JP3173025B2 - 露光方法及び半導体素子の製造方法 - Google Patents
露光方法及び半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JP3173025B2 JP3173025B2 JP5067191A JP5067191A JP3173025B2 JP 3173025 B2 JP3173025 B2 JP 3173025B2 JP 5067191 A JP5067191 A JP 5067191A JP 5067191 A JP5067191 A JP 5067191A JP 3173025 B2 JP3173025 B2 JP 3173025B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- pattern
- exposure
- mask
- shift film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子製造用の露光
装置に好適な露光方法及び半導体素子の製造方法に関
し、特に所謂位相シフト法を利用してレチクル面上（マ
スク面上）に形成した電子回路パターンを投影レンズを
介して或いは直接ウエハ面上に投影露光する所謂ステッ
パーや露光装置に好適なものである。
装置に好適な露光方法及び半導体素子の製造方法に関
し、特に所謂位相シフト法を利用してレチクル面上（マ
スク面上）に形成した電子回路パターンを投影レンズを
介して或いは直接ウエハ面上に投影露光する所謂ステッ
パーや露光装置に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子製造技術の進展は近年益々、
加速度を増しており、それに伴なって微細加工技術は現
在１ＭＤＲＡＭを境にサブミクロンの領域にまで進展し
てきている。微細加工技術によりウエハ面上に形成する
投影パターンの解像力を向上させる一方法として露光光
の波長を固定にして投影光学系のＮＡ（開口数）を大き
くしていく方法がある。
加速度を増しており、それに伴なって微細加工技術は現
在１ＭＤＲＡＭを境にサブミクロンの領域にまで進展し
てきている。微細加工技術によりウエハ面上に形成する
投影パターンの解像力を向上させる一方法として露光光
の波長を固定にして投影光学系のＮＡ（開口数）を大き
くしていく方法がある。
【０００３】この方法はある程度まで解像力は向上する
が一般に投影光学系の焦点深度がＮＡの２乗に反比例し
てくる為、サブミクロンまでの高解像力を得ようとする
と焦点深度が浅くなり、ＮＡを大きくした分解像力を向
上させるのが難しくなってくる。
が一般に投影光学系の焦点深度がＮＡの２乗に反比例し
てくる為、サブミクロンまでの高解像力を得ようとする
と焦点深度が浅くなり、ＮＡを大きくした分解像力を向
上させるのが難しくなってくる。
【０００４】又、高解像力化を図る他の一方法として波
長の短い光、例えばエキシマレーザに代表される光源か
らの光を用いる方法がある。
長の短い光、例えばエキシマレーザに代表される光源か
らの光を用いる方法がある。
【０００５】この他、最近では高解像力化を図る方法と
して所謂位相シフト法を適用した位相シフトマスクを用
いる方法があり、例えば特公昭６２−５０８１１号公
報、日経マイクロデバイス、１９９０年７月号１０８頁
そしてＩＥＥＥ（ＶＯＬ．ＥＤ−２９．Ｎｏ１２，１９
８２）等で種々と提案されている。
して所謂位相シフト法を適用した位相シフトマスクを用
いる方法があり、例えば特公昭６２−５０８１１号公
報、日経マイクロデバイス、１９９０年７月号１０８頁
そしてＩＥＥＥ（ＶＯＬ．ＥＤ−２９．Ｎｏ１２，１９
８２）等で種々と提案されている。
【０００６】この方法は従来のマスクパターンを形成す
る透明パターン部の一部に通過光束に例えば１８０度の
位相差を付与する透明薄膜（位相シフト膜）を形成し、
これによりマスクパターンの解像力及びコントラストを
向上させる方法である。投影光学系の解像力ＲＰは波長
をλ、係数をｋ1 とすると一般に ＲＰ＝Ｋ1 ・λ／ＮＡ で示される。係数Ｋ1 は通常のマスクを用いた場合はＫ
1 ＝０．７〜０．８である。これに対して位相シフト法
を用いると係数Ｋ1 はＫ1 ＝０．３５程度となり、解像
力を大幅に向上させることができる。
る透明パターン部の一部に通過光束に例えば１８０度の
位相差を付与する透明薄膜（位相シフト膜）を形成し、
これによりマスクパターンの解像力及びコントラストを
向上させる方法である。投影光学系の解像力ＲＰは波長
をλ、係数をｋ1 とすると一般に ＲＰ＝Ｋ1 ・λ／ＮＡ で示される。係数Ｋ1 は通常のマスクを用いた場合はＫ
1 ＝０．７〜０．８である。これに対して位相シフト法
を用いると係数Ｋ1 はＫ1 ＝０．３５程度となり、解像
力を大幅に向上させることができる。
【０００７】このような解像力の向上はドラスティック
なものであり、従来の光リソグラフィの限界を広げるも
のとして注目されている。
なものであり、従来の光リソグラフィの限界を広げるも
のとして注目されている。
【０００８】位相シフトマスクには種々のタイプのもの
があり、例えば比較的効果の高いものとして空間周波数
変換型（Ｌｅｖｅｎｓｏｎタイプ）と呼ばれるものがあ
る。
があり、例えば比較的効果の高いものとして空間周波数
変換型（Ｌｅｖｅｎｓｏｎタイプ）と呼ばれるものがあ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】空間周波数変換型の位
相シフトマスクは位相シフト効果が良好で比較的容易に
高解像力化を図ることができるが （イ），位相シフト膜を付けれないパターンが存在する
こと （ロ），（イ）に関連してネガ型レジストを使用せざる
を得ないこと等の問題点があった。
相シフトマスクは位相シフト効果が良好で比較的容易に
高解像力化を図ることができるが （イ），位相シフト膜を付けれないパターンが存在する
こと （ロ），（イ）に関連してネガ型レジストを使用せざる
を得ないこと等の問題点があった。
【００１０】図８は位相シフト膜を付けることができな
いパターンの一例である。同図において斜線で示した領
域８１は不透明領域、白い領域８２は透明領域である。
このような連続パターンの場合には位相シフト膜を例え
ば領域８３に付けるが、位相シフト膜を付けた領域８３
と位相シフト膜を付けていない透明領域の境界Ｂで光強
度が０となる境界線が現われ、パターン像を歪ませてし
まう。
いパターンの一例である。同図において斜線で示した領
域８１は不透明領域、白い領域８２は透明領域である。
このような連続パターンの場合には位相シフト膜を例え
ば領域８３に付けるが、位相シフト膜を付けた領域８３
と位相シフト膜を付けていない透明領域の境界Ｂで光強
度が０となる境界線が現われ、パターン像を歪ませてし
まう。
【００１１】これに対して多段の位相シフト膜を設けて
このような境界線の発生を防止する方法が応用物理学会
秋期講演会予稿集、４９１頁、１９９０年で提案されて
いる。
このような境界線の発生を防止する方法が応用物理学会
秋期講演会予稿集、４９１頁、１９９０年で提案されて
いる。
【００１２】しかしながらこの方法は作成が大変面倒で
あり、又余分な工程を経なければならないといった問題
点があった。
あり、又余分な工程を経なければならないといった問題
点があった。
【００１３】本発明は歪みのないパターン像が容易に得
られる露光方法及び半導体素子の製造方法の提供を目的
とする。
られる露光方法及び半導体素子の製造方法の提供を目的
とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、空間周波数変
換型の位相シフトマスクを用いてウエハ上のポジレジス
トをラインアンドスペースのパターンで露光する方法に
おいて、前記位相シフトマスクは位相シフト膜が施され
た領域をクロームパターンで囲んだマスクであり、前記
ラインアンドスペースが繰り返される方向と直交する方
向に関して前記位相シフトマスクと前記ウエハの位置関
係を変えて多重露光を行なうことを特徴としている。
換型の位相シフトマスクを用いてウエハ上のポジレジス
トをラインアンドスペースのパターンで露光する方法に
おいて、前記位相シフトマスクは位相シフト膜が施され
た領域をクロームパターンで囲んだマスクであり、前記
ラインアンドスペースが繰り返される方向と直交する方
向に関して前記位相シフトマスクと前記ウエハの位置関
係を変えて多重露光を行なうことを特徴としている。
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】本発明によれば、位相シフト効果を何ら損
なうことなく位相シフト膜の境界線を除去している。こ
の結果、従来問題となっていたパターンに対する制約も
ない。
なうことなく位相シフト膜の境界線を除去している。こ
の結果、従来問題となっていたパターンに対する制約も
ない。
【００２５】
【実施例】図１は位相シフトマスク１０のパターンの概
略図である。図１のパターンは従来よりポジレジストで
は困難とされていた図８と同様のパターンに対して位相
シフト膜を施した場合を示している。
略図である。図１のパターンは従来よりポジレジストで
は困難とされていた図８と同様のパターンに対して位相
シフト膜を施した場合を示している。
【００２６】図中ハッチングした領域２が不透明のクロ
ムパターンであり、それを取囲む空白の領域１１がガラ
ス等の透過部を示している。このように透過部がつなが
っているパターンを用いた場合には前述した理由により
従来では位相シフト膜を付けることができなかった。
ムパターンであり、それを取囲む空白の領域１１がガラ
ス等の透過部を示している。このように透過部がつなが
っているパターンを用いた場合には前述した理由により
従来では位相シフト膜を付けることができなかった。
【００２７】この位相シフトマスクは領域１１のうち透
過部の領域３に位相シフト膜を施し、ｘ方向の断面にお
いて位相シフト膜の効果を得ている。
過部の領域３に位相シフト膜を施し、ｘ方向の断面にお
いて位相シフト膜の効果を得ている。
【００２８】図２は図１の位相シフト膜３を施した位相
シフトマスク１０の線分Ａ上を含む紙面に垂直な断面に
ついての概略図である。図中１はガラス基板、２は不透
明のクロムパターン、３は透明部１１の一部に設けた位
相シフト膜である。
シフトマスク１０の線分Ａ上を含む紙面に垂直な断面に
ついての概略図である。図中１はガラス基板、２は不透
明のクロムパターン、３は透明部１１の一部に設けた位
相シフト膜である。
【００２９】図３は図１に示す位相シフトマスク１０を
通常の露光方法に従い露光した時のポジ型レジスト面上
に形成されるパターン像（レジスト像）の説明図であ
る。図３中、斜線で示した領域１２は光が当たらずその
結果レジストが残っている領域である。図３において、
線分Ａに沿った方向に関しては位相シフト膜の効果でラ
イン＆スペースパターンの解像力が向上しているが、位
相シフト膜１０を施した透明部と位相シフト膜を施して
いない透明部の境界Ｂでは位相シフト膜の端部の形状
（境界Ｂの形状）に対応した本来必要ではない線Ｂａが
形成されている。
通常の露光方法に従い露光した時のポジ型レジスト面上
に形成されるパターン像（レジスト像）の説明図であ
る。図３中、斜線で示した領域１２は光が当たらずその
結果レジストが残っている領域である。図３において、
線分Ａに沿った方向に関しては位相シフト膜の効果でラ
イン＆スペースパターンの解像力が向上しているが、位
相シフト膜１０を施した透明部と位相シフト膜を施して
いない透明部の境界Ｂでは位相シフト膜の端部の形状
（境界Ｂの形状）に対応した本来必要ではない線Ｂａが
形成されている。
【００３０】従来この余分な線Ｂａが互いに離れている
べき領域１２を連絡してしまうようなパターンに対して
は位相シフト膜を施すことができなかった。
べき領域１２を連絡してしまうようなパターンに対して
は位相シフト膜を施すことができなかった。
【００３１】一般に図１のようなパターンは位相シフト
膜を適用する場合の最も典型的なパターンであると考え
られ、図３の領域１２の線と線Ｂａとの関係も、互いに
直交する関係にある場合が多い。
膜を適用する場合の最も典型的なパターンであると考え
られ、図３の領域１２の線と線Ｂａとの関係も、互いに
直交する関係にある場合が多い。
【００３２】そこで本実施例では多重露光を行なうこと
によって線分Ａに沿った方向の解像力に関する位相シフ
ト効果を温存しつつ、余分な線分Ｂａを消去している。
によって線分Ａに沿った方向の解像力に関する位相シフ
ト効果を温存しつつ、余分な線分Ｂａを消去している。
【００３３】即ち、ここでは図１のような位相シフトパ
ターンに関して第１回目の露光を行なった後に所定量ｙ
方向にウエハとパターンの相対的位置をずらし、然る後
に再度露光をかけることを特徴としている。ずらす方向
は余分な線Ｂａが延びる方向と直交するｙ方向である。
このｙ方向は実際に位相シフト膜の効果で解像力を向上
させたパターンの空間周波数の高いｘ方向と直交する方
向である。
ターンに関して第１回目の露光を行なった後に所定量ｙ
方向にウエハとパターンの相対的位置をずらし、然る後
に再度露光をかけることを特徴としている。ずらす方向
は余分な線Ｂａが延びる方向と直交するｙ方向である。
このｙ方向は実際に位相シフト膜の効果で解像力を向上
させたパターンの空間周波数の高いｘ方向と直交する方
向である。
【００３４】図４は図１の位相シフトマスク１０を露光
したときに形成される図１の線分Ｃの断面における像の
光強度分布の説明図である。図４は図１におけるパラメ
ータａ，ｂをそれぞれａ＝２０μｍ、ｂ＝５μｍとした
時、投影系がｉ線でＮＡ０．５、照明系のσ０．５とい
う系で得られる像強度分布を示している。縦軸は任意ユ
ニットで書いた光の強度Ｉ、横軸は像面上の位置であ
る。又図４には像強度分布に重ねあわせて元のチャート
の振幅分布も記している。光の強度分布は位相シフト膜
の境界Ｂの存在しているところで位相の反転に伴なう強
度の急激な落ちがあり、後はフラットとなっている。従
来の露光装置では強度の急激なこの落ちの存在のために
位相シフト膜を設定できなかった。
したときに形成される図１の線分Ｃの断面における像の
光強度分布の説明図である。図４は図１におけるパラメ
ータａ，ｂをそれぞれａ＝２０μｍ、ｂ＝５μｍとした
時、投影系がｉ線でＮＡ０．５、照明系のσ０．５とい
う系で得られる像強度分布を示している。縦軸は任意ユ
ニットで書いた光の強度Ｉ、横軸は像面上の位置であ
る。又図４には像強度分布に重ねあわせて元のチャート
の振幅分布も記している。光の強度分布は位相シフト膜
の境界Ｂの存在しているところで位相の反転に伴なう強
度の急激な落ちがあり、後はフラットとなっている。従
来の露光装置では強度の急激なこの落ちの存在のために
位相シフト膜を設定できなかった。
【００３５】この強度の落ちこみ量をウエハをずらして
多重露光を行なうことにより補正できる。ここで実際に
露光を行なう場合、レジストが現像処理後十分な量だけ
残る露光量を例えば０．５とし、強度Ｉ＝０．５のとこ
ろでの強度分布の幅を図のように２αとすると、簡単の
ため位相シフト膜の丁度エッジでの強度を近似的に０と
すれば、ずらし量はα以上であることが望ましい。
多重露光を行なうことにより補正できる。ここで実際に
露光を行なう場合、レジストが現像処理後十分な量だけ
残る露光量を例えば０．５とし、強度Ｉ＝０．５のとこ
ろでの強度分布の幅を図のように２αとすると、簡単の
ため位相シフト膜の丁度エッジでの強度を近似的に０と
すれば、ずらし量はα以上であることが望ましい。
【００３６】このようにすれば、従来の方法では位相シ
フト膜のところで生じる特異点的な光強度０となる箇所
にも光が入射するようになり、レジストが感光されて、
位相シフト膜の跡を消去することができる。ずらし量は
勿論レジストのプロセス条件等によって変わるが、最低
必要なずらし量は光の強度分布、例えば図４に示した強
度分布の落ちが対応している線像強度分布の広がりに対
応して設定している。ずらし量をα以上としたことは線
像強度分布の半分以上のずれが必要となることに対応し
ている。
フト膜のところで生じる特異点的な光強度０となる箇所
にも光が入射するようになり、レジストが感光されて、
位相シフト膜の跡を消去することができる。ずらし量は
勿論レジストのプロセス条件等によって変わるが、最低
必要なずらし量は光の強度分布、例えば図４に示した強
度分布の落ちが対応している線像強度分布の広がりに対
応して設定している。ずらし量をα以上としたことは線
像強度分布の半分以上のずれが必要となることに対応し
ている。
【００３７】図５は本発明に基づいて図１のパターンを
ｙ方向にΔだけずらして多重露光を行なった例を模式的
に示した説明図である。ここではずれ量ΔをΔ＝２αと
している。従来の露光方法では図３に示すような余分な
線分Ｂａを有したパターン像が得られるが、ここでは、
図６に示すような元のパターンと同様のパターン像が得
られる。
ｙ方向にΔだけずらして多重露光を行なった例を模式的
に示した説明図である。ここではずれ量ΔをΔ＝２αと
している。従来の露光方法では図３に示すような余分な
線分Ｂａを有したパターン像が得られるが、ここでは、
図６に示すような元のパターンと同様のパターン像が得
られる。
【００３８】尚、図１のパターンを焼き付けた時の実際
に得られるパターン像は図６のようになっている。即ち
パターンをずらした結果、パターンシフトが生じ ａ→ａ＋Δ ｂ→ｂ−Δ というずれが生じる。この変換差はずらし方向のみに起
こり、＋方向にずれるか−方向にずれるかは空白部を囲
んでいるパターンであるか（この場合＋）、逆に囲まれ
ているパターンであるか（この場合−）によって定ま
る。あらかじめレジストプロセス条件やステッパー側の
光学系の条件よりずらしの量と方向さえ定めておけば、
最終的に生じる焼き付けパターンの原マスクからのシフ
トが＋方向か−方向かはＩＣパターンレイアウトの時に
位相幾何学的に容易に定めることができる。
に得られるパターン像は図６のようになっている。即ち
パターンをずらした結果、パターンシフトが生じ ａ→ａ＋Δ ｂ→ｂ−Δ というずれが生じる。この変換差はずらし方向のみに起
こり、＋方向にずれるか−方向にずれるかは空白部を囲
んでいるパターンであるか（この場合＋）、逆に囲まれ
ているパターンであるか（この場合−）によって定ま
る。あらかじめレジストプロセス条件やステッパー側の
光学系の条件よりずらしの量と方向さえ定めておけば、
最終的に生じる焼き付けパターンの原マスクからのシフ
トが＋方向か−方向かはＩＣパターンレイアウトの時に
位相幾何学的に容易に定めることができる。
【００３９】これは従来問題となっていたマスク作成の
際のＣＡＤの問題を大きく改善するもので、ＣＡＤによ
るパターンの自動発生をコンピュータの大きな負荷無し
に実行できるという大きなメリットを持っている。
際のＣＡＤの問題を大きく改善するもので、ＣＡＤによ
るパターンの自動発生をコンピュータの大きな負荷無し
に実行できるという大きなメリットを持っている。
【００４０】又、この場合位相シフト膜の効果があらわ
れる方向であるｘ方向、即ち線分Ａの断面では解像力の
劣化は全く起こっていない。
れる方向であるｘ方向、即ち線分Ａの断面では解像力の
劣化は全く起こっていない。
【００４１】以上説明した方法によれば、従来大きな問
題となっていた位相シフト膜に対する制約を殆ど除去す
ることが可能となる。ずらす方向に対する解像にはずら
し量Δに対応する制限が発生するが、これはパターン設
計上の工夫で配慮できる。従って半導体素子を製作する
際、位相シフトマスクを必要とする各レイアーのパター
ンの設計に対し主となる解像方向を決め、それに応じて
位相シフト膜を配置し、露光の際にずらして多重露光を
行なえば全体としてパターン像の微細化を容易に実現す
ることができる。
題となっていた位相シフト膜に対する制約を殆ど除去す
ることが可能となる。ずらす方向に対する解像にはずら
し量Δに対応する制限が発生するが、これはパターン設
計上の工夫で配慮できる。従って半導体素子を製作する
際、位相シフトマスクを必要とする各レイアーのパター
ンの設計に対し主となる解像方向を決め、それに応じて
位相シフト膜を配置し、露光の際にずらして多重露光を
行なえば全体としてパターン像の微細化を容易に実現す
ることができる。
【００４２】尚、以上はずらしを実際に行なう手段とし
て実際に露光の行なわれるウエハを動かして露光を行な
うことを示したが、本発明の骨子は露光物と被露光物の
相対的位置関係を変えれば実現できる。例えばウエハ側
を固定しておいて位相シフトマスク側を動かしても全く
同一の効果が得られる。この場合ずらし方向は同一であ
り、又ずらし量に投影光学系の倍率がかかるのは当然で
ある。
て実際に露光の行なわれるウエハを動かして露光を行な
うことを示したが、本発明の骨子は露光物と被露光物の
相対的位置関係を変えれば実現できる。例えばウエハ側
を固定しておいて位相シフトマスク側を動かしても全く
同一の効果が得られる。この場合ずらし方向は同一であ
り、又ずらし量に投影光学系の倍率がかかるのは当然で
ある。
【００４３】又、本発明の実施例１では２回の多重露光
で位相シフト膜の影響による境界線を消去した場合を示
したが、これをもっと多数回の露光で実現することや連
続的にずらすことによって実現することも勿論可能であ
る。離散的に露光を与える場合にはシャッターの開閉動
作に伴なう過渡時間によりタイムロスが存在するが、連
続的に行なう場合にはそのような制約がなく処理能力を
向上させることが可能となる。
で位相シフト膜の影響による境界線を消去した場合を示
したが、これをもっと多数回の露光で実現することや連
続的にずらすことによって実現することも勿論可能であ
る。離散的に露光を与える場合にはシャッターの開閉動
作に伴なう過渡時間によりタイムロスが存在するが、連
続的に行なう場合にはそのような制約がなく処理能力を
向上させることが可能となる。
【００４４】図７は本発明に用いる位相シフトマスク７
１のパターン概略図である。本実施例では図１の実施例
と異なるのは位相シフト膜を施す領域７２をクロムのパ
ターンが囲んでいることである。
１のパターン概略図である。本実施例では図１の実施例
と異なるのは位相シフト膜を施す領域７２をクロムのパ
ターンが囲んでいることである。
【００４５】これによって図１の場合よりもｙ方向にお
けるパターン対位相シフト膜の位置合わせエラーを軽減
している。線分Ｄ上のパターンの断面構造は図１の線分
Ａと同一で、図２に示すようになっている。
けるパターン対位相シフト膜の位置合わせエラーを軽減
している。線分Ｄ上のパターンの断面構造は図１の線分
Ａと同一で、図２に示すようになっている。
【００４６】本実施例ではパターンの空間周波数が高い
ｘ方向に直交するｙ方向に位相シフトマスクと被露光物
（ウエハ）との相対的位置をずらしている。
ｘ方向に直交するｙ方向に位相シフトマスクと被露光物
（ウエハ）との相対的位置をずらしている。
【００４７】本実施例では図中に幅Ｐで示すクロムパタ
ーンの影響で図１の場合よりずらし量が大きくなる。実
際には位相シフト膜とクロムパターンとの位置合わせ誤
差を救済するため幅Ｐの値は位置合わせ誤差を救済でき
る範囲でできるだけ小さい値が望ましい。しかしながら
この場合にもずらし方向は位相シフト膜を付けて解像力
を向上させようとするｘ方向と直交するｙ方向に行なう
ため位相シフトマスクの効果は温存される。
ーンの影響で図１の場合よりずらし量が大きくなる。実
際には位相シフト膜とクロムパターンとの位置合わせ誤
差を救済するため幅Ｐの値は位置合わせ誤差を救済でき
る範囲でできるだけ小さい値が望ましい。しかしながら
この場合にもずらし方向は位相シフト膜を付けて解像力
を向上させようとするｘ方向と直交するｙ方向に行なう
ため位相シフトマスクの効果は温存される。
【００４８】本実施例によれば、従来よりプロセス的に
確立されたポジ型レジストを用いてのパターン像の微細
化を可能とすることができる。
確立されたポジ型レジストを用いてのパターン像の微細
化を可能とすることができる。
【００４９】又、位相シフト膜を施したパターンと被露
光物とを所定方向の位置関係を変えるとき位相幾何学的
判断によってずらしの影響を足したり、引いたりするこ
とによって簡単に位相シフト用のパターンを生成でき、
パターン設計が容易になる等の特長が得られる。
光物とを所定方向の位置関係を変えるとき位相幾何学的
判断によってずらしの影響を足したり、引いたりするこ
とによって簡単に位相シフト用のパターンを生成でき、
パターン設計が容易になる等の特長が得られる。
【００５０】
【発明の効果】本発明の露光方法によれば位相シフト膜
を用いて例えば電子回路パターンを被露光物に転写する
際、歪みのないパターン像が容易に得られる。
を用いて例えば電子回路パターンを被露光物に転写する
際、歪みのないパターン像が容易に得られる。
【図１】 位相シフトマスクのパターン概略図
【図２】 図１の線分Ａの断面概略図
【図３】 図１の位相シフトマスクを従来の露光方法で
焼き付けたときのパターン像の概略図
焼き付けたときのパターン像の概略図
【図４】 図３の線分３の断面概略図
【図５】 本発明の原理を示す説明図
【図６】 本発明によって得られるパターン像の説明図
【図７】 本発明に用いる位相シフトマスクのパターン
概略図
概略図
【図８】 一般的な位相シフトマスクのパターン説明図
１ ガラス基板 ２ クロムパターン ３ 位相シフト膜 １０ 位相シフトマスク １１ 透明部 Ａ 位相シフト膜の効果が期待される方向を示す線分 Ｂ 位相シフト膜の境界線 Ｃ 位相シフト膜の効果が期待されない方向を示す線分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２８ ５４１Ｋ
Claims (3)
- 【請求項１】 空間周波数変換型の位相シフトマスクを
用いてウエハ上のポジレジストをラインアンドスペース
のパターンで露光する方法において、前記位相シフトマ
スクは位相シフト膜が施された領域をクロームパターン
で囲んだマスクであり、前記ラインアンドスペースが繰
り返される方向と直交する方向に関して前記位相シフト
マスクと前記ウエハの位置関係を変えて多重露光を行な
うことを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 請求項１の露光方法によって回路パター
ンをウエハに転写する段階を含むことを特徴とする半導
体素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１の露光方法が行なえることを特
徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067191A JP3173025B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 露光方法及び半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067191A JP3173025B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 露光方法及び半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04267537A JPH04267537A (ja) | 1992-09-24 |
| JP3173025B2 true JP3173025B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=12865412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5067191A Expired - Fee Related JP3173025B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 露光方法及び半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3173025B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000021714A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および装置、ならびにデバイス製造方法 |
| TW530336B (en) * | 2001-08-21 | 2003-05-01 | Asml Masktools Bv | Lithographic method and lithographic apparatus |
| JP2004069841A (ja) | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Sharp Corp | マスクパターンおよびそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP5067191A patent/JP3173025B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04267537A (ja) | 1992-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7468240B2 (en) | Patterning method using photomask | |
| US5208124A (en) | Method of making a mask for proximity effect correction in projection lithography | |
| US6134008A (en) | Aligner and patterning method using phase shift mask | |
| US6664010B2 (en) | OPC method for generating corrected patterns for a phase-shifting mask and its trimming mask and associated device and integrated circuit configuration | |
| US5411823A (en) | Exposure method, phase shift mask used in the same, and process of fabricating semiconductor integrated circuit device using the same | |
| US5840447A (en) | Multi-phase photo mask using sub-wavelength structures | |
| US5686208A (en) | Process for generating a phase level of an alternating aperture phase shifting mask | |
| US20020030802A1 (en) | Projection exposure apparatus | |
| US5888677A (en) | Exposure mask, method of fabricating same, and method of manufacturing semiconductor device | |
| US20110033656A1 (en) | Pattern forming method, electronic device manufacturing method and electronic device | |
| US6183916B1 (en) | Method for proximity effect compensation on alternative phase-shift masks with bias and optical proximity correction | |
| JP3173025B2 (ja) | 露光方法及び半導体素子の製造方法 | |
| US6821683B2 (en) | Method for correcting design pattern of semiconductor circuit, a photomask fabricated using the corrected design pattern data, a method for inspecting the photomask and a method for generating pattern data for inspection of photomask | |
| JP3957504B2 (ja) | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2000305247A (ja) | フォトマスク、パターン形成方法及びデバイス製造方法 | |
| JPS59160144A (ja) | ホトマスク | |
| US7282306B2 (en) | Continuous sloped phase edge architecture fabrication technique using electron or optical beam blur for single phase shift mask ret | |
| JPH08254813A (ja) | 位相シフトマスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2007233138A (ja) | マスク、マスクの製造方法およびそのマスクを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH01258419A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3110801B2 (ja) | フォトマスクの製造方法及びフォトマスク | |
| US20080057410A1 (en) | Method of repairing a photolithographic mask | |
| JP2773718B2 (ja) | フォトマスクおよびパターン形成方法 | |
| KR0134169Y1 (ko) | 마스크 패턴 | |
| US6617081B2 (en) | Method for improving process window in semi-dense area by using phase shifter |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080330 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090330 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |