JP3151216B2 - ビニル化合物および液晶媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、式Ｉ （式中、 ＲはＨ、または未置換の、CNまたはCF₃でモノ置換さ
れるまたはハロゲンで少なくともモノ置換される１〜15
個の炭素原子を有するアルキルまたはアルケニル基であ
り、これらの基における１つ以上のCH₂基は、それぞれ
の場合に互いに独立して、酸素原子が互いに直接結合し
ないように−Ｏ−、−Ｓ−、 −CO−、−CO−Ｏ−、−Ｏ−CO−または−Ｏ−CO−Ｏ−
によって置き換えることも可能であり、 A¹およびA²は、それぞれ互いに独立して、 （ａ）１つまたはそれ以上の隣接しないCH₂基を−Ｏ−
および／または−Ｓ−で置き換えてもよいトランス−1,
4−シクロヘキシレン基、 （ｂ）１つまたは２つのCH基をＮで置き換えてもよい1,
4−フェニレン基、 （ｃ）1,4−シクロヘキセニレン、1,4−ビシクロ（2,2,
2）オクチレン、ピペリジン−1,4−ジイル、ナフタレン
−2,6−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイルお
よび1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイルか
ら成る群からの基であり、基（ａ）および（ｂ）はCNま
たはフッ素で置換されていてもよく、 Z¹およびZ²は、それぞれ互いに独立して、−CO−Ｏ
−、−Ｏ−CO−、−CH₂O−、−OCH₂−、−CH₂CH₂−、−
CH＝CH−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合であり、あるいはま
たZ¹およびZ²の１つは−（CH₂）_４−または−CH＝CH−C
H₂CH₂−であり、 Ｑは単結合、−Ｏ−、−CH₂−CH₂−、−Ｃ≡Ｃ−、ト
ランス−CH＝CH−、−COO−または−CH₂O−であり、 X¹はＨ、ＦまたはClであり、 X²はＦ、Cl、CF₃、OCF₃、OCHF₂またはSF₅であり、 ＹはＨ、ＦまたはClであり、 ｒは０〜４であり、 ｎは０または１であり、そして ｍは0,1,2又は３であり、ｎ＋ｍは1,2又は３である、 但し、Ｙ＝ＨおよびＱ＝単結合の場合、X¹及びX²はClで
あり、また、Ｑが−C₂H₄−又は−CH₂O−を示しＹがＨ又
はＦであるとき、X²はCF₃、OCF₃、OCHF₂又はSF₅であ
る） の新規のビニル化合物に関する。

本発明は、更にこれらの化合物を液晶媒体の成分とし
て使用すること、および本発明の液晶媒体を含んでいる
液晶および電気光学ディスプレイ要素に関する。

式Ｉの化合物は、特にねじれセルの原理、ゲスト／ホ
スト効果、整列相の変形効果または動的散乱効果に基づ
くディスプレイ用の液晶媒体成分として使用することが
できる。

本発明は、液晶媒体の成分として適した、また同時
に、特に比較的低い粘度および比較的高い誘電異方性を
有する新規の安定した液晶化合物またはメソゲニック化
合物を見出すことを目的とする。

式Ｉの化合物が液晶媒体の成分として著しく適してい
ることをここに見出した。特に、これらの化合物は比較
的低い粘度を有している。これらの化合物は広いメソ相
範囲、および光学および誘電異方性に関する有利な値を
有する安定な液晶媒体を得るために使用することができ
る。更に、これらの媒体は良好な低温挙動を有してい
る。

ジフルオロスチレン誘導体および、例えば式 の化合物を含有するような対応する液晶媒体はEP 0 325
796 A1に既に開示されている。しかしながら、これら
の化合物はHFが脱離しているので化学的に不安定になり
易い。

液晶特性を有し、かつ末端CF₃基を含んでいる種々の
化合物がすでに開示されている［米国特許第4,330,426
号；米国特許第4,684,476号;J.C.リアング（Liang）お
よびS.クマー（Kumar）、Mol.Cryst.Liq.Cryst.、142
巻、77〜84頁（1987）］。しかしながら、これらの化合
物はしばしば高いスメクトゲニック特性を有するので、
多くの実用的用途に余り適さない。

しかしながら、高いΔεを有するこの種の化合物の非
常に種々様々な用途範囲を鑑みて、特定の用途に正確に
適用される特性を有する有効な更に別の化合物を入手す
ることが望ましいことであった。

更に、式Ｉの化合物を供与することによって、種々の
用途の観点から液晶混合物を製造するために適している
液晶物質の範囲が非常に一般的に広げられる。

式Ｉの化合物は広い用途範囲を有している。置換基を
選択することによって、これらの化合物は、液晶媒体を
主として構成する基材として使用することができるけれ
ど、例えば、この種の誘電体の誘電率および／または光
学異方性を改質するために、および／またはそのしきい
電圧および／またはその粘度を最適にするために式Ｉの
化合物を他の群の化合物から成る液晶基材に加えること
も可能である。

特に、X¹＝ＨおよびX²＝Ｆである式Ｉの化合物は低い
粘度と同時にそれらの高い透明点を特徴とする。式Ｉの
ビニルエーテル（Ｑ＝Ｏ）は異常に高い安定性を有して
いる。純粋な状態で、式Ｉの化合物は無色であり、電気
光学的に使用するために都合よく配設される温度範囲に
おいて液晶メソ相を形成する。これらの化合物は化学
的、熱的および光に非常に安定である。

したがって、本発明は、式Ｉの化合物および液晶媒体
成分としてこれらの化合物を使用することに関する。更
に、本発明は、式Ｉの少なくとも１種の化合物を含有す
る液晶媒体およびこの種の媒体を含有する液晶ディスプ
レイ素子、特に電気光学的ディスプレイ要素に関する。

以下において、簡略のために、A³は式 の基であり、Cycは1,4−シクロヘキシレン基であり、Ch
eは1,4−シクロヘキセニレン基であり、Dioは1,3−ジオ
キサン−2,5−ジイル基であり、Ditは1,3−ジチアン−
2,5−ジイル基であり、Pheは1,4−フェニレン基であ
り、Pydはピリジン−2,5−ジイル基であり、Pyrはピリ
ミジン−2,5−ジイル基でありおよびBiはビシクロ（2,
2,2）オクチレン基である。Cycおよび／またはPheは置
換されないかまたはＦまたはCNによってモノ置換または
ジ置換されることが可能である。ＺはCY＝CX¹X²であ
る。

A¹およびA²はCyc、Che、Phe、Pyr、PydおよびDioから
成る群から選択されるのが好ましい。分子中に存在する
基A¹およびA²の１つだけがChe、Phe、Pyr、PydまたはDi
oであるのが好ましい。

したがって、式Ｉの化合物は下位式I aおよびI b: Ｒ−A²−A³−Ｑ−Ｚ I a Ｒ−A²−Z²−A³−Ｑ−Ｚ I b の二環式化合物、下位式I c〜I f: R^-A^1-A^2-A³−Ｑ−Ｚ I c Ｒ−A¹−Z¹−A²−Z²−A³−Ｑ−Ｚ I d Ｒ−A¹−Z¹−A²−A³−Ｑ−Ｚ I e Ｒ−A¹−A²−Z²−A³−Ｑ−Ｚ I f の三環式化合物および下位式I g〜I m: Ｒ−A¹−A¹−A²−A³−Ｑ−Ｚ I g Ｒ−A¹−Z¹−A¹−A²−A³−Ｑ−Ｚ I h Ｒ−A¹−A¹−Z¹−A²−A³−Ｑ−Ｚ I i Ｒ−A¹−A¹−A²−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I j Ｒ−A¹−Z¹−A¹−Z¹−A²−A³−Ｑ−Ｚ I k Ｒ−A¹−A¹−Z¹−A²−Z²−A³−Ｑ−Ｚ I l Ｒ−A¹−Z¹−A¹−Z¹−A²−Z²−A³−Ｑ−Ｚ I m の四環式化合物を包含する。

これらのうち、下位式I a、I b、I c、I d、I e、I
f、I iおよびI lのものが特に好ましい。

下位式I aの好ましい化合物には下位式I aa〜I ah: Ｒ−PHe−A³−Ｑ−Ｚ I aa Ｒ−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I ab Ｒ−Dio−A³−Ｑ−Ｚ I ac Ｒ−Pyr−A³−Ｑ−Ｚ I ad Ｒ−Pyd−A³−Ｑ−Ｚ I ae Ｒ−Cyc−A³−Ｑ−Ｚ I af Ｒ−Cyc−A³−Ｑ−Ｚ I ag Ｒ−Che−A³−Ｑ−Ｚ I ah のものがある。

これらのうち、I aa、I ab、I ac、I ad、I afおよび
I agのものが特に好ましい。

下位式I bの好ましい化合物には下位式I baおよびI b
b: Ｒ−Cyc−CH₂CH₂−A³−Ｑ−Ｚ I ba Ｒ−Cyc−COO−A³−Ｑ−Ｚ I bb のものがある。

下位式I cの好ましい化合物には下位式I ca〜I co: Ｒ−Phe−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I ca Ｒ−Phe−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I cb Ｒ−Phe−Dio−A³−Ｑ−Ｚ I cc Ｒ−Cyc−Cyc−A³−Ｑ−Ｚ I cd Ｒ−Phe−Cyc−A³−Ｑ−Ｚ I ce Ｒ−Cyc−Cyc−A³−Ｑ−Ｚ I cf Ｒ−Pyd−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I cg Ｒ−Pyr−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I ch Ｒ−Phe−Pyr−A³−Ｑ−Ｚ I ci Ｒ−Cyc−Pyr−A³−Ｑ−Ｚ I cj Ｒ−Cyc−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I ck Ｒ−Cyc−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I cl Ｒ−Dio−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I cm Ｒ−Che−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I cn Ｒ−Phe−Che−A³−Ｑ−Ｚ I co のものがある。

これらのうち、I ca、I cc、I cd、I ce、I ciおよび
I cjのものが特に好ましい。

下位式I dの好ましい化合物には下位式I da〜I dm: Ｒ−Phe−Z¹−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I da Ｒ−Phe−Z¹−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I db Ｒ−Phe−Z¹−Dio−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I dc Ｒ−Cyc−Z¹−Cyc−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I dd Ｒ−Cyc−Z¹−Cyc−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I de Ｒ−Pyd−Z¹−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I df Ｒ−Phe−Z¹−Pyd−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I dg Ｒ−Pyr−Z¹−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I dh Ｒ−Phe−Z¹−Pyr−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I di Ｒ−Phe−Z¹−Cyc−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I dj Ｒ−Cyc−Z¹−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I dk Ｒ−Cyc−Z¹−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I dl Ｒ−Dio−Z¹−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I dm のものがある。

下位式I eの好ましい化合物には下位式I ea〜I el: Ｒ−Pyr−Z¹−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I ea Ｒ−Dio−Z¹−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I eb Ｒ−Phe−Z¹−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I ec Ｒ−Cyc−Z¹−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I ed Ｒ−Cyc−Z¹−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I ee Ｒ−Phe−Z¹−Cyc−A³−Ｑ−Ｚ I ef Ｒ−Cyc−Z¹−Cyc−A³−Ｑ−Ｚ I eg Ｒ−Cyc−Z¹−Cyc−A³−Ｑ−Ｚ I eh Ｒ−Phe−Z¹−Dio−A³−Ｑ−Ｚ I ei Ｒ−Pyd−Z¹−Phe−A³−Ｑ−Ｚ I ej Ｒ−Phe−Z¹−Pyr−A³−Ｑ−Ｚ I ek Ｒ−Cyc−Z¹−Pyr−A³−Ｑ−Ｚ I el のものがある。

下位式I fの好ましい化合物には下位式I fa〜I fr: Ｒ−Pyr−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fa Ｒ−Pyr−Phe−OCH₂−A³−Ｑ−Ｚ I fb Ｒ−Phe−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fc Ｒ−Phe−Phe−OOC−A³−Ｑ−Ｚ I fd Ｒ−Phe−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fe Ｒ−Cyc−Cyc−Z₁−A³−Ｑ−Ｚ I ff Ｒ−Cyc−Cyc−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fg Ｒ−Cyc−Cyc−CH₂CH₂−A³−Ｑ−Ｚ I fh Ｒ−Pyd−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fi Ｒ−Dio−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fj Ｒ−Phe−Cyc−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fk Ｒ−Phe−Cyc−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fl Ｒ−Phe−Pyd−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fm Ｒ−Che−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fn Ｒ−Phe−Che−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fo Ｒ−Cyc−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fp Ｒ−Cyc−Phe−OOC−A³−Ｑ−Ｚ I fq Ｒ−Cyc−Phe−Z¹−A³−Ｑ−Ｚ I fr のものがある。

Ｒはアルキル、更にアルコキシであるのが好ましい。
A¹および／またはA²はPhe、Cyc、Che、PyrまたはDioで
あるのが好ましい。式Ｉの化合物は１つ以下の基Bi、Py
d、Pyr、DioまたはDitを含んでいるのが好ましい。

A¹および／またはA²がＦでモノ置換またはジ置換され
るか、またはCNでモノ置換される1,4−フェニレンであ
る式Ｉの、および全ての下位式の化合物も好ましい。こ
れらの置換基は特に２−フルオロ−1,4−フェニレン、
３−フルオロ−1,4−フェニレン、3,5−ジフルオロ−1,
4−フェニレン、２−シアノ−1,4−フェニレンおよび３
−シアノ−1,4−フェニレンである。特に好ましい実施
態様において、A²は3,5−ジフルオロ−1,4−フェニレン
であり、そしてｍは１または２である。

Z¹およびZ²は単結合、−CO−Ｏ−、−Ｏ−CO−および
−CH₂CH₂−であるのが好ましく、−CH₂O−および−OCH₂
−であるのがその次に好ましい。

A³は であるのが好ましい。

Ｚは であるのが好ましい。

基Z¹およびZ²の一方が−（CH₂）_４−または−CH＝CH
−CH₂CH₂−である場合、他方の基Z¹またはZ²（存在する
ならば）は単結合であるのが好ましい。

この種の好ましい化合物は下位式Ｉ′ （式中、Z²は−（CH₂）_４−または−CH＝CH−CH₂CH₂−
であり、そしてＲ、A¹、A²、ｍ、ＱおよびＺは上に定義
した通りである）に従うものである。Ｒ、A¹、A²、ｍ、
ＱおよびＺの好ましい意味も式Ｉの化合物の意味に対応
する。

ｍは好ましくは１または０、特に好ましくは０であ
る。

特に好ましい化合物は下位式I 1〜I 10 に従うものである。

Ｒがアルキル基および／またはアルコキシ基である場
合、これは直鎖または枝分れ鎖でありうる。この基は直
鎖であり、２、３、４、５、６または７個の炭素原子を
有しているのが好ましく、したがってエチル、プロピ
ル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシま
たはヘプトキシであるのが好ましく、更にメチル、オク
チル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデ
シル、テトラデシル、ペンタデシル、メトキシ、オクト
キシ、ノノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、ドデコキ
シ、トリデコキシまたはテトラデコキシである。

オキサアルキルは直鎖２−オキサプロピル（＝メトキ
シメチル）、２−オキサブチル（＝エトキシメチル）ま
たは３−オキサブチル（＝２−メトキシエチル）、２
−、３−または４−オキサペンチル、２−、３−、４−
または５−オキサヘキシル、２−、３−、４−、５−ま
たは６−オキサヘプチルで、２−、３−、４−、５−、
６−または７−オキサオクチル、２−、３−、４−、５
−、６−、７−または８−オキサノニル、または２−、
３−、４−、５−、６−、７−、８−または９−オキサ
デシルであるのが好ましい。

Ｒが１つのCH₂基を−CH＝CH−で置換したアルキル基
である場合、この基は直鎖または枝分れ鎖でありうる。
この基は直鎖であり、２〜10個の炭素原子を有している
のが好ましい。したがって、この基は特にビニル、１−
または２−プロペニル、１−、２−または３−ブテニ
ル、１−、２−、３−または４−ペンテニル、１−、２
−、３−、４−または５−ヘキセニル、１−、２−、３
−、４−、５−または６−ヘプテニル、１−、２−、３
−、４−、５−、６−または７−オクテニル、１−、２
−、３−、４−、５−、６−、７−または８−ノニル、
または１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８
−または９−デセニルである。

Ｒが１つのCH₂基を−Ｏ−で、また１つを−CO−で置
換したアルキル基である場合、これらは隣接しているの
が好ましい。したがって、これらの基はアシロキシ基−
CO−Ｏ−またはオキシカルボニル基−Ｏ−CO−を含んで
いる。この基は直鎖であり、２〜６個の炭素原子を有し
ているのが好ましい。したがって、これらは特にアセチ
ルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、ペン
タノイルオキシ、ヘキサノイルオキシ、アセチルオキシ
メチル、プロピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメ
チル、ペンタノイルオキシメチル、２−アセチルオキシ
エチル、２−プロピオニルオキシエチル、２−ブチリル
オキシエチル、３−アセチルオキシプロピル、３−プロ
ピオニルオキシプロピル、４−アセチルオキシブチル、
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシ
カルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニ
ル、メトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルメ
チル、プロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニ
ルメチル、２−（メトキシカルボニル）エチル、２−
（エトキシカルボニル）エチル、２−（プロポキシカル
ボニル）エチル、３−（メトキシカルボニル）プロピ
ル、３−（エトキシカルボニル）プロピルまたは４−
（メトキシカルボニル）ブチルである。

Ｒが１つのCH₂基を未置換または置換−CH＝CH−で置
換し、隣接したCH₂基をCOまたはCO−ＯまたはＯ−CO−
で置換したアルキル基である場合、この基は直鎖または
枝分れ鎖でありうる。この基は直鎖であり、４〜13個の
炭素原子を有しているのが好ましい。したがって、この
基は特にアクリロイルオキシメチル、２−アクリロイル
オキシエチル、３−アクリロイルオキシプロピル、４−
アクリロイルオキシブチル、５−アクリロイルオキシペ
ンチル、６−アクリロイルオキシヘキシル、７−アクリ
オイルオキシヘプチル、８−アクリロイルオキシオクチ
ル、９−アクリロイルオキシノニル、10−アクリロイル
オキシデシル、メタクリロイルオキシメチル、２−メタ
クリロイルオキシエチル、３−メタクリロイルオキシプ
ロピル、４−メタクリロイルオキシブチル、５−メタク
リロイルオキシペンチル、６−メタクリロイルオキシヘ
キシル、７−メタクリロイルオキシヘプチル、８−メタ
クルロイルオキシオクチルまたは９−メタクリロイルオ
キシノニルである。

ＲがCNまたはCF₃でモノ置換されるアルキルまたはア
ルケニル基である場合、この基は直鎖であるのが好まし
く、またCNまたはCF₃による置換はω−部位においてで
ある。

Ｒがハロゲンで少なくともモノ置換されるアルキルま
たはアルケニル基である場合、この基は直鎖であるのが
好ましい、またハロゲンはＦまたはClであるのが好まし
い。多置換の場合、ハロゲンはＦであるのが好ましい。
その結果、それらの基は過フッ素化基も包含するもので
ある。モノ置換の場合、フッ素または塩素置換基は所望
の位置でありうるが、ω−部位にあるのが好ましい。

重合反応に適する末端基Ｒを有する式Ｉの化合物は液
晶重合体を製造するのに適している。

枝分れ末端基Ｒを有する式Ｉの化合物は、通常の液晶
基材に対する溶解度が良好なので時には重要であるが、
それらが光学的に活性であるならば、キラルドーピング
剤として特に重要である。この種のスメクチック化合物
は強誘電体成分として適している。

S_A相を有する式Ｉの化合物は、例えば熱によってアド
レスされるディスプレイに適している。

この種の枝分れ基は一般に１つ以下の鎖枝を有してい
る、好ましい枝分れ基Ｒはイソプロピル、２−ブチル
（＝１−メチルプロピル）、イソブチル（＝２−メチル
プロピル）、２−メチルブチル、イソペンチル（＝３−
メチルブチル）、２−メチルペンチル、３−メチルペン
チル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、イ
ソプロポキシ、２−メチルプロポキシ、２−メチルブト
キシ、３−メチルブトキシ、２−メチルペントキシ、３
−メチルペントキシ、２−エチルヘキソキシ、１−メチ
ルヘキソキシおよび１−メチルヘプトキシである。

Ｒが、２つ以上のCH₂基が−Ｏ−および／または−CO
−Ｏ−によって置き換えられたアルキル基である場合、
これは直鎖または枝分れ鎖でありうる。この基は枝分れ
鎖であり、３〜12個の炭素原子を有しているのが好まし
い。したがって、この基は特にビスカルボキシメチル、
2,2−ビスカルボキシエチル、3,3−ビスカルボキシプロ
ピル、4,4−ビスカルボキシブチル、5,5−ビスカルボキ
シペンチル、6,6−ビスカルボキシヘキシル、7,7−ビス
カルボキシヘプチル、8,8−ビスカルボキシオクチル、
9,9−ビスカルボキシノニル、10,10−ビスカルボキシデ
シル、ビス（メトキシカルボニル）メチル、2,2−ビス
（メトキシカルボニル）エチル、3,3−ビス（メトキシ
カルボニル）プロピル、4,4−ビス（メトキシカルボニ
ル）ブチル、5,5−ビス（メトキシカルボニル）ペンチ
ル、6,6−ビス（メトキシカルボニル）ヘキシル、7,7−
ビス（メトキシカルボニル）ヘプチル、8,8−ビス（メ
トキシカルボニル）オクチル、ビス（エトキシカルボニ
ル）メチル、2,2−ビス（エトキシカルボニル）エチ
ル、3,3−ビス（エトキシカルボニル）プロピル、4,4−
ビス（エトキシカルボニル）ブチルおよび5,5−ビス
（エトキシカルボニル）ヘキシルである。

重縮合に適する末端基Ｒを有する式Ｉの化合物は液晶
重縮合体を製造するのに適している。

式Ｉはこれらの化合物のラセミ体および光学対掌体並
びにそれらの混合物を包含するものである。

式Ｉおよび下位式のこれらの化合物のうち、そこに存
在する基の少なくとも１つが表示した好ましい意味の１
つであるものが好ましい。

式Ｉの化合物において、環Cycおよびピペリジンがト
ランス−1,4−ジ置換されている立体異性体が好まし
い。１つ以上の基Pyd、Pyrおよび／またはDioを有する
上述の式の化合物は、それぞれの場合に２つの2,5−位
置異性体を包含するものである。

ある種の特に非常に好ましい小群の化合物は下位式II
1〜II 23（L¹、L²およびL³:HまたはＦ）： のものである。

1,4−シクロヘキセニレン基は以下の構造： を有しているのが好ましい。

を有する下位式I 1〜I 11に対応する化合物も同様に好
ましい。

式Ｉの化合物は文献［例えば、シュトットガルトのゲ
オルグ−スィーメ（Georg−Thieme）出版社発行のホー
ベン−ワイル（Houben−Weyl）、「有機化学の方法（Me
thoden der Organischen Chemie）」、IX巻、867頁以降
のような定本］に記載されているようなそれ自体公知の
方法によって、すなわち、公知の前記反応に適した反応
条件下に製造される。

また、それ自体公知であるが、ここではさらに詳細に
は説明しない異法もここで使用することができる。

本発明のビニル化合物は、例えば式II （式中、L¹およびL²はＨまたはＦであり、そしてＲ、
A¹、A²、Z¹、Z²およびｍは上に定義した通りである）の
化合物を以下の反応図式に従って、メタル化し、その後
適切な求電子試薬と反応させることによって製造するこ
とができる。

Ｑ＝０である目的の生成物を公知の方法、例えばテト
ラフルオロエチレンと当量の塩基と反応させることによ
って［K.オクハラ（Okuhara）等、Bull.Chem.Soc.Japa
n.、35、534（1962）;W.J.プマー（Pummer）およびL.A.
ウォール（Wall）、SPE会報（SPE Transactions）、
３、220（1963）およびヌンヤンツ／ヤコブソン（Knuny
ants/Yakobson）、フッ素有機化合物の合成（Syntheses
of Fluoro−organic Compounds）、スプリンゲル、198
5年］得られたフェノールから得ることができる。

しかしながら、副生物として生成したテトラフルオロ
エチルエーテル類のために精製の間に時には問題が生じ
るので、テトラフルオロエチルエーテルからHFを塩基誘
発離脱するのがトリフルオロビニルエーテルの製造に適
している。

テトラフルオロエチルエーテルを介する間接ルート
は、直接合成ルートにはやっかいな問題がいろいろあ
り、また生成物混合物を生じるので、直接合成法より有
利である。

他の合成法が当業者には明らかである。例えば、基Ｒ
−（A¹−Z¹）_ｍ−A²−Z²は液晶化学においては通例の反
応［例えば、E.ポエチ（Poetsch）、コンタクテ（Konta
kte）（ダルムシュタット）、1988（２）、15頁に記載
されているような、例えば、エステル化、エーテル化ま
たはカップリング］によって導入することができる。

式IIの化合物は、例えば以下の合成図式： 出発物質は公知であるかまたは公知の化合物に準じて
製造することができるかのいずれかである。

式Ｉのエステルはアルコールまたはフェノール（また
はその反応性誘導体）を用いて対応するカルボン酸（ま
たはその反応性誘導体）をエステル化することによっ
て、あるいはDCC法（DCC＝ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド）によっても得ることができる。

対応するカルボン酸およびアルコールまたはフェノー
ルは公知であるかまたは公知の方法に準じて製造するこ
とができる。

式Ｉの化合物を製造するための更に他の方法におい
て、ハロゲン化アリールを第三級アミンおよびパラジウ
ム触媒の存在下にオレフィンと反応させる［R.F.ヘク
（Heck）、Acc.Chem.Res.、12、146（1979）参照］。適
切なハロゲン化アリールは塩化物、臭化物およびヨウ化
物、特に臭化物およびヨウ化物である。カップリング反
応を成功させるために必要な、例えばトリエチルアミン
等の第三級アミンも溶媒として適している。パラジウム
触媒の例としてはパラジウムの塩であり、特に例えばト
リアリールホスフィン等の有機燐（III）化合物と共存
する酢酸Pd（II）である。反応は不活性溶媒の存在下ま
たは不存在下に約０゜〜150゜、好ましくは約20゜〜100
゜の温度で行うことができる。適切な溶媒の例には、ア
セトニトリル等のニトリル類またはベンゼンまたはトル
エン等の炭化水素類がある。出発物質として使用するハ
ロゲン化アリールおよびオレフィンは多くは市販されて
いるかまたは文献から公知の方法によって、例えば対応
する出発化合物のハロゲン化または対応するアルコール
またはハロゲン化物の離脱反応によって製造することが
できる。

このようにして、例えばスチルベン誘導体を製造する
ことができる。更に、スチルベン類はウィッチヒ法によ
って４−置換ベンズアルデヒドを適当な燐イリドと反応
させることによって製造することができる。しかしなが
ら、式Ｉのトラン類もオレフィンをモノ置換アセチレン
で置換することによって製造することができる［Synthe
sis、627（1980）またはTetrahedron Lett.、27、1171
（1986）］。

更に、ハロゲン化アリールをアリールスズ化合物と反
応させることによって芳香族化合物をカップリングする
ことができる。これらの反応は保護ガスの下に高温の炭
化水素等の不活性溶媒、例えば沸騰キシレン中に、例え
ばパラジウム（Ｏ）錯体等の触媒を添加して行うのが好
ましい。

アルキニル化合物のハロゲン化アリールとのカップリ
ング反応はJ.Org.Chem.、43、358（1978）においてA.O.
キング（King）、E.ネギシ（Negishi）、F.J.ビラニ（V
illani）およびA.シルベイラ（Silveira）によって記載
された方法に準じて行うことができる。

式Ｉのトラン類は、強塩基の存在下に1,1−ジアリー
ル−２−ハロエチレン類を転位してジアリールアセチレ
ン類を得るフリッシュ−ブーテンバーグ−ウィーシェル
（Fritsch−Buttenberg−Wiechell）転位［Ann.、279、
319（1984）］によって製造することもできる。

式Ｉのトラン類は対応するスチルベン類を臭素化し、
その後生成物を脱ハロゲン化水素化することによっても
製造することができる。それ自体公知であるが、ここで
はさらに詳細には説明しないこの反応の異法も使用する
ことができる。

式Ｉのエーテルは対応するヒドロキシル化合物類、好
ましくは対応するフェノール類をエーテル化することに
よって得ることができる。便宜上、まずヒドロキシル化
合物を対応する金属誘導体、例えば対応するアルカリ金
属アルコキシドまたはアルカリ金属フェノキシドにNa
H、NaNH₂、NaOH、KOH、Na₂CO₃またはK₂CO₃で処理するこ
とによって転化する。次に、これを約20゜〜100゜の温
度で、好ましくは例えばアセトン、1,2−ジメトキシエ
タン、DMFまたはジメチルスルホキシド等の不活性溶媒
中で、対応するハロゲン化アルキル、アルキルスルホネ
ートまたは硫酸ジアルキルと、あるいはまた過剰のNaOH
またはKOH水溶液または含水アルコール溶液と反応させ
る。

出発物質は公知であるかまたは公知の化合物に準じて
製造することができるかのいずれかである。

Z²＝−（CH₂）_４−である式Ｉ′の化合物は以下の図
式に従って製造することができる。

Pd（II）を触媒とするカップリング反応において、目
的化合物Ｉ′を直接生成するか、または式Ｉの化合物に
関する上述の方法にまったく準じて基−Ｑ−Ｚを導入す
る先駆物質を生成するかのいずれかである。

Z²＝−CH＝CH−CH₂CH₂−である式Ｉ′の化合物は以下
の図式に従ってウィッチヒ法によって製造することがで
きる。

その後、好ましいトランス異性体を文献から公知の異
性化法によって製造することができる。得ることができ
るR⁰＝Ｈである先駆物質を基−Ｑ−Ｚを導入することに
よって式Ｉの化合物の先駆物質にまったく準じて式Ｉ′
の化合物に転化する。

アルデヒド類は適切に置換された１−ブロモ−３−フ
ルオロベンゼン誘導体をアリルアルコールとヘク（Hec
k）反応させることによって得ることができる。

Ｑ＝単結合である本発明のトリフルオロビニル化合物
（Ｙ＝Ｆ、X¹＝X²＝Ｆ）は公知の合成方法によって製造
することができる。

反応条件および出発物質に関するなお詳細はホーベン
−ワイル（Houben−Weyl）、V/3巻、424〜431頁;S.ディ
クソン（Dixon）、J.Org.Chem.、21、400（1956）;P.L.
ハインズ（Hinze）およびD.J.バトン（Button）、同
誌、53、2714（1988）;DE−A 40 02 374およびDE−A 40
06 921に示されている。

1,2−ジフルオロビニル化合物（Ｙ＝Ｆ、X¹＝Ｈ、X²
＝Ｆ）は以下の反応図式に従って製造することができ
る。

１−フルオロ−２−クロロビニル化合物（Ｙ＝Ｆ、X¹
＝Cl、X²＝Ｈ）は次の通り製造することができる。

ジクロロフルオロビニル化合物（Ｙ＝Ｆ、X¹＝X²＝C
l）は次の通り製造することができる。

1,2−ジフルオロビニル化合物（Ｙ＝Ｆ、X¹＝Ｆ、X²
＝ＦまたはSF₅）は次の通り製造することができる。

1,1,1,2,3−ペンタフルオロビニルエーテル（Ｑ＝
Ｏ、Ｙ＝Ｆ、X¹＝Ｆ、X²＝CF₃）は以下の図式に従って
製造することができる。

適切な強塩基はカリウムｔ−ブチラート、ジイソプロ
ピルアミドリチウム、ｎ−ブチルリチウム／カリウムｔ
−ブチラートおよびｔ−ブチルリチウムである。ジメチ
ルスルホキシド等の極性非プロトン性溶媒中のカリウム
ｔ−ブチラートが好ましい。

1,2−ジクロロビニル化合物（Ｙ＝X¹＝Cl、X²＝Ｈ）
は次の通り製造される。

1,1−ジクロロビニル化合物（Ｙ＝Ｈ、X¹＝X²＝Cl）
は図式18に記載したように製造することができる。

ある種の特に好ましい化合物の合成を以下により詳細
に示す。

図式19、20および21において、ｍは０または１である
のが好ましく、そして−A¹−Z¹は であるのが好ましい。

本発明の液晶媒体は、１種以上の本発明の化合物のほ
かにもさらに別の成分として２〜40種、特に４〜30種の
成分を含んでいるのが好ましい。これらの媒体は１種以
上の本発明の化合物以外に７〜25種の成分を含んでいる
のが特に好ましい。これらのさらに追加の成分は、ネマ
チックまたはネマチック形成（単変性又は等方性）物
質、特にアゾキシベンゼン類、ベンジリデンアニリン
類、ビフェニル類、テルフェニル類、安息香酸フェニル
類または安息香酸シクロヘキシル類、シクロヘキサンカ
ルボン酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、
シクロヘキシル安息香酸のフェニルまたはシクロヘキシ
ルエステル類、シクロヘキシルシクロヘキサンカルボン
酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、安息香
酸、シクロヘキサンカルボン酸およびシクロヘキシルシ
クロヘキサンカルボン酸のシクロヘキシルフェニルエス
テル類、フェニルシクロヘキサン類、シクロヘキシルビ
フェニル類、フェニルシクロヘキシルシクロヘキサン
類、シクロヘキシルシクロヘキサン類、シクロヘキシル
シクロヘキシルシクロヘキセン類、1,4−ビス−シクロ
ヘキシルベンゼン類、4,4′−ビス−シクロヘキシルビ
フェニル類、フェニルピリミジン類またはシクロヘキシ
ルピリミジン類、フェニルピリジン類またはシクロヘキ
シルピリジン類、フェニルジオキサン類またはシクロヘ
キシルジオキサン類、フェニル−1,3−ジチアン類また
はシクロヘキシル−1,3−ジチアン類、1,2−ジフェニル
エタン類、1,2−ジシクロヘキシルエタン類、１−フェ
ニル−２−シクロヘキシルエタン類、１−シクロヘキシ
ル−２−（４−フェニルシクロヘキシル）エタン類、１
−シクロヘキシル−２−ビフェニルエタン類、１−フェ
ニル−２−シクロヘキシルフェニルエタン類、必要に応
じてハロゲン化されたスチルベン類、ベンジルフェニル
エーテル類、トラン類および置換ケイ皮酸の群から成る
物質から選択するのが好ましい。これらの化合物の1,4
−フェニレン基は弗素化されていてもよい。

本発明の媒体のさらに追加の成分として適した最も重
要な化合物の特徴は次式１、２、３、４及び５によって
示すことができる。

Ｒ′−Ｌ−Ｅ−Ｒ″ １ Ｒ′−Ｌ−COO−Ｅ−Ｒ″ ２ Ｒ″−Ｌ−OOC−Ｅ−Ｒ″ ３ Ｒ′−Ｌ−CH₂CH₂−Ｅ−Ｒ″ ４ Ｒ′−Ｌ−Ｃ≡Ｃ−Ｅ−Ｒ″ ５ 式１、２、３、４および５において、同一でも異なっ
てもよいＬおよびＥは、それぞれの場合に互いに独立し
て、−Phe−、−Cyc−、−Phe−Phe−、−Phe−Cyc−、
−Cyc−Cyc−、−Pyr−、−Dio−、−Ｇ−Phe−および
−Ｇ−Cyc−並びにそれらの鏡像基［ただし、Pheは未置
換又は弗素置換1,4−フェニレンであり、Cycはトランス
−1,4−シクロヘキシレンまたは1,4−シクロヘキシレン
であり、Pyrはピリミジン−2,5−ジイルまたはピリジン
−2,5−ジイルであり、Bioは1,3−ジオキサン−2,5−ジ
イルであり、そしてＧは２−（トランス−1,4−シクロ
ヘキシル）エチル、ピリミジン−2,5−ジイル、ピリジ
ン−2,5−ジイルまたは1,3−ジオキサン−2,5−ジイル
である］から成る群からの２価の基である。

基ＬおよびＥの１つはCyc、PheまたはPyrであるのが
好ましい。ＥはCyc、PheまたはPhe−Cycであるのが好ま
しい。本発明の液晶媒体は、ＬおよびＥがCyc、Pheおよ
びPyrから成る群から選択される式１、２、３、４およ
び５の化合物から選択される１種以上の成分を含み、同
時に基ＬおよびＥの一方がCyc、PheおよびPyrから成る
群から選択され、他方の基が−Phe−Phe−、−Phe−Cyc
−、−Cyc−Cyc−、−Ｇ−Phe−および−Ｇ−Cyc−から
成る群から選択される式１、２、３、４及び５の化合物
から選択される１種以上の成分を含み、また必要に応じ
て基ＬおよびＥが−Phe−Cyc−、−Cyc−Cyc−、−Ｇ−
Phe−および−Ｇ−Cyc−から成る群から選択される式
１、２、３、４及び５の化合物から選択される１種以上
の成分を含むのが好ましい。

式１、２、３、４および５の化合物の化合物の下位小
群において、Ｒ′およびＲ″は、それぞれの場合に互い
に独立して８個までの炭素原子を有するアルキル、アル
ケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニル
オキシまたはアルカノイルオキシである。この下位小群
を以下Ａ群と言い、化合物を1a、2a、3a、4aおよび5aで
表示する。これらの化合物の大部分は、Ｒ′とＲ″が互
いに異なり、これらの基の１つは通常アルキル、アルケ
ニル、アルコキシまたはアルコキシアルキルである。

Ｂ群と識別する式１、２、３、４および５の化合物の
他の下位小群において、Ｒ″は−Ｆ、−Cl、−NCSまた
は−（Ｏ）_iCH_3-(k+1)F_kCl₁（但し、ｉは０または１で
あり、ｋ＋１は１、２または３である）である。Ｒ″が
この意味である化合物を下位式1b、2b、3b、4bおよび5b
で表示する。Ｒ″が−Ｆ、−Cl、−NCS、−CF₃、−OCHF
₂または−OCF₃である下位式1b、2b、3b、4bおよび5bの
化合物が特に好ましい。

下位式1b、2b、3b、4bおよび5bの化合物において、
Ｒ′は下位式1a〜5aの化合物に関して定義した通りであ
り、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキ
シアルキルであるのが好ましい。

式１、２、３、４および５の化合物のさらに他の下位
小群において、Ｒ″は−CNである。この下位群を以下Ｃ
群と識別し、そしてこの下位群の化合物を下位式1c、2
c、3c、4cおよび5cによって同様に記載する。下位式1
c、2c、3c、4cおよび5cの化合物において、Ｒ′は下位
式1a〜5aの化合物に関して定義した通りであり、アルキ
ル、アルコキシまたはアルケニルであるのが好ましい。

Ａ、ＢおよびＣ群の好ましい化合物以外に、提案した
他の種類の置換基を有する式１、２、３、４および５の
他の化合物も通例のものである。これらの物質は全て文
献で知られている方法またはそれに準じる方法によって
得ることができる。

本発明の式Ｉの化合物以外に、本発明の媒体はＡ群お
よび／またはＢ群および／またはＣ群から選択される１
種以上の化合物を含んでいるのが好ましい。本発明の媒
体におけるこれらの群からの化合物の重量割合は Ａ群:0〜90％、好ましくは20〜90％、特に30〜90％ Ｂ群:0〜80％、好ましくは10〜80％、特に10〜65％ Ｃ群:0〜80％、好ましくは５〜80％、特に５〜50％ であるのが好ましい。本発明の特定の媒体中に存在する
Ａ群および／またはＢ群および／またはＣ群の化合物の
重量割合の合計は５％〜90％、特に10％〜90％であるの
が好ましい。

本発明の媒体は１〜40％、特に好ましくは５〜30％の
本発明の化合物を含んでいるのが好ましい。40％より多
い、特に45〜90％の本発明の化合物を含んでいる媒体が
さらに好ましい媒体である。媒体は３、４または５種の
本発明の化合物を含んでいるのが好ましい。

本発明の媒体はそれ自体通常の方法で製造される。一
般に、これらの成分は高温で都合よく互いに溶解する。
適切な添加剤によって、液晶相は、これまでに開示され
た全ての種類の液晶ディスプレイ要素に使用することが
できるように本発明に従って改質することができる。こ
の種の添加剤は当業者に知られており、また文献［H.ケ
ルカー［Kelker）/R.ハッツ（Hatz）、「液晶ハンドブ
ック（Handbook of Liquid Crystals）」、化学出版
社、ワインハイム、1980］に詳細に記載されている。例
えば、多色性染料を添加して着色ゲスト−ホスト系を製
造し、またある種の物質を添加して、ネマチック相の誘
電異方性、粘度および／または配向を調節することがで
きる。

本願においておよび以下の実施例において、液晶化合
物の構造は頭字語によって示す。したがって、化学式へ
の変換は以下の表Ａ及びＢに従って行う。基C_nH_2n+1お
よびC_mH_2m+1は全てｎまたはｍ個の炭素原子を有する直
鎖アルキル基である。表Ｂにおける符号化は更に説明を
要しない。表Ａにおいて、母構造に関する頭字語だけを
示す。それぞれの場合に、母構造の頭字語からハイフン
で離して、語に置換基R¹、R²、L¹及びL²に関する符号を
付ける。

以下の実施例は本発明を説明するものであって、本発
明を限定するものではない。以上および以下において、
パーセントデータは重量％である。温度は全て℃表示で
ある。m.p.は融点、およびc.p.は透明点を表わす。さら
に、Ｃ＝結晶状態、Ｎ＝ネマチック相、Ｓ＝スメクチッ
ク相およびＩ＝等方性相である。これらの記号間のデー
タは転移温度を示す。Δｎは光学異方性（580nm、20
℃）を表わし、そして粘度（mm²/秒）は20℃で測定し
た。

「通常の操作」とは、必要ならば水を加え、混合物を
ジクロロメタン、ジエチルエーテルまたはトルエンで抽
出し、有機相を分離、乾燥および蒸発させ、そして生成
物を減圧蒸留または結晶化および／またはクロマトグラ
フィーによって精製することを意味する。以下の略語を
使用する： 実施例１ 1.2gの水素化ナトリウムを乾燥窒素雰囲気下に200ml
の容量のオートクレーブ中の50mlの1,4−ジオキサンに
溶かした12.5gの公知化合物５−ペンチル−トランス，
トランス−ビシクロ−１−ヘキサノールと0.5gのヒドロ
キノンの溶液に添加する。オートクレーブを密封し、そ
の内容物を電磁攪拌機で最初に室温で２時間、次に120
℃で２時間攪拌する。次に、この圧力容器をまず氷浴中
で、次に液体窒素によって冷却する。オートクレーブを
＜0.1mmHgの圧力に減圧排気した後、空気を排除して15g
のテトラフルオロエテンを縮合させる。混合物を50〜60
℃で20時間攪拌する。混合物を０℃に冷却し、そして余
分のテトラフルオロエテンを放出する。反応混合物を20
mlの水の中に入れる。混合物をそれぞれの場合に100ml
のジエチルエーテルで３回抽出し、一緒にした有機相を
Na₂SO₄を用いて乾燥し、そして蒸発させる。残留物を室
温で攪拌しながら100mlのトルエンで抽出し、出発アル
コールの大部分を除去する。溶液を蒸発させ、残留物を
カラムクロマトグラフィー（シリカゲル／石油エーテ
ル）によって分離する。主画分を等容量部のトルエンお
よびエタノールの混合物から再結晶化することによって
５−ペンチル−１−トリフルオロビニルオキシ−トラン
ス，トランス−ビシクロヘキシルを得る。

以下の化合物を同様に製造する。

実施例２ 40mlのベンゼンおよび10mlのテトラヒドロフランの混
合物に溶かした10gのｐ−（トランス−４−ｎ−プロピ
ルシクロヘキシル）フェノール溶液を実施例１に準じて
水素化ナトリウムと反応させる。テトラフルオロエテン
を縮合させた後、混合物を140℃で約20時間加熱し、そ
れから実施例１に記載したように処理する。ｐ−（トラ
ンス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）トリフルオロ
ビニルオキシベンゼンを得る。

以下の化合物を同様に製造する。

ｐ−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）トリフ
ルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）ト
リフルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）
トリフルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（トランス−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）
トリフルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（トランス−４−ｎ−ヘプチルシクロヘキシル）
トリフルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（トランス−４−ｎ−エチルシクロヘキシルシク
ロヘキシル）トリフルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシルシ
クロヘキシル）トリフルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシルシク
ロヘキシル）トリフルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルシ
クロヘキシル）トリフルオロビニルオキシベンゼン、 Ｃ 47 S_B 103 I; ｐ−（トランス−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシルシ
クロヘキシル）トリフルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（トランス−４−ｎ−ヘプチルシクロヘキシルシ
クロヘキシル）トリフルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（５−エチルピリミジン−２−イル）トリフルオ
ロビニルオキシベンゼン； ｐ−（５−ｎ−プロピルピリミジン−２−イル）トリ
フルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（５−ｎ−ブチルピリミジン−２−イル）トリフ
ルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（５−ｎ−ペンチルピリミジン−２−イル）トリ
フルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（５−ｎ−ヘキシルピリミジン−２−イル）トリ
フルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（５−ｎ−ヘプチルピリミジン−２−イル）トリ
フルオロビニルオキシベンゼン。

実施例３ 37.1g（0.1モル）のＩを150mlのTHF/トルエン（容積
比1:4）溶媒混合物に入れてから11.5gの無水臭化亜鉛を
加え、次いで1.4gのリチウム粒状物を添加する。混合物
をアルゴン下で撹拌しながら０〜10℃で４時間超音波処
理し、Ｉを対応するジアルキル亜鉛化合物に転化する。
この有機亜鉛化合物を21.1g（0.1モル）のIIおよび1.5g
（２モル％）の二塩化1,1′−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）フェロセンパラジウム（II）（PdCl₂ dppf）で処
理し、超音波浴を取りはずし、冷却を止め、そして混合
物を室温で24時間攪拌する。100mlの飽和NH₄Cl溶液で分
解させ、有機相を分離し、水性相をトルエンで２回抽出
する。一緒にした有機抽出液を乾燥し、蒸発させ、そし
てヘキサンを用いてシリカゲルクロマトグラフィー処理
し、IIIを得る（Ｉはマロン酸エチルを用いて を鎖長延長することによって製造することができる）。
以下に挙げる臭化アルキルをＩと同様にIIと反応させる
ことができる。

実施例４ ４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）−１−（1,2,3−
トリフルオロビニル）ベンゼン ヘキサンに溶かした15％ブチルリチウム溶液36mlを−
70℃で300mlの1:1ジエチルエーテル/THF中の16.87g（50
ミリモル）の１−ブロモ−４（４−ヘプチルシクロヘキ
シル）ベンゼンに滴下する。混合物を１時間攪拌し、そ
して−70℃でテトラフルオロエチレンの急流を混合物
（合計約20g）に通す。混合物を室温に暖め、100mlの1N
塩酸で酸性化する。有機相を分離し、減圧蒸発させる。
残留物を約180℃で減圧蒸留（約0.1mmHg）する。

以下の化合物を同様に得る。

実施例５ ４−［４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル］−１−（1,2,2−トリフルオロビニル）ベンゼン 5.0g（77ミリモル）の亜鉛粉末、50mlのTHFおよび13.
5g（65ミリモル）のトリフルオロヨードエチレンの混合
物を、まず氷冷、その後室温で一晩攪拌する。次に、2
0.5g（50ミリモル）の１−ヨード４−［４−（４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンおよび
1.1gのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウ
ムを添加する。

混合物を一晩還流させた後、蒸発させ、そして残留物
をトルエン中に溶解させ、溶離剤としてトルエンを用い
るシリカゲルカラムでのクロマトグラフィーにかける。
溶離液を減圧蒸発させ、残留物をヘキサン／酢酸エチル
から再結晶化する。

以下の化合物を同様に得る。

実施例６ ４（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル−
４′−（1,2,2−トリフルオロビニル）ビフェニル ヘキサンに溶かした15％ブチルリチウム溶液36ml（58
ミリモル）を−20℃で25mlのTHFに溶解した5.05g（50ミ
リモル）のジイソプロピルアミン溶液に滴下する。混合
物をこの温度で1/2時間攪拌した後、100mlのTHFに溶か
した18.8gの４（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロ
ヘキシル−４′−（1,1,2,2−テトラフルオロエチル）
ビフェニル（DE−A 40 02 374）溶液を−70℃で滴下す
る。混合物をゆっくりと室温に暖め、次に更に10分間還
流させる。冷却後、混合物を1N塩酸で酸性化する。有機
相を分離し、50mlで２回洗浄し、次に減圧蒸発させる。
残留物を溶離剤としてトルエンを用いるシルカゲルカラ
ムでのクロマトグラフィーにかけ、溶離液を減圧蒸発さ
せ、そして残留物をシクロヘキサン／酢酸エチルから再
結晶化する。

実施例７ ４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル1,
2,2−トリフルオロビニルエーテル 16.0g（50ミリモル）の４（４−ペンチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル1,1,2,2−テトラフルオロエチル
エーテル（ペンタンからの低温結晶化によって精製）を
使用して実施例６におけると同様な手順を行う。

式 の以下の化合物を同様に製造する。

実施例８ 工程8.1 0.5モルの臭素を０〜５℃で300mlの無水メタノールに
溶解した0.5モルのｎ−ペンチルシクロヘキシルシクロ
ヘキシルメチルケトンにゆっくりと滴下する。約１時間
後、150mlの水を溶液に添加し、混合物を引き続き一晩
攪拌する。更に450mlの水を添加し、混合物を通常の操
作にかける。

工程8.2 0.05モルの無水フッ化カリウムを25mlのトルエン中の
0.45ミリモルの18−クラウン−６に添加する。混合物を
室温で15分間攪拌し、0.025モルの工程8.1からの臭素化
ケトンを添加し、そして混合物を80℃で24時間攪拌す
る。その後、混合物を通常の操作にかける。

工程8.3 10mlの無水トルエン中の17ミリモルのフルオロメチル
ケトン（工程8.2）を窒素雰囲気下に26ミリモルのDAST
に添加する。その後、混合物を50℃で17時間攪拌する。
次に、混合物を０℃に冷却し、水を注意深く添加し、そ
して混合物を炭酸水素ナトリウム溶液で中和するまで洗
浄する。その後、混合物を通常の操作にかける。

工程8.4 25ミリモルのトリフルオロ化合物（工程8.3）を20ml
のｔ−ブタノールに溶かした50ミリモルのカリウムｔ−
ブチラート溶液に添加し、混合物を100℃で18時間暖め
る。冷却後、混合物を水に注入し、通常の操作にかけ
る。Ｃ 25 Ｎ 73.8 I;Δｎ＝＋0.039 式 の以下の化合物を同様に製造する。

実施例９ 0.52モルの塩化フルオロアセチルを０℃で攪拌しなが
ら0.6モルの粉末塩化アルミニウムおよび200mlのジクロ
ロメタンに滴下する。その後、0.5モルのｎ−ペンチル
シクロヘキシルビフェニルを冷却しながら混合物に添加
する。次に、混合物を更に１時間攪拌し、一晩放置す
る。混合物を氷に注ぎ、そして通常の操作にかける。得
られたフッ素化ケトンを8.3および8.4と同様にまずDAST
と、次にカリウムｔ−ブチラートと反応させて、ジフル
オロビニル化合物を得る。

式 の以下の化合物を同様に製造する。

実施例10 0.5モルのｎ−ペンチルシクロヘキシルビフェニルを
まず0.52モルの塩化クロロアセチルで、次にDASTとカリ
ウムｔ−ブチラートで実施例９と同様に処理する。Ｃ
44 Ｎ 93.8 Ｉ。

式 の以下の化合物を同様に製造する。

実施例11 エーテル（89ミリモル）を溶かした54mlのBuLi溶液を
−78℃で76ミリモルのｎ−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキシル−2,6−ジフルオロベンゼンと100mlのエーテ
ルとの混合物に添加する。混合物を更に0.5時間攪拌し
てから、−90℃に冷却し、そして0.147モルのジクロロ
ジフルオロエチレンを反応混合物に添加する。混合物を
−78℃で更に１時間攪拌してから、ゆっくりと−30℃に
暖める。その後、混合物を通常の操作にかける。

式 の以下の化合物を同様に製造する。

実施例12 0.48モルのブチルリチウム（15％ヘキサン溶液）を−
75℃で45分かけて800mlのTHF中の0.48モルの４−（４−
トランス−プロピルシクロヘキシル）−１−ブロモベン
ゼンに滴下する。その後、混合物をまず0.5時間攪拌
し、次に200mlのTHFに溶かした0.24モルの臭化亜鉛の冷
却溶液を滴下し、そして混合物を−75℃で更に0.5時間
攪拌する。0.4モルのIIおよび7gのPdCl₂ dppfを−75℃
で添加し、そして混合物を室温で更に72時間攪拌する。
500mlの飽和塩化アンモニウム溶液を添加し、有機相を
分離し、通常の操作にかける。

式Ｉ の以下の化合物を同様に製造する。

実施例13 0.56モルの塩化亜鉛、次に2.24モルのリチウムを０℃
で1500mlの1:4のTHF:トルエン中の1.12モルのＩに添加
する。その後、混合物を０〜10℃で４時間攪拌しながら
超音波処理する。0.56モルのIIおよび12.3gのPdCl₂ dpp
fを添加し、冷却を止め、そして混合物を室温で更に72
時間攪拌する。混合物を1000mlの塩化アンモニウム溶液
中に注入し、15分間攪拌する。有機相を分離し、通常の
操作にかける。

式 の以下の化合物を同様に製造する。

実施例14 60ミリモルの（Ｚ）−CF₃CF＝CF−Ｉをバートン（Bur
ton）等によって述べられた方法によってトリエチレエ
ングリコールジメチルエーテル（トリグライム）中で5.
0gの活性亜鉛と反応させ、対応する亜鉛誘導体Ｂを得る
［ドリースト（Dolliest）等、J.Am.Chem.Soc.、109、2
19〜225、1987］。0.05の１−（４−プロピル−トラン
ス−シクロヘキシル）−４−ヨードベンゼンＡおよび1.
4gのPd（PPh₃）_４を亜鉛誘導体溶液に添加し、混合物を
40℃で48時間暖める。次に、混合物を水に注入し、そし
て通常の操作にかける。

式 の以下の化合物を同様に製造する。

実施例15 19.07モルの2,6−ジフルオロ−４−［４−（４−ペン
チルシクロヘキシル）フェニル］フェニル1,1,1,2,3,4
−ヘキサフルオロプロピルエーテルを100mlのTHFに溶解
させる。20ミリモルのリチウムテトラメチルピペリジン
（10mlのTHF中の20ミリモルの2,2,6,6−テトラメチルピ
ペリジンおよびヘキサンに溶かしたブチルリチウムの1.
6モル溶液12.5mlとから製造）を冷却（−78℃）しなが
らそれに滴下する。混合物をゆっくりと室温まで暖め
る。その後、混合物を0.5時間還流させる。次に、その
溶液を減圧下に室温で乾燥するまで蒸発させる。残留物
をジクロロメタンで抽出し、そして通常の操作にかけ
る。

式 の以下の化合物を同様に製造する。

実施例16 ３当量のトリフェニルホスフィンを無水THF（PPh₃ 1g
当たり5.0ml）に溶解させ、そして1.5当量のCCl₄を室温
で添加する。得られた混合物を２時間攪拌し、次に1.5
当量の活性マグネシウムを添加する。次に、混合物を更
に0.5時間攪拌する。1.0当量のｎ−ペンチルシクロヘキ
シルフェニル−４−ベンズアルデヒドを添加し、そして
混合物を12時間攪拌し、シリカゲルでろ過する。ろ液を
通常の操作にかける。

式 の以下の化合物を同様に製造する。

実施例17 0.52モルのクロロ酢酸を撹拌しながら０℃で0.6モル
の粉末塩化アルミニウムおよび200mlのジクロロメタン
に滴下する。その後、0.5モルのｎ−ペンチルシクロヘ
キシルビフェニルを混合物に添加する。次に、混合物を
更に１時間攪拌して、一晩放置する。混合物を氷に注
ぎ、そして通常の操作にかける。得られた塩化ケトンを
まずPCl₅で、次にKOHで処理する。最後に、混合物を通
常の操作にかける。

式 の以下の化合物を同様に製造する。

実施例18 0.085モルの４−ブロモ−2,6−ジフルオロフェノラー
トを100mlの1,3−ジメチル−２−イミダゾリジノン（DM
EU）に溶解させ、溶液を140℃に加熱し、そして0.09ml
の2,2,2−トリフルオロエチルメチルスルホネートを滴
下する。溶液を140℃で24時間攪拌する。その後、500ml
の氷水を添加してから、混合物を通常の操作にかける。

0.05モルのトランス−ｎ−ペンチルシクロヘキシルフ
ェニルホウ酸、20mlのトルエン、10mlのエタノール、0.
030モルの炭酸ナトリウムおよび0.86ミリモルのテトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｏ）を0.
015モルの４−ブロモ−2,6−ジフルオロフェノール2,2,
2−トリフルオロエチルエーテルに添加し、混合物を２
時間還流させる。100mlの石油エーテル（40〜80℃）を
添加してから、混合物を通常の操作にかける。

13.5ミリモルのジイソプロピルアミンを−20℃で10ml
のTHF中の13.5ミリモルのBuLi（15％−ヘキサン溶液）
に滴下する。その後、溶液を10分間攪拌し、そして−40
℃で保護ガスの下に10mlのTHF、13.5ミリモルのトラン
ス−ｎ−ペンチルシクロヘキシルフェニル−2,6−ジフ
ルオロフェノール2,2,2−トリフルオロエチルエーテル
から成る混合物に滴下する。混合物を、まず−40℃で0.
5時間、次に室温で一晩攪拌する。加水分解の後、混合
物を通常の操作にかける。Ｃ 31 Ｎ 103 Ｉ 式 の以下の化合物を同様に製造する。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (31)優先権主張番号 Ｐ４２０８５５１．９ (32)優先日 平成４年３月17日(1992．3．17) (33)優先権主張国 ドイツ（ＤＥ） (31)優先権主張番号 Ｐ４２１１１５０．１ (32)優先日 平成４年４月３日(1992．4．3) (33)優先権主張国 ドイツ（ＤＥ） (72)発明者 プラハ，ヘルベルト ドイツ連邦共和国 デー―6100 ダルム シュタット ヴィンガーツベルクシュト ラーセ ５ (72)発明者 アイデンシンク，ルドルフ ドイツ連邦共和国 デー―6500 マイン ツ メーンシュトラーセ ６ (72)発明者 ライフェンラート，フォルカー ドイツ連邦共和国 デー―6101 ロスド ルフ ヤーンシュトラーセ 18 (72)発明者 パウルート，デトレフ ドイツ連邦共和国 デー―6100 ダルム シュタット ロイターアレー 44 (72)発明者 ペーチュ，アイケ ドイツ連邦共和国 デー―6109 ミュー ルタール ６ アム ブーフヴァルト ４ (72)発明者 シェーン，ザビーネ ドイツ連邦共和国 デー―6100 ダルム シュタット グンドルフシュトラーセ 25 (72)発明者 マイヤー，フォルカー ドイツ連邦共和国 デー―6112 グロー ス―ツィンメルン ２ ゼムダー プフ ァート 23 (72)発明者 ユンゲ，ミヒャエル ドイツ連邦共和国 デー―6102 プフン クシュタット ２ ダルムシュテッター シュトラーセ 16 (72)発明者 ヒチヒ，ラインハルト ドイツ連邦共和国 デー―6101 モーダ ウタール １ アム キルヒベルク 11 (56)参考文献 特開 平１−308239（ＪＰ，Ａ) 特表 平６−503362（ＪＰ，Ａ) 国際公開91／6522（ＷＯ，Ａ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) ＣＡ（ＳＴＮ) ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】式Ｉ （式中、 ＲはＨ、または未置換の、CNまたはCF₃でモノ置換され
   るまたはハロゲンで少なくともモノ置換される１〜15個
   の炭素原子を有するアルキルまたはアルケニル基であ
   り、これらの基における１つ以上のCH₂基は、それぞれ
   の場合に互いに独立して、酸素原子が互いに直接結合し
   ないように−Ｏ−、−Ｓ−、 −CO−、−CO−Ｏ−、−Ｏ−CO−または−Ｏ−CO−Ｏ−
   によって置き換えることも可能であり、 A¹およびA²は、それぞれ互いに独立して、 （ａ）１つまたはそれ以上の隣接しないCH₂基を−Ｏ−
   および／または−Ｓ−で置き換えてもよいトランス−1,
   4−シクロヘキシレン基、 （ｂ）１つまたは２つのCH基をＮで置き換えてもよい1,
   4−フェニレン基、 （ｃ）1,4−シクロヘキセニレン、1,4−ビシクロ（2.2.
   2）オクチレン、ピペリジン−1,4−ジイル、ナフタレン
   −2,6−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイルお
   よび1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイルか
   らなる群からの基 であり、基（ａ）および（ｂ）はCNまたはフッ素で置換
   されていてもよく、 Z¹およびZ²は、それぞれ互いに独立して、−CO−Ｏ−、
   −Ｏ−CO−、−CH₂O−、−OCH₂−、−CH₂CH₂−、−CH＝
   CH−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合であり、あるいはまたZ¹
   およびZ²の１つは−（CH₂）_４−または−CH＝CH−CH₂CH
   ₂−であり、 Ｑは単結合、−Ｏ−、−CH₂CH₂−、−Ｃ≡Ｃ−、トラン
   ス−CH＝CH−、−COO−または−CH₂O−であり、 X¹はＨ、ＦまたはClであり、 X²はＦ、Cl、CF₃、OCF₃、OCHF₂またはSF₅であり、 ＹはＨ、ＦまたはClであり、 ｒは０〜４であり、 ｎは０または１であり、そして ｍは0,1,2又は３であり、ｎ＋ｍは1,2又は３である、 但し、Ｙ＝ＨおよびＱ＝単結合の場合、X¹及びX²はClで
   あり、また、Ｑが−C₂H₄−又は−CH₂O−を示しＹがＨ又
   はＦであるとき、X²はCF₃、OCF₃、OCHF₂又はSF₅であ
   る） のビニル化合物。
2. 【請求項２】式I 1 （式中、Ｒ、A¹、Z¹、A²、Z²、ｍ、ｎおよびｒは請求項
   １で定義した通りである）の化合物。
3. 【請求項３】式I 2 （式中、Ｒ、A¹、Z¹、A²、Z²、ｍ、ｎおよびｒは請求項
   １で定義した通りである）の化合物。
4. 【請求項４】式I 3 （式中、Ｒ、A¹、Z¹、A²、Z²、ｍ、ｎおよびｒは請求項
   １で定義した通りである）の化合物。
5. 【請求項５】式I 8 （式中、Ｒ、A¹、Z¹、A²、Z²、ｍ、ｎおよびｒは請求項
   １で定義した通りである）の化合物。
6. 【請求項６】式I 10 （式中、Ｒ、A¹、Z¹、A²、Z²、ｍ、ｎおよびｒは請求項
   １で定義した通りである）の化合物。
7. 【請求項７】請求項６において、ｒが０である式I 10の
   化合物。
8. 【請求項８】式Ｉの化合物を液晶媒体の成分として使用
   する方法。
9. 【請求項９】少なくとも１種の請求項１に記載の式Ｉの
   化合物を含んでいることを特徴とする少なくとも２種の
   液晶成分を含んでいる液晶媒体。
10. 【請求項１０】請求項９記載の液晶媒体を含んでいるこ
    とを特徴とする液晶ディスプレイ要素。
11. 【請求項１１】誘電体として請求項９記載の液晶媒体を
    含んでいることを特徴とする電気光学ディスプレイ要
    素。