JP3143408B2

JP3143408B2 - プリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JP3143408B2
Application number: JP8268297A
Authority: JP
Inventors: 礼雄仁木; 元雄浅井; 洋一郎川村
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1997-04-01
Filing date: 1997-04-01
Publication date: 2001-03-07
Anticipated expiration: 2017-04-01
Also published as: JPH10284835A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板の
製造方法に関し、特に、露光用マスク材としてマスクパ
ターンが形成されたガラス基板を使用することにより、
露光用マスク材の寸法変化を抑制することが可能であ
り、もってバイアホール、めっきレジストパターン、ソ
ルダーレジストパターンの位置ずれを防止することが可
能であり、また、ガラス基板に描画されるマスクパター
ンを設計値よりも拡大することにより、感光性樹脂層等
が硬化収縮した場合においても、設計値に沿った適正寸
法の最終製品を製造することが可能なプリント配線板の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平４−５５５５５号公報に開示されているような方法に
より製造される。即ち、コア基板上に、感光性樹脂から
なる無電解めっき用接着剤を塗布し、これを乾燥したの
ち露光、現像することにより、バイアホール用開口を有
する層間絶縁材層を形成する。次いで、この層間絶縁材
層の表面を酸化剤等による処理にて粗化した後、その粗
化面に感光性樹脂層を露光、現像処理してめっきレジス
トを設け、その後、レジスト非形成部分に無電解めっき
を施してバイアホールを含む導体回路パターンを形成す
る。そして、このような工程を複数回繰り返すことによ
り、多層化したビルドアップ配線基板が得られるもので
ある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の多層プリント配線板では、感光性樹脂を露光する際
に使用するマスクフィルムとして樹脂フィルムを使用し
ており、かかるマスクフィルムにおいては線熱膨張係数
が１．８×１０^-5／℃、湿度膨張係数が１．０×１０^-5
／℃と大きく、従って、周囲の温度、湿度により寸法変
化が生じ易く、その結果バイアホール位置やめっきレジ
ストパターンの位置にずれが発生してしまうという問題
がある。

【０００４】また、多層プリント配線板に限らずプリン
ト配線板の表層には、半田バンプなどの半田体を形成す
る際に他の回路部分等を保護すべくソルダーレジスト層
を設けるのが一般的である。このとき、ソルダーレジス
ト層において、感光性樹脂層を露光現像して半田体形成
のための開口部が設けられるのであるが、感光性樹脂層
の露光は、前記と同様、パターンが描画された樹脂製の
マスクフィルムを介して行われており、従って、この場
合においても前述した温度、湿度による寸法変化を生じ
て、半田体形成のための開口部の位置にズレが発生して
しまうという問題が残存している。

【０００５】本発明は前記従来の問題点を解消するため
になれたものであり、露光用マスク材としてマスクパタ
ーンが形成されたガラス基板を使用することにより、露
光用マスク材の寸法変化を抑制することが可能であり、
もってバイアホール、めっきレジストパターン、ソルダ
ーレジストパターンの位置ずれを防止することが可能で
あり、また、ガラス基板に描画されるマスクパターンを
設計値よりも拡大することにより、感光性樹脂層等が硬
化収縮した場合においても、設計値に沿った適正寸法の
最終製品を製造することが可能なプリント配線板の製造
方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
請求項１に係るプリント配線板の製造方法は、導体回路
が形成された樹脂基板上に感光性樹脂層を形成し、該感
光性樹脂層をマスクパターンが描画されたガラス基板を
介して露光し、これを現像してバイアホール形成用の開
口を設け、さらに感光性樹脂層を加熱硬化し、ついで前
記感光性樹脂層上に導体回路およびバイアホールを形成
するプリント配線板の製造方法おいて、前記ガラス基板
に描画されたマスクパターンは、設計値よりも拡大され
てなる。

【０００７】ここに、前記製造方法では、フォトマスク
がガラスであるため吸湿せず、また、線膨張係数もソー
ダライムガラスで８．５×１０^-6／℃、石英ガラスで
５．０×１０^-7／℃と小さいため湿度、温度による寸法
変化が殆どない。これにより、マスクパターンやレジス
トパターンに位置ずれが発生することはなく、その結
果、バイアホール位置、めっきレジストパターン位置、
ソルダーレジストパターン位置にもずれが発生すること
はない。また、湿度、温度による寸法変化が殆どないた
め、マスクを交換する必要がなく、量産に適している。

【０００８】フォトマスクとしては、例えば、遮光イン
クによりマスクパターンがガラス基板に描画されたもの
が望ましい。遮光インクによりマスクパターンが描画さ
れたガラス基板は、ガラス基板表面に１〜１０μｍ程度
の遮光インクで描画されたマスクパターン層がある（図
２４（ａ）参照）。具体的には、図２４（ａ）に示すガ
ラス基板１３において、その表面にマスクパターン層１
４が遮光インクにより形成されており、また、露光する
場合にはマスクパターン層１４の反対側から光を照射す
ることが望ましいため、マスクパターン層１４の反対側
のガラス基板１３の表面には反射防止膜１５が形成され
ていてもよい。また、マスクパターン層１４は透光性の
保護層１６で被覆されていてもよい。マスクパターン層
１４は、感光性の遮光インク組成物をガラス基板１３に
塗布し、これにレーザ光をスキャニングしてパターンを
描画し、酸やアルカリで現像してマスクパターン層１４
とする。

【０００９】また、金属層によりマスクパターンが描画
されたガラス基板は、ガラス基板上に１００〜１０００
オングストローム程度の金属層からなるマスクパターン
層がある（図２４（ｂ）参照）。具体的には、図２４
（ｂ）に示すガラス基板１３において、金属層１７は、
クロム層からなることが望ましい。酸などによるエッチ
ングにより鮮明なパターンを形成できること、酸化しに
くいことによる。また、クロム層の表面に酸化膜を形成
してもよい。

【００１０】ガラス基板として使用されるガラスは、厚
さ１〜１０ｍｍのソーダライムガラス、石英ガラスであ
ることが望ましい。ソーダライムガラスの線熱膨張係数
は、８．５×１０^-6／℃と小さく安価である。また、石
英ガラスの線熱膨張係数は、５．０×１０^-7／℃と極め
て小さい。

【００１１】さらに、本願発明の更に望ましい形態とし
ては、請求項２〜６に記載のものがある。

【００１２】請求項２に記載されているように、導体回
路が形成された樹脂基板上に感光性樹脂層を形成し、該
感光性樹脂層をマスクパターンが描画されたガラス基板
を介して露光し、これを現像してバイアホール形成用の
開口を開け、さらに感光性樹脂層を加熱硬化し、ついで
前記