JP3106988B2 - 薄膜形成用溶液及び薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成用溶液及び薄膜形成方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体膜、半導体
膜、光学薄膜、表面強化膜、薄膜触媒等として有用な薄
膜を有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ法）にて形成する
ための溶液と、これを用いた薄膜形成方法に関する。
膜、光学薄膜、表面強化膜、薄膜触媒等として有用な薄
膜を有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ法）にて形成する
ための溶液と、これを用いた薄膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまで誘電体膜の作製にはアルコキシ
ド原料を用いてスピンコートで成膜するゾルゲル法が盛
んに研究されてきた。しかし、近年デバイスの高集積化
を見越して、ステップカバレッジ性に優れた有機金属化
学蒸着法（ＭＯＣＶＤ法）で誘電体膜の作製を試みる研
究が盛んに行われ始めてきた。原料にはＳｒ（ＤＰＭ）
２Ｌｎ（Ｌｎは配位子）、Ｔｉ（ｉ−ＰｒＯ）４，Ｂｉ
（ｏ−ｔｏｌ）３，Ｂｉ（Ｐｈ）３，Ｔａ（ＯＥｔ）５
を用いてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とする溶
液原料が採用され、成膜室の前で特定の気化器で気化さ
せ、成膜するものである（特開平７−２４９６１６号公
報）。
ド原料を用いてスピンコートで成膜するゾルゲル法が盛
んに研究されてきた。しかし、近年デバイスの高集積化
を見越して、ステップカバレッジ性に優れた有機金属化
学蒸着法（ＭＯＣＶＤ法）で誘電体膜の作製を試みる研
究が盛んに行われ始めてきた。原料にはＳｒ（ＤＰＭ）
２Ｌｎ（Ｌｎは配位子）、Ｔｉ（ｉ−ＰｒＯ）４，Ｂｉ
（ｏ−ｔｏｌ）３，Ｂｉ（Ｐｈ）３，Ｔａ（ＯＥｔ）５
を用いてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とする溶
液原料が採用され、成膜室の前で特定の気化器で気化さ
せ、成膜するものである（特開平７−２４９６１６号公
報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＴＨＦを溶媒とした溶
液を２種類以上用いて複合酸化物の薄膜を形成する場
合、おそらくは各溶液の安定性にかなりの差異があるた
めに、目標とする組成の薄膜を形成することがきわめて
困難であることが見出された。とくに、有機ビスマス化
合物をＴＨＦに溶解させた溶液は安定性が低く、室温で
も分解し黒色化する。
液を２種類以上用いて複合酸化物の薄膜を形成する場
合、おそらくは各溶液の安定性にかなりの差異があるた
めに、目標とする組成の薄膜を形成することがきわめて
困難であることが見出された。とくに、有機ビスマス化
合物をＴＨＦに溶解させた溶液は安定性が低く、室温で
も分解し黒色化する。
【０００４】本発明は、目標組成の薄膜を容易に形成す
ることができ、しかも安定性が高い薄膜形成用溶液と、
それを用いた薄膜形成方法を提供することを目的とす
る。
ることができ、しかも安定性が高い薄膜形成用溶液と、
それを用いた薄膜形成方法を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成用溶液
は、有機ビスマス化合物、有機ストロンチウム化合物、
有機チタン化合物及び有機タンタル化合物の少なくとも
１種をルチジンに溶解させたものである。
は、有機ビスマス化合物、有機ストロンチウム化合物、
有機チタン化合物及び有機タンタル化合物の少なくとも
１種をルチジンに溶解させたものである。
【０００６】本発明の薄膜形成方法は、これらの１種又
は２種以上の溶液を用いて化学蒸着法により薄膜を形成
するものである。
は２種以上の溶液を用いて化学蒸着法により薄膜を形成
するものである。
【０００７】本発明で用いるルチジン（ジメチルピリジ
ン）は、電子供与能が高く、従来のＴＨＦより配位化学
的に有機ビスマス又はストロンチウム化合物に配位し、
これらの化合物の液中での安定化をもたらす。即ち、ル
チジンはメチル基が嵩高く、多分子の接近による複合錯
化効果で生じる材料分子の不均一性を抑制するため、成
膜時においてもきわめて安定している。このように安定
