JP3100833B2 - プラスティック・パッケージ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラスティック・パッ
ケージに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣチップやＬＳＩチップとマザーボー
ドであるプリント配線板との電気的な接続は、例えばプ
ラスティック・パッケージと呼ばれる樹脂材料を主体と
した半導体パッケージを介して行われる。この種のパッ
ケージは、材料が比較的安価であるという理由等から、
現在のところ半導体パッケージの主流を占めている。

【０００３】ところで、プラスティック・パッケージの
難点は、樹脂材料を主体としているため放熱性に劣ると
いうことである。よって、プラスティック・パッケージ
を作製する場合、チップの誤動作や熱破壊を未然に防止
するために、チップで発生する熱を確実に放散させるた
めの構造が必要になる。ゆえに、この種のパッケージで
は、例えば基板におけるチップ実装部分の裏面側に、放
熱体としてＣｕ−Ｗ等の高熱伝導材料製の板材などを配
置するという対策が採られることがある。

【０００４】図９には、放熱体を備えたＰＧＡタイプの
プラスティック・パッケージ４０の一例が示されてい
る。このパッケージ４０を構成するプラスティック製の
基板４１の表面側には、複数個のチップ４２が搭載され
ている。基板４１の裏面側には、各チップ４２の搭載位
置に対応してそれぞれ放熱体４３が配置されている。基
板４１の表面側外縁部には、外部接続端子としての入出
力ピン４４が設けられている。そして、図示しないチッ
プ４２側の接続端子と入出力ピン４４とは、配線パター
ン４５によって接続されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な従来のプラスティック・パッケージ４０には、以下の
ような問題がある。

【０００６】例えば、大型の放熱体４３を使用してパッ
ケージ４０に大きな放熱領域を確保しようとすると、配
線パターン４５を形成することができない領域（デッド
エリア）が放熱領域の面積分だけ増えてしまう。このた
め、パッケージ４０全体のサイズを大きくせざる得なく
なり、信号伝搬速度の低下などというように電気特性の
悪化につながってしまう。

【０００７】逆にデッドエリアを極力小さくしてパッケ
ージサイズの現状を維持しようとすると、今度は放熱体
４３を小さくせざるを得なく、結果として充分な放熱領
域を確保することができなくなる。

【０００８】また、放熱体を使用することの他にも、例
えばプラスティック・パッケージを構成している基板自
体を高熱伝導材料（Ｃｕ等の金属やセラミックス）に変
更することなどが考えられる。

【０００９】しかし、このようなパッケージの場合、プ
ラスティック材料に比べて硬い材料が基板に使用される
ことになるため、基板の孔あけ加工等が困難になる。ま
た、前記パッケージの場合、金属やセラミックスの表面
にファインな配線パターンを形成することが難しくな
る。このため、パッケージが大型化するという問題があ
る。また、大型化に伴って基板の材料コストが上がるば
かりでなく、基板の加工コストが上がるなどの問題もあ
る。

【００１０】本発明は上記の課題を解消するためになさ
れたものであり、その第１の目的は、コンパクトであっ
てしかも放熱性及びコスト性に優れたプラスティック・
パッケージを提供することにある。

【００１１】

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、高熱伝導性材料から
なる板材の片側面を放熱領域とし、かつその反対側面を
電子部品搭載領域とした放熱体であって、前記電子部品
搭載領域側に絶縁層と配線パターンとを交互に積層して
形成された高密度配線層に電子部品搭載部が設けられ、
前記高密度配線層の表面外縁部に前記高密度配線層内の
配線パターンを介して電子部品側と電気的に接続される
複数の接続端子が設けられてなる放熱体と、前記放熱体
を搭載するためのアイランドの周囲に、複数本のリード
が配設されてなるリードフレームとによって構成され、
前記アイランド上に搭載された前記放熱体の前記各接続
端子と各リードとが電気的に接続され、前記放熱領域を
外部に露出させた状態で前記放熱体が封止用樹脂によっ
てモールドされてなるプラスティック・パッケージをそ
の要旨としている。なお、電子部品搭載部は、高密度配
線層の表面中央部に設けられることが望ましい。

【００１３】請求項２に記載の発明によると、請求項１
において、前記高密度配線層は、感光性エポキシ樹脂を
絶縁層としたビルドアップ層であることをその要旨とし
ている。

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【作用】請求項１，２に記載の発明によると、電子部品
で発生した熱の大部分は、高密度配線層を経て高熱伝導
性材料からなる板材へと伝導し、封止用樹脂から露出す
る板材の裏面側より効率よく大気中に放散される。よっ
て、電子部品の温度上昇が確実に回避される。また、板
材の片側面に高密度配線層を設けたこの発明の構成であ
ると、仮に放熱体を大きくしてもデッドエリアが生じる
ことはない。

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【実施例】

〔実施例１〕以下、本発明を具体化した実施例１のプラ
スティック・パッケージを図１〜図４に基づき詳細に説
明する。

【００２０】本実施例のプラスティック・パッケージ１
は、基本的に金属板材であるリードフレーム１５と、放
熱体であるビルドアップ多層薄膜配線板２とによって構
成されている。

【００２１】放熱体としてのビルドアップ多層薄膜配線
板２は、図３（ｄ），図４に示されるように、高熱伝導
性材料からなる板材としてのりん青銅板３を主体材料と
して形成されている。このりん青銅板３の片側面全体は
放熱領域となっており、かつその反対側面全体は電子部
品搭載領域となっている。電子部品搭載領域全体には、
高密度配線層としてのビルドアップ層Ｂが形成されてい
る。本実施例では、前記ビルドアップ層Ｂは絶縁層４と
極めてファインな配線パターン５とを交互に積層した構
成を有している。各層の配線パターン５は、絶縁層４に
形成されたバイアホール６によって互いに接続されてい
る。

【００２２】図４に示されるように、ビルドアップ層Ｂ
の表面中央部には、電子部品搭載部としてのダイパッド
７が複数個設けられている。ダイパッド７上には、電子
部品としてのＬＳＩチップ８，９が搭載されている。Ｌ
ＳＩチップ８，９とビルドアップ層Ｂ上のボンディング
パッド１０とは、ボンディングワイヤ１１を介して接合
されている。ビルドアップ層Ｂの表面外縁部には、接続
端子としての多数の接続パッド１２が規則的に配設され
ている。そして、ＬＳＩチップ８，９の図示しない電極
側と接続パッド１２側とは、ビルドアップ層Ｂの内層ま
たは外層の配線パターン５を介して電気的に接続されて
いる。

【００２３】図２，図３（ｄ）に示されるように、ビル
ドアップ多層薄膜配線板２は、導電性の接着剤１７によ
ってリードフレーム１５のアイランド１６上に接合され
ている。窓枠状をしたアイランドの１６の周囲には、外
部接続端子としての複数本のリード１８が配置されてい
る。各リード１８におけるインナーリード１８ａの部分
と、ビルドアップ多層薄膜配線板２の各接続パッド１２
とは、ボンディングワイヤ１１を介して接合されてい
る。

【００２４】リードフレーム１５に搭載されたビルドア
ップ多層薄膜配線板２は、りん青銅板３の裏面を外部に
露出させた状態で、封止用樹脂１９によってトランスフ
ァ・モールドされている。封止用樹脂１９から露出して
いるアウターリード１８ｂの部分は、電子部品搭載領域
がある方向にガルウィング状に屈曲されている。

【００２５】図１（ａ），図１（ｂ）には、トリム・ア
ンド・フォーム工程前のリードフレーム１５が示されて
いる。リードフレーム１５の１つのユニットは、窓枠状
をしたアイランド１６と、インナーリード１８ａ部分及
びアウターリード１８ｂ部分を有するリード１８と、タ
イバー２０と、フレーム外枠２１と、ダムバー２２とか
らなる。前記ユニットは、フレーム外枠（詳細にはトッ
プレール及びボトムレール）２１の長手方向に沿って帯
状に連続している。

【００２６】各リード１８は、インナーリード１８ａの
部分をアイランド１６側に向けた状態でフレーム外枠２
１に支持されている。４本のタイバー２０は、アイラン
ド１６の４つのコーナー部とフレーム外枠２１とを連結
している。従って、アイランド１６は、４本のタイバー
２０を介してフレーム外枠２１に支持されている。ま
た、各リード１８は、それらと直交するダムバー２２に
よって所定の間隔に保持されている。

【００２７】図１（ｂ）に示されるように、各リード１
８のうちインナーリード１８ａの内端部とアイランド１
６との間には、所定高さの段差Ｄが設けられている。こ
のような段差Ｄは０．５mm以上がよく、０．７mm〜３．
０mmがさらによく、１．０mm〜２．０mmが特によい。段
差Ｄが小さすぎると、インナーリード１８ａの内端部上
面と接続パッド１２上面との高さの差を小さくすること
ができず、ワイヤボンディング性を充分に向上させるこ
とができない。一方、段差Ｄが大きすぎると、リードフ
レーム１５の成形が困難になったり、パッケージ１の肉
厚化につながったりするおそれがある。この実施例で
は、以上のことを考慮して段差Ｄを１．０mmに設定して
いる。

【００２８】ここで、プラスティック・パッケージ１を
作製する手順の一例を紹介する。パッケージ１を構成す
るビルドアップ多層薄膜配線板２は、次のようにして作
製される。

【００２９】まず、出発材料であるりん青銅板（３５mm
角，１mm厚）３の片面を黒化処理し、その上に下記の組
成の感光性エポキシ樹脂を塗布しかつ乾燥させる。 ・エポキシ樹脂の５０％・アクリル化物 …クレゾールノボラックハーフアクリレート ４６．７ｇ ・エポキシ樹脂 …ビスフェノールＡ型エポキシ １５．０ｇ ・増感剤（架橋剤） ３．０ｇ ・熱硬化剤 …イミダゾール系硬化剤 ４．０ｇ ・溶媒 …ＢＣＡ ４．５ｇ ・レベリング剤 少量 次に、前記感光性エポキシ樹脂を露光・現像することに
より、内径４０μｍのバイアホール形成用穴を有する厚
さ１５μｍの絶縁層４を形成する。

【００３０】次に、Ｃｒ，Ｃｕ，Ｃｒの順にスパッタリ
ングを行うことによって、絶縁層４上に厚さ０．３５μ
ｍの金属薄膜層（Ｃｒ薄膜：０．１μｍ，Ｃｕ薄膜：
０．２μｍ，Ｃｒ薄膜：０．０５μｍ）を形成する。次
に、Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍの配線パターン５を形
成するためのレジストをＣｒ薄膜上に形成する。レジス
トを形成した後、最表層のＣｒ薄膜を２０％塩酸水溶液
でエッチングする。

【００３１】この後、電解Ｃｕめっき及び電解Ｎｉめっ
きを順次行うことにより、厚さ４μｍのＣｕめっき層及
び厚さ２μｍのＮｉめっき層をそれぞれ形成する。レジ
ストを剥離した後、塩化第二銅溶液と２０％塩酸水溶液
とを用いて、非めっき部分のＣｕ薄膜及びＣｒ薄膜をエ
ッチングする。以上の工程を何回か繰り返すことによ
り、絶縁層４と複数種の金属からなる配線パターン５と
を交互に形成する。その結果、配線パターン５を４層備
えたビルドアップ多層薄膜配線板（３５mm角，１．０mm
厚）２が作製される。

【００３２】一方、リードフレーム１５は次のようにし
て作製される。まず１枚の平らな金属板材をエッチング
またはスタンピングすることにより、アイランド１６、
リード（インナーリード１８ａ及びアウターリード１８
ｂ）１８、タイバー２０、フレーム外枠２１及びダムバ
ー２２を形成する。次に、型等によってタイバー２０の
部分を所定方向に屈曲させ、金属板材の平面からアイラ
ンド１６部分のみを１mm程度押し出す。なお、押し出さ
れたアイランド１６と金属板材とは、平行な関係にあ
る。

【００３３】この実施例では、厚さ０．１mmの４２アロ
イ（Ｎｉ：４２，Ｆｅ：Ｒｅ）製の長尺状金属板材がリ
ードフレーム１５用材料として使用される。リード１８
の本数は２１２本であり、そのピッチは０．６３５mmで
ある。アイランド１６の外形寸法は３５．２mm×３５．
２mmである。

【００３４】次に、オープン・ショートテストをパスし
たビルドアップ多層薄膜配線板２を、図３（ａ）に示さ
れるように、導電性の接着剤１７によってリードフレー
ム１５のアイランド１６上に接合する。

【００３５】次に、図３（ｂ）に示されるように、ダイ
パッド７上にテスト済のＣＰＵ用ＬＳＩチップ８を１
個、メモリ用ＬＳＩチップ９を６個搭載し、それぞれボ
ンディングワイヤ１１によって接続する。さらに、各接
続パッド１２と各インナーリード１８ａの内端部とをボ
ンディングワイヤ１１によって接続する。そして、この
段階でファンクションテストを実施する。

【００３６】次に、ビルドアップ多層薄膜配線板２を接
合したリードフレーム１５を金型内にセットし、図３
（ｃ）に示されるように、封止用樹脂１９によるトラン
スファ・モールドを行う。この実施例では、封止用樹脂
１９として、成形作業性、耐湿性、コスト性等に優れた
熱硬化性エポキシ樹脂が使用されている。

【００３７】必要に応じてバリ取り及び外装処理を施し
た後、トリム・アンド・フォーム工程を実施する。まず
トリミング工程では、金型を用いてアウターリード１８
ｂの基端部及びタイバー２０をカットし、必要部分をフ
レーム外枠２１から切り離す。このとき、同時にダムバ
ー２２をカットし、アウターリード１８ｂを個々に分離
する。フォーミング工程では、金型を用いて各アウター
リード１８ｂをガルウィング状に屈曲させる。

【００３８】以上のような手順を経ることにより、図
２，図３（ｄ）に示されるようなプラスティック・パッ
ケージ１が得られる。本実施例のパッケージ１は、図示
しないマザーボード上に仮固定された後、例えば一括リ
フローソルダリング等によって接続パッドに接合され
る。このパッケージ１を表面実装した場合、放熱領域が
上向き（外側向き）になり、電子部品搭載領域が下向き
（内側向き）になる。そして、前記放熱領域の面積、よ
り詳細には放熱領域のうち外部に露出している部分の面
積がこのパッケージ１における実際上の放熱面積にな
る。

【００３９】さて、本実施例のパッケージ１の構成によ
ると、ＬＳＩチップ８，９で発生した熱の大部分は、ビ
ルドアップ層Ｂを経て高熱伝導性のりん青銅板３へと伝
導する。そして、伝導してきた熱は、さらに封止用樹脂
１９から露出するりん青銅板３の裏面側、即ち放熱領域
から効率よく大気中に放散される。よって、ＬＳＩチッ
プ８，９の温度上昇が確実に回避され、放熱性の向上が
図られる。その結果、ＬＳＩチップ８，９の誤動作・熱
破壊等が従来に比較して極めて少なくなる。

【００４０】また、りん青銅板３の片側面にビルドアッ
プ層Ｂを設けた構成であるため、ビルドアップ多層薄膜
配線板２を大きくしても、基本的にビルドアップ層Ｂに
デッドエリアが生じることはない。つまり、パッケージ
１全体のコンパクト化を達成しつつ充分な放熱領域を確
保することが可能となる。そして、コンパクト化が達成
されることによって信号伝搬速度が速くなるため、パッ
ケージ１の電気特性も向上する。なお、回路部分が薄膜
技術を用いたビルドアップ層Ｂであるということも電気
特性の向上に寄与している。また、ビルドアップ層Ｂの
絶縁層４には比較的安価な感光性エポキシ樹脂が使用さ
れているため、パッケージ１全体の低コスト化を達成す
るうえでも有利である。

【００４１】さらに、このパッケージ１では、ビルドア
ップ層Ｂをりん青銅板３の片面側のみに形成することと
している。つまり、りん青銅板３自体には貫通スルーホ
ールが形成されないため、孔あけ加工も不要である。ゆ
えに、金属のみまたはセラミックスのみを主体とする従
来の半導体パッケージに比べて、全体の製造コストを低
減することができる。

【００４２】また、このパッケージ１では、ビルドアッ
プ多層薄膜配線板２のビルドアップ層Ｂ上に複数のＬＳ
Ｉチップ８，９を搭載している。このような構成である
と、個々のチップ毎に放熱体を取り付ける必要があった
従来のものに比較して、製造工程が簡略化する。

【００４３】本実施例のリードフレーム１５の構成に
は、アイランド１６とインナーリード１８ａの内端部と
の間に段差Ｄが設けられている。よって、ビルドアップ
多層薄膜配線板２の搭載時にワイヤボンディング面の高
さの差、即ちインナーリード１８ａの内端部上面と接続
パッド１２上面との高さの差が小さくなる。従って、ワ
イヤ長を短くすることができるなど、ワイヤボンディン
グの実施が容易になる。このようにワイヤボンディング
性が向上することにより、パッケージ１の製造が容易に
なる。

【００４４】また、実施例では段差Ｄの大きさを１．０
mmに設定しているため、ある程度肉厚なビルドアップ多
層薄膜配線板２の使用を許容しながらも、パッケージ１
全体の肉厚化を回避することができる。さらに、アイラ
ンド１６を窓枠状にしているため、放熱領域であるりん
青銅板３の裏面中央部を直接外気に晒すことができる。
従って、ＬＳＩチップ８，９で発生した熱を極めて効率
よく大気中に放散させることができる。よって、確実に
放熱性の向上が図られる。加えて、１枚の金属板材から
なるリードフレーム１５は比較的安価であるため、パッ
ケージ１全体の低コスト化を達成するうえで有利である
といえる。

【００４５】なお、本実施例のパッケージ１の場合、パ
ッケージサイズが従来タイプの約５０％となっていた。
しかも、放熱領域の面積はパッケージ１片面側の面積の
約８０％にも及んでいた。従って、極めて広い放熱面積
が確保されたパッケージ１となっていた。 〔実施例２〕次に、実施例１とは若干異なる手順によっ
て作製される実施例２のプラスティック・パッケージ２
５を図５に基づいて説明する。実施例１と実施例２とで
は、パッケージ１，２５の基本構成に大きな差異はな
い。よって、共通する部分については実施例１のときと
同一の部材番号を付す代わりに、その詳細な説明を省略
する。

【００４６】本実施例では、ビルドアップ多層薄膜配線
板２の出発材料として、３５mm角、１mm厚のＡｌＮ基板
（ＡｌＮ：Ｙ₂ Ｏ₃ ＝９６：４）２６が使用される。ま
ずＡｌＮ基板２６の片面にＴｉ，Ｍｏ，Ｎｉからなる金
属薄膜パターンを形成し、その上に実施例１の感光性エ
ポキシ樹脂を塗布しかつ硬化させる。そして、露光・現
像を行うことにより、内径５０μｍのバイアホール形成
用穴を有する厚さ２３μｍの絶縁層４を形成する。

【００４７】次に、Ｃｒ，Ｃｕの順にスパッタリングを
行うことによって、絶縁層４上に厚さ０．３μｍの金属
薄膜層（Ｃｒ薄膜：０．１μｍ，Ｃｕ薄膜：０．２μ
ｍ）を形成する。次に、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの
配線パターン５を形成するためのレジストをＣｕ薄膜上
に形成する。

【００４８】この後、電解Ｃｕめっき及び電解Ｎｉめっ
きを順次行うことにより、厚さ１０μｍのＣｕめっき層
及び厚さ２μｍのＮｉめっき層をそれぞれ形成する。レ
ジストを剥離した後、塩化第二銅溶液と２０％塩酸水溶
液とを用いて、非めっき部分のＣｕ薄膜及びＣｒ薄膜を
エッチングする。以上の工程を何回か繰り返すことによ
り、絶縁層４と複数種の金属からなる配線パターン５と
を交互に形成する。その結果、配線パターン５を５層備
えたビルドアップ多層薄膜配線板（３５mm角，１mm厚）
２が作製される。

【００４９】次に、オープン・ショートテストをパスし
たビルドアップ多層薄膜配線板２を、図５（ａ）に示さ
れるように、導電性の接着剤１７によってリードフレー
ム１５のアイランド１６上に接合する。このとき、段差
Ｄがまだ形成されていないリードフレーム１５を使用す
る。そして、接着剤１７による接合時にアイランド１６
の部分をＡｌＮ基板２６の裏面側方向に押し出すことに
よって、約１．０mmの段差Ｄを形成する。

【００５０】この後、図５（ｂ）に示されるようにＬＳ
Ｉチップ８，９のワイヤボンディング等を実施した後、
封止用樹脂１９を用いてトランスファ・モールドを行
う。さらに、必要に応じてバリ取り及び外層処理を施し
た後、トリム・アンド・フォーム工程を実施する。その
結果、図５（ｃ）に示されるようなプラスティック・パ
ッケージ２５が得られる。

【００５１】本実施例２のプラスティック・パッケージ
２５であっても、前記実施例１のパッケージ１と同等の
作用効果を奏するということはいうまでもない。特にこ
の実施例によると、段差Ｄを持たない通常のリードフレ
ーム１５が使用できるというメリットがある。

【００５２】なお、本実施例のパッケージ２５の場合に
おいても、パッケージサイズが従来タイプの約５０％と
なっていた。しかも、放熱領域の面積はパッケージ２５
の片面側の面積の約８０％にも及んでいた。従って、実
施例１と同様に極めて広い放熱面積が確保されたパッケ
ージ２５となっていた。

【００５３】本発明は上記実施例１，２のみに限定され
ることはなく、例えば以下のように変更することが可能
である。 （１） 放熱体であるビルドアップ多層薄膜配線板２を
作製する場合、実施例１にて用いたりん青銅板３以外に
も、例えばアルミニウム板やアルマイト板等の金属板を
使用することが可能である。同様に、実施例２にて用い
たＡｌＮ基板２６以外にも、例えばアルミナ基板、ムラ
イト基板、窒化珪素基板、窒化ホウ素基板等のセラミッ
クス基板を使用することが可能である。

【００５４】（２） アウターリード１８ｂの形状はガ
ルウィング状に限定されることはない。例えば、Ｊ状、
Ｉ状、Ｌ状等というように、表面実装に適したその他の
形状にフォーミングしてもよい。

【００５５】（３） 図６に示される別例１のパッケー
ジ２７のように、インナーリード１８ａのほうが金属板
材から押し出されることによって段差Ｄが形成されたリ
ードフレーム２８を用いてもよい。ただし、形成精度が
高いという点からみると、アイランド１６部分を押し出
した実施例１，２のほうが優れているといえる。

【００５６】（４） 図７に示される別例２のパッケー
ジ２９のように、いわゆる多層リードフレーム３０を使
用してもよい。この多層リードフレーム３０の場合、窓
枠状のアイランド３１がインナーリード１８ａ部分に接
着剤層３２を介して接合されている。このため、インナ
ーリード１８ａの内端部とアイランド３１との間に０．
５mm以上の段差Ｄが形成されている。

【００５７】（５） アイランド１６は必ずしも実施例
１，２のような窓枠状でなくてもよい。例えば、アイラ
ンド１６に、１つまたは複数個の任意形状の貫通孔を設
けることとしてもよい。

【００５８】（６） 図８に示される別例３のパッケー
ジ３３のように、窓枠状をしていない普通のアイランド
３５を有するリードフレーム３４を使用してもよい。こ
の場合、例えば実施例２の製造方法と組み合わせれば、
通常のリードフレーム３４をそのまま用いて所望のパッ
ケージ３３を得ることも可能である。

【００５９】（７） リードフレーム１５，２８，３
０，３４用の金属材料としては、４２アロイのほかに
も、例えば５０アロイ（Ｎｉ：５０，Ｆｅ：Ｒｅ）やコ
バール等の鉄合金がある。これらの鉄合金はコスト性や
熱的特性に優れている。また、鉄合金の代わりに、成形
性や熱伝導性に優れた銅合金を使用してもよい。

【００６０】（８） ＬＳＩチップ８，９とビルドアッ
プ層Ｂ上のボンディングパッド１０との接続方法を、バ
ンプ等を用いたＣＯＢ（Chip-on-board ）法に変更して
もよい。接続パッド１２とインナーリード１８ａとの接
続についても同様である。

【００６１】

【００６２】

【００６３】

【００６４】なお、本明細書中において使用した技術用
語を次のように定義する。 「電子部品： シリコン製やガリウム砒素製のＩＣチッ
プ、ＬＳＩチップ、ＶＬＳＩチップ、ＵＬＳＩチップ等
のように使用時に大きな発熱を伴う半導体チップをいう
ほか、例えばチップトランジスタ、チップダイオード、
チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ等と
いったチップ部品等をいう。」

【００６５】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１，２に記
載のプラスティック・パッケージによれば、コンパクト
であってしかも放熱性及びコスト性に優れたものとする
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は実施例１において使用されるリードフ
レームを示す部分平面図であり、（ｂ）はその部分側面
図である。

【図２】 実施例１のプラスティック・パッケージの概
略平面図である。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は同パッケージの製造手順を示
す概略断面図である。

【図４】同パッケージの部分拡大断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、実施例２のプラスティック
・パッケージの製造手順を示す概略断面図である。

【図６】別例１のプラスティック・パッケージを示す概
略断面図である。

【図７】別例２のプラスティック・パッケージを示す概
略断面図である。

【図８】別例３のプラスティック・パッケージを示す概
略断面図である。

【図９】従来のプラスティック・パッケージを示す概略
断面図である。

【符号の説明】

１，２５，２７，２９，３３…プラスティック・パッケ
ージ、２…放熱体してのビルドアップ多層薄膜配線板、
３…高熱伝導性材料からなる板材としてのりん青銅板、
５…配線パターン、７…電子部品搭載部としてのダイパ
ッド、８，９…電子部品としてのＬＳＩチップ、１２…
接続端子としての接続パッド、１５，２８，３０，３４
…リードフレーム、１６，３１，３５…アイランド、１
８…リード、１８ａ…インナーリード、１８ｂ…アウタ
ーリード、１９…封止用樹脂、２１…フレーム外枠、２
６…高熱伝導性材料からなる板材としてのＡｌＮ基板、
Ｂ…高密度配線層としてのビルドアップ層、Ｄ…段差。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】高熱伝導性材料からなる板材の片側面を放
   熱領域とし、かつその反対側面を電子部品搭載領域とし
   た放熱体であって、前記電子部品搭載領域側に絶縁層と
   配線パターンとを交互に積層して形成された高密度配線
   層に電子部品搭載部が設けられ、前記高密度配線層の表
   面外縁部に前記高密度配線層内の配線パターンを介して
   電子部品側と電気的に接続される複数の接続端子が設け
   られてなる放熱体と、 前記放熱体を搭載するためのアイランドの周囲に、複数
   本のリードが配設されてなるリードフレームとによって
   構成され、前記アイランド上に搭載された前記放熱体の
   前記各接続端子と各リードとが電気的に接続され、前記
   放熱領域を外部に露出させた状態で前記放熱体が封止用
   樹脂によってモールドされてなるプラスティック・パッ
   ケージ。
2. 【請求項２】前記高密度配線層は、感光性エポキシ樹脂
   を絶縁層としたビルドアップ層である請求項１に記載の
   プラスティック・パッケージ。