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JP3108976B2 - Optical head tracking error detector - Google Patents

Optical head tracking error detector

Info

Publication number
JP3108976B2
JP3108976B2 JP06050583A JP5058394A JP3108976B2 JP 3108976 B2 JP3108976 B2 JP 3108976B2 JP 06050583 A JP06050583 A JP 06050583A JP 5058394 A JP5058394 A JP 5058394A JP 3108976 B2 JP3108976 B2 JP 3108976B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tracking error
semiconductor laser
optical head
region
diffraction grating
Prior art date
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Application number
JP06050583A
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Japanese (ja)
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JPH06333251A (en
Inventor
秀行 中西
明 上野
秀男 永井
昭男 吉川
Original Assignee
松下電子工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 松下電子工業株式会社 filed Critical 松下電子工業株式会社
Priority to JP06050583A priority Critical patent/JP3108976B2/en
Publication of JPH06333251A publication Critical patent/JPH06333251A/en
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  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光学式記録装置,再生
装置に用いる光ヘッドのトラッキング誤差検出装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tracking error detecting device for an optical head used in an optical recording device and a reproducing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、特開昭64−35737号公報に示され
たように、光源,光検出器を集積化した光ヘッドが提案
されている。図14および図15は、その光ヘッドの斜視図
および光学系の概念図を示している。この光学ヘッド装
置1aは、図14に示すように第1の半導体基板2および
第2の半導体基板8上には5つの領域を持つ第1,第2
の受光素子9,10が形成されており、第2の半導体基板
8は第1の半導体基板2の上に載置されている。第2の
半導体基板8には半導体レーザ素子(以下、半導体レー
ザーチップという)5が取り付けられるとともに、モニ
ター用受光素子4が形成されている。
2. Description of the Related Art In recent years, as shown in JP-A-64-35737, an optical head in which a light source and a photodetector are integrated has been proposed. 14 and 15 show a perspective view of the optical head and a conceptual diagram of the optical system. As shown in FIG. 14, the optical head device 1a has first and second regions having five regions on a first semiconductor substrate 2 and a second semiconductor substrate 8.
Are formed, and the second semiconductor substrate 8 is mounted on the first semiconductor substrate 2. A semiconductor laser element (hereinafter, referred to as a semiconductor laser chip) 5 is mounted on the second semiconductor substrate 8, and a light receiving element 4 for monitoring is formed.

【0003】また、第1の半導体基板2上にはプリズム
11が設置されている。このプリズム11は断面略台形とさ
れ、斜面11aはミラーとなされ、垂直面11bは第2の半導
体基板8に載置した半導体レーザーチップ5の出射面と
対向している。プリズム11の上面11cは第1の回折格子1
2とされている。この第1の回折格子12の上方には、第
2の回折格子13が配置されている。
A prism is provided on the first semiconductor substrate 2.
11 are installed. The prism 11 has a substantially trapezoidal cross section, the inclined surface 11a serves as a mirror, and the vertical surface 11b faces the emission surface of the semiconductor laser chip 5 mounted on the second semiconductor substrate 8. The upper surface 11c of the prism 11 is the first diffraction grating 1
It is two. Above the first diffraction grating 12, a second diffraction grating 13 is arranged.

【0004】次に動作の概要を説明すると、図14に示す
半導体レーザーチップ5から出射したビームは、プリズ
ム11の斜面11aで反射され第1の回折格子12に入射し、
情報読み取り用の0次ビームとトラッキングエラー信号
検出用の±1次ビームに分かれ、第2の回折格子13を0
次で透過し、図15に示す対物レンズ18でディスク19に集
光される。このディスク19に集光された0次および±1
次ビームはディスク19で反射され、対物レンズ18を通り
第2の回折格子13に入射し、±1次光に分かれ第1およ
び第2の受光素子9,10に導かれる。
The operation of the semiconductor laser chip 5 shown in FIG. 14 will now be described. A beam emitted from the semiconductor laser chip 5 is reflected by a slope 11a of a prism 11 and is incident on a first diffraction grating 12.
The beam is divided into a zero-order beam for reading information and ± first-order beams for detecting a tracking error signal.
Next, the light is transmitted and focused on the disk 19 by the objective lens 18 shown in FIG. 0th order and ± 1
The next beam is reflected by the disk 19, passes through the objective lens 18, enters the second diffraction grating 13, is divided into ± first-order lights, and is guided to the first and second light receiving elements 9 and 10.

【0005】ここで、第1および第2の受光素子9,10
は、図16の光ヘッドの断面図に示すように集光位置の前
後にずれて配置されており、ディスクの焦点移動に伴う
受光素子上のスポットの大きさが互いに逆に変化するこ
とを利用して、ビームサイズ法により焦点誤差検出を行
う。また、トラッキング誤差検出は第1の回折格子12で
発生するトラッキングエラー信号検出用の±1次ビーム
を用いて3ビーム法により行う。
Here, the first and second light receiving elements 9, 10
As shown in the cross-sectional view of the optical head in Fig. 16, the light head is located before and after the light-collecting position, and utilizes the fact that the spot sizes on the light-receiving element change with each other as the focal point of the disk changes. Then, focus error detection is performed by the beam size method. The tracking error is detected by a three-beam method using ± first-order beams for detecting a tracking error signal generated in the first diffraction grating 12.

【0006】上述の光源,光検出器を集積化した光ヘッ
ドにおいて、さらに小型化を進め、半導体レーザーチッ
プ5とプリズム11を近接して配置した場合、ディスク19
で反射したトラッキングエラー信号検出用の±1次ビー
ムの一方が第2の回折格子13を0次で透過し、半導体レ
ーザーチップ5の第2の回折格子13に対向する面に入射
し反射され、再びディスクに戻ることになる。このよう
に、ディスクで反射されたトラッキングエラー信号検出
用の±1次ビームが発光素子の近傍に入射し、そこで反
射され再びディスクに戻る場合には、該ビームと、トラ
ッキングエラー信号検出用の±1次ビームが干渉を起こ
し、ディスクのタンジェンシャルスキューによってトラ
ッキングエラー信号にオフセットが生じることが特開昭
61−24031号公報に示されている。また、特開昭61−240
31号公報では、この対策として半導体レーザ素子出射端
面に光を散乱または吸収する光遮蔽体を設ける方法が提
案されている。
In the optical head in which the above-mentioned light source and photodetector are integrated, if the semiconductor laser chip 5 and the prism 11 are arranged close to each other, the disk 19
One of the ± first-order beams for detecting the tracking error signal reflected at the second order passes through the second diffraction grating 13 in the 0th order, is incident on the surface of the semiconductor laser chip 5 facing the second diffraction grating 13 and is reflected. You will return to the disk again. As described above, when the ± primary beam for detecting the tracking error signal reflected by the disk enters the vicinity of the light emitting element and is reflected there and returns to the disk again, the beam and the ± primary beam for detecting the tracking error signal are detected. It is known that the primary beam causes interference and the tangential skew of the disk causes an offset in the tracking error signal.
61-24031. Also, JP-A-61-240
In Japanese Patent Publication No. 31 proposes a method of providing a light shield for scattering or absorbing light on the emission end face of the semiconductor laser element as a measure against this.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、光源,
光検出器を集積化した光ヘッドを小型化したとき、ディ
スクのタンジェンシャルスキューによってトラッキング
エラー信号にオフセットが生じる。また、特開昭61−24
031号公報に半導体レーザ素子出射端面に光を散乱また
は吸収する光遮蔽体を設けて対策する方法が示されてい
るが、上述の光源,光検出器を集積化した小型光ヘッド
では、ディスクで反射したトラッキングエラー信号検出
用の±1次ビームの一方が第2の回折格子13を0次で透
過し、半導体レーザーチップ5の第2の回折格子13に対
向する面および/または前記ミラーを挾んで前記半導体
レーザーチップ5とは反対側で前記回折格子に対向する
面に入射するので、上述のように半導体レーザーチップ
の出射端面に光を散乱または吸収する光遮蔽体を設けて
干渉を防ぐ効果を得ることができない。
As mentioned above, the light source,
When an optical head having an integrated photodetector is miniaturized, an offset occurs in a tracking error signal due to tangential skew of a disk. In addition, JP-A-61-24
No. 031 discloses a method of providing a light shield for scattering or absorbing light on the emission end face of the semiconductor laser element, but in a small optical head in which the above-described light source and photodetector are integrated, a disk is used. One of the reflected ± first-order beams for detecting a tracking error signal passes through the second diffraction grating 13 in the 0th order, and sandwiches the surface of the semiconductor laser chip 5 facing the second diffraction grating 13 and / or the mirror. Therefore, since the light is incident on the surface opposite to the diffraction grating on the side opposite to the semiconductor laser chip 5, the light shielding body that scatters or absorbs light is provided on the emission end surface of the semiconductor laser chip as described above, thereby preventing interference. Can not get.

【0008】本発明は、上記の問題に鑑みなされたもの
で、光源,光検出器を集積化された小型で安定したトラ
ッキング誤差信号を得る光ヘッドのトラッキング誤差検
出装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a tracking error detecting device for an optical head which integrates a light source and a photodetector and obtains a small and stable tracking error signal. I do.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、半導体レーザ素子に近接し、該半導体レー
ザ素子から出射されるレーザ光束を反射させ光路を偏向
させるミラーで反射された光束が入射せしめられる回折
格子を有し、該回折格子より出射した0次±1次光束が
通過せしめられる偏向光学素子より出射した前記回折格
子の0次および±1次光束を光学式記録媒体に収束せし
める対物レンズを有し、前記光学式記録媒体で反射され
た前記回折格子の0次および±1次光束が対物レンズを
通過し、前記偏向光学素子に入射され、さらに前記偏向
光学素子で偏向した光束を受光せしめる光検出器を有
し、該光検出器より前記±1次光束に対応した光出力を
得て、該±1次光束それぞれに対応する出力の差に基づ
いてトラッキング誤差信号を得るようにした光ヘッドの
トラッキング誤差検出装置において、前記光学式記録媒
体で反射し、前記対物レンズ,前記偏向光学素子および
前記回折格子を通過する前記±1次光束の少なくとも一
方が、前記ミラーを通過することなく、前記半導体レー
ザ素子の前記回折格子に対向する面および/または前記
ミラーを挾んで前記半導体レーザ素子とは反対側で前記
回折格子に対向する面に入射し、該入射領域が光を散乱
または吸収するよう構成したことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a light beam reflected by a mirror which is close to a semiconductor laser element and reflects a laser beam emitted from the semiconductor laser element to deflect an optical path. Has a diffraction grating made incident thereon, and converges the 0th-order and ± 1st-order light beams of the diffraction grating emitted from the deflecting optical element, through which the 0th-order ± 1st-order light beams emitted from the diffraction grating are passed, to an optical recording medium. An objective lens, and the 0th-order and ± 1st-order light beams of the diffraction grating reflected by the optical recording medium pass through the objective lens, enter the deflection optical element, and are deflected by the deflection optical element. A photodetector for receiving the light beam, obtaining an optical output corresponding to the ± primary light beam from the photodetector, and obtaining a tracking error signal based on a difference between outputs corresponding to the ± primary light beams. In the tracking error detecting device for an optical head, at least one of the ± first-order light beams reflected by the optical recording medium and passing through the objective lens, the deflecting optical element, and the diffraction grating is the same as described above. Without passing through a mirror, the light is incident on the surface of the semiconductor laser device facing the diffraction grating and / or on the surface facing the diffraction grating on the side opposite to the semiconductor laser device with the mirror interposed therebetween. Are configured to scatter or absorb light.

【0010】[0010]

【作用】本発明の光ヘッドのトラッキング誤差検出装置
によれば、図3の回折格子36aで発生したサブビームが
ディスク38で反射され、対物レンズ37を通り、ホログラ
ム36b,回折格子36aを0次で透過して半導体レーザーチ
ップ32の透過型光学素子36に対向する面に入射する。該
入射領域を光が散乱または吸収するようにすることによ
り干渉を防ぎ、したがってディスクのタンジェンシャル
スキューによるトラッキングエラー信号にオフセットの
発生をなくすことができる。
According to the tracking error detecting device for an optical head of the present invention, the sub-beam generated by the diffraction grating 36a of FIG. 3 is reflected by the disk 38, passes through the objective lens 37, and passes through the hologram 36b and the diffraction grating 36a in the 0th order. The light passes through and enters the surface of the semiconductor laser chip 32 facing the transmission optical element 36. By making the incident area scatter or absorb light, interference can be prevented, and therefore, occurrence of an offset in the tracking error signal due to the tangential skew of the disk can be eliminated.

