JP3180683B2 - Surface mount antenna - Google Patents
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- H01Q5/30—Arrangements for providing operation on different wavebands
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロストリッ
プアンテナに関し、詳しくは、複数の周波数帯域に対応
し、かつ、偏波の選択が可能なマイクロストリップアン
テナに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microstrip antenna, and more particularly, to a microstrip antenna that supports a plurality of frequency bands and is capable of selecting a polarization.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のマイクロストリップアンテナを図
8から図11を用いて説明する。図8,図9に示すマイ
クロストリップアンテナ100は、誘電体材料からなる
基板101と、基板101の一方主面に形成された放射
電極102と、基板101の他方主面に形成された接地
電極103とからなる。そして、基板101の放射電極
102に対応する箇所に給電用貫通孔104が設けられ
ている。この給電用貫通孔104に、基板101の他方
主面側から貫通するように、放射電極102に給電する
ためのコネクタ105が挿入される。コネクタ105は
ハンダ106aにより放射電極102と導通されるとと
もに、ハンダ106aおよびハンダ106bにより基板
101に固定される。そして、このマイクロストリップ
アンテナ100は、円偏波を受信するもので、放射電極
102には、図8に示すように、縮退分離部102aが
設けられている。2. Description of the Related Art A conventional microstrip antenna will be described with reference to FIGS. The microstrip antenna 100 shown in FIGS. 8 and 9 includes a substrate 101 made of a dielectric material, a radiation electrode 102 formed on one main surface of the substrate 101, and a ground electrode 103 formed on the other main surface of the substrate 101. Consists of A power supply through-hole 104 is provided at a position corresponding to the radiation electrode 102 on the substrate 101. A connector 105 for supplying power to the radiation electrode 102 is inserted into the power supply through hole 104 so as to penetrate from the other main surface side of the substrate 101. The connector 105 is electrically connected to the radiation electrode 102 by the solder 106a, and is fixed to the substrate 101 by the solder 106a and the solder 106b. The microstrip antenna 100 receives a circularly polarized wave, and the radiation electrode 102 is provided with a degenerate separation section 102a as shown in FIG.
【0003】次に、図10,図11に示すマイクロスト
リップアンテナ110は、誘電体材料からなる基板11
1と、基板111の一方主面に形成された放射電極11
2と、基板111の他方主面に形成された接地電極11
3とからなる。そして、基板111の放射電極112に
対応する箇所に給電用貫通孔114が設けられている。
この給電用貫通孔114に、基板111の他方主面側か
ら貫通するように、放射電極112に給電するためのコ
ネクタ115が挿入される。コネクタ115はハンダ1
16aにより放射電極112と導通されるとともに、ハ
ンダ116aおよびハンダ116bにより基板111に
固定される。そして、このマイクロストリップアンテナ
110は、直線偏波を受信するもので、マイクロストリ
ップアンテナ100の放射電極102とは異なり、図1
0に示すように、放射電極112に縮退分離部が設けら
れていない。Next, a microstrip antenna 110 shown in FIGS. 10 and 11 is a substrate 11 made of a dielectric material.
1 and a radiation electrode 11 formed on one main surface of the substrate 111.
2 and a ground electrode 11 formed on the other main surface of the substrate 111.
3 Then, a power supply through-hole 114 is provided at a position corresponding to the radiation electrode 112 on the substrate 111.
A connector 115 for supplying power to the radiation electrode 112 is inserted into the power supply through hole 114 so as to penetrate from the other main surface side of the substrate 111. Connector 115 is solder 1
Conduction with the radiation electrode 112 is performed by 16a, and is fixed to the substrate 111 by solder 116a and solder 116b. The microstrip antenna 110 receives linearly polarized waves and differs from the radiation electrode 102 of the microstrip antenna 100 in FIG.
As shown in FIG. 0, the radiation electrode 112 is not provided with the degenerate separation portion.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のマイクロストリップアンテナは、それぞれ受信す
る周波数帯域が離れており、また、受信する偏波も異な
る。このような離れた周波数帯域を同時に受信しようと
する場合、 2つのマイクロストリップアンテナを並
べて配置する、 1枚の基板に2つの放射電極パター
ンを形成し、それぞれの放射電極に給電するマイクロス
トリップアンテナを用いる、という方法が考えられる。However, the microstrip antennas of the above-mentioned conventional examples have different frequency bands to receive and different polarizations to receive. When trying to receive such distant frequency bands simultaneously, two microstrip antennas are arranged side by side. Two radiation electrode patterns are formed on one substrate, and a microstrip antenna that feeds each radiation electrode is provided. It can be used.
