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JP3155741B2 - Ｃｓｐのｂｇａ構造を備えた半導体パッケージ - Google Patents

Ｃｓｐのｂｇａ構造を備えた半導体パッケージ

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JP3155741B2
JP3155741B2 JP35582598A JP35582598A JP3155741B2 JP 3155741 B2 JP3155741 B2 JP 3155741B2 JP 35582598 A JP35582598 A JP 35582598A JP 35582598 A JP35582598 A JP 35582598A JP 3155741 B2 JP3155741 B2 JP 3155741B2
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die
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area
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建 屏 黄
曉 餘 羅
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▲シィ▼品精密工業股▲分▼有限公司
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
に関し、特に、チップスケーリングパッケージ（Chip
Scaling Package - 以下、ＣＳＰと称する。）構造をセ
ンタボンドパッド（center bond pad ）に備えるチップ
の半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１１は、従来のリード式半導体装置１
の構造を示す断面図である。図に示されているようにリ
ードフレーム１１において、両面粘着フィルム１１０を
リード端子１１１の上にあらかじめ貼着し、ダイ（die
）１２を上記両面フィルム１１０上に貼着させ、この
ダイ１２を金線（gold wire ）１３にて、ダイ１２を中
心に外側へ輻射延在するリード端子１１１の内側部１１
１ａ上に電気的に接続させ、上記ダイ１２を貼着したリ
ードフレーム１１１を成形金型（molding die ）内に配
置して封止を行ない、封止用樹脂体１４でダイ１２と、
金線１３と、リード端子１１１の内側部分を封止して半
導体装置１のパッケージを完成する。半導体装置１はモ
ールディング工程で生じる樹脂バリや、レジンカット後
のレジン残りを除去し、リード加工後、電子部品に使用
されるプリント回路板上に装着可能となる。
【０００３】しかし、この半導体装置１がその封止用樹
脂体１４の相対する両側より露出するリード端子外側部
１１１ｂ間のピッチは、両相対側縁間のピッチよりも大
きく、上記半導体装置１の封止用樹脂体１４投影区域外
において、リード端子１１１の外部リード部分が投影し
て形成するスカートエリア（skirt area）を形成し、こ
のスカートエリアが半導体装置１のプリント回路板装着
において、余分な面積を占有するため、隣接する半導体
装置１が有効的に接近できず、上記半導体装置１を用い
るプリント回路板の面積縮小が難しくなり、電子部品を
より軽、薄、短、小に設計する傾向に適合できない。
【０００４】上記問題の解決を鑑み、ボールグリッドア
レイ（Ball Grid Array - 以下、ＢＧＡと称する。）式
半導体装置が開発され、図１２は、従来のＢＧＡ半導体
装置２の構造を示す断面図である。一般にＢＧＡ半導体
装置２においては、基板２１上に粘着されるダイ２２
と、上記ダイ２２の上表面に設ける複数のボンディング
パッド２３と、上記ボンディングパッド２３と上記基板
