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JP3110467U - Mating type power semiconductor package equipment - Google Patents

Mating type power semiconductor package equipment Download PDF

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JP3110467U
JP3110467U JP2005000733U JP2005000733U JP3110467U JP 3110467 U JP3110467 U JP 3110467U JP 2005000733 U JP2005000733 U JP 2005000733U JP 2005000733 U JP2005000733 U JP 2005000733U JP 3110467 U JP3110467 U JP 3110467U
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JP
Japan
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cup body
semiconductor element
type power
semiconductor package
power semiconductor
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JP2005000733U
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Japanese (ja)
Inventor
長庚 沈
Original Assignee
朋程科技股▲ふん▼有限公司
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Abstract

【課題】嵌合式パワー半導体パッケージ装置は半導体素子上部のスペーサ材を内部に嵌め込むことができ、脱離を防ぐことができ、また、同時に嵌め込む際のインパクトを緩和することができ、半導体素子のすぐれた保護作用を提供する。
【解決手段】カップ体30はカップ体の胴体31、カップ体の内壁32、溝部33及び導熱座34を形成し、導熱座が縦方向に突起する環状バング35及び横方向に張り出る固定壁を形成し、溝部の内部にはカップ体の内壁に接触する緩衝ブッシュを設置し、半導体素子及びリード体周囲には絶縁材を塗布し、半導体素子と接触しない領域を絶縁にし、カップ体の胴体内にスペーサ材を注入する。固定壁はカップ体の胴体内にスペーサ材を固持することを可能にする。
【選択図】図2
A fitting type power semiconductor package device is capable of fitting a spacer material on an upper part of a semiconductor element into the inside thereof, preventing detachment, and mitigating impact at the same time of fitting. Provides excellent protection.
A cup body 30 includes a body 31 of a cup body, an inner wall 32 of the cup body, a groove portion 33 and a heat conducting seat 34, and an annular bang 35 in which the heat conducting seat projects in the vertical direction and a fixed wall projecting in the lateral direction. A buffer bush that contacts the inner wall of the cup body is installed inside the groove, an insulating material is applied around the semiconductor element and the lead body, and an area that does not contact the semiconductor element is insulated, and the body of the cup body Spacer material is injected into the substrate. The fixed wall makes it possible to hold the spacer material in the cup body.
[Selection] Figure 2

Description

本考案は、嵌合式パワー半導体パッケージ装置に関し、特に嵌合式で自動車や工業上のダイオード整流器に応用される。   The present invention relates to a fitting type power semiconductor package device, and particularly to a fitting type and applied to an automobile or an industrial diode rectifier.

嵌合式パワー半導体パッケージ装置は、嵌合式で自動車や工業上のダイオード整流器に応用される。通常は発電機内に設置され、交流電流を整流して直流電流にする。高温の発電機に位置するために、特に自動車工業、その内部構造は高度な安全性を必要とする。また密着方式で整流器内に嵌め込むため、嵌め込み時にかなり大きな応力を受ける。   The fitting type power semiconductor package device is a fitting type and is applied to an automobile or an industrial diode rectifier. Normally installed in a generator, the AC current is rectified into a DC current. In order to be located in a hot generator, especially the automotive industry, its internal structure requires a high degree of safety. Moreover, since it fits in a rectifier by a close_contact | adherence system, it receives a considerably big stress at the time of fitting.

本出願人はすでに特許を別に出願しており、「嵌合式パワー半導体パッケージ装置」の名称で、中華民国特許第529768号を取得し、その公告日は2003年4月21日である。図1は、その技術の嵌合式パワー半導体パッケージ装置の断面図である。この装置は、リード体10a、半導体素子20a、カップ体30a、絶縁材50a及びスペーサ材60aを含む。半導体素子20aはリード体10aと連結する。カップ体30aの内部においてカップ体の胴体31a、カップ体の内壁32a、溝部33a及び導熱座34aを形成し、そして導熱座34aの上部に環状バング35aを形成する。また導熱座35aは半導体素子20aに連結する。絶縁材50aは半導体素子20a及び導熱座34aの上部に塗布し、半導体素子20aと接触しない部分が絶縁する。スペーサ材60aは絶縁材50aの外側に被覆される。   The present applicant has already applied for a patent separately, and has obtained a Chinese patent No. 529768 under the name of “fitting type power semiconductor package device”, and its publication date is April 21, 2003. FIG. 1 is a cross-sectional view of a fitting type power semiconductor package device of the technology. This apparatus includes a lead body 10a, a semiconductor element 20a, a cup body 30a, an insulating material 50a, and a spacer material 60a. The semiconductor element 20a is connected to the lead body 10a. Inside the cup body 30a, a cup body body 31a, an inner wall 32a of the cup body, a groove portion 33a and a heat conducting seat 34a are formed, and an annular bang 35a is formed on the upper portion of the heat conducting seat 34a. The heat conducting seat 35a is connected to the semiconductor element 20a. The insulating material 50a is applied to the top of the semiconductor element 20a and the heat conducting seat 34a, and the portion that does not contact the semiconductor element 20a is insulated. The spacer material 60a is coated on the outside of the insulating material 50a.