【0005】しかし、この、のどちらの場合も、異
なる周波数帯域に対応している2つの放射電極を、互い
に干渉しないように、十分な間隔を持って配置しなけれ
ばならず、また、放射電極それぞれにコネクタ等の給電
手段を設けなければならなかった。このため、アンテナ
の小型化の妨げとなっていた。However, in either case, two radiating electrodes corresponding to different frequency bands must be arranged at a sufficient interval so as not to interfere with each other. Each had to be provided with a power supply means such as a connector. This has hindered miniaturization of the antenna.
【0006】したがって、本発明の目的は、複数の周波
数帯域に対応し、かつ、偏波の選択が可能で、小型化さ
れたマイクロストリップアンテナを提供することにあ
る。Accordingly, it is an object of the present invention to provide a miniaturized microstrip antenna that can handle a plurality of frequency bands and can select a polarization.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のマイクロストリップアンテナにおいては、
厚み方向に隔てられて互いに平行な2つの主面と、該主
面間を連結する4つの側面とで構成される基板と、前記
基板の一方主面に形成される第1放射電極と、前記第1
放射電極の周辺部に位置し、前記第1放射電極の中心点
を基準として、互いに直交方向に形成される少なくとも
2つの第2放射電極と、前記基板の他方主面に形成され
る接地電極と、前記基板の2つの主面間で、前記基板の
前記第1放射電極に対応する箇所に形成される給電用貫
通孔と、前記基板の前記第2放射電極に対応する箇所に
形成される接地用貫通孔と、前記第1放射電極と前記第
2放射電極とを容量結合するための少なくとも2つの容
量結合部と、からなることを特徴とする。In order to achieve the above object, a microstrip antenna according to the present invention comprises:
A substrate composed of two main surfaces separated in the thickness direction and parallel to each other, and four side surfaces connecting the main surfaces, a first radiation electrode formed on one main surface of the substrate, First
At least two second radiation electrodes, which are located in the periphery of the radiation electrode and are formed in directions perpendicular to each other with respect to a center point of the first radiation electrode, and a ground electrode formed on the other main surface of the substrate; A power supply through-hole formed at a position corresponding to the first radiation electrode of the substrate between two main surfaces of the substrate, and a ground formed at a position corresponding to the second radiation electrode of the substrate. And at least two capacitive coupling portions for capacitively coupling the first radiation electrode and the second radiation electrode.
【0008】また、 厚み方向に隔てられて互いに平行
な2つの主面と、該主面間を連結する4つの側面とで構
成される基板と、前記基板の一方主面に形成される第1
放射電極と、前記第1放射電極の周辺部に位置し、前記
第1放射電極と間隔を持って 形成される略L字状の少な
くとも1つの第2放射電極と、前記基板の他方主面に形
成される接地電極と、前記基板の2つの主面間で、前記
基板の前記第1放射電極に対応する箇所に形成される給
電用貫通孔と、前記基板の前記第2放射電極に対応する
箇所に形成される接地用貫通孔と、前記第1放射電極と
前記第2放射電極とを容量結合するための少なくとも2
つの容量結合部と、からなることを特徴とする。 Also, they are separated from each other in the thickness direction and are parallel to each other.
Composed of two main surfaces and four side surfaces connecting the main surfaces.
And a first substrate formed on one main surface of the substrate.
A radiating electrode, which is located around the first radiating electrode,
A substantially L-shaped small part formed at an interval from the first radiation electrode
At least one second radiating electrode and the other main surface of the substrate
And a ground electrode formed between the two main surfaces of the substrate.
A power supply formed at a location of the substrate corresponding to the first radiation electrode
A through hole for electricity, corresponding to the second radiation electrode of the substrate;
A ground through-hole formed at a location, the first radiation electrode,
At least two for capacitively coupling with the second radiation electrode;
And two capacitive coupling parts .
【0009】また、容量結合部は、第1放射電極から第
2放射電極方向に突出して形成される第1櫛歯状電極
と、第2放射電極から第1放射電極方向に突出して形成
される第2櫛歯状電極とが、互いに交差してなることを
特徴とする。The capacitive coupling portion is formed to protrude from the first radiation electrode in the direction of the second radiation electrode, and is formed to protrude from the second radiation electrode in the direction of the first radiation electrode. The second comb-shaped electrode intersects with each other.
【0010】さらに、容量結合部は、チップ型コンデン
サからなることを特徴とする。[0010] Further, the capacitive coupling section is formed of a chip type capacitor.
【0011】これにより、第1放射電極が1つの周波数
帯域に対応したマイクロストリップアンテナとして作用
するとともに、第1放射電極と第2放射電極が容量結合
して別のマイクロストリップ線路が形成されていること
になり、別の周波数帯域に対応したマイクロストリップ
アンテナとして作用する。よって、1枚の基板上に複数
の周波数帯域に対応したマイクロストリップアンテナが
得られ、また、給電も1つの給電用貫通孔で済むため、
小型化が達成される。Thus, the first radiation electrode acts as a microstrip antenna corresponding to one frequency band, and the first radiation electrode and the second radiation electrode are capacitively coupled to form another microstrip line. That is, it functions as a microstrip antenna corresponding to another frequency band. Therefore, a microstrip antenna corresponding to a plurality of frequency bands can be obtained on one substrate, and only one power supply through hole is required for power supply.
