JP3169753B2 - 樹脂封止パッケージおよび電子回路装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はエリアアレイタイプの
半導体チップの入出力端子を中間キャリア基板に接続は
んだによりフリップチップ接続し、半導体チップと中間
キャリア基板との間に充填樹脂を充填し、半導体チップ
の少なくとも側部をモールド樹脂で封止した樹脂封止パ
ッケージ、樹脂封止パッケージを絶縁配線基板に実装し
た電子回路装置に関するものである。
半導体チップの入出力端子を中間キャリア基板に接続は
んだによりフリップチップ接続し、半導体チップと中間
キャリア基板との間に充填樹脂を充填し、半導体チップ
の少なくとも側部をモールド樹脂で封止した樹脂封止パ
ッケージ、樹脂封止パッケージを絶縁配線基板に実装し
た電子回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近のパーソナルコンピュータ、ワーク
ステーション等の電子計算機においては、ＬＳＩパッケ
ージ等の樹脂封止パッケージを絶縁配線基板に実装し、
絶縁配線基板を複数個組み合わせてモジュール基板上に
配置して、中央演算処理装置（ＣＰＵ）としてユニット
化している。
ステーション等の電子計算機においては、ＬＳＩパッケ
ージ等の樹脂封止パッケージを絶縁配線基板に実装し、
絶縁配線基板を複数個組み合わせてモジュール基板上に
配置して、中央演算処理装置（ＣＰＵ）としてユニット
化している。
【０００３】このような電子計算機を高速化するために
は、演算や記憶に用いられる半導体チップをより高集積
化しなければならないが、これに供ない半導体チップの
入出力端子数が増加し、入出力端子の接続は微細化の一
途をたどっている。
は、演算や記憶に用いられる半導体チップをより高集積
化しなければならないが、これに供ない半導体チップの
入出力端子数が増加し、入出力端子の接続は微細化の一
途をたどっている。
【０００４】現在のＬＳＩパッケージにおいては、ＬＳ
Ｉチップの入出力端子が直線状に設けられ、入出力端子
のピッチが０．３ｍｍのＱＦＰ、ＴＣＰ等のＬＳＩパッ
ケージが実用化段階に来ている。これらの技術について
は、マイクロエレクトロニクス パッケージング ハン
ドブック（Rao R. Tummala, Eugene J. Rymazewski著、
日経ＢＰ社（1991.3）、P.326〜337およびP.425〜429）
に記載されている。
Ｉチップの入出力端子が直線状に設けられ、入出力端子
のピッチが０．３ｍｍのＱＦＰ、ＴＣＰ等のＬＳＩパッ
ケージが実用化段階に来ている。これらの技術について
は、マイクロエレクトロニクス パッケージング ハン
ドブック（Rao R. Tummala, Eugene J. Rymazewski著、
日経ＢＰ社（1991.3）、P.326〜337およびP.425〜429）
に記載されている。
【０００５】しかし、このようなＬＳＩパッケージにお
いては、ＬＳＩチップの入出力端子の数がさらに多くな
ると、ＬＳＩチップを大型化しなければならない。
いては、ＬＳＩチップの入出力端子の数がさらに多くな
ると、ＬＳＩチップを大型化しなければならない。
【０００６】そこで、所定面全面に入出力端子が設けら
れたエリアアレイタイプの半導体チップの入出力端子を
接続はんだでフリップチップ接続したＯＭＰＡＣ、ＢＧ
Ａ等の樹脂封止パッケージが注目されている。そして、
ベアチップをプリント基板にフリップチップ接続して樹
脂封止する技術については、樹脂封止フリップチップ実
装の信頼性と応力解析（塚田裕、他１名、日本機械学会
第７０期全国大会講演論文集（Vol.Ｂ）、p.525〜527）
に記載されており、中間キャリア基板を用いた樹脂封止
パッケージについては、セラミック基板上のフリップチ
ップ封止（Flip-Chip Encapsulation on Ceramic Subst
rates、J. Clementi、他５名、ECTC 43rd.、Vol.1（199
3）、p.175〜181）に記載されている。
れたエリアアレイタイプの半導体チップの入出力端子を
接続はんだでフリップチップ接続したＯＭＰＡＣ、ＢＧ
Ａ等の樹脂封止パッケージが注目されている。そして、
ベアチップをプリント基板にフリップチップ接続して樹
脂封止する技術については、樹脂封止フリップチップ実
装の信頼性と応力解析（塚田裕、他１名、日本機械学会
第７０期全国大会講演論文集（Vol.Ｂ）、p.525〜527）
に記載されており、中間キャリア基板を用いた樹脂封止
パッケージについては、セラミック基板上のフリップチ
ップ封止（Flip-Chip Encapsulation on Ceramic Subst
rates、J. Clementi、他５名、ECTC 43rd.、Vol.1（199
3）、p.175〜181）に記載されている。
【０００７】図９はこのような従来の樹脂封止パッケー
ジを有する電子回路装置の一部を示す概略断面図であ
る。図に示すように、エリアアレイタイプのＬＳＩチッ
プ等の半導体チップ１の入出力端子がセラミックからな
る中間キャリア基板１１に接続はんだ２によりフリップ
チップ接続され、半導体チップ１がモールド樹脂１２で
封止され、半導体チップ１と中間キャリア基板１１との
間に充填樹脂１３が充填され、モールド樹脂１２と充填
樹脂１３とは一体で同一の樹脂からなり、モールド樹脂
１２、充填樹脂１３の熱膨張率は接続はんだ２の熱膨張
率よりも大きい。また、樹脂封止パッケージは接続はん
だ５により樹脂からなる絶縁配線基板６に実装されてい
る。
ジを有する電子回路装置の一部を示す概略断面図であ
る。図に示すように、エリアアレイタイプのＬＳＩチッ
プ等の半導体チップ１の入出力端子がセラミックからな
る中間キャリア基板１１に接続はんだ２によりフリップ
チップ接続され、半導体チップ１がモールド樹脂１２で
封止され、半導体チップ１と中間キャリア基板１１との
間に充填樹脂１３が充填され、モールド樹脂１２と充填
樹脂１３とは一体で同一の樹脂からなり、モールド樹脂
１２、充填樹脂１３の熱膨張率は接続はんだ２の熱膨張
率よりも大きい。また、樹脂封止パッケージは接続はん
だ５により樹脂からなる絶縁配線基板６に実装されてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような樹
脂封止パッケージ、電子回路装置においては、実装プロ
セス時に樹脂封止パッケージが熱圧着され、実稼働時に
半導体チップから発熱したときに、充填樹脂１３、接続
はんだ２に熱が加えられるから、充填樹脂１３、接続は
んだ２が熱膨脹しようとするが、充填樹脂１３の左右方
向（図９紙面左右方向）の変形は拘束されているので、
充填樹脂１３、接続はんだ２に熱応力が発生する。この
ため、充填樹脂１３、接続はんだ２は上下方向（図９紙
面上下方向）に変形するが、充填樹脂１３の熱膨張率は
接続はんだ２の熱膨張率より大きいから、たとえば充填
樹脂１３、接続はんだ２のヤング率、ポアソン比が等し
いと、充填樹脂１３の接続はんだ２と接している部分の
上下方向の変位量は充填樹脂１３の上記部分と接してい
る接続はんだ２の上下方向の変位量よりも大きいので、
充填樹脂１３から接続はんだ２に上下方向に力が作用す
る。したがって、接続はんだ２と半導体チップ１との接
続不良が生ずるから、信頼性が低い。
脂封止パッケージ、電子回路装置においては、実装プロ
セス時に樹脂封止パッケージが熱圧着され、実稼働時に
半導体チップから発熱したときに、充填樹脂１３、接続
はんだ２に熱が加えられるから、充填樹脂１３、接続は
んだ２が熱膨脹しようとするが、充填樹脂１３の左右方
向（図９紙面左右方向）の変形は拘束されているので、
充填樹脂１３、接続はんだ２に熱応力が発生する。この
ため、充填樹脂１３、接続はんだ２は上下方向（図９紙
面上下方向）に変形するが、充填樹脂１３の熱膨張率は
接続はんだ２の熱膨張率より大きいから、たとえば充填
樹脂１３、接続はんだ２のヤング率、ポアソン比が等し
いと、充填樹脂１３の接続はんだ２と接している部分の
上下方向の変位量は充填樹脂１３の上記部分と接してい
る接続はんだ２の上下方向の変位量よりも大きいので、
充填樹脂１３から接続はんだ２に上下方向に力が作用す
る。したがって、接続はんだ２と半導体チップ１との接
続不良が生ずるから、信頼性が低い。
【０００９】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、信頼性が高い樹脂封止パッケージ、電子
回路装置を提供することを目的とする。
されたもので、信頼性が高い樹脂封止パッケージ、電子
回路装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、エリアアレイタイプの半導体
チップの入出力端子を中間キャリア基板に接続はんだに
よりフリップチップ接続し、上記半導体チップと上記中
間キャリア基板との間に充填樹脂を充填し、上記半導体
チップの少なくとも側部をモールド樹脂で封止した樹脂
封止パッケージにおいて、上記充填樹脂の熱膨張率を上
記接続はんだの熱膨張率より小さくし、樹脂からなる上
記中間キャリア基板を用い、上記モールド樹脂の熱膨張
率を上記中間キャリア基板の熱膨張率と上記接続はんだ
の熱膨張率との間の値とする。
め、この発明においては、エリアアレイタイプの半導体
チップの入出力端子を中間キャリア基板に接続はんだに
よりフリップチップ接続し、上記半導体チップと上記中
間キャリア基板との間に充填樹脂を充填し、上記半導体
チップの少なくとも側部をモールド樹脂で封止した樹脂
封止パッケージにおいて、上記充填樹脂の熱膨張率を上
記接続はんだの熱膨張率より小さくし、樹脂からなる上
記中間キャリア基板を用い、上記モールド樹脂の熱膨張
率を上記中間キャリア基板の熱膨張率と上記接続はんだ
の熱膨張率との間の値とする。
【００１１】
【００１２】この場合、上記充填樹脂と上記モールド樹
脂とを同一の樹脂とする。
脂とを同一の樹脂とする。
【００１３】また、上記充填樹脂と上記モールド樹脂と
を異なる樹脂とする。
を異なる樹脂とする。
【００１４】
【００１５】さらに、電子回路装置において、上記のい
ずれかの樹脂封止パッケージを絶縁配線基板に実装す
る。
ずれかの樹脂封止パッケージを絶縁配線基板に実装す
る。
【００１６】
【作用】この樹脂封止パッケージ、電子回路装置におい
ては、実装プロセス時、実稼働時に充填樹脂、接続はん
だに熱が加えられ、充填樹脂、接続はんだに熱応力が発
生したときに、充填樹脂の熱膨張率は接続はんだの熱膨
張率より小さいから、充填樹脂から接続はんだに力が作
用することがなく、また樹脂からなる中間キャリア基板
を用いたときには、樹脂基板はセラミック基板と比較し
て安価であり、またモールド樹脂の熱膨張率を中間キャ
リア基板の熱膨張率と接続はんだの熱膨張率との間の値
としたときには、半導体チップとモールド樹脂との総合
的な熱膨張率が中間キャリア基板の熱膨張率に近くなる
から、実稼動時に半導体チップからの熱によってモール
ド樹脂、中間キャリア基板が加熱されたとしても、中間
キャリア基板の変形量と他の部分の変形量とがほぼ同じ
になる。
ては、実装プロセス時、実稼働時に充填樹脂、接続はん
だに熱が加えられ、充填樹脂、接続はんだに熱応力が発
生したときに、充填樹脂の熱膨張率は接続はんだの熱膨
張率より小さいから、充填樹脂から接続はんだに力が作
用することがなく、また樹脂からなる中間キャリア基板
を用いたときには、樹脂基板はセラミック基板と比較し
て安価であり、またモールド樹脂の熱膨張率を中間キャ
リア基板の熱膨張率と接続はんだの熱膨張率との間の値
としたときには、半導体チップとモールド樹脂との総合
的な熱膨張率が中間キャリア基板の熱膨張率に近くなる
から、実稼動時に半導体チップからの熱によってモール
ド樹脂、中間キャリア基板が加熱されたとしても、中間
キャリア基板の変形量と他の部分の変形量とがほぼ同じ
になる。
【００１７】
【００１８】また、充填樹脂とモールド樹脂とを同一の
樹脂としたときには、容易に製造することができる。
樹脂としたときには、容易に製造することができる。
【００１９】また、充填樹脂とモールド樹脂とを異なる
樹脂としたときには、充填樹脂として流動性の良好な樹
脂を用い、モールド樹脂として充填樹脂の熱膨張率より
小さな熱膨張率を有する樹脂を用いることができる。
樹脂としたときには、充填樹脂として流動性の良好な樹
脂を用い、モールド樹脂として充填樹脂の熱膨張率より
小さな熱膨張率を有する樹脂を用いることができる。
【００２０】
【００２１】
【実施例】図１、図２はそれぞれこの発明に係る樹脂封
止パッケージを有する電子回路装置の一部を示す概略断
面図である。図に示すように、半導体チップ１の入出力
端子が樹脂からなる中間キャリア基板４に接続はんだ２
によりフリップチップ接続され、半導体チップ１がモー
ルド樹脂３で封止され、半導体チップ１と中間キャリア
基板４との間に充填樹脂９が充填されおり、モールド樹
脂３と充填樹脂９とは一体で同一の樹脂からなり、モー
ルド樹脂３、充填樹脂９の熱膨張率は接続はんだ２の熱
膨張率よりも小さく、また中間キャリア基板４の熱膨張
率よりも大きい。
止パッケージを有する電子回路装置の一部を示す概略断
面図である。図に示すように、半導体チップ１の入出力
端子が樹脂からなる中間キャリア基板４に接続はんだ２
によりフリップチップ接続され、半導体チップ１がモー
ルド樹脂３で封止され、半導体チップ１と中間キャリア
基板４との間に充填樹脂９が充填されおり、モールド樹
脂３と充填樹脂９とは一体で同一の樹脂からなり、モー
ルド樹脂３、充填樹脂９の熱膨張率は接続はんだ２の熱
膨張率よりも小さく、また中間キャリア基板４の熱膨張
率よりも大きい。
【００２２】これらの樹脂封止パッケージ、電子回路装
置においては、実装プロセス時、実稼働時に充填樹脂
９、接続はんだ２に熱が加えられ、充填樹脂９、接続は
んだ２に熱応力が発生したときに、充填樹脂９の熱膨張
率は接続はんだ２の熱膨張率より小さいから、充填樹脂
９から接続はんだ２に作用する力が小さいので、接続は
んだ２と半導体チップ１との接続不良が生じないため、
信頼性が高い。また、樹脂からなる中間キャリア基板４
を用いており、樹脂基板はセラミック基板より安価であ
るから、製造コストが安価である。この場合、図１０に
示すように、モールド樹脂１４の熱膨張率、形状等を考
慮せず、半導体チップ１とモールド樹脂１４との総合的
な熱膨張率すなわちモールド樹脂部の熱膨張率と中間キ
ャリア基板４の熱膨張率とが大きく相違するときには、
実稼動時に半導体チップ１からの熱によってモールド樹
脂１４、中間キャリア基板４が加熱された場合に、モー
ルド樹脂部の変形量と中間キャリア基板４の変形量とが
大きく相違するから、樹脂封止パッケージに大きな反り
が生ずるので、樹脂封止パッケージと絶縁回路基板６と
の接続不良が生ずる。これに対して、図１、図２に示し
た樹脂封止パッケージ、電子回路装置においては、モー
ルド樹脂３の熱膨張率は中間キャリア基板４の熱膨張率
より大きく、また半導体チップ１の熱膨張率は中間キャ
リア基板４の熱膨張率より小さいから、モールド樹脂３
の形状、大きさ等を考慮すれば、半導体チップ１とモー
ルド樹脂３との総合的な熱膨張率すなわちモールド樹脂
部の熱膨張率を中間キャリア基板４の熱膨張率とほぼ同
様の値にすることができる。このため、実稼動時に半導
体チップ１からの熱によってモールド樹脂３、中間キャ
リア基板４が加熱されたとしても、モールド樹脂部の変
形量と中間キャリア基板４の変形量とがほぼ同じになる
から、樹脂封止パッケージに生ずる反りが小さくなるの
で、樹脂封止パッケージと絶縁配線基板６との接続不良
が生ずることがないため、信頼性が高い。また、充填樹
脂９とモールド樹脂３とを同一の樹脂としているから、
容易に製造することができるので、製造コストが安価で
ある。
置においては、実装プロセス時、実稼働時に充填樹脂
９、接続はんだ２に熱が加えられ、充填樹脂９、接続は
んだ２に熱応力が発生したときに、充填樹脂９の熱膨張
率は接続はんだ２の熱膨張率より小さいから、充填樹脂
９から接続はんだ２に作用する力が小さいので、接続は
んだ２と半導体チップ１との接続不良が生じないため、
信頼性が高い。また、樹脂からなる中間キャリア基板４
を用いており、樹脂基板はセラミック基板より安価であ
るから、製造コストが安価である。この場合、図１０に
示すように、モールド樹脂１４の熱膨張率、形状等を考
慮せず、半導体チップ１とモールド樹脂１４との総合的
な熱膨張率すなわちモールド樹脂部の熱膨張率と中間キ
ャリア基板４の熱膨張率とが大きく相違するときには、
実稼動時に半導体チップ１からの熱によってモールド樹
脂１４、中間キャリア基板４が加熱された場合に、モー
ルド樹脂部の変形量と中間キャリア基板４の変形量とが
大きく相違するから、樹脂封止パッケージに大きな反り
が生ずるので、樹脂封止パッケージと絶縁回路基板６と
の接続不良が生ずる。これに対して、図１、図２に示し
た樹脂封止パッケージ、電子回路装置においては、モー
ルド樹脂３の熱膨張率は中間キャリア基板４の熱膨張率
より大きく、また半導体チップ１の熱膨張率は中間キャ
リア基板４の熱膨張率より小さいから、モールド樹脂３
の形状、大きさ等を考慮すれば、半導体チップ１とモー
ルド樹脂３との総合的な熱膨張率すなわちモールド樹脂
部の熱膨張率を中間キャリア基板４の熱膨張率とほぼ同
様の値にすることができる。このため、実稼動時に半導
体チップ１からの熱によってモールド樹脂３、中間キャ
リア基板４が加熱されたとしても、モールド樹脂部の変
形量と中間キャリア基板４の変形量とがほぼ同じになる
から、樹脂封止パッケージに生ずる反りが小さくなるの
で、樹脂封止パッケージと絶縁配線基板６との接続不良
が生ずることがないため、信頼性が高い。また、充填樹
脂９とモールド樹脂３とを同一の樹脂としているから、
容易に製造することができるので、製造コストが安価で
ある。
【００２３】図３、図４はそれぞれこの発明に係る他の
樹脂封止パッケージを有する電子回路装置の一部を示す
概略断面図である。図に示すように、半導体チップ１の
背面に金属板７ａ、ＴＡＢテープの金属板７ｂが高熱伝
導性接着剤８で接着されている。
樹脂封止パッケージを有する電子回路装置の一部を示す
概略断面図である。図に示すように、半導体チップ１の
背面に金属板７ａ、ＴＡＢテープの金属板７ｂが高熱伝
導性接着剤８で接着されている。
【００２４】これらの樹脂封止パッケージ、電子回路装
置においては、モールド樹脂３、金属板７ａ、７ｂの形
状、大きさ等を考慮すれば、半導体チップ１、モールド
樹脂３、金属板７ａ、７ｂの総合的な熱膨張率すなわち
モールド樹脂部の熱膨張率を中間キャリア基板４の熱膨
張率とほぼ同様の値にすることができる。このため、実
稼動時に半導体チップ１からの熱によってモールド樹脂
３、中間キャリア基板４が加熱されたとしても、モール
ド樹脂部の変形量と中間キャリア基板４の変形量とがほ
ぼ同じになるから、樹脂封止パッケージに生ずる反りが
小さくなるので、樹脂封止パッケージと絶縁配線基板と
の接続不良が生ずることがないため、信頼性が高い。し
かも、半導体チップ１に発生した熱を金属板７ａ、７ｂ
を介して放熱することができるから、樹脂封止パッケー
ジの温度が高くならないので、充填樹脂９から接続はん
だ２に作用する力がより小さくなるとともに、樹脂封止
パッケージに発生する反りがより小さくなるから、信頼
性がより高くなる。また、図４に示した樹脂封止パッケ
ージ、電子回路装置においては、半導体チップ１に金属
薄板７ｂを接着したものをモールド樹脂３で封止すれ
ば、一括封止が可能であるから、量産化に適している。
置においては、モールド樹脂３、金属板７ａ、７ｂの形
状、大きさ等を考慮すれば、半導体チップ１、モールド
樹脂３、金属板７ａ、７ｂの総合的な熱膨張率すなわち
モールド樹脂部の熱膨張率を中間キャリア基板４の熱膨
張率とほぼ同様の値にすることができる。このため、実
稼動時に半導体チップ１からの熱によってモールド樹脂
３、中間キャリア基板４が加熱されたとしても、モール
ド樹脂部の変形量と中間キャリア基板４の変形量とがほ
ぼ同じになるから、樹脂封止パッケージに生ずる反りが
小さくなるので、樹脂封止パッケージと絶縁配線基板と
の接続不良が生ずることがないため、信頼性が高い。し
かも、半導体チップ１に発生した熱を金属板７ａ、７ｂ
を介して放熱することができるから、樹脂封止パッケー
ジの温度が高くならないので、充填樹脂９から接続はん
だ２に作用する力がより小さくなるとともに、樹脂封止
パッケージに発生する反りがより小さくなるから、信頼
性がより高くなる。また、図４に示した樹脂封止パッケ
ージ、電子回路装置においては、半導体チップ１に金属
薄板７ｂを接着したものをモールド樹脂３で封止すれ
ば、一括封止が可能であるから、量産化に適している。
【００２５】図５〜図８はそれぞれこの発明に係る他の
樹脂封止パッケージを有する電子回路装置の一部を示す
概略断面図である。図に示すように、充填樹脂１０とモ
ールド樹脂３とは異なる樹脂からなる。
樹脂封止パッケージを有する電子回路装置の一部を示す
概略断面図である。図に示すように、充填樹脂１０とモ
ールド樹脂３とは異なる樹脂からなる。
【００２６】これらの樹脂封止パッケージ、電子回路装
置においては、充填樹脂１０として流動性の良好な樹脂
を用い、モールド樹脂３として充填樹脂１０の熱膨張率
より小さな熱膨張率を有する樹脂を用いることができる
から、充填樹脂１０を確実に充填することができるとと
もに、樹脂封止パッケージに生ずる反りを小さくするこ
とができるので、信頼性がより高くなる。
置においては、充填樹脂１０として流動性の良好な樹脂
を用い、モールド樹脂３として充填樹脂１０の熱膨張率
より小さな熱膨張率を有する樹脂を用いることができる
から、充填樹脂１０を確実に充填することができるとと
もに、樹脂封止パッケージに生ずる反りを小さくするこ
とができるので、信頼性がより高くなる。
【００２７】なお、上述実施例においては、樹脂からな
る絶縁配線基板６を用いたが、セラミックからなる絶縁
配線基板を用いてもよい。また、上述実施例において
は、樹脂からなる中間キャリア基板４を用いたが、セラ
ミックからなる中間キャリア基板を用いてもよい。ま
た、上述実施例においては、半導体チップ１、モールド
樹脂３、金属板７ａ、７ｂの総合的な熱膨張率を中間キ
ャリア基板４の熱膨張率とほぼ同様の値にしたが、半導
体チップ１、モールド樹脂３の総合的な熱膨張率を中間
キャリア基板４の熱膨張率とほぼ同様の値にするととも
に、金属板として中間キャリア基板４の熱膨張率とほぼ
等しい熱膨張率を有するものを用いてもよい。また、図
３、図４、図７、図８に示した実施例においては、高熱
伝導性接着剤８を用いたが、代わりにはんだを用いても
よい。また、図４、図８に示した実施例においては、金
属板７ｂの突出部を封止後に加工して、冷却フィンと接
続すれば、冷却特性をさらに向上することができる。
る絶縁配線基板６を用いたが、セラミックからなる絶縁
配線基板を用いてもよい。また、上述実施例において
は、樹脂からなる中間キャリア基板４を用いたが、セラ
ミックからなる中間キャリア基板を用いてもよい。ま
た、上述実施例においては、半導体チップ１、モールド
樹脂３、金属板７ａ、７ｂの総合的な熱膨張率を中間キ
ャリア基板４の熱膨張率とほぼ同様の値にしたが、半導
体チップ１、モールド樹脂３の総合的な熱膨張率を中間
キャリア基板４の熱膨張率とほぼ同様の値にするととも
に、金属板として中間キャリア基板４の熱膨張率とほぼ
等しい熱膨張率を有するものを用いてもよい。また、図
３、図４、図７、図８に示した実施例においては、高熱
伝導性接着剤８を用いたが、代わりにはんだを用いても
よい。また、図４、図８に示した実施例においては、金
属板７ｂの突出部を封止後に加工して、冷却フィンと接
続すれば、冷却特性をさらに向上することができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る樹
脂封止パッケージ、電子回路装置においては、実装プロ
セス時、実稼働時に充填樹脂、接続はんだに熱が加えら
れ、充填樹脂、接続はんだに熱応力が発生したときに、
充填樹脂から接続はんだに作用する力が小さくなるか
ら、接続はんだと半導体チップとの接続不良が生じない
ので、信頼性が高く、また樹脂からなる中間キャリア基
板を用いたときには、樹脂基板はセラミック基板と比較
して安価であるから、製造コストが安価であり、またモ
ールド樹脂の熱膨張率を中間キャリア基板の熱膨張率と
接続はんだの熱膨張率との間の値としたときには、実稼
動時に半導体チップからの熱によってモールド樹脂、中
間キャリア基板が加熱されたとしても、中間キャリア基
板の変形量と他の部分の変形量とがほぼ同じになるか
ら、樹脂封止パッケージに生ずる反りが小さくなるの
で、樹脂封止パッケージと絶縁配線基板との接続不良が
生ずることがないため、信頼性が高い。
脂封止パッケージ、電子回路装置においては、実装プロ
セス時、実稼働時に充填樹脂、接続はんだに熱が加えら
れ、充填樹脂、接続はんだに熱応力が発生したときに、
充填樹脂から接続はんだに作用する力が小さくなるか
ら、接続はんだと半導体チップとの接続不良が生じない
ので、信頼性が高く、また樹脂からなる中間キャリア基
板を用いたときには、樹脂基板はセラミック基板と比較
して安価であるから、製造コストが安価であり、またモ
ールド樹脂の熱膨張率を中間キャリア基板の熱膨張率と
接続はんだの熱膨張率との間の値としたときには、実稼
動時に半導体チップからの熱によってモールド樹脂、中
間キャリア基板が加熱されたとしても、中間キャリア基
板の変形量と他の部分の変形量とがほぼ同じになるか
ら、樹脂封止パッケージに生ずる反りが小さくなるの
で、樹脂封止パッケージと絶縁配線基板との接続不良が
生ずることがないため、信頼性が高い。
【００２９】
【００３０】また、充填樹脂とモールド樹脂とを同一の
樹脂としたときには、容易に製造することができるか
ら、製造コストが安価である。
樹脂としたときには、容易に製造することができるか
ら、製造コストが安価である。
【００３１】また、充填樹脂とモールド樹脂とを異なる
樹脂としたときには、充填樹脂として流動性の良好な樹
脂を用い、モールド樹脂として充填樹脂の熱膨張率より
小さな熱膨張率を有する樹脂を用いることができるか
ら、充填樹脂を確実に充填することができるとともに、
樹脂封止パッケージに生ずる反りをより小さくすること
ができるので、信頼性が高くなる。
樹脂としたときには、充填樹脂として流動性の良好な樹
脂を用い、モールド樹脂として充填樹脂の熱膨張率より
小さな熱膨張率を有する樹脂を用いることができるか
ら、充填樹脂を確実に充填することができるとともに、
樹脂封止パッケージに生ずる反りをより小さくすること
ができるので、信頼性が高くなる。
【００３２】
【００３３】このように、この発明の効果は顕著であ
る。
る。
【図１】この発明に係る樹脂封止パッケージを有する電
子回路装置の一部を示す概略断面図である。
子回路装置の一部を示す概略断面図である。
【図２】この発明に係る他の樹脂封止パッケージを有す
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
【図３】この発明に係る他の樹脂封止パッケージを有す
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
【図４】この発明に係る他の樹脂封止パッケージを有す
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
【図５】この発明に係る他の樹脂封止パッケージを有す
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
【図６】この発明に係る他の樹脂封止パッケージを有す
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
【図７】この発明に係る他の樹脂封止パッケージを有す
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
【図８】この発明に係る他の樹脂封止パッケージを有す
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
る電子回路装置の一部を示す概略断面図である。
【図９】従来の樹脂封止パッケージを有する電子回路装
置の一部を示す概略断面図である。
置の一部を示す概略断面図である。
【図１０】この発明に係る樹脂封止パッケージ、電子回
路装置の効果を説明するための図である。
路装置の効果を説明するための図である。
１…半導体チップ ２…接続はんだ ３…モールド樹脂 ４…中間キャリア基板 ６…絶縁配線基板 ７ａ、７ｂ…金属板 ９…充填樹脂 １０…充填樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−271847（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−136865（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−69945（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−316447（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−25686（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−94744（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−94460（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−22144（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−211150（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−326625（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 23/29 H01L 23/31
Claims (4)
- 【請求項１】エリアアレイタイプの半導体チップの入出
力端子を中間キャリア基板に接続はんだによりフリップ
チップ接続し、上記半導体チップと上記中間キャリア基
板との間に充填樹脂を充填し、上記半導体チップの少な
くとも側部をモールド樹脂で封止した樹脂封止パッケー
ジにおいて、上記充填樹脂の熱膨張率を上記接続はんだ
の熱膨張率より小さくし、樹脂からなる上記中間キャリ
ア基板を用い、上記モールド樹脂の熱膨張率を上記中間
キャリア基板の熱膨張率と上記接続はんだの熱膨張率と
の間の値としたことを特徴とする樹脂封止パッケージ。 - 【請求項２】上記充填樹脂と上記モールド樹脂とを同一
の樹脂としたことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封
止パッケージ。 - 【請求項３】上記充填樹脂と上記モールド樹脂とを異な
る樹脂としたことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封
止パッケージ。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の樹脂
封止パッケージを絶縁配線基板に実装したことを特徴と
する電子回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25394893A JP3169753B2 (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 樹脂封止パッケージおよび電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25394893A JP3169753B2 (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 樹脂封止パッケージおよび電子回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07111278A JPH07111278A (ja) | 1995-04-25 |
| JP3169753B2 true JP3169753B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=17258215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25394893A Expired - Fee Related JP3169753B2 (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 樹脂封止パッケージおよび電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3169753B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2825083B2 (ja) * | 1996-08-20 | 1998-11-18 | 日本電気株式会社 | 半導体素子の実装構造 |
| JP4836847B2 (ja) * | 1997-10-15 | 2011-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2002111222A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層基板 |
| JP2003060117A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4595265B2 (ja) * | 2001-08-13 | 2010-12-08 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5502268B2 (ja) * | 2006-09-14 | 2014-05-28 | 信越化学工業株式会社 | システムインパッケージ型半導体装置用の樹脂組成物セット |
-
1993
- 1993-10-12 JP JP25394893A patent/JP3169753B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07111278A (ja) | 1995-04-25 |
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