JP3156641U

JP3156641U - Mold for semiconductor resin sealing

Info

Publication number: JP3156641U
Application number: JP2009006930U
Authority: JP
Inventors: 利建刀祢
Original assignee: Sanken Electric Co Ltd
Current assignee: Sanken Electric Co Ltd
Priority date: 2009-09-30
Filing date: 2009-09-30
Publication date: 2010-01-14
Anticipated expiration: 2019-09-30

Abstract

【課題】放熱板露出タイプの半導体樹脂封止用金型において、樹脂充填過程で発生する未充填を防止し、フィン側面に樹脂溜まりを確実に成形し、ゲートの金型残りを防止する半導体樹脂封止用金型を提供する。【解決手段】樹脂封止を行うモールド金型において、溶融された樹脂を移送するランナーと、樹脂によりパッケージを形成する空間であるキャビティと、ランナーからキャビティ内へ樹脂を注入するメインゲートと、キャビティ間を連結する空間である樹脂たまりと、ランナーから樹脂溜まり内へ樹脂を注入するサブゲートとを備える。【選択図】図１Disclosed is a semiconductor resin that prevents unfilling that occurs during the resin filling process, reliably forms a resin reservoir on the side surface of the fin, and prevents the mold from remaining on the gate in a heat sink exposed mold for semiconductor resin sealing. A sealing mold is provided. In a mold for performing resin sealing, a runner that transfers molten resin, a cavity that is a space for forming a package with the resin, a main gate that injects resin from the runner into the cavity, and a cavity A resin pool, which is a space for connecting the two, and a sub-gate for injecting resin from the runner into the resin reservoir are provided. [Selection] Figure 1

Description

本考案は、半導体樹脂封止用金型に関し、特に、未充填の発生を防ぐ樹脂封止用金型に関する。
The present invention relates to a semiconductor resin sealing mold, and more particularly to a resin sealing mold that prevents unfilling.

通常、半導体装置において、半導体素子を保護するために、トランスファーモールド（移送成形）方法による樹脂封止が知られている。一般的に加熱保持された樹脂封止金型において、予熱されたタブレット状の樹脂をポットに投入し、プランジャーで加圧して溶融された樹脂をランナーへ押し出す。樹脂はランナーを通り、さらに注入口であるゲートを通り、半導体素子を搭載した支持板等が挟持されている空間であるキャビティに充填される。この時に金型の空間（ポット、ランナー、ゲート、キャビティ）に存在する空気と樹脂に含有された空気が空気排出口であるエアベントから排出される。その後、成形された支持板等を金型から取り出し、不要部であるゲートやランナーを除去し、樹脂封止型半導体装置が出来上がる。
Usually, in a semiconductor device, in order to protect a semiconductor element, resin sealing by a transfer molding (transfer molding) method is known. In a resin-sealed mold that is generally heated and held, a preheated tablet-shaped resin is put into a pot, and the molten resin is pushed out by a plunger and extruded to a runner. The resin passes through the runner, further passes through the gate that is the injection port, and is filled into a cavity that is a space in which a support plate or the like on which a semiconductor element is mounted is sandwiched. At this time, the air present in the mold space (pot, runner, gate, cavity) and the air contained in the resin are discharged from the air vent as the air discharge port. Thereafter, the molded support plate and the like are taken out from the mold, and unnecessary portions such as gates and runners are removed to complete a resin-encapsulated semiconductor device.

しかし、多連用金型でキャビティ間をゲートが連通する場合には、樹脂充填時にボイドや未充填といった空気排出不良問題があり、キャビティ間に連通するゲートに樹脂溜まりとエアー抜け口を設けて、ボイドやエアーの巻き込みを防ぐ金型が従来技術として知られている。（例えば、特許文献１、図１参照）
However, when the gate communicates between the cavities in the multiple mold, there is a problem of poor air discharge such as voids or unfilled when filling the resin, and a resin reservoir and an air outlet are provided at the gate communicating between the cavities, A mold for preventing the inclusion of voids and air is known as a prior art. (For example, see Patent Document 1 and FIG. 1)

