JP3196131B2 - 半導体ウエハの搬送方法 - Google Patents
半導体ウエハの搬送方法Info
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- JP3196131B2 JP3196131B2 JP28754493A JP28754493A JP3196131B2 JP 3196131 B2 JP3196131 B2 JP 3196131B2 JP 28754493 A JP28754493 A JP 28754493A JP 28754493 A JP28754493 A JP 28754493A JP 3196131 B2 JP3196131 B2 JP 3196131B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの搬送方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスは、成膜処理、エッチン
グ処理、イオン注入処理及びアッシング処理などの多く
の処理を経て製造されるが、この種の処理は大気と気密
に区画された真空雰囲気あるいは常圧雰囲気中で行われ
る。このため半導体の処理ステーションは、例えば真空
処理ステーションでは、半導体ウエハ（以下「ウエハ」
という）を２５枚収納するカセットを載置するための入
出力ポートと、真空処理室及びロードロック室と、入出
力ポートからロードロック室を介して真空処理室内へウ
エハを搬入し、また逆の経路で搬出する搬送手段と、搬
送路中に設けられた、ウエハのオリエンテーションフラ
ット（以下「オリフラ」という）やウエハの中心を合わ
せるための位置合わせ機構とを備えている。
グ処理、イオン注入処理及びアッシング処理などの多く
の処理を経て製造されるが、この種の処理は大気と気密
に区画された真空雰囲気あるいは常圧雰囲気中で行われ
る。このため半導体の処理ステーションは、例えば真空
処理ステーションでは、半導体ウエハ（以下「ウエハ」
という）を２５枚収納するカセットを載置するための入
出力ポートと、真空処理室及びロードロック室と、入出
力ポートからロードロック室を介して真空処理室内へウ
エハを搬入し、また逆の経路で搬出する搬送手段と、搬
送路中に設けられた、ウエハのオリエンテーションフラ
ット（以下「オリフラ」という）やウエハの中心を合わ
せるための位置合わせ機構とを備えている。
【０００３】ところで真空処理室に何らかの異常が起き
た場合、例えばガス流量や電力などのプロセス条件が所
定値から外れた場合、アラームが発せられて処理が中止
される。このときオペレータの判断によりリセット処理
して装置を再スタートさせ、その後異常が解除されてい
る場合には中止されたウエハがカセットに戻された後、
次のウエハから通常の処理が行われる。従ってこのよう
な場合にはカセットに戻されたウエハの中には通常の処
理が行われなかったウエハも含まれることになるが、当
該ウエハについては例えば上位のコンピュータのデータ
シートにもとづいてオペレータがそのウエハを含むカセ
ットを判別し、そのカセットの中からウエハを取り除
き、廃棄されることとなる。
た場合、例えばガス流量や電力などのプロセス条件が所
定値から外れた場合、アラームが発せられて処理が中止
される。このときオペレータの判断によりリセット処理
して装置を再スタートさせ、その後異常が解除されてい
る場合には中止されたウエハがカセットに戻された後、
次のウエハから通常の処理が行われる。従ってこのよう
な場合にはカセットに戻されたウエハの中には通常の処
理が行われなかったウエハも含まれることになるが、当
該ウエハについては例えば上位のコンピュータのデータ
シートにもとづいてオペレータがそのウエハを含むカセ
ットを判別し、そのカセットの中からウエハを取り除
き、廃棄されることとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらオペレー
タがデータシートなどを頼りにカセットを探し、そのカ
セットの中からウエハを見つけるマニァアル作業は、カ
セットの形状が同型であり、また各カセットにウエハが
同配列で２５枚も収納されているため、頻雑な作業とな
り、必ずしも信頼性が絶対的なものではない。そしてオ
ペレータが別のウエハを誤って取り出してしまうと、通
常の処理をされないウエハがラインを流れてしまい、そ
の後の検査工程で原因究明の検討やそれに伴ってライン
を一時止めるなど、無用な混乱を招くおそれがある。
タがデータシートなどを頼りにカセットを探し、そのカ
セットの中からウエハを見つけるマニァアル作業は、カ
セットの形状が同型であり、また各カセットにウエハが
同配列で２５枚も収納されているため、頻雑な作業とな
り、必ずしも信頼性が絶対的なものではない。そしてオ
ペレータが別のウエハを誤って取り出してしまうと、通
常の処理をされないウエハがラインを流れてしまい、そ
の後の検査工程で原因究明の検討やそれに伴ってライン
を一時止めるなど、無用な混乱を招くおそれがある。
【０００５】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、通常の処理がされなかった
容器内のウエハを容易に識別することができるウエハの
搬送方法を提供することにある。
たものであり、その目的は、通常の処理がされなかった
容器内のウエハを容易に識別することができるウエハの
搬送方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、半導
体ウエハを位置合わせ機構に搬送して半導体ウエハの向
きを合わせる工程と、この半導体ウエハを処理室内に搬
送する工程と、前記処理室内において通常の処理が行わ
れたか否かを処理条件に基づいて制御部により判断する
工程と、通常の処理が行われたと判断したときには、搬
送手段の制御モ−ドを通常モ−ドとして半導体ウエハを
搬送手段により前記処理室から位置合わせ機構を介さず
に容器内へ直接搬送すると共に、位置合わせ機構の制御
モ−ドを処理用モ−ドとする工程と、通常の処理が行わ
れなかったと判断したときには、搬送手段の制御モ−ド
を異常モ−ドに、また位置合わせ機構の制御モ−ドを収
納識別用モ−ドに夫々設定して、半導体ウエハを搬送手
段により前記処理室から位置合わせ機構に搬送し、当該
半導体ウエハの向きを、通常の処理が行われた半導体ウ
エハの向きとは異なる向きとなるように調整する工程
と、その向きが調整された半導体ウエハを搬送手段によ
り容器内へ搬送する工程と、を備えてなることを特徴と
する。請求項２の発明は気密な搬送室に設けられた搬送
手段により半導体ウエハを位置合わせ機構に搬送して半
導体ウエハの向きを合わせる工程と、この半導体ウエハ
を前記搬送手段により、前記搬送室に接続された真空処
理室内に搬送する工程と、前記真空処理室内において処
理ガスにより通常の処理が行われたか否かを処理条件に
基づいて制御部により判断する工程と、通常の処理が行
われたと判断したときには、搬送手段の制御モ−ドを通
常モ−ドとして半導体ウエハを前記搬送手段により前記
真空処理室から位置合わせ機構を介さずに容器内へ直接
搬送すると共に、位置合わせ機構の制御モ−ドを処理用
モ−ドとする工程と、通常の処理が行われなかったと判
断したときには、搬送手段の制御モ−ドを異常モ−ド
に、また位置合わせ機構の制御モ−ドを収納識別用モ−
ドに夫々設定して、半導体ウエハを前記搬送手段により
前記真空処理室から位置合わせ機構に搬送し、当該半導
体ウエハの向きを、通常の処理が行われた半導体ウエハ
の向きとは異なる向きとなるように調整する工程と、そ
の向きが調整された半導体ウエハを前記搬送手段により
容器内へ搬送する工程と、を備えてなることを特徴とす
る。
体ウエハを位置合わせ機構に搬送して半導体ウエハの向
きを合わせる工程と、この半導体ウエハを処理室内に搬
送する工程と、前記処理室内において通常の処理が行わ
れたか否かを処理条件に基づいて制御部により判断する
工程と、通常の処理が行われたと判断したときには、搬
送手段の制御モ−ドを通常モ−ドとして半導体ウエハを
搬送手段により前記処理室から位置合わせ機構を介さず
に容器内へ直接搬送すると共に、位置合わせ機構の制御
モ−ドを処理用モ−ドとする工程と、通常の処理が行わ
れなかったと判断したときには、搬送手段の制御モ−ド
を異常モ−ドに、また位置合わせ機構の制御モ−ドを収
納識別用モ−ドに夫々設定して、半導体ウエハを搬送手
段により前記処理室から位置合わせ機構に搬送し、当該
半導体ウエハの向きを、通常の処理が行われた半導体ウ
エハの向きとは異なる向きとなるように調整する工程
と、その向きが調整された半導体ウエハを搬送手段によ
り容器内へ搬送する工程と、を備えてなることを特徴と
する。請求項２の発明は気密な搬送室に設けられた搬送
手段により半導体ウエハを位置合わせ機構に搬送して半
導体ウエハの向きを合わせる工程と、この半導体ウエハ
を前記搬送手段により、前記搬送室に接続された真空処
理室内に搬送する工程と、前記真空処理室内において処
理ガスにより通常の処理が行われたか否かを処理条件に
基づいて制御部により判断する工程と、通常の処理が行
われたと判断したときには、搬送手段の制御モ−ドを通
常モ−ドとして半導体ウエハを前記搬送手段により前記
真空処理室から位置合わせ機構を介さずに容器内へ直接
搬送すると共に、位置合わせ機構の制御モ−ドを処理用
モ−ドとする工程と、通常の処理が行われなかったと判
断したときには、搬送手段の制御モ−ドを異常モ−ド
に、また位置合わせ機構の制御モ−ドを収納識別用モ−
ドに夫々設定して、半導体ウエハを前記搬送手段により
前記真空処理室から位置合わせ機構に搬送し、当該半導
体ウエハの向きを、通常の処理が行われた半導体ウエハ
の向きとは異なる向きとなるように調整する工程と、そ
の向きが調整された半導体ウエハを前記搬送手段により
容器内へ搬送する工程と、を備えてなることを特徴とす
る。
【０００７】
【作用】容器内のウエハは、搬送手段により取り出され
て、位置合わせ機構により例えばオリフラの向きが所定
の向きに合わせられた後、例えば真空処理室内に搬送さ
れる。そして所定の真空処理（ただし常圧処理でもよ
い。）が行われた後、例えば元の容器内あるいは別の容
器内に戻されるが、通常の処理が行われなかったウエハ
については、位置合わせ機構でウエハの向きが調整さ
れ、容器内に収納されたときには通常の処理が行われた
ウエハの向きとは区別された状態となる。
て、位置合わせ機構により例えばオリフラの向きが所定
の向きに合わせられた後、例えば真空処理室内に搬送さ
れる。そして所定の真空処理（ただし常圧処理でもよ
い。）が行われた後、例えば元の容器内あるいは別の容
器内に戻されるが、通常の処理が行われなかったウエハ
については、位置合わせ機構でウエハの向きが調整さ
れ、容器内に収納されたときには通常の処理が行われた
ウエハの向きとは区別された状態となる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の実施例に用いられる装置の一
例の全体構成を示す概観斜視図である。図中２は気密構
造の直方体形状の搬送室であり、この搬送室２の周囲に
は、２５枚のウエハ１を収納するための容器であるウエ
ハカセット（以下単にカセットという）が載置される気
密構造の２個のカセット室３Ａ、３Ｂ及び３個の真空処
理室４Ａ〜４Ｃが図２にも示すように当該搬送室２に対
して夫々ゲートバルブＧを介して気密に接続されて設け
られている。
例の全体構成を示す概観斜視図である。図中２は気密構
造の直方体形状の搬送室であり、この搬送室２の周囲に
は、２５枚のウエハ１を収納するための容器であるウエ
ハカセット（以下単にカセットという）が載置される気
密構造の２個のカセット室３Ａ、３Ｂ及び３個の真空処
理室４Ａ〜４Ｃが図２にも示すように当該搬送室２に対
して夫々ゲートバルブＧを介して気密に接続されて設け
られている。
【０００９】前記カセット室３Ａ、３Ｂは、例えば一方
（３Ａ）が搬入用、他方（３Ｂ）が搬出用として使用さ
れ、上部には蓋部３１が形成されると共に、内部にはカ
セットＣを昇降する昇降機構３２が設けられている。ま
た図２に示すようにカセット室３Ａ、３Ｂの底部には排
気管３３が接続され、この排気管３３はバルブＶ１を介
して真空ポンプ３３ａ例えばドライポンプに接続されて
いる。
（３Ａ）が搬入用、他方（３Ｂ）が搬出用として使用さ
れ、上部には蓋部３１が形成されると共に、内部にはカ
セットＣを昇降する昇降機構３２が設けられている。ま
た図２に示すようにカセット室３Ａ、３Ｂの底部には排
気管３３が接続され、この排気管３３はバルブＶ１を介
して真空ポンプ３３ａ例えばドライポンプに接続されて
いる。
【００１０】前記真空処理室４Ａ（４Ｂ、４Ｃ）は、例
えばマグネットを用いたプラズマエッチングを行うよう
に構成されており、サセプタを兼用する下部電極４１及
び上部電極４２が設けられると共に処理ガス供給管４３
及び排気管４４が接続されている。処理ガス供給管４３
の基端側には、ガス流量やガス圧力を制御する制御機器
が収納されたガスボックス５が設けられている。上部電
極４２の上方にはマグネットユニット４５が真空処理室
とは分割されて設けられており、このマグネットユニッ
ト４５は筐体４５ａの中に真空処理室４Ａ（４Ｂ、４
Ｃ）内に磁場を形成するマグネット４６及びこのマグネ
ット４６の磁極と反対の磁極が互に上下に重なるように
形成された磁場漏洩防止用のマグネット４７並びにこれ
らを回転させるモータ４８を収納して構成されている。
えばマグネットを用いたプラズマエッチングを行うよう
に構成されており、サセプタを兼用する下部電極４１及
び上部電極４２が設けられると共に処理ガス供給管４３
及び排気管４４が接続されている。処理ガス供給管４３
の基端側には、ガス流量やガス圧力を制御する制御機器
が収納されたガスボックス５が設けられている。上部電
極４２の上方にはマグネットユニット４５が真空処理室
とは分割されて設けられており、このマグネットユニッ
ト４５は筐体４５ａの中に真空処理室４Ａ（４Ｂ、４
Ｃ）内に磁場を形成するマグネット４６及びこのマグネ
ット４６の磁極と反対の磁極が互に上下に重なるように
形成された磁場漏洩防止用のマグネット４７並びにこれ
らを回転させるモータ４８を収納して構成されている。
【００１１】前記搬送室２内には、カセット室３Ａ、３
Ｂ及び真空処理室４Ａ〜４Ｃ間でウエハを搬送するため
の例えば各々独立して水平に回動可能な３本の搬送アー
ムを備えた多関節アームよりなる搬送手段２１が配設さ
れている。搬送手段２１の駆動部２２は、搬送室２の底
壁の下方側の気密なケース部２３内に設けられており、
このケース部２３内を排気管３５を介して真空ポンプ３
４例えばターボ分子ポンプにより真空排気することによ
り軸受け部からのパーティクルの飛散を防止している。
Ｖ２はバルブである。また搬送室２には、バルブＶ３を
備えた排気管３６が接続され、この排気管３６には前記
真空ポンプ３４が接続されている。
Ｂ及び真空処理室４Ａ〜４Ｃ間でウエハを搬送するため
の例えば各々独立して水平に回動可能な３本の搬送アー
ムを備えた多関節アームよりなる搬送手段２１が配設さ
れている。搬送手段２１の駆動部２２は、搬送室２の底
壁の下方側の気密なケース部２３内に設けられており、
このケース部２３内を排気管３５を介して真空ポンプ３
４例えばターボ分子ポンプにより真空排気することによ
り軸受け部からのパーティクルの飛散を防止している。
Ｖ２はバルブである。また搬送室２には、バルブＶ３を
備えた排気管３６が接続され、この排気管３６には前記
真空ポンプ３４が接続されている。
【００１２】また前記搬送室２内には、ウエハを一時的
に載置するための昇降自在なバッファステージ２４と、
ウエハのオリエンテーションフラット（以下「オリフ
ラ」という。）の向き及び中心位置を合わせるための位
置合わせ機構６とが配置されている。この位置合わせ機
構６は、図１及び図３に示すようにウエハ１をチャック
するチャック機能を備えた小径のステージ６１と、この
ステージ６１をＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向に駆動する駆動部
６２と、ウエハ１の周縁部を光学的に検出するよう、ウ
エハ１の周縁の移動路を挟んで上下に発光部６３ａ、受
光部６３ｂを備えた発受光部６３とを備えている。
に載置するための昇降自在なバッファステージ２４と、
ウエハのオリエンテーションフラット（以下「オリフ
ラ」という。）の向き及び中心位置を合わせるための位
置合わせ機構６とが配置されている。この位置合わせ機
構６は、図１及び図３に示すようにウエハ１をチャック
するチャック機能を備えた小径のステージ６１と、この
ステージ６１をＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向に駆動する駆動部
６２と、ウエハ１の周縁部を光学的に検出するよう、ウ
エハ１の周縁の移動路を挟んで上下に発光部６３ａ、受
光部６３ｂを備えた発受光部６３とを備えている。
【００１３】前記受光部６３ｂは制御部７に接続されて
おり、この制御部７は、受光部６３ｂの受光信号に基づ
いてウエハ１の中心位置及びオリフラの向きを検出し、
ウエハ１の中心位置が所定位置となり、オリフラの向き
が所定の向きとなるようにステージ６１（以下「回転ス
テージ６１」という）の駆動部６２を制御する機能を有
している。この制御部７は、真空処理室４Ａ（４Ｂ、４
Ｃ）にて決められたオリフラの向きを指定する処理用モ
ードと、通常の処理が行われたウエハ１がカセットＣ内
に収納されるときのウエハ１のオリフラの向きとは異な
ったオリフラの向き、例えば１８０度異なった向きを指
定する収納識別用モードとを選択できるように構成され
ている。また前記制御部７は、前記搬送手段２１の駆動
部２２を制御し、真空処理室４Ａ（４Ｂ、４Ｃ）が正常
である場合には通常の搬送を行う通常モードを、また真
空処理室側で異常が検出されて通常の処理が行われなか
ったウエハ１を搬送する場合には異常モードを選択する
機能を備えている。
おり、この制御部７は、受光部６３ｂの受光信号に基づ
いてウエハ１の中心位置及びオリフラの向きを検出し、
ウエハ１の中心位置が所定位置となり、オリフラの向き
が所定の向きとなるようにステージ６１（以下「回転ス
テージ６１」という）の駆動部６２を制御する機能を有
している。この制御部７は、真空処理室４Ａ（４Ｂ、４
Ｃ）にて決められたオリフラの向きを指定する処理用モ
ードと、通常の処理が行われたウエハ１がカセットＣ内
に収納されるときのウエハ１のオリフラの向きとは異な
ったオリフラの向き、例えば１８０度異なった向きを指
定する収納識別用モードとを選択できるように構成され
ている。また前記制御部７は、前記搬送手段２１の駆動
部２２を制御し、真空処理室４Ａ（４Ｂ、４Ｃ）が正常
である場合には通常の搬送を行う通常モードを、また真
空処理室側で異常が検出されて通常の処理が行われなか
ったウエハ１を搬送する場合には異常モードを選択する
機能を備えている。
【００１４】次に上述の装置を用いて行う本発明方法の
実施例について述べる。
実施例について述べる。
【００１５】先ずカセット室３Ａ、３Ｂの蓋３１を開
き、ウエハ１を２５枚収納した容器としてのカセットＣ
をウエハ１が水平になる姿勢で例えば一方のカセット室
３Ａ（搬入用カセット室３Ａ）内の昇降機構３２上に例
えばオペレータにより載置すると共に、他方のカセット
室３Ｂ（搬出用カセット室３Ｂ）内に空のカセットＣを
載置し、蓋３１を閉じてカセット室３Ａ、３Ｂ内を、既
に真空排気されている搬送室２内と同じ程度の真空度ま
で真空排気した後、カセット室３Ａ、３Ｂのゲートバル
ブＧを開く。次いで搬送手段２１の搬送アームがカセッ
ト室３ＡのカセットＣ内に進入し、ウエハ１を受け取
る。この場合昇降機構３２を間欠的に降下させてカセッ
トＣから１枚づつウエハ１が搬出され、ウエハ１は、搬
送アームの先端部により保持される。
き、ウエハ１を２５枚収納した容器としてのカセットＣ
をウエハ１が水平になる姿勢で例えば一方のカセット室
３Ａ（搬入用カセット室３Ａ）内の昇降機構３２上に例
えばオペレータにより載置すると共に、他方のカセット
室３Ｂ（搬出用カセット室３Ｂ）内に空のカセットＣを
載置し、蓋３１を閉じてカセット室３Ａ、３Ｂ内を、既
に真空排気されている搬送室２内と同じ程度の真空度ま
で真空排気した後、カセット室３Ａ、３Ｂのゲートバル
ブＧを開く。次いで搬送手段２１の搬送アームがカセッ
ト室３ＡのカセットＣ内に進入し、ウエハ１を受け取
る。この場合昇降機構３２を間欠的に降下させてカセッ
トＣから１枚づつウエハ１が搬出され、ウエハ１は、搬
送アームの先端部により保持される。
【００１６】搬送手段２１はカセットＣから受け取った
ウエハＷを位置合わせ機構６の回転ステージ６１上に載
置して、例えば発受光部６３によりウエハ１の周縁を検
出し、その結果にもとづき回転ステージ６を動かしウエ
ハ１のオリフラの向き及び中心の位置合わせを行う。続
いてこのウエハ１を搬送手段２１により例えば真空処理
室４Ａ内に搬入する。真空処理室４Ａ内では、サセプタ
４１に組み合わされた図示しない昇降ピンの昇降動作を
介してウエハがサセプタ４１上に載置され、サセプタ４
１及び上部電極４２間の高周波電力とマグネット４６の
磁場とのエネルギーにより得られたプラズマによってエ
ッチングされる。
ウエハＷを位置合わせ機構６の回転ステージ６１上に載
置して、例えば発受光部６３によりウエハ１の周縁を検
出し、その結果にもとづき回転ステージ６を動かしウエ
ハ１のオリフラの向き及び中心の位置合わせを行う。続
いてこのウエハ１を搬送手段２１により例えば真空処理
