JP3100644B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、短波長の半導体発光素
子及びその製造方法に関する。
子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒素を含むIII −Ｖ族化合物半導体であ
るＧａＮ、ＡｌＮは、バンドギャップがそれぞれ3.4eV
、６eVで、また直接遷移型であり、短波長発光素子用
材料として期待されている。
るＧａＮ、ＡｌＮは、バンドギャップがそれぞれ3.4eV
、６eVで、また直接遷移型であり、短波長発光素子用
材料として期待されている。
【０００３】従来、Ｇａx Ａｌ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）
（以下ＧａＡｌＮと記す）層を形成する際、これらと格
子整合する良質な基板が無いため、便宜上、格子定数が
15％程度大きいサファイア基板上に結晶成長することが
多いが、転位、歪により格子欠陥が多く生じ、良質な結
晶が得られなかった。さらに、得られた結晶にｐ型ド−
プを行う際、ｐ型ド−パントが欠陥の周りに集中し、有
効に働かない等の理由によりｐ型結晶が得られなかっ
た。そこで、サファイア基板上に結晶成長する際には、
一旦アモルファス状のＡｌＮによりＡｌＮバッファ層を
形成してからＧａＡｌＮ層を成長させたり、予め基板表
面をＮＨ3 により窒化してからＧａＡｌＮ層の成長を行
うといった方法が採られた。これによりアンド−プ時の
キャリア濃度が1019cm-3以上であったのを1017cm-3程度
まで低下させることができたが、実用的な素子の実現の
ためには未だ不十分な値であり、ド−ピングにより良好
なｐ型結晶を得ることはできなかった。
（以下ＧａＡｌＮと記す）層を形成する際、これらと格
子整合する良質な基板が無いため、便宜上、格子定数が
15％程度大きいサファイア基板上に結晶成長することが
多いが、転位、歪により格子欠陥が多く生じ、良質な結
晶が得られなかった。さらに、得られた結晶にｐ型ド−
プを行う際、ｐ型ド−パントが欠陥の周りに集中し、有
効に働かない等の理由によりｐ型結晶が得られなかっ
た。そこで、サファイア基板上に結晶成長する際には、
一旦アモルファス状のＡｌＮによりＡｌＮバッファ層を
形成してからＧａＡｌＮ層を成長させたり、予め基板表
面をＮＨ3 により窒化してからＧａＡｌＮ層の成長を行
うといった方法が採られた。これによりアンド−プ時の
キャリア濃度が1019cm-3以上であったのを1017cm-3程度
まで低下させることができたが、実用的な素子の実現の
ためには未だ不十分な値であり、ド−ピングにより良好
なｐ型結晶を得ることはできなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、ＧａＡｌ
Ｎ層の成長には、格子整合をする基板がないために格子
欠陥が生じ、伝導型の制御が十分に行われないといった
問題があった。
Ｎ層の成長には、格子整合をする基板がないために格子
欠陥が生じ、伝導型の制御が十分に行われないといった
問題があった。
【０００５】本発明は、上記事情を考慮したもので、格
子欠陥が少なく、伝導型の制御を十分に行うことができ
る半導体発光素子と、その製造方法を提供することを目
的とする。［発明の構成］
子欠陥が少なく、伝導型の制御を十分に行うことができ
る半導体発光素子と、その製造方法を提供することを目
的とする。［発明の構成］
【０００６】
【課題を解決するための手段】ＧａＡｌＮ層と基板を完
全に格子整合させるためには、格子定数を合わせるだけ
ではなく格子型が等しいことが重要である。ＧａＡｌＮ
と同じ六方晶で格子定数が最も近い基板としてはＳｉＣ
が考えられる。特に２Ｈ−ＳｉＣはＧａＡｌＮと同じウ
ルツ鉱型である。ＳｉＣは発光波長に対して透明であ
り、短波長発光素子用の基板として最適であるが、Ｇａ
ＡｌＮより３％程度格子が短い。一方、同じIII −Ｖ族
結合であるＢＮの格子定数はＧａＡｌＮに比べ、20％程
度も小さい。そこで、Ｂを少量、ＧａＡｌＮ中に添加す
