JP3144357B2

JP3144357B2 - チップ抵抗器

Info

Publication number: JP3144357B2
Application number: JP27235397A
Authority: JP
Inventors: 広美崎田; 賢蔵磯崎; 道生福岡
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-10-06
Filing date: 1997-10-06
Publication date: 2001-03-12
Anticipated expiration: 2017-10-06
Also published as: JPH11111504A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＶ，ＶＴＲ等の
電子機器の回路基板等に用いられるチップ抵抗器に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】図１０は従来のインダクタンス素子を示
す側面図である。図１０において、１は中央部が両端か
ら段落ちした四角柱状の基台、２は基台１の上に形成さ
れた導電膜、３は導電膜２に設けられた溝、４は導電膜
３の上に積層された保護材である。

【０００３】この様な電子部品は、溝３の間隔などを調
整することによって、所定の特性に調整する。

【０００４】回路基板には、抵抗器、インダクタンス素
子などの複数種類のチップ部品を大量に実装装置などに
よって回路基板上に実装して構成されている。また、回
路基板には、ランド間に抵抗器は接続しないものの、回
路を構成するためにジャンパー線などを用いることが良
く行われている。このジャンパー線の代わりに導電性を
示し抵抗値が極めて小さいか零である通常零オーム抵抗
器と呼ばれるチップ抵抗器が良く用いられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、ジャンパー線は図１０に示すインダクタン
ス素子等とは異質な形状となっているので、回路基板上
に実装する場合に、インダクタンス素子を実装する実装
装置とは別の実装装置などを用いて行わなければならな
いので、作業性が悪く生産性が向上しないという課題が
あった。

【０００６】また、従来の零オーム抵抗器は、方向性が
存在し、所定の方向や角度などで設置しなければならな
いという不具合が生じ、これも回路基板などを作製する
上で生産性が向上しない課題となる。

【０００７】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、回路基板などの生産性が向上するチップ抵抗器を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、両端部の断面
形状を多角形状とした角柱状であって絶縁性を有する基
台と、基台の上に形成された導電膜と、導電膜の上に設
けられた耐候性の良い金属膜と、導電膜を設けた基台上
に両端の端子部をむき出しにするように設けられた保護
材とを備え、長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３としたとき
に、Ｌ１＝０．５〜２．７ｍｍＬ２＝０．２〜２．２ｍｍＬ３＝０．２〜２．２ｍｍとしたチップ抵抗器であって、基台の角部に面取りを施
すとともに、基台の全周に導電膜を設け、更に端子部間
の電気抵抗が７００ｍオーム以下とした。

【０００９】

【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、両端部の
断面形状を多角形状とした角柱状であって絶縁性を有す
る基台と、前記基台の上に形成された導電膜と、前記導
電膜の上に設けられた耐候性の良い金属膜と、前記導電
膜を設けた前記基台上に両端の端子部をむき出しにする
ように設けられた保護材とを備え、長さＬ１，幅Ｌ２，
高さＬ３としたときに、Ｌ１＝０．５〜２．７ｍｍＬ２＝０．２〜２．２ｍｍＬ３＝０．２〜２．２ｍｍとしたチップ抵抗器であって、基台の角部に面取りを施
すとともに、前記基台の全周に導電膜を設け、更に端子
部間の電気抵抗が７００ｍオーム以下としたことによっ
て、ジャンパー線の様な他のチップ部品と著しく形状の
異なる部品を用いずに、チップ部品と同様の形状のチッ
プ抵抗器で零オーム抵抗器を作製できるので、実装性が
向上し、回路基盤等の生産性を向上させることができ
る。また、基台の両端部の断面形状を多角形状としたこ
とによって、方向性を無くすることができ、どの様な設
置でも均一な特性を得ることができる。また、チップ抵
抗器のサイズを上述の様に規定することによって、実装
密度を向上させることができ、しかも実装の際に、素子
折れなどが発生しないような機械的強度を得ることがで
きる。更に、基台の角部に面取りを施すことで、基台の
欠け等の発生を抑え、特性劣化を防止でき、しかも基台
の上に良好な膜質の導電膜を形成できるので、導電性の
低下を防止できる。加えて、基台の全周に導電膜を設け
たことで、一部の導電膜にダメージ（剥がれ等）が発生
しても十分に所定の導電性を保つことができる。更に、
導電膜の上に耐候性の良い金属膜を設けることで、導電
膜の腐食などを防止することができる。

【００１０】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、導電膜の膜厚を１μｍ〜３０μｍとしたことで、抵
抗が大きくなるのを防止でき、コスト面や生産性の面で
有利になる。

【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１におい
て、基台の中央部を段落ちさせ、前記基台の両端部を端
子部とし、前記中央部内に保護材を設けたことによっ
て、保護材を凹部に収納させる構成となるので、保護材
が素子から大きく突出せず、部品の設置性を向上させる
ことができる。

【００１２】請求項４記載の発明は、請求項１において
Ｃｒ又はＣｒと他の金属との合金で構成された中間層を
前記基台と導電膜の間に設けたことによって、導電膜と
基台の密着強度を向上させることができる。

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【００１９】以下、本発明におけるチップ抵抗器の実施
の形態について説明する。図１，図２はそれぞれ本発明
の一実施の形態におけるチップ抵抗器を示す斜視図及び
側面図である。

【００２０】図１において、１１は絶縁材料などをプレ
ス加工，押し出し法等を施して構成されている基台、１
２は基台１１の上に設けられている導電膜で、導電膜１
２は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台１１上に形成される。１４は導電膜１２上に塗布
された保護材、１５，１６はそれぞれ端子電極が形成さ
れた端子部で、端子部１５と端子部１６の間には、保護
材１４が設けられている。なお、図２は、保護材１４の
一部を取り除いた図である。

【００２１】本実施の形態のチップ抵抗器においては、
端子部１５と端子部１６間の電気抵抗が７００ｍオーム
以下となるように設定されており、好ましくは５００ｍ
オーム以下、更に好ましくは１００ｍオーム以下となる
ように、導電膜１２の厚みや材料等の条件を選択するこ
とが必要である。この様に端子部１５と端子部１６との
間の電気抵抗が７００ｍオーム以下としなければ、零オ
ーム抵抗器として十分な特性を得ることはできない。

【００２２】また、本実施の形態のチップ抵抗器は、チ
ップ抵抗器の長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３は以下の通り
となっていることが好ましい。

【００２３】Ｌ１＝０．５〜２．７ｍｍ（好ましくは０．６〜１．７
ｍｍ）Ｌ２＝０．２〜２．２ｍｍ（好ましくは０．３〜０．９
ｍｍ）Ｌ３＝０．２〜２．２ｍｍ（好ましくは０．３〜０．９
ｍｍ）Ｌ１が０．５ｍｍ以下であると、取り扱いが難しくなり
生産性が低下する可能性がある。また、Ｌ１が２．７ｍ
ｍを超えてしまうと、素子自体が大きくなってしまい、
電子回路等が形成された基板などの回路基板等の小型化
ができず、ひいてはその回路基板等を搭載した電子機器
等の小型化を行うことができない。また、Ｌ２，Ｌ３そ
れぞれが０．２ｍｍ以下であると、素子自体の機械的強
度が弱くなりすぎてしまい、実装装置などで、回路基板
等に実装する場合に、素子折れ等が発生することがあ
る。また、Ｌ２，Ｌ３が２．２ｍｍ以上となると、素子
が大きくなりすぎて、回路基板等の小型化、ひいては装
置の小型化を行うことができない。なお、Ｌ４（段落ち
の深さ）は５μｍ〜５０μｍ程度が好ましく、５μｍ以
下であれば、保護材１４の厚さ等を薄くしなければなら
ず、良好な保護特性等を得ることができない。また、Ｌ
４が５０μｍを超えると基台の機械的強度が弱くなり、
やはり素子折れ等が発生することがある。

【００２４】なお、本実施の形態で表現されるチップ抵
抗器は、極めて低抵抗であるか、もしくは抵抗が零であ
るものであり、ジャンパー線の代わりとなるものであ
る。

【００２５】以上の様に構成されたチップ抵抗器につい
て、以下各部の詳細な説明をする。図３は本発明の一実
施の形態におけるチップ抵抗器に用いられる導電膜を形
成した基台の断面図、図４（ａ）（ｂ）はそれぞれ基台
の側面図及び底面図である。

【００２６】まず、基台１１の形状について説明する。
基台１１は、図３及び図４に示す様に、回路基板等に実
装しやすいように断面が四角形状の中央部１１ａと中央
部１１ａの両端に一体に設けられ、しかも断面が四角形
状の端部１１ｂ，１１ｃによって構成されている。な
お、端部１１ｂ，１１ｃ及び中央部１１ａは断面四角形
状としたが、五角形状や六角形状などの多角形状でも良
い。中央部１１ａは端部１１ｂ，１１ｃから段落ちした
構成となっている。本実施の形態では、端部１１ｂ，１
１ｃの断面形状を略正四角状とすることによって、回路
基板等へのチップ抵抗器を装着性を良好にした。また、
本実施の形態では、どのように回路基板等に実装しても
方向性が無いために、取り扱いが容易になる。また、中
央部１１ａには素子部（保護材１４）が形成されること
となり、端部１１ｂ，１１ｃには端子部１５，１６が形
成される。

【００２７】なお、本実施の形態では、中央部１１ａ及
び端部１１ｂ，１１ｃをともに略正四角形状としたが、
正五角形状等の正多角形状にしてもよい。さらに、本実
施の形態では、中央部１１ａと端部１１ｃ，１１ｂそれ
ぞれの断面形状を正四角形というように同一にしたが、
異なっても良い。すなわち、端部１１ｂ、１１ｃの断面
形状を正多角形状とし、中央部１１ａの断面形状を他の
多角形状としたり、円形状としても良い。この様に中央
部１１ａを断面円形状にすることによって、導電膜１２
の膜質を向上させることができ、良好な低抵抗のチップ
部品を提供することができる。

【００２８】さらに、本実施の形態では、中央部１１ａ
を端部１１ｂ，１１ｃより段落ちさせることによって、
保護材１４を塗布した際に、その保護材１４と回路基板
等が接触することなどを防止していたが、特に保護材１
４の厚みや実装される回路基板等の状況（回路基板等の
電極部が盛り上がっている等）によって、中央部１１ａ
を段落ちさせなくてもよい。中央部１１ａを端部１１
ｂ，１１ｃから段落ちさせないと、基台１１の構造が簡
単になり、生産性が向上し、さらに中央部１１ａの機械
的強度も向上する。この様に段落ちさせない場合でも、
断面四角形状の四角柱形状としてもよいし、さらに断面
を多角形状とする角柱とすることもできる。

【００２９】また、図４（ａ）に示す様に基台１１の端
部の高さＺ１及びＺ２は下記の条件を満たすことが好ま
しい。

【００３０】｜Ｚ１−Ｚ２｜≦８０μｍ（好ましくは５
０μｍ）Ｚ１とＺ２の高さの違いが８０μｍ（好ましくは５０μ
ｍ以下）を超えると、素子を基板に実装し、半田等で回
路基板等に取り付ける場合、半田等の表面張力によって
素子が一方の端部に引っ張られて、素子が立ってしまう
というマンハッタン現象の発生する確率が非常に高くな
る。このマンハッタン現象を図５に示す。図５に示すよ
うに、基板２００の上にチップ抵抗器を配置し、端子部
１５，１６それぞれと基板２００の間に半田２０１，２
０２が設けられているが、リフローなどによって半田２
０１，２０２を溶かすと、半田２０１，２０２のそれぞ
れの塗布量の違いや、材質が異なることによる融点の違
いによって、溶融した半田２０１，２０２の表面張力が
端子部１５と端子部１６で異なり、その結果、図５に示
すように一方の端子部（図５の場合は端子部１５）を中
心に回転し、チップ抵抗器が立ち上がってしまう。Ｚ１
とＺ２の高さの違いが８０μｍ（好ましくは５０μｍ以
下）を超えると、素子が傾いた状態で基板２００に配置
されることとなり、素子立ちを促進する。また、マンハ
ッタン現象は特に小型軽量のチップ型の電子部品（チッ
プ型チップ抵抗器を含む）において顕著に発生し、しか
もこのマンハッタン現象の発生要因の一つとして、端子
部１５，１６の高さの違いによって素子が傾いて基板２
００に配置されることを着目した。この結果、Ｚ１とＺ
２の高さの差を８０μｍ以下（好ましくは５０μｍ以
下）となるように、基台１１を成形などで加工すること
によって、このマンハッタン現象の発生を大幅に抑える
ことができた。Ｚ１とＺ２の高さの差を５０μｍ以下と
することによって、ほぼ、マンハッタン現象の発生を抑
えることができる。

【００３１】次に基台１１の面取りについて説明する。
図６は本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器に用
いられる基台の斜視図である。図６に示されるように、
基台１１の端部１１ｂ，１１ｃそれぞれの角部１１ｅ，
１１ｄには面取りが施されており、その面取りした角部
１１ｅ，１１ｄのそれぞれの曲率半径Ｒ１及び中央部１
１ａの角部１１ｆの曲率半径Ｒ２は以下の通りに形成さ
れることが好ましい。

【００３２】０．０３＜Ｒ１＜０．１５（ｍｍ）０．０１＜Ｒ２（ｍｍ）Ｒ１が０．０３ｍｍ以下であると、角部１１ｅ，１１ｄ
が尖った形状となっているので、ちょっとした衝撃など
によって角部１１ｅ，１１ｄに欠けなどが生じることが
あり、その欠けによって、特性の劣化等が発生したりす
る。また、Ｒ１が０．１５ｍｍ以上であると、角部１１
ｅ，１１ｄが丸くなりすぎて、前述のマンハッタン現象
を起こしやすくなり、不具合が生じる。更にＲ２が０．
０１ｍｍ以下であると、角部１１ｆにバリなどが発生し
やすく、中央部１１ａ上に形成され、しかも素子の特性
を大きく左右する導電膜１２の厚みが角部１１ｆと平坦
な部分で大きく異なることがあり、素子特性のばらつき
が大きくなる。

【００３３】次に基台１１の構成材料について説明す
る。基台１１の構成材料として下記の特性を満足してお
くことが好ましい。

【００３４】熱膨張係数：５×１０^-4以下（好ましくは
２×１０^-5以下）［２０℃〜５００℃における熱膨張係
数］曲げ強度：１３００ｋｇ／ｃｍ²以上（好ましくは２０
００ｋｇ／ｃｍ²以上）密度：２〜５ｇ／ｃｍ³（好ましくは３〜４ｇ／ｃｍ³）基台１１の構成材料が体積固有抵抗が１０¹³以下である
と、導電膜１２とともに基台１１にも所定に電流が流れ
始めるので、並列回路が形成された状態となり、自己共
振周波数ｆ０及びＱ値が低くなってしまい、高周波用の
素子としては不向きである。

【００３５】また熱膨張係数が５×１０^-4以上である
と、基台１１にヒートショック等でクラックなどが入る
ことがある。すなわち熱膨張係数が５×１０^-4以上であ
ると、基台１１にクラックなどが生じることあるが、上
述の様な熱膨張係数を有することによって、大幅にクラ
ック等の発生を抑止できる。

【００３６】曲げ強度が１３００ｋｇ／ｃｍ²以下であ
ると、実装装置で回路基板等に実装する際に素子折れ等
が発生することがある。

【００３７】密度が２ｇ／ｃｍ³以下であると、基台１
１の吸水率が高くなり、基台１１の特性が著しく劣化
し、素子としての特性が悪くなる。また密度が５ｇ／ｃ
ｍ³以上になると、基台１１の重量が重くなり、実装性
などに問題が発生する。特に密度を上記範囲内に設定す
ると、吸水率も小さく基台１１への水の進入もほとんど
なく、しかも重量も軽くなり、チップマウンタなどで基
板に実装する際にも問題は発生しない。

【００３８】この様に基台１１の熱膨張係数，曲げ強
度，密度を規定することによって、ヒートショック等で
基台１１にクラック等が発生することを抑制できるの
で、不良率を低減することができ、更には、機械的強度
を向上させることができるので、実装装置などを用いて
回路基板等に実装でき、生産性が向上する等の優れた効
果を得ることができる。

【００３９】上記の諸特性を得る材料としては、アルミ
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。しかし
ながら、単にアルミナを主成分とするセラミック材料を
用いても上記諸特性を得ることはできない。すなわち、
上記諸特性は、基台１１を作製する際のプレス圧力や焼
成温度及び添加物によって異なるので、作製条件などを
適宜調整しなければならない。具体的な作製条件とし
て、基台１１の加工時のプレス圧力を２〜５ｔ，焼成温
度を１５００〜１６００℃，焼成時間１〜３時間等の条
件が挙げられる。また、アルミナ材料の具体的な材料と
しては、Ａｌ₂Ｏ₃が９２重量％以上，ＳｉＯ₂が６重量
％以下，ＭｇＯが１．５重量％以下，Ｆｅ₂Ｏ₃が０．１
％以下，Ｎａ₂Ｏが０．３重量％以下等が挙げられる。

【００４０】次に基台１１の表面粗さについて説明す
る。なお、以下の説明で出てくる表面粗さとは、全て中
心線平均粗さを意味するものであり、導電膜１２の説明
等に出てくる粗さも中心線平均粗さである。

【００４１】基台１１の表面粗さは０．１５〜０．５μ
ｍ程度、好ましくは０．２〜０．３μｍ程度がよい。図
７は本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器に用い
られる基台１１の表面粗さと剥がれ発生率を示したグラ
フである。図７は下記に示すような実験の結果である。
基台１１及び導電膜１２はそれぞれアルミナ，銅で構成
し、基台１１の表面粗さをいろいろ変えたサンプルを作
製し、その各サンプルの上に同じ条件で導電膜１２を形
成した。それぞれのサンプルに超音波洗浄を行い、その
後に導電膜１２の表面を観察して、導電膜１２の剥がれ
の有無を測定した。基台１１の表面粗さは、表面粗さ測
定器（東京精密サーフコム社製５７４Ａ）を用いて、
先端Ｒが５μｍのものを用いた。この結果から判るよう
に平均表面粗さが０．１５μｍ以下であると、基台１１
の上に形成された導電膜１２の剥がれの発生率が５％程
度であり、良好な基台１１と導電膜１２の接合強度を得
ることができる。更に、表面粗さが０．２μｍ以上であ
れば導電膜１２の剥がれがほとんど発生していないの
で、できれば、基台１１の表面粗さは０．２μｍ以上が
好ましい。導電膜１２の剥がれは、素子の特性劣化の大
きな要因となるので、歩留まり等の面から発生率は５％
以下が好ましい。

【００４２】また、基台１１の表面粗さが０．５μｍ以
上であると、基台１１上に形成される導電膜１２の膜質
が悪くなり、抵抗値が上昇することになる。

【００４３】以上の様に、導電膜１２と基台１１との密
着強度及び導電膜１２の膜質の双方の結果から判断する
と、基台１１の表面粗さは、０．１５μｍ〜０．５μｍ
が好ましく、さらに好ましくは０．２〜０．３μｍが良
い。

【００４４】なお、本実施の形態では、導電膜１２と基
台１１の接合強度を基台１１の表面粗さを調整すること
によって、向上させたが、例えば、基台１１と導電膜１
２の間にＣｒ単体またはＣｒと他の金属の合金の少なく
とも一方で構成された中間層を設けることによって、表
面粗さを調整せずとも導電膜１２と基台１１の密着強度
を向上させることができる。もちろん基台１１の表面粗
さを調整し、その上その基台１１の上に中間層及び導電
膜１２を積層する場合では、より強力な導電膜１２と基
台１１の密着強度を得ることができる。

【００４５】次に導電膜１２について説明する。導電膜
１２の構成材料としては、銅，銀，金，ニッケルなどの
導電材料が挙げられる。この銅，銀，金，ニッケル等の
材料には、耐候性等を向上させために所定の元素（パラ
ジウム，チタン，白金等の少なくとも１つ）を添加して
もよい。また、導電材料と非金属材料等の合金を用いて
もよい。構成材料としてコスト面や耐食性の面及び作り
易さの面から銅及びその合金がよく用いられる。導電膜
１２の材料として、銅等を用いる場合には、まず、基台
１１上に無電解メッキによって下地膜を形成し、その下
地膜の上に電解メッキにて所定の銅膜を形成して導電膜
１２が形成される。更に、合金等で導電膜１２を形成す
る場合には、スパッタリング法や蒸着法で構成すること
が好ましい。また、構成材料に銅及びその合金を用いた
場合導電膜１２の形成厚みは１μｍ以上が好ましい。厚
みが１μｍより薄いと、導電膜１２の抵抗が大きくなり
零オーム抵抗器としての所定の特性を得ることができに
くい。また、コスト面や生産性を考えた場合には、導電
膜１２の膜厚は３０μｍ以下とすることが好ましい。

【００４６】導電膜１２は単層で構成してもよいが、多
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜を複数積層して構成しても良い。例えば、基台１１の
上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属膜
（ニッケル等）を積層する事によって、やや耐候性に問
題がある銅の腐食を防止することができる。

【００４７】導電膜１２の形成方法としては、メッキ法
（電解メッキ法や無電解メッキ法など），スパッタリン
グ法，蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。

【００４８】導電膜１２の表面粗さは１μｍ以下が好ま
しく、更に好ましくは０．２μｍ以下が好ましい。導電
膜１２の表面粗さが１μｍを超えると、表皮効果によっ
て導電率が低下する。

【００４９】以上の様に導電膜１２の表面粗さは、１．
０μｍ以下が良く、更に好ましくは、０．２μｍ以下と
することによって、導電膜１２の表皮効果を低減させる
ことができ、導電率を向上させる事ができる。

【００５０】更に導電膜１２と基台１１の密着強度は、
導電膜１２を形成した基台１１を４００℃の温度下に数
秒間放置した後に基台１１から導電膜１２がはがれない
程度以上であることが好ましい。素子を基板等に実装し
た際に、素子には自己発熱や他の部材からの熱が加わる
ことによって、素子に２００℃以上の温度が加わること
がある。従って、４００℃で基台１１からの導電膜１２
のはがれが発生しない程度の密着強度であれば、たとえ
素子に熱が加わっても、素子の特性劣化等は発生しな
い。

【００５１】次に保護材１４について説明する。保護材
１４としては、耐候性に優れ、絶縁性を示す有機材料、
例えばエポキシ樹脂などの絶縁性を示す材料が用いられ
る。

【００５２】また、保護材１４は、図８に示すように厚
さがＺ１が５μｍ以上となるように塗布することが好ま
しい。Ｚ１が５μｍより小さいと特性劣化や放電などが
発生し易くなり素子の特性が大幅に劣化することが考え
られる。

【００５３】次に端子部１５，１６について説明する。
端子部１５，１６は、導電膜１２のみでも十分に機能す
るが、様々な環境条件等に順応させるために、多層構造
とすることが好ましい。

【００５４】図９は本発明の一実施の形態におけるチッ
プ抵抗器の端子部１５の断面図である。図９において、
基台１１の端部１１ｂの上に導電膜１２が形成されてお
り、しかも導電膜１２の上には耐候性を有するニッケ
ル，チタン等の材料で構成される保護層３００が形成さ
れており、更に保護層３００の上には半田等で構成され
た接合層３０１が形成されている。保護層３００は接合
層と導電膜１２の接合強度を向上させるとともに、導電
膜の耐候性を向上させることができる。本実施の形態で
は、保護層３００の構成材料として、ニッケルかニッケ
ル合金の少なくとも一方とし、接合層３０１の構成材料
としては半田を用いた。保護層３００（ニッケル）の厚
みは２〜７μｍが好ましく、２μｍを下回ると耐候性が
悪くなり、７μｍを上回ると保護層３００（ニッケル）
自体の電気抵抗が高くなり、素子特性が大きく劣化す
る。また、接合層３０１（半田）の厚みは５μｍ〜１０
μｍ程度が好ましく、５μｍを下回ると半田食われ現象
が発生して素子と回路基板等との良好な接合が期待でき
ず、１０μｍを上回るとマンハッタン現象が発生し易く
なり、実装性が非常に悪くなる。

【００５５】以上の様に構成されたチップ抵抗器は、特
性劣化が無く、しかも、実装性及び生産性が非常によ
い。

【００５６】以上の様に構成されたチップ抵抗器につい
て、以下その製造方法について説明する。

【００５７】まず、アルミナ等の絶縁材料をプレス成形
や押し出し法によって、基台１１を作製する。次にその
基台１１全体にメッキ法やスパッタリング法などによっ
て導電膜１２を形成し、その後に保護材１４を塗布し、
乾燥させる。

【００５８】この時点でも、製品は完成するが、特に端
子部１５，１６にニッケル層や半田層を積層して、耐候
性や接合性を向上させることもある。ニッケル層や半田
層は、メッキ法等によって保護材１４を形成した後に形
成する。

【００５９】以上の様に構成されたチップ抵抗器は、従
来の様なジャンパー線の構造とは異なり、チップ部品と
してのインダクタンス素子と同じ様な構成とすることが
できるので、回路基板上にチップ抵抗器を実装する場合
に、実装効率や実装速度を大幅に向上させることができ
る。

【００６０】また、両端を四角形状とすることによっ
て、チップ抵抗器を回路基板上に実装する場合に、設置
の方向性を考慮しなくても良いので、部品の実装の際の
取り扱いが容易になり、実装効率や実装速度及び実装精
度などを大幅に向上させることができる。

【００６１】更に、基台１１全周に渡って導電膜１２を
設けているので、例え、一部の導電膜１２に剥がれ等が
発生した場合でも、十分に両端子部１５，１６間の電気
抵抗を７００ｍオーム以下（好ましくは５００ｍオーム
以下、更に好ましくは１００ｍオーム以下）とすること
ができる。

【００６２】

【００６３】

【００６４】

【発明の効果】本発明は、両端部の断面形状を多角形状
とした角柱状であって絶縁性を有する基台と、基台の上
に形成された導電膜と、導電膜の上に設けられた耐候性
の良い金属膜と、導電膜を設けた基台上に両端の端子部
をむき出しにするように設けられた保護材とを備え、長
さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３としたときに、Ｌ１＝０．５〜２．７ｍｍＬ２＝０．２〜２．２ｍｍＬ３＝０．２〜２．２ｍｍとしたチップ抵抗器であって、基台の角部に面取りを施
すとともに、基台の全周に導電膜を設け、更に端子部間
の電気抵抗が７００ｍオーム以下としたことによって、
回路基板等への実装性を向上させることができる。ま
た、基台の両端部の断面形状を多角形状としたことによ
って、方向性を無くすることができ、どの様な設置でも
均一な特性を得ることができる。また、チップ抵抗器の
サイズを上述の様に規定することによって、実装密度を
向上させることができ、しかも実装の際に、素子折れな
どが発生しないような機械的強度を得ることができる。
更に、基台の角部に面取りを施すことで、基台の欠け等
の発生を抑え、特性劣化を防止でき、しかも基台の上に
良好な膜質の導電膜を形成できるので、導電性の低下を
防止できる。加えて、基台の全周に導電膜を設けたこと
で、一部の導電膜にダメージ（剥がれ等）が発生しても
十分に所定の導電性を保つことができる。更に、導電膜
の上に耐候性の良い金属膜を設けることで、導電膜の腐
食などを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器を
示す斜視図

【図２】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器を
示す側面図

【図３】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器に
用いられる導電膜を形成した基台の断面図

【図４】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器に
用いられる基台を示す図

【図５】マンハッタン現象を示す側面図

【図６】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器に
用いられる基台の斜視図

【図７】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器に
用いられる基台の表面粗さと剥がれ発生率を示したグラ
フ

【図８】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の
保護材を設けた部分の側面図

【図９】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の
端子部の断面図

【図１０】従来のインダクタンス素子を示す側面図

【符号の説明】

１１基台１１ａ中央部１１ｂ，１１ｃ端部１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ角部１２導電膜１４保護材１５，１６端子部

フロントページの続き (56)参考文献特開平８−316004（ＪＰ，Ａ) 特開平８−138902（ＪＰ，Ａ) 特開平８−316003（ＪＰ，Ａ) 特開平８−321405（ＪＰ，Ａ) 特開平５−283210（ＪＰ，Ａ) 特開平10−335104（ＪＰ，Ａ) 特開平９−275002（ＪＰ，Ａ) 特開平10−135014（ＪＰ，Ａ) 実開平６−82802（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01C 7/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】両端部の断面形状を多角形状とした角柱状
であって絶縁性を有する基台と、前記基台の上に形成さ
れた導電膜と、前記導電膜の上に設けられた耐候性の良
い金属膜と、前記導電膜を設けた前記基台上に両端の端
子部をむき出しにするように設けられた保護材とを備
え、長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３としたときに、Ｌ１＝０．５〜２．７ｍｍＬ２＝０．２〜２．２ｍｍＬ３＝０．２〜２．２ｍｍとしたチップ抵抗器であって、基台の角部に面取りを施
すとともに、前記基台の全周に導電膜を設け、更に端子
部間の電気抵抗が７００ｍオーム以下としたことを特徴
とするチップ抵抗器。
【請求項２】導電膜の膜厚を１μｍ〜３０μｍとした請
求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項３】基台の中央部を段落ちさせ、前記基台の両
端部を端子部とし、前記中央部内に保護材を設けたこと
を特徴とする請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項４】Ｃｒ又はＣｒと他の金属との合金で構成さ
れた中間層を前記基台と導電膜の間に設けたことを特徴
とする請求項１記載のチップ抵抗器。