また、成形体キャビティ部において、厚い樹脂層と薄い樹脂層がある場合には、薄い樹脂層に気泡やピンホールが発生する問題があり、主注入口と補助注入口と複数のゲートを設け、厚い樹脂層と薄い樹脂層に対応し、樹脂内の気泡・ピンホールを防ぐ製造方法が従来技術として知られている。（例えば、特許文献２、図１参照）
Moreover, in the molded body cavity portion, when there are a thick resin layer and a thin resin layer, there is a problem that bubbles or pinholes are generated in the thin resin layer, and a main injection port, an auxiliary injection port, and a plurality of gates are provided, A manufacturing method corresponding to a thick resin layer and a thin resin layer and preventing bubbles and pinholes in the resin is known as a conventional technique. (For example, see Patent Document 2 and FIG. 1)

特開平９−２６２８６９号公報JP-A-9-262869 特開昭６３−９９５３９号公報JP-A 63-99539

裏面、側面に放熱板が露出している半導体装置の樹脂封止金型では、放熱板の側面に樹脂漏れが発生する。この対処として、側面に厚バリ（樹脂溜まり）を成形し、後工程で容易に除去できるようにしている。しかし、厚バリ（樹脂溜まり）は微少な空間であり、フィン側面を伝わった樹脂で成形させるために、未充填が発生する懸念がある。
In the resin-sealed mold of the semiconductor device in which the heat sink is exposed on the back and side surfaces, resin leakage occurs on the side surface of the heat sink. As a countermeasure, a thick burr (resin pool) is formed on the side surface so that it can be easily removed in a later process. However, the thick burr (resin pool) is a very small space, and there is a concern that unfilling may occur because the resin is transmitted through the fin side surface.

しかしながら、従来技術は、樹脂溜まりに未充填、ボイドを発生させるため、この部分の強度が弱く、離型時に割れて金型内に貼り付き残ってしまう。また、複数ゲートにした場合も同様に、小さいゲートは強度が弱く、離型時に割れて金型内に貼り付き残ってしまうことについての考慮されていないという課題がある。
However, since the prior art generates unfilled resin voids and voids, the strength of this portion is weak and cracks at the time of mold release and remains stuck in the mold. Similarly, when a plurality of gates are used, the strength of a small gate is weak, and there is a problem that it is not considered that the small gate is cracked at the time of mold release and remains stuck in the mold.

従って、本考案は、未充填を防止し、フィン側面の厚バリを確実に成形し、ゲートの金型残りを防止する半導体樹脂封止用金型を提供することを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor resin sealing mold that prevents unfilling, reliably forms a thick burr on the side surface of the fin, and prevents the gate mold from remaining.

上記の課題を解決するために、本考案は、以下に掲げる構成とした。
本考案の半導体樹脂封止用金型は、樹脂封止を行うモールド金型において、溶融された樹脂を移送するランナーと、樹脂によりパッケージを形成する空間であるキャビティと、ランナーからキャビティ内へ樹脂を注入するメインゲートと、キャビティ間を連結する空間である樹脂たまりと、ランナーから樹脂溜まり内へ樹脂を注入するサブゲートと、を備えることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration.
The mold for semiconductor resin sealing of the present invention is a mold for performing resin sealing, a runner that transfers molten resin, a cavity that forms a package with the resin, and a resin from the runner into the cavity. And a sub-gate for injecting the resin from the runner into the resin reservoir.

また、サブゲートはメインゲートより小さい寸法と、テーパー形状であることと、ランナーから直接配置されていることを特徴とする。
In addition, the sub-gate has a size smaller than that of the main gate, has a tapered shape, and is arranged directly from the runner.

また、モールド金型は放熱板の裏面、側面が露出している半導体装置の樹脂成形において、使用されることを特徴とする。
Further, the mold is used in resin molding of a semiconductor device in which the back and side surfaces of the heat sink are exposed.

本考案によれば、半導体樹脂封止用金型において、樹脂充填過程で発生する未充填を防止し、フィン側面に樹脂溜まりを確実に成形し、ゲートの金型残りを防止する半導体樹脂封止用金型を提供することができる効果を奏する。
According to the present invention, in a semiconductor resin sealing mold, a semiconductor resin sealing that prevents unfilling that occurs during the resin filling process, reliably forms a resin reservoir on the side surface of the fin, and prevents the mold from remaining on the gate. The effect which can provide the metal mold | die is produced.