前述の関連技術は嵌め込む際に発する力を変え、かつ、カップ体に発生する変更力はカップ体30aの溝部33aに集中し、導熱座35a上に位置する半導体素子20aを保護することができる。こうして、嵌合式パワー半導体パッケージ装置の嵌め込み時のインパクトの問題を解決し、組立てる際の歩留を確保し、かつ、絶縁材50a及びスペーサ材60aにより半導体素子20aの絶縁及び水蒸気の隔離効能を提供することができた。   In the related art described above, the force generated when fitting is changed, and the changing force generated in the cup body is concentrated in the groove 33a of the cup body 30a, and the semiconductor element 20a located on the heat conducting seat 35a can be protected. . In this way, the problem of impact at the time of fitting of the fitting type power semiconductor package device is solved, the yield at the time of assembling is secured, and the insulating material 50a and the spacer material 60a provide the insulating effect of the semiconductor element 20a and the water vapor isolating effect. We were able to.

しかし、前述の嵌合式パワー半導体パッケージ装置はカップ体の胴体31aに硬質の合成樹脂(成形成分molding component)70aを注入して半導体素子20aを保護することがある。硬質の合成樹脂70aは、注入後、硬くなる性質がある。嵌合式パワー半導体パッケージ装置に嵌め込む際、硬質の合成樹脂70aは力の押動を受け、カップ体の胴体31aと離れやすくなる。もう一方で、硬質材料なので、応力を半導体素子20aに伝達しやすく、それを壊してしまうこともある。   However, the above-described fitting type power semiconductor package apparatus may inject the hard synthetic resin (molding component) 70a into the cup body 31a to protect the semiconductor element 20a. The hard synthetic resin 70a has a property of becoming hard after injection. When fitted into the fitting-type power semiconductor package device, the hard synthetic resin 70a is subjected to force and easily separated from the cup body 31a. On the other hand, since it is a hard material, stress is easily transmitted to the semiconductor element 20a, and it may be broken.

従って、以上の記述から、前記の嵌合式パワー半導体パッケージ装置を製造、組立てる際、硬質の合成樹脂を注入した製品に応用する場合は明らかに進歩性のあることが分かる。そこで、この出願人は進歩を追求する観念により、特に真剣に研究し並びに理論の運用を合わせてようやく合理的な設計で、前述のような欠点を効率よく向上する本考案を見出した。   Therefore, it can be seen from the above description that when the fitting type power semiconductor package device is manufactured and assembled, it is clearly inventive when applied to a product injected with a hard synthetic resin. Therefore, the present applicant has found the present invention that efficiently improves the above-mentioned drawbacks with a rational design based on the idea of pursuing advancement, especially after serious research and the operation of theory.

本考案の主要な目的は嵌め込みの組立て時に、半導体素子上部のスペーサ材の内部を噛合わせ、脱離を避けて半導体素子の保護作用及び製品の歩留を確保する嵌合式パワー半導体パッケージ装置を提供することにある。   The main object of the present invention is to provide a fitting type power semiconductor package device that ensures the protective effect of the semiconductor element and the product yield by engaging the inside of the spacer material on the upper part of the semiconductor element and avoiding the detachment when assembling the fitting. There is to do.

本考案の他の目的は、嵌め込み時のインパクトを同時に緩和することができ、半導体素子にすぐれた保護作用を提供する嵌合式パワー半導体パッケージ装置を提供するにある。   Another object of the present invention is to provide a fitting type power semiconductor package device capable of simultaneously mitigating the impact at the time of fitting and providing an excellent protective action to the semiconductor element.

このような目的を達成するために、本考案の嵌合式パワー半導体パッケージ装置は、リード(リード体)、半導体素子、カップ体、緩衝ブッシュ、絶縁材及びスペーサ材を含む。半導体素子はリード体と連結するものである。カップ体は、カップ体の胴体、カップ体の内壁、溝部及び導熱座を形成する。導熱座は、縦方向に突起する環状バング及び横方向に張り出る固定壁を形成する。さらに導熱座は半導体素子に連結する。緩衝ブッシュは溝部内部を取り囲み、かつカップ体の内壁に接触する。絶縁材は、半導体素子及び導熱座の上部に塗布し、半導体素子と接触しない部分を絶縁にする。スペーサ材はカップ体の胴体内に注入し、並びに絶縁材上に被覆される。   In order to achieve such an object, the fitting type power semiconductor package device of the present invention includes a lead (lead body), a semiconductor element, a cup body, a buffer bush, an insulating material, and a spacer material. The semiconductor element is connected to the lead body. The cup body forms a body of the cup body, an inner wall of the cup body, a groove portion, and a heat conducting seat. The heat-conducting seat forms an annular bang projecting in the longitudinal direction and a fixed wall projecting in the lateral direction. Further, the heat conducting seat is connected to the semiconductor element. The buffer bush surrounds the inside of the groove and contacts the inner wall of the cup body. The insulating material is applied to the upper part of the semiconductor element and the heat conduction seat to insulate the part that does not contact the semiconductor element. The spacer material is poured into the body of the cup body and coated on the insulating material.

本考案の好もしい実施例を図面により以下に詳しく説明する。しかしこれらの説明は、本考案を説明するためのものであり、本考案の権利範囲にいかなる制限を加えるものではない。   Preferred embodiments of the invention are described in detail below with reference to the drawings. However, these descriptions are for explaining the present invention and do not limit the scope of the present invention.

図2及び図2Aは、それぞれ本考案の嵌合式パワー半導体パッケージ装置の一部の断面図、図2中のAの一部の拡大図である。本考案の嵌合式パワー半導体パッケージ装置は、プレート2の内部に嵌め込むことを提供し、リード体10、半導体素子20及びカップ体30を含む。リード体10のボトム部分は半導体素子20と連結し、またそのトップの部分はその他素子と連結する。半導体素子20はパワー半導体であってカップ体30内に設置される。   2 and 2A are respectively a cross-sectional view of a part of the fitting type power semiconductor package device of the present invention and an enlarged view of a part of A in FIG. The fitting type power semiconductor package device of the present invention provides fitting into the inside of the plate 2, and includes a lead body 10, a semiconductor element 20, and a cup body 30. The bottom portion of the lead body 10 is connected to the semiconductor element 20, and the top portion is connected to other elements. The semiconductor element 20 is a power semiconductor and is installed in the cup body 30.

図3は、本考案の嵌合式パワー半導体パッケージ装置のカップ体断面図である。カップ体30の内部に、カップ体の胴体31、カップ体の内壁32、環状溝部33及び導熱座34を形成する。導熱座34は、カップ体30のボトム部分においてカップ体30の内部で上に向かって突起し、そして平坦なトップ部分の上に半導体素子20を設置する。溝部33は環状を呈し導熱座34の周囲に形成される。導熱座34は、縦方向に突起する環状バング35及び横方向に張り出る固定壁36を形成する。カップ体30のボトム部分には凹部37があり、またこのカップ体30の外側には、複数のスリット38がプレート2の実装穴内に密着するように形成される。   FIG. 3 is a cross-sectional view of the cup body of the fitting type power semiconductor package device of the present invention. Inside the cup body 30, a body 31 of the cup body, an inner wall 32 of the cup body, an annular groove portion 33 and a heat conducting seat 34 are formed. The heat-conducting seat 34 protrudes upward inside the cup body 30 at the bottom portion of the cup body 30, and installs the semiconductor element 20 on the flat top portion. The groove portion 33 has an annular shape and is formed around the heat conducting seat 34. The heat conducting seat 34 forms an annular bang 35 projecting in the vertical direction and a fixed wall 36 projecting in the lateral direction. A concave portion 37 is provided at the bottom portion of the cup body 30, and a plurality of slits 38 are formed outside the cup body 30 so as to be in close contact with the mounting holes of the plate 2.

導熱座34、カップ体の胴体31及び溝部33は、カップ体30の内部に対称的に設置される。環状バング35は、半導体素子20を導熱座34の中央に設置しやすくする。   The heat-conducting seat 34, the cup body 31, and the groove 33 are symmetrically installed inside the cup body 30. The annular bang 35 makes it easy to install the semiconductor element 20 in the center of the heat conducting seat 34.

本考案の嵌合式パワー半導体パッケージ装置はさらに緩衝ブッシュ40を設置し、溝部33の内部に取り囲むように置かれ、かつカップ体の内壁32に接触する。この緩衝ブッシュ40とカップ体の内壁32の間には接着剤を使用しない。したがって、このカップ体の内壁32との間には小さなギャップを存在する。緩衝ブッシュ40の材料は弾力性のある材料であり、これにより嵌め込む過程において外界の応力を減らし弱くすることができる。成形時において温度は摂氏200℃ぐらいにまで上昇するので、この緩衝ブッシュ40の材料は摂氏200℃以上に耐えうる材料であること好ましい。   The fitting type power semiconductor package device of the present invention further includes a buffer bush 40, is placed so as to surround the inside of the groove 33, and contacts the inner wall 32 of the cup body. No adhesive is used between the buffer bush 40 and the inner wall 32 of the cup body. Therefore, a small gap exists between the inner wall 32 of the cup body. The material of the buffer bush 40 is an elastic material, which can reduce and weaken the external stress during the fitting process. Since the temperature rises to about 200 ° C. at the time of molding, the material of the buffer bush 40 is preferably a material that can withstand 200 ° C. or more.

半導体素子20及びリード体10の周囲表面には絶縁材50を塗布する。それにより、導熱座34の環状バング35は絶縁材50がカップ体30の溝部33内部に流入するのを防ぐことができ、半導体素子20を導熱座34の上に密封し、半導体素子20と接触しない領域を絶縁する。絶縁材50の材料はポリイミドであってよく、ポリイミドは耐高温と高度絶縁の特性がある。半導体素子20の作動時に高温になる場合は、ポリイミドの耐熱と絶縁の特性は、半導体素子20と導熱座34との非接触領域を絶縁にし、また半導体素子20とリード体10の非接触の領域を絶縁の状態にする。これにより、半導体素子20を高温及び低温状態で作動する際、漏電量を低減することができる。   An insulating material 50 is applied to the peripheral surfaces of the semiconductor element 20 and the lead body 10. Thereby, the annular bang 35 of the heat conducting seat 34 can prevent the insulating material 50 from flowing into the groove portion 33 of the cup body 30, and the semiconductor element 20 is sealed on the heat conducting seat 34 and is in contact with the semiconductor element 20. Insulate areas that will not. The material of the insulating material 50 may be polyimide, and the polyimide has characteristics of high temperature resistance and high insulation. When the semiconductor element 20 is heated to a high temperature, the heat resistance and insulation characteristics of polyimide are such that the non-contact area between the semiconductor element 20 and the heat conducting seat 34 is insulated, and the non-contact area between the semiconductor element 20 and the lead body 10. To the insulation state. Thereby, when operating the semiconductor element 20 in a high temperature and low temperature state, the amount of electric leakage can be reduced.

カップ体の胴体31の内部にはスペーサ材60が注入される。このスペーサ材60は絶縁材50とリード体10のボトム部に被覆させ、半導体素子20の作動時、湿気の浸透を保護できることに使用される。スペーサ材の材料はエポキシーであってよく、エポキシー樹脂にはすぐれた防湿効果があり、スペーサ材60が高温又は低温状態にあったとしても、もともとの防湿の特性を発揮でき、嵌合式パワー半導体パッケージ装置の作動を正常に維持することのできるものである。導熱座34の固定壁36はカップの胴体部31のスベーサ60を固定的に噛合わせ、密着時のプレッシャーによるカップ30の脱落を防ぐことができる。   A spacer member 60 is injected into the cup body 31. The spacer material 60 is used to cover the insulating material 50 and the bottom portion of the lead body 10 and protect moisture permeation during the operation of the semiconductor element 20. The material of the spacer material may be epoxy, and the epoxy resin has an excellent moisture-proof effect, and even if the spacer material 60 is in a high or low temperature state, the original moisture-proof characteristics can be exhibited, and the fitting type power semiconductor package The operation of the apparatus can be maintained normally. The fixing wall 36 of the heat-conducting seat 34 meshes with the sbaser 60 of the cup body 31 so that the cup 30 can be prevented from falling off due to pressure during close contact.

本考案の緩衝ブッシュ40の内側にはスペーサ材60と係合する係合部42を更に形成し、これにより嵌め込み時における緩衝ブッシュ40の脱落を防ぐことができる。図2Aに示すように、緩衝ブッシュ40の係合部42はカップ体の胴体31に向かって突起し、そして係合部42はスペーサ材60の中に係合する。緩衝ブッシュ40の係合部は凹状であってもよく、スペーサ材60を係合内に係合しカップ体の胴体部31内部における緩衝ブッシュ40を固持される。   An engagement portion 42 that engages with the spacer member 60 is further formed inside the buffer bush 40 of the present invention, and thereby the buffer bush 40 can be prevented from falling off when fitted. As shown in FIG. 2A, the engaging portion 42 of the buffer bush 40 protrudes toward the cup body 31, and the engaging portion 42 engages in the spacer material 60. The engagement portion of the buffer bush 40 may be concave, and the buffer bush 40 inside the body portion 31 of the cup body is fixed by engaging the spacer member 60 in the engagement.

〔本考案の特徴及び特点〕
本考案の嵌合式パワー半導体パッケージ装置が密着方式によりプレート2の実装孔に係合する場合は、このプレート2はカップ体30に向かって横方向の力を加える。導熱座34からカップ体30のボトム部分の硬性は、溝部33のボトム部分からカップ体30のボトム部分までの硬性よりも大きいので、湾曲変異度は溝部33及びカップ体30ボトム部分において集中する。これにより導熱座34の湾曲変異量を減少させることができ、導熱座34上部の半導体素子20を損なわないように保護し、また嵌合式パワー半導体パッケージ装置のもともとの効能を維持することができる。
[Features and features of the present invention]
When the fitting type power semiconductor package device of the present invention is engaged with the mounting hole of the plate 2 by the close contact method, the plate 2 applies a lateral force toward the cup body 30. Since the hardness of the bottom part of the cup body 30 from the heat-conducting seat 34 is larger than the hardness from the bottom part of the groove part 33 to the bottom part of the cup body 30, the curvature variation is concentrated in the groove part 33 and the cup body 30 bottom part. As a result, the bending variation of the heat conducting seat 34 can be reduced, the semiconductor element 20 above the heat conducting seat 34 can be protected so as not to be damaged, and the original effect of the fitting type power semiconductor package device can be maintained.

さらに、この嵌合式パワー半導体パッケージ装置は、プレート2に嵌め込む時に上から下までインパクトを受ける。本考案において緩衝ブッシュ40は先にスペーサ材60に伝達するインパクトを緩和、低減し、かつスペーサ材が押されるのを防ぐことができ、そして、スペーサ材60はさらに半導体素子20に加わるインパクトを低減する。これにより半導体素子20の効能を同時に保護する。   Furthermore, the fitting type power semiconductor package device receives an impact from the top to the bottom when fitting into the plate 2. In the present invention, the buffer bushing 40 can reduce and reduce the impact transmitted to the spacer material 60 first, and can prevent the spacer material from being pushed, and the spacer material 60 further reduces the impact applied to the semiconductor element 20. To do. This simultaneously protects the efficacy of the semiconductor element 20.

本考案の更なる特徴は、導熱座34横方向に突起する固定壁36によりスペーサ材60を噛合、固定する。たとえカップ体30が変形しスペーサ材60を押し出ても、スペーサ材60はカップ体の胴体31内に固持され、脱離してしまうことはない。これにより、組立て後の製品の歩留を確保することができる。   A further feature of the present invention is that the spacer member 60 is engaged and fixed by a fixing wall 36 protruding in the lateral direction of the heat conducting seat 34. Even if the cup body 30 is deformed and the spacer material 60 is pushed out, the spacer material 60 is held in the body 31 of the cup body and is not detached. Thereby, the yield of the product after assembling can be ensured.

以上記述の通りに、本考案は実用新案の要件に符合し、規定に従って出願する。しかしこれらの掲示は本考案のすぐれた実施例に過ぎず、実用新案登録請求の範囲に限定されるのではなく、実用新案登録請求の範囲による均一な変更或いは補正は本考案の全ての範囲に属する。   As described above, the present invention conforms to the requirements of the utility model and is filed in accordance with the provisions. However, these postings are only examples of the present invention, and are not limited to the scope of the utility model registration request. Uniform changes or amendments according to the utility model registration request are within the full scope of the present invention. Belongs.

従来の技術に係る嵌合式パワー半導体パッケージ装置の断面図である。It is sectional drawing of the fitting type power semiconductor package apparatus which concerns on a prior art. 本考案の嵌合式パワー半導体パッケージ装置の部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the fitting type power semiconductor package device of the present invention. 図2のA部分の拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a portion A in FIG. 2. 本考案の嵌合式パワー半導体パッケージ装置のカップ体断面図である。It is a cup body sectional view of the fitting type power semiconductor package device of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 嵌合式パワー半導体パッケージ装置
10 リード体
20 半導体素子
30 カップ体
31 カップ体の胴体
32 カップ体の内壁
33 溝部
34 導熱座
35 環状バング
36 固定壁
37 凹部
38 スリット
40 緩衝ブッシュ
42 係合部
50 絶縁材
60 スペーサ材
2 プレート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Fitting type power semiconductor package apparatus 10 Lead body 20 Semiconductor element 30 Cup body 31 Body of cup body 32 Inner wall 33 of cup body 33 Groove part 34 Heat conduction seat 35 Annular bang 36 Fixed wall 37 Recessed part 38 Slit 40 Buffer bushing 42 Engagement part 50 Insulation Material 60 Spacer material 2 Plate

Claims (8)

リードと、
前記リードと接続する半導体素子と、
カップ体の胴体、カップ体の内壁、溝部及び導熱座を有するように形成され、前記導熱座が、縦方向に突起する環状バング及び横方向に張り出る固定壁を形成しかつ前記半導体素子に接続するカップ体と、
前記溝部の周囲に置かれ、かつ前記カップ体の内壁に接触する緩衝ブッシュと、
前記半導体素子及び前記導熱座に塗布され、前記半導体素子と接触しない領域を絶縁する絶縁材と、
前記カップ体の胴体に注入され、かつ前記絶縁材に被覆するスペーサ材と
を含むことを特徴とする嵌合式パワー半導体パッケージ装置。
Lead and
A semiconductor element connected to the lead;
The cup body is formed to have a body of the cup body, an inner wall of the cup body, a groove portion, and a heat conducting seat, and the heat conducting seat forms an annular bang protruding in the vertical direction and a fixed wall projecting in the lateral direction and is connected to the semiconductor element. And a cup body
A buffer bush placed around the groove and in contact with the inner wall of the cup body;
An insulating material that is applied to the semiconductor element and the heat conducting seat and insulates a region that does not contact the semiconductor element;
And a spacer material that is injected into the body of the cup body and covers the insulating material.
前記導熱座、前記カップの胴体及び前記溝部は、前記カップ体の内部に対称的に設置され、
前記環状バングは、前記半導体素子を前記導熱座の中央に置くときにその半導体素子をその導熱座に置きやすくする
ことを特徴とする請求項1記載の嵌合式パワー半導体パッケージ装置。
The heat conducting seat, the cup body and the groove are symmetrically installed inside the cup body,
2. The fitting type power semiconductor package device according to claim 1, wherein the annular bang facilitates placing the semiconductor element on the heat conducting seat when the semiconductor element is placed on the center of the heat conducting seat. 3.
前記絶縁材の材料はポリイミトであることを特徴とする請求項1記載の嵌合式パワー半導体パッケージ装置。   2. The fitting type power semiconductor package device according to claim 1, wherein the material of the insulating material is polyimide. 前記スペーサ材はエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1記載の嵌合式パワー半導体パッケージ装置。   The fitting type power semiconductor package device according to claim 1, wherein the spacer material is an epoxy resin. 前記緩衝ブッシュは弾性があり、その材料は耐200℃以上のプラスチック材料であることを特徴とする請求項1記載の嵌合式パワー半導体パッケージ装置。   2. The fitting type power semiconductor package device according to claim 1, wherein the buffer bush is elastic and made of a plastic material having a resistance of 200 [deg.] C. or more. 前記緩衝ブッシュの内側は更に前記スペーサ材と係合することを特徴とする請求項1記載の嵌合式パワー半導体パッケージ装置。   2. The fitting type power semiconductor package device according to claim 1, wherein an inner side of the buffer bush is further engaged with the spacer material. 前記緩衝ブッシュにおける前記スペーサ材と係合する係合部は前記カップ体の胴体に向かって突起することを特徴とする請求項6記載の嵌合式パワー半導体パッケージ装置。   7. The fitting type power semiconductor package device according to claim 6, wherein an engaging portion that engages with the spacer material in the buffer bush protrudes toward the body of the cup body. 前記カップ体の底部に凹部を設けることを特徴とする請求項6記載の嵌合式パワー半導体パッケージ装置。   The fitting type power semiconductor package device according to claim 6, wherein a concave portion is provided in a bottom portion of the cup body.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2019220671A (en) * 2018-06-21 2019-12-26 朋程科技股▲ふん▼有限公司 Power device for rectifier

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