JP3102410B2 - 光スイッチ - Google Patents
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Description
れを用いた光ADM(アッド・ドロップ・マルチプレク
サ)、光ネットワークに関するものである。
ことなく光のまま経路編集を行う光交換はノードの規模
を小さくすることができ通信の低コスト化に大きく貢献
する。こうしたノードを構築する上で重要なのがスイッ
チ技術である。例えば光ADMシステムにおいて、信号
光の分岐挿入の切換を行う光ゲートスイッチは、低クロ
ストーク、低挿入損失の特性が要求される。こうした要
求を満たすスイッチとしてEDFA(エルビウムドープ
ファイバアンプ)ゲートスイッチがあげられる。
ゲートスイッチには以下の問題点がある。
力調整機能、光増幅機能とともに一台のゲートスイッチ
で満たすことができる。しかし、一台のゲートスイッチ
で伝送特性に悪影響を与えずに大きい利得や出力を得る
ことは難しい。
することを目的としてなされたものである。
と前記光伝送路に接続された第1の不純物添加ファイバ
と、前記第1の不純物添加ファイバに接続された第1の
光分岐と前記第1の光分岐の一方に接続された第1の励
起光源とを備え、かつ前記第1の光分岐のもう一方と入
力が接続された光アイソレータと前記光アイソレータの
出力に接続された第2の不純物添加ファイバと、前記第
2の不純物添加ファイバに接続された第2の光分岐と前
記第2の光分岐の一方に接続された第2の励起光源とを
備え、かつ前記第2の光分岐のもう一方に接続された光
伝送路とを備え、前記第1の不純物添加ファイバに入力
される前記第1の励起光源からの励起光の光強度により
前記光伝送路に入力された光のオン/オフを制御し、か
つ前記第2の不純物添加ファイバの出力に接続された光
伝送路へ出力される光の光強度を前記第2の励起光源か
らの励起光の光強度により制御し、第1の不純物添加フ
ァイバの前方に光分岐を有し、光スイッチに入力された
光信号をこの光分岐から出力することができ、前記第1
の不純物添加ファイバと前記第1の光分岐のもう一方と
入力が接続された光アイソレータと前記光アイソレータ
の出力に接続された第2の不純物添加ファイバを経由し
て、前記第2の光分岐のもう一方に接続された光伝送路
から光スイッチに入力された光信号を出力できることを
特徴とする。
接続された第1の不純物添加ファイバと、前記第1の不
純物添加ファイバに接続された第1の光分岐と前記第1
光分岐の一方に接続された第1の励起光源とを備え、か
つ前記第1の光分岐のもう一方と入力が接続された光ア
イソレータと前記光アイソレータの出力に接続された第
2の不純物添加ファイバと、前記第2の不純物添加ファ
イバに接続された第2の光分岐と前記第2の光分岐の一
方に接続された第2の励起光源とを備え、かつ前記第2
の光分岐のもう一方に接続された光伝送路と、前記第1
の不純物添加ファイバと前記第2の不純物添加ファイバ
との間に光スイッチに光を挿入するための光分岐と、こ
の光分岐に接続された光伝送路に、第3の不純物添加フ
ァイバと前記第3の不純物添加光ファイバに接続された
第3の光分岐と前記第3の光分岐の一方に接続された第
3の励起光源とを備え、前記第1の不純物添加ファイバ
および第3の不純物添加ファイバにそれぞれ入力される
前記第1の励起光源および第3の励起光源からの励起光
の光強度により前記光伝送路に入力された光のオン/オ
フを制御し、かつ前記第2の不純物添加ファイバの出力
に接続された光伝送路へ出力される光の光強度を前記第
2の励起光源からの励起光の光強度により制御すること
を特徴とする光スイッチである。
のいずれかの光スイッチにおいて、光スイッチに入力す
る光パワーと光スイッチから出力される光パワーをモニ
タするための光モニタを少なくとも一つ有することを特
徴とする光スイッチである。
いずれかの光スイッチにおいて、複数ある不純物添加フ
ァイバの入出力の少なくとも一端に光アイソレータを接
続することを特徴とする光スイッチである。
いずれかの光スイッチにおいて、複数ある不純物添加フ
ァイバの出力の少なくとも一つに信号光のみを通過させ
る光フィルタを接続することを特徴とする光スイッチで
ある。
いずれかの光スイッチにおいて、複数ある不純物添加フ
ァイバのうち少なくとも一つを、2つ以上の励起光源を
用いて光増幅することを特徴とする光スイッチである。
いずれかの光スイッチを少なくとも2つ用いて、各光ス
イッチの入力と接続した光分波器と、光スイッチの出力
と接続した光合波器とを備え、波長多重光の光分岐挿入
を各波長毎に可能にすることを特徴とする光ADM装置
である。
おいて、波長多重光の分岐と通過を同時に実現できるこ
とを特徴とする光ADM装置である。
接続された第1の不純物添加ファイバと、前記第1の不
純物添加ファイバに接続された第1の光分岐と前記第1
の光分岐の一方に接続された第1の励起光源とを備えた
オンオフのための光スイッチを少なくとも2つ以上備
え、前記オンオフのための光スイッチと接続する光合波
器と前記光合波器と接続した光アイソレータと前記光ア
イソレータの出力に接続された第2の不純物添加ファイ
バと、前記第2の不純物添加ファイバに接続された第2
の光分岐と前記第2の光分岐の一方に接続された第2の
励起光源とを備え、かつ前記第2の光分岐のもう一方に
接続された光伝送路とを備え、前記第1の不純物添加フ
ァイバに入力される前記第1の励起光源からの励起光の
光強度により前記光伝送路に入力された光のオン/オフ
を制御し、かつ前記第2の不純物添加ファイバの出力に
接続された光伝送路へ出力される光の光強度を前記第2
の励起光源からの励起光の光強度により制御し、第1の
不純物添加ファイバの前方に光スイッチに入力された光
信号を分岐するための光分岐、もしくは第1の不純物添
加ファイバと第2の不純物添加ファイバとの間に光スイ
ッチに光を挿入するための光分岐、の少なくともいずれ
か一つの光分岐を備え、光の分岐挿入を可能とし、第1
の不純物添加ファイバの前方に光分岐を有し、光スイッ
チに入力された光信号をこの光分岐から出力することが
でき、前記第1の不純物添加ファイバと前記第1の光分
岐のもう一方と入力が接続された光合波器と前記光合波
器に接続された光アイソレータと前記光アイソレータの
出力に接続された第2の不純物添加ファイバを経由し
て、前記第2の光分岐のもう一方に接続された光伝送路
から光信号を出力できることを特徴とする。
に接続された第1の不純物添加ファイバと、前記第1の
不純物添加ファイバに接続された第1の光分岐と前記第
1の光分岐の一方に接続された第1の励起光源とを備え
たオンオフのための光スイッチを少なくとも2つ以上備
え、前記オンオフのための光スイッチと接続する光合波
器と前記光合波器と接続した光アイソレータと前記光ア
イソレータの出力に接続された第2の不純物添加ファイ
バと、前記第2の不純物添加ファイバに接続された第2
の光分岐と前記第2の光分岐の一方に接続された第2の
励起光源とを備え、かつ前記第2の光分岐のもう一方に
接続された光伝送路と、前記第1の不純物添加ファイバ
と前記第2の不純物添加ファイバとの間に光スイッチに
光を挿入するための光分岐と接続された光伝送路に、第
3の不純物添加ファイバと前記第3の光ファイバに接続
された第3の光分岐と前記第3の光分岐の一方に接続さ
れた第3の励起光源とを備え、前記第1の不純物添加フ
ァイバおよび第3の不純物添加ファイバにそれぞれ入力
される前記第1の励起光源および第3の励起光源からの
励起光の光強度により前記光伝送路に入力された光のオ
ン/オフを制御し、かつ前記第2の不純物添加ファイバ
の出力に接続された光伝送路へ出力される光の光強度を
前記第2の励起光源の励起光の光強度により制御するこ
とを特徴とする光スイッチである。
の発明のいずれかの光スイッチにおいて、第1の不純物
添加ファイバの前方に光分岐を有し、光スイッチに入力
された光信号をこの光分岐から出力でき、前記第1の不
純物添加ファイバと前記第1の光分岐のもう一方と入力
が接続された光アイソレータと前記光アイソレータの出
力に接続された第2の不純物添加ファイバを経由して前
記第2の光分岐のもう一方に接続された光伝送路から光
信号を(同時に)出力できることを特徴とする光スイッ
チである。
チにおいて、第1の不純物添加ファイバの前方に光分岐
を有し、光スイッチに入力された光信号をこの光分岐か
ら出力でき、前記第1の不純物添加ファイバと前記第1
の光分岐のもう一方と入力が接続された光合波器と前記
光合波器に接続された光アイソレータと前記光アイソレ
ータの出力に接続された第2の不純物添加ファイバを経
由して前記第2の光分岐のもう一方に接続された光伝送
路から光信号を(同時に)出力できることを特徴とする
光スイッチである。
明のいずれかの光スイッチを少なくとも2つ用いて、各
光スイッチの入力と接続した光分波器と、前光スイッチ
の出力と接続した光合波器とを備え、波長多重光の光分
岐挿入を各波長毎に可能にすることを特徴とする光AD
M装置である。
装置において、波長多重光の分岐と通過を同時に実現で
きることを特徴とする光ADM装置である。
長域内の光強度と前記波長域と同等な幅を有しかつ前記
波長域とは異なる波長域内の自然放出光の強度との比か
ら光S/N比を算出することにより前記信号光の有無を
判断するか、もしくは信号光を含むある幅の波長域内の
光強度から前記信号光の有無を判断して、光信号遮断信
号(OLOS, Optical Loss of S
ignal)を検出することができる光信号遮断障害監
視装置を含み、かつ、障害発生時には内部の励起光源の
出力を遮断することで下流に障害情報を転送することを
特徴とする第1の発明〜第6の発明または第9の発明〜
第12の発明のいずれかに記載の光スイッチである。
チを用いて、障害発生時には内部の励起光源の出力を遮
断することで下流に障害情報を転送することを特徴とす
る光ネットワークシステムである。
ゲートの動作原理を説明するための図である。図1に示
すように、EDF(エルビウムドープファイバ)10に
光伝送路100から1550nm帯の信号光を入力する
とEDF10内で光吸収され大きな光損失となって光伝
送路101から出力される。一方この状態で、図2に示
すように、励起光源30から励起光をEDF10に注入
すると信号光は光増幅されて光伝送路101から出力さ
れる。以上から励起光のオンオフと励起光パワーの制御
により、低クロストークでかつスイッチ出力パワー可変
の光スイッチが実現できる。
段のEDFAゲートをオンオフスイッチ機能、後段のE
DFAゲートを利得制御機能とし、前後段の間に光分岐
を設けることで光分岐挿入が可能となる光スイッチが実
現できる。
に説明する。
図3を参照して詳細に説明する。波長1550nmの信
号光は光伝送路100を経てEDF11に入力される。
その時の光強度は−10dBmである。一方励起光源3
1から光伝送路105に出力された波長1480nmの
励起光は光分岐52を経てEDF11に入力される。信
号光はEDF11によって光増幅されたあと光アイソレ
ータ21を経由してEDF12に入力される。一方励起
光源32から光伝送路107に出力された波長1480
nmの励起光は光分岐54を経てEDF12に入力され
る。信号光はEDF12によって+15dBmまで光増
幅され光伝送路101に出力される。出力された光の一
部は、光分岐55によって分離され光モニタ42によっ
て光パワーがモニタされ励起光源32の出力パワーを設
定の値にフィードバックすることが可能である。また光
伝送路100に光分岐51を設置することにより光伝送
路100に入力した光は光伝送路102を経て光伝送路
104から出力することができる。すなわち、光伝送路
100に入力した光を光伝送路101と光伝送路104
から同時に出力させることができる。
ワー24mW、後段の励起光パワー48mWで出力パワ
ー約+12dBmの出力光が得られる。また信号の通過
実験より良好な伝送特性が観測された。図のパルス波形
参照。
への入力を停止した場合、波長1550nmの信号光は
EDF11によって光吸収されるため下流へは出力され
ない。上記の操作により前段の光ゲートスイッチのオン
オフ動作を制御する。光スイッチのオンオフ比は60d
B以上であり、低クロストークの光スイッチが実現でき
る。従って、光伝送路106より異なる光もしくは光信
号を入力することができ、入力された信号はEDF12
に入力され、EDF12によって+15dBmまで光増
幅され光伝送路101に出力される。上記の構成では、
EDF11によって光伝送路100、106からの入力
の切替が、EDF12によって利得制御が可能となりス
イッチ全体として光増幅機能を併せ持つ光スイッチが伝
送特性を劣化することなく実現できる。従って、本構成
の光スイッチは、光伝送路100から光入力を行い光伝
送路101と光伝送路104から光出力されるドロップ
アンドコンティニューモードと、光伝送路100から光
入力を行い光伝送路104から光出力しかつ、光伝送路
106から別信号の光入力を行い光伝送路101から光
出力されるドロップアンドアッドモードの2つの状態を
持っている。この2つの状態の切替を、光スイッチ内部
の前段に位置するEDFAゲートのオンオフ切替で実現
できる。
面を参照して詳細に説明する。
伝送路106からの入力光パワーがEDF11からの出
力パワーに比べて著しく低い場合は光スイッチからの最
大出力が制限される。従って光伝送路106に光増幅器
を用いて入力光パワーを増幅させることが望ましい。図
6では、光伝送路106にEDF13、励起光源33、
励起光源33と光伝送路106を接続する光伝送路10
9・光分岐57を新たに設置している。これによって、
光伝送路106に入力された信号光パワーがEDF11
からの出力信号光パワーより著しく低い場合においても
EDF13での利得を調整することによってEDF11
からの出力とほぼ等しくすることができる。また、光伝
送路106に入力された信号光と光伝送路100に入力
された信号光の切替にも使用することができる。
面を参照して詳細に説明する。
複数の励起光源を用いており、また多数の光部品と接続
部を有している。従って、各接続部・各光部品内部での
光学反射の影響により光スイッチの伝送特性が変化する
ことが考えられる。従って図7に示した構成は、反射の
影響を可能な限り抑制するために光分岐51とEDF1
1の間に光アイソレータ22を、また光分岐54と光分
岐55の間に光アイソレータ23を設置した。これによ
って、光スイッチ内部での反射の影響を抑制し、光増幅
器の雑音指数を改善することが出来る。
設置位置はこれのみに限定するものではなく、例えば光
アイソレータ23の設置位置をEDF12と光分岐54
との間にするなど、光スイッチの機能に影響しない範囲
で適宜変更しても差し支えない。
面を参照して詳細に説明する。
ンオフ動作は信号光をEDFに光吸収させる原理を用い