ることができれば、ＳｉＣと格子整合させることが可能
となる。通常格子定数に大きな違いのある物質同士を混
合させることは非常に困難で、単にＧａＡｌＮ中にＢを
添加した場合には、Ｂが析出したり、多結晶化したりし
てＧａＡｌＮ結晶中にＢを取り込ませることはできなか
った。しかし、ＳｉＣのような、格子定数が比較的近い
基板上においてＧａＡｌＮを成長させながらＢを添加し
ていくと、ＳｉＣ基板付近で急激にＢの取り込まれが増
大し、格子整合させることができる。このような方法に
よれば、ＳｉＣ基板上にＢを添加して格子整合したＧａ
ＡｌＮ層を成長することが可能となる。
全に格子整合させるためには、格子定数を合わせるだけ
ではなく格子型が等しいことが重要である。ＧａＡｌＮ
と同じ六方晶で格子定数が最も近い基板としてはＳｉＣ
が考えられる。特に２Ｈ−ＳｉＣはＧａＡｌＮと同じウ
ルツ鉱型である。ＳｉＣは発光波長に対して透明であ
り、短波長発光素子用の基板として最適であるが、Ｇａ
ＡｌＮより３％程度格子が短い。一方、同じIII −Ｖ族
結合であるＢＮの格子定数はＧａＡｌＮに比べ、20％程
度も小さい。そこで、Ｂを少量、ＧａＡｌＮ中に添加す
ることができれば、ＳｉＣと格子整合させることが可能
となる。通常格子定数に大きな違いのある物質同士を混
合させることは非常に困難で、単にＧａＡｌＮ中にＢを
添加した場合には、Ｂが析出したり、多結晶化したりし
てＧａＡｌＮ結晶中にＢを取り込ませることはできなか
った。しかし、ＳｉＣのような、格子定数が比較的近い
基板上においてＧａＡｌＮを成長させながらＢを添加し
ていくと、ＳｉＣ基板付近で急激にＢの取り込まれが増
大し、格子整合させることができる。このような方法に
よれば、ＳｉＣ基板上にＢを添加して格子整合したＧａ
ＡｌＮ層を成長することが可能となる。
【０００７】
【作用】ＳｉＣ基板上に、Ｂを添加したＧａＡｌＮを成
長することにより、格子不整合により発生する転位や、
歪みが飛躍的に減少し低欠陥のＧａＡｌＮ結晶の成長が
可能となる。低欠陥結晶の成長が可能になると欠陥まわ
りに集中し有効に働かなかったド−パントの活性化率を
高め、ド−ピングをすることにより低抵抗のｐ型結晶を
得ることが可能となる。図５に格子不整合とｐ型ド−ピ
ング後のキャリア濃度の関係について１例を示す。成長
温度において±0.5%の以内の格子不整合であれば、構成
材料等により異なるが、キャリア濃度は1016から1018程
度が得られる。格子不整合が大きくなるとキャリア濃度
は急激に減少する。これらより、格子不整合を緩和する
ことが低抵抗のｐ型結晶を得るために重要であることが
わかる。
長することにより、格子不整合により発生する転位や、
歪みが飛躍的に減少し低欠陥のＧａＡｌＮ結晶の成長が
可能となる。低欠陥結晶の成長が可能になると欠陥まわ
りに集中し有効に働かなかったド−パントの活性化率を
高め、ド−ピングをすることにより低抵抗のｐ型結晶を
得ることが可能となる。図５に格子不整合とｐ型ド−ピ
ング後のキャリア濃度の関係について１例を示す。成長
温度において±0.5%の以内の格子不整合であれば、構成
材料等により異なるが、キャリア濃度は1016から1018程
度が得られる。格子不整合が大きくなるとキャリア濃度
は急激に減少する。これらより、格子不整合を緩和する
ことが低抵抗のｐ型結晶を得るために重要であることが
わかる。
【０００８】また、青色域だけではなく紫外域において
も発光波長に対して透明であるＳｉＣ基板を用いること
により光取り出しが効率よく行われ、高効率の青色光お
よび紫外光発光素子の実現が可能となる。本発明によ
り、高品質で伝導型の制御も行なえるＧａＡｌＮ層の作
成が可能となり、高輝度短波長発光素子が実現できる。
も発光波長に対して透明であるＳｉＣ基板を用いること
により光取り出しが効率よく行われ、高効率の青色光お
よび紫外光発光素子の実現が可能となる。本発明によ
り、高品質で伝導型の制御も行なえるＧａＡｌＮ層の作
成が可能となり、高輝度短波長発光素子が実現できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明の第１の実施例であるＬＥＤの概