した有機金属溶液を用いることにより、目標組成通りの
割合にて各有機金属化合物を成膜室内に供給し、基板上
に目標組成通りの薄膜を形成することが可能となる。
ン）は、電子供与能が高く、従来のＴＨＦより配位化学
的に有機ビスマス又はストロンチウム化合物に配位し、
これらの化合物の液中での安定化をもたらす。即ち、ル
チジンはメチル基が嵩高く、多分子の接近による複合錯
化効果で生じる材料分子の不均一性を抑制するため、成
膜時においてもきわめて安定している。このように安定
した有機金属溶液を用いることにより、目標組成通りの
割合にて各有機金属化合物を成膜室内に供給し、基板上
に目標組成通りの薄膜を形成することが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明で用いる有機ビスマス化合
物としては、トリフェニルビスマス（以下、ＢｉＰｈ３
と記載する。）又はトリオルトトリルビスマス（Ｂｉ
（ｏ−ｔｏｌ）３）が好ましい。有機ストロンチウム化
合物としてはストロンチウムジピバロイルメタナートテ
トラグラム（以下、Ｓｒ（ＤＰＭ）２・ＴＥＧと記載す
る。）又はストロンチウムジピバロイルメタナートトリ
エチルテトラミン（以下、Ｓｒ（ＤＰＭ）２・ＴＥＴと
記載する。）が好ましい。チタン又はタンタルの化合物
としては、プロポキシド、エトキシド等のアルコキシド
や、β−ジケトン（例えばジピバロイルメタン）化合物
などが好ましい。
物としては、トリフェニルビスマス（以下、ＢｉＰｈ３
と記載する。）又はトリオルトトリルビスマス（Ｂｉ
（ｏ−ｔｏｌ）３）が好ましい。有機ストロンチウム化
合物としてはストロンチウムジピバロイルメタナートテ
トラグラム（以下、Ｓｒ（ＤＰＭ）２・ＴＥＧと記載す
る。）又はストロンチウムジピバロイルメタナートトリ
エチルテトラミン（以下、Ｓｒ（ＤＰＭ）２・ＴＥＴと
記載する。）が好ましい。チタン又はタンタルの化合物
としては、プロポキシド、エトキシド等のアルコキシド
や、β−ジケトン（例えばジピバロイルメタン）化合物
などが好ましい。
【０００９】これらの有機金属化合物を溶かし込む有機
溶媒としては、ルチジンを用いる。ルチジンには２，６
−、２，５−、２，４−、２，３−、３，４−、３，５
−の異性体があるが、これらのうちいずれをも用いるこ
とができ、これらの１種を用 いても良く、２種以上を混
合した混合溶媒を用いても良い。混合割合は任意であ
る。
溶媒としては、ルチジンを用いる。ルチジンには２，６
−、２，５−、２，４−、２，３−、３，４−、３，５
−の異性体があるが、これらのうちいずれをも用いるこ
とができ、これらの１種を用 いても良く、２種以上を混
合した混合溶媒を用いても良い。混合割合は任意であ
る。
【００１０】この溶液の有機金属化合物の濃度は、０．
０１〜２モル／Ｌ（リットル）とくに０．０５〜１モル
／Ｌ程度が好ましい。
０１〜２モル／Ｌ（リットル）とくに０．０５〜１モル
／Ｌ程度が好ましい。
【００１１】本発明では、溶媒に対し上記有機金属化合
物の１種のみを溶解させても良く、複数を溶解させても
良い。ストロンチウム化合物あるいはビスマス化合物、
チタン化合物又はタンタル化合物としても２種以上の化
合物を溶解させても良い。
物の１種のみを溶解させても良く、複数を溶解させても
良い。ストロンチウム化合物あるいはビスマス化合物、
チタン化合物又はタンタル化合物としても２種以上の化
合物を溶解させても良い。
【００１２】本発明では、このような有機金属化合物を
用いて薄膜をＭＯＣＶＤ法によって形成する。ＭＯＣＶ
Ｄ装置としては周知のもので良い。例えば、各有機金属
化合物の混合溶液を調製しておくか、あるいは各有機金
属化合物単独の溶液を予め設定された供給量で容器から
送り出して混合する。そして、この混合溶液をインジェ
クションポンプによって気化器内に噴射し、キャリアガ
スと共に蒸気を成膜室内に供給し、さらに酸素を成膜室
内に供給すれば良い。キャリアガスとしては、Ａｒ等の
希ガスが好適である。原料やキャリアガスの供給速度は
製造装置の大きさ等に応じて適宜選定すれば良い。気化
温度は２００〜２５０℃程度が好ましい。
用いて薄膜をＭＯＣＶＤ法によって形成する。ＭＯＣＶ
Ｄ装置としては周知のもので良い。例えば、各有機金属
化合物の混合溶液を調製しておくか、あるいは各有機金
属化合物単独の溶液を予め設定された供給量で容器から
送り出して混合する。そして、この混合溶液をインジェ
クションポンプによって気化器内に噴射し、キャリアガ
スと共に蒸気を成膜室内に供給し、さらに酸素を成膜室
内に供給すれば良い。キャリアガスとしては、Ａｒ等の
希ガスが好適である。原料やキャリアガスの供給速度は
製造装置の大きさ等に応じて適宜選定すれば良い。気化
温度は２００〜２５０℃程度が好ましい。
【００１３】成膜室内に配置する基板としてはＳｉＯ２
基板の上にＰｔを蒸着したものが好適であるがＰｔ／Ｍ
ｇＯなども用いることができる。成膜時の基板温度は３
５０〜８００℃とりわけ４００〜７５０℃とくに４００
〜７００℃程度が好ましい。成膜圧力は、１〜１００Ｔ
ｏｒｒとりわけ５〜５０Ｔｏｒｒ程度が好ましい。
基板の上にＰｔを蒸着したものが好適であるがＰｔ／Ｍ
ｇＯなども用いることができる。成膜時の基板温度は３
５０〜８００℃とりわけ４００〜７５０℃とくに４００
〜７００℃程度が好ましい。成膜圧力は、１〜１００Ｔ
ｏｒｒとりわけ５〜５０Ｔｏｒｒ程度が好ましい。
【００１４】本発明によると、例えばＢｉ−Ｔｉ複合酸
化物、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｔａ複合酸化物、Ｓｒ−Ｔｉ，Ｔａ
−Ｓｒなどの複合酸化物薄膜を目標組成通りに製造する
ことができる。なお、Ｂｉ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｔａ以外の金
属の有機化合物をさらに含んでいても良い。
化物、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｔａ複合酸化物、Ｓｒ−Ｔｉ，Ｔａ
−Ｓｒなどの複合酸化物薄膜を目標組成通りに製造する
ことができる。なお、Ｂｉ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｔａ以外の金
属の有機化合物をさらに含んでいても良い。
【００１５】
【実施例】実施例１（実験Ｎｏ．１〜６） ＢｉＰｈ３、チタニウムイソプロポキシド（Ｔｉ（Ｏ−
ｉ−Ｐｒ）４）を表１の膜組成比通りに２，６−ルチジ
ンに溶解させた混合溶液を用い、ＭＯＣＶＤ法によりＢ
ｉ−Ｔｉ複合酸化物薄膜を次の条件により製造した。
ｉ−Ｐｒ）４）を表１の膜組成比通りに２，６−ルチジ
ンに溶解させた混合溶液を用い、ＭＯＣＶＤ法によりＢ
ｉ−Ｔｉ複合酸化物薄膜を次の条件により製造した。
【００１６】 基板 ： Ｐｔ／ＳｉＯ２（大きさ２．５×２．５ｃｍ） 基板温度 ： 表１の通り（単位℃） 成膜時間 ： ３０ｍｉｎ 成膜圧力 ： １０Ｔｏｒｒ 溶液濃度 ： ０．１モル／Ｌ 溶液供給速度 ： ０．０５ｃｃ／ｍｉｎ キャリアガス ： Ａｒ ２００ｃｃ／ｍｉｎ 気化温度 ： ２２５℃ 反応ガス ： Ｏ２、５００ｃｃ／ｍｉｎ
【００１７】その結果、表１に示す目標値通りの膜組成
の薄膜（厚さ約０．２μｍÅ）を形成することができ
た。
の薄膜（厚さ約０．２μｍÅ）を形成することができ
た。
【００１８】実施例１（実験Ｎｏ．７〜１２） 有機ビスマス化合物としてＢｉ（ｏ−ｔｏｌ）３を用い
たほかは実施例１のＮｏ．１〜６と同様にして薄膜を形
成した。膜組成は表１の通りであった。
たほかは実施例１のＮｏ．１〜６と同様にして薄膜を形
成した。膜組成は表１の通りであった。
【００１９】比較例１ 溶媒をＴＨＦとしたほかは実施例１のＮｏ．１〜１２と
同様にして薄膜を形成した。膜組成は表１の通りであっ
た。
同様にして薄膜を形成した。膜組成は表１の通りであっ
た。
【００２０】なお、比較例のＮｏ．１で用いた混合溶液
の組成は実施例１のＮＯ．１と同じであり、比較例のＮ
ｏ．２で用いた混合溶液の組成は実施例１のＮｏ．２と
同じであり、以下比較例ＮＯ．１２までそれぞれ実施例
１のＮｏ．１２までとそれぞれ同じ組成の混合溶液を用
いた。
の組成は実施例１のＮＯ．１と同じであり、比較例のＮ
ｏ．２で用いた混合溶液の組成は実施例１のＮｏ．２と
同じであり、以下比較例ＮＯ．１２までそれぞれ実施例
１のＮｏ．１２までとそれぞれ同じ組成の混合溶液を用
いた。
【００２１】表１から明らかな通り、本発明によると目
標値通りの膜組成の薄膜を形成することができる。一
方、比較例にあっては、薄膜組成が目標値から著しくず
れている。
標値通りの膜組成の薄膜を形成することができる。一
方、比較例にあっては、薄膜組成が目標値から著しくず
れている。
【００２２】実施例２ 有機溶媒を２，５−ルチジンとしたほかは実施例１と同
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表２の通りであ
る。
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表２の通りであ
る。
【００２３】実施例３ 有機溶媒を２，４−ルチジンとしたほかは実施例１と同
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表３の通りであ
る。
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表３の通りであ
る。
【００２４】実施例４ 有機溶媒を２，３−ルチジンとしたほかは実施例１と同
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表４の通りであ
る。
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表４の通りであ
る。
【００２５】実施例５ 有機溶媒を３，４−ルチジンとしたほかは実施例１と同
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表５の通りであ
る。
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表５の通りであ
る。
【００２６】実施例６ 有機溶媒を３，５−ルチジンとしたほかは実施例１と同
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表６の通りであ
る。
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表６の通りであ
る。
【００２７】実施例７（実験Ｎｏ．１〜６） ＢｉＰｈ３、Ｓｒ（ＤＰＭ）２・ＴＥＧ、タンタルペン
タエトキシド（Ｔａ（ＯＥｔ）５）を表１の膜組成比通
りに２，６−ルチジンに溶解させた混合溶液を用いたほ
かは実施例１の実験Ｎｏ．１〜６と同様にしてＳｒ−Ｂ
ｉ−Ｔａ複合酸化物薄膜を形成した。膜組成は表７の目
標値通りのものであった。
タエトキシド（Ｔａ（ＯＥｔ）５）を表１の膜組成比通
りに２，６−ルチジンに溶解させた混合溶液を用いたほ
かは実施例１の実験Ｎｏ．１〜６と同様にしてＳｒ−Ｂ
ｉ−Ｔａ複合酸化物薄膜を形成した。膜組成は表７の目
標値通りのものであった。
【００２８】実施例７（実験Ｎｏ．７〜１２） ＢｉＰｈ３の代わりにＢｉ（ｏ−ｔｏｌ）３を用いたほ
かは実施例７のＮｏ．１〜６と同様にして薄膜を形成し
た。薄膜組成は表７の目標値通りであった。
かは実施例７のＮｏ．１〜６と同様にして薄膜を形成し
た。薄膜組成は表７の目標値通りであった。
【００２９】比較例２ 溶媒としてＴＨＦを用いたほかは実施例７のＮｏ．１〜
１２と同様にして薄膜を形成した。この薄膜の組成は表
７の通り、目標値から著しく異なっている。
１２と同様にして薄膜を形成した。この薄膜の組成は表
７の通り、目標値から著しく異なっている。
【００３０】実施例８ 有機溶媒を２，５−ルチジンとしたほかは実施例７と同
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表８の通りであ
る。
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表８の通りであ
る。
【００３１】実施例９ 有機溶媒を２，４−ルチジンとしたほかは実施例７と同
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表９の通りであ
る。
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表９の通りであ
る。
【００３２】実施例１０ 有機溶媒を２，３−ルチジンとしたほかは実施例７と同
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１０の通りであ
る。
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１０の通りであ
る。
【００３３】実施例１１ 有機溶媒を３，５−ルチジンとしたほかは実施例７と同
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１１の通りであ
る。
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１１の通りであ
る。
【００３４】実施例１２ 有機溶媒を３，４−ルチジンとしたほかは実施例７と同
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１２の通りであ
る。
様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１２の通りであ
る。
【００３５】実施例１３ Ｓｒ（ＤＰＭ）２・ＴＥＧの代わりにＳｒ（ＤＰＭ）２
・ＴＥＴを用いたほかは実施例７と同様にしてＳｒ−Ｂ
ｉ−Ｔａ複合酸化物薄膜を形成した。膜組成は表１３の
目標値通りのものであった。
・ＴＥＴを用いたほかは実施例７と同様にしてＳｒ−Ｂ
ｉ−Ｔａ複合酸化物薄膜を形成した。膜組成は表１３の
目標値通りのものであった。
【００３６】比較例３ 溶媒としてＴＨＦを用いたほかは実施例１３と同様にし
て薄膜を形成した。この薄膜の組成は、表１３の通り、
目標値から著しく異なっている。
て薄膜を形成した。この薄膜の組成は、表１３の通り、
目標値から著しく異なっている。
【００３７】実施例１４ 有機溶媒を２，５−ルチジンとしたほかは実施例１３と
同様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１４の通りで
ある。
同様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１４の通りで
ある。
【００３８】実施例１５ 有機溶媒を２，４−ルチジンとしたほかは実施例１３と
同様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１５の通りで
ある。
同様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１５の通りで
ある。
【００３９】実施例１６ 有機溶媒を２，３−ルチジンとしたほかは実施例１３と
同様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１６の通りで
ある。
同様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１６の通りで
ある。
【００４０】実施例１７ 有機溶媒を３，５−ルチジンとしたほかは実施例１３と
同様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１７の通りで
ある。
同様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１７の通りで
ある。
【００４１】実施例１８ 有機溶媒を３，４−ルチジンとしたほかは実施例１３と
同様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１８の通りで
ある。
同様にして薄膜を形成した。薄膜組成は表１８の通りで
ある。
【００４２】実施例２〜１８及び比較例２、３において
も各表２〜１８から明らかな通り、本発明によると目標
通りの組成の薄膜を形成できる。これに対し、ＴＨＦを
用いた比較例２，３にあっては薄膜組成が目標値から大
きくずれている。
も各表２〜１８から明らかな通り、本発明によると目標
通りの組成の薄膜を形成できる。これに対し、ＴＨＦを
用いた比較例２，３にあっては薄膜組成が目標値から大
きくずれている。
【００４３】なお、有機Ｓｒ化合物をＳｒ（ＤＰＭ）２
・２，６−ルチジン、Ｓｒ（ＤＰＭ）２・２，５−ルチ
ジン、Ｓｒ（ＤＰＭ）２・２，４−ルチジン、Ｓｒ（Ｄ
ＰＭ）２・２，３−ルチジン、及びＳｒ（ＤＰＭ）２・
ピリジンのいずれかとし、溶媒を２，６−ルチジン、
２，５−ルチジン、２，４−ルチジン及び２，３−ルチ
ジンのいずれかとした場合、いずれの組み合わせにおい
ても目標値通りの組成のＢｉ−Ｓｒ−Ｔａ複合酸化物薄
膜を形成できた。
・２，６−ルチジン、Ｓｒ（ＤＰＭ）２・２，５−ルチ
ジン、Ｓｒ（ＤＰＭ）２・２，４−ルチジン、Ｓｒ（Ｄ
ＰＭ）２・２，３−ルチジン、及びＳｒ（ＤＰＭ）２・
ピリジンのいずれかとし、溶媒を２，６−ルチジン、
２，５−ルチジン、２，４−ルチジン及び２，３−ルチ
ジンのいずれかとした場合、いずれの組み合わせにおい
ても目標値通りの組成のＢｉ−Ｓｒ−Ｔａ複合酸化物薄
膜を形成できた。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【表２】
【００４６】
【表３】
【００４７】
【表４】
【００４８】
【表５】
【００４９】
【表６】
【００５０】
【表７】
【００５１】
【表８】
【００５２】
【表９】
【００５３】
【表１０】
【００５４】
【表１１】
【００５５】
【表１２】
【００５６】
【表１３】
【００５７】
【表１４】
【００５８】
【表１５】
【００５９】
【表１６】
【００６０】
【表１７】
【００６１】
【表１８】
【００６２】
【発明の効果】以上の通り、本発明によると目標値通り
の組成の薄膜を形成できる。
の組成の薄膜を形成できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−117855（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−132776（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−271940（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−321039（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−188271（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/31 - 21/32 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (12)
- 【請求項１】 有機ビスマス化合物、有機ストロンチウ
ム化合物、有機チタン化合物及び有機タンタル化合物の
少なくとも１種を有機溶媒に溶解してなる化学蒸着法に
よる薄膜形成用溶液において、有機溶媒がルチジンであ
ることを特徴とする薄膜形成用溶液。 - 【請求項２】 請求項１において、有機ビスマス化合物
がトリフェニルビスマス又はトリオルトトリルビスマス
であることを特徴とする薄膜形成用溶液。 - 【請求項３】 請求項１において、有機ストロンチウム
化合物がストロンチウムジピバロイルメタナートテトラ
グライム又はストロンチウムジピバロイルメタナートト
リエチルテトラミンであることを特徴とする薄膜形成用
溶液。 - 【請求項４】 請求項１において、前記化合物のうちの
いずれか１種のみを前記有機溶媒に溶解させてなること
を特徴とする薄膜形成用溶液。 - 【請求項５】 請求項４において、前記化合物が有機ビ
スマス化合物又は有機ストロンチウム化合物であること
を特徴とする薄膜形成用溶液。 - 【請求項６】 請求項１において、前記化合物のうちの
複数を前記有機溶媒に溶解させてなることを特徴とする
薄膜形成用溶液。 - 【請求項７】 請求項６において、前記化合物が有機ビ
スマス化合物と有機チタン化合物とからなることを特徴
とする薄膜形成用溶液。 - 【請求項８】 請求項６において、前記化合物が有機ス
トロンチウム化合物と有機タンタル化合物とからなるこ
とを特徴とする薄膜形成用溶液。 - 【請求項９】 請求項６において、前記化合物が有機ス
トロンチウム化合物と有機チタン化合物とからなること
を特徴とする薄膜形成用溶液。 - 【請求項１０】 請求項６において、前記化合物が有機
ビスマス化合物と有機ストロンチウム化合物と有機チタ
ン化合物とからなることを特徴とする薄膜形成用溶液。 - 【請求項１１】 請求項１ないし１０のいずれか１項に
記載の溶液を用いて化学蒸着法により薄膜を形成するこ
とを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項１２】 請求項１１において、薄膜が誘電体薄
膜であることを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09025210A JP3106988B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 薄膜形成用溶液及び薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09025210A JP3106988B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 薄膜形成用溶液及び薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10219449A JPH10219449A (ja) | 1998-08-18 |
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