ている。従って、スイッチオフ時には信号光によって励
起された自然放出光が少ない値ではあるがEDFから出
力される。図8に示した構成は、EDF11からの自然
放出光の影響を可能な限り抑制するためにアイソレータ
21と光分岐52の間に光フィルタ61を設置した。こ
れによって、前段の光ゲートスイッチオフ時に発生する
自然放出光の影響を抑制することが出来る。
位置はこれのみに限定するものではなく、例えば光フィ
ルタ61の設置位置を光アイソレータ21と光分岐53
との間にするなど、光スイッチの機能に影響しない範囲
で適宜変更しても差し支えない。
面を参照して詳細に説明する。
は、励起光源に1480nm帯のレーザを用いている。
光スイッチを多段接続する場合などには、この光ゲート
からの雑音の蓄積による影響が無視できない状態にな
る。そこで、図9に示すように励起光源34、35に波
長980nm帯の励起光源を設置した。これによって、
雑音指数が波長1480帯の励起光源を使用した時より
低くなり伝送特性が向上する。
m、980nm帯のみに限定するものではなく、さらに
例えば前段の励起光源は980nm帯、後段の励起光源
は1480nm帯とするなど、光スイッチの機能に影響
しない範囲で適宜変更しても差し支えない。
面を参照して詳細に説明する。
は、励起方法が全て後方励起であった。前段のEDFは
オフ時に信号光を吸収する必要があるためEDF長が信
号光波長によっては、通常の光増幅器として用いる場合
よりも長く設計する必要がある。その場合オン時には、
後方からの励起光がEDFの前方まで到達していない場
合、信号光がEDF入力する際の光損失がとなるため雑
音指数劣化として影響が出る可能性がある。そこで、図
10に示すように前段のEDFAゲート部を前方励起の
構成とした。これによって、雑音指数が後方励起時より
低くなり伝送特性が向上する。
方、後段は後方励起のみに限定するものではなく、さら
に例えば図11に示すように前段は後方励起・後段は前
方励起の構成や、図12に示すように前段・後段ともに
前方励起とするなど、光スイッチの機能に影響しない範
囲で適宜変更しても差し支えない。
面を参照して詳細に説明する。
も、EDFAゲートでの利得および最大出力を高める必
要がある場合には、図13に示すように第1の実施例で
用いた光スイッチにさらに光分岐57、58と光伝送路
109,110と励起光源36,37を追加してEDF
Aゲートを双方向励起して対応することが出来る。ま
た、出力光パワーの増大にはこの方法のみに限定するも
のではなく、励起光源の波長多重、偏波多重などでも対
応することが出来る。
面を参照して詳細に説明する。
1550、1552、1554、1556nmの信号光
が波長多重されている。これらの光は光分波器301に
入力され、光伝送路100、111、115、119に
それぞれ出力される。すなわち、光伝送路100には波
長1550nmの光のみが存在する。光伝送路100に
出力された信号光は上記実施例に記載した光スイッチ2
01に入力される。この光スイッチ201では、光伝送
路100より入力された信号を光伝送路104および光
伝送路101に出力することが出来る。あるいは、光伝
送路100より入力された信号を光伝送路104と光伝
送路101に同時に出力することが出来る。また、ある
いは光伝送路100より入力された信号を光スイッチ2
01内で遮断し新たに光伝送路106から入力された光
信号を光伝送路101に出力することが出来る。同様な
構成をして、光スイッチ202〜204からはそれぞれ
光伝送路112,116,120に波長1552、15
54、1556nmが出力され、光合波器302によっ
て波長多重され光伝送路151に出力される。以上の構
成により、波長多重の光ADMが実現できる。この方法
を用いることは以下に述べる利点がある。光スイッチか
ら出力される信号光は高い光パワーを出すことができる
ため、通常光合波器の後方にブースタ光アンプを設置す
る必要がない。また各波長毎に出力パワー調整が可能で
あるため波長多重光の光レベル等価もしくはレベル調整
が容易である。たとえば意図的に1つの波長の信号光の
み高い光レベルで出力することも可能である。
4に限定されるものではなく、8、16、32、64な
ど自由に任意の波長数に設定できる。
面を参照して詳細に説明する。
1〜6の実施例で記載した光スイッチを並列に並べるこ
とで実現できることを示した。前記の光スイッチは前段
のオンオフ機能と、後段の利得調整機能とから構成され
る。ここで、波長多重光スイッチの使用用途では、後段
のEDFA部を複数の光スイッチで兼用することができ
る。図15を参照してその具体的構成を説明する。
0を経てEDF11に入力される。一方励起光源31か
ら光伝送路105に出力された波長1480nmの励起
光は光分岐52を経てEDF11に入力される。信号光
はEDF11によって光増幅されたあと光合波器303
に入力する。
た場合、波長1550nmの信号光はEDF11によっ
て光吸収される。上記の操作により光スイッチのオンオ
フ動作を制御する。光スイッチのオンオフ比は60dB
以上であり、低クロストークの光スイッチが実現でき
る。従って、光伝送路106より異なる光もしくは光信
号を入力することができ、その信号光は光合波器303
に入力される。光伝送路109もしくは114から入力
される波長1552nmの信号光は同様の構成で光合波
器303に入力され波長多重化されて光アイソレータ2
1に出力される。波長多重光はEDF13により一括光
増幅され光伝送路101に出力される。出力された光の
一部は、光分岐55によって分離され光モニタ42によ
って光パワーがモニタされ励起光源32の出力パワーを
設定の値にフィードバックすることが可能である。また
光伝送路100に光分岐51を設置することにより光伝
送路100に入力した光は光伝送路102を経て光伝送
路104から出力することができる。すなわち、光伝送
路100に入力した光を光伝送路101と光伝送路10
4から同時に出力させることができる。
であった後段の利得調整用のEDFAゲートを兼用とし
たことで、ゲート部個数を削減することができる。
明する2に限定されるものではなく4、8など一括光増
幅への影響の無い範囲で自由に任意の波長数に設定でき
る。
図面を参照して詳細に説明する。図16を参照して光伝
送路150には波長1550、1552、1554、1
556nmの信号光が波長多重されている。これらの光
は光分波器301に入力され、光伝送路100、11
1、115、119にそれぞれ出力される。すなわち、
光伝送路100には波長1550nmの光のみが存在す
る。光伝送路100に出力された信号光は光スイッチ2
01に入力される。この光スイッチ201では、光伝送
路100より入力された信号を光伝送路104および光
伝送路101に出力することが出来る。あるいは、光伝
送路100より入力された信号を光伝送路104と光伝
送路101に同時に出力することが出来る。また、ある
いは、光伝送路100より入力された信号を光スイッチ
201内で遮断し新たに光伝送路106から入力された
光信号を光伝送路101に出力することが出来る。同様
な構成をして、光スイッチ202〜204からはそれぞ
れ光伝送路112,116,120に波長1552、1
554、1556nmが出力される。光伝送路101、
112に出力された光は光合波器303によって波長多
重され光アイソレータ21に出力される。波長多重光は
EDF13により一括光増幅され光伝送路102に出力
される。一方光伝送路116、120に出力された光は
同様の構成をして光合波器304によって波長多重され
光アイソレータ22に出力される。波長多重光はEDF
14により一括光増幅され光伝送路123に出力され
る。光伝送路102、123に出力された光は光合波器
305によって光伝送路151に出力される。
実現できる。この方法を用いることは光ADMで必要な
ゲート部の個数を削減することができる。
4に限定されるものではなく、8、16、32、64な
ど自由に任意の波長数に設定でき、光ADM内部での第
1段目の波長多重方法も2入力1出力のみに限らず一括
光増幅への影響の無い範囲で自由に任意の波長数に設定
できる。
図面を参照して詳細に説明する。図17を参照して光A
DMのモニタリング項目であるOLOS(Optica
lLoss of Signal)とシグナリング項目
である障害発生通告AIS−O(O−AISとも書く:
AISはアラーム・インディケーション・シグナル)に
ついて説明する。
号光が入力されている。モニタ光を光分岐51と56と
二段によって光分岐し光モニタ41に入力する。光モニ
タ41では光強度を監視する。すなわち少なくとも信号
光を含むある幅の波長域内の光強度と前記波長域と同等
な幅を有しかつ前記波長域とは異なる波長域内の自然放
出光の強度との比から光S/N比を算出することにより
前記信号光の有無を判断するか、もしくは信号光を含む
ある幅の波長域内の光強度から前記信号光の有無を判断
して、光強度監視を行う(OLOS, Optical
Loss of Signalの検出)ことによりフ
ァイバの断線等による通信障害を検出することにより光
レイヤの中でのモニタリングが実現できる。ここで通信
障害が光伝送路100で発生した場合、障害発生個所よ
り下流にある光モニタ装置41には光入力が検知されな
い(OLOS検出)。OLOS検出後直ちに、励起光源
31,32の光出力を遮断する。EDFAゲートをオフ
にする(ゲート出力遮断)ことにより、光伝送路101
から下流には一切の光信号が出力しない。この光出力を
しないことで障害発生を下流に転送する方法をAIS−
Oと呼び、これを発行し下流に障害発生を通告すること
ができる。以上の様に本発明の光スイッチは、光スイッ
チ内でOLOSを検出し、内部の励起光源の出力を遮断
することでゲートスイッチをオフし光レイヤの中でかつ
他の波長の信号光に影響を与えることなく障害発生通告
(AIS−O)をすることができる。
図面を参照して詳細に説明する。図18を参照して光伝
送路150には波長1550nm、1552nm、15
54nm、1556nmの4つの信号光が波長多重され
ている。これらの光は、アレイ導波路回折格子に代表さ
れる光分波器301に入力されそれぞれ異なる光伝送路
100、111、115、119に出力される。すなわ
ち、光伝送路100、111、115、119の各々に
はただ一つの波長の光のみが存在する。
路100において、光ファイバを断線し下流への信号伝
送が不可能な状況にする(障害発生)。障害発生個所よ
り下流にある光スイッチ201内部の光モニタには光入
力が検知されない(OLOS検出)。OLOS検出後直
ちに、光スイッチ201内部のEDFAゲートをオフに
する(ゲート出力遮断)ことにより、下流にAIS−O
を発行し下流に障害発生を通告する。次ノードの光スイ
ッチ205内部にある光モニタにおいてもOLOSが検
出され、光スイッチ205内部のEDFAゲートをオフ
することによりAIS−Oを下流に向け発行する。ま
た、障害の発生していない他の波長の伝送路には影響は
なく障害発生前と同様な光伝送を行うことができる。以
上のようにOLOSを検出し、そのすぐ下流の光スイッ
チ内部のゲートスイッチをオフすることにより光レイヤ
の中でかつ他の波長の信号光に影響を与えることなく障
害発生通告をすることができる。
おいては各光伝送路における波長多重数は上記実施形態
で説明する4に限定されるものではなく、8、16、3
2、64など自由に任意の波長数に設定でき、波長多重
光の一括スイッチングが可能である。また入力光の波長
1550nm帯に限定されるものではなく1300nm
帯など自由に設定できる。また信号速度も特に限定され
るものではなく、2.5Gbps、5Gbps、10G
bpsとビットレートフリーの設定が可能である。
フについて記載したが、第1の実施例に示したように励
起光の光パワーをモニタしフィードバック制御すること
により光スイッチから出力される光の光強度を任意の値
に制御することが可能である。また、実施例では不純物
添加ファイバとしてEDFを利用した実験結果を記載し
たが、エルビウム以外でもテルルなど他の元素を添加し
た光増幅用の不純物添加ファイバでも利用可能であり、
そのファイバ長および不純物添加量も光スイッチのスペ
ックに応じて自由に設定できる。
0nmおよび980nmなどとしたが、こうした励起光
源の波長については信号光波長と不純物添加ファイバの
種類によって適宜自由に設定できる。
ワー制御は励起光源の注入電流を制御する方法や、可変
もしくは固定減衰器によって制御する方法など自由に設
定してよい。
から入力してもよく、あるいは両方から入力することも
可能である。さらに複数の励起光源から出力された励起
光を偏波多重・波長多重して不純物添加ファイバに入力
して高い利得を得ることも可能である。また、用いた光
分岐の光分岐比は1:1、1:10など光スイッチ内の
光レベル設計において自由に設定可能である。
光スイッチの入力及び出力側に影響を与えないために適
宜光フィルタ、光アイソレータを設置することも可能で
ある。また、第4の実施例に示した光フィルタにおいて
は、透過帯域幅にも特に指定はなく光スイッチを通過す
る信号光の数によって適宜変更してもよい。
波長光ADMノード内の一箇所のみ記載しているが、本
発明による光レイヤモニタではノード内の全ての光伝送
路、光送信器などにおいて、一カ所のみならず数カ所で
障害が発生した場合および、波長光ADMノード間の光
伝送路における障害に対しても対応可能である。また、
光モニタの設置位置は実施例に記載した位置に限らず適
宜光分岐を用いて自由に設置し、モニタリングを行うこ
とが可能である。
おいても自由に光モニタを設置することができ、光AD
Mノードのみならず、光再生中継器にも光レイヤモニタ
を導入し信号遮断障害発生時にはAIS−Oを発行し光
レイヤの中でのセルフヒーリングが可能である。
システムとして光ADMを例に挙げて説明したが、光ク
ロスコネクト等のシステムにも適用可能である。
ロストーク、高出力パワー、システムの要求に応じて入
出力形態を自由に設計できる光スイッチを実現する。
意波長の信号光を分岐挿入と各波長毎の光レベル等価と
光増幅を可能とする波長光ADMを実現できることであ
る。
である。
である。
構成を示す図である。
ある。
状態を示す図である。
構成を示す図である。
構成を示す図である。
構成を示す図である。
構成を示す図である。
の構成の一例を示す図である。
の構成の一例を示す図である。
の構成の一例を示す図である。
の構成を示す図である。
成を示す図である。
の構成の一例を示す図である。
構成を示す図である。
チの構成を示す図である。
ワークの構成を示す図である。
Claims (16)
- 【請求項1】光伝送路と前記光伝送路に接続された第1
の不純物添加ファイバと、 前記第1の不純物添加ファイバに接続された第1の光分
岐と前記第1の光分岐の一方に接続された第1の励起光
源とを備え、 かつ前記第1の光分岐のもう一方と入力が接続された光
アイソレータと前記光アイソレータの出力に接続された
第2の不純物添加ファイバと、 前記第2の不純物添加ファイバに接続された第2の光分
岐と前記第2の光分岐の一方に接続された第2の励起光
源とを備え、 かつ前記第2の光分岐のもう一方に接続された光伝送路
とを備え、 前記第1の不純物添加ファイバに入力される前記第1の
励起光源からの励起光の光強度により前記光伝送路に入
力された光のオン/オフを制御し、 かつ前記第2の不純物添加ファイバの出力に接続された
光伝送路へ出力される光の光強度を前記第2の励起光源
からの励起光の光強度により制御し、第1の不純物添加ファイバの前方に光分岐を有し、光ス
イッチに入力された光信号をこの光分岐から出力するこ
とができ、 前記第1の不純物添加ファイバと前記第1の光分岐のも
う一方と入力が接続された光アイソレータと前記光アイ
ソレータの出力に接続された第2の不純物添加ファイバ
を経由して、前記第2の光分岐のもう一方に接続された
光伝送路から光スイッチに入力された光信号を出力でき
ること を特徴とする光スイッチ。 - 【請求項2】光伝送路と前記光伝送路に接続された第1
の不純物添加ファイバと、 前記第1の不純物添加ファイバに接続された第1の光分
岐と前記第1の光分岐の一方に接続された第1の励起光
源とを備え、 かつ前記第1の光分岐のもう一方と入力が接続された光
アイソレータと前記光アイソレータの出力に接続された
第2の不純物添加ファイバと、 前記第2の不純物添加ファイバに接続された第2の光分
岐と前記第2の光分岐の一方に接続された第2の励起光
源とを備え、 かつ前記第2の光分岐のもう一方に接続された光伝送路
と、 前記第1の不純物添加ファイバと前記第2の不純物添加
ファイバとの間に光スイッチに光を挿入するための光分
岐と、 この光分岐に接続された光伝送路に、第3の不純物添加
ファイバと前記第3の不純物添加光ファイバに接続され
た第3の光分岐と前記第3の光分岐の一方に接続された
第3の励起光源とを備え、 前記第1の不純物添加ファイバおよび第3の不純物添加
ファイバに入力される前記第1の励起光源および第3の
励起光源からの励起光の光強度により前記光伝送路に入
力された光のオン/オフを制御し、 かつ前記第2の不純物添加ファイバの出力に接続された
光伝送路へ出力される光の光強度を前記第2の励起光源
からの励起光の光強度により制御することを特徴とする
光スイッチ。 - 【請求項3】請求項1から請求項2記載のいずれかの光
スイッチにおいて、 光スイッチに入力する光パワーと光スイッチから出力さ
れる光パワーをモニタするための光モニタを少なくとも
一つ有することを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項4】請求項1〜請求項3記載のいずれかの光ス
イッチにおいて、複数ある不純物添加ファイバの入出力
の少なくとも一端に光アイソレータを接続することを特
徴とする光スイッチ。 - 【請求項5】請求項1〜請求項4記載のいずれかの光ス
イッチにおいて、複数ある不純物添加ファイバの出力の
少なくとも一つに信号光のみを通過させる光フィルタを
接続することを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項6】請求項1〜請求項5記載のいずれかの光ス
イッチにおいて、複数ある不純物添加ファイバのうち少
なくとも一つを、2つ以上の励起光源を用いて光増幅す
ることを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項7】請求項1〜請求項6記載のいずれかの光ス
イッチを少なくとも2つ用いて、各光スイッチの入力と
接続した光分波器と、光スイッチの出力と接続した光合
波器とを備え、 波長多重光の光分岐挿入を各波長毎に可能にすることを
特徴とする光ADM装置。 - 【請求項8】請求項7記載の光ADM装置において、 波長多重光の分岐と通過を同時に実現できることを特徴
とする光ADM装置。 - 【請求項9】光伝送路と前記光伝送路に接続された第1
の不純物添加ファイバと、 前記第1の不純物添加ファイバに接続された第1の光分
岐と前記第1の光分岐の一方に接続された第1の励起光
源とを備えたオンオフのための光スイッチを少なくとも
2つ以上備え、 前記オンオフのための光スイッチと接続する光合波器と
前記光合波器と接続した光アイソレータと前記光アイソ
レータの出力に接続された第2の不純物添加ファイバ
と、 前記第2の不純物添加ファイバに接続された第2の光分
岐と前記第2の光分岐の一方に接続された第2の励起光
源とを備え、 かつ前記第2の光分岐のもう一方に接続された光伝送路
とを備え、 前記第1の不純物添加ファイバに入力される前記第1の
励起光源からの励起光の光強度により前記光伝送路に入
力された光のオン/オフを制御し、 かつ前記第2の不純物添加ファイバの出力に接続された
光伝送路へ出力される光の光強度を前記第2の励起光源
からの励起光の光強度により制御し、 第1の不純物添加ファイバの前方に光スイッチに入力さ
れた光信号を分岐するための光分岐、もしくは第1の不
純物添加ファイバと第2の不純物添加ファイバとの間に
光スイッチに光を挿入するための光分岐、の少なくとも
いずれか一つの光分岐を備え、光の分岐挿入を可能と
し、 第1の不純物添加ファイバの前方に光分岐を有し、光ス
イッチに入力された光信号をこの光分岐から出力するこ
とができ、 前記第1の不純物添加ファイバと前記第1の光分岐のも
う一方と入力が接続され た光合波器と前記光合波器に接
続された光アイソレータと前記光アイソレータの出力に
接続された第2の不純物添加ファイバを経由して、前記
第2の光分岐のもう一方に接続された光伝送路から光信
号を出力できることを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項10】光伝送路と前記光伝送路に接続された第
1の不純物添加ファイバと、 前記第1の不純物添加ファイバに接続された第1の光分
岐と前記第1の光分岐の一方に接続された第1の励起光
源とを備えたオンオフのための光スイッチを少なくとも
2つ以上備え、 前記オンオフのための光スイッチと接続する光合波器と
前記光合波器と接続した光アイソレータと前記光アイソ
レータの出力に接続された第2の不純物添加ファイバ
と、 前記第2の不純物添加ファイバに接続された第2の光分
岐と前記第2の光分岐の一方に接続された第2の励起光
源とを備え、かつ前記第2の光分岐のもう一方に接続さ
れた光伝送路と、 前記第1の不純物添加ファイバと前記第2の不純物添加
ファイバとの間に光スイッチに光を挿入するための光分
岐と接続された光伝送路に、 第3の不純物添加ファイバと前記第3の光ファイバに接
続された第3の光分岐と前記第3の光分岐の一方に接続
された第3の励起光源とを備え、 前記第1の不純物添加ファイバおよび第3の不純物添加
ファイバに入力される前記第1の励起光源および第3の
励起光源からの励起光の光強度により前記光伝送路に入
力された光のオン/オフを制御し、 かつ前記第2の不純物添加ファイバの出力に接続された
光伝送路へ出力される光の光強度を前記第2の励起光源
からの励起光の光強度により制御することを特徴とする
光スイッチ。 - 【請求項11】請求項2または請求項10記載のいずれ
かの光スイッチにおいて、 第1の不純物添加ファイバの前方に光分岐を有し、光ス
イッチに入力された光信号をこの光分岐から出力でき、 前記第1の不純物添加ファイバと前記第1の光分岐のも
う一方と入力が接続された光アイソレータと前記光アイ
ソレータの出力に接続された第2の不純物添加ファイバ
を経由して前記第2の光分岐のもう一方に接続された光
伝送路から光信号を出力できることを特徴とする光スイ
ッチ。 - 【請求項12】請求項10記載の光スイッチにおいて、 第1の不純物添加ファイバの前方に光分岐を有し、光ス
イッチに入力された光信号をこの光分岐から出力でき、 前記第1の不純物添加ファイバと前記第1の光分岐のも
う一方と入力が接続された光合波器と前記光合波器に接
続された光アイソレータと前記光アイソレータの出力に
接続された第2の不純物添加ファイバを経由して前記第
2の光分岐のもう一方に接続された光伝送路から光信号
を出力できることを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項13】請求項9〜請求項12記載のいずれかの
光スイッチを少なくとも2つ用いて、各光スイッチの入
力と接続した光分波器と、前光スイッチの出力と接続し
た光合波器とを備え、波長多重光の光分岐挿入を各波長
毎に可能にすることを特徴とする光ADM装置。 - 【請求項14】請求項13記載の光ADM装置におい
て、波長多重光の分岐と通過を同時に実現できることを
特徴とする光ADM装置。 - 【請求項15】信号光を含むある幅の波長域内の光強度
と前記波長域と同等な幅を有しかつ前記波長域とは異な
る波長域内の自然放出光の強度との比から光S/N比を
算出することにより前記信号光の有無を判断するか、 もしくは信号光を含むある幅の波長域内の光強度から前
記信号光の有無を判断して、 光信号遮断信号(OLOS, Optical Los
s of Signal)を検出することができる光信
号遮断障害監視装置を含み、 かつ、障害発生時には内部の励起光源の出力を遮断する
ことで下流に障害情報を転送することを特徴とする請求
項1〜請求項6または請求項9〜請求項12のいずれか
に記載の光スイッチ。 - 【請求項16】請求項15記載の光スイッチを用いて、 障害発生時には内部の励起光源の出力を遮断することで
下流に障害情報を転送することを特徴とする光ネットワ
ークシステム。
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