室４Ａ内に搬入する。真空処理室４Ａ内では、サセプタ
４１に組み合わされた図示しない昇降ピンの昇降動作を
介してウエハがサセプタ４１上に載置され、サセプタ４
１及び上部電極４２間の高周波電力とマグネット４６の
磁場とのエネルギーにより得られたプラズマによってエ
ッチングされる。
【００１７】カセットＣ内のウエハ１は、上述のような
搬送工程により例えば各真空処理室３Ａ〜３Ｃに分配さ
れ、並行して真空処理、例えばプラズマエッチングが行
われる。処理済みのウエハ１は搬送手段２１により例え
ば他方のカセット室３ＢのカセットＣ内に受け渡される
が、次に処理されるべきウエハＷは、真空処理室３Ａ〜
３Ｃで処理が行われている間に位置合わせを行ってバッ
ファステージ２４上で待機している。
搬送工程により例えば各真空処理室３Ａ〜３Ｃに分配さ
れ、並行して真空処理、例えばプラズマエッチングが行
われる。処理済みのウエハ１は搬送手段２１により例え
ば他方のカセット室３ＢのカセットＣ内に受け渡される
が、次に処理されるべきウエハＷは、真空処理室３Ａ〜
３Ｃで処理が行われている間に位置合わせを行ってバッ
ファステージ２４上で待機している。
【００１８】こうして真空処理室が正常に動作している
場合には、搬送手段２１の駆動部２２の制御モードを通
常モードとし、位置合わせ機構７の駆動部６２の制御モ
ードを処理用モードとし、上述のような工程が行われ
る。ここで本発明実施例では真空処理室４Ａ（４Ｂ〜４
Ｃ）内でウエハに対して通常の処理が行われたか否かに
よって搬送工程が変わってくる。この工程に関して図４
の工程図を参照しながら説明すると、ウエハ１が真空処
理室内に搬入され通常の処理が行われた場合には上述の
如くウエハ１がカセットＣ内へ搬送されるが、通常の処
理が行われなかった場合、例えば処理ガスの流量、温
度、圧力、電力などのプロセス条件が異常値となって、
上位コンピュータ（図３参照）から異常信号が制御部７
に出力された場合、制御部７は異常モードを選択して搬
送手段２１の駆動部２２を制御し、これによりウエハ１
は位置合わせ機構６の回転ステージ６１に搬送される。
また制御部７は位置合わせ機構６に対して収納識別用モ
ードを選択し、これによりウエハ１が通常のウエハ１の
オリフラとは異なる向きでカセットＣ内に収納されるよ
うに回転ステージ６１を回動させる。その後このウエハ
１は回転ステージ６１からカセット室３ＢのカセットＣ
内に搬送される。
場合には、搬送手段２１の駆動部２２の制御モードを通
常モードとし、位置合わせ機構７の駆動部６２の制御モ
ードを処理用モードとし、上述のような工程が行われ
る。ここで本発明実施例では真空処理室４Ａ（４Ｂ〜４
Ｃ）内でウエハに対して通常の処理が行われたか否かに
よって搬送工程が変わってくる。この工程に関して図４
の工程図を参照しながら説明すると、ウエハ１が真空処
理室内に搬入され通常の処理が行われた場合には上述の
如くウエハ１がカセットＣ内へ搬送されるが、通常の処
理が行われなかった場合、例えば処理ガスの流量、温
度、圧力、電力などのプロセス条件が異常値となって、
上位コンピュータ（図３参照）から異常信号が制御部７
に出力された場合、制御部７は異常モードを選択して搬
送手段２１の駆動部２２を制御し、これによりウエハ１
は位置合わせ機構６の回転ステージ６１に搬送される。
また制御部７は位置合わせ機構６に対して収納識別用モ
ードを選択し、これによりウエハ１が通常のウエハ１の
オリフラとは異なる向きでカセットＣ内に収納されるよ
うに回転ステージ６１を回動させる。その後このウエハ
１は回転ステージ６１からカセット室３ＢのカセットＣ
内に搬送される。
【００１９】そして真空処理室４Ａ（４Ｂ、４Ｃ）のプ
ロセスの異常が例えばリセット処理により解除された場
合にはカセット室３ＡのカセットＣ内の残りのウエハ１
が順次処理される。図５はこのような工程を終えてウエ
ハ１が受け渡されたカセット室３Ｂ内のカセットＣを示
す図であり、通常の処理が行われたウエハ１と、通常の
処理が行われなかったウエハ１とではオリフラ１０の向
きが例えば１８０度異なる。
ロセスの異常が例えばリセット処理により解除された場
合にはカセット室３ＡのカセットＣ内の残りのウエハ１
が順次処理される。図５はこのような工程を終えてウエ
ハ１が受け渡されたカセット室３Ｂ内のカセットＣを示
す図であり、通常の処理が行われたウエハ１と、通常の
処理が行われなかったウエハ１とではオリフラ１０の向
きが例えば１８０度異なる。
【００２０】従ってオペレータはこのカセットＣ内を見
れば、通常の処理が行われなかったウエハを一目で識別
でき、通常の処理が行われたウエハと誤ることなく当該
ウエハを確実に取り除くことができ、その後の工程で無
用な検討やラインの停止などを行わなくて済む。以上に
おいてオリフラの代わりに例えばノッチと呼ばれる半円
状の切り欠きが形成されているウエハについては、ノッ
チに基づいてウエハの向きが決められる。
れば、通常の処理が行われなかったウエハを一目で識別
でき、通常の処理が行われたウエハと誤ることなく当該
ウエハを確実に取り除くことができ、その後の工程で無
用な検討やラインの停止などを行わなくて済む。以上に
おいてオリフラの代わりに例えばノッチと呼ばれる半円
状の切り欠きが形成されているウエハについては、ノッ
チに基づいてウエハの向きが決められる。
【００２１】そして本発明は、例えば搬送手段及び位置
合わせ機構が大気中に設けられている場合にも適用でき
るし、プラズマエッチング以外にＣＶＤ、アッシング、
イオン注入、スパッタリングなどの真空処理を行う場合
に、あるいは真空処理室に限らず常圧あるいは高圧処理
を行う場合に適用することもできる。
合わせ機構が大気中に設けられている場合にも適用でき
るし、プラズマエッチング以外にＣＶＤ、アッシング、
イオン注入、スパッタリングなどの真空処理を行う場合
に、あるいは真空処理室に限らず常圧あるいは高圧処理
を行う場合に適用することもできる。
【００２２】ここで図６を参照しながら処理ガスの好ま
しい供給方法について述べる。ガスボックス５内には例
えばｎ個のガス供給系（ガスライン）Ｌ１〜Ｌｎが設け
られており、各ガス供給系Ｌ１〜Ｌｎにはバルブ、流量
計、圧力計などの制御機器が組み込まれている。図６で
はこれら制御機器を模式的に省略して示しており、Ｖａ
〜Ｖｃはバルブ、ＭＦＣはマスフローコントローラであ
る。ガス供給系Ｌ１〜Ｌ３を夫々窒素ガス、第１の処理
ガス、第２の処理ガス（第１の処理ガスとは異なるガ
ス）を供給するためのものであるとし、第１の処理ガス
が今まで用いられ、次に第２の処理ガスの処理が行われ
るとすると、先ず各ガス供給系Ｌ１〜ＬｎのバルブＶｂ
を閉じ、Ｖａ、Ｖｃを開くと共に、処理ガス供給管４３
のバルブ５０を開き、真空処理室４内を排気管４４によ
り真空排気する。次いで例えばガス供給系Ｌ１のバルブ
Ｖｂを開いて窒素ガスを所定流量で供給する。これによ
ってガス供給系Ｌ１〜Ｌｎのバルブやマスフローコント
ローラーなどの制御機器及び配管内が真空排気されその
後窒素ガスが通流することとなる。このような工程を１
回あるいは複数回繰り返して行うことにより制御機器及
び配管内の残留ガスが確実に除去される。従って第２の
処理ガスを流したときには、このガス中には他のガス成
分の混入を抑えられるのでウエハ１中に予定外の成分の
混入を防止できる。なおこの場合窒素ガスの代りに他の
不活性ガスを用いてもよい。
しい供給方法について述べる。ガスボックス５内には例
えばｎ個のガス供給系（ガスライン）Ｌ１〜Ｌｎが設け
られており、各ガス供給系Ｌ１〜Ｌｎにはバルブ、流量
計、圧力計などの制御機器が組み込まれている。図６で
はこれら制御機器を模式的に省略して示しており、Ｖａ
〜Ｖｃはバルブ、ＭＦＣはマスフローコントローラであ
る。ガス供給系Ｌ１〜Ｌ３を夫々窒素ガス、第１の処理
ガス、第２の処理ガス（第１の処理ガスとは異なるガ
ス）を供給するためのものであるとし、第１の処理ガス
が今まで用いられ、次に第２の処理ガスの処理が行われ
るとすると、先ず各ガス供給系Ｌ１〜ＬｎのバルブＶｂ
を閉じ、Ｖａ、Ｖｃを開くと共に、処理ガス供給管４３
のバルブ５０を開き、真空処理室４内を排気管４４によ
り真空排気する。次いで例えばガス供給系Ｌ１のバルブ
Ｖｂを開いて窒素ガスを所定流量で供給する。これによ
ってガス供給系Ｌ１〜Ｌｎのバルブやマスフローコント
ローラーなどの制御機器及び配管内が真空排気されその
後窒素ガスが通流することとなる。このような工程を１
回あるいは複数回繰り返して行うことにより制御機器及
び配管内の残留ガスが確実に除去される。従って第２の
処理ガスを流したときには、このガス中には他のガス成
分の混入を抑えられるのでウエハ１中に予定外の成分の
混入を防止できる。なおこの場合窒素ガスの代りに他の
不活性ガスを用いてもよい。
【００２３】次いで上述の搬送室やカセット室などの真
空室の蓋部のヒンジ機構の好ましい一例について、図７
を参照しながら説明する。図中８は真空室の上面をなす
上壁の一部、８１は真空室の上面を開閉する蓋部であ
り、蓋部８１は左右両側のヒンジ８２により開閉できる
ように構成されている。蓋部８１と真空室の上壁８との
間には左右に夫々板バネ機構９が設けられている。この
板バネ機構９は、例えば円柱を周方向に４等分した形状
のドラム部９１を、円周面を蓋部８１側に向けて前記上
壁８の上に固定する一方、蓋部８１側にローラベース９
２を固定してこれに水平なローラシャフト９３を介して
ローラ９４を回転自在に取り付け、このローラ９４に板
バネ９５を巻装すると共に板バネ９５の先端部をローラ
９４の下方側から引き出してドラム部９１の円周面に沿
って装着し固定することにより構成されている。
空室の蓋部のヒンジ機構の好ましい一例について、図７
を参照しながら説明する。図中８は真空室の上面をなす
上壁の一部、８１は真空室の上面を開閉する蓋部であ
り、蓋部８１は左右両側のヒンジ８２により開閉できる
ように構成されている。蓋部８１と真空室の上壁８との
間には左右に夫々板バネ機構９が設けられている。この
板バネ機構９は、例えば円柱を周方向に４等分した形状
のドラム部９１を、円周面を蓋部８１側に向けて前記上
壁８の上に固定する一方、蓋部８１側にローラベース９
２を固定してこれに水平なローラシャフト９３を介して
ローラ９４を回転自在に取り付け、このローラ９４に板
バネ９５を巻装すると共に板バネ９５の先端部をローラ
９４の下方側から引き出してドラム部９１の円周面に沿
って装着し固定することにより構成されている。
【００２４】このような構成によれば、板バネ９５の復
元力により蓋部８１に対して開く方向の力が作用するの
で、蓋部８１を開閉する場合に、蓋部８１の自重に対応
する力から板バネ９５の復元力に対応する力を差し引い
た力で開閉することができ、真空に耐えられるよう肉厚
の大きな本来なら重い蓋部８１の開閉が軽くなり、安全
性が高い。
元力により蓋部８１に対して開く方向の力が作用するの
で、蓋部８１を開閉する場合に、蓋部８１の自重に対応
する力から板バネ９５の復元力に対応する力を差し引い
た力で開閉することができ、真空に耐えられるよう肉厚
の大きな本来なら重い蓋部８１の開閉が軽くなり、安全
性が高い。
【００２５】なおこうした板バネ機構９は、図８に示す
ように蓋部８１の基端部にドラム部９１を形成し、真空
室の上壁８の側部にローラ９４を設ける構成や、図９に
示すように上壁８側にドラム部９１を、蓋部８１の側部
にローラ９４を設ける構成としてもよい。Ｐはヒンジ８
の回動中心部である。更に板バネ機構９は、図１０及び
図１１に示すように真空室の側壁８３にローラ９４を、
蓋部８１の基端部にドラム部９１を設ける構成や、図１
２に示すように真空室の上面に垂直に突片部８４を形成
し、これにドラム部９１を設けてもよい。
ように蓋部８１の基端部にドラム部９１を形成し、真空
室の上壁８の側部にローラ９４を設ける構成や、図９に
示すように上壁８側にドラム部９１を、蓋部８１の側部
にローラ９４を設ける構成としてもよい。Ｐはヒンジ８
の回動中心部である。更に板バネ機構９は、図１０及び
図１１に示すように真空室の側壁８３にローラ９４を、
蓋部８１の基端部にドラム部９１を設ける構成や、図１
２に示すように真空室の上面に垂直に突片部８４を形成
し、これにドラム部９１を設けてもよい。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、容器内のウエハの中か
ら、通常の処理が行われなかったウエハを一目で識別で
きるため、通常の処理が行われたウエハと誤ることなく
当該ウエハを確実に取り除くことができる。
ら、通常の処理が行われなかったウエハを一目で識別で
きるため、通常の処理が行われたウエハと誤ることなく
当該ウエハを確実に取り除くことができる。
【図１】本発明方法に用いられる真空処理装置の一例の
全体構成を示す概観斜視図である。
全体構成を示す概観斜視図である。
【図２】真空処理装置を示す断面図である。
【図３】真空処理装置の要部を示す構成図である。
【図４】本発明方法の実施例を示す工程図である。
【図５】本発明方法の実施例を説明するための説明図で
ある。
ある。
【図６】ガスボックスを示す説明図である。
【図７】真空室の蓋部のヒンジ機構を示す斜視図であ
る。
る。
【図８】板バネ機構の他の例を示す説明図である。
【図９】板バネ機構の他の例を示す説明図である。
【図１０】板バネ機構の他の例を示す説明図である。
【図１１】板バネ機構の他の例を示す説明図である。
【図１２】板バネ機構の他の例を示す説明図である。
１ ウエハ ２ 搬送室 ２１ 搬送手段 ２２ 搬送手段の駆動部 ３Ａ、３Ｂ カセット室 Ｃ カセット ５ ガスボックス ６ 位置合わせ機構 ６１ 回転ステージ ７ 制御部 ８ 真空室の上壁 ８１ 蓋部 ９ 板バネ機構 ９５ 板バネ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 保正 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 梶原 真人 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−29171（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−163936（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 B65G 49/07
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハを位置合わせ機構に搬送し
て半導体ウエハの向きを合わせる工程と、 この半導体ウエハを処理室内に搬送する工程と、 前記処理室内において通常の処理が行われたか否かを処
理条件に基づいて制御部により判断する工程と、 通常の処理が行われたと判断したときには、搬送手段の
制御モ−ドを通常モ−ドとして半導体ウエハを搬送手段
により前記処理室から位置合わせ機構を介さずに容器内
へ直接搬送すると共に、位置合わせ機構の制御モ−ドを
処理用モ−ドとする工程と、 通常の処理が行われなかったと判断したときには、搬送
手段の制御モ−ドを異常モ−ドに、また位置合わせ機構
の制御モ−ドを収納識別用モ−ドに夫々設定して、半導
体ウエハを搬送手段により前記処理室から位置合わせ機
構に搬送し、当該半導体ウエハの向きを、通常の処理が
行われた半導体ウエハの向きとは異なる向きとなるよう
に調整する工程と、 その向きが調整された半導体ウエハを搬送手段により容
器内へ搬送する工程と、を備えてなることを特徴とする
半導体ウエハの搬送方法。 - 【請求項２】 気密な搬送室に設けられた搬送手段によ
り半導体ウエハを位置合わせ機構に搬送して半導体ウエ
ハの向きを合わせる工程と、 この半導体ウエハを前記搬送手段により、前記搬送室に
接続された真空処理室内に搬送する工程と、 前記真空処理室内において処理ガスにより通常の処理が
行われたか否かを処理条件に基づいて制御部により判断
する工程と、 通常の処理が行われたと判断したときには、搬送手段の
制御モ−ドを通常モ−ドとして半導体ウエハを前記搬送
手段により前記真空処理室から位置合わせ機構を介さず
に容器内へ直接搬送すると共に、位置合わせ機構の制御