Miniaturization is achieved.
【0012】また、第2放射電極が略L字状に形成され
ており、マイクロストリップアンテナの実効面積が大き
くなるため、アンテナの利得も大きくなる。Further, since the second radiation electrode is formed in a substantially L-shape and the effective area of the microstrip antenna is increased, the gain of the antenna is also increased.
【0013】また、容量結合部が櫛歯状に形成されてお
り、電極パターンのみで高い容量が得られるため、低背
化が可能となり、トリミングなどの方法による容量値の
調整も容易となる。Further, since the capacitive coupling portion is formed in a comb shape and a high capacitance can be obtained only by the electrode pattern, the height can be reduced and the capacitance value can be easily adjusted by a method such as trimming.
【0014】また、容量結合部がチップコンデンサから
なる場合は、所望の容量値を有するチップコンデンサを
取り付ければよく、周波数帯域の精度が高く、また、偏
波の選択性の高いマイクロストリップアンテナが得られ
る。In the case where the capacitive coupling section is composed of a chip capacitor, a chip capacitor having a desired capacitance value may be attached, and a microstrip antenna having high frequency band accuracy and high polarization selectivity can be obtained. Can be
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図1,図2において、1はマイク
ロストリップアンテナであり、誘電体材料からなり、厚
み方向に隔てられて互いに平行な2つの主面と、該主面
間を連結する4つの側面とで構成される基板11と、基
板11の一方主面に形成される第1放射電極12と、前
記第1放射電極の周辺部に位置し、前記第1放射電極の
中心点を基準として、互いに直交方向に形成される2つ
の第2放射電極13,14と、基板11の他方主面に形
成される接地電極15と、基板11の2つの主面間で、
基板11の第1放射電極12に対応する箇所に形成され
る給電用貫通孔16と、同じく基板11の2つの主面間
で、基板11の第2放射電極13に対応する箇所に形成
される複数の貫通孔17と、第1放射電極12と第2放
射電極13,14とを容量結合するための容量結合部1
8a,18bとから構成されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2, reference numeral 1 denotes a microstrip antenna, which is made of a dielectric material and includes two main surfaces separated in a thickness direction and parallel to each other, and four side surfaces connecting the main surfaces. Substrate 11, a first radiation electrode 12 formed on one main surface of the substrate 11, and a peripheral portion of the first radiation electrode, which are perpendicular to each other with respect to a center point of the first radiation electrode. Between the two second radiation electrodes 13 and 14 formed, the ground electrode 15 formed on the other main surface of the substrate 11, and the two main surfaces of the substrate 11,
A through-hole 16 for power supply formed at a position corresponding to the first radiation electrode 12 of the substrate 11, and also formed at a position corresponding to the second radiation electrode 13 of the substrate 11 between the two main surfaces of the substrate 11. A plurality of through holes 17 and a capacitive coupling unit 1 for capacitively coupling the first radiation electrode 12 and the second radiation electrodes 13 and 14.
8a and 18b.
【0016】そして、給電用貫通孔16に、基板11の
他方主面側から、第1放射電極12に対して給電するた
めの同軸線路としてコネクタ19が挿入され、コネクタ
19はハンダ20aにより第1放射電極12と導通され
るとともに、ハンダ20aおよびハンダ20bにより基
板11に固定される。A connector 19 is inserted into the power supply through hole 16 from the other main surface side of the substrate 11 as a coaxial line for supplying power to the first radiation electrode 12. It is electrically connected to the radiation electrode 12 and is fixed to the substrate 11 by the solder 20a and the solder 20b.
【0017】また、第2放射電極13,14は貫通孔1
7により接地電極15と接続されている。The second radiation electrodes 13 and 14 are formed in the through holes 1.
7 is connected to the ground electrode 15.
【0018】第1放射電極12は略正方形をなし、第1
放射電極12の2辺のそれぞれと対向するように略短冊
状の第2放射電極13,14が配置されている。そし
て、第1放射電極12から第2放射電極13,14方向
に櫛歯状に突出するように形成された第1櫛歯状電極2
1,22と、第2放射電極13,14それぞれから第1
放射電極12方向に櫛歯状に突出するように形成された
第2櫛歯状電極23,24とが、互いに交差するように
配置されて容量結合部18a,18bが構成される。こ
れにより、第1放射電極12と第2放射電極13,14
との間に容量が形成され、第1放射電極12と第2放射
電極13,14とは容量結合する。The first radiation electrode 12 has a substantially square shape.
Substantially strip-shaped second radiation electrodes 13 and 14 are arranged so as to face each of the two sides of the radiation electrode 12. The first comb-shaped electrode 2 is formed so as to protrude from the first radiation electrode 12 in the direction of the second radiation electrodes 13 and 14 in a comb-like manner.
