JP3104663B2 - Semiconductor laser module - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムの
光源に使用する半導体レーザモジュールにおいて、特に
半導体レーザと光ファイバーとの結合が高い半導体レー
ザモジュールに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser module used as a light source in an optical communication system, and more particularly to a semiconductor laser module having a high coupling between a semiconductor laser and an optical fiber.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光加入者ネットワークにおいては１本の
光ファイバーにより双方向から通信するシステムを用い
る場合がある。このようなシステムにおいては、光ファ
イバを介して複数の半導体レーザモジュールが向き合う
構成となる。この場合、駆動している半導体レーザから
出射された光はファイバを介して、受信モジュールに入
射すると同時に、受信側にある停止状態の半導体レーザ
モジュールにも入射することになる。停止状態の半導体
レーザモジュールに外部から入射する光量と、この半導
体レーザモジュールで反射する光量の比を反射減衰量と
定義すると、停止状態の半導体レーザモジュールからの
反射が大きい場合、すなわち反射減衰量が小さい場合、
駆動している半導体レーザモジュールへの反射光が大き
くなり通信エラーの原因となる。したがって、このよう
なシステムでは反射の小さい、すなわち高い反射減衰量
を有する半導体レーザモジュールが必要とされる。2. Description of the Related Art In an optical subscriber network, there is a case where a system for performing bidirectional communication using one optical fiber is used. In such a system, a plurality of semiconductor laser modules face each other via an optical fiber. In this case, the light emitted from the driven semiconductor laser enters the receiving module via the fiber and simultaneously enters the stopped semiconductor laser module on the receiving side. When the ratio of the amount of light incident on the semiconductor laser module in the stopped state from the outside to the amount of light reflected by the semiconductor laser module is defined as the return loss, when the reflection from the stopped semiconductor laser module is large, that is, the return loss is If smaller,
The reflected light to the driven semiconductor laser module becomes large and causes a communication error. Therefore, such a system requires a semiconductor laser module having low reflection, that is, high return loss.
【０００３】一方、半導体レーザからの出射光を光ファ
イバーに光学的に結合させる方法として、出射光をレン
ズ等の集光手段を用いて集光し光ファイバーに結合させ
る構造がある。また、これとは別に図８に示すように光
ファイバーの端面を半導体レーザ出射端面に近接させる
ことにより、レンズ等を介さずに直接結合させる方法が
ある。しかしながら、レンズを用いる方法では、半導体
レーザ、レンズ、光ファイバーを同時にそれぞれの光軸
に合わせる必要があるために、組立に時間とコストを要
する。また、レンズを用いない直接結合においても、高
い結合効率を得るために光ファイバーと半導体レーザを
２０μｍ以下に近接させた場合、半導体レーザと光ファ
イバーの光軸調整の許容度が少なくなることが問題にな
る。これを解決するために、半導体レーザと光ファイバ
ーの間に屈折率が空気より高いフッ素添加シリコン媒質
を注入し、半導体レーザからの出射光の放射角を広げ、
半導体レーザとファイバーの光軸調整の許容度を高める
方法を用いる場合がある。On the other hand, as a method of optically coupling outgoing light from a semiconductor laser to an optical fiber, there is a structure in which outgoing light is condensed using a condensing means such as a lens and coupled to the optical fiber. Alternatively, as shown in FIG. 8, there is a method in which the end face of the optical fiber is brought close to the emission end face of the semiconductor laser to directly couple the optical fiber without using a lens or the like. However, in the method using a lens, it is necessary to simultaneously align the semiconductor laser, the lens, and the optical fiber with their respective optical axes, so that it takes time and cost for assembly. Further, even in direct coupling without using a lens, when the optical fiber and the semiconductor laser are brought close to each other to 20 μm or less in order to obtain high coupling efficiency, the tolerance of the optical axis adjustment between the semiconductor laser and the optical fiber decreases. . In order to solve this, a fluorine-doped silicon medium having a higher refractive index than the air is injected between the semiconductor laser and the optical fiber, and the emission angle of light emitted from the semiconductor laser is widened.
In some cases, a method of increasing the tolerance of the optical axis adjustment between the semiconductor laser and the fiber is used.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前出の
双方向光通信システムにおいて半導体レーザにファブリ
ペロー構造を用いた場合には、半導体レーザ前端面の反
射膜が３０〜７０％と非常に高い反射率を有するため、
レーザモジュールの反射減衰量が低くなり、適用が困難
である。一方、半導体レーザに分布帰還型を用いた場合
においては、光出射面は空気に対して無反射になるコー
ティングを施すために比較的高い反射減衰量が得られる
が、空気と屈折率の異なるフッ素添加シリコン媒質に対
してはわずかながら反射が生じるため、フッ素添加シリ
コン媒質を用いた結合方法では反射減衰量が低くなる。However, when the Fabry-Perot structure is used for the semiconductor laser in the bidirectional optical communication system described above, the reflection film on the front end face of the semiconductor laser has a very high reflection of 30 to 70%. To have a rate
The return loss of the laser module is low, making it difficult to apply. On the other hand, when the distributed feedback type is used for the semiconductor laser, a relatively high return loss can be obtained because the light emitting surface is coated with non-reflection to air. Since the reflection occurs slightly to the doped silicon medium, the return loss is reduced by the coupling method using the fluorine-added silicon medium.
【０００５】したがって、本発明は、低コストで半導体
レーザと光ファイバーとの結合効率が高くかつ、反射減
衰量の高い半導体レーザモジュールを実現することにあ
る。Accordingly, an object of the present invention is to realize a semiconductor laser module having a high coupling efficiency between a semiconductor laser and an optical fiber and a high return loss at a low cost.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、光出射面側に
低反射率膜を施した分布帰還型半導体レーザと光ファイ
バーからなる半導体レーザモジュールにおいて半導体レ
ーザの光出射面と光ファイバとの間にフッ素添加シリコ
ン媒質を挿入し、半導体レーザの低反射率膜の反射率を
フッ素添加シリコン媒質に対して４％以下としたことを
特徴とする半導体レーザモジュールである。According to the present invention, there is provided a semiconductor laser module comprising a distributed feedback semiconductor laser having a low reflectance film on the light emitting surface side and an optical fiber. A semiconductor laser module characterized in that a fluorine-containing silicon medium is inserted into the semiconductor laser module and the reflectance of the low-reflectance film of the semiconductor laser is set to 4% or less of the fluorine-containing silicon medium.
【０００７】上記した本発明において、発振波長が１．
３１±０．０５μｍであり、ＴｉＯからなる低反射膜が
施された半導体レーザから構成され、ＴｉＯを１４８０
±４００Åの厚さに成膜することが好ましく、更に好ま
しくはＴｉＯを１４８０±３５０Å、より好ましくは１
４８０±２６０Å、最も好ましくは１４８０±２００Å
の厚さに成膜することによって半導体レーザの低反射率
膜の反射率をフッ素添加シリコン媒質に対してそれぞれ
３％、２％および１％以下とすることができる。In the above-mentioned present invention, the oscillation wavelength is 1.
The semiconductor laser is 31 ± 0.05 μm and is provided with a low reflection film made of TiO.
Preferably, the film is formed to a thickness of ± 400 °, more preferably 1480 ± 350 ° of TiO, more preferably 1
480 ± 260 °, most preferably 1480 ± 200 °
, The reflectance of the low-reflectance film of the semiconductor laser can be set to 3%, 2% and 1% or less with respect to the fluorine-doped silicon medium, respectively.
【０００８】本発明において使用し得るフッ素添加シリ
コン媒質としては常温において流動性を示しかつ熱硬化
性であることが好ましい。The fluorine-containing silicon medium that can be used in the present invention preferably exhibits fluidity at room temperature and is thermosetting.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】図２および図３は、半導体レーザ
の前面に低反射率膜として通常用いられるＳｉ3Ｎ4膜の
空気に対する反射率、およびフッ素添加シリコン媒質に
対しての反射率とＳｉ3Ｎ4の成膜膜厚の関係を示したも
のである。Ｓｉ3Ｎ4を用いた場合、膜厚を１８００Åに
することにより空気に対して無反射にすることができる
が、フッ素添加シリコン媒質に対しては、最低でも約４
％の残存反射率が存在することになる。2 and 3 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION, reflectance to air the Si 3 N 4 film used normally as a low reflectivity film on the front surface of the semiconductor laser, and fluoridation reflectance for silicon medium and It shows the relationship between the film thicknesses of Si 3 N 4 . When Si 3 N 4 is used, it can be made non-reflective to air by setting the film thickness to 1800 °, but at least about 4
% Will be present.
【００１０】一方、図４は半導体レーザの前面にＴｉＯ
（屈折率２．２７）を用いた場合の、フッ素添加シリコ
ン媒質に対する反射率を示したものである。ＴｉＯを低
反射率膜として用いた場合、成膜膜厚を１４８０Åにす
ることによりフッ素添加シリコン媒質に対して無反射と
なる。また、例えば反射率を１％以下にするには成膜膜
厚を１４８０±２００Åにすれば良いことが解る。[0010] On the other hand, FIG.
(Refractive index: 2.27) is a graph showing the reflectance with respect to a fluorine-doped silicon medium. When TiO is used as the low-reflectance film, by setting the film thickness to 1480 °, the film becomes non-reflective to the fluorine-added silicon medium. In addition, it can be seen that, for example, in order to reduce the reflectance to 1% or less, the film thickness may be set to 1480 ± 200 °.
【００１１】したがって、以上の結果より、Ｓｉ3Ｎ4を
低反射率膜を用いた従来の半導体レーザをフッ素添加シ
リコン媒質を用いて光ファイバーと結合させる場合に
は、半導体レーザ前端面に残留反射率が存在することに
なり反射減衰量が低くなる。Therefore, from the above results, when a conventional semiconductor laser using Si 3 N 4 with a low-reflectance film is coupled with an optical fiber using a fluorine-doped silicon medium, the residual reflectivity on the front end face of the semiconductor laser is And the return loss is reduced.
【００１２】図５は１８００Åの厚さのＳｉ3Ｎ4を低反
射率膜とした半導体レーザをフッ素添加シリコン媒質を
用いずに光ファイバーと直接結合させたモジュールの光
反射を測定したものである。図はモジュール内の個々の
反射点の位置を横軸に反射光量を縦軸に示している。図
においてＡ点で示したピークが半導体レーザの光出射面
からの反射光で約−２０ｄＢ（１％）の反射が生じてい
る。Ｂ点で示したピークは半導体レーザ後端面の高反射
膜からの反射光であるが、素子内部での減衰などによ
り、光出射面での反射よりも強度は低くなっている。FIG. 5 shows a result of measuring the light reflection of a module in which a semiconductor laser having a low reflectance film of 1800 ° thick Si 3 N 4 is directly coupled to an optical fiber without using a fluorine-doped silicon medium. In the figure, the position of each reflection point in the module is shown on the horizontal axis, and the amount of reflected light is shown on the vertical axis. In the figure, the peak indicated by point A is the reflected light from the light emitting surface of the semiconductor laser, and about -20 dB (1%) reflection occurs. The peak indicated by point B is the reflected light from the highly reflective film on the rear end face of the semiconductor laser, but the intensity is lower than the reflection on the light emitting surface due to attenuation inside the element.
【００１３】図６は前述の構成に加えてさらにフッ素添
加シリコン媒質を用いて半導体レーザと光ファイバーと
を結合させた半導体レーザモジュールの反射減衰量を測
定したものである。Ａ点が半導体レーザ前面からの反射
であるが、反射量が−１３ｄＢになっており、フッ素添
加シリコン媒質を用いた場合に比べ、反射減衰量が低く
なっていることがわかる。FIG. 6 shows the results of measurement of the return loss of a semiconductor laser module in which a semiconductor laser and an optical fiber are coupled using a fluorine-doped silicon medium in addition to the above-described configuration. Point A is the reflection from the front surface of the semiconductor laser, and the amount of reflection is -13 dB, indicating that the return loss is lower than in the case where the fluorine-doped silicon medium is used.
【００１４】図７は、本発明であるＴｉＯを１５００Å
成膜した低反射率膜として用いた半導体レーザをフッ素
添加シリコン媒質を用いて光ファイバーと結合させたモ
ジュールの反射減衰量を測定したものである。Ａ点が半
導体レーザ前面からの反射光であるが、反射量が−２０
ｄＢと低く抑えられており、反射減衰量が高くとれてい
る。FIG. 7 shows that the TiO of the present invention is 1500 ° C.
This is a measurement of the return loss of a module in which a semiconductor laser used as a formed low-reflectance film is coupled to an optical fiber using a fluorine-doped silicon medium. Point A is reflected light from the front surface of the semiconductor laser, and the amount of reflection is −20.
dB, and the return loss is high.
【００１５】本発明において半導体レーザの光出射面と
光ファイバーとの間に挿入されるフッ素添加シリコン媒
質としては、通常の使用時における温度条件において流
動性を有するものであればどの様なものも使用可能であ
るが、光出射面と光ファイバーとの間に挿入される際
に、例滴下法、注入口から注入する方法、吸引によって
挿入する方法等の方法によって挿入する際に流動性を示
し、挿入後において熱硬化可能なものであれば有利に使
用できる。この際、熱硬化反応は１００℃近くまでの温
度で熱硬化できることが好ましい。In the present invention, as the fluorine-doped silicon medium inserted between the light emitting surface of the semiconductor laser and the optical fiber, any material can be used as long as it has fluidity under normal operating temperature conditions. Although it is possible, when inserted between the light emitting surface and the optical fiber, it shows fluidity when inserted by a method such as a dropping method, a method of injecting from an injection port, a method of inserting by suction, and the like. Any material that can be thermally cured later can be used advantageously. In this case, it is preferable that the thermosetting reaction can be performed at a temperature of up to about 100 ° C.
【００１６】[0016]
【実施例】本発明について図面を参照して詳細に説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【００１７】図１は、本発明による半導体レーザ１と光
ファイバー３の結合構造の縦断面図を模式的に示してい
る。従来の結合構造と同様に、半導体レーザの光出射面
５近傍に光ファイバーの端面６を配置して、直接的に出
射光９が光ファイバ３のコア４に接続される。また、半
導体レーザ１と光ファイバ３の間には空気より屈折率が
高いフッ素添加シリコン媒質７（屈折率１．３７）が注
入されており、具体的には１滴のフッ素添加シリコン媒
質を滴下させる方法によって注入され、１００℃近くの
温度で熱硬化されたフッ素添加シリコン媒質層で、半導
体レーザ１からの出射光９の放射角が広げられ、半導体
レーザ１と光ファイバ３の光軸調製の許容度を広くして
いる。なお、本実施例では、半導体レーザには波長１．
３１μｍの分布帰還型半導体レーザのものが、また、光
ファイバーにはコア径１０μｍの石英系シングルモード
ファイバーが用いられている。FIG. 1 schematically shows a longitudinal sectional view of a coupling structure between a semiconductor laser 1 and an optical fiber 3 according to the present invention. Similarly to the conventional coupling structure, the end face 6 of the optical fiber is arranged near the light emitting surface 5 of the semiconductor laser, and the emitted light 9 is directly connected to the core 4 of the optical fiber 3. A fluorine-containing silicon medium 7 (refractive index: 1.37) having a higher refractive index than air is injected between the semiconductor laser 1 and the optical fiber 3, and more specifically, one drop of the fluorine-containing silicon medium is dropped. The emission angle of the light 9 emitted from the semiconductor laser 1 is widened by the fluorine-doped silicon medium layer injected and thermally cured at a temperature close to 100 ° C. to adjust the optical axis of the semiconductor laser 1 and the optical fiber 3. Wide tolerance. In this embodiment, the wavelength of the semiconductor laser is 1.
A 31 μm distributed feedback type semiconductor laser is used, and a silica single mode fiber having a core diameter of 10 μm is used as an optical fiber.
【００１８】本発明で用いられる半導体レーザの前端面
１には、低反射率膜として約１５００Åの厚さのＴｉＯ
膜８が施されている。On the front end face 1 of the semiconductor laser used in the present invention, a TiO layer having a thickness of about 1500.degree.
A membrane 8 has been applied.
【００１９】図７は、本発明の例であるＴｉＯを１５０
０Å成膜した低反射率膜として用いた半導体レーザをフ
ッ素添加シリコン媒質を用いて光ファイバーと結合させ
たモジュールの反射減衰量を測定したものである。マー
カＡが半導体レーザ前面からの反射戻り光であるが、反
射量が−２０ｄＢと低く抑えられており、反射減衰量が
高くとれている。また同時に、フッ素添加シリコン媒質
を用いることにより、フッ素添加シリコン媒質を用いな
い結合方法に比べ結合効率を３ｄＢ改善され、高い結合
率５ｄＢを得た。FIG. 7 shows that TiO, which is an example of the present invention, has a thickness of 150 mm.
This is a measurement of the return loss of a module in which a semiconductor laser used as a low-reflectance film formed at 0 ° is coupled to an optical fiber using a fluorine-doped silicon medium. The marker A is the reflected return light from the front surface of the semiconductor laser. The amount of reflection is suppressed to a low value of −20 dB, and the amount of return loss is high. At the same time, by using the fluoridated silicon medium, the coupling efficiency was improved by 3 dB compared to the coupling method without using the fluoridated silicon medium, and a high coupling ratio of 5 dB was obtained.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上に説明したように、本発明による半
導体レーザモジュールによれば、半導体レーザと光ファ
イバーの光軸合わせの高い許容度と高い結合効率と同時
に、高い反射減衰量を併せ持つ半導体レーザモジュール
を実現できる。As described above, according to the semiconductor laser module according to the present invention, the semiconductor laser module has both high tolerance for alignment of the optical axis of the semiconductor laser and the optical fiber, high coupling efficiency, and high return loss. Can be realized.
【図１】本発明の半導体レーザモジュールの断面構造で
ある。FIG. 1 is a cross-sectional structure of a semiconductor laser module of the present invention.
【図２】通常の半導体レーザの低反射率膜として用いら
れるＳｉ3Ｎ4膜の、空気に対する反射率とＳｉ3Ｎ4の膜
厚の関係を示した図である。FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the reflectance of air and the film thickness of Si 3 N 4 of a Si 3 N 4 film used as a low-reflectance film of an ordinary semiconductor laser.
【図３】同じくＳｉ3Ｎ4膜の、フッ素添加シリコン媒質
に対する反射率とＳｉ3Ｎ4の膜厚の関係を示した図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the reflectance of a Si 3 N 4 film with respect to a fluorine-doped silicon medium and the thickness of the Si 3 N 4 .
【図４】半導体レーザの低反射率膜として用いられるＴ
ｉＯ膜の、フッ素添加シリコン媒質に対する反射率とＴ
ｉＯの膜厚の関係を示した図である。FIG. 4 shows T used as a low-reflectance film of a semiconductor laser.
The reflectivity of the iO film to the fluorine-doped silicon medium and T
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between iO film thicknesses.
【図５】低反射率膜にＳｉ3Ｎ4膜を用いた半導体レーザ
を光ファイバと直接結合させた半導体レーザモジュール
の反射減衰量を測定した図である。FIG. 5 is a view showing a measurement result of the return loss of a semiconductor laser module in which a semiconductor laser using a Si 3 N 4 film as a low reflectance film is directly coupled to an optical fiber.
【図６】低反射率膜にＳｉ3Ｎ4膜を用いた半導体レーザ
を光ファイバーとフッ素添加シリコン媒質を介して結合
させた半導体レーザモジュールの反射減衰量を測定した
図である。FIG. 6 is a view showing a measurement result of a return loss of a semiconductor laser module in which a semiconductor laser using a Si 3 N 4 film as a low-reflectance film is coupled to an optical fiber via a fluorine-doped silicon medium.
【図７】低反射率膜にＴｉＯ膜を用いた半導体レーザを
光ファイバーとフッ素添加シリコン媒質を介して結合さ
せた半導体レーザモジュールの反射減衰量を測定した図
である。FIG. 7 is a diagram showing a measurement of the return loss of a semiconductor laser module in which a semiconductor laser using a TiO film as a low-reflectance film is coupled to an optical fiber via a fluorine-doped silicon medium.