本考案の実施例１に係る金型で製造した半導体装置の平面図である。It is a top view of the semiconductor device manufactured with the metal mold | die which concerns on Example 1 of this invention. 図１の半導体装置の側面図である。FIG. 2 is a side view of the semiconductor device of FIG. 1. 図１の半導体装置Ａ―Ａ断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor device AA in FIG. 1. 本考案の実施例１に係る上金型の平面図である。It is a top view of the upper metallic mold concerning Example 1 of the present invention. 図４上金型Ｂ−Ｂ断面図である。4 is a cross-sectional view of the upper mold BB. 本考案の実施例１に係る下金型の平面図である。It is a top view of the lower metal mold concerning Example 1 of the present invention. 図６下金型Ｃ−Ｃ断面図である。6 is a cross-sectional view of the lower mold CC. 本考案の実施例１に係る金型とリードフレーム関係断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view of a mold and a lead frame related to Example 1 of the present invention. 従来の金型で製造した半導体装置の平面図である。It is a top view of the semiconductor device manufactured with the conventional metal mold | die. 従来の下金型の平面図である。It is a top view of the conventional lower metal mold | die.

以下、本考案の実施の形態について、詳細に説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, the drawings are schematic, and the dimensional relationship ratios and the like are different from the actual ones. Therefore, specific dimensions and the like should be determined in light of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.

本考案の実施の形態に係る半導体樹脂封止用金型の一例である半導体装置１は、図１の平面図、図２の側面図で示される。半導体装置１は、ランナー樹脂２と、メインゲート樹脂３と、サブゲート樹脂４と、封止体５と、樹脂溜まり６と、リードフレーム１０で構成されている。また、図１における半導体装置１は個々の半導体装置が複数連結された状態である。
A semiconductor device 1 which is an example of a semiconductor resin sealing mold according to an embodiment of the present invention is shown in a plan view of FIG. 1 and a side view of FIG. The semiconductor device 1 includes a runner resin 2, a main gate resin 3, a sub-gate resin 4, a sealing body 5, a resin reservoir 6, and a lead frame 10. Further, the semiconductor device 1 in FIG. 1 is in a state where a plurality of individual semiconductor devices are connected.

ランナー樹脂２は、図１、図２に示すように、略角棒状の形体をしており、溶融樹脂の流動経路が成形されたものである。例えば、幅５ｍｍ、高さ４ｍｍである。
As shown in FIGS. 1 and 2, the runner resin 2 has a substantially square bar-like shape, and is formed by a molten resin flow path. For example, the width is 5 mm and the height is 4 mm.

メインゲート樹脂３は、ランナー樹脂２から封止体５へ樹脂を充填する注入口であり、ランナー樹脂２と封止体５を連結し、ランナー樹脂２から封止体５にかけてテーパー状に成形されている。封止体５との連結部は略長方形状であり、例えば、幅４ｍｍ、高さ０．５ｍｍである。
The main gate resin 3 is an injection port for filling the resin from the runner resin 2 to the sealing body 5, connects the runner resin 2 and the sealing body 5, and is formed in a tapered shape from the runner resin 2 to the sealing body 5. ing. The connecting portion with the sealing body 5 has a substantially rectangular shape, for example, a width of 4 mm and a height of 0.5 mm.

サブゲート樹脂４は、メインゲート樹脂３と同様にランナー樹脂２から樹脂溜まり６へ樹脂を充填する注入口であり、ランナー樹脂２と樹脂溜まり６を連結し、ランナー樹脂２から樹脂溜まり６にかけてテーパー状に成形されている。樹脂溜まり６との連結部は略長方形状であり、例えば、幅１．５ｍｍ、高さ０．２ｍｍである。
The sub-gate resin 4 is an inlet for filling the resin from the runner resin 2 to the resin reservoir 6 in the same manner as the main gate resin 3. The sub-gate resin 4 connects the runner resin 2 and the resin reservoir 6 and is tapered from the runner resin 2 to the resin reservoir 6. It is molded into. The connecting portion with the resin reservoir 6 has a substantially rectangular shape, for example, a width of 1.5 mm and a height of 0.2 mm.

封止体５は、リードフレーム１０に搭載した半導体素子（図示せず）をトランスファーモールドによる樹脂封止したものである。リードフレーム１０の放熱板７の裏面と側面を露出させている構造の半導体装置１を成形している。例えば、封止体５は熱硬化型のエポキシ樹脂が使われ、その寸法は、縦１３ｍｍ、横８ｍｍ、厚さは５ｍｍである。
The sealing body 5 is obtained by resin-sealing a semiconductor element (not shown) mounted on the lead frame 10 by transfer molding. The semiconductor device 1 having a structure in which the back surface and side surfaces of the heat sink 7 of the lead frame 10 are exposed is formed. For example, the sealing body 5 is made of a thermosetting epoxy resin, and has dimensions of 13 mm in length, 8 mm in width, and 5 mm in thickness.