1 and 22 and the first radiation electrodes 13 and 14 respectively.
The second comb-shaped electrodes 23 and 24 formed so as to protrude in the direction of the radiation electrode 12 in a comb shape are arranged so as to intersect with each other to form capacitive coupling portions 18a and 18b. Thereby, the first radiation electrode 12 and the second radiation electrodes 13 and 14 are formed.
And the first radiation electrode 12 and the second radiation electrodes 13 and 14 are capacitively coupled.
【0019】第1放射電極12,第2放射電極13,1
4、および、接地電極15は、基板11の両主面に金属
膜が形成されているものをエッチングによりパターン形
成したり、基板11の両主面に導電ペーストを印刷・焼
成することにより形成される。First radiation electrode 12, second radiation electrode 13, 1
4, and the ground electrode 15 is formed by patterning a metal film formed on both main surfaces of the substrate 11 by etching or by printing and firing a conductive paste on both main surfaces of the substrate 11. You.
【0020】このように構成されたマイクロストリップ
アンテナ1は、第1放射電極12が1つの周波数帯域
(高周波側)に対応したマイクロストリップアンテナと
して機能を奏するとともに、第1放射電極12および第
2放射電極13,14を含めた全体で他の周波数帯域
(低周波側)に対応したマイクロストリップアンテナと
して機能を奏する。In the microstrip antenna 1 thus configured, the first radiation electrode 12 functions as a microstrip antenna corresponding to one frequency band (high frequency side), and the first radiation electrode 12 and the second radiation electrode The whole including the electrodes 13 and 14 functions as a microstrip antenna corresponding to another frequency band (low frequency side).
【0021】次に、第1の実施の形態について実験を行
った結果について説明する。図3(a)には、第1の実
施の形態におけるインピーダンス特性の実験結果を示す
スミスチャート、図3(b)にはリターンロス特性を示
す。この実験において、第1放射電極12の中心点Oと
給電用貫通孔16との距離をL1とし、第1放射電極1
2の1辺の長さをL12とする。ここで、給電用貫通孔1
6は、L1≒(1/6)×L12で表されるL1の長さだ
け中心点Oから第2放射電極13方向にシフトした位置
に配置され、その点で第1放射電極12に対して給電し
た。また、誘電体基板11の比誘電率は10.5のもの
を使用し、容量結合部18aの容量値は3.0pF,容
量結合部18bの容量値は2.5pFに設定した。ま
た、L12=λg1/2と設定し、第1放射電極12と第2
放射電極13の最遠端部間との距離をL13=λg2/2と
設定した。なお、λg1は高周波側の波長であり、λg2は
低周波側の波長を表す。Next, the results of an experiment conducted on the first embodiment will be described. FIG. 3A shows a Smith chart showing experimental results of impedance characteristics in the first embodiment, and FIG. 3B shows return loss characteristics. In this experiment, the distance between the center point O of the first radiation electrode 12 and the feed through hole 16 was L1, and the first radiation electrode 1
The length of one side of 2 is L12. Here, the power supply through hole 1
6 is arranged at a position shifted from the center point O in the direction of the second radiation electrode 13 by the length of L1 represented by L1 ≒ (1/6) × L12, at which point the first radiation electrode 12 is Powered. The dielectric substrate 11 used had a relative dielectric constant of 10.5, and the capacitance value of the capacitive coupling portion 18a was set to 3.0 pF, and the capacitance value of the capacitive coupling portion 18b was set to 2.5 pF. In addition, L12 = λg1 / 2 is set, and the first radiation electrode 12 and the second
The distance between the farthest ends of the radiation electrode 13 was set as L13 = λg2 / 2. Note that λg1 is the wavelength on the high frequency side, and λg2 is the wavelength on the low frequency side.
【0022】図3(a)および図3(b)に示すよう
に、f1=1.57GHzおよびf2=2.56GHzで
共振する2共振特性が得られ、本発明のマイクロストリ
ップアンテナ1が複数の周波数帯域に対応することが確
認された。As shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b), two resonance characteristics resonating at f1 = 1.57 GHz and f2 = 2.56 GHz are obtained. It was confirmed that it corresponded to the frequency band.
【0023】次に、本発明の第2の実施の形態に係るマ
イクロストリップアンテナ30を、図4を用いて説明す
る。なお、図1に示したマイクロストリップアンテナ1
と同一の構成箇所については同一番号を付しその説明を
省略する。Next, a microstrip antenna 30 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The microstrip antenna 1 shown in FIG.
The same components as those described above are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【0024】このマイクロストリップアンテナ30がマ
イクロストリップアンテナ1と異なる点は、第1放射電
極の周辺部に位置し、第1放射電極12を囲むように略
L字状に形成された第2放射電極33が配置されている
ところである。The microstrip antenna 30 is different from the microstrip antenna 1 in that the microstrip antenna 30 is located in the periphery of the first radiation electrode and is formed in a substantially L-shape so as to surround the first radiation electrode 12. 33 is located here.
【0025】このように、第2放射電極33を略L字状
に形成することにより、第1放射電極12および第2放
射電極33を含めた全体の実効面積が大きくなるため、
マイクロストリップアンテナ30の利得も向上する。As described above, by forming the second radiation electrode 33 in a substantially L-shape, the entire effective area including the first radiation electrode 12 and the second radiation electrode 33 becomes large.
The gain of the microstrip antenna 30 is also improved.
【0026】次に、本発明の第3の実施の形態に係るマ
イクロストリップアンテナ40を、図5を用いて説明す
る。なお、図1に示したマイクロストリップアンテナ1
と同一の構成箇所については同一番号を付しその説明を
省略する。Next, a microstrip antenna 40 according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The microstrip antenna 1 shown in FIG.
The same components as those described above are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【0027】このマイクロストリップアンテナ40がマ
イクロストリップアンテナ1と異なる点は、略正方形状
に形成された第1放射電極12の4辺すべてを囲むよう
に、新たに第2放射電極43,44が形成され、第1放
射電極12と第2放射電極43,44との間にそれぞれ
容量結合部18c,18dが配置されているところであ
る。The microstrip antenna 40 is different from the microstrip antenna 1 in that second radiation electrodes 43 and 44 are newly formed so as to surround all four sides of the first radiation electrode 12 formed in a substantially square shape. Here, the capacitive coupling portions 18c and 18d are disposed between the first radiation electrode 12 and the second radiation electrodes 43 and 44, respectively.
【0028】このマイクロストリップアンテナ40は、
第1放射電極12で1つの周波数帯域に、第1放射電極
12および第2放射電極13,14で他の1つの周波数
帯域に、第1放射電極12および第2放射電極43,4
4でさらに他の1つの周波数帯域に対応したマイクロス
トリップアンテナとして機能を奏する。This microstrip antenna 40
The first radiating electrode 12 and the second radiating electrodes 43 and 4 correspond to one frequency band, and the first and second radiating electrodes 12 and 13 and 14 correspond to another frequency band.
4 functions as a microstrip antenna corresponding to another frequency band.
【0029】尚、特に図示はしないが、このマイクロス
トリップアンテナ40においても、第2の実施の形態に
示したマイクロストリップアンテナ30と同様に、第2
放射電極13と14を結合して略L字状に形成してもよ
く、第2放射電極43,44を結合して略L字状に形成
してもよい。Although not shown, the microstrip antenna 40 also has the same structure as the microstrip antenna 30 of the second embodiment.
The radiation electrodes 13 and 14 may be combined to form a substantially L shape, or the second radiation electrodes 43 and 44 may be combined to form a substantially L shape.
【0030】上述の第1から第3の実施の形態で示した
マイクロストリップアンテナにおいて、第1放射電極と
第2放射電極は容量結合部により容量結合されている
が、この容量結合部の形成位置をずらしたり、容量結合
部を形成している櫛歯状電極をトリミングすることによ
り、受信する低周波側の周波数帯域を簡単に調整するこ
とができるとともに、低周波側の偏波も選択することが
できる。In the microstrip antennas described in the first to third embodiments, the first radiation electrode and the second radiation electrode are capacitively coupled by the capacitive coupling portion. By shifting the frequency band or trimming the comb-shaped electrode forming the capacitive coupling part, the frequency band on the low frequency side to be received can be easily adjusted, and the polarization on the low frequency side can also be selected. Can be.
【0031】例えば、第1の実施の形態に示したマイク
ロストリップアンテナ1において、2つの容量結合部1
8a,18bの形成位置をずらしたり容量値に差をつけ
ることにより、容量結合部18aの容量結合による共振
と容量結合部18bの容量結合による共振との間に位相
差θが生じる。そして、θ=90゜に近くなると低周波
側の偏波は円偏波となり、θ=0゜に近くなると低周波
側の偏波は直線偏波となる。第1の実施の形態の実験結
果を表す図3(a)において、低周波側f1 のスミスチ
ャートの▽印で示した部分にくびれている箇所が確認で
きるが、これは、低周波側が円偏波になっている状態を
表している。つまり、容量結合部18aの容量結合によ
る共振と容量結合部18bの容量結合による共振との間
の位相差θが90゜付近となるように2つの容量結合部
18a,18bの形成位置および容量値が設定されてい
るマイクロストリップアンテナ1となっている。For example, in the microstrip antenna 1 shown in the first embodiment, two capacitive coupling units 1
By shifting the formation positions of 8a and 18b or making the capacitance values different, a phase difference θ occurs between the resonance due to the capacitive coupling of the capacitive coupling unit 18a and the resonance due to the capacitive coupling of the capacitive coupling unit 18b. When the angle approaches θ = 90 °, the polarization on the low frequency side becomes a circular polarization, and when the angle approaches θ = 0 °, the polarization on the low frequency side becomes a linear polarization. In FIG. 3 (a) showing the experimental results of the first embodiment, it can be seen that a narrow portion of the Smith chart on the low frequency side f1 is indicated by a triangle. This represents the state of a wave. That is, the formation position and the capacitance value of the two capacitive coupling portions 18a and 18b are set such that the phase difference θ between the resonance due to the capacitive coupling of the capacitive coupling portion 18a and the resonance due to the capacitive coupling of the capacitive coupling portion 18b is close to 90 °. Is set as the microstrip antenna 1.
【0032】この櫛歯状に形成された容量結合部は、第
1放射電極や第2放射電極と同時に形成することができ
るため、形成が容易であるとともに、厚みも第1放射電
極や第2放射電極と等しく低背化が達成できる。Since the capacitive coupling portion formed in a comb shape can be formed simultaneously with the first radiation electrode and the second radiation electrode, the capacitance coupling portion is easy to form, and the thickness is small. The height can be reduced as well as the radiation electrode.
【0033】また、容量結合部は、上述の第1から第3
の実施の形態では櫛歯状電極で形成されているが、図6
に示すように、チップ型コンデンサ38を用いて形成さ
れてもよい。この場合、一定の容量値を有するチップ型
コンデンサを選択して配置できるため、所望の周波数帯
域および所望の偏波に対応したアンテナを容易に且つ正
確に形成することができ、周波数の調整および偏波の再
選択の工程が不要となる。尚、図6において、チップ型
コンデンサ38以外の構成部分は、第2の実施の形態で
示したマイクロストリップアンテナ30と同一であるた
め、同一番号を付しその説明を省略する。Further, the capacitive coupling section includes the first to third capacitors described above.
In the embodiment shown in FIG.
As shown in FIG. 5, the chip type capacitor 38 may be used. In this case, since a chip-type capacitor having a fixed capacitance value can be selected and arranged, an antenna corresponding to a desired frequency band and a desired polarization can be easily and accurately formed, and frequency adjustment and polarization can be performed. The wave reselection step is not required. In FIG. 6, components other than the chip-type capacitor 38 are the same as those of the microstrip antenna 30 shown in the second embodiment, and therefore, are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
【0034】なお、容量結合部は、上述の実施の形態に
限定されるものではなく、例えば、特に図示はしない
が、第1放射電極と第2放射電極の容量結合部に対応す
る位置で、第1放射電極と第2放射電極の間に誘電体層
を挟んだ積層構造の容量結合部としてもよく、マイクロ
ストリップアンテナの目的や用途などに応じて変形でき
るものである。The capacitive coupling section is not limited to the above-described embodiment. For example, although not particularly shown, at a position corresponding to the capacitive coupling section between the first radiation electrode and the second radiation electrode, It may be a capacitive coupling portion having a laminated structure in which a dielectric layer is interposed between the first radiation electrode and the second radiation electrode, and may be deformed according to the purpose and use of the microstrip antenna.
【0035】また、各実施の形態で述べた第1放射電極
12は、図7に示すように縮体分離部12aを有する形
状として、第1放射電極12で受信する高周波側の偏波
を選択することもできる。尚、図7において、縮体分離
部12a以外の構成部分は、第1の実施の形態で示した
マイクロストリップアンテナ1と同一であるため、同一
番号を付しその説明を省略する。The first radiating electrode 12 described in each embodiment has a shape having a contraction separating portion 12a as shown in FIG. 7, and selects a high-frequency side polarized wave received by the first radiating electrode 12. You can also. In FIG. 7, components other than the contracted body separating portion 12a are the same as those of the microstrip antenna 1 shown in the first embodiment, and therefore, are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
【0036】このように、本発明のマイクロストリップ
アンテナでは、1つの周波数帯域(高周波側)に対応し
ている第1放射電極において偏波の設定ができるととも
に、他の周波数帯域(低周波側)に対応している第1放
射電極および第2放射電極を含めた全体においても偏波
の選択が可能となる。As described above, in the microstrip antenna of the present invention, the polarization can be set in the first radiation electrode corresponding to one frequency band (high frequency side), and the other frequency band (low frequency side). The polarization can be selected in the whole including the first radiation electrode and the second radiation electrode corresponding to.
【0037】また、上述の実施の形態では、第1放射電
極が略正方形状であるが、略円形状に形成されてもよ
い。In the above embodiment, the first radiation electrode has a substantially square shape, but may have a substantially circular shape.
【0038】また、上記実施の形態で、第2放射電極と
接地電極は複数の貫通孔により接続されているが、第2
放射電極が高周波的に接地されていれば、貫通孔の個数
は適宜選択決定できるものである。In the above embodiment, the second radiation electrode and the ground electrode are connected by a plurality of through holes.
If the radiation electrode is grounded at a high frequency, the number of through holes can be appropriately selected and determined.
【0039】なお、本発明に係るマイクロストリップア
ンテナは、前記実施の形態に限定するものではなく、そ
の要旨の範囲内で種々に変形することができる。The microstrip antenna according to the present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified within the scope of the invention.
【0040】[0040]
【発明の効果】以上のように、本発明によるマイクロス
トリップアンテナでは、第1放射電極が1つの周波数帯
域に対応したマイクロストリップアンテナとして作用す
るとともに、第1放射電極と第2放射電極が容量結合し
て別のマイクロストリップ線路が形成されていることに
なり、別の周波数帯域に対応したマイクロストリップア
ンテナとしての機能を奏し、よって、1枚の基板上に複
数の周波数帯域に対応したマイクロストリップアンテナ
が得られ、また、給電も1つの給電用貫通孔で済むた
め、小型化が達成される。As described above, in the microstrip antenna according to the present invention, the first radiation electrode functions as a microstrip antenna corresponding to one frequency band, and the first radiation electrode and the second radiation electrode are capacitively coupled. As a result, another microstrip line is formed, and functions as a microstrip antenna corresponding to another frequency band. Therefore, a microstrip antenna corresponding to a plurality of frequency bands is formed on one substrate. In addition, since only one power supply through hole is required for power supply, miniaturization is achieved.
【0041】また、第2放射電極が略L字状に形成され
た場合、マイクロストリップアンテナの実効面積大きく
なるため、アンテナの利得も大きくなる。The second radiation electrode is formed in a substantially L shape.
In this case , the effective area of the microstrip antenna becomes large, so that the antenna gain also becomes large.
【0042】また、容量結合部が櫛歯状に形成された場
合、電極パターンのみで高い容量が得られるため、低背
化が可能となり、トリミングなどの方法による容量値の
調整も容易となり、受信する周波数帯域が高精度化し偏
波の選択も可能となる。Further, the field capacitive coupling portion is formed in a comb shape
In this case , since a high capacitance can be obtained only by the electrode pattern, the height can be reduced, the capacitance value can be easily adjusted by a method such as trimming, the frequency band to be received is highly accurate, and the polarization can be selected.
【0043】また、容量結合部がチップコンデンサから
なる場合は、所望の容量値を有するチップコンデンサを
取り付ければよく、周波数帯域の精度の高く、所望の偏
波が選択可能なマイクロストリップアンテナが得られ
る。When the capacitive coupling section is formed of a chip capacitor, a chip capacitor having a desired capacitance value may be attached, and a microstrip antenna with high frequency band accuracy and selectable desired polarization can be obtained. .
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るマイクロスト
リップアンテナの構造を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a structure of a microstrip antenna according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1におけるA−A線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG.
【図3】本発明の第1の実施の形態に係るマイクロスト
リップアンテナの特性を示す、(a)スミスチャートで
あり、(b)リターンロス特性図である。3A is a Smith chart and FIG. 3B is a return loss characteristic diagram showing characteristics of the microstrip antenna according to the first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第2の実施の形態に係るマイクロスト
リップアンテナの構造を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a structure of a microstrip antenna according to a second embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第3の実施の形態に係るマイクロスト
リップアンテナの構造を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a structure of a microstrip antenna according to a third embodiment of the present invention.
【図6】本発明のマイクロストリップアンテナにおける
容量結合部にチップ型アンテナを用いた場合の構造を示
す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a structure when a chip antenna is used for a capacitive coupling portion in the microstrip antenna of the present invention.
【図7】本発明のマイクロストリップアンテナにおける
第1放射電極部分に縮体分離部を設けた構造を示す平面
図である。FIG. 7 is a plan view showing a structure in which a contraction separating section is provided in a first radiation electrode portion in the microstrip antenna of the present invention.
【図8】従来のマイクロストリップアンテナの構造を示
す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a structure of a conventional microstrip antenna.
【図9】図8におけるB−B線断面図である。9 is a sectional view taken along line BB in FIG.
【図10】従来のマイクロストリップアンテナの構造を
示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing the structure of a conventional microstrip antenna.
【図11】図10におけるC−C線断面図である。11 is a sectional view taken along line CC in FIG.
1,30,40 マイクロストリップアンテナ 11 基板 12 第1放射電極 13,14,33,43,44 第2放射電極 15 接地電極 16 給電用貫通孔 17 貫通孔 18a,18b,18c,18d 容量結合部 21,22 第1櫛歯状電極 23,24 第2櫛歯状電極 38 チップ型コンデンサ 1, 30, 40 Microstrip antenna 11 Substrate 12 First radiation electrode 13, 14, 33, 43, 44 Second radiation electrode 15 Ground electrode 16 Feeding hole 17 Through hole 18a, 18b, 18c, 18d Capacitive coupling unit 21 , 22 First comb-shaped electrode 23, 24 Second comb-shaped electrode 38 Chip-type capacitor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−357702(JP,A) 特開 平8−316726(JP,A) 特開 平7−38328(JP,A) 特開 平2−130005(JP,A) 特開 昭64−4101(JP,A) 特開 昭63−169103(JP,A) 特開 昭59−16402(JP,A) 特開 平8−316726(JP,A) 特公 昭60−36641(JP,B2) 米国特許4069483(US,A) 米国特許4370657(US,A) 国際公開96/34426(WO,A1) 1995年電子情報通信学会総合大会B− 10。 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01Q 13/08 H01Q 5/01 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-4-357702 (JP, A) JP-A-8-316726 (JP, A) JP-A-7-38328 (JP, A) JP-A-2- 130005 (JP, A) JP-A-64-4101 (JP, A) JP-A-63-169103 (JP, A) JP-A-59-16402 (JP, A) JP-A-8-316726 (JP, A) JP-B-60-36641 (JP, B2) U.S. Pat. No. 4,069,483 (US, A) U.S. Pat. No. 4,370,657 (US, A) International Publication No. 96/34426 (WO, A1) (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01Q 13/08 H01Q 5/01
Claims (4)
つの主面と、該主面間を連結する4つの側面とで構成さ
れる基板と、前記基板の一方主面に形成される第1放射
電極と、前記第1放射電極の周辺部に位置し、前記第1
放射電極の中心点を基準として、互いに直交方向に形成
される少なくとも2つの第2放射電極と、前記基板の他
方主面に形成される接地電極と、前記基板の2つの主面
間で、前記基板の前記第1放射電極に対応する箇所に形
成される給電用貫通孔と、前記基板の前記第2放射電極
に対応する箇所に形成される接地用貫通孔と、前記第1
放射電極と前記第2放射電極とを容量結合するための少
なくとも2つの容量結合部と、からなることを特徴とす
るマイクロストリップアンテナ。1. A two-parallel, spaced apart in the thickness direction.
A substrate composed of two main surfaces and four side surfaces connecting the main surfaces, a first radiation electrode formed on one principal surface of the substrate, and a peripheral portion of the first radiation electrode. , The first
Formed perpendicular to each other with reference to the center point of the radiation electrode
At least two second radiating electrodes, a ground electrode formed on the other main surface of the substrate, and a portion corresponding to the first radiating electrode of the substrate between the two main surfaces of the substrate. A power supply through-hole, a grounding through-hole formed at a location of the substrate corresponding to the second radiation electrode,
A microstrip antenna, comprising: a radiation electrode and at least two capacitive coupling portions for capacitively coupling the second radiation electrode.
つの主面と、該主面間を連結する4つの側面とで構成さ
れる基板と、前記基板の一方主面に形成される第1放射
電極と、前記第1放射電極の周辺部に前記第1放射電極
と間隔を持って形成される略L字状の少なくとも1つの
第2放射電極と、前記基板の他方主面に形成される接地
電極と、前記基板の2つの主面間で、前記基板の前記第
1放射電極に対応する箇所に形成される給電用貫通孔
と、前記基板の前記第2放射電極に対応する箇所に形成
される接地用貫通孔と、前記第1放射電極と前記第2放
射電極とを容量結合するための少なくとも2つの容量結
合部と、からなることを特徴とするマイクロストリップ
アンテナ。2. A two-parallel unit which is separated from each other in a thickness direction.
One main surface and four side surfaces connecting the main surfaces.
Substrate and a first radiation formed on one main surface of the substrate
An electrode, and the first radiation electrode on the periphery of the first radiation electrode.
At least one substantially L-shaped member formed with an interval
A second radiation electrode and a ground formed on the other main surface of the substrate
Between the electrode and the two main surfaces of the substrate,
Feeding through hole formed at a location corresponding to one radiation electrode
Formed at a position corresponding to the second radiation electrode on the substrate
Ground through hole, the first radiating electrode, and the second
At least two capacitive couplings for capacitively coupling the
And a joining part .
ら前記第2放射電極方向に突出して形成される第1櫛歯
状電極と、前記第2放射電極から前記第1放射電極方向
に突出して形成される第2櫛歯状電極とが、互いに交差
してなることを特徴とする請求項1または請求項2に記
載のマイクロストリップアンテナ。3. A first comb-shaped electrode formed to protrude from the first radiation electrode in the direction of the second radiation electrode, and a capacitive coupling portion extending in a direction from the second radiation electrode to the first radiation electrode. 3. The microstrip antenna according to claim 1, wherein the protruding second comb-shaped electrode intersects with each other.
からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記
載のマイクロストリップアンテナ。4. The microstrip antenna according to claim 1, wherein the capacitive coupling section is formed of a chip-type capacitor.
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