【図８】従来の半導体レーザと光ファイバの結合方法を
説明するための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining a conventional method of coupling a semiconductor laser and an optical fiber.
１ 半導体レーザ ２ 活性層 ３ 光ファイバー ４ コア ５ 光出射面 ６ 光ファイバー端面 ７ フッ素添加シリコン媒質 ８ ＴｉＯ ９ 出射光 １０ 半導体レーザ １１ 活性層 １２ 光ファイバー １３ コア １４ 光出射面 １５ 光ファイバー端面 １６ 出射光 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser 2 Active layer 3 Optical fiber 4 Core 5 Light emission surface 6 Optical fiber end surface 7 Fluorine-doped silicon medium 8 TiO 9 Emission light 10 Semiconductor laser 11 Active layer 12 Optical fiber 13 Core 14 Light emission surface 15 Optical fiber end surface 16 Emission light
Claims (6)
還型半導体レーザと光ファイバーからなる半導体レーザ
モジュールにおいて、半導体レーザの光出射面と光ファ
イバーとの間にフッ素添加シリコン媒質を挿入し、半導
体レーザの低反射率膜の反射率を該フッ素添加シリコン
媒質に対して４％以下としたことを特徴とする半導体レ
ーザモジュール。1. A semiconductor laser module comprising an optical fiber and a distributed feedback semiconductor laser having a low reflectivity film on the light emitting surface side, wherein a fluorine-doped silicon medium is inserted between the light emitting surface of the semiconductor laser and the optical fiber. A semiconductor laser module wherein the reflectance of the low-reflectance film of the semiconductor laser is 4% or less with respect to the fluorine-containing silicon medium.
り、ＴｉＯからなる低反射膜が施された半導体レーザか
ら構成され、ＴｉＯを１４８０±４００Åの厚さに成膜
したことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモ
ジュール。2. A semiconductor laser having an oscillation wavelength of 1.31 ± 0.05 μm and provided with a low reflection film made of TiO, wherein TiO is formed to a thickness of 1480 ± 400 °. The semiconductor laser module according to claim 1.
膜し、半導体レーザの低反射率膜の反射率を該フッ素添
加シリコン媒質に対して１％以下としたことを特徴とす
る請求項２に記載の半導体レーザモジュール。3. The method according to claim 2, wherein TiO is formed to a thickness of 1480 ± 200 °, and the reflectance of the low-reflectance film of the semiconductor laser is set to 1% or less with respect to the fluorine-added silicon medium. 3. The semiconductor laser module according to item 1.
膜し、半導体レーザの低反射率膜の反射率を該フッ素添
加シリコン妨質に対して３％以下としたことを特徴とす
る請求項２に記載の半導体レーザモジュール。4. The method according to claim 1, wherein TiO is formed to a thickness of 1480 ± 350 °, and the reflectance of the low-reflectance film of the semiconductor laser is 3% or less with respect to the fluorine-added silicon barrier. 3. The semiconductor laser module according to 2.
膜し、半導体レーザの低反射率膜の反射率を該フッ素添
加シリコン妨質に対して２％以下としたことを特徴とす
る請求項２に記載の半導体レーザモジュール。5. The method according to claim 1, wherein the TiO film is formed to a thickness of 1480 ± 260 °, and the reflectance of the low reflectance film of the semiconductor laser is set to 2% or less with respect to the fluorine-added silicon barrier. 3. The semiconductor laser module according to 2.
て流動性を示しかつ熱硬化性を有することを特徴とする
半導体レーザモンジュール。6. A semiconductor laser module wherein the fluorine-added silicon barrier has fluidity at room temperature and has thermosetting properties.
Priority Applications (1)
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| JP09349320A JP3104663B2 (en) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | Semiconductor laser module |
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| JPH11186660A JPH11186660A (en) | 1999-07-09 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2011108682A (en) * | 2009-11-12 | 2011-06-02 | Anritsu Corp | External resonator-type semiconductor laser and raman amplifier using the same |
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1997
- 1997-12-18 JP JP09349320A patent/JP3104663B2/en not_active Expired - Fee Related
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