略構成図である。ｎ−６Ｈ−ＳｉＣ基板11上にｎ−Ｇａ
0.85Ｂ0.15Ｎ層12（Ｓｉド−プ、１×1017cm-3）が３μ
ｍ形成され、その上にｐ−Ｇａ0.85Ｂ0.15層13（Ｍｇド
−プ、１×1017cm-3）が２μｍ形成されている。図中1
4、15は金属電極である。以下に、このＬＥＤにおける
結晶成長方法について説明する。
する。図１は、本発明の第１の実施例であるＬＥＤの概
略構成図である。ｎ−６Ｈ−ＳｉＣ基板11上にｎ−Ｇａ
0.85Ｂ0.15Ｎ層12（Ｓｉド−プ、１×1017cm-3）が３μ
ｍ形成され、その上にｐ−Ｇａ0.85Ｂ0.15層13（Ｍｇド
−プ、１×1017cm-3）が２μｍ形成されている。図中1
4、15は金属電極である。以下に、このＬＥＤにおける
結晶成長方法について説明する。
【００１０】図２は、本発明の実施例に用いた成長装置
を示す概略構成図である。図中21は石英製の反応管（反
応炉）であり、この反応管21内にはガス導入口22から原
料混合ガスが導入される。そして、反応管21内のガスは
ガス排気口23から排気されるものとなっている。反応管
21内には、カ−ボン製のサセプタ24が配置されており、
試料基板25はこのサセプタ24上に載置される。またサセ
プタ24は高周波コイル26により誘導加熱されるものとな
っている。
を示す概略構成図である。図中21は石英製の反応管（反
応炉）であり、この反応管21内にはガス導入口22から原
料混合ガスが導入される。そして、反応管21内のガスは
ガス排気口23から排気されるものとなっている。反応管
21内には、カ−ボン製のサセプタ24が配置されており、
試料基板25はこのサセプタ24上に載置される。またサセ
プタ24は高周波コイル26により誘導加熱されるものとな
っている。
【００１１】まず、ＳｉＣ基板25を前記サセプタ24上に
載置する。ガス導入管22から高純度水素を毎分2.5 ｌ導
入し、反応管21内の大気を置換する。次いで、ガス排気
口23をロ−タリ−ポンプに接続し、反応管21内を減圧
し、内部の圧力を20〜300torrの範囲に設定する。その
後ガス導入口22からＨ2 ガスを導入し、高周波コイル26
によりサセプタ及び基板25を加熱し基板温度1150〜1850
℃で30分間保持して基板の清浄化を行う。
載置する。ガス導入管22から高純度水素を毎分2.5 ｌ導
入し、反応管21内の大気を置換する。次いで、ガス排気
口23をロ−タリ−ポンプに接続し、反応管21内を減圧
し、内部の圧力を20〜300torrの範囲に設定する。その
後ガス導入口22からＨ2 ガスを導入し、高周波コイル26
によりサセプタ及び基板25を加熱し基板温度1150〜1850
℃で30分間保持して基板の清浄化を行う。
【００１２】次いで、基板温度を1150〜1350℃に低下さ
せた後、Ｈ2 ガスをＮ供給ガス（例えばＮＨ3 ガス）に
切り替えると共に、Ｇａ供給ガス（例えばＧａ（Ｃ
Ｈ3 ）3、Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）、Ａｌ供給ガス（例え
ばＡｌ（ＣＨ3 ）3 、Ａｌ（Ｃ2Ｈ5 ）3 を導入して成
長を行う。同時にＢ供給ガス（例えばＢ2 Ｈ6 、Ｂ（Ｃ
Ｈ3 ）3 、Ｂ（Ｃ2 Ｈ5）3 ）を導入してＢの添加を行
う。
せた後、Ｈ2 ガスをＮ供給ガス（例えばＮＨ3 ガス）に
切り替えると共に、Ｇａ供給ガス（例えばＧａ（Ｃ
Ｈ3 ）3、Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）、Ａｌ供給ガス（例え
ばＡｌ（ＣＨ3 ）3 、Ａｌ（Ｃ2Ｈ5 ）3 を導入して成
長を行う。同時にＢ供給ガス（例えばＢ2 Ｈ6 、Ｂ（Ｃ
Ｈ3 ）3 、Ｂ（Ｃ2 Ｈ5）3 ）を導入してＢの添加を行
う。
【００１３】具体的には、図１のＬＥＤ製造には、原料
としてＮＨ3 を１×10-3mol ／min、Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 を１×10-5mol ／min 、Ｂ2 Ｈ6 を１×10-7mol ／mi
n 導入して成長を行った。基板温度は1150℃、圧力220t
orr 、原料ガスの総流量は１ｌ／min とする。ここでア
ンド−プではキャリア濃度1016cm-3の良好なＧａ0.85Ｂ
0.15Ｎ結晶が得られる。これに、シラン（ＳｉＨ4 ）を
原料ガスに混入することによりＳｉをド−プし、キャリ
ア濃度１×1017／cm-3のｎ型Ｇａ0.85Ｂ0.15Ｎ結晶を、
シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を原
料ガスに導入することによりＭｇをド−プし、キャリア
濃度１×1017／cm-3ｐ型Ｇａ0.85Ｂ0.15Ｎ結晶が得られ
た。図３はこの実施例によるＬＥＤチップ31をレンズを
兼ねた樹脂ケ−ス32に埋めこんだ状態を示す。33は内部
リ−ド、34は外部リ−ドである。この実施例によるＬＥ
Ｄは、基板面を光取りだし面として樹脂ケ−スに埋め込
んで約50mcd の青色発光が確認された。
としてＮＨ3 を１×10-3mol ／min、Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 を１×10-5mol ／min 、Ｂ2 Ｈ6 を１×10-7mol ／mi
n 導入して成長を行った。基板温度は1150℃、圧力220t
orr 、原料ガスの総流量は１ｌ／min とする。ここでア
ンド−プではキャリア濃度1016cm-3の良好なＧａ0.85Ｂ
0.15Ｎ結晶が得られる。これに、シラン（ＳｉＨ4 ）を
原料ガスに混入することによりＳｉをド−プし、キャリ
ア濃度１×1017／cm-3のｎ型Ｇａ0.85Ｂ0.15Ｎ結晶を、
シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を原
料ガスに導入することによりＭｇをド−プし、キャリア
濃度１×1017／cm-3ｐ型Ｇａ0.85Ｂ0.15Ｎ結晶が得られ
た。図３はこの実施例によるＬＥＤチップ31をレンズを
兼ねた樹脂ケ−ス32に埋めこんだ状態を示す。33は内部
リ−ド、34は外部リ−ドである。この実施例によるＬＥ
Ｄは、基板面を光取りだし面として樹脂ケ−スに埋め込
んで約50mcd の青色発光が確認された。
【００１４】図４は、本発明の第２の実施例であるＬＥ
Ｄの概略構成図である。ｎ−６Ｈ−ＳｉＣ基板41上にｎ
−Ｇａ0.8 Ａｌ0.1 Ｂ0.1 Ｎ層42（Ｓｉド−プ、１×10
17cm-3）が３μｍ形成され、その上にｐ−Ｇａ0.8 Ａｌ
0.1 Ｂ0.1 Ｎ層43（Ｍｇド−プ、１×1017cm-3）が２μ
ｍ形成されている。図中44、45は金属電極である。第１
の実施例と異なるのは、Ａｌを添加しているという点で
あり，このことにより、ＧａＢＮより広いバンドギャッ
プが得られる。すなわち、Ａｌを添加することによって
発光波長を青色から紫外の領域とすることができる。
Ｄの概略構成図である。ｎ−６Ｈ−ＳｉＣ基板41上にｎ
−Ｇａ0.8 Ａｌ0.1 Ｂ0.1 Ｎ層42（Ｓｉド−プ、１×10
17cm-3）が３μｍ形成され、その上にｐ−Ｇａ0.8 Ａｌ
0.1 Ｂ0.1 Ｎ層43（Ｍｇド−プ、１×1017cm-3）が２μ
ｍ形成されている。図中44、45は金属電極である。第１
の実施例と異なるのは、Ａｌを添加しているという点で
あり，このことにより、ＧａＢＮより広いバンドギャッ
プが得られる。すなわち、Ａｌを添加することによって
発光波長を青色から紫外の領域とすることができる。
【００１５】第２の実施例のＬＥＤも第１の実施例と同
様にして作成される。原料としてＮＨ3 を１×10-3mol
／min 、Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 を８×10-6mol ／min 、Ａ
ｌ（ＣＨ3 ）3 を１×10-6mol ／min 、Ｂ2 Ｈ6 を１×
10-7mol ／min 導入して成長を行った。基板温度は1150
℃、圧力220torr 、原料ガスの総流量は１ｌ／minとす
る。ここでアンド−プではキャリア濃度1016cm-3の良好
なＧａ0.8 Ａｌ0.1 Ｂ0.1 Ｎ結晶が得られる。これに、
シラン（ＳｉＨ4 ）を原料ガスに混入することによりＳ
ｉをド−プし、キャリア濃度１×1017／cm-3のｎ型Ｇａ
0.8 Ａｌ0.1Ｂ0.1 Ｎ結晶を、シクロペンタジエニルマ
グネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を原料ガスに導入することに
よりＭｇをド−プし、キャリア濃度１×1017／cm-3ｐ型
Ｇａ0.8 Ａｌ0.1 Ｂ0.1 Ｎ結晶が得られた。第１の実施
例と同様に樹脂ケ−スに埋め込んで、約50mcd の第１の
実施例より短波長の青色発光が得られた。
様にして作成される。原料としてＮＨ3 を１×10-3mol
／min 、Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 を８×10-6mol ／min 、Ａ
ｌ（ＣＨ3 ）3 を１×10-6mol ／min 、Ｂ2 Ｈ6 を１×
10-7mol ／min 導入して成長を行った。基板温度は1150
℃、圧力220torr 、原料ガスの総流量は１ｌ／minとす
る。ここでアンド−プではキャリア濃度1016cm-3の良好
なＧａ0.8 Ａｌ0.1 Ｂ0.1 Ｎ結晶が得られる。これに、
シラン（ＳｉＨ4 ）を原料ガスに混入することによりＳ
ｉをド−プし、キャリア濃度１×1017／cm-3のｎ型Ｇａ
0.8 Ａｌ0.1Ｂ0.1 Ｎ結晶を、シクロペンタジエニルマ
グネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を原料ガスに導入することに
よりＭｇをド−プし、キャリア濃度１×1017／cm-3ｐ型
Ｇａ0.8 Ａｌ0.1 Ｂ0.1 Ｎ結晶が得られた。第１の実施
例と同様に樹脂ケ−スに埋め込んで、約50mcd の第１の
実施例より短波長の青色発光が得られた。
【００１６】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えば、実施例において、ｎ型基板を
用いた例について示したが、ｐ型基板を用いても同様に
実施できる。また、ＢをＧａＡｌＮ中に平均的に添加し
ているが、例えばＧａＡｌＮ，ＢＮの薄膜を交互に堆積
するなど層状に添加しても良い。さらに、Ｇａ，Ａｌの
供給源として、Ｇａ若しくはＡｌとＣとの結合が２つ以
下であるものを用いたり、Ｎの供給源として、ＮがＨ以
外の元素と結合を持っているものを用いることも有効で
ある。またＢの添加量としては、基板と略格子を整合す
る範囲であればよく、特にＳｉＣ基板上においては、Ｇ
ａx Ａｌ1-x-y Ｂy Ｎ（０＜ｙ≦0.2 ）で添加するのが
よい。その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種
々変形して実施することができる。
るものではない。例えば、実施例において、ｎ型基板を
用いた例について示したが、ｐ型基板を用いても同様に
実施できる。また、ＢをＧａＡｌＮ中に平均的に添加し
ているが、例えばＧａＡｌＮ，ＢＮの薄膜を交互に堆積
するなど層状に添加しても良い。さらに、Ｇａ，Ａｌの
供給源として、Ｇａ若しくはＡｌとＣとの結合が２つ以
下であるものを用いたり、Ｎの供給源として、ＮがＨ以
外の元素と結合を持っているものを用いることも有効で
ある。またＢの添加量としては、基板と略格子を整合す
る範囲であればよく、特にＳｉＣ基板上においては、Ｇ
ａx Ａｌ1-x-y Ｂy Ｎ（０＜ｙ≦0.2 ）で添加するのが
よい。その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種
々変形して実施することができる。
【００１７】
【発明の効果】基板上に、Ｂを添加したＧａＡｌＮを成
長することにより、格子不整合により発生する転位や歪
みが飛躍的に減少し，低欠陥のＧａx Ａｌ1-x-y Ｂy Ｎ
（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）層の成長が可能となり、高
輝度で短波長の半導体発光素子が実現できる。
長することにより、格子不整合により発生する転位や歪
みが飛躍的に減少し，低欠陥のＧａx Ａｌ1-x-y Ｂy Ｎ
（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）層の成長が可能となり、高
輝度で短波長の半導体発光素子が実現できる。
【図１】 本発明の第１の実施例において作成したＬＥ
Ｄの概略構成図。
Ｄの概略構成図。
【図２】 本発明の実施例において用いた成長装置の概
略構成図。
略構成図。
【図３】 本発明の実施例のＬＥＤを樹脂ケ−スに埋め
込んだ図。
込んだ図。
【図４】 本発明の第２の実施例において作成したＬＥ
Ｄの概略構成図。
Ｄの概略構成図。
【図５】 本発明の作用を説明するための図。
１１…ｎ−ＳｉＣ基板 １２…ｎ−ＧａＢＮ １３…ｐ−ＧａＢＮ １４，１５…電極 ２１…反応管 ２２…ガス導入口 ２３…ガス排気口 ２４…サセプタ ２５…基板 ２６…高周波コイル ２７…熱電対 ３１…ＬＥＤチップ ３２…レンズを兼ねた樹脂ケ−ス ３３…内部リ−ド ３４…外部リ−ド ４１…ｎ−ＳｉＣ基板 ４２…ｎ−ＧａＡｌＢＮ ４３…ｐ−ＧａＡｌＢＮ ４４，４５…電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−275682（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−288371（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−228776（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 H01L 21/205 H01S 5/00 - 5/50 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 ＳｉＣ基板と、 このＳｉＣ基板上に形成されたＧａx Ａｌ1-x-y Ｂy Ｎ
（０＜ｘ＜１、０＜ｙ≦０．２）層とを具備することを
特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 ＳｉＣ基板上に、ＧａＡｌＮを成長さ
せながらＢを添加することにより、 Ｇａx Ａｌ1-x-y
Ｂy Ｎ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ≦０．２）層を形成するこ
とを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2835491A JP3100644B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2835491A JP3100644B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
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| JP3100644B2 true JP3100644B2 (ja) | 2000-10-16 |
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| JP2835491A Expired - Lifetime JP3100644B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1991
- 1991-02-22 JP JP2835491A patent/JP3100644B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9130068B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-09-08 | Manutius Ip, Inc. | Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers |
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