JP3164640B2 - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
- Publication number
- JP3164640B2 JP3164640B2 JP10710292A JP10710292A JP3164640B2 JP 3164640 B2 JP3164640 B2 JP 3164640B2 JP 10710292 A JP10710292 A JP 10710292A JP 10710292 A JP10710292 A JP 10710292A JP 3164640 B2 JP3164640 B2 JP 3164640B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide superconductor
- sintered body
- plate
- oxide
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超電導体の製造
方法に関し、詳細には、高密度で且つ高配向性を有する
酸化物超電導体の製造方法に関する。
方法に関し、詳細には、高密度で且つ高配向性を有する
酸化物超電導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、超電導体として従来から用いられて
きた金属系超電導体によりも高い臨界温度Ｔｃ（抵抗が
ゼロになる温度）を有する材料として酸化物超電導体が
発見され、その実用化が期待されている。
きた金属系超電導体によりも高い臨界温度Ｔｃ（抵抗が
ゼロになる温度）を有する材料として酸化物超電導体が
発見され、その実用化が期待されている。
【０００３】現在、酸化物超電導体としては、主として
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｙ系という）およびＢｉ
−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｂｉ系という）の２
種が知られており、後者の酸化物超電導体では、更にＴ
ｃが１１０Ｋの高Ｔｃ相と、Ｔｃが８０Ｋ相の低Ｔｃ相
の２種が知られており、Ｙ系に比較してＴｃが高いこと
からその実用化が特に進められている。
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｙ系という）およびＢｉ
−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｂｉ系という）の２
種が知られており、後者の酸化物超電導体では、更にＴ
ｃが１１０Ｋの高Ｔｃ相と、Ｔｃが８０Ｋ相の低Ｔｃ相
の２種が知られており、Ｙ系に比較してＴｃが高いこと
からその実用化が特に進められている。
【０００４】このＢｉ系における高Ｔｃ相と低Ｔｃ相
は、具体的には、高Ｔｃ相が Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ10+ δ からなり、低Ｔｃ相が Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ1 Ｃｕ2 Ｏ8+δ からなる。
は、具体的には、高Ｔｃ相が Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ10+ δ からなり、低Ｔｃ相が Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ1 Ｃｕ2 Ｏ8+δ からなる。
【０００５】これら酸化物超電導体は、その実用化に際
しては高い臨界温度を有するとともに臨界電流密度（抵
抗ゼロにおける電流値）が大きいことが必要とされてい
る。
しては高い臨界温度を有するとともに臨界電流密度（抵
抗ゼロにおける電流値）が大きいことが必要とされてい
る。
【０００６】そこでＢｉ系酸化物超電導体においてはそ
の結晶が燐片状粒子からなることから、この燐片状粒子
を一方向に配向させることにより臨界電流密度を高くす
ることができると考えられている。また、焼結体として
その相対密度を高め、高緻密化することも特性上大きな
要因であると言われている。
の結晶が燐片状粒子からなることから、この燐片状粒子
を一方向に配向させることにより臨界電流密度を高くす
ることができると考えられている。また、焼結体として
その相対密度を高め、高緻密化することも特性上大きな
要因であると言われている。
【０００７】そこで、高密度の酸化物超電導体を作成す
る方法として、高い機械的な圧力を加えつつ加熱するホ
ットプレス法が採用されている。
る方法として、高い機械的な圧力を加えつつ加熱するホ
ットプレス法が採用されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、Ｂｉ
系酸化物超電導体を作成する場合、例えば低Ｔｃ相の仮