樹脂溜まり６は、放熱板７の側面を露出させている構造の半導体装置１を樹脂成形する場合、放熱板７とモールド金型において、材質の熱膨張差や離型を容易にするため、極小の勘合隙間（図示せず）を必要とする。この勘合隙間に溶融樹脂が流れ込み樹脂バリとなる。この樹脂バリは極小の勘合隙間と略同寸法の薄い樹脂膜となり、除去が容易ではない。ここでは樹脂バリを容易に除去するために、厚みのある樹脂バリとしている。これが樹脂溜まり６となる。サブゲート樹脂４を通して、直接、連結（樹脂充填）される。封止体５と同一の熱硬化型のエポキシ樹脂が使われる。例えば、その寸法は、縦１０ｍｍ、横２ｍｍ、厚さは２ｍｍである。
The resin reservoir 6 is extremely small when the semiconductor device 1 having a structure in which the side surface of the heat radiating plate 7 is exposed is resin-molded, in order to facilitate the difference in thermal expansion and release between the heat radiating plate 7 and the mold. Requires a fitting gap (not shown). Molten resin flows into the fitting gap to form a resin burr. This resin burr becomes a thin resin film having the same dimension as the minimum fitting gap, and is not easy to remove. Here, in order to easily remove the resin burr, a thick resin burr is used. This becomes the resin reservoir 6. Direct connection (resin filling) is made through the sub-gate resin 4. The same thermosetting epoxy resin as the sealing body 5 is used. For example, the dimensions are 10 mm long, 2 mm wide, and 2 mm thick.

リードフレーム１０は、半導体素子（図示せず）を搭載し、半導体素子が発生する熱を放出する放熱板７（フィン）と、個々の半導体装置の外部出力端子となるリード８と、リード８の中間位置を連結するタイバー９と、リード８の一方の端を連結し位置決め用の穴が空いているキャリア１１とで構成されている。銅（Ｃｕ）、銅合金、アロイ材（Ｆｅ−Ｎｉ）等のような金属板の表面に、パラジウム合金（Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ）、銀（Ａｇ）、及びニッケル（Ｎｉ）メッキが施された材料等が用いられる。例えば、放熱板７の厚さは２ｍｍ、リード８の厚さは０．５ｍｍである。リードフレーム１０は図示していないが、エッチングやプレス加工により製造され、放熱板７と、リード８とがそれぞれ連結され一体化し短冊状態にある。
The lead frame 10 has a semiconductor element (not shown) mounted thereon, a heat sink 7 (fin) for releasing heat generated by the semiconductor element, a lead 8 serving as an external output terminal of each semiconductor device, and a lead 8 The tie bar 9 is connected to the intermediate position, and the carrier 11 is connected to one end of the lead 8 and has a positioning hole. Palladium alloy (Ni—Pd—Au), silver (Ag), and nickel (Ni) plating were applied to the surface of a metal plate such as copper (Cu), a copper alloy, and an alloy material (Fe—Ni). Materials etc. are used. For example, the thickness of the heat sink 7 is 2 mm, and the thickness of the lead 8 is 0.5 mm. Although not shown, the lead frame 10 is manufactured by etching or pressing, and the heat radiating plate 7 and the lead 8 are connected and integrated into a strip shape.

モールド金型２２は、図８に示すように、上金型１２と、下金型１３で構成されている。それぞれの金型は樹脂成形時には、樹脂が溶融し、流動が容易になるように加熱保持されている。例えば、１８０℃である。また、材料としては、一般的に合金工具鋼（ＳＫＤ材）にクロムめっき処理を施している。
As shown in FIG. 8, the mold die 22 includes an upper die 12 and a lower die 13. Each mold is heated and held during resin molding so that the resin melts and flows easily. For example, 180 ° C. In addition, as a material, chrome plating is generally applied to alloy tool steel (SKD material).

上金型１２は、図６、図７に示すように、個々の半導体装置の樹脂部の外形形状を形成する上型キャビティ１７があり、上金型１２に凹状に掘り込みされている。例えば、幅８ｍｍ、長さ１３ｍｍ、深さ３ｍｍである。また、下金型１３との重ね合せに対し、位置決めピン２１の逃げ穴１８が凹状に掘り込まれている。一般的にキャビティとは樹脂成形において、金型の樹脂が流れ込む空間であり、空気も存在している。
As shown in FIGS. 6 and 7, the upper mold 12 has an upper mold cavity 17 that forms the outer shape of the resin portion of each semiconductor device, and is recessed in the upper mold 12. For example, the width is 8 mm, the length is 13 mm, and the depth is 3 mm. Further, the clearance hole 18 of the positioning pin 21 is dug into a concave shape for the overlap with the lower mold 13. Generally, a cavity is a space into which resin of a mold flows in resin molding, and air is also present.

下金型１３は、図６、図７に示すように、上金型１２同様に個々の半導体装置の樹脂部の外形形状を形成する下型キャビティ１９があり、下金型１３に凹状に掘り込みされている。例えば、幅８ｍｍ、長さ３ｍｍ、深さ１ｍｍである。さらに、半導体装置の放熱板７を挿入するフィンキャビティ２０があり、下金型１３に凹状に掘り込みされている。
As shown in FIGS. 6 and 7, the lower mold 13 has a lower mold cavity 19 that forms the outer shape of the resin part of each semiconductor device, like the upper mold 12. The lower mold 13 is dug in the lower mold 13. Is included. For example, the width is 8 mm, the length is 3 mm, and the depth is 1 mm. Further, there is a fin cavity 20 into which the heat sink 7 of the semiconductor device is inserted, and is dug into the lower mold 13 in a concave shape.

フィンキャビティ２０は、連続した掘り込みであり、フィン７が挿入されると、樹脂はフィンに遮られた残りの空間が、樹脂が充填される空間となる。例えば、長さ１０ｍｍ、深さ２ｍｍである。この空間に充填された樹脂が半導体装置１における樹脂溜まり６である。また、フィン７と下金型１３の勘合隙間を通って樹脂が流れ込むと同時にサブゲート１５を通って樹脂が流れ込む。また、位置決めピン２１があり、リードフレーム１０のキャリア１１に空けられた穴に挿し位置決めされる。例えば、直径１．９ｍｍ、長さ１．５ｍｍである。
The fin cavity 20 is a continuous digging, and when the fin 7 is inserted, the remaining space where the resin is blocked by the fin becomes the space filled with the resin. For example, the length is 10 mm and the depth is 2 mm. The resin filled in this space is a resin reservoir 6 in the semiconductor device 1. Further, the resin flows through the fitting gap between the fin 7 and the lower mold 13, and at the same time, the resin flows through the sub-gate 15. There are positioning pins 21, which are inserted into holes formed in the carrier 11 of the lead frame 10 and positioned. For example, the diameter is 1.9 mm and the length is 1.5 mm.

また、溶融樹脂の流動通路であるランナー１４がフィンキャビティ２０近傍で平行に配置されている。例えば、幅（図中上下方向）５ｍｍ、深さ４ｍｍであり、樹脂の離型が容易になるよう深さ方向にテーパーが設けられている。
In addition, runners 14 that are flow paths of the molten resin are arranged in parallel near the fin cavities 20. For example, the width (up and down direction in the figure) is 5 mm and the depth is 4 mm, and a taper is provided in the depth direction so that release of the resin is easy.

また、ランナー１４からフィンキャビティ２０へ樹脂を注入するメインゲート１５が個々の半導体装置に対応して配設されている。例えば、キャビティ２０との連結部で幅２ｍｍ、深さ０．５ｍｍである。ランナー１４からフィンキャビティ２０へかけて深さが狭まるようにテーパーが設けられている。
A main gate 15 for injecting resin from the runner 14 into the fin cavity 20 is provided corresponding to each semiconductor device. For example, the connecting portion with the cavity 20 has a width of 2 mm and a depth of 0.5 mm. A taper is provided so that the depth decreases from the runner 14 to the fin cavity 20.

同様に、ランナー１４からフィンキャビティ２０へ樹脂を注入するサブゲート１６が個々の半導体装置の間隔空間に対応するように配設されている。例えば、フィンキャビティ２０との連結部で幅１ｍｍ、深さ０．３ｍｍである。ランナー１４からフィンキャビティ２０へかけて深さが狭まるようにテーパーが設けられている。
Similarly, sub-gates 16 for injecting resin from the runners 14 into the fin cavities 20 are arranged so as to correspond to the spacing spaces of the individual semiconductor devices. For example, the width of the connecting portion with the fin cavity 20 is 1 mm and the depth is 0.3 mm. A taper is provided so that the depth decreases from the runner 14 to the fin cavity 20.

図８に示すように、下金型１３のリードフレーム１０を載せ状態で、上金型１２を重ねるように合わせる。その後、溶融樹脂を加圧注入し、成形保持した後に上下金型を開き、半導体装置１を取り出す。その後、樹脂の不要な部分である樹脂溜まり６とランナー樹脂２、メインゲート樹脂３、サブゲート樹脂４を押し落とし除去し、リードフレーム１０の不要な連結部であるタイバー９とキャリア１１を切断除去することにより、個々の半導体装置となる。
As shown in FIG. 8, with the lead frame 10 of the lower mold 13 placed, the upper mold 12 is aligned. Thereafter, molten resin is injected under pressure, and after molding and holding, the upper and lower molds are opened, and the semiconductor device 1 is taken out. Thereafter, the resin reservoir 6, the runner resin 2, the main gate resin 3, and the subgate resin 4, which are unnecessary parts of the resin, are pushed down and removed, and the tie bar 9 and the carrier 11 that are unnecessary connection parts of the lead frame 10 are cut and removed. As a result, individual semiconductor devices are obtained.

以上により、本考案のモールド金型２２を使用することにより、図１に示した半導体装置１を得ることができる。
As described above, the semiconductor device 1 shown in FIG. 1 can be obtained by using the mold die 22 of the present invention.

本考案の実施の形態に係る樹脂封止用金型によれば、フィン側面の厚バリを確実に形成する為に樹脂注入口（サブゲート）を設けて直接バリ部へ樹脂を供給することができる。したがって、樹脂溜まりの未充填を防ぐことができる。
According to the resin sealing mold according to the embodiment of the present invention, a resin injection port (sub-gate) can be provided to supply resin directly to the burr portion in order to reliably form a thick burr on the side surface of the fin. . Therefore, unfilling of the resin reservoir can be prevented.

上記のように、本考案は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの考案を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
As mentioned above, although this invention was described by embodiment, it should not be understood that the description and drawing which form a part of this indication limit this invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques should be apparent to those skilled in the art.

例えば、実施の形態において、下金型１３のキャビティ２０は、連続された形状を用いて説明したが、個々のキャビティに分割され樹脂溜まりを設けた形状であっても構わない。
For example, in the embodiment, the cavity 20 of the lower mold 13 has been described using a continuous shape. However, the cavity 20 may be divided into individual cavities and provided with a resin reservoir.

この様に、本考案はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本考案はこの開示から妥当な特許請求の範囲の考案特定事項によってのみ限定されるものである。
Thus, it should be understood that the present invention includes various embodiments and the like not described herein. Accordingly, the present invention is limited only by the specific matters of the invention in the scope of claims reasonable from this disclosure.

１半導体装置
２ランナー樹脂
３メインゲート樹脂
４サブゲート樹脂
５封止体
６樹脂溜まり
７放熱板
８外部リード
９タイバー
１０リードフレーム
１１キャリア
１２上金型
１３下金型
１４ランナー
１５メインゲート
１６サブゲート
１７上型キャビティ
１８逃げ穴
１９下型キャビティ
２０フィンキャビティ
２１位置決めピン
２２モールド金型 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 Runner resin 3 Main gate resin 4 Sub gate resin 5 Sealing body 6 Resin pool 7 Heat sink 8 External lead 9 Tie bar 10 Lead frame 11 Carrier 12 Upper die 13 Lower die 14 Runner 15 Main gate 16 Sub gate 17 Upper Mold cavity 18 Escape hole 19 Lower mold cavity 20 Fin cavity 21 Positioning pin 22 Mold die

Claims

In a mold for performing resin sealing, a runner that transfers molten resin, a cavity that forms a package with the resin, a main gate that injects the resin from the runner into the cavity, and A mold for resin encapsulation of a semiconductor device, comprising: a resin pool which is a space for connecting cavities, and a sub-gate for injecting the resin from the runner into the resin reservoir.

2. The mold for resin sealing of a semiconductor device according to claim 1, wherein the sub-gate is smaller than the main gate, has a tapered shape, and is directly disposed from the runner.

The mold for semiconductor device resin sealing according to claim 1, wherein the mold die is used in resin molding of a semiconductor device in which a back surface and a side surface of a heat sink are exposed.