【0011】[0011]

【実施例】【Example】

(実施例1)図1は本発明の第1の実施例による光ヘッド
の半導体レーザーチップおよび光検出器の配置を示す正
面図、図2は図1の光ヘッドにおける半導体レーザーチ
ップマウント部のA−A断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a front view showing an arrangement of a semiconductor laser chip and a photodetector of an optical head according to a first embodiment of the present invention. FIG. It is -A sectional drawing.

【0012】図1および図2に示すように、半導体基板
31上には、それぞれ5つの領域からなる光検出器33,34
と、半導体基板31を化学的異方性エッチングにより作ら
れたエッチングミラー35が形成され、このエッチングミ
ラー35の近傍に半導体レーザーチップ32がマウントされ
ている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a semiconductor substrate
On the photodetector 31, photodetectors 33 and 34 each composed of five regions are provided.
Then, an etching mirror 35 formed by chemically anisotropic etching of the semiconductor substrate 31 is formed, and the semiconductor laser chip 32 is mounted near the etching mirror 35.

【0013】本実施例の特徴は、前記半導体レーザーチ
ップ32の電極面40にワイヤー39がボンディングされ、ワ
イヤーボンディング部41が形成されていることである。
A feature of this embodiment is that a wire 39 is bonded to an electrode surface 40 of the semiconductor laser chip 32 to form a wire bonding portion 41.

【0014】次に、動作を前記図1,図2並びに図3に
示す光ヘッドのトラッキング誤差検出装置の概略図、お
よび図4に示す光ヘッドの回折格子,ホログラムの図に
より説明する。
Next, the operation will be described with reference to the schematic diagrams of the optical head tracking error detecting device shown in FIGS. 1, 2 and 3, and the diffraction grating and hologram of the optical head shown in FIG.

【0015】半導体レーザーチップ32から出射されたビ
ームは、図2の矢印で示すようにエッチングミラー35で
反射され、図3並びに図4に示した透過型光学素子36の
下面に形成された回折格子36aに入射し回折され、情報
読み取り用のメインビームとトラッキングエラー検出用
の2つのサブビームに分かれ、透過型光学素子36の上面
に形成されたホログラム36bを0次で透過し、対物レン
ズ37によりディスク38に収束される。該収束光はディス
ク38で反射され、対物レンズ37を通りホログラム36bに
入射し回折され、±1次光に分かれ光検出器33,34に導
かれる。
The beam emitted from the semiconductor laser chip 32 is reflected by an etching mirror 35 as shown by an arrow in FIG. 2, and a diffraction grating formed on the lower surface of the transmission optical element 36 shown in FIGS. The hologram 36b is incident on the lens 36a and diffracted, and is divided into a main beam for reading information and two sub-beams for tracking error detection. Converged to 38. The converged light is reflected by the disk 38, passes through the objective lens 37, enters the hologram 36b, is diffracted, is divided into ± first-order lights, and is guided to the photodetectors 33 and 34.

【0016】トラッキング誤差信号は、前記ディスク38
で反射された前記回折格子36aで発生したサブビーム
を、図1に示す光検出器33a,33c,34a,34cで検出し、
互いのサブビームの強度差をとることにより、いわゆる
3ビーム法で行う。したがって、光検出器33a,33c,34
a,34cの出力をG,H,I,Jとすると、トラッキング
誤差信号TEは、 TE=(G+I)−(H+J) で得ることができる。
The tracking error signal is transmitted to the disk 38.
The sub-beams generated by the diffraction grating 36a reflected by are detected by the photodetectors 33a, 33c, 34a and 34c shown in FIG.
By taking the difference in intensity between the sub beams, the so-called three-beam method is used. Therefore, the photodetectors 33a, 33c, 34
Assuming that the outputs of a and 34c are G, H, I, and J, the tracking error signal TE can be obtained by TE = (G + I)-(H + J).

【0017】図1ないし図3において、前記ディスク38
で反射され、前記回折格子36aで発生したサブビームの
一方の入射光束42aは、対物レンズ37を通り、ホログラ
ム36b,回折格子36aを0次で透過して半導体レー
ザーチップ32の透過型光学素子36に対向する電極面40に
入射する。前記半導体レーザーチップ32のPまたはN型
電極面である電極面40の該入射領域には上述したように
半導体レーザーチップ32へ電源を供給するためのワイヤ
ー39がボンディングされている。ワイヤー39は、電源供
給の作用だけを考えると、電極面40のどこにボンディン
グされてもよい。
In FIG. 1 to FIG.
The incident light flux 42a of one of the sub-beams generated by the diffraction grating 36a passes through the objective lens 37, passes through the hologram 36b and the diffraction grating 36a at the 0th order, and passes through the transmission type optical element 36 of the semiconductor laser chip 32. The light enters the opposing electrode surface 40. The wire 39 for supplying power to the semiconductor laser chip 32 is bonded to the incident area of the electrode surface 40 which is the P or N-type electrode surface of the semiconductor laser chip 32 as described above. The wire 39 may be bonded anywhere on the electrode surface 40, considering only the function of power supply.

【0018】通常は中心付近にボンディングされる。し
かし、本実施例の場合は図2に示すようにワイヤーボン
ディング部41を前記入射光束42aが入射する領域に合わ
せることにより、該入射光束42aはワイヤーボンディン
グ部41のドーム形状で反射され散乱光43となる。
Usually, bonding is performed near the center. However, in the case of the present embodiment, as shown in FIG. 2, by aligning the wire bonding portion 41 with the region where the incident light beam 42a is incident, the incident light beam 42a is reflected in the dome shape of the wire bonding portion 41 and the scattered light 43a is reflected. Becomes

【0019】この散乱光43は前記入射光束42aに比べ、
非常に大きな広がり角となるので、散乱光43が対物レン
ズ37を通り、再びディスク38に戻る光量はほぼ0とな
る。したがって、前記入射光束42aが半導体レーザーチ
ップ32の透過型光学素子36に対向する電極面40で反射
し、ディスク38に戻る光量が非常に少なくなるので、従
来例で課題となっていた干渉を防ぐことができる。
The scattered light 43 is larger than the incident light flux 42a.
Since the divergence angle is very large, the amount of scattered light 43 passing through the objective lens 37 and returning to the disk 38 again becomes almost zero. Therefore, the incident light beam 42a is reflected by the electrode surface 40 of the semiconductor laser chip 32 facing the transmission optical element 36, and the amount of light returning to the disk 38 is very small, thereby preventing the interference which has been a problem in the conventional example. be able to.

【0020】また、前記トラッキング誤差検出装置にお
いて、焦点誤差検出を行う場合は、前記ホログラム36b
を±1次光にそれぞれ凹凸のレンズパワーを与えるよう
に構成すれば、光検出器33,34にそれぞれに入射するス
ポットは光検出器33,34の前後に焦点位置ができ、ディ
スクがデフォーカスしたときの光検出器上のスポットの
大きさが互いに逆に変化することを利用し、フォーカス
誤差検出を行う。したがって、光検出器33d,33e,33
f,34d,34e,34fの出力をそれぞれA,B,C,D,
E,Fとすると、フォーカス誤差信号FEは、 FE=(A+C+E)−(B+D+F) で得ることができる。
In the tracking error detecting device, when the focus error is detected, the hologram 36b
Is configured to give irregular lens power to the ± 1st order light, respectively, the spots incident on the photodetectors 33 and 34 have focal positions before and after the photodetectors 33 and 34, and the disc is defocused. Focus error detection is performed using the fact that the sizes of the spots on the photodetector at this time change in opposite directions. Therefore, the photodetectors 33d, 33e, 33
The outputs of f, 34d, 34e, 34f are A, B, C, D,
Assuming that E and F, the focus error signal FE can be obtained by FE = (A + C + E)-(B + D + F).

【0021】本実施例では、上述のように半導体レーザ
ーチップ32に入射する干渉の原因となるサブビームをワ
イヤーボンディングで散乱させたが、該入射光を散乱ま
たは吸収させる手段はこれに限らず、次のような手段に
よっても同様の効果が得られる。
In the present embodiment, as described above, the sub-beam which causes interference to be incident on the semiconductor laser chip 32 is scattered by wire bonding. However, the means for scattering or absorbing the incident light is not limited to this. The same effect can be obtained by such means.

【0022】(1) 図5の断面図に示すように、半導体レ
ーザーチップ32上のサブビームの入射面に無反射コーテ
ィング部101aを構成し、反射しないようにする。
(1) As shown in the cross-sectional view of FIG. 5, a non-reflective coating portion 101a is formed on the incident surface of the sub-beam on the semiconductor laser chip 32 to prevent reflection.

【0023】(2) 図6の断面図に示すように、半導体レ
ーザーチップ32上のサブビームの入射面にドーム状の凸
部102aを構成し、入射した光を散乱あるいは凸部内で吸
収させる。このような構造を実現する手段として樹脂を
ポッティングしたり、電源供給用とは別にワイヤボンデ
ィングしたりすることにより構成できる。
(2) As shown in the sectional view of FIG. 6, a dome-shaped convex portion 102a is formed on the incident surface of the sub-beam on the semiconductor laser chip 32, and the incident light is scattered or absorbed in the convex portion. As a means for realizing such a structure, it can be constituted by potting a resin or performing wire bonding separately from power supply.

【0024】(3) 図7の断面図に示すように、半導体レ
ーザーチップ32上のサブビームの入射面にプリズム状の
凸部103aを構成し、入射した光を散乱(影響のない方向
へ反射)あるいは凸部内で吸収させる。このような構造
を実現する手段として、半導体レーザーチップ32上に微
細なプリズムを接着したり、半導体レーザーチップ32自
体をエッチングすることにより構成できる。
(3) As shown in the sectional view of FIG. 7, a prism-shaped convex portion 103a is formed on the incident surface of the sub-beam on the semiconductor laser chip 32 to scatter incident light (reflect in a direction without influence). Alternatively, it is absorbed in the convex portion. As means for realizing such a structure, it can be constituted by bonding a fine prism on the semiconductor laser chip 32 or etching the semiconductor laser chip 32 itself.

【0025】(4) 図8の断面図に示すように、半導体レ
ーザーチップ32上のサブビームの入射面に格子状の凹凸
部104a(Aは拡大図)を形成し、入射した光を回折・散乱
させる。このような構造を実現する手段として、あらか
じめ格子状凹凸部を形成したプレートを半導体レーザー
チップ32上に固定したり、半導体レーザーチップ32自体
に格子状のエッチングすることにより構成できる。
(4) As shown in the cross-sectional view of FIG. 8, a lattice-like uneven portion 104a (A is an enlarged view) is formed on the incident surface of the sub-beam on the semiconductor laser chip 32, and the incident light is diffracted and scattered. Let it. As a means for realizing such a structure, the semiconductor laser chip 32 can be configured by fixing a plate on which a lattice-shaped uneven portion has been formed in advance on the semiconductor laser chip 32 or by etching the semiconductor laser chip 32 itself in a lattice.

【0026】(5) 図9の断面図に示すように、半導体レ
ーザーチップ32自体を傾けて固定し、傾斜部105aとし、
入射した光を散乱(影響のない方向へ反射)させる。この
ような構造を実現する手段として、半導体レーザーチッ
プ32を固定する際に、半導体レーザーチップ32を傾けた
まま半田層を溶融・固化させたり、また3角状のスペー
サ106を介して半導体レーザーチップ32を固定すること
により構成できる。
(5) As shown in the sectional view of FIG. 9, the semiconductor laser chip 32 is tilted and fixed to form an inclined portion 105a.
The incident light is scattered (reflected in an unaffected direction). As a means for realizing such a structure, when the semiconductor laser chip 32 is fixed, the solder layer is melted and solidified while the semiconductor laser chip 32 is tilted, or the semiconductor laser chip is interposed via a triangular spacer 106. It can be configured by fixing 32.

【0027】(6) 図10の断面図に示すように、半導体レ
ーザーチップ32上のサブビームの入射面にすりガラス状
の粗面部107aを形成することにより、入射した光を散乱
させる。このような構造を実現する手段として、あらか
じめ粗面を形成したプレートを半導体レーザーチップ32
上に固定したり、半導体レーザーチップ32自体に粗面コ
ーティングを施したり、または半導体レーザーチップ32
自体をエッチング(例えば、金薄膜をヨード液によりエ
ッチングすることにより粗面となる)することにより構
成する。
(6) As shown in the cross-sectional view of FIG. 10, the incident light is scattered by forming a ground glass-like rough surface portion 107a on the incident surface of the sub-beam on the semiconductor laser chip 32. As a means for realizing such a structure, a plate having a rough surface formed in advance is
Fixed on the top, apply a rough coating to the semiconductor laser chip 32 itself, or
It is configured by etching itself (for example, a gold thin film is roughened by etching with an iodine solution).

【0028】(実施例2)図11は本発明の第2の実施例に
よる光ヘッドの半導体レーザーチップおよび光検出器の
配置を示す正面図、図12は図11に示す光ヘッドの半導体
レーザーチップマウント部のA−A断面図である。
(Embodiment 2) FIG. 11 is a front view showing an arrangement of a semiconductor laser chip and a photodetector of an optical head according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a semiconductor laser chip of the optical head shown in FIG. It is AA sectional drawing of a mount part.

【0029】本実施例の特徴は、図11および図12に示す
ように、半導体基板31上にマウントされた半導体レーザ
ーチップ32の直上近傍に無反射コーティング部51が施さ
れていることであり、その他、エッチングミラー35,4
つの領域からなる光検出器33,34は前記第1の実施例と
同様である。
The feature of this embodiment is that, as shown in FIGS. 11 and 12, an anti-reflection coating portion 51 is provided immediately above a semiconductor laser chip 32 mounted on a semiconductor substrate 31. In addition, etching mirror 35, 4
The photodetectors 33 and 34 composed of three regions are the same as those in the first embodiment.

【0030】上記構成に基づく動作を説明すると、半導
体レーザーチップ32から出射されたビームが、図3に示
すディスク38で反射され、対物レンズ37を通りホログラ
ム36bに入射し、回折され±1次光に分かれ光検出器3
3,34に導かれ、3ビーム法でトラッキング誤差信号T
Eを求める動作は、前記第1の実施例と同様である。
The operation based on the above configuration will be described. The beam emitted from the semiconductor laser chip 32 is reflected by the disk 38 shown in FIG. 3, enters the hologram 36b through the objective lens 37, is diffracted, and ± 1 order light Photodetector 3
3, 34, and the tracking error signal T
The operation for obtaining E is the same as in the first embodiment.

【0031】本実施例においては、前記ディスク38で反
射された前記回折格子36aで発生したサブビームの一方
の入射光束42b(第1の実施例とは反対側のサブビーム)
は、対物レンズ37を通り、ホログラム36b,回折格子36a
を0次で透過して前記エッチングミラー35を挾んで前記
半導体レーザーチップ32とは反対側の透過型光学素子36
に対向する面50に入射する。前記入射光束42bの入射領
域に、図11および図12に示すように無反射コーティン
グ部51が施されていることにより、該入射光束42bは
半導体基板31に吸収されるため、この光が反射して対物
レンズ37を通り再びディスク38に戻る光量はほぼ0とな
る。したがって、前記入射光束42bが前記エッチングミ
ラー35を挾んで前記半導体レーザーチップ32とは反対側
の透過型光学素子36に対向する半導体基板31の対向面50
で反射し、ディスク38に戻る光量が非常に少なくなるの
で、従来例で課題となっていた干渉を防ぐことができ
る。
In the present embodiment, one incident light beam 42b of the sub-beam generated by the diffraction grating 36a reflected by the disk 38 (the sub-beam on the side opposite to the first embodiment).
Passes through the objective lens 37 and passes through the hologram 36b and the diffraction grating 36a.
Through the zeroth order, and a transmission optical element 36 on the opposite side of the etching mirror 35 from the semiconductor laser chip 32.
Is incident on the surface 50 facing the. Since the anti-reflection coating portion 51 is applied to the incident area of the incident light beam 42b as shown in FIGS. 11 and 12, the incident light beam 42b is absorbed by the semiconductor substrate 31, so that the light is reflected. Thus, the amount of light returning to the disk 38 through the objective lens 37 is substantially zero. Therefore, the incident light beam 42b faces the transmission optical element 36 on the side opposite to the semiconductor laser chip 32 with the etching mirror 35 interposed therebetween.
And the amount of light reflected back to the disk 38 is very small, so that interference which has been a problem in the conventional example can be prevented.

【0032】また、前記トラッキング誤差検出装置にお
いて焦点誤差検出を行う場合のフォーカス誤差信号FE
を求める光検出器による動作は前記第1の実施例と同様
である。
Further, a focus error signal FE for detecting a focus error in the tracking error detection device.
The operation by the photodetector for obtaining the same is the same as in the first embodiment.

【0033】本実施例では、上述のように半導体基板31
に入射する干渉の原因となるサブビームを無反射コーテ
ィング部51で吸収させたが、該入射光を散乱または吸収
させる手段はこれに限らず、次のような手段によっても
同様の効果が得られる。
In this embodiment, as described above, the semiconductor substrate 31
Although the sub-beam causing the interference incident on the sub-beam is absorbed by the non-reflection coating portion 51, the means for scattering or absorbing the incident light is not limited to this, and the same effect can be obtained by the following means.

【0034】(1) 図13の断面図に示すように、半導体基
板31上のサブビームの入射面にワイヤーボンディング部
41を形成し、このワイヤーボンディング部41のドーム形
状で入射した光を回折,散乱させる。
(1) As shown in the sectional view of FIG. 13, a wire bonding portion is
41 is formed, and the light incident in the dome shape of the wire bonding portion 41 is diffracted and scattered.

【0035】(2) 図5の断面図に示すように、半導体基
板31上のサブビームの入射面に無反射コーティング部10
1bを構成し、反射しないようにする。
(2) As shown in the sectional view of FIG. 5, the anti-reflection coating 10
Construct 1b so that it does not reflect.

【0036】(3) 図6の断面図に示すように、半導体基
板31上のサブビームの入射面にドーム状の凸部102bを構
成し、入射した光を散乱あるいは凸部内で吸収させる。
このような構造を実現する手段として樹脂をポッティン
グしたり、電源供給用とは別にワイヤボンディングした
りすることにより構成できる。
(3) As shown in the sectional view of FIG. 6, a dome-shaped convex portion 102b is formed on the incident surface of the sub-beam on the semiconductor substrate 31, and the incident light is scattered or absorbed in the convex portion.
As a means for realizing such a structure, it can be constituted by potting a resin or performing wire bonding separately from power supply.

【0037】(4) 図7の断面図に示すように、半導体基
板31上のサブビームの入射面にプリズム状の凸部103bを
付着させ、入射した光を散乱(影響のない方向へ反射)あ
るいは凸部内で吸収させる。このような構造を実現する
手段として、半導体基板31上に微細なプリズムを接着し
たり、半導体基板31自体をエッチングすることにより構
成できる。
(4) As shown in the sectional view of FIG. 7, a prism-shaped convex portion 103b is attached to the incident surface of the sub-beam on the semiconductor substrate 31 to scatter incident light (reflect in a direction having no influence) or Absorb in the convex part. As means for realizing such a structure, it can be configured by bonding a fine prism on the semiconductor substrate 31 or etching the semiconductor substrate 31 itself.

【0038】(5) 図8の断面図に示すように、半導体基
板31上のサブビームの入射面に格子状の凹凸部104b(A
は拡大図)を形成し、入射した光を回折・散乱させる。
このような構造を実現する手段として、あらかじめ格子
状凹凸部を形成したプレートを半導体基板31上に固定し
たり、半導体基板31自体に格子状のエッチングすること
により構成できる。
(5) As shown in the cross-sectional view of FIG. 8, a lattice-shaped uneven portion 104b (A
Is an enlarged view) and diffracts and scatters the incident light.
As a means for realizing such a structure, it can be configured by fixing a plate on which a lattice-shaped uneven portion is formed in advance on the semiconductor substrate 31 or by etching the semiconductor substrate 31 itself in a lattice.

【0039】(6) 図9の断面図に示すように、半導体基
板31上のサブビーム入射面自体に傾斜部105bを形成し、
入射した光を散乱(影響のない方向へ反射)させる。この
ような構造を実現する手段として、半導体基板31自体を
エッチングすることにより構成できる。
(6) As shown in the sectional view of FIG. 9, an inclined portion 105b is formed on the sub beam incident surface itself on the semiconductor substrate 31,
The incident light is scattered (reflected in an unaffected direction). As a means for realizing such a structure, it can be configured by etching the semiconductor substrate 31 itself.

【0040】(7) 図10の断面図に示すように、半導体基
板31上の入射面にすりガラス状の粗面部107bを形成する
ことにより、入射した光を散乱させる。このような構造
を実現する手段として、あらかじめ粗面を形成したプレ
ートを半導体基板31上に固定したり、半導体基板31自体
に粗面コーティングを施したり、または半導体基板31自
体をエッチング(例えば、金薄膜をヨード液によりエッ
チングすることにより粗面となる)することにより構成
可能である。
(7) As shown in the cross-sectional view of FIG. 10, the incident light is scattered by forming a ground glass-like rough surface portion 107b on the incident surface on the semiconductor substrate 31. As a means for realizing such a structure, a plate having a rough surface formed in advance is fixed on the semiconductor substrate 31, a rough coating is applied to the semiconductor substrate 31 itself, or the semiconductor substrate 31 itself is etched (for example, gold). The thin film is roughened by etching with an iodine solution).

【0041】なお本実施例では、ミラーとして半導体基
板を用いているが、他の材料(硝子,金属,セラミック
等)でミラーを構成した場合でも、同様の効果が得られ
る。
In this embodiment, the semiconductor substrate is used as the mirror. However, the same effect can be obtained when the mirror is made of another material (glass, metal, ceramic, etc.).

【0042】[0042]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ヘッド
のトラッキング誤差検出装置は、光源,光検出器を集積
化し小型化した光ヘッドにおいて、次の2つの光ビー
ム、すなわち、 (1) 回折格子で発生したサブビームがディスクで反射さ
れ、対物レンズを通り、ホログラム,回折格子を0次で
透過して、半導体レーザーチップの透過型光学素子に対
向する面に入射する光 (2) 回折格子で発生したサブビームがディスクで反射さ
れ、対物レンズを通り、ホログラム,回折格子を0次で
透過して、エッチングミラーを挾んで半導体レーザーチ
ップとは反対側の透過型光学素子に対向する面に入射す
る光 これらの光が、入射する該入射領域を光が散乱または吸
収するようにすることにより、従来の問題点である干渉
を防ぎ、したがって、ディスクのタンジェンシャルスキ
ューによるトラッキングエラー信号のオフセットの発生
をなくし、安定したトラッキングエラー信号を得ること
ができる。
As described above, the tracking error detecting device for an optical head according to the present invention is an optical head having a light source and a photodetector integrated and miniaturized in the following two light beams: (1) The sub-beam generated by the diffraction grating is reflected by the disc, passes through the objective lens, passes through the hologram and the diffraction grating in the 0th order, and is incident on the surface of the semiconductor laser chip facing the transmission optical element. (2) Diffraction grating The sub-beam generated in step (1) is reflected by the disk, passes through the objective lens, passes through the hologram and diffraction grating at the 0th order, and is incident on the surface opposite to the transmission type optical element opposite to the semiconductor laser chip with the etching mirror interposed therebetween. These lights prevent the conventional problem of interference by causing the light to scatter or absorb in the incident area where they enter, thus reducing the disc Eliminate the occurrence of the offset of the emission tangential skew by the tracking error signal, it is possible to obtain a stable tracking error signal.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例による光ヘッドの半導体
レーザーチップおよび光検出器の配置を示す正面図であ
る。
FIG. 1 is a front view showing an arrangement of a semiconductor laser chip and a photodetector of an optical head according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の光ヘッドにおける半導体レーザーチップ
マウント部のA−A断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of the semiconductor laser chip mount portion of the optical head of FIG. 1 taken along the line AA.

【図3】図1に示す光ヘッドのトラッキング誤差検出装
置の概略図である。
FIG. 3 is a schematic diagram of the tracking error detection device for the optical head shown in FIG. 1;

【図4】図1に示す光ヘッドの回折格子,ホログラムを
示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a diffraction grating and a hologram of the optical head shown in FIG.

【図5】本発明の第1および第2の実施例による光ヘッ
ドの半導体レーザーチップおよび光検出器の構成を示す
断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing a configuration of a semiconductor laser chip and a photodetector of an optical head according to first and second embodiments of the present invention.

【図6】本発明の第1および第2の実施例による光ヘッ
ドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration around a semiconductor laser chip of the optical head according to the first and second embodiments of the present invention.

【図7】本発明の第1および第2の実施例による光ヘッ
ドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 7 is a sectional view showing a configuration around a semiconductor laser chip of the optical head according to the first and second embodiments of the present invention.

【図8】本発明の第1および第2の実施例による光ヘッ
ドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 8 is a sectional view showing a configuration around a semiconductor laser chip of an optical head according to the first and second embodiments of the present invention.

【図9】本発明の第1および第2の実施例による光ヘッ
ドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 9 is a sectional view showing a configuration around a semiconductor laser chip of the optical head according to the first and second embodiments of the present invention.

【図10】本発明の第1および第2の実施例による光ヘ
ッドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図で
ある。
FIG. 10 is a sectional view showing a configuration around a semiconductor laser chip of the optical head according to the first and second embodiments of the present invention.

【図11】本発明の第2の実施例による光ヘッドの半導
体レーザーチップおよび光検出器の配置を示す正面図で
ある。
FIG. 11 is a front view showing an arrangement of a semiconductor laser chip and a photodetector of an optical head according to a second embodiment of the present invention.

【図12】図11に示す光ヘッドの半導体レーザーチップ
マウント部のA−A断面図である。
12 is a sectional view of the semiconductor laser chip mount portion of the optical head shown in FIG. 11 taken along line AA.

【図13】本発明の第2の実施例による光ヘッドの半導
体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a configuration around a semiconductor laser chip of an optical head according to a second embodiment of the present invention.

【図14】従来の光ヘッドの斜視図である。FIG. 14 is a perspective view of a conventional optical head.

【図15】従来の全体の光学系の概念図である。FIG. 15 is a conceptual view of a conventional entire optical system.

【図16】図14の光ヘッドの断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view of the optical head of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

31…半導体基板、 32…半導体レーザーチップ、 33,
34…光検出器、 35…エッチングミラー、 36…透過型
光学素子、 36a…回折格子、 36b…ホログラム、 37
…対物レンズ、 38…ディスク、 39…ワイヤー、 40
…電極面、 41…ワイヤーボンディング部、 42a,42b
…光束、 43…散乱光、 50…対向面、51,101a,101b
…無反射コーティング部、 102a,102b…ドーム状凸
部、 103a,103b…プリズム状凸部、 104a,104b…格
子状凹凸部、 105a,105b…傾斜部、 106…半田層等
のスペーサ、 107a,107b…粗面部。
31 ... Semiconductor substrate, 32 ... Semiconductor laser chip, 33,
34 photodetector 35 etching mirror 36 transmission optical element 36a diffraction grating 36b hologram 37
… Objective lens, 38… Disc, 39… Wire, 40
... electrode surface, 41 ... wire bonding part, 42a, 42b
… Light flux, 43… scattered light, 50… facing surface, 51, 101a, 101b
... non-reflective coating part, 102a, 102b ... dome-shaped convex part, 103a, 103b ... prism-shaped convex part, 104a, 104b ... lattice-shaped irregular part, 105a, 105b ... inclined part, 106 ... spacer such as solder layer, 107a, 107b: Rough surface.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉川 昭男 大阪府高槻市幸町1番1号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−24031(JP,A) 特開 昭64−35737(JP,A) 特開 平5−307760(JP,A) 特開 昭59−171039(JP,A) 実開 平5−90619(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/09 - 7/095 G11B 7/135 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Akio Yoshikawa 1-1, Sachimachi, Takatsuki City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electronics Corporation (56) References JP-A-61-24031 (JP, A) JP-A Sho 64-35737 (JP, A) JP-A-5-307760 (JP, A) JP-A-59-171039 (JP, A) JP-A-5-90619 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. G11B 7/ 09-7/095 G11B 7/135

Claims (16)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体レーザ素子に近接し、該半導体レ
ーザ素子から出射されるレーザ光束を反射させ光路を偏
向させるミラーで反射された光束が入射せしめられる回
折格子を有し、該回折格子より出射した0次±1次光束
が通過せしめられる偏向光学素子より出射した前記回折
格子の0次および±1次光束を光学式記録媒体に収束せ
しめる対物レンズを有し、前記光学式記録媒体で反射さ
れた前記回折格子の0次および±1次光束が対物レンズ
を通過し前記偏向光学素子に入射され、さらに前記偏向
光学素子で偏向した光束を受光せしめる光検出器を有
し、該光検出器より前記±1次光束に対応した光出力を
得て、該±1次光束それぞれに対応する出力の差に基づ
いてトラッキング誤差信号を得るようにした光ヘッドの
トラッキング誤差検出装置において、 前記光学式記録媒体で反射し、前記対物レンズ,前記偏
向光学素子および前記回折格子を通過する前記±1次光
束の少なくとも一方が、前記ミラーを通過することな
く、前記半導体レーザ素子の前記回折格子に対向する面
に入射し、該入射領域が光を散乱または吸収する領域で
あることを特徴とする光ヘッドのトラッキング誤差検出
装置。
A diffraction grating is provided near a semiconductor laser element, and a light beam reflected by a mirror for reflecting a laser light beam emitted from the semiconductor laser element and deflecting an optical path is made incident thereon, and emitted from the diffraction grating. An objective lens that converges the 0th-order and ± 1st-order light beams of the diffraction grating emitted from the deflecting optical element through which the 0th-order ± 1st-order light beams can pass, to the optical recording medium, and is reflected by the optical recording medium. And a light detector for receiving light beams deflected by the deflecting optical element through the objective lens, wherein the 0th-order and ± 1st-order light beams of the diffraction grating pass through an objective lens. A tracking error detection device for an optical head for obtaining an optical output corresponding to the ± primary light flux and obtaining a tracking error signal based on a difference between outputs corresponding to the ± primary light fluxes; In at least one of the ± first-order light beams reflected by the optical recording medium and passing through the objective lens, the deflection optical element, and the diffraction grating does not pass through the mirror, and A tracking error detecting device for an optical head, which is incident on a surface facing a diffraction grating and the incident region is a region that scatters or absorbs light.
【請求項2】 前記散乱または吸収領域を前記半導体レ
ーザ素子への電源供給用ワイヤーボンディング部で構成
したことを特徴とする請求項1記載の光ヘッドのトラッ
キング誤差検出装置。
2. An optical head tracking error detecting device according to claim 1, wherein said scattering or absorbing region is constituted by a wire bonding portion for supplying power to said semiconductor laser device.
【請求項3】 前記散乱または吸収領域を前記半導体レ
ーザ素子上に施した無反射コーティング部で構成したこ
とを特徴とする請求項1または2記載の光ヘッドのトラ
ッキング誤差検出装置。
3. The optical head tracking error detecting device according to claim 1, wherein said scattering or absorbing region is constituted by an anti-reflection coating portion provided on said semiconductor laser device.
【請求項4】 前記散乱または吸収領域を前記半導体レ
ーザ素子上に施したドーム状の凸部で構成したことを特
徴とする請求項1記載の光ヘッドのトラッキング誤差検
出装置。
4. The tracking error detecting device for an optical head according to claim 1, wherein said scattering or absorbing region is constituted by a dome-shaped convex portion provided on said semiconductor laser device.
【請求項5】 前記散乱または吸収領域を前記半導体レ
ーザ素子上に施したプリズム状の凸部で構成したことを
特徴とする請求項1記載の光ヘッドのトラッキング誤差
検出装置。
5. An optical head tracking error detecting device according to claim 1, wherein said scattering or absorbing region is constituted by a prism-shaped convex portion provided on said semiconductor laser device.
【請求項6】 前記散乱または吸収領域を前記半導体レ
ーザ素子上に施した格子状の凹凸部で構成したことを特
徴とする請求項1記載の光ヘッドのトラッキング誤差検
出装置。
6. The tracking error detecting device for an optical head according to claim 1, wherein said scattering or absorption region is constituted by a lattice-shaped uneven portion provided on said semiconductor laser device.
【請求項7】 前記散乱する領域を、前記半導体レーザ
素子自体の傾斜部で構成したことを特徴とする請求項1
記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出装置。
7. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the scattering region is formed by an inclined portion of the semiconductor laser device itself.
An optical head tracking error detection device according to any one of the preceding claims.
【請求項8】 前記散乱または吸収領域を前記半導体レ
ーザ素子上に施した粗面部で構成したことを特徴とする
請求項1記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出装置。
8. The tracking error detecting device for an optical head according to claim 1, wherein said scattering or absorption region is constituted by a rough surface portion provided on said semiconductor laser device.
【請求項9】 半導体レーザ素子に近接し、該半導体レ
ーザ素子から出射されるレーザ光束を反射させ光路を偏
向させるミラーで反射された光束が入射せしめられる回
折格子を有し、該回折格子より出射した0次±1次光束
が通過せしめられる偏向光学素子より出射した前記回折
格子の0次および±1次光束を光学式記録媒体に収束せ
しめる対物レンズを有し、前記光学式記録媒体で反射さ
れた前記回折格子の0次および±1次光束が対物レンズ
を通過し前記偏向光学素子に入射され、さらに前記偏向
光学素子で偏向した光束を受光せしめる光検出器を有
し、該光検出器より前記±1次光束に対応した光出力を
得て、該±1次光束それぞれに対応する出力の差に基づ
いてトラッキング誤差信号を得るようにした光ヘッドの
トラッキング誤差検出装置において、 前記光学式記録媒体で反射し、前記対物レンズ,前記偏
向光学素子および前記回折格子を通過する前記±1次光
束の少なくとも一方が、前記ミラーを通過することな
く、前記ミラーを挾んで前記半導体レーザ素子とは反対
側で前記回折格子に対向する面に入射し、該入射領域が
光を散乱または吸収する領域であることを特徴とする光
ヘッドのトラッキング誤差検出装置。
9. A diffraction grating which is close to the semiconductor laser element and receives a light beam reflected by a mirror which reflects a laser light beam emitted from the semiconductor laser element and deflects an optical path, and emits the light beam from the diffraction grating. An objective lens that converges the 0th-order and ± 1st-order light beams of the diffraction grating emitted from the deflecting optical element through which the 0th-order ± 1st-order light beams can pass, to the optical recording medium, and is reflected by the optical recording medium. And a light detector for receiving light beams deflected by the deflecting optical element through the objective lens, wherein the 0th-order and ± 1st-order light beams of the diffraction grating pass through an objective lens. A tracking error detection device for an optical head for obtaining an optical output corresponding to the ± primary light flux and obtaining a tracking error signal based on a difference between outputs corresponding to the ± primary light fluxes; Wherein at least one of the ± first-order light beams reflected by the optical recording medium and passing through the objective lens, the deflection optical element, and the diffraction grating does not pass through the mirror but sandwiches the mirror. A tracking error detecting device for an optical head, wherein the light is incident on a surface opposite to the diffraction grating on a side opposite to the semiconductor laser element, and the incident region is a region that scatters or absorbs light.
【請求項10】 前記散乱または吸収領域を、前記入射
領域へのワイヤーボンディング部で構成したことを特徴
とする請求項9記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出
装置。
10. The tracking error detecting device for an optical head according to claim 9, wherein said scattering or absorbing region is constituted by a wire bonding portion to said incident region.
【請求項11】 前記散乱または吸収領域を前記入射領
域に施した無反射コーティング部で構成したことを特徴
とする請求項9記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出
装置。
11. The tracking error detecting device for an optical head according to claim 9, wherein said scattering or absorption region is constituted by an anti-reflection coating portion applied to said incident region.
【請求項12】 前記散乱または吸収領域を前記入射領
域に施したドーム状の凸部で構成したことを特徴とする
請求項9記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出装置。
12. The tracking error detecting device for an optical head according to claim 9, wherein said scattering or absorbing region is constituted by a dome-shaped convex portion provided on said incident region.
【請求項13】 前記散乱または吸収領域を前記入射領
域に施したプリズム状の凸部で構成したことを特徴とす
る請求項9記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出装
置。
13. An optical head tracking error detecting device according to claim 9, wherein said scattering or absorbing region is constituted by a prism-shaped convex portion provided on said incident region.
【請求項14】 前記散乱または吸収領域を前記入射領
域に施した格子状の凹凸部で構成したことを特徴とする
請求項9記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出装置。
14. An optical head tracking error detecting device according to claim 9, wherein said scattering or absorbing region is constituted by a lattice-shaped uneven portion provided on said incident region.
【請求項15】 前記散乱する領域を、前記入射領域自
体の傾斜部で構成したことを特徴とする請求項9記載の
光ヘッドのトラッキング誤差検出装置。
15. The optical head tracking error detecting device according to claim 9, wherein the scattering region is constituted by an inclined portion of the incident region itself.
【請求項16】 前記散乱または吸収領域を前記入射領
域に施した粗面部で構成したことを特徴とする請求項9
記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出装置。
16. The scattered or absorbed region is constituted by a rough surface portion applied to the incident region.
An optical head tracking error detection device according to any one of the preceding claims.
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