モ−ドを処理用モ−ドとする工程と、 通常の処理が行われなかったと判断したときには、搬送
手段の制御モ−ドを異常モ−ドに、また位置合わせ機構
の制御モ−ドを収納識別用モ−ドに夫々設定して、半導
体ウエハを前記搬送手段により前記真空処理室から位置
合わせ機構に搬送し、当該半導体ウエハの向きを、通常
の処理が行われた半導体ウエハの向きとは異なる向きと
なるように調整する工程と、 その向きが調整された半導体ウエハを前記搬送手段によ
り容器内へ搬送する工程と、を備えてなることを特徴と
する半導体ウエハの搬送方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28754493A JP3196131B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 半導体ウエハの搬送方法 |
| KR1019940008615A KR100267617B1 (ko) | 1993-04-23 | 1994-04-23 | 진공처리장치 및 진공처리방법 |
| US08/582,805 US5611655A (en) | 1993-04-23 | 1996-01-04 | Vacuum process apparatus and vacuum processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28754493A JP3196131B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 半導体ウエハの搬送方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122619A JPH07122619A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3196131B2 true JP3196131B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=17718715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28754493A Expired - Fee Related JP3196131B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-10-22 | 半導体ウエハの搬送方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196131B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5980195A (en) * | 1996-04-24 | 1999-11-09 | Tokyo Electron, Ltd. | Positioning apparatus for substrates to be processed |
| US6062798A (en) * | 1996-06-13 | 2000-05-16 | Brooks Automation, Inc. | Multi-level substrate processing apparatus |
| US5882413A (en) * | 1997-07-11 | 1999-03-16 | Brooks Automation, Inc. | Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer |
| JP4665367B2 (ja) * | 2001-09-17 | 2011-04-06 | 株式会社ニコン | ウェハ検査装置又はウェハ測定装置におけるウェハのハンドリング方法 |
| JP2005322762A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP4835839B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2011-12-14 | 株式会社安川電機 | 搬送用ロボットおよび搬送用ロボットの位置補正方法 |
| JP2009152649A (ja) * | 2009-04-07 | 2009-07-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | ウェーハの搬送方法 |
| JP6260461B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2018-01-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体製造装置 |
| JP7529408B2 (ja) * | 2020-02-17 | 2024-08-06 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
-
1993
- 1993-10-22 JP JP28754493A patent/JP3196131B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07122619A (ja) | 1995-05-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |