JP3175059B2 - Peripheral exposure apparatus and method - Google Patents
Peripheral exposure apparatus and methodInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示パネル等を製
造するための矩形状の大型基板、いわゆる角形基板の露
光装置において、本来、角形基板上に露光される所定の
マスクパターンの露光領域とは無関係の特定の領域を露
光用照明光で照射することでその部分の感光層を事前に
感光させる機能を備えた周辺露光装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for a rectangular large substrate, that is, a so-called square substrate for manufacturing a liquid crystal display panel or the like. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a peripheral exposure apparatus having a function of irradiating a specific area irrelevant to the area with exposure illumination light to previously expose a photosensitive layer in that area.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、電卓、ワープロ、パソコン、携帯
テレビ等の表示素子として、液晶表示パネルが多用され
るようになった。液晶表示パネルは、角形基板としての
ガラス基板上に透明薄膜電極をフォトリソグラフィの手
法で所望の形状にパターンニングして作られる。このた
めの装置として、マスク上に形成された原画パターンを
投影光学系を介してガラス基板上のフォトレジスト層に
露光する、ミラープロジェクション方式のアライナーや
ステップアンドリピート方式のステッパーが使われてい
る。被露光手段としてのガラス基板は、年々大型化し、
最近では、500×500mm程度のサイズのものが使
われている。2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display panels have been frequently used as display elements for calculators, word processors, personal computers, portable televisions and the like. A liquid crystal display panel is made by patterning a transparent thin-film electrode into a desired shape on a glass substrate as a rectangular substrate by a photolithography technique. As an apparatus for this, a mirror projection type aligner or a step-and-repeat type stepper that exposes an original pattern formed on a mask to a photoresist layer on a glass substrate via a projection optical system is used. Glass substrates as a means to be exposed are becoming larger year by year,
Recently, a size of about 500 × 500 mm has been used.
【0003】ガラス基板上に原画パターンを投影露光す
る前述のようなアライナーやステッパーは、そのガラス
基板のほぼ全面に複数の同一なマスクパターンを露光す
る。通常、各マスクパターンの露光領域は、ガラス基板
の周辺部において、大きいもので数十mm程度の余白を
作るように配列される。このため、ポジ型レジストを用
いてリソグラフィ工程を行うと、ガラス基板の周辺部
(余白部)は未露光であるので、現像処理後にレジスト
が残存することになる。この残存レジストは、ガラス基
板の上面ばかりでなく、ガラス基板の端面にも付着して
いることもある。従って、上述したプロセスの後、ガラ
ス基板の端面が何らかのストッパーによって係止される
際に、その端面の残存レジストが剥離してゴミになると
いった問題があった。An aligner or a stepper as described above, which projects and exposes an original image pattern on a glass substrate, exposes a plurality of identical mask patterns to almost the entire surface of the glass substrate. Usually, the exposure regions of each mask pattern are arranged so as to form a large margin of about several tens of mm around the glass substrate. For this reason, when the lithography process is performed using a positive resist, the peripheral portion (margin portion) of the glass substrate is not exposed, so that the resist remains after the development processing. This residual resist may adhere not only to the upper surface of the glass substrate but also to the end surface of the glass substrate. Therefore, after the above-described process, when the end face of the glass substrate is locked by some stopper, there is a problem that the remaining resist on the end face is peeled off and becomes dust.
【0004】また、プロセスの都合上で、ガラス基板以
外のレジスト塗布面上の周辺部に残ったレジストを除去
したいという要求がある。この問題点は半導体ウェハを
扱うリソグラフィ工程では以前から着目されており、現
像処理の前にウェハの周辺部のみを一定の幅でレジスト
除去のための露光をすることでその問題点を解決しよう
とする試みが多数提案されている。Further, there is a demand for removing the resist remaining on the peripheral portion of the resist-coated surface other than the glass substrate due to the process. This problem has been attracting attention in the lithography process for semiconductor wafers, and it has been attempted to solve the problem by exposing only the peripheral portion of the wafer to a certain width for resist removal before development processing. Many attempts have been made to do so.
【0005】例えば、特開平3−242922号公報に
開示されたものでは、図7に示されるように、超高圧水
銀ランプ等の光源ランプ105からの光を楕円集光鏡1
06、平面反射鏡107を介して光ファイバー109の
入射端109aに導いている。そして、この光ファイバ
ー109の射出端109bから射出する光束を回転ステ
ージ102上に載置されたウェハ101上に照射すると
共に、光ファイバー109の射出端を支持するアーム1
11とアーム111を駆動させる移動機構110とによ
って、射出端109bをXY方向に移動させて周辺露光
を行っている。For example, in the device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-242922, as shown in FIG. 7, light from a light source lamp 105 such as an ultra-high pressure mercury lamp
06, through the plane reflecting mirror 107 to the incident end 109a of the optical fiber 109. The light beam emitted from the emission end 109 b of the optical fiber 109 is irradiated onto the wafer 101 mounted on the rotary stage 102, and the arm 1 supporting the emission end of the optical fiber 109.
The edge exposure is performed by moving the emission end 109b in the X and Y directions by the movement mechanism 110 that drives the arm 111 and the arm 111.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、角形基板上の
周辺露光しなくてはならない周辺部の幅は、時には数十
mmに達することがある。ここで、上述のように光ファ
イバーを束ねて、角形基板上に周辺露光を行なうとする
ならば、光ファイバーを数十mmの太さに束ねなくては
ならず、この場合、光ファイバーの曲げられる曲率を大
きくとらなければならない。このため、上記特開平3─
242922号公報のものでは、被露光面としての角形
基板に周辺露光できる範囲が狭くなるという問題があ
る。しかも、周辺露光を行なうたびに、光ファイバー
は、繰り返して曲げられるため、無理に曲げた状態で使
用すると、光ファイバーが疲労して破損する問題点が生
ずる。However, the width of the peripheral portion of the rectangular substrate on which peripheral exposure must be performed sometimes reaches several tens of mm. Here, if the optical fibers are bundled as described above and peripheral exposure is performed on a rectangular substrate, the optical fibers must be bundled to a thickness of several tens of mm. You have to take it big. For this reason, Japanese Patent Application Laid-Open No.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 242922 has a problem that a range in which peripheral exposure can be performed on a rectangular substrate as a surface to be exposed is reduced. In addition, the optical fiber is repeatedly bent every time the peripheral exposure is performed. Therefore, if the optical fiber is used in a forcibly bent state, the optical fiber may be damaged due to fatigue.
【0007】また、上記特開平3─242922号公報
のものは、角形基板の周辺部に対して周辺露光するとき
には、光ファイバーの射出端が角形基板の周辺部に沿っ
ての移動を四回繰り返す必要があるため、スループット
が低下するという問題点が生じていた。そこで、本発明
は、スループットの低下を伴わずに、ガラス基板上の周
辺部だけではなく、本来のマスクパターン露光領域以外
の任意の領域についても周辺露光することが可能な周辺
露光装置を提供することを目的とする。Further, in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-242922, when peripheral exposure is performed on the peripheral portion of the rectangular substrate, the exit end of the optical fiber needs to repeat the movement along the peripheral portion of the rectangular substrate four times. Therefore, there is a problem that the throughput is reduced. Therefore, the present invention provides a peripheral exposure apparatus capable of peripherally exposing not only the peripheral portion on a glass substrate but also an arbitrary region other than the original mask pattern exposure region without lowering the throughput. The purpose is to:
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の周辺露光装置
は、上述の目的を達成するために以下に示す構成を有し
例えば、図1乃至図3に示す如く、露光装置により角形
基板上に形成される所定のマスクパターンの露光領域外
を露光する本発明の周辺露光装置は、基板保管部(PC
1,PC2)から露光装置の露光用ステージ(ST)に
向けて角形基板(PG)を1次元的に搬送する1次元搬
送機構(10,12,16,18)と、角形基板をほぼ
90°回転させる回転機構(14)とを含む搬送手段
(10,12,14,16,18)と、搬送手段(1
0,12,14,16,18)により角形基板(PG)
が1次元的に搬送される搬送路中に、角形基板上の所定
のマスクパターンの露光領域外を局所的に露光する周辺
露光光学系(44A,44B,30,32A,32B)
とを有し、周辺露光光学系は、露光光を供給する光源
と、光源からの光を角形基板(PG)へ導くためのライ
トガイド手段(32A,32B)と、ライトガイド手段
(32A,32B)の射出端面を角形基板上に投影する
倍率可変な投影光学系(24A,24B)と、投影光学
系(44A,44B)とライトガイド手段(32A,3
2B)の射出端面とを一体に1次元搬送機構による搬送
方向と直交する方向に移動させる露光位置変更手段(3
0)とを有するように構成した。The peripheral exposure apparatus according to the present invention has the following configuration in order to achieve the above-mentioned object. For example, as shown in FIGS. The peripheral exposure apparatus of the present invention, which exposes the outside of an exposure area of a predetermined mask pattern to be formed, includes a substrate storage unit (PC).
1, PC2), a one-dimensional transport mechanism (10, 12, 16, 18) for one-dimensionally transporting a rectangular substrate (PG) toward an exposure stage (ST) of an exposure apparatus; Transport means (10, 12, 14, 16, 18) including a rotating mechanism (14) for rotating the paper;
0,12,14,16,18) square substrate (PG)
Peripheral exposure optical system (44A, 44B, 30, 32A, 32B) for locally exposing the outside of the exposure area of a predetermined mask pattern on a rectangular substrate in a transport path on which a one-dimensional transport is performed
The peripheral exposure optical system includes a light source for supplying exposure light, light guide means (32A, 32B) for guiding light from the light source to the rectangular substrate (PG), and light guide means (32A, 32B). ), A variable-magnification projection optical system (24A, 24B) for projecting the exit end face onto a rectangular substrate, a projection optical system (44A, 44B), and light guide means (32A, 3B).
Exposure position changing means (3) for integrally moving the exit end face of 2B) in the direction orthogonal to the direction of conveyance by the one-dimensional conveyance mechanism.
0).
【0009】[0009]
【作用】本発明の周辺露光装置による周辺露光は、搬送
手段による角形基板の1次元的な搬送と、周辺露光光学
系による角形基板上への局所的な露光との組合せで行わ
れる。具体的には、1次元搬送機構による角形基板の1
次元的な搬送と共に、周辺露光光学系による局所的な露
光を行うと、角形基板上に一方向に延びた第1の帯状周
辺露光領域が形成される。そして、回転機構により、角
形基板を90°回転させた後に、角形基板の1次元的な
搬送と共に、周辺露光光学系による局所的な露光を行う
と、第1の帯状周辺露光領域と直交する方向に延びた第
2の周辺露光領域が形成される。The peripheral exposure by the peripheral exposure apparatus of the present invention is carried out by a combination of one-dimensional transport of the rectangular substrate by the transport means and local exposure on the rectangular substrate by the peripheral exposure optical system. Specifically, one-dimensional transfer mechanism 1
When local exposure is performed by the peripheral exposure optical system together with the dimensional conveyance, a first belt-shaped peripheral exposure region extending in one direction is formed on the rectangular substrate. Then, after the rectangular substrate is rotated by 90 ° by the rotation mechanism, when the rectangular substrate is one-dimensionally transported and the local exposure is performed by the peripheral exposure optical system, the direction orthogonal to the first band-shaped peripheral exposure region is obtained. A second peripheral exposure region extending to the edge is formed.
【0010】しかも、上述のような、1次元搬送機構に
よる角形基板の1次元的な搬送は、本来のマスクパター
ンを露光する露光装置の基板保管部から基板ステージへ
の角形基板の搬送動作と兼用させることができる。ま
た、角形基板のローディング動作を行うときに第1の周
辺露光領域を形成し、角形基板のアンローディング動作
を行うときに第2の周辺露光領域を形成させることもで
きる。即ち、周辺露光に要する時間は、露光装置本来の
ローディング動作、アンローディング動作に要する時間
のみであるので、スループットの向上がはかれる。In addition, the one-dimensional transfer of the square substrate by the one-dimensional transfer mechanism as described above is also used for the transfer operation of the square substrate from the substrate storage section of the exposure apparatus for exposing the original mask pattern to the substrate stage. Can be done. Further, it is also possible to form the first peripheral exposure region when performing the loading operation of the rectangular substrate, and to form the second peripheral exposure region when performing the unloading operation of the rectangular substrate. That is, the time required for the peripheral exposure is only the time required for the loading operation and the unloading operation inherent to the exposure apparatus, so that the throughput can be improved.
【0011】また、投影光学系の倍率が可変であるの
で、ライトガイド手段の射出端を所望の倍率で角形基板
上に投影できる。従って、ライトガイド手段の射出端の
像の大きさ、即ち、局所的な露光領域の大きさを可変に
できる。Further, since the magnification of the projection optical system is variable, the exit end of the light guide means can be projected onto the rectangular substrate at a desired magnification. Therefore, the size of the image at the exit end of the light guide means, that is, the size of the local exposure area can be made variable.
【0012】[0012]
【実施例】以下に本発明の実施例について図1を参照し
ながら説明する。図1は、本発明の実施例による周辺露
光装置を模式的に表したものである。図1では、角形基
板であるプレートPGの搬送方向をY軸、プレートPG
の被露光面の法線方向をZ軸、Y軸とZ軸とに直交する
方向をX軸とした座標系をとっている。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 schematically shows an edge exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the transport direction of the plate PG, which is a rectangular substrate, is the Y-axis,
Is a coordinate system in which the normal direction of the surface to be exposed is the Z axis, and the direction orthogonal to the Y axis and the Z axis is the X axis.
【0013】図1において、プレートPGにマスクパタ
ーンを露光する露光装置本体はステッパーとして、不図
示の投影光学系の光軸Ax とプレートステージSTのみ
を表示する。このステッパーによる投影露光はステップ
アンドリピート方式であるものとし、露光時にプレート
PGを載置するプレートステージSTはXY座標系内で
二次元移動する。表面にレジスト層が塗布された複数枚
の角形のガラスプレートPGは、プレートキャリアPC
1及びPC2内にZ方向に積載される。このプレートキ
ャリアPC1、PC2からステッパーのプレートステー
ジSTに向けてプレートPGを搬送するプレート搬送機
構は、プレートPGの裏面を保持するフォーク状のアー
ム10と、このアーム10を一次元にスライドさせるた
めのアームガイド12と、このアームガイド12を矢印
K5方向に回転させるターンテーブル14と、このター
ンテーブル14を載置して図1中の矢印K1で示される
Y方向に一次元移動させるベース移動ユニット16と、
このベース移動ユニット16の一次元移動を案内するガ
イド部18とで構成される。In FIG. 1, an exposure apparatus body for exposing a mask pattern on a plate PG displays only an optical axis Ax of a projection optical system (not shown) and a plate stage ST as a stepper. The projection exposure by the stepper is of a step-and-repeat type, and the plate stage ST on which the plate PG is placed at the time of exposure moves two-dimensionally in the XY coordinate system. A plurality of square glass plates PG having a surface coated with a resist layer are provided with a plate carrier PC.
1 and PC2 in the Z direction. The plate transport mechanism that transports the plate PG from the plate carriers PC1 and PC2 toward the plate stage ST of the stepper includes a fork-shaped arm 10 that holds the back surface of the plate PG, and a mechanism for sliding the arm 10 in one dimension. An arm guide 12, a turntable 14 for rotating the arm guide 12 in the direction of arrow K5, and a base moving unit 16 for mounting the turntable 14 and moving it one-dimensionally in the Y direction indicated by arrow K1 in FIG. When,
The base moving unit 16 includes a guide section 18 for guiding one-dimensional movement.
【0014】図1で示されるようにプレートPGがアー
ム10上に保持された位置を引出し位置と呼ぶ。この位
置からアーム10が矢印K2のようにY方向に繰り出さ
れると、上記ステッパーによるマスクパターンの領域外
を露光する周辺露光光学系の投影光学系であるスポット
照射ユニット24A,24Bの下方を通過し、プレート
PGはセンターアップ20の直上に位置する。センター
アップ20は矢印K3のようにZ方向に上下動すること
によって、プレートPGをアーム10から受け取る動作
を行なう。また、センターアップ20は回転機構を備え
ているので、ステージST上へ載置されるプレートPG
の向きを変えることができる。スライダーアーム22
A,22Bは矢印K4のようにY方向に一次元移動し、
センターアップ20上のプレートPGを受け取る。ま
た、スライダーアーム22A,22Bは、Z方向の動作
が可能であるので、ステージST上にプレートPGを載
置できる。The position where the plate PG is held on the arm 10 as shown in FIG. When the arm 10 is extended from this position in the Y direction as indicated by the arrow K2, the arm 10 passes below the spot irradiation units 24A and 24B, which are projection optical systems of the peripheral exposure optical system that exposes the area outside the mask pattern by the stepper. , Plate PG is located immediately above center-up 20. The center up 20 performs an operation of receiving the plate PG from the arm 10 by moving up and down in the Z direction as indicated by an arrow K3. Also, since the center-up 20 has a rotating mechanism, the plate PG placed on the stage ST
Direction can be changed. Slider arm 22
A and 22B move one-dimensionally in the Y direction as indicated by arrow K4.
The plate PG on the center up 20 is received. Further, since the slider arms 22A and 22B can move in the Z direction, the plate PG can be placed on the stage ST.
【0015】不図示の投影光学系の光軸Ax に対して二
次元移動が可能であるステージST上に載置されたプレ
ートPGは、ステップアンドリピート方式により、マス
クパターンの露光が行われる。マスクパターンの露光が
終了したプレートPGは、スライダーアーム22A,2
2B、センターアップ20、アーム10、周辺露光光学
系24A,24B)を介して、再び図1に示される引出
し位置まで戻される。プレートPGがこの引出し位置に
きたとき、ターンテーブル14の回転中心は、プレート
PGのほぼ中央に位置する。その後、ターンテーブル1
4が90°回転することで、アーム10は、キャリアP
C1又はPC2に向けてX方向に繰り出し可能となる。
そして、プレートPGは、キャリアPC1又はPC2内
の元のスロットに収納される。The plate PG mounted on the stage ST, which can be moved two-dimensionally with respect to the optical axis Ax of the projection optical system (not shown), is exposed to a mask pattern by a step-and-repeat method. The plate PG on which the exposure of the mask pattern is completed is placed on the slider arm 22A, 2A.
2B, the center-up 20, the arm 10, and the peripheral exposure optical systems 24A and 24B), and then returned to the drawing position shown in FIG. When the plate PG comes to the drawn-out position, the rotation center of the turntable 14 is located substantially at the center of the plate PG. Then turntable 1
4 rotates 90 °, the arm 10
It is possible to feed out in the X direction toward C1 or PC2.
Then, the plate PG is stored in the original slot in the carrier PC1 or PC2.
【0016】ところで本実施例では図1に示されるよう
に、引出し位置とセンターアップ20との間の搬送経路
中には、周辺露光光学系の投影光学系として、スポット
照射ユニット24A,24Bが設けられている。そし
て、周辺露光光学系は、図2の周辺露光光学系の模式図
に示されるように、不図示の光源部と、光源部からの光
束を遮断するシャッター34A,34Bと、光源部から
の光束を伝達する光ファイバー32A,32Bと、X方
向に移動可能に設けられたスポット照射ユニット24
A,24Bと、内部のモーター等でスポット照射ユニッ
ト24A,24Bの位置を変更させるコラム30とで構
成される。In this embodiment, as shown in FIG. 1, spot irradiation units 24A and 24B are provided as a projection optical system of a peripheral exposure optical system in a transport path between the draw-out position and the center-up 20. Have been. As shown in the schematic diagram of the peripheral exposure optical system in FIG. 2, the peripheral exposure optical system includes a light source unit (not shown), shutters 34A and 34B for blocking light beams from the light source unit, and a light beam from the light source unit. Fibers 32A and 32B for transmitting light, and a spot irradiation unit 24 movably provided in the X direction.
A and 24B, and a column 30 for changing the position of the spot irradiation units 24A and 24B by an internal motor or the like.
【0017】これらの照射ユニット24A,24Bは、
X方向に延びたコラム30内のガイドレールに沿って、
互いに独立にX方向に移動する。そして、照射ユニット
24Aには、光ファイバー32A、シャッター34Aを
介して、水銀ランプ等の光源からの露光光が導かれる。
同様に、照射ユニット24Bについても光ファイバー3
2Bを介して、露光光が導かれる。そして、プレートP
GのY方向に延びた2辺の夫々を一定の幅で露光すると
きには、破線で示したプレートPG上の露光すべき領域
L1,L2上に照射ユニット24A,24Bの各照射領
域SPが位置するように、各照射ユニット24A,24
Bを位置決めする。なお、図2中のセンターラインCL
の延長線上には、図1に示されるターンテーブル14の
回転中心とセンターアップ20の中心とが位置する。These irradiation units 24A and 24B are
Along the guide rail in the column 30 extending in the X direction,
They move in the X direction independently of each other. Then, exposure light from a light source such as a mercury lamp is guided to the irradiation unit 24A via the optical fiber 32A and the shutter 34A.
Similarly, for the irradiation unit 24B, the optical fiber 3
Exposure light is guided through 2B. And the plate P
When each of the two sides extending in the Y direction of G is exposed with a constant width, each irradiation area SP of the irradiation units 24A and 24B is located on the areas L1 and L2 to be exposed on the plate PG indicated by the broken lines. As described above, each irradiation unit 24A, 24
Position B. The center line CL in FIG.
The center of rotation of the turntable 14 and the center of the center-up 20 shown in FIG.
【0018】これらの照射ユニット24A,24Bにつ
いて、図3の照射ユニットの模式図を参照して説明す
る。なお、照射ユニット24A,24Bは、それぞれ同
じ機能を有するので、説明を簡単にするために、照射ユ
ニット24Aのみについて述べる。図3において、光フ
ァイバー32A(32B)の端面を支持すると共にその
射出端の形状をスリット状に規定するファイバー枠40
と、光ファイバー32A(32B)から射出する光束の
進行方向を90°下方に折り曲げるミラー43と、光フ
ァイバー32A(32B)の射出端面を角形基板上に拡
大投影する投影対物レンズ44A(44B)と、光学斜
入射フォーカスセンサーとしての投光系46A(46
B)、受光系47A(47B)とで構成される。The irradiation units 24A and 24B will be described with reference to a schematic diagram of the irradiation unit shown in FIG. Since the irradiation units 24A and 24B have the same functions, only the irradiation unit 24A will be described for the sake of simplicity. In FIG. 3, a fiber frame 40 supporting the end face of the optical fiber 32A (32B) and defining the shape of the exit end thereof in a slit shape.
A mirror 43 that bends the traveling direction of the light beam emitted from the optical fiber 32A (32B) downward by 90 °; a projection objective lens 44A (44B) that enlarges and projects the exit end face of the optical fiber 32A (32B) onto a rectangular substrate; Projection system 46A (46) as an oblique incidence focus sensor
B) and a light receiving system 47A (47B).
【0019】そして、光ファイバー32A(32B)を
通過した不図示の光源部からの露光光は、ミラー43で
直角に折り曲げられ、投影対物レンズ44A(44B)
によって集光され、所定の結像面内に光ファイバー32
A(32B)の射出端面が照射領域SPとして投影され
る。投影対物レンズ44A(44B)とプレートPGと
の間隔を測定する光学斜入射フォーカスセンサーとして
の投光系46A(46B)は、投影対物レンズ44A
(44B)によって投影されたスリット状(またはピン
ホール状)の照射領域SP内に向けて、レジストに対す
る感度の低い光でスリット(ピンホール)像を形成する
ための光束BMをプレートPGへ斜めに照射する。受光
系47A(47B)は、光束BMのプレートPGでの反
射光束BRを受光し、その受光位置の変化を半導体素子
によるポジションセンサー等で検出することで、プレー
トPGのZ方向の変位(デフォーカス量)が検出でき
る。The exposure light from a light source (not shown) that has passed through the optical fiber 32A (32B) is bent at a right angle by a mirror 43, and is projected to a projection objective lens 44A (44B).
Is focused by the optical fiber 32 within a predetermined image plane.
The exit end face of A (32B) is projected as the irradiation area SP. The light projecting system 46A (46B) as an optical oblique incidence focus sensor for measuring the distance between the projection objective lens 44A (44B) and the plate PG includes a projection objective lens 44A.
A light beam BM for forming a slit (pinhole) image with light having low sensitivity to the resist is obliquely applied to the plate PG into the slit-shaped (or pinhole-shaped) irradiation area SP projected by (44B). Irradiate. The light receiving system 47A (47B) receives the reflected light beam BR of the light beam BM from the plate PG, and detects a change in the light receiving position with a position sensor or the like using a semiconductor element, thereby displacing the plate PG in the Z direction (defocusing). Amount) can be detected.
【0020】ここで、プレートPGの表面が投影対物レ
ンズ44A(44B)の最良結像面(光ファイバー32
A,32Bの射出端と共役な面)と合致したとすると、
プレートPGの表面には、投光系46A(46B)から
投影されたスリット(またはピンホール)像が投影対物
レンズ44A(44B)の最良結像面の位置に最もピン
ト良く結像し、同時に、反射光束BRを受けた受光系4
7A(47B)は、プレートPG上のスリット(または
ピンホール)像の再生像をポジションセンサーの受光面
上に形成する。Here, the surface of the plate PG is the best image forming plane (optical fiber 32) of the projection objective lens 44A (44B).
A, the plane conjugate with the exit end of 32B)
On the surface of the plate PG, a slit (or pinhole) image projected from the light projecting system 46A (46B) forms the best focus at the position of the best image plane of the projection objective lens 44A (44B). Light receiving system 4 receiving reflected light beam BR
7A (47B) forms a reproduced image of the slit (or pinhole) image on the plate PG on the light receiving surface of the position sensor.
【0021】そして、照射ユニット24A,24Bに
は、上述の投光系46A(46B)と受光系47A(4
7B)とが検出したプレートPGのZ方向の変位に基づ
いて、投影対物レンズ44A(44B)の先端からプレ
ートPGまでのZ方向の間隔を常に一定に保つように、
投影対物レンズ44A(44B)をZ方向に移動させる
オートフォーカス機構が設けられている。The irradiation units 24A and 24B have the above-mentioned light projecting system 46A (46B) and light receiving system 47A (4
7B), the distance in the Z direction from the tip of the projection objective lens 44A (44B) to the plate PG is always kept constant based on the displacement of the plate PG detected in the Z direction.
An auto focus mechanism for moving the projection objective lens 44A (44B) in the Z direction is provided.
【0022】また、投影対物レンズ44A(44B)
は、ズーム方式の光学系であるので、光ファイバー32
A(32B)の射出端の投影倍率を任意に設定できる。
すなわち、照射領域SPの大きさは、任意に拡大、また
は縮小できる。この照射領域SPの大きさは、周辺露光
すべき露光帯の幅の設定に基づいて、所定の大きさにな
るように、投影対物レンズ44A(44B)の倍率を制
御することで設定される。具体的には、まず、不図示で
はあるが、キーボード等の入力手段を介して、制御部に
周辺露光すべき露光帯の幅等の情報を入力する。そし
て、この制御部は、入力された露光帯の幅に基づいて、
プレートPG上に照射される照射領域SPの大きさを算
出し、光ファイバー32A(32B)の射出端の大きさ
が、算出された照射領域SPの大きさになるように、投
影対物レンズ44A(44B)の倍率を設定する。The projection objective lens 44A (44B)
Is an optical system of a zoom system,
The projection magnification of the exit end of A (32B) can be set arbitrarily.
That is, the size of the irradiation area SP can be arbitrarily enlarged or reduced. The size of the irradiation area SP is set by controlling the magnification of the projection objective lens 44A (44B) so as to have a predetermined size based on the setting of the width of the exposure band to be exposed peripherally. Specifically, first, although not shown, information such as the width of an exposure band to be subjected to peripheral exposure is input to the control unit via input means such as a keyboard. And this control unit, based on the width of the input exposure band,
The size of the irradiation area SP irradiated on the plate PG is calculated, and the projection objective lens 44A (44B) is set so that the size of the emission end of the optical fiber 32A (32B) becomes the calculated size of the irradiation area SP. ) Set the magnification.
【0023】ここで、投影対物レンズ44A(44B)
の入射側の開口数は、その変倍に伴って変化する。従っ
て、投影対物レンズ44A(44B)の開口数の変化に
よらずに、光ファイバー32A(32B)からの光束を
光量ロスなく投影対物レンズ44A(44B)に入射さ
せるためには、Here, the projection objective lens 44A (44B)
The numerical aperture on the entrance side changes with the magnification. Therefore, in order for the light beam from the optical fiber 32A (32B) to be incident on the projection objective lens 44A (44B) without loss of light amount regardless of the change in the numerical aperture of the projection objective lens 44A (44B),
【0024】[0024]
【数1】sinα≦sinθW を満足することが望ましい。但し、 sinα :光ファイバー32A(32B)の射出端の
開口数、 sinθW :投影対物レンズ44A(44B)の入射側
の最大開口数、 である。It is desirable that sin α ≦ sin θ W be satisfied. Where sin α is the numerical aperture at the exit end of the optical fiber 32A (32B), and sin θ W is the maximum numerical aperture on the incident side of the projection objective lens 44A (44B).
【0025】このとき、光ファイバー32A(32B)
の射出端の開口数と投影対物レンズ44A(44B)の
入射側の最大開口数とが上述の条件式から外れると、光
ファイバー32A(32B)からの光束が投影対物レン
ズ44A(44B)の有効径以上に広がって入射するた
めに、光量ロスを招き、好ましくない。さて、プレート
PG上のレジストに対する露光量は、プレートPG上に
照射される光の照度とその照射時間との積である。従っ
て、プレートPGの下面、またはミラー43の背面に照
度モニターを設けると共に、照度モニターで測定された
プレートPG上に照射される光の照度、または光ファイ
バー32A(32B)から射出する光の照度に基づいて
照射時間を設定するためにベース移動ユニット16の搬
送速度を制御する制御部を設けて、プレートPGの搬送
速度を設定しても良い。ここで、投影対物レンズ44A
(44B)の倍率が変化すると、それに伴って、投影対
物レンズ44A(44B)の開口数が変化する。従っ
て、ミラー43の背面に照度モニターを設けた場合に
は、測定された照度と現在の投影対物レンズ44A(4
4B)の開口数の値とに基づいて、プレートPGの搬送
速度を設定することが望ましい。At this time, the optical fiber 32A (32B)
When the numerical aperture at the exit end of the optical fiber and the maximum numerical aperture on the incident side of the projection objective lens 44A (44B) deviate from the above-mentioned conditional expression, the light beam from the optical fiber 32A (32B) becomes an effective diameter of the projection objective lens 44A (44B). Since the incident light spreads as described above, a light amount loss is caused, which is not preferable. The exposure amount of the resist on the plate PG is a product of the illuminance of light irradiated on the plate PG and the irradiation time. Therefore, an illuminance monitor is provided on the lower surface of the plate PG or on the back surface of the mirror 43, and based on the illuminance of light emitted on the plate PG measured by the illuminance monitor or the illuminance of light emitted from the optical fiber 32A (32B). A control unit for controlling the transfer speed of the base moving unit 16 for setting the irradiation time may be provided to set the transfer speed of the plate PG. Here, the projection objective lens 44A
When the magnification of (44B) changes, the numerical aperture of the projection objective lens 44A (44B) changes accordingly. Therefore, when an illuminance monitor is provided on the back of the mirror 43, the measured illuminance and the current projection objective lens 44A (4
It is desirable to set the transport speed of the plate PG based on the numerical aperture value of 4B).
【0026】次に、本実施例による代表的な周辺露光動
作の一例を図4を参照して説明する。図4において、プ
レートPGは、長方形をしており、最初にその長辺側を
露光するものとする。まず、露光帯EX1 ,EX2 のX
方向の間隔に見合わせて、スポット照射ユニット24
A,24Bの各照射領域SPa ,SPb が所定の位置に
なるように、スポット照射ユニット24A,24Bをコ
ラム30で移動させる。そして、露光帯EX1 ,EX2
のX方向の幅に見合わせて、各照射領域SPa ,SPb
とが所定の大きさになるように、投影対物レンズ44A
(44B)の倍率を設定する。Next, an example of a typical peripheral exposure operation according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 4, the plate PG has a rectangular shape, and its long side is exposed first. First, X of the exposure zones EX 1 and EX 2
The spot irradiation unit 24
The spot irradiation units 24A and 24B are moved by the column 30 so that the irradiation areas SPa and SPb of A and 24B are at predetermined positions. Then, the exposure zones EX 1 and EX 2
Corresponding to the width in the X direction of each of the irradiation areas SPa and SPb.
So that the projection objective lens 44A
The magnification of (44B) is set.
【0027】その後、投光系46A(46B)と受光系
47A(47B)とを用いて、プレートPGのY方向の
端部でオートフォーカスをかけながら、シャッター34
A(34B)を開き、ベース移動ユニット16をY方向
に所定速度で移動させ、露光帯EX1 ,EX2 の露光を
行なう。そして、このオートフォーカスは、プレートP
Gの平面性が悪い場合もあるので、周辺露光中には、常
時行うことが望ましい。Thereafter, using the light projecting system 46A (46B) and the light receiving system 47A (47B), the shutter 34 is automatically focused at the end in the Y direction of the plate PG.
A (34B) is opened, the base moving unit 16 is moved at a predetermined speed in the Y direction, and exposure of the exposure bands EX 1 and EX 2 is performed. And this autofocus is performed by the plate P
Since the flatness of G may be poor, it is desirable to always perform this during peripheral exposure.
【0028】次に、ターンテーブル14によってプレー
トPGを90°回転させた後に、プレートPGの短辺側
の露光帯EX3 ,EX4 について、同様のシーケンスで
露光を行なう。ここで、例えば、プレートPGをキャリ
ア1からプレートステージSTへ搬送するローディング
時に、プレートPGの長辺側の露光帯EX1 ,EX2 に
露光を行なう。そして、プレートステージST上で、ス
テッパーによる所定のマスクパターンの露光を行い、プ
レートステージSTからキャリア1へ搬送するアンロー
ディング時に、ターンテーブル14を90°回転させ
て、プレートPGの短辺側の露光帯EX3 ,EX4 に露
光を行うと、更にスループットが向上する。Next, after the plate PG is rotated by 90 ° by the turntable 14, the exposure zones EX 3 and EX 4 on the short side of the plate PG are exposed in the same sequence. Here, for example, during loading for transporting the plate PG from the carrier 1 to the plate stage ST, exposure is performed on the exposure bands EX 1 and EX 2 on the long side of the plate PG. Then, a predetermined mask pattern is exposed by a stepper on the plate stage ST, and the turntable 14 is rotated by 90 ° during unloading to transfer the carrier from the plate stage ST to the carrier 1 to expose the short side of the plate PG. Exposure of the bands EX 3 and EX 4 further improves the throughput.
【0029】以上のシーケンスからも明らかなように、
プレートPG上に形成される露光帯の位置や幅、及び方
向は、照射ユニット24A,24BのX方向の位置設
定、投影対物レンズ44A(44B)の倍率の設定、及
びターンテーブル14の90°回転の各組合せによっ
て、意図したものに出来る。また、プレートPGのY方
向のスキャンと90°回転との組合せ動作、あるいは、
Y方向のスキャンのみの動作は、原理的には何度でも繰
り返すことができる。As is clear from the above sequence,
The position, width and direction of the exposure band formed on the plate PG are set in the X direction of the irradiation units 24A and 24B, the magnification of the projection objective lens 44A (44B) is set, and the turntable 14 is rotated by 90 °. Can be made as intended by each combination of Also, a combined operation of scanning the plate PG in the Y direction and rotating by 90 °, or
The operation of scanning only in the Y direction can be repeated in principle any number of times.
【0030】この照射ユニット24A,24Bを用いた
プレートPGの周辺露光は、基本的にはベース移動ユニ
ット16の一次元(Y方向)移動によって行われる。も
ちろん、図1のようにアーム10がY方向に移動するよ
うな状態では、アーム10のY方向移動によっても周辺
露光が可能である。ところが、図1の位置からターンテ
ーブル14を90°回転させた状態では、アーム10単
体の移動によってはプレートPGをY方向に移動させる
ことができないので、そのときにはベース移動ユニット
16のY方向移動のみで周辺露光が行われる。そして、
ベース移動ユニット16の移動ストロークは、プレート
PGの一辺の全長を露光する場合を考慮して、プレート
PGの最大の辺の長さ以上に定められている。The peripheral exposure of the plate PG using the irradiation units 24A and 24B is basically performed by one-dimensional (Y-direction) movement of the base moving unit 16. Of course, in a state where the arm 10 moves in the Y direction as shown in FIG. 1, peripheral exposure can be performed by moving the arm 10 in the Y direction. However, in a state where the turntable 14 is rotated by 90 ° from the position shown in FIG. 1, the plate PG cannot be moved in the Y direction by the movement of the arm 10 alone. Performs peripheral exposure. And
The moving stroke of the base moving unit 16 is set to be equal to or longer than the length of the largest side of the plate PG in consideration of the case where the entire length of one side of the plate PG is exposed.
【0031】そして、図1の構成からも明らかである
が、ターンテーブル14を図1の状態から90°以外の
任意の角度だけ回転させてから、ベース移動ユニット1
6によってプレートPGの搬送を行いつつ周辺露光を行
うと、プレートPG上の露光帯を斜めに形成することが
できる。さらに、ベース移動ユニット16によるプレー
トPGの搬送と同時に照射ユニット24A,24Bの少
なくとも一方をX方向へ移動させると、プレートPG上
に斜めの露光帯を形成できる。As is apparent from the configuration shown in FIG. 1, the turntable 14 is rotated from the state shown in FIG.
When the peripheral exposure is performed while the plate PG is being transported by 6, the exposure band on the plate PG can be formed obliquely. Further, when at least one of the irradiation units 24A and 24B is moved in the X direction at the same time as the transfer of the plate PG by the base moving unit 16, an oblique exposure band can be formed on the plate PG.
【0032】また、周辺露光によって形成される露光帯
は、プレートPGの各辺の長さよりも短くすることもあ
る。その場合は、露光帯の長さや、プレートPG上の露
光帯の配置を正確に管理する必要があるので、ベース移
動ユニット16には、プレートPGの搬送距離を測定す
るエンコーダー等の測長器を設けることが望ましい。こ
こで、プレートPGの搬送距離を測定すると共に、プレ
ートPG上の照射領域の大きさを変化させると、例え
ば、図5に斜線で示すように、異なる幅の露光帯を、分
断された状態で形成することができる。Further, the exposure band formed by the peripheral exposure may be shorter than the length of each side of the plate PG. In this case, it is necessary to accurately manage the length of the exposure band and the arrangement of the exposure band on the plate PG. Therefore, the base moving unit 16 includes a length measuring device such as an encoder for measuring the transport distance of the plate PG. It is desirable to provide. Here, when the transport distance of the plate PG is measured and the size of the irradiation area on the plate PG is changed, for example, as shown by hatching in FIG. Can be formed.
【0033】また、光ファイバー32A(32B)の射
出端を回転させるか、若しくは光ファイバー32A(3
2B)と投影対物レンズ44A(44B)との間にイメ
ージローテーターを設けて、プレートPG上の照射領域
を回転させることにより、露光帯の幅を可変にできる。
このときは、図6に示すように、破線で示される回転前
の局所的な露光領域SP1 のX方向の幅をd、Y方向の
幅をhとすると、実線で示される回転角ωだけ回転した
後の局所的な露光領域SP2 のX方向の幅Dは、Further, the output end of the optical fiber 32A (32B) is rotated or the optical fiber 32A (3B
By providing an image rotator between 2B) and the projection objective lens 44A (44B) and rotating the irradiation area on the plate PG, the width of the exposure band can be changed.
In this case, as shown in FIG. 6, the local width of the X direction of the exposure area SP 1 before rotation indicated by the dashed line d, the width in the Y direction when is h, only the rotation angle ω shown by a solid line The width D in the X direction of the local exposure area SP 2 after rotation is
【0034】[0034]
【数2】D=d・cosω+h・sinω となる。従って、プレートPG上に形成される帯状の露
光領域の幅は、局所的な露光領域のX方向の幅Dである
ので、光ファイバーの射出端を回転させて投影しても、
帯状の露光領域の幅を可変にできる。このときは、投影
対物レンズ44A(44B)の倍率を変化させなくても
プレートPG上の露光帯の幅が可変になるが、投影対物
レンズ44A(44B)の倍率変化と組み合わせること
によって、投影対物レンズの変倍比を上げることなく、
露光帯の幅の調節の範囲を広げることができる。## EQU2 ## D = d.cos.omega. + H.sin.omega. Therefore, since the width of the strip-shaped exposure region formed on the plate PG is the local width D of the exposure region in the X direction, even when the optical fiber exit end is rotated and projected,
The width of the belt-shaped exposure region can be made variable. In this case, the width of the exposure band on the plate PG can be changed without changing the magnification of the projection objective 44A (44B). Without increasing the zoom ratio of the lens,
The range of adjustment of the width of the exposure zone can be widened.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、角形基
板の搬送と周辺露光とを同時に行っているので、スルー
プットの低下を招くことなく、周辺露光を実現できる。
また、角形基板上の任意の位置、及び任意の幅で、互い
に直交する方向に延びた複数の露光帯を形成することが
できるので、角形基板上に形成される本来のマスクパタ
ーンの露光領域の外形や配置がどのようなものであって
も、そのマスクパターンの露光領域外を確実に露光させ
ることができる。As described above, according to the present invention, since the transfer of the rectangular substrate and the peripheral exposure are performed at the same time, the peripheral exposure can be realized without lowering the throughput.
Further, since a plurality of exposure bands extending in directions orthogonal to each other can be formed at an arbitrary position and an arbitrary width on the rectangular substrate, the exposure region of the original mask pattern formed on the rectangular substrate can be formed. Irrespective of the outer shape and the arrangement, it is possible to surely expose the mask pattern outside the exposure area.
【図1】本発明による実施例の模式図。FIG. 1 is a schematic view of an embodiment according to the present invention.
【図2】本発明による実施例の周辺露光光学系の模式
図。FIG. 2 is a schematic view of a peripheral exposure optical system according to an embodiment of the present invention.
【図3】本発明による実施例の照射ユニットの構成を示
す模式図。FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration of an irradiation unit according to an embodiment of the present invention.
【図4】本発明による実施例によるプレート周辺露光の
代表的な動作を示す図。FIG. 4 is a view showing a typical operation of plate peripheral exposure according to an embodiment of the present invention.
【図5】プレート上に、異なる方向、異なる幅で複数の
露光帯を形成する例を示す図。FIG. 5 is a diagram showing an example in which a plurality of exposure zones are formed on a plate in different directions and different widths.
【図6】照射領域の回転によって、露光帯の幅を変化さ
せる原理を示す平面図。FIG. 6 is a plan view showing the principle of changing the width of an exposure band by rotating an irradiation area.
【図7】従来例を示す平面図。FIG. 7 is a plan view showing a conventional example.
10 ‥‥アーム 14 ‥‥ターンテーブル 16 ‥‥ベース移動ユニット 24A ‥‥スポット照射ユニット 24B ‥‥スポット照射ユニット 30 ‥‥コラム 32A ‥‥光ファイバー 32B ‥‥光ファイバー 40 ‥‥ファイバー枠 44A ‥‥スポット照射用の投影対物レンズ 44B ‥‥スポット照射用の投影対物レンズ SP ‥‥スポット照射領域 PG ‥‥プレート ST ‥‥ステージ PC1 ‥‥基板保管部 PC2 ‥‥基板保管部 10 Arm 14 Turntable 16 Base moving unit 24A Spot irradiation unit 24B Spot irradiation unit 30 Column 32A Optical fiber 32B Optical fiber 40 Fiber frame 44A Spot irradiation Projection objective lens 44B 投影 Projection objective lens for spot irradiation SP ‥‥ Spot irradiation area PG ‥‥ Plate ST ‥‥ Stage PC1 ‥‥ Substrate storage unit PC2 ‥‥ Substrate storage unit
Claims (5)
所定のマスクパターンの露光領域外を露光する周辺露光
装置において、 該周辺露光装置は、基板保管部から前記露光装置の露光
用ステージに向けて前記角形基板を1次元的に搬送する
1次元搬送機構と前記角形基板をほぼ90°回転させる
回転機構とを含む搬送手段と; 該搬送手段により前記角形基板が1次元的に搬送される
搬送路中に、前記角形基板上の前記所定のマスクパター
ンの露光領域外を局所的に露光する周辺露光光学系と;
を有し、 該周辺露光光学系は、露光光を供給する光源と、該光源
からの光を前記角形基板へ導くためのライトガイド手段
と、該ライトガイド手段の射出端面を前記角形基板上に
投影する倍率可変な投影光学系と、該投影光学系と前記
射出端面とを一体に前記1次元搬送機構による搬送方向
と直交する方向に移動させる露光位置変更手段とを有
し、 前記周辺露光光学系による露光は前記角形基板の前記1
次元的な搬送中に行われる ことを特徴とする周辺露光装
置。 1. A peripheral exposure apparatus for exposing an outside of an exposure area of a predetermined mask pattern formed on a rectangular substrate by an exposure apparatus, wherein the peripheral exposure apparatus directs from a substrate storage section to an exposure stage of the exposure apparatus. Transport means including a one-dimensional transport mechanism for transporting the rectangular substrate one-dimensionally and a rotating mechanism for rotating the rectangular substrate approximately 90 °; transport wherein the rectangular substrate is transported one-dimensionally by the transport means A peripheral exposure optical system for locally exposing an outside of an exposure area of the predetermined mask pattern on the square substrate in a path;
Having a light source for supplying exposure light, light guide means for guiding light from the light source to the rectangular substrate, and an emission end face of the light guide means on the rectangular substrate. A projection optical system having a variable magnification for projection; and an exposure position changing means for integrally moving the projection optical system and the exit end face in a direction orthogonal to a transport direction by the one-dimensional transport mechanism.
And, exposure by the peripheral exposure optical system is the one of the rectangular substrate
A peripheral exposure apparatus, which is performed during dimensional conveyance .
所定のマスクパターンの露光領域外を露光する周辺露光Peripheral exposure that exposes outside the exposure area of the specified mask pattern
装置において、In the device, 該周辺露光装置は、前記角形基板を1次元的に移動させThe peripheral exposure apparatus moves the rectangular substrate one-dimensionally.
る1次元移動手段と;One-dimensional moving means; 前記角形基板をほぼ90°回転させる回転手段と;Rotating means for rotating the rectangular substrate by approximately 90 °; 前記一次元移動手段による前記角形基板の移動軌跡中にIn the movement locus of the rectangular substrate by the one-dimensional moving means,
露光用照明光の照射領域が配置され、前記角形基板上のThe irradiation area of the illumination light for exposure is arranged, on the square substrate
前記マスクのパターンの露光領域外を局所的に露光するLocally exposing an area outside the exposure area of the mask pattern
周辺露光手段と;Peripheral exposure means; 該周辺露光手段による局所的な照射領域を、前記一次元The local irradiation area by the peripheral exposure means is
移動の方向と直交する方向に関して変更する露光位置変Exposure position change that changes in the direction orthogonal to the direction of movement
更手段と;を備え、And further means; 前記一次元移動手段により前記角形基板を移動させつつWhile moving the rectangular substrate by the one-dimensional moving means
前記周辺露光手段による局所的な露光を行うことによっBy performing local exposure by the peripheral exposure means,
て前記角形基板上に一方向に延びた第1の帯状露光領域A first strip exposure area extending in one direction on the square substrate
を形成し、前記回転手段によって前記角形基板を回転さAnd rotating the square substrate by the rotating means.
せてから前記一次元移動手段により前記角形基板を移動And then move the rectangular substrate by the one-dimensional moving means
させることによって前記角形基板上に前By letting it go on the square substrate 記一方向とほぼAlmost one direction
直交する方向に延びた第2の帯状露光領域を形成するこForming a second strip-shaped exposure area extending in a direction orthogonal to
とを特徴とする角形基板の露光装置。And an exposure apparatus for a rectangular substrate.
光源と、該光源からの光を前記角形基板へ導くためのラA light source; and a laser for guiding light from the light source to the rectangular substrate.
イトガイド手段と、該ライトガイド手段の射出端面を前Light guide means and the exit end face of the light guide means.
記角形基板上に投影する倍率可変な投影光学系とを有It has a variable magnification projection optical system that projects onto a square substrate.
し、And 前記露光位置変更手段は、前記投影光学系と前記射出端The exposure position changing unit includes: the projection optical system;
面とを一体に前記1次元搬送機構による搬送方向と直交The surface and the direction perpendicular to the transport direction by the one-dimensional transport mechanism
する方向に移動させることを特徴とする請求項2記載の3. The moving device according to claim 2, wherein
角形基板の露光装置。Exposure equipment for square substrates.
所定のマスクパターンの露光領域外を露光する周辺露光Peripheral exposure that exposes outside the exposure area of the specified mask pattern
方法において、In the method, 前記角形基板を1次元的に移動させつつ、前記角形基板While moving the rectangular substrate one-dimensionally, the rectangular substrate
上の前記露光領域とは異なる領域を局所的に露光するこLocally exposing an area different from the above exposure area.
とによって、前記角形基板上の一方向に延びた第1の帯A first band extending in one direction on the rectangular substrate
状露光領域を形成する工程と;Forming a linear exposure area; 前記角形基板を回転させる工程と;Rotating the rectangular substrate; 前記角形基板を回転させた後に、前記角形基板を1次元After rotating the square substrate, the square substrate is
的に移動させつつ、前記角形基板上の前記露光領域とはWhile moving the exposure area, the exposure area on the square substrate is
異なる領域を局所的に露光することによって、前記一方By locally exposing different areas,
向とほぼ直交する方向に延びた第2の帯状露光領域を形A second strip-shaped exposure area extending in a direction substantially orthogonal to the
成する工程と;を備えることを特徴とする角形基板の露Exposing the rectangular substrate.
光方法。Light method.
では、前記一方向に延びた複数の帯状露光領域を形成Now, a plurality of strip-shaped exposure regions extending in one direction are formed.
し、And 前記第2の帯状露光領域を形成する工程では、前記一方In the step of forming the second band-shaped exposure area,
向とほぼ直交する方向に延びた複数の帯状露光領域を形A plurality of strip-shaped exposure areas extending in a direction
成することを特徴とする請求項4に記載の角形基板の露The exposure of the rectangular substrate according to claim 4, wherein
光方法。Light method.
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