２１の上表面２１１上に敷設する第１の導電トレース
（electrically conductive trace ）２１２間を接続す
る金線２４（wire bonding）とを有し、上記第１の導電
トレース２１２は、上記基板２１上に設ける貫通孔（vi
as）２１３を介して基板２１の下表面２１４上の第２の
導電トレース２１５と接続され、上記ダイ２２、金線２
４および基板２１の上表面２１１をモールディング封止
することにより、上記ダイ２２および金線２４の領域を
被覆した後、ソルダボール（solder ball ）２５を上記
第２の導電トレース２１５終端のコンタクトパッド（co
ntact pad ）２１６上に植設し、ダイ２２が電気的に上
記ソルダボール２５に接続する。なお、通常のソルダボ
ール２５は、アレイ状の配置構成で形成される。
【０００５】上記ＢＧＡ半導体装置２は、その基板２１
の下表面２１４の全面をソルダボール２５の植設に供
し、Ｉ／Ｏのリード端子として用いる。なお、上記ソル
ダボール２５が基板２１下表面２１４に植設されるた
め、半導体装置１のリード端子が利用し得る空間が封止
用樹脂体１４周縁のみであるのに比べて、比較的大きい
利用空間を備える。よって、基板２１の面積が上記半導
体装置１の封止用樹脂体１４投影面積と相同する場合に
おけるリード端子の外部リードによる余分占有空間のス
カートエリア形成がない。このＢＧＡ半導体装置２をプ
リント回路板上に取付けた場合、回路板上の使用面積縮
減となり、プリント回路板のサイズ縮小が可能となり、
また、同時に２つ以上のＢＧＡ半導体装置２を使用する
場合においても、両者間の間隙縮減により、使用空間の
有効節減が可能となる。
【０００６】しかしながら、このＢＧＡ半導体装置２の
金線２４は、ダイ２２の４周縁から外側に向けて輻射状
に延在して基板２１上表面２１１上の第１の導電トレー
ス２１２に至るため、モールディング封止の場合、封止
用樹脂体２６の投影面積が、ダイ２２から外向き輻射状
に延在する金線２４の延在エリアを被覆し得るようにす
るため、封止用樹脂体２６の投影面積は、ダイ２２の投
影面積よりはるかに大きくなり、ＢＧＡ半導体装置２の
製品サイズをさらに縮減して半導体装置の体積微小化と
機能増大化の要求に適合することができない。なお、こ
のＢＧＡ半導体装置２の基板材料が高価であり、かつ、
導電トレースの敷設と貫通孔開設は製造に困難をもたら
すため、コストが高くなり、また、上記半導体装置１と
の構造も異なるため、従来の封止工程に適用できず、設
備の新調による生産原価アップの問題がある。
【０００７】よって、ＣＳＰ型のＢＧＡ半導体装置が、
上記ＢＧＡ半導体装置の体積縮減を図るために開発され
る。図１３は、ＣＳＰ型ＢＧＡ半導体装置３の概略構造
を示す断面図であって、基板３１の投影面積をダイ３２
の投影面積よりもやや大きくして、モールディング封止
後の製品体積を大幅に縮減する。しかし、このＣＳＰ型
ＢＧＡ半導体装置３は、フリップチップ（flip chip ）
およびはんだ隆起（solder bumping）などの先進製造技
術を使用し、ＢＧＡ式基板を採用するため、コストが非
常に高価となり、高付加価値の高Ｉ／Ｏ半導体素子にの
み適用され、低Ｉ／Ｏ半導体素子において、ＣＳＰまた
はＢＧＡ構造を用いて製造することは、工程が複雑でコ
ストが高価であるという問題があった。
【０００８】業界諸氏が開発した、より低い生産コスト
で製作するＢＧＡ構造を備えた低Ｉ／Ｏ半導体装置に
は、米国特許 5,663,594号が提示したものがあり、従来
のリードフレームを基材として、従来のモールディング
方式にて封止を行ない、かつ、従来のワイヤボンディン
グ（wire bonding）技術で製作するＢＧＡ構造を備えた
半導体装置である。図１４に示すこのＢＧＡ構造を備え
た半導体装置４は、ダイ４２をリードフレーム４１のリ
ード端子４１２内端上に配置し、非導電樹脂を介してリ
ード端子４１２の上表面に粘着させ、上記ダイ４２とリ
ード端子４１２内端部をそれぞれの金線４３でボンディ
ングすることによりダイ４２とリード端子４１２とを電
気的に接続し、封止用樹脂でモールディング封止して、
上記リード端子４１２、ダイ４２と金線４３を被覆する
封止樹脂体４４に形成した場合、各リード端子４１２の
下表面に対応する部分には、孔洞を留置し、封止樹脂体
４４で成形された後、各孔洞内にソルダボール４５を植
設し、ソルダボール４５を介してリード端子４１２がプ
リント回路板上のプリント回路と電気的に接続する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記ＢＧＡ構造を備え
る半導体装置４は、体積縮減が顕著であり、また、従来
の封止装置と製造工程を利用することができるが、上記
構造は周辺ボンドパッド（peripheral bond pad ）にの
み適用し、センタボンドパッド（center bond pad ）の
ダイでは、なおも製造工程上の問題点が存在する。リー
ド端子４１２を有効的に封止樹脂体４４で被覆するに
は、上記リード端子４１２下表面と封止樹脂体４４底面
間の厚さが薄すぎないようにすべきである。さもなけれ
ば、固形化成形工程において、容易に封止樹脂体４４の
亀裂が生じるため、半導体装置の薄型化は難しく、ま
た、モールディング封止工程において、リード端子４１
２の下表面と外部とを連通する孔洞を設置しなければな
らない。かつ、孔洞の孔径が小さく、インジェクション
封止樹脂の場合、上記孔洞の底部にフラッシュ（flash
）現象を構成し、孔洞内に露出するリード端子４１２
の下表面をも汚染し、ボール植設時に、ソルダボール４
５が直接リード端子４１２の下表面上に植設することが
できず、製品の歩留りが悪化する。よって、業界では、
モールディング封止工程を完成した後に、孔洞洗浄の前
処理を行ない、洗浄処理後にボール植設作業を行なう。
しかし、この操作では、工程が複雑となり、また、生産
コストアップともなるため、改善が必要である。
【００１０】したがって、本発明の目的は、製造工程が
簡単で、生産コストの低いＣＳＰのＢＧＡ構造を備えた
半導体パッケージを提供することである。
【００１１】本発明の他の目的は、有効的に厚さを薄型
化して、薄型半導体製品の要求に適合したＣＳＰのＢＧ
Ａ構造を備えた半導体パッケージを提供することであ
る。
【００１２】本発明のさらに他の目的は、従来の封止装
置と工程によって、センタボンドパッドのダイ製作に適
合するＣＳＰのＢＧＡ構造を備えた半導体パッケージを
提供することである。
【００１３】本発明のさらに他の目的は、ＢＧＡ式基板
を使用せずに、直接リードフレームを基材として使用し
たＣＳＰのＢＧＡ構造を備えた半導体パッケージを提供
することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的によっ
て提供されるＣＳＰのＢＧＡ構造を備えた半導体パッケ
ージは、中間部に透かし彫りエリアを設け、少なくとも
両側部にグリッドアレイ状をなす複数の孔洞が穿設さ
れ、反対する第１の表面と第２の表面を有する非導電の
基層と、上記基層の第２の表面に当接され、反対する上
表面と下表面を有し、内端部をそれぞれ隔てしめるとと
もに上記基層の透かし彫りエリア内に延在させ、上記上
表面が上記基層の各孔洞に対応する位置にある複数のリ
ード端子と、上記各リード端子の下表面に粘着されてい
るとともに上面部と下表面を有するダイと、上記ダイと
上記リード端子を電気的に接続するように上記ダイの上
面部と上記リード端子の上表面の内端側を接続するボン
ディングワイヤと、上記基層の各孔洞を穿設する部分を
露出させるように上記ダイ、上記ボンディングワイヤ、
リード端子の基層と当接されていない部分および基層の
透かし彫りエリアを包囲する封止用樹脂体と、非導電の
上記基層上に位置し、上記基層に設けられた孔洞を介し
て上記リード端子の上表面と電気的に接続された複数の
ソルダボールとを備えているＣＳＰのＢＧＡ構造を備え
ている。
【００１５】本発明の他の局面においては、上記封止用
樹脂体を固形化成形後、ダイの底面部を封止用樹脂体外
に露出させて、ベア結晶（bare crystal）モードを構成
する。
【００１６】本発明のさらに他の局面においては、上記
リード端子の外側部分を上記封止用樹脂体の外に露出さ
せることにより、本発明の半導体パッケージの少なくと
も２つが上下に重なる場合、上位置側の半導体パッケー
ジのソルダボールが下方半導体パッケージの上記リード
端子露出部分に接触して、電気的接続をなす。
【００１７】本発明に称する「基層」とは、エポキシ樹
脂製の非導電ソルダマスク、または、非導電の耐高温材
料、たとえば、ポリイミド樹脂製の非導電テープなどが
用いられる。また、テープを基層に使用した場合、貼着
方式にてテープとリードフレームのリード端子とを接着
し、また、ソルダマスクを基層として使用する場合は、
塗布方式でソルダマスクとリードフレームのリード端子
とを接着する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に基づいた各実施の
形態におけるＣＳＰのＢＧＡ構造を備えた半導体パッケ
ージについて図を参照しながら説明する。
【００１９】（実施の形態１）実施の形態１におけるＣ
ＳＰのＢＧＡ構造を備える半導体パッケージ５は、図１
から図３に示すように、基層としてのベース５１（ソル
ダマスク使用可）と、上記ベース５１上に貼設した複数
のリード端子５２と、上記リード端子５２の下表面５２
４に貼着されたダイ５３と、電気的に上記ダイ５３と上
記リード端子５２の内端部を接続するボンディングワイ
ヤとしての金線５４と、上記ダイ５３、金線５４とリー
ド端子５２を被覆する封止用樹脂体５５と、上記ベース
５１上に植設してグリッドアレイの孔洞５１１を開設し
た上記孔洞５１１内のソルダボール５６とを備える。
【００２０】図１と図２に示すように、鉄とニッケルと
の合金または銅合金で製作されたリード端子５２は、そ
の外端部５２２を矩形状スカートストリップ（skirt st
rip）５２３上に接続してリードフレーム５０を形成す
る。なお、上記各リード端子５２は、それぞれの上表面
５２５と下表面５２４とを有する。
【００２１】また、図１と図３に示すように、上記ベー
ス５１はポリイミド樹脂の耐高温高分子材料で構成さ
れ、中間位置に透かし彫りエリア５１２を形成し、各孔
洞５１１をグリッドアレイ状に、上記透かし彫りエリア
５１２の長さ方向の両側上に開設するとともに、第２の
表面と第１の表面を有する。なお、孔洞５１１は、第１
の表面から第２の表面に通じる貫通孔から構成される。
【００２２】また、上記ソルダボール５６を各孔洞５１
１内に植設した場合に、上記ソルダボール５６は、リー
ド端子５２の上表面５２５上の根元５６１および上記孔
洞５１１の外部へ露出するボール部５６２を形成する。
【００２３】上記ＣＳＰのＢＧＡ構造を備える半導体パ
ッケージの製造工程は、まず、ベース５１をリード端子
５２の上表面５２５上に粘着するとともに、各リード端
子５２内端部５２１を上記ベース５１の透かし彫りエリ
ア５１２内に延在させ、各孔洞５１１を図４に示すよう
に各リード端子５２の上表面５２５に相対させる。各リ
ード端子５２の上表面５２５は、ベース５１が被覆され
るエリアにおいて、それぞれの相対する上記孔洞５１１
の部分を有し、孔洞５１１を介して外部に露出される。
リード端子５２の下表面５２４上に従来の貼着用両面フ
ィルム５７を粘着した後、ダイ５３を上記両面フィルム
５７上に貼着し、リード端子５２にてダイ５３を支持す
るとともに、ダイ５３を図５に示すように上記リード端
子５２の上に固定する。なお上記ダイ５３とリード端子
５２の貼着は、従来の非導電銀ロウを用いて行なう。
【００２４】次に、金線５４の一端をダイ５３の上面部
５３１上のボンドパッド（図示省略）に接続する。金線
５４の他端は、リード端子５２の内端部５２１の上表面
５２５上の適当箇所において、ダイ５３を電気的にリー
ド端子５２とボンディングする。ボンディングが完成す
れば、図６に示すように、封止用金型５８内でモールデ
ィングを行なう。モールディング作業完成後、固体成形
後の封止用樹脂体５５が上記ダイ５３、金線５４および
リード端子５２のベース５１に貼着されていない部分を
被覆する。封止用樹脂体５５は、ベース５１に孔洞５１
１を設ける部分を被覆しないため、封止用樹脂の注入時
において、樹脂のフロー（flow）が孔洞５１１に流れ
ず、モールディング作業が完成し、封止用樹脂５５が成
形固化された後においても、孔洞５１１内は封止用樹脂
の汚染がなく、清潔に保持され、ソルダボールの即時植
設作業が可能であり、図７に示すように、ソルダボール
５６をそれぞれの各上記孔洞５１１内に植設し、リード
端子５２とソルダボール５６とを電気的に接続し、樹脂
バリ除去や、レジンカットなどの作業でリード端子５２
とスカートエリア５２３（図２参照）を分割して、本発
明のＣＳＰ構造を備えた半導体パッケージ５を完成す
る。なお、上記半導体パッケージ５の封止用樹脂体５５
の投影面積は、ダイ５３の面積の約１．２倍以下である
ことを基準とし、上記封止用樹脂体のダイ５３上方に位
置する部分の投影面積は、ベース５１の透かし彫りエリ
ア５１２ (図３参照）面積にほぼ同じであることを基準
とする。
【００２５】本発明に基づいて完成されたＣＳＰのＢＧ
Ａ構造を備えた半導体パッケージ５は、プリント回路板
上に装設され、ソルダボール５６を介して、電気的にプ
リント回路板と接続する。Ｉ／Ｏとして作用するソルダ
ボール５６は、上記半導体パッケージ５の底面上に配置
されるため、ＢＧＡ構造の効果を有し、また、従来のＢ
ＧＡ基板における、その上下両表面上に導電トレースの
敷設と貫通孔の開設を伴う方式と異なり、常用のリード
端子、ボンディング方式およびモールディング工程を使
用すればよい。よって、本発明に基づくＣＳＰのＢＧＡ
構造を備えた半導体パッケージ５の製造コストを低減で
きる。なお、上記のベース５１とリード端子５２との粘
着方式については、リード端子５２上表面５２５に対す
る封止用樹脂体５５の被覆を省き、亀裂現象が発生しな
い膜厚２００μｍ以下の軟性ベース５１を使用すること
により、本発明に基づくＣＳＰのＢＧＡ構造を備えた半
導体パッケージ５を薄型半導体製品の要求に適合させ得
る。ただし、上記膜厚の２００μｍとは厳密な意味での
２００μｍではなく、約２００μｍという概念を包含す
る。
【００２６】なお、本発明に基づく場合、そのモールデ
ィング封止工程において、封止樹脂のフローが孔洞５１
１を設けたベース５１の部分に流れないため、モールデ
ィング作業完成後の孔洞５１１において、封止樹脂の汚
染がなく、また、樹脂のランオーバー（run over）現象
もない。よって、従来のリードフレームを基材とするＢ
ＧＡ構造を備える半導体装置において必要であった、モ
ールディング完成後に孔洞の洗浄を行なう前処理を必要
としないため、封止樹脂の汚染あるいはランオーバーな
どの除去後、ソルダボール植設作業を問題なく行なうこ
とができる。すなわち、本発明はモールディング完成
後、直接ソルダボール植設作業を行なうため、工程の簡
略化となり製造コストの低減が可能となる。
【００２７】（実施の形態２）図８に本発明の実施の形
態２に基づいたＣＳＰのＢＧＡ構造を備えた半導体パッ
ケージ５′を示す。この実施の形態に基づいたＣＳＰの
ＢＧＡ構造を備えた半導体パッケージ５′は、実施の形
態１に提示されたものと略同するが、モールディング完
成後の固体化成形される封止用樹脂体５５′は、ダイ５
３′の底面部５３２′を被覆しない。すなわち、ダイ５
３′の底面部５３２′は、封止用樹脂体５５′から露出
し、直接大気と接触している。このベア結晶モードの封
止方法は、製作されたＣＳＰのＢＧＡ構造を備えた半導
体パッケージ５′に、よりよき放熱効果を提供するた
め、上記ダイ５３′の導電後に生成する熱量は直接大気
中に放散される。
【００２８】（実施の形態３）図９に本発明の実施の形
態３を示す。この実施の形態に基づいたＣＳＰのＢＧＡ
構造を備えた半導体パッケージ５″は、実施の形態１に
提示されたものと略同する。実施の形態１との差異は、
リード端子５２″外端部の下表面５２２″を封止用樹脂
体５５″で被覆せずに、封止用樹脂体５５″外に露出さ
せる点にある。この構造は、２個以上の半導体装置が上
下に重なるために供され、図１０が示すように、ＣＳＰ
のＢＧＡ構造を備えた半導体パッケージ５Ａ″、５Ｂ″
および５Ｃ″が上下方向に重畳して接触し、中間位置の
半導体パッケージ５Ｂ″底面上のソルダボール５６Ｂ″
を半導体パッケージ５Ａ″封止用樹脂体の外に露出する
外端部５２２Ｂ″上に接触させる。上記方式で重畳配置
された半導体パッケージ５Ａ″、５Ｂ″および５Ｃ″
は、電気的に接続される。なお、実施の形態３の半導体
パッケージ５″も、実施の形態２に提示するベア結晶モ
ードを採用することができる。
【００２９】以上の記述は、本発明の特徴と効果とを実
施例によって解釈したのみであって、発明の実施可能範
囲を定義するものではない。本発明が開示する主旨と原
理に基づいて完成される同効果の変更と修飾、たとえ
ば、透かし彫りエリアの形状を矩形、楕円形または多角
形状などにすることなどは、特許請求の範囲の範囲内に
包含されるべきである。
【００３０】したがって、今回開示した上記実施の形態
はすべての点で例示であって制限的なものではないと考
えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明では
なくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲
と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる
ことが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づいた実施の形態１におけるＣＳＰ
のＢＧＡ構造を備えた半導体パッケージの断面図であ
る。
【図２】本発明に基づいた実施の形態１におけるＣＳＰ
のＢＧＡ構造を備えた半導体パッケージに使用されたリ
ードフレームの平面図である。
【図３】本発明に基づいた実施の形態１におけるＣＳＰ
のＢＧＡ構造を備えた半導体パッケージに使用されたベ
ースの平面図である。
【図４】本発明に基づいた実施の形態１におけるＣＳＰ
のＢＧＡ構造を備えた半導体パッケージに使用されたリ
ードフレームとベースとを貼着した後の平面図である。
【図５】本発明に基づいた実施の形態１におけるＣＳＰ
のＢＧＡ構造を備えた半導体パッケージにおいて、ベー
スを貼着したリードフレーム上にダイを配設したときの
断面図である。
【図６】図５に示す構成部品を封止用金型内に配置した
ときの断面図である。
【図７】図５に示す構成部品に対する封止およびボール
の植設を完成して、レジンカットが行なわれているとき
を示す動作図である。
【図８】本発明に基づいた実施の形態２におけるＣＳＰ
のＢＧＡ構造を備えた半導体パッケージの断面図であ
る。
【図９】本発明に基づいた実施の形態３におけるＣＳＰ
のＢＧＡ構造を備えた半導体パッケージの断面図であ
る。
【図１０】本発明に基づいた実施の形態３におけるＣＳ
ＰのＢＧＡ構造を備えた半導体パッケージを３つ上下に
重ねたときの断面図である。
【図１１】従来技術におけるリード式半導体装置の断面
図である。
【図１２】従来技術におけるＢＧＡ半導体装置の断面図
である。
【図１３】従来技術におけるＣＳＰのＢＧＡ半導体装置
の断面図である。
【図１４】従来技術におけるリードフレームを基材とす
るＢＧＡ構造の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１ リード式半導体装置 ２ ＢＧＡ半導体装置 ３ ＣＳＰのＢＧＡ半導体装置 ４ リードフレームを基材とするＢＧＡ構造の半導体装
置 ５、５′、５″、５Ａ″、５Ｂ″、５Ｃ″ ＣＳＰのＢ
ＧＡ構造を備えた半導体パッケージ １１ リードフレーム １２ ダイ １３ 金線 １４ 封止用樹脂体 ２１ 基板 ２２ ダイ ２３ ボンディングパッド ２４ 金線 ２５ ソルダボール ２６ 封止用樹脂体 ３１ 基板 ３２ ダイ ４１ リードフレーム ４２ ダイ ４３ 金線 ４４ 封止用樹脂体 ４５ ソルダボール ５０ リードフレーム ５１ ベース ５２、５２″ リード端子 ５３、５３″ ダイ ５４ 金線 ５５、５５′、５５″ 封止用樹脂体 ５６、５６Ｂ″、５６Ｃ″ ソルダボール ５７ 貼着用両面フィルム ５８ 封止用金型 １１０ 貼着用両面フィルム １１１ リード端子 １１１ａ 内端部 １１１ｂ 外端部 ２１１ 上表面 ２１２ 第１の導電トレース ２１３ 貫通孔 ２１４ 下表面 ２１５ 第２の導電トレース ２１６ ボンディングパッド ４１２ リード端子 ５１１ 孔洞 ５１２ 透かし彫りエリア ５１４ 第１の表面 ５１３ 第２の表面 ５２１ 内端部 ５２２、５２２″、５２２Ａ″、５２２Ｂ″ 外端部 ５２３ スカート ５２４ 下表面 ５２５ 上表面 ５３１ 上面部 ５３２ 底面部 ５６１ 根元 ５６２ ボール部

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 中間部に透かし彫りエリアを設け、少な
    くとも両側部にグリッドアレイ状をなす複数の孔洞が穿
    設され、反対する第１の表面と第２の表面を有する非導
    電の基層と、 前記基層の第２の表面に当接され、反対する上表面と下
    表面を有し、内端部をそれぞれ隔てしめるとともに前記
    基層の透かし彫りエリア内に延在させ、前記上表面が前
    記基層の各孔洞に対応する位置にある複数のリード端子
    と、 前記各リード端子の下表面に粘着されているとともに上
    面部と下表面を有するダイと、 前記ダイと前記リード端子を電気的に接続するように前
    記ダイの上面部と前記リード端子の上表面の内端側を接
    続するボンディングワイヤと、 前記基層の各孔洞を穿設する部分を露出させるように前
    記ダイ、前記ボンディングワイヤ、リード端子の基層と
    当接されていない部分および基層の透かし彫りエリアを
    包囲する封止用樹脂体と、 非導電の前記基層上に位置し、前記基層に設けられた孔
    洞を介して前記リード端子の上表面と電気的に接続され
    た複数のソルダボールとを備えているＣＳＰのＢＧＡ構
    造を備えた半導体パッケージ。
  2. 【請求項２】 前記基層が非導電の耐高温材料で製作さ
    れたものであることを特徴とする、請求項１に記載の半
    導体パッケージ。
  3. 【請求項３】 前記基層がポリイミド樹脂で製作された
    ものであることを特徴とする、請求項２に記載の半導体
    パッケージ。
  4. 【請求項４】 前記基層がソルダマスクで製作されたも
    のであることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パ
    ッケージ。
  5. 【請求項５】 前記ソルダマスクは、エポキシ樹脂で製
    作されたものであることを特徴とする、請求項４に記載
    の半導体パッケージ。
  6. 【請求項６】 前記ボンディングワイヤが金線であるこ
    とを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージ。
  7. 【請求項７】 前記ダイの上面の中央部に前記ボンディ
    ングワイヤの一端を接続するためのボンドパッドを設け
    ることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケー
    ジ。
  8. 【請求項８】 前記封止用樹脂体の前記ダイ上方に位置
    する部分の投影面積が、前記基層の透かし彫りエリア面
    積にほぼ同じであることを特徴とする、請求項７に記載
    の半導体パッケージ。
  9. 【請求項９】 前記ソルダボールは、前記リード端子の
    上表面に接着する根元部分と前記基層の孔洞の外部へ露
    出するボール部分とを有することを特徴とする、請求項
    １に記載の半導体パッケージ。
  10. 【請求項１０】 前記基層の厚さが２００μｍ以下であ
    ることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケー
    ジ。
  11. 【請求項１１】 前記封止用樹脂体の投影面積が前記ダ
    イの面積の１．２倍以下であることを特徴とする、請求
    項１に記載の半導体パッケージ。
  12. 【請求項１２】 前記リード端子は、鉄とニッケルの合
    金で製作されたものであることを特徴とする、請求項１
    に記載の半導体パッケージ。
  13. 【請求項１３】 前記リード端子が銅合金で製作された
    ものであることを特徴とする、請求項１に記載の半導体
    パッケージ。
  14. 【請求項１４】 中間部に透かし彫りエリアを設け、少
    なくとも両側部にグリッドアレイ状をなす複数の孔洞が
    穿設され、反対する第１の表面と第２の表面を有する非
    導電の基層と、 前記基層の第２の表面に当接され、反対する上表面と下
    表面を有し、内端部をそれぞれ隔てしめるとともに前記
    基層の透かし彫りエリア内に延在させ、前記上表面が前
    記基層の各孔洞に対応する位置にある複数のリード端子
    と、 前記各リード端子の下表面に粘着されているとともに、
    上面部と下表面を有するダイと、 前記ダイと前記リード端子とを電気的に接続するように
    前記ダイの上面部と前記リード端子の上表面の内端側と
    を接続するボンディングワイヤと、 前記基層の各孔洞を穿設する部分と前記リード端子の下
    表面の外端部をそれぞれ露出させるように前記ダイ、前
    記ボンディングワイヤ、リード端子の基層と当接されて
    いない部分および基層の透かし彫りエリアを包囲する封
    止用樹脂体と、 非導電の前記基層上に位置し、前記基層に設けられた孔
    洞を介して前記リード端子の上表面と電気的に接続され
    た複数のソルダボールを備えているＣＳＰのＢＧＡ構造
    を備えた半導体パッケージ。
  15. 【請求項１５】 中間部に透かし彫りエリアを設け、少
    なくとも両側部にグリッドアレイ状をなす複数の孔洞が
    穿設され、反対する第１の表面と第２の表面を有する非
    導電の基層と、 前記基層の第２の表面に当接され、反対する上表面と下
    表面を有し、内端部をそれぞれ隔てしめるとともに前記
    基層の透かし彫りエリア内に延在させ、前記上表面が前
    記基層の各孔洞に対応する位置にある複数のリード端子
    と、 前記各リード端子の下表面に粘着されているとともに上
    面部と下表面を有するダイと、 前記ダイと前記リード端子を電気的に接続するように前
    記ダイの上面部と前記リード端子の上表面の内端側を接
    続するボンディングワイヤと、 前記基層の各孔洞を穿設する部分と前記ダイの下表面を
    それぞれ露出させるように前記ダイ、前記ボンディング
    ワイヤ、リード端子の基層と当接されていない部分およ
    び基層の透かし彫りエリアを包囲する封止用樹脂体と、 非導電の前記基層上に位置し、前記基層に設けられた孔
    洞を介して前記リード端子の上表面と電気的に接続され
    た複数のソルダボールとを備えているＣＳＰのＢＧＡ構
    造を備えた半導体パッケージ。
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