焼粉末をホットプレス焼成すると緻密化自体は進行する
が、高Ｔｃ相の生成が少ないために高Ｔｃ化、高Ｊｃ化
が望めない。そこで、上記ホットプレス後の焼結体をさ
らに熱処理し、高Ｔｃ相を生成することも提案される
が、熱処理によって粒成長が生じるために密度は逆に低
下する傾向にある。
系酸化物超電導体を作成する場合、例えば低Ｔｃ相の仮
焼粉末をホットプレス焼成すると緻密化自体は進行する
が、高Ｔｃ相の生成が少ないために高Ｔｃ化、高Ｊｃ化
が望めない。そこで、上記ホットプレス後の焼結体をさ
らに熱処理し、高Ｔｃ相を生成することも提案される
が、熱処理によって粒成長が生じるために密度は逆に低
下する傾向にある。
【０００９】また上記の方法では、焼結体の緻密化には
ある程度の効果があるが、結晶粒子の配向化の点からは
不十分であるために、得られる焼結体のＪｃ値もせいぜ
い１０００Ａ／ｃｍ2 以下であり、実用的レベルには到
底達していないのが現状であった。
ある程度の効果があるが、結晶粒子の配向化の点からは
不十分であるために、得られる焼結体のＪｃ値もせいぜ
い１０００Ａ／ｃｍ2 以下であり、実用的レベルには到
底達していないのが現状であった。
【００１０】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記問
題点に対して先に低Ｔｃ相の仮焼粉末を常圧で焼成して
充分に高Ｔｃ相を生成した後、該焼結体に圧力を加えつ
つ加熱処理を行う、いわゆるホットフォージング処理を
行うことによって、高配向、高密度でＪｃ値が１５００
〜４５００Ａ／ｃｍ2程度の優れた酸化物超電導体が得
られることを提案したが、さらに高いＪｃ値が得られる
方法について検討したところ、このホットフォージング
処理後の板状の焼結体を複数枚積層し、該積層体の上下
面から再度加圧しながら焼成することにより、粒子への
荷重が増し、変形量が増加するため配向度が向上し、高
いＪｃ値を有する酸化物超電導体が得られることを知見
した。
題点に対して先に低Ｔｃ相の仮焼粉末を常圧で焼成して
充分に高Ｔｃ相を生成した後、該焼結体に圧力を加えつ
つ加熱処理を行う、いわゆるホットフォージング処理を
行うことによって、高配向、高密度でＪｃ値が１５００
〜４５００Ａ／ｃｍ2程度の優れた酸化物超電導体が得
られることを提案したが、さらに高いＪｃ値が得られる
方法について検討したところ、このホットフォージング
処理後の板状の焼結体を複数枚積層し、該積層体の上下
面から再度加圧しながら焼成することにより、粒子への
荷重が増し、変形量が増加するため配向度が向上し、高
いＪｃ値を有する酸化物超電導体が得られることを知見
した。
【００１１】即ち、本発明は、酸化物超電導体を構成す
る元素の酸化物あるいは酸化物形成化合物からなる混合
体を板状に成形するか、あるいは該混合体を仮焼した後
に板状に成形し、該板状の成形体を一旦酸化性雰囲気中
で焼成した後に、該板状の焼結体をホットフォージング
処理し、その後板状の焼結体を複数枚積層し、該積層体
の上下面から再度酸化性雰囲気の加圧しながら焼成する
ことを特徴とするものである。
る元素の酸化物あるいは酸化物形成化合物からなる混合
体を板状に成形するか、あるいは該混合体を仮焼した後
に板状に成形し、該板状の成形体を一旦酸化性雰囲気中
で焼成した後に、該板状の焼結体をホットフォージング
処理し、その後板状の焼結体を複数枚積層し、該積層体
の上下面から再度酸化性雰囲気の加圧しながら焼成する
ことを特徴とするものである。
【００１２】以下、本発明を図面を参照しつつ説明す
る。本発明の製造方法における工程（ａ）〜（ｄ）につ
いて個々に説明する。
る。本発明の製造方法における工程（ａ）〜（ｄ）につ
いて個々に説明する。
【００１３】調合成形工程（ａ） 酸化物超電導体を構成する金属の酸化物粉末あるいは焼
成により酸化物を形成しうる炭酸塩や硝酸塩粉末等を用
いてこれらを酸化物超電導体を形成しうる割合に秤量混
合する。具体的には前述したＢｉ系酸化物超電導体のう
ち高Ｔｃ相を作成する場合には、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＳｒＯ、
ＣａＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末を用いてこれらを原子比に
おいてＳｒを２としたとき、Ｂｉが１．８〜２．２、Ｃ
ａが２．０〜３．５、Ｃｕが３．０〜４．５の範囲にな
るように秤量する。また、高Ｔｃ相の生成量を増加させ
ることを目的として上記の混合体にさらにＰｂＯ粉末、
およびＫ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ2 等をＳ
ｒを２としてＰｂを０．１〜０．５、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａを
０．０５〜０．６の割合で添加混合することができる。
成により酸化物を形成しうる炭酸塩や硝酸塩粉末等を用
いてこれらを酸化物超電導体を形成しうる割合に秤量混
合する。具体的には前述したＢｉ系酸化物超電導体のう
ち高Ｔｃ相を作成する場合には、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＳｒＯ、
ＣａＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末を用いてこれらを原子比に
おいてＳｒを２としたとき、Ｂｉが１．８〜２．２、Ｃ
ａが２．０〜３．５、Ｃｕが３．０〜４．５の範囲にな
るように秤量する。また、高Ｔｃ相の生成量を増加させ
ることを目的として上記の混合体にさらにＰｂＯ粉末、
およびＫ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ2 等をＳ
ｒを２としてＰｂを０．１〜０．５、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａを
０．０５〜０．６の割合で添加混合することができる。
【００１４】上記のようにして得られた混合粉末を公知
の成形手段によって板状に成形する。また、所望によっ
ては上記の混合粉末を７００〜８５０℃の酸化性雰囲気
中で１〜２０時間程度仮焼後、粉砕し同様に板状に成形
する。この仮焼工程によれば、前述した組成からなる混
合粉末を仮焼すると低Ｔｃ相を主体とする酸化物超電導
粉末となる。なお、成形方法としてはプレス成形、押し
出し成形、ドクターブレード成形法等が採用される。
の成形手段によって板状に成形する。また、所望によっ
ては上記の混合粉末を７００〜８５０℃の酸化性雰囲気
中で１〜２０時間程度仮焼後、粉砕し同様に板状に成形
する。この仮焼工程によれば、前述した組成からなる混
合粉末を仮焼すると低Ｔｃ相を主体とする酸化物超電導
粉末となる。なお、成形方法としてはプレス成形、押し
出し成形、ドクターブレード成形法等が採用される。
【００１５】焼成工程（ｂ） 次に、上記のようにして得られた成形体を８４０〜８５
５℃の酸化性雰囲気中で５〜２００時間程度焼成する。
この焼成によって一旦低Ｔｃ相の燐片状の結晶が生成さ
れるが、焼成が進行するに従い低Ｔｃ相は高Ｔｃ相に変
換される。
５℃の酸化性雰囲気中で５〜２００時間程度焼成する。
この焼成によって一旦低Ｔｃ相の燐片状の結晶が生成さ
れるが、焼成が進行するに従い低Ｔｃ相は高Ｔｃ相に変
換される。
【００１６】この焼成を非加圧で行うと燐片状の結晶の
成長により低密度の焼結体となるために、ホットプレス
焼成を行ってもよい。
成長により低密度の焼結体となるために、ホットプレス
焼成を行ってもよい。
【００１７】このような焼成工程終了時点では、焼結体
の燐片状結晶はほとんど無配向状態である。
の燐片状結晶はほとんど無配向状態である。
【００１８】ホットフォージング処理工程（ｃ） 次に、上記の焼結体をホットフォージング処理する。こ
のホットフォージング処理は、図１に示すように、焼結
体１をプレスパンチ２，３により方向Ａに圧力を付加す
ると同時に適当な加熱手段（図示せず）で加熱する。ホ
ットプレス法とは、焼結体１に対する加圧方向Ａと直角
方向が開放状態である点で異なる。なお、この時の圧力
は５０ｋｇ／ｃｍ2 以上、加熱温度は８００〜８５０℃
で雰囲気は大気等の酸化性雰囲気であることが望まし
い。
のホットフォージング処理は、図１に示すように、焼結
体１をプレスパンチ２，３により方向Ａに圧力を付加す
ると同時に適当な加熱手段（図示せず）で加熱する。ホ
ットプレス法とは、焼結体１に対する加圧方向Ａと直角
方向が開放状態である点で異なる。なお、この時の圧力
は５０ｋｇ／ｃｍ2 以上、加熱温度は８００〜８５０℃
で雰囲気は大気等の酸化性雰囲気であることが望まし
い。
【００１９】また、ホットフォージング処理に際しては
図１において焼結体１とプレスパンチ２、３との間に、
金、銀、銅等の延性金属板を介して圧力を付加すること
によってさらに配向性を高めることができる。
図１において焼結体１とプレスパンチ２、３との間に、
金、銀、銅等の延性金属板を介して圧力を付加すること
によってさらに配向性を高めることができる。
【００２０】再焼成工程（ｄ） 次に、図２に示すように上記の工程（ｃ）によって得ら
れた板状の焼結体４を複数枚積層し、プレスパンチ２、
３により８００〜８５０℃の大気中等の酸化性雰囲気中
で前記積層体の上下面から圧力５０ｋｇ／ｃｍ2の加圧
しながら１０〜２００時間程度熱処理する。場合によっ
ては、（ｄ）工程のものをアニ−ルし、１１０Ｋ相の生
成を促進させることができる。
れた板状の焼結体４を複数枚積層し、プレスパンチ２、
３により８００〜８５０℃の大気中等の酸化性雰囲気中
で前記積層体の上下面から圧力５０ｋｇ／ｃｍ2の加圧
しながら１０〜２００時間程度熱処理する。場合によっ
ては、（ｄ）工程のものをアニ−ルし、１１０Ｋ相の生
成を促進させることができる。
【００２１】
【作用】本発明の構成によれば、焼成工程（ｂ）によっ
て得られた焼結体に対してホットフォージング処理した
後、焼結体２枚以上を積層してさらに再焼成する点が最
も重要である。まず、ホットフォージング処理によって
焼成工程（ｂ）によって生成された燐片状の結晶粒子が
圧縮されて全体として緻密化が進行するとともに燐片状
粒子が配向することにより、粒子同士の接触面積が増大
し臨界電流密度を高めることができる。しかし、このホ
ットフォージング処理では、サンプルを挟持する構造物
も変形するため、ある程度の変形が起こった後粒子にか
かる荷重が低下し、変形が進まなくなってしまう。そこ
で、再焼成工程（ｄ）で、焼結体２枚以上を積層し、加
圧下で再度焼成することによって、粒子にかかる荷重が
増加するため変形が活性化され、密度および配向度が再
度向上する。これにより飛躍的に酸化物超電導体の臨界
電流密度を高めることができるのである。
て得られた焼結体に対してホットフォージング処理した
後、焼結体２枚以上を積層してさらに再焼成する点が最
も重要である。まず、ホットフォージング処理によって
焼成工程（ｂ）によって生成された燐片状の結晶粒子が
圧縮されて全体として緻密化が進行するとともに燐片状
粒子が配向することにより、粒子同士の接触面積が増大
し臨界電流密度を高めることができる。しかし、このホ
ットフォージング処理では、サンプルを挟持する構造物
も変形するため、ある程度の変形が起こった後粒子にか
かる荷重が低下し、変形が進まなくなってしまう。そこ
で、再焼成工程（ｄ）で、焼結体２枚以上を積層し、加
圧下で再度焼成することによって、粒子にかかる荷重が
増加するため変形が活性化され、密度および配向度が再
度向上する。これにより飛躍的に酸化物超電導体の臨界
電流密度を高めることができるのである。
【００２２】以下、本発明を次の例で説明する。
【００２３】
【実施例】原料粉末としてＢｉ2 Ｏ3 、ＰｂＯ、ＳｒＣ
Ｏ3 、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末を各金属のモル比が
Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．９３：０．３６：
２：３．１７：４．２５となるように秤量後、７５０〜
８１０℃で２０時間仮焼し、粉砕して平均粒径５μm の
低Ｔｃ相を多量に含む仮焼粉末を得た（Ａ工程）。
Ｏ3 、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末を各金属のモル比が
Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．９３：０．３６：
２：３．１７：４．２５となるように秤量後、７５０〜
８１０℃で２０時間仮焼し、粉砕して平均粒径５μm の
低Ｔｃ相を多量に含む仮焼粉末を得た（Ａ工程）。
【００２４】この仮焼粉末をφ１２ｍｍの金型を用いて
成形圧１ｔｏｎ／ｃｍ2 で成形して厚み約１ｍｍの円板
状成形体を得た（Ｂ工程）。上記成形体を大気中で８４
０℃の温度で１５０時間焼成したところ、比重２．０
（アルキメデス法に基づく）の焼結体が得られた（Ｃ工
程）。また、組織観察したところ、高Ｔｃ相の燐片状の
結晶がランダムに配列していた。
成形圧１ｔｏｎ／ｃｍ2 で成形して厚み約１ｍｍの円板
状成形体を得た（Ｂ工程）。上記成形体を大気中で８４
０℃の温度で１５０時間焼成したところ、比重２．０
（アルキメデス法に基づく）の焼結体が得られた（Ｃ工
程）。また、組織観察したところ、高Ｔｃ相の燐片状の
結晶がランダムに配列していた。
【００２５】次に、この焼結体を図１に従い、焼結体に
対して１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で８４５℃の温度でホッ
トフォージング処理した（Ｄ工程）。その後、この焼結
体２枚を積層し、図２に従い焼結体の上下面に焼結体に
対して１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で８４５℃の温度でホッ
トフォージング処理し、試料Ｎo.１の焼結体を得た（Ｅ
工程）。
対して１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で８４５℃の温度でホッ
トフォージング処理した（Ｄ工程）。その後、この焼結
体２枚を積層し、図２に従い焼結体の上下面に焼結体に
対して１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で８４５℃の温度でホッ
トフォージング処理し、試料Ｎo.１の焼結体を得た（Ｅ
工程）。
【００２６】最終的に得られた焼結体に対してアルキメ
デス法により比重を調べるとともにＸ線回折測定を行
い、Ｘ線回折のチャートデータから下記数１より（００
１）面の配向度ｆを求めた。
デス法により比重を調べるとともにＸ線回折測定を行
い、Ｘ線回折のチャートデータから下記数１より（００
１）面の配向度ｆを求めた。
【００２７】
【数１】ｆ＝（Ｐ−Ｐo ）／（１−Ｐ） 式中、 Ｐ (配向試料) ＝ΣI (00l) ／〔ΣI (hkl) ＋ΣI (00l) 〕 Ｐo(未配向試料) ＝ΣI'(00l) ／〔ΣI'(hkl) ＋ΣI'(00l) 〕 さらに、上記焼結体について、抵抗法に基づき、試料を
液体窒素中で電流を徐々に高め、高圧端子に１μＶ／ｃ
ｍの電圧が生じた時の電流値を臨界電流密度Ｊｃとして
求め、同時に臨界温度Ｔｃも測定した。
液体窒素中で電流を徐々に高め、高圧端子に１μＶ／ｃ
ｍの電圧が生じた時の電流値を臨界電流密度Ｊｃとして
求め、同時に臨界温度Ｔｃも測定した。
【００２８】その結果、比重が６．３、配向度ｆが０．
９８、臨界電流密度が５０，０００Ａ／ｃｍ2 と高く、
しかも臨界温度も１０７Ｋであり、優れた特性を示し
た。
９８、臨界電流密度が５０，０００Ａ／ｃｍ2 と高く、
しかも臨界温度も１０７Ｋであり、優れた特性を示し
た。
【００２９】比較例１ 実施例において、再フォ−ジング工程を含まない以外
は、全く同様にして焼結体（試料Ｎo.２）を作成し、同
様に特性の評価を行った。その結果、比重が６．０、配
向度ｆが０．７５、臨界温度も１０４Ｋであり、臨界電
流密度が５，５００Ａ／ｃｍ2 と低いものであった。
は、全く同様にして焼結体（試料Ｎo.２）を作成し、同
様に特性の評価を行った。その結果、比重が６．０、配
向度ｆが０．７５、臨界温度も１０４Ｋであり、臨界電
流密度が５，５００Ａ／ｃｍ2 と低いものであった。
【００３０】比較例２ 実施例において、ホットフォージング処理後一旦室温ま
で冷却し、再度同じ条件でホットフォージング処理を行
い、最終的にホットフォージング処理を行った。得られ
た焼結体（試料Ｎo.３）に対して、実施例１と同様に特
性の評価を行った。その結果、比重が６．１、配向度ｆ
が０．８５、臨界温度も１０５Ｋでああり、本発明品と
大差がないが、臨界電流密度が９，５００Ａ／ｃｍ2 と
本発明よりも劣るものであった。
で冷却し、再度同じ条件でホットフォージング処理を行
い、最終的にホットフォージング処理を行った。得られ
た焼結体（試料Ｎo.３）に対して、実施例１と同様に特
性の評価を行った。その結果、比重が６．１、配向度ｆ
が０．８５、臨界温度も１０５Ｋでああり、本発明品と
大差がないが、臨界電流密度が９，５００Ａ／ｃｍ2 と
本発明よりも劣るものであった。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の方法によれ
ば、酸化物超電導体、例えば、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−Ｏ系酸化物超電導体の作成に際してある程度緻密化し
た焼結体をホットフォージング処理し、さらに板状の焼
結体２枚以上を積層し、該積層体の上下面から再度ホッ
トフォ−ジングすることにより、焼結体の結晶粒子の配
向度を高めるとともに高密度化が達成できるために高配
向性を有し、且つ臨界電流密度が極めて高い酸化物超電
導体を安定して得ることができる。
ば、酸化物超電導体、例えば、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−Ｏ系酸化物超電導体の作成に際してある程度緻密化し
た焼結体をホットフォージング処理し、さらに板状の焼
結体２枚以上を積層し、該積層体の上下面から再度ホッ
トフォ−ジングすることにより、焼結体の結晶粒子の配
向度を高めるとともに高密度化が達成できるために高配
向性を有し、且つ臨界電流密度が極めて高い酸化物超電
導体を安定して得ることができる。
【００３２】このように、臨界電流密度の高い酸化物超
電導体が得られることにより酸化物超電導体の実用化を
さらに進めることができる。
電導体が得られることにより酸化物超電導体の実用化を
さらに進めることができる。
【図１】本発明の酸化物超電導体の製造方法における工
程（ｃ）を説明するための図である。
程（ｃ）を説明するための図である。
【図２】本発明の酸化物超電導体の製造方法における工
程（ｄ）を説明するための図である。
程（ｄ）を説明するための図である。
１ 焼結体 ２，３ プレスパンチ
Claims (1)
- 【請求項１】下記の工程（ａ）〜（ｄ） （ａ）酸化物超電導体を構成する元素の酸化物あるいは
酸化物形成化合物からなる混合体を板状に成形するか、
あるいは該混合体を仮焼後板状に成形する工程、 （ｂ）該板状の成形体を酸化性雰囲気中で焼成する工
程、 （ｃ）該板状の焼結体を加圧しながら加熱処理する工
程、 （ｄ）工程（ｃ）によって得られた板状の焼結体を複数
枚積層し、酸化性雰囲気中で前記積層体の上下面から加
圧しながら加熱処理する工程、 を具備することを特徴とする酸化物超電導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10710292A JP3164640B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10710292A JP3164640B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05301758A JPH05301758A (ja) | 1993-11-16 |
| JP3164640B2 true JP3164640B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=14450512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10710292A Expired - Fee Related JP3164640B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3164640B2 (ja) |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP10710292A patent/JP3164640B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05301758A (ja) | 1993-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970007765B1 (ko) | 초전도 산화물 와이어 및 그 제조 방법 | |
| JP2003026473A (ja) | セラミックの製造方法 | |
| JP3164640B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP2969220B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP2969221B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| US5108985A (en) | Bi-Pb-Sr-Ca-Cu oxide superconductor containing alkali metal and process for preparation thereof | |
| JP3314102B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP2866484B2 (ja) | 酸化物超電導体の製法 | |
| JPH06263520A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH07232960A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP2866503B2 (ja) | 酸化物超電導構造体の製造方法 | |
| EP0500966B1 (en) | Oxide superconductor and method of manufacturing said superconductor | |
| JP3285646B2 (ja) | 酸化物超電導構造体の製造方法 | |
| JP3285636B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH07242424A (ja) | 酸化物超電導構造体およびその製造方法 | |
| JP2803823B2 (ja) | Ｔ１系酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP4893287B2 (ja) | 誘電体材料 | |
| JP2573256B2 (ja) | 超電導体部材の製造方法 | |
| JP2791408B2 (ja) | 高密度・高配向酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH08181487A (ja) | 磁気シールド体の製造方法 | |
| JP2964258B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP3187089B2 (ja) | 酸化物超電導構造体 | |
| JPH03279212A (ja) | 酸化物超電導薄膜形成用ターゲット材の製造方法 | |
| JP2675998B2 (ja) | 粒子高配向性高緻密焼結体の製造法 | |
| JPH01219057A (ja) | 酸化物超電導体及びその製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |