも最上層をアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金からなる積層膜より構成している。
【００４４】図１に示す本発明の実施形態１に係る液晶
表示パネルによれば、端子電極部の酸化アルミニウムや
水酸化アルミニウムの絶縁膜の形成及び除去をフォトマ
スクなしに形成することが可能な構造であるため、工程
数を削減できる。
【００４５】（実施形態２）図２（ａ）は、本発明の実
施形態２に係る液晶表示パネルの端子電極部の短辺方向
における断面図であって、（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、
図２（ｂ）は、同平面図である。
【００４６】図２において、本発明の実施形態２に係る
液晶表示パネルでは、透明基板１１上に金属膜２１を選
択的に形成し、金属膜２１に達するように層間絶縁膜２
２に開口された端子コンタクトホール２５を介して、金
属膜２３と金属膜２３を被覆する絶縁膜３１を選択的に
形成し、さらに金属膜２３に達するように保護絶縁膜２
４と絶縁膜３２に端子コンタクトホール２６を開口し、
端子電極を構成している。ここで、金属膜２３は、アル
ミニウムまたはアルミニウム合金の単層膜、或いは少な
くとも最上層をアルミニウムまたはアルミニウム合金か
らなる積層膜とし、絶縁膜３１は、酸化アルミニウムま
たは酸化アルミニウムと水酸化アルミニウムとの積層膜
から構成している。
【００４７】なお、実施形態１及び２では、何れも金属
膜２１を設けたが、金属膜２１をなくして金属膜２３単
独で端子電極を構成するようにしてもよい。
【００４８】（実施形態３）図４及び図５は、本発明の
実施形態３に係る液晶表示パネルを示す図であり、図４
（ａ）は、本発明の実施形態３に係る液晶表示パネルの
端子電極部の短辺方向における断面図であって、図４
（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、図４（ｂ）は、同平面図、
図５（ａ）は、本発明の実施形態３に係る液晶表示パネ
ルにおける一画素部のスイッチング素子（ＴＦＴ）を示
す断面図であって、図５（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、図
５（ｂ）は、同平面図である。
【００４９】図において、本発明の実施形態３に係る液
晶表示パネルでは、透明基板１１上に金属膜２１を選択
的に形成し、金属膜２１に達するように層間絶縁膜２２
に開口された端子コンタクトホール２５を介して、金属
膜２３を選択的に形成し、端子電極を構成している。
【００５０】ここで、金属膜２３は、アルミニウムまた
はアルミニウム合金の単層膜、或いは少なくとも最上層
をアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる積層膜
で構成している。一方、液晶が挟持された部分のアクテ
ィブマトリックス基板の最上層の配線及び電極の表面
は、絶縁膜３１で被覆されている。また、絶縁膜３１
は、酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウムと水酸化
アルミニウムとの積層膜から構成している。
【００５１】（実施例１）次に、本発明の実施形態１に
係る液晶表示パネルの具体例を実施例１として説明す
る。
【００５２】図１に示す本発明の実施例１に係る液晶表
示パネルは、対をなすアクティブマトリックス基板１及
び対向基板２と、アクティブマトリックス基板１と対向
基板２との間に挟持された液晶４とを有し、アクティブ
マトリックス基板１はＴＦＴをスイッチング素子として
有している。この構成は、図１４に示す液晶表示パネル
と同一の構成になっている。
【００５３】さらに、図１に示す本発明の実施例１に係
る液晶表示パネルは、厚さ０．７mmのガラスからなる透
明基板１１上に厚さ約２００nmのアルミニウム・ネオジ
ム合金からなる金属膜２１を選択的に形成し、金属膜２
１に達するように、例えば厚さ約１５０nmのスパッタリ
ング法による低温酸化シリコンと厚さ約３５０nmのプラ
ズマ化学気相成長法による低温窒化シリコンとの積層膜
からなる層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）２２に開口された
端子コンタクトホール２５を介して、厚さ約５０nmのモ
リブデンと厚さ約２００nmのアルミニウム・ネオジム合
金との積層膜からなる金属膜２３を選択的に形成し、さ
らに金属膜２３に達するように、例えば厚さ約２００nm
のプラズマ化学気相成長法による低温窒化シリコンから
なる保護絶縁膜２４に端子コンタクトホール２６を開口
し、端子電極を構成している。
【００５４】（実施例２）図２に示す本発明の実施例２
に係る液晶表示パネルでは、厚さ０．７mmのガラスから
なる透明基板１１上に厚さ約２００nmのアルミニウム・
ネオジム合金からなる金属膜２１を選択的に形成し、金
属膜２１に達するように、例えば厚さ約１５０nmのスパ
ッタリング法による低温酸化シリコンと厚さ約３５０nm
のプラズマ化学気相成長法による低温窒化シリコンとの
積層膜からなる層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）２２に開口
された端子コンタクトホール２５を介して、厚さ約５０
nmの窒化タンタルと厚さ約２００nmのアルミニウム・ネ
オジム合金との積層膜からなる金属膜２３とこれを被覆
する厚さ約２００nmの酸化タンタル及び酸化アルミニウ
ムからなる絶縁膜３１を選択的に形成し、さらに金属膜
２３に達するように、金属膜２３上の絶縁膜３１と例え
ば厚さ約２００nmのプラズマ化学気相成長法による低温
窒化シリコンからなる保護絶縁膜２４に端子コンタクト
ホール２６を開口し、端子電極を構成している。
【００５５】図１及び図２に示す実施例１及び２は、逆
スタガ構造のＴＦＴをスイッチング素子に用いたアクテ
ィブマトリックス基板の端子電極の例であり、走査線端
子１６は、透明基板１１上の走査線１２を直接金属膜２
１に接続し、信号線端子１７は、層間絶縁膜（ゲート絶
縁膜）２２上の信号線１３を別のコンタクトホール（図
示せず）を介して金属膜２１に接続している。
【００５６】図１０は、図１及び図２に示す本発明の実
施例１及び２を縦方向電界型の液晶表示パネルに適用し
たアクティブマトリックス基板の一画素部分を示す図で
あり、図１０（ａ）は、図１に示す本発明の実施例１を
縦方向電界型の液晶表示パネルに適用したアクティブマ
トリックス基板の一画素部分を示す断面図であって、図
１０（ｃ）のＩ−Ｉ’線断面図、図１０（ｂ）は、図２
に示す本発明の実施例２を縦方向電界型の液晶表示パネ
ルに適用したアクティブマトリックス基板の一画素部分
を示す断面図であって、図１０（ｃ）のＩ−Ｉ’線断面
図である。図１０では、チャネルエッチ型ＴＦＴの例を
示している。
【００５７】図１０において、厚さ０．７mmのガラスか
らなる透明基板１１上に形成されたボトムゲート型のＴ
ＦＴ１４は、下層側から厚さ約２００nmのアルミニウム
・ネオジム合金からなるゲート電極５６と、例えば厚さ
約１５０nmのスパッタリング法による低温酸化シリコン
からなる第１のゲート絶縁膜１０１、厚さ約３５０nmの
プラズマ化学気相成長法による低温窒化シリコンからな
る第２のゲート絶縁膜１０２を積層した層間絶縁膜（ゲ
ート絶縁膜）２２と、これを挟んでゲート電極５６と対
向した厚さ約３５０nmの非晶質シリコンからなる島状の
半導体層５４と、これに跨るように分離形成された厚さ
約５０nmのモリブデン（実施例１）あるいは窒化タンタ
ル（実施例２）と厚さ約２００nmのアルミニウム・ネオ
ジム合金との積層膜からなるソース・ドレイン電極５
２，５３と、例えば厚さ約２００nmのプラズマ化学気相
成長法による低温窒化シリコンからなる保護絶縁膜２４
とより構成している。
【００５８】ゲート電極５６は、これと同じく厚さ約２
００nmのアルミニウム・ネオジム合金からなる走査線１
２に、ソース電極５２は、これと同じく厚さ約５０nmの
モリブデン（実施例１）あるいは窒化タンタル（実施例
２）と厚さ約２００nmのアルミニウム・ネオジム合金と
の積層膜からなる信号線１３に、ドレイン電極５３は厚
さ約１００nmのＩＴＯからなる画素電極１５に接続して
いる。
【００５９】ここで、特に図１０（ｂ）に示す実施例２
では、ソース・ドレイン電極５２，５３及び信号線１３
は、さらに厚さ約２００nmの酸化タンタル及び酸化アル
ミニウムからなる絶縁膜３１で被覆している。一方、半
導体層５４は、厚さ約３００nmの不純物を添加していな
い非晶質シリコンからなる第１の半導体薄膜１０３と厚
さ約５０nmのリンを添加した非晶質シリコンからなるｎ
型の第２の半導体薄膜１０４とを積層して形成してお
り、第２の半導体薄膜１０４は、ソース電極５２側とド
レイン電極５３側に分離して形成している。画素電極１
５上の保護絶縁膜２４は開口している。
【００６０】図１１は、図１及び図２に示す本発明の実
施例１及び２を横方向電界型の液晶表示パネルに適用し
たアクティブマトリックス基板の一画素部分を示す図で
あり、図１１（ａ）は、図１に示す本発明の実施例１を
横方向電界型の液晶表示パネルに適用したアクティブマ
トリックス基板の一画素部分を示す断面図であって、図
１１（ｃ）のＩ−Ｉ’線断面図、図１１（ｂ）は、図２
に示す本発明の実施例２を横方向電界型の液晶表示パネ
ルに適用したアクティブマトリックス基板の一画素部分
を示す断面図であって、図１１（ｃ）のＩ−Ｉ’線断面
図である。
【００６１】図１０に示す縦方向電界型の液晶表示パネ
ルでは、対向電極が対向基板側に存在するのに対し、図
１１に示す横方向電界型の液晶表示パネルでは、対向電
極がアクティブマトリックス基板側に存在し、画素電極
と対向電極が互いに櫛歯型に配置されている。しかし、
ＴＦＴの構造はどちらも同じである。
【００６２】図１１に示すように、厚さ０．７mmのガラ
スからなる透明基板１１上に形成されたボトムゲート型
のＴＦＴ１４は、下層側から厚さ約２００nmのアルミニ
ウム・ネオジム合金からなるゲート電極５６と、例えば
厚さ約１５０nmのスパッタリング法による低温酸化シリ
コンからなる第１のゲート絶縁膜１０１，厚さ約３５０
nmのプラズマ化学気相成長法による低温窒化シリコンか
らなる第２のゲート絶縁膜１０２とを積層した層間絶縁
膜（ゲート絶縁膜）２２と、これを挟んでゲート電極５
６と対向した厚さ約３５０nmの非晶質シリコンからなる
島状の半導体層５４と、これに跨るように分離形成され
た厚さ約５０nmのモリブデン（実施例１）或いは窒化タ
ンタル（実施例２）と厚さ約２００nmのアルミニウム・
ネオジム合金との積層膜からなるソース・ドレイン電極
５２，５３と、例えば厚さ約２００nmのプラズマ化学気
相成長法による低温窒化シリコンからなる保護絶縁膜２
４とより構成している。
【００６３】ゲート電極５６は、これと同じく厚さ約２
００nmのアルミニウム・ネオジム合金からなる走査線１
２に、ソース電極５２とドレイン電極５３は、それぞれ
これと同じく厚さ約５０nmのモリブデン（実施例１）あ
るいは窒化タンタル（実施例２）と厚さ約２００nmのア
ルミニウム・ネオジム合金との積層膜からなる信号線１
３と画素電極１５に接続されている。また、対向電極１
９は、画素電極１５に対向してゲート電極５６と同層に
形成され、厚さ約２００nmのアルミニウム・ネオジム合
金から構成している。
【００６４】ここで、特に図１１（ｂ）に示す実施例２
では、ソース・ドレイン電極５２，５３及び信号線１
３、画素電極１５はさらに厚さ約２００nmの酸化タンタ
ル及び酸化アルミニウムからなる絶縁膜３１で被覆され
ている。半導体層５４の構成は、図１０に示す実施例１
と同じである。
【００６５】次に、図１０に示す本発明の実施例に係る
縦方向電界型の液晶表示パネルの製造方法について説明
する。
【００６６】まず、厚さ０．７mmのガラスからなる透明
基板１１上に厚さ約２００nmのアルミニウム・ネオジム
合金をスパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフ
ィ工程を経てゲート電極５６と走査線１２、端子部の金
属膜２１を形成した後、例えば厚さ約１５０nmの低温酸
化シリコンを高周波スパッタリングにより成膜し、第１
のゲート絶縁膜１０１とする。
【００６７】次に、厚さ約３５０nmの低温窒化シリコン
と厚さ約３００nmの不純物を添加していない非晶質シリ
コンと厚さ約５０nmのリンを添加した非晶質シリコンを
プラズマ化学気相成長により連続して成膜し、フォトリ
ソグラフィ工程を経て真性の第１の半導体薄膜１０３と
ｎ型の第２の半導体薄膜１０４とが積層された島状の半
導体層５４を形成する。
【００６８】次に、厚さ約１００nmのＩＴＯをスパッタ
リングにより成膜し、フォトリソグラフィ工程を経て画
素電極１５を形成する。
【００６９】次に、フォトリソグラフィ工程を経て端子
部の金属膜２１上の端子コンタクトホール２５を形成す
る。
【００７０】引き続いて、実施例１では、厚さ約５０nm
のモリブデンと厚さ約２００nmのアルミニウム・ネオジ
ム合金を、実施例２では、厚さ約５０nmの窒化タンタル
と厚さ約３００nmのアルミニウム・ネオジム合金をスパ
ッタリングにより連続して成膜し、フォトリソグラフィ
工程を経てソース・ドレイン電極５２，５３と信号線１
３、端子部の金属膜２３を形成する。
【００７１】ここで、特に実施例２では、ソース・ドレ
イン電極５２，５３と信号線１３、端子部の金属膜２３
を例えば３％酒石酸をアンモニア水で中和した溶液とエ
チレングリコールとの１：９の混合溶液中で陽極酸化
し、これらの表面を約２００nmのタンタル及びアルミニ
ウムの酸化膜からなる絶縁膜３１で被覆する。陽極酸化
は約２mA/cm2の定電流になるように化成用端子に直流電
圧を徐々に印加し、最終的に約１２０Ｖの定電圧で約１
５分行う。
【００７２】次に、ソース・ドレイン電極５２，５３を
マスクにしてｎ型の第２の半導体薄膜１０４をエッチン
グしてチャネルを形成する。
【００７３】次に、例えば厚さ約２００nmの低温窒化シ
リコンをプラズマ化学気相成長により成膜し保護絶縁膜
２４とし、フォトリソグラフィ工程を経て画素電極１５
上の開口部５９、端子部の金属膜２３上の端子コンタク
トホール２６を形成する。
【００７４】ここで、特に実施例１では、例えば７０℃
の温水処理を約１０分行い、金属膜２３のアルミニウム
・ネオジム合金の接続部表面に約１００nmの水酸化アル
ミニウム（上層）と約５０nmの酸化アルミニウム（下
層）の積層膜からなる絶縁膜３１を形成する。最後にア
ニールを行ってＴＦＴ基板を完成する。
【００７５】この後、ＴＦＴ基板と対抗基板に配向膜を
印刷・焼成し、ラビングを行った後、両基板を重ね合わ
せ、この間に液晶を注入する。そして、セル工程の最終
工程で、例えば２％フッ酸とエチレングリコール１：９
の混合溶液中で端子電極の接続部の絶縁膜３１を選択的
にエッチング除去して、液晶表示パネルを完成する。
【００７６】次に、図１１に示す横方向電界型の液晶表
示パネルの実施例の製造方法について説明する。
【００７７】まず、厚さ０．７mmのガラスからなる透明
基板１１上に厚さ約２００nmのアルミニウム・ネオジム
合金をスパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフ
ィ工程を経てゲート電極５６と走査線１２、対向電極１
９、端子部の金属膜２１を形成した後、例えば厚さ約１
５０nmの低温酸化シリコンを高周波スパッタリングによ
り成膜し、第１のゲート絶縁膜１０１とする。
【００７８】次に、厚さ約３５０nmの低温窒化シリコン
と厚さ約３００nmの不純物を添加していない非晶質シリ
コンと厚さ約５０nmのリンを添加した非晶質シリコンを
プラズマ化学気相成長により連続して成膜し、フォトリ
ソグラフィ工程を経て真性の第１の半導体薄膜１０３と
ｎ型の第２の半導体薄膜１０４とが積層された島状の半
導体層５４を形成する。
【００７９】次に、フォトリソグラフィ工程を経て端子
部の金属膜２１上の端子コンタクトホール２５を形成す
る。
【００８０】次に、実施例１では、厚さ約５０nmのモリ
ブデンと厚さ約２００nmのアルミニウム・ネオジム合金
を、実施例２では、厚さ約５０nmの窒化タンタルと厚さ
約３００nmのアルミニウム・ネオジム合金をスパッタリ
ングにより連続して成膜し、フォトリソグラフィ工程を
経てソース・ドレイン電極５２，５３と信号線１３、画
素電極１５、端子部の金属膜２３を形成する。
【００８１】ここで、実施例２においては、ソース・ド
レイン電極５２，５３と信号線１３、画素電極１５、端
子部の金属膜２３を前述と同様に陽極酸化し、これらの
表面を厚さ約２００nmのタンタル及びアルミニウムの酸
化膜からなる絶縁膜３１で被覆する。
【００８２】引き続いて、ソース・ドレイン電極５２，
５３をマスクにしてｎ型の第２の半導体薄膜１０４をエ
ッチングしてチャネルを形成する。
【００８３】次に、例えば厚さ約２００nmの低温窒化シ
リコンをプラズマ化学気相成長により成膜し保護絶縁膜
２４とし、フォトリソグラフィ工程を経て端子部の金属
膜２３の端子コンタクトホール２６を形成する。
【００８４】ここで、特に実施例１においては、前述と
同様に温水処理を行い、金属膜２３のアルミニウム・ネ
オジム合金の接続部表面に約１００nmの水酸化アルミニ
ウム（上層）と約５０nmの酸化アルミニウム（下層）の
積層膜からなる絶縁膜３１を形成する。最後にアニール
を行ってＴＦＴ基板を完成する。
【００８５】以下、前述と同様に液晶セルを形成し、セ
ル工程の最終工程で端子電極の接続部の絶縁膜３１を選
択的にエッチング除去して、液晶表示パネルを完成す
る。
【００８６】（実施例３）図３（ａ）は、本発明の実施
例２に係る液晶表示パネルの変形例（実施例３）を示す
端子電極部の短辺方向における断面図であって、図３
（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、図３（ｂ）は、同平面図で
ある。
【００８７】図３に示す本発明の実施例３に係る液晶表
示パネルは、図１４のようにアクティブマトリックス基
板１と対向基板２と、その間に挟持された液晶４とから
構成されており、アクティブマトリックス基板１は、Ｍ
ＩＭをスイッチング素子としている。
【００８８】さらに、本発明の実施例３に係る液晶表示
パネルは、厚さ０．７mmのガラスからなる透明基板１１
上に、厚さ２００nmのアルミニウム・タンタル合金から
なる金属膜２３とこれを被覆する厚さ約２００nmの酸化
アルミニウムからなる絶縁膜３１が選択的に形成され、
さらに金属膜２３に達するように、金属膜２３上の絶縁
膜３１と例えば厚さ約２００nmのプラズマ化学気相成長
法による低温窒化シリコンからなる保護絶縁膜２４に端
子コンタクトホール２６が開口され、端子電極を構成し
ている。本実施例では、信号線端子１７は、信号線１３
がそのまま金属膜２３に接続されている。
【００８９】図１２（ｂ）は、実施例３の液晶表示パネ
ルを構成するアクティブマトリックス基板の一画素部分
を示す平面図、図１２（ａ）は、そのスイッチング素子
（ＭＩＭ）部分を示す断面図であって、図１２（ｂ）の
Ｉ−Ｉ’線断面図である。
【００９０】厚さ０．７mmのガラスからなる透明基板１
１上に形成されたＭＩＭ９１は、下から厚さ約２００nm
のアルミニウム・タンタル合金からなる下部電極９２と
これを被覆する厚さ約２００nmの酸化アルミニウムから
なる絶縁膜３１と、厚さ約１５０nmのクロムからなる上
部電極９３とより構成され、その上に例えば厚さ約２０
０nmのプラズマ化学気相成長法による低温窒化シリコン
からなる保護絶縁膜２４が被覆されている。
【００９１】下部電極９２は、これと同じく厚さ約２０
０nmのアルミニウム・タンタル合金からなる信号線１３
に、上部電極９３は、厚さ約５０nmのＩＴＯからなる画
素電極１５に接続されている。画素電極１５上の保護絶
縁膜２４は開口している。なお、走査線（走査電極）は
対向基板側に形成される。
【００９２】次に、実施例３の製造方法について説明す
る。まず、厚さ０．７mmのガラスからなる透明基板１１
上に厚さ約３００nmのアルミニウム・タンタル合金をス
パッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィ工程を
経て下部電極９２と信号線１３を形成する。
【００９３】次に、下部電極９２と信号線１３の表面を
前述と同様に酒石酸を主体とする化成溶液中で陽極酸化
し、厚さ約２００nmの酸化アルミニウムからなる絶縁膜
３１を形成した後、厚さ約１５０nmのクロムをスパッタ
リングにより成膜し、フォトリソグラフィ工程を経て上
部電極９３を形成する。
【００９４】次に、厚さ約５０nmのＩＴＯをスパッタリ
ングにより成膜し、フォトリソグラフィ工程を経て画素
電極１５を形成する。
【００９５】次に、プラズマ化学気相成長により厚さ約
２００nmの低温窒化シリコンを成膜し保護絶縁膜２４と
し、フォトリソグラフィ工程を経て画素電極１５上の開
口部５９、端子部の金属膜２３上の端子コンタクトホー
ル２６を形成する。
【００９６】最後に、アニールを行ってＭＩＭ基板を完
成する。この後、ＭＩＭ基板と対向基板に配向膜を印刷
・焼成し、ラビングを行った後、両基板を重ね合わせ、
この間に液晶を注入する。そして、セル工程の最終工程
で、実施例１と同様にフッ酸とエチレングリコールの混
合溶液中で端子電極の接続部の絶縁膜３１を選択的にエ
ッチング除去して、液晶表示パネルを完成する。
【００９７】以上のように、実施例３では、あらかじめ
接続端子部の少なくとも接続面に酸化アルミニウムまた
は酸化アルミニウムと水酸化アルミニウムとの積層膜か
らなる絶縁膜を形成し、セル工程の最終工程で、これを
選択的に除去するため、熱処理工程（アレイ工程のアニ
ールやセル工程の配向膜焼成）や洗浄工程での接続端子
表面のアルミニウムの酸化の影響をなくすことができ、
端子部での初期の圧接抵抗を低く安定にすることができ
る。
【００９８】図４（ａ）は、本発明の実施例３に係る液
晶表示パネルの端子電極部の短辺方向における断面図で
あって、図４（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、図４（ｂ）
は、同平面図、図５（ｂ）は、そのアクティブマトリッ
クス基板の一画素部分を示す平面図、図５（ａ）は、そ
のスイッチング素子 （ＴＦＴ）部分を示す断面図であ
って、図５（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図である。
【００９９】実施例３に係る液晶表示パネルは、図１４
のようにアクティブマトリックス基板１と対向基板２
と、その間に挟持された液晶４とから構成されている。
【０１００】本実施例は、通常の縦方向電界型の液晶表
示パネルの例で、対向電極が対向基板側にある。図４で
は、厚さ０．７mmのガラスからなる透明基板１１とその
上の例えば厚さ約３００nmの常圧化学気相成長法による
低温酸化シリコンからなる層間絶縁膜４１上に厚さ約５
０nmのＩＴＯと厚さ約１５０nmのモリブデンの積層膜か
らなる金属膜２１が選択的に形成され、金属膜２１に達
するように例えば厚さ約３００nmのプラズマ化学気相成
長法による低温窒化シリコンからなる第２のゲート絶縁
膜４２に開口された端子コンタクトホール２５を介し
て、厚さ約２００nmのアルミニウム・チタン・タンタル
合金からなる金属膜２３が選択的に形成され、端子電極
を構成している。
【０１０１】図５では、厚さ０．７mmのガラスからなる
透明基板１１上に下から厚さ約１５０nmのモリブデンか
らなる遮光膜５１と例えば厚さ約３００nmの常圧化学気
相成長法による低温酸化シリコンからなる層間絶縁膜４
１が形成され、層間絶縁膜４１上に遮光膜５１と対向し
てトップゲート型のＴＦＴ１４が形成されている。
【０１０２】ＴＦＴ１４は、下層側から厚さ約５０nmの
ＩＴＯからなるソース・ドレイン電極５２，５３と、こ
れらに跨る厚さ約５０nmの非晶質シリコンからなる島状
の半導体層５４と例えば厚さ約５０nmのプラズマ化学気
相成長法による低温窒化シリコンからなる第１のゲート
絶縁膜５５との積層膜と、例えば厚さ約３００nmのプラ
ズマ化学気相成長法による低温窒化シリコンからなる第
２のゲート絶縁膜４２と、ゲート絶縁膜５５，４２をは
さんで半導体層５４と対向した厚さ約２００nmのアルミ
ニウム・チタン・タンタル合金からなるゲート電極５６
とより構成されている。
【０１０３】ゲート電極５６は、同じアルミニウム・チ
タン・タンタル合金からなる走査線１２に、ソース電極
５２は、厚さ約５０nmのＩＴＯと厚さ約１５０nmのモリ
ブデンの積層膜からなる信号線１３に、ドレイン電極５
３は、同じＩＴＯからなる画素電極１５に接続されてい
る。
【０１０４】さらに、ゲート電極５６と走査線１２は、
厚さ約２００nmのアルミニウムの酸化膜もしくは厚さ約
１５０nmの水酸化アルミニウムと約１００nmの酸化アル
ミニウムの積層膜からなる絶縁膜３１で被覆されてい
る。
【０１０５】半導体層５４は、ソース電極５２側とドレ
イン電極５３側に分離形成された厚さ約５nmのリンを添
加した非晶質シリコンからなるｎ型の第１の半導体薄膜
５７と厚さ約４５nmの不純物を添加していない非晶質シ
リコンからなる第２の半導体薄膜５８とが積層されて形
成されている。
【０１０６】実施例３は、順スタガ構造のＴＦＴをスイ
ッチング素子に用いたアクティブマトリックス基板の例
で、信号線端子１７は、透明基板１１上にある信号線１
３がそのまま端子部の金属膜２１に接続され、走査線端
子１６は、第２のゲート絶縁膜４２上にある走査線１２
が別のコンタクトホール（図１３（ａ）の１３１ ）を
介して金属膜２１に接続されている。
【０１０７】次に、図１３を参照して実施例３の製造方
法について説明する。厚さ０．７mmのガラスからなる透
明基板１１上に厚さ約１５０nmのモリブデンをスパッタ
リングにより成膜し、フォトリソグラフィ工程を経て遮
光膜５１を形成した後、例えば厚さ約３００nmの低温酸
化シリコンを常圧化学気相成長により成膜して層間絶縁
膜４１とする。
【０１０８】次に、厚さ約５０nmのＩＴＯをスパッタリ
ングにより成膜し、フォトリソグラフィ工程を経てソー
ス・ドレイン電極５２，５３と画素電極１５、信号線１
３の下層膜を形成する。
【０１０９】次に、例えばフォスフィン（ＰＨ3）のプ
ラズマ処理を行い、これらの表面部にリンを添加した
後、厚さがそれぞれ約５０nmの不純物を添加していない
非晶質シリコンと低温窒化シリコンをプラズマ化学気相
成長により連続して成膜し、フォトリソグラフィ工程を
経て島状の半導体層５４と第１のゲート絶縁膜５５との
積層膜を形成する。
【０１１０】プラズマ化学気相成長は、基板温度を約３
００℃にして行うため、このときソース・ドレイン電極
５２，５３表面部のリンが真性の非晶質シリコン膜に拡
散し、ここに厚さ約５nmのｎ型の半導体薄膜５７が形成
され、ソース・ドレイン電極と半導体層の電気的接続が
取られる。
【０１１１】次に、厚さ約１５０nmのモリブデンをスパ
ッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィ工程を経
て信号線１３を形成する。
【０１１２】次に、例えば厚さ約３００nmの低温窒化シ
リコンをプラズマ化学気相成長により成膜して第２のゲ
ート絶縁膜４２とし、フォトリソグラフィ工程を経て画
素電極１５上の開口部５９、端子部の金属膜２１上の端
子コンタクトホール２５を形成する。
【０１１３】次に、厚さ約３００nmのアルミニウム・チ
タン・タンタル合金をスパッタリングにより成膜し、フ
ォトリソグラフィ工程を経てゲート電極５６と走査線１
２、端子部の金属膜２３を形成した後、実施例２と同様
に酒石酸を主体とする化成溶液中で陽極酸化し、これら
の表面を厚さ約２００nmのアルミニウムの酸化膜からな
る絶縁膜３１で被覆する。もしくは、実施例１と同様に
７０℃約２０分の温水処理を行い、これらの表面を厚さ
約１５０nmの水酸化アルミニウム（上層）と約１００nm
の酸化アルミニウム（下層）の積層膜からなる絶縁膜31
で被覆する。最後にアニールを行ってＴＦＴ基板を完成
する（図１３（ａ））。
【０１１４】この後、ＴＦＴ基板と対向基板に配向膜を
印刷・焼成し、ラビングを行った後、両基板を重ね合わ
せ、この間に液晶を注入する（図１３（ｂ））。
【０１１５】そして、セル工程の最終工程で、実施例１
及び２と同様にフッ酸とエチレングリコールの混合溶液
中で端子電極の接続部の絶縁膜３１を選択的にエッチン
グ除去して、液晶表示パネルを完成する（図１３
（ｃ））。
【０１１６】（実施例４）図６（ａ）は、本発明の実施
例３に係る液晶表示パネルの他の適用例（実施例４）を
示す端子電極部の短辺方向における断面図であって、図
６（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、図６（ｂ）は、同平面
図、図７（ｂ）は、そのアクティブマトリックス基板の
一画素部分の平面図、図７（ａ）は、そのスイッチング
素子（ＴＦＴ）部分の断面構造図であって、図７（ｂ）
のＩ−Ｉ’線断面図である。
【０１１７】実施例４の液晶表示パネルは、図１４のよ
うにアクティブマトリックス基板１と対向基板２と、そ
の間に挟持された液晶４とから構成されている。実施例
４は横方向電界型の液晶表示パネルの例で、対向電極が
アクティブマトリックス基板側にある。
【０１１８】図６では、厚さ０．７mmのガラスからなる
透明基板１１上に厚さ約２００nmのアルミニウム・ネオ
ジム合金からなる金属膜２１が選択的に形成され、金属
膜２１に達するように、例えば厚さ約１５０nmのスパッ
タリング法による低温酸化シリコンと厚さ約３５０nmの
プラズマ化学気相成長法による低温窒化シリコンとの積
層膜からなる層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）２２に開口さ
れた端子コンタクトホール２５を介して、厚さ約３００
nmのモリブデンからなる金属膜２３が選択的に形成さ
れ、さらに金属膜２３に達するように、例えば厚さ約２
００nmのプラズマ化学気相成長法による低温窒化シリコ
ンからなる保護絶縁膜２４に開口された端子コンタクト
ホール２６を介して、厚さ約２００nmのアルミニウム・
ネオジム合金からなる金属膜６１が選択的に形成され、
端子電極を構成している。
【０１１９】図７では、厚さ０．７mmのガラスからなる
透明基板１１上に形成されたボトムゲート型のＴＦＴ１
４は、下から厚さ約２００nmのアルミニウム・ネオジム
合金からなるゲート電極５６と、例えば厚さ約１５０nm
のスパッタリング法による低温酸化シリコンからなる第
１のゲート絶縁膜１０１と厚さ約３５０nmのプラズマ化
学気相成長法による低温窒化シリコンからなる第２ゲー
ト絶縁膜１０２とが積層した層間絶縁膜（ゲート絶縁
膜）２２と、これを挟んでゲート電極５６と対向した厚
さ約３５０nmの非晶質シリコンからなる島状の半導体層
５４と、これに跨るように分離形成された厚さ約３００
nmのモリブデンからなるソース・ドレイン電極５２，５
３と、例えば厚さ約２００nmのプラズマ化学気相成長法
による低温窒化シリコンからなる保護絶縁膜２４とより
構成されている。
【０１２０】ゲート電極５６は、これと同じく厚さ約２
００nmのアルミニウム・ネオジム合金からなる走査線１
２に、ソース電極５２とドレイン電極５３は、それぞれ
これと同じく厚さ約３００nmのモリブデンからなる信号
線１３と櫛歯形状の画素電極１５に接続されている。ま
た保護絶縁膜２４上には、画素電極１５に対向して、厚
さ約２００nmのアルミニウム・ネオジム合金からなる櫛
歯形状の対向電極１９が形成されている。
【０１２１】対向電極１９は、厚さ約２００nmのアルミ
ニウムの酸化膜もしくは厚さ約１５０nmの水酸化アルミ
ニウムと約１００nmの酸化アルミニウムの積層膜からな
る絶縁膜３１で被覆されている。半導体層５４の構成
は、実施例１の説明（図１０）と同じである。
【０１２２】実施例４は、逆スタガ構造のＴＦＴをスイ
ッチング素子に用いたアクティブマトリックス基板の例
で、走査線端子１６は、透明基板１１上にの走査線１２
がそのまま金属膜２１に接続され、信号線端子１７は、
層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）２２上の信号線１３がその
まま金属膜２３に接続されている。
【０１２３】次に、実施例４の製造方法について説明す
る。まず、厚さ０．７mmのガラスからなる透明基板１１
上に厚さ約２００nmのアルミニウム・ネオジム合金をス
パッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィ工程を
経てゲート電極５６と走査線１２、端子部の金属膜２１
を形成し、その後、例えば厚さ約１５０nmの低温酸化シ
リコンを高周波スパッタリングにより成膜し、第１のゲ
ート絶縁膜１０１とする。
【０１２４】次に、厚さ約３５０nmの低温窒化シリコン
と厚さ約３００nmの不純物を添加していない非晶質シリ
コンと厚さ約５０nmのリンを添加した非晶質シリコンを
プラズマ化学気相成長により連続して成膜し、フォトリ
ソグラフィ工程を経て真性の第１の半導体薄膜１０３と
ｎ型の第２の半導体薄膜１０４とが積層された島状の半
導体層５４を形成する。
【０１２５】次に、フォトリソグラフィ工程を経て端子
部の金属膜２１上の端子コンタクトホール２５を形成す
る。
【０１２６】次に、厚さ約３００nmのモリブデンをスパ
ッタリングにより連続して成膜し、フォトリソグラフィ
工程を経てソース・ドレイン電極５２，５３と信号線１
３、画素電極１５、端子部の金属膜２３を形成する。
【０１２７】次に、ソース・ドレイン電極５２，５３を
マスクにしてｎ型の第２の半導体薄膜１０４をエッチン
グしてチャネルを形成する。
【０１２８】次に、例えば厚さ約２００nmの低温窒化シ
リコンをプラズマ化学気相成長により成膜し保護絶縁膜
２４とし、フォトリソグラフィ工程を経て端子部の金属
膜２３上に端子コンタクトホール２６を形成する。
【０１２９】次に、厚さ約３００nmのアルミニウム・ネ
オジム合金をスパッタリングにより成膜し、フォトリソ
グラフィ工程を経て対向電極１９と端子部の金属膜６１
を形成した後、実施例２と同様に酒石酸を主体とする化
成溶液中で陽極酸化し、これらの表面を約２００nmのア
ルミニウムの酸化膜からなる絶縁膜３１で被覆する。も
しくは、実施例３と同様に７０℃の温水処理を行い、こ
れらの表面を約１５０nmの水酸化アルミニウム（上層）
と約１００nmの酸化アルミニウム（下層）の積層膜から
なる絶縁膜３１で被覆する。
【０１３０】最後にアニールを行ってＴＦＴ基板を完成
する。この後、ＴＦＴ基板と対抗基板に配向膜を印刷・
焼成し、ラビングを行った後、両基板を重ね合わせ、こ
の間に液晶を注入する。そして、セル工程の最終工程
で、実施例１及び２と同様にフッ酸とエチレングリコー
ルの混合溶液中で端子電極の接続部の絶縁膜３１を選択
的にエッチング除去して、液晶表示パネルを完成する。
【０１３１】（実施例５）図８（ａ）は、本発明の実施
例３に係る液晶表示パネルの別の適用例（実施例５）を
示す端子電極部の短辺方向における断面図であって、図
８（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、図８（ｂ）は、同平面
図、図９（ｂ）は、そのアクティブマトリックス基板の
一画素部分を示す平面図、図９（ａ）は、そのスイッチ
ング素子（ＭＩＭ）部分を示す断面図であって、図９
（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図である。
【０１３２】この液晶表示パネルは、図１４のようにア
クティブマトリックス基板１と対向基板２と、その間に
挟持された液晶４とから構成されている。
【０１３３】図８では、厚さ０．７mmのガラスからなる
透明基板１１上の厚さ約５０nmの酸化タンタルからなる
下敷絶縁膜８１上に厚さ約２００nmのアルミニウム・チ
タン・タンタル合金からなる金属膜２３が選択的に形成
され、端子電極を構成している。
【０１３４】図９では、厚さ０．７mmのガラスからなる
透明基板１１上の厚さ約５０nmの酸化タンタルからなる
下敷絶縁膜８１に形成されたＭＩＭ９１は、下層側から
厚さ約２００nmのアルミニウム・チタン・タンタル合金
からなる下部電極９２とこれを被覆する厚さ約２００nm
の酸化アルミニウムからなる絶縁膜３１と、厚さ約１５
０nmのクロムからなる上部電極９３とより構成されてい
る。
【０１３５】下部電極９２は、これと同じく厚さ約２０
０nmのアルミニウム・チタン・タンタル合金からなる信
号線１３に、上部電極９３は、厚さ約５０nmのＩＴＯか
らなる画素電極１５に接続されている。実施例５では、
信号線端子１７は、信号線１３がそのまま金属膜２３に
接続されている。なお、走査線（走査電極）は対向基板
側に形成される。
【０１３６】次に、実施例５の製造方法について説明す
る。まず、厚さ０．７mmのガラスからなる透明基板１１
上に厚さ約５０nmの酸化タンタルと厚さ約３００nmのア
ルミニウム・チタン・タンタル合金をスパッタリングに
より連続して成膜し、フォトリソグラフィ工程を経てア
ルミニウム・チタン・タンタル合金をパターニングし、
下部電極９２と信号線１３、端子部の金属膜２３を形成
する。
【０１３７】次に、下部電極９２と信号線１３、端子部
の金属膜２３の表面を実施例２と同様に酒石酸を主体と
する化成溶液中で陽極酸化し、厚さ約２００nmの酸化ア
ルミニウムからなる絶縁膜３１を形成した後、厚さ約１
５０nmのクロムをスパッタリングにより成膜し、フォト
リソグラフィ工程を経て上部電極９３を形成する。
【０１３８】次に、厚さ約５０nmのＩＴＯをスパッタリ
ングにより成膜し、フォトリソグラフィ工程を経て画素
電極１５を形成する。最後にアニールを行ってＭＩＭ基
板を完成する。この後、ＭＩＭ基板と対抗基板に配向膜
を印刷・焼成し、ラビングを行った後、両基板を重ね合
わせ、この間に液晶を注入する。
【０１３９】そしてセル工程の最終工程で、実施例１及
び２と同様にフッ酸とエチレングリコールの混合溶液中
で端子電極の接続部の絶縁膜３１を選択的にエッチング
除去して、液晶表示パネルを完成する。
【０１４０】本発明の製造方法を示す図については、実
施例３に関し図１３に代表して示したが、他の実施例に
ついても同様である。また、各実施例では絶縁膜３１の
選択的除去方法として、セル工程の最終工程でウェット
エッチングにより除去する方法を説明したが、接続端子
部表面を機械的に研磨する方法でもよく、または液晶モ
ジュール組立工程のＴＣＰ圧接前に行ってもよい。ま
た、実施例での逆スタガ型のＴＦＴの適用例では、チャ
ネルエッチ型のＴＦＴについて説明したが、チャネル保
護型のＴＦＴにも適用できることはいうまでもない。
【０１４１】絶縁膜３１を温水処理により形成した場
合、水酸化アルミニウム（上層）と酸化アルミニウム
（下層）の積層膜が形成されるのは、本発明者が実験的
に確認したものであり、従来の特開昭６０−２６０９２
０号公報（水酸化アルミニウムの被膜が形成）号公報に
開示された技術とは異なっている。この理由は、前記公
報では、膜の表面しか分析を行っていないと考えられ
る。
【０１４２】以上のように、あらかじめ接続端子部の表
面に酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウムと水酸化
アルミニウムとの積層膜からなる絶縁膜を形成し、セル
工程の最終工程もしくはモジュール工程のＴＣＰ圧接前
にこれを選択的に除去するので、熱処理工程（アレイ工
程のアニールやセル工程の配向膜焼成）や洗浄工程での
接続端子表面のアルミニウムの酸化の影響をなくすこと
ができ、端子部での初期の圧接抵抗を低く安定にするこ
とができる。
【０１４３】また、絶縁膜３１の厚さを１００nm以上に
することにより、セル工程で行う洗浄時にアルカリ洗浄
や酸洗浄を用いることができるとともに、端子電極部の
アルミニウム表面のヒロックの発生を防止でき、歩留や
信頼性を向上させることができる。
【０１４４】なお、本発明でも接続端子部の表面にアル
ミニウムの自然酸化膜が形成されるが、厚さは５nm以下
であり、ＴＣＰ圧接時にＡＣＦの粒子が容易にこの酸化
膜を突き破ることができ、安定した接続抵抗と信頼性を
確保することができる。
【０１４５】図１６は、本発明の実施例３を適用した場
合の圧接抵抗の例を従来のアルミ端子の場合と比較して
示す図である。図１６（ａ）は、初期の圧接抵抗の一例
であり、（ｂ）は６０℃、９０％の高温高湿保管試験後
の圧接抵抗の一例である。ここで、抵抗値は２０端子直
列接続した値であり、ＡＣＦにはソニーケミカル製のＣ
Ｐ７１３１改型を用いた。圧接条件は１８０℃、３０kg
/cm2、熱処理条件は3３００℃、３０分、洗浄時の温水
処理条件は７０℃、１０分である。
【０１４６】図１６から明らかなように、従来のアルミ
端子の製造方法では、アルミ端子の表面に絶縁膜が形成
され、端子部での電気的接続が全くとれないのに対し、
本発明では、初期の圧接抵抗値を低く安定にでき、接続
信頼性を高めることができるという効果を有する。
【０１４７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
レイ工程でのフォトリソグラフィーの回数を１回削減で
き、歩留や生産性を向上できる。
【０１４８】その理由は、端子電極部の酸化アルミニウ
ムや水酸化アルミニウムの絶縁膜の形成及び除去をフォ
トマスクなしででき、工程数を削減できるためである。
【０１４９】さらに、端子部での初期の圧接抵抗を低く
安定にすることができ、接続信頼性も向上させることが
できる。
【０１５０】その理由は、端子部の接続電極の少なくと
もＴＣＰとの接続面にあらかじめ酸化アルミニウムや水
酸化アルミニウムの絶縁膜を形成し、セル工程の最終工
程でこれを選択的に除去するようにしたため、後の熱処
理工程（アレイ工程でのアニールやセル工程での配向膜
焼成）や洗浄工程の温水処理、蒸気乾燥で接続面のアル
ミニウムの表面酸化あるいは水酸化を防止することがで
きるためである。
【０１５１】さらに、表示ムラを低減でき、歩留や信頼
性を向上させることができる。
【０１５２】その理由は、端子電極部のアルミニウムが
むき出しになっている部分をあらかじめ酸化アルミニウ
ムや水酸化アルミニウムの絶縁膜で被覆したため、セル
工程で行う洗浄時にアルカリ洗浄や酸洗浄を用いること
ができ、アルカリイオンや塩素イオンの除去が十分行え
るためである。
【０１５３】また、実施例２及び３については、画素部
の最上層のアルミニウム配線や電極を配向膜等からの水
分の侵入に対し保護でき、アルミニウムの腐食を防止す
ることができる。
【０１５４】さらに、セル工程の歩留や生産性を向上さ
せることができる。
【０１５５】その理由は、端子電極部のアルミニウム表
面をあらかじめ酸化アルミニウムや水酸化アルミニウム
の絶縁膜で被覆したため、ヒロックの発生を防止できセ
ル工程のラビング時に素子部の配向膜に傷をつけたり、
ラビングロールを汚染することを防止することができる
ためである。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の液晶表示パネルを構成する
アクティブマトリックス基板の実施例１を示す端子電極
部の断面図であって、（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、
（ｂ）は、同平面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の液晶表示パネルを構成する
アクティブマトリックス基板の実施例２を示す端子電極
部の断面図であって、（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、
（ｂ）は、同平面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の液晶表示パネルを構成する
アクティブマトリックス基板の実施例２の変形例を示す
端子電極部の断面図であって、（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面
図、（ｂ）は、同平面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の液晶表示パネルを構成する
アクティブマトリックス基板の実施例３を示す端子電極
部の断面図であって、（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、
（ｂ）は、同平面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の液晶表示パネルを構成する
アクティブマトリックス基板の実施例３を示すスイッチ
ング素子（ＴＦＴ）部分の断面図であって、（ｂ）のＩ
−Ｉ’線断面図、（ｂ）は、その一画素部分を示す平面
図である。
【図６】（ａ）は、本発明の液晶表示パネルを構成する
アクティブマトリックス基板の実施例３の他の適用例を
示す端子電極部の断面図であって、（ｂ）のＩ−Ｉ’線
断面図、（ｂ）は、同平面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の液晶表示パネルを構成する
アクティブマトリックス基板の実施例３の他の適用例を
示すスイッチング素子（ＴＦＴ）部分の断面図であっ
て、（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、（ｂ）は、その一画素
部分を示す平面図である。
【図８】（ａ）は、本発明の液晶表示パネルを構成する
アクティブマトリックス基板の実施例３の別の適用例を
示す端子電極部の断面図であって、（ｂ）のＩ−Ｉ’線
断面図、（ｂ）は、同平面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の液晶表示パネルを構成する
アクティブマトリックス基板の実施例３の別の適用例を
示すスイッチング素子（ＭＩＭ）部分の断面図であっ
て、（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、（ｂ）は、その一画素
部分を示す平面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施例１及び２
を縦方向電界型の液晶表示パネルに適用したアクティブ
マトリックス基板のそれぞれそのスイッチング素子（Ｔ
ＦＴ）部分の断面図であって、（ｃ）のＩ−Ｉ’線断面
図、（ｃ）は、そのアクティブマトリックス基板の一画
素部分を示す平面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施例１及び２
を横方向電界型の液晶表示パネルに適用したアクティブ
マトリックス基板のそれぞれそのスイッチング素子（Ｔ
ＦＴ）部分の断面図であって、（ｃ）のＩ−Ｉ’線断面
図、（ｃ）は、そのアクティブマトリックス基板の一画
素部分を示す平面図である。
【図１２】（ａ）は、本発明の液晶表示パネルを構成す
るアクティブマトリックス基板の実施例２の変形例を示
すスイッチング素子（ＭＩＭ）部分の断面図であって、
（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図、（ｂ）は、その一画素部分
を示す平面図である。
【図１３】本発明の実施例３（図４、図５）の製造フロ
ーを示す断面図である。
【図１４】液晶表示パネルの構成を示す断面図である。
【図１５】ＴＦＴを用いたアクティブマトリックス型液
晶表示パネルの構成例を模式的に示した図である。
【図１６】本発明の効果を示す図であって、（ａ）は、
実施例３の端子構造における初期の圧接抵抗の一例であ
り、（ｂ）は、同じく６０℃、９０％の高温高湿保管試
験後の圧接抵抗の一例であり、何れも端子電極をアルミ
ニウムで構成した従来の場合と比較して示した図であ
る。
【図１７】特開昭６０−２６０９２０号公報に開示され
たの熱書き込み型の液晶表示装置の加熱電極を設けた基
板を示す断面図である。
【図１８】特開平３−２８００２１号公報に開示された
アクティブマトリックス型の電気光学装置のアクティブ
マトリックス基板を示す断面図である。
【図１９】特開平８−１２２８２２号公報に開示された
薄膜トランジスタアレイ基板を示す断面図である。
【符号の説明】
１ アクティブマトリックス基板 ２ 対向基板 ３ シール剤 ４ 液晶 ５ 偏光板 １１ 透明基板 １２ 走査線 １３ 信号線 １４ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） １５ 画素電極 １６ 走査線端子 １７ 信号線端子 １８ 液晶層 １９ 対向電極 ２１，２３ 金属膜 ２２ 層間絶縁膜 ２４ 保護絶縁膜 ２５，２６ 端子コンタクトホール ３１ 絶縁膜 ４２ 第２のゲート絶縁膜 ５１ 遮光膜 ５２ ソース電極 ５３ ドレイン電極 ５４ 半導体層 ５５ 第１のゲート絶縁膜 ５６ ゲート電極 ５７ 第１の半導体薄膜 ５８ 第２の半導体薄膜 ５９ 開口部 ８１ 下敷絶縁膜 ９１ ＭＩＭ ９２ 下部電極 ９３ 上部電極、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1343 G02F 1/1345

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 対をなすアクティブマトリックス基板及
    び対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と対向
    基板との間に挟持された液晶とを有する液晶表示パネル
    の製造方法であって、 アクティブマトリックス基板製造工程において、アルミ
    ニウムまたはアルミニウムを主体とする合金からなる接
    続電極上に保護絶縁膜を形成し、前記保護絶縁膜に前記
    接続電極に達する端子コンタクトホールを形成し、温水
    処理により前記接続電極の接続部表面に酸化アルミニウ
    ムと水酸化アルミニウムとの積層膜からなる絶縁膜を形
    成し、 その後の液晶表示パネル製造工程の最終以降の工程にお
    いて、前記接続部の前記絶縁膜を選択的に除去すること
    を特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
  2. 【請求項２】 対をなすアクティブマトリックス基板及
    び対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と対向
    基板との間に挟持された液晶とを有する液晶表示パネル
    の製造方法であって、 アクティブマトリックス基板製造工程において、アルミ
    ニウムまたはアルミニウムを主体とする合金からなる接
    続電極を形成し、温水処理により前記接続電極の表面に
    酸化アルミニウムと水酸化アルミニウムの積層膜からな
    る絶縁膜を形成し、さらに前記接続電極上に保護絶縁膜
    を形成し、前記保護絶縁膜に前記接続電極上の前記絶縁
    膜に達する端子コンタクトホールを形成し、 その後の液晶表示パネル製造工程の最終以降の工程にお
    いて、前記接続電極の接続部の前記絶縁膜を選択的に除
    去することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
  3. 【請求項３】 対をなすアクティブマトリックス基板及
    び対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と対向
    基板との間に挟持された液晶とを有する液晶表示パネル
    の製造方法であって、 アクティブマトリックス基板製造工程において、アルミ
    ニウムまたはアルミニウムを主体とする合金からなる接
    続電極を形成し、温水処理により前記接続電極の表面に
    酸化アルミニウムと水酸化アルミニウムとの積層膜から
    なる絶縁膜を形成し、 その後の液晶表示パネル製造工程の最終以降の工程にお
    いて、前記接続電極の表面の前記絶縁膜を選択的に除去
    することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記絶縁膜の厚さは、少なくとも１００
    ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１，２叉は３に
    記載の液晶表示パネルの製造方法。
  5. 【請求項５】 対をなすアクティブマトリックス基板及
    び対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と対向
    基板との間に挟持された液晶とを有する液晶表示パネル
    であって、 前記アクティブマトリックス基板は、透明基板上に複数
    の走査線と、前記複数の走査線に直交して設けられた複
    数の信号線と、前記複数の走査線と複数の信号線の各交
    点に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング
    素子に接続された画素電極と、前記走査線及び信号線の
    始端部に設けられた接続電極とを有しており、 前記接続電極の少なくとも接続部は、アルミニウムまた
    はアルミニウムを主体とする合金から構成され、 前記液晶が挟持された部分の前記走査線及び信号線と前
    記スイッチング素子の電極のうち、最上層の配線及び電
    極の表面は、酸化アルミニウムと水酸化アルミニウムの
    積層膜からなる絶縁膜で被覆されたものであることを特
    徴とする液晶表示パネル。
  6. 【請求項６】 対をなすアクティブマトリックス基板及
    び対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と対向
    基板との間に挟持された液晶とを有する液晶表示パネル
    であって、 前記アクティブマトリックス基板は、透明基板上に複数
    の走査線と、前記複数の走査線に直交して設けられた複
    数の信号線と、前記複数の走査線と複数の信号線の各交
    点に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング
    素子に接続された画素電極と、対向電極と、前記走査線
    及び信号線の始端部に設けられた接続電極とを有してお
    り、 前記接続電極の少なくとも接続部は、アルミニウムまた
    はアルミニウムを主体とする合金から構成され、 前記液晶が挟持された部分の前記走査線及び信号線と前
    記スイッチング素子の電極と前記対向電極のうち、最上
    層の配線及び電極の表面は、酸化アルミニウムと水酸化
    アルミニウムの積層膜からなる絶縁膜で被覆されたもの
    であることを特徴とする液晶表示パネル。
  7. 【請求項７】 対をなすアクティブマトリックス基板及
    び対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と対向
    基板との間に挟持された液晶とを有する液晶表示パネル
    であって、 前記アクティブマトリックス基板は、透明基板上に複数
    の信号線と、前記複数の信号線に設けられた複数のスイ
    ッチング素子と、前記複数のスイッチング素子の各々に
    接続された画素電極と、前記信号線の始端部に設けられ
    た接続電極とを有しており、 前記接続電極の少なくとも接続部は、アルミニウムまた
    はアルミニウムを主体とする合金から構成され、 前記接続電極の少なくとも接続部は、アルミニウムまた
    はアルミニウムを主体とする合金から構成され、前記液
    晶が挟持された部分の前記信号線と前記スイッチング素
    子の電極のうち、最上層の配線及び電極の表面は、酸化
    アルミニウムと水酸化アルミニウムの積層膜からなる絶
    縁膜で被覆されたものであることを特徴とする液晶表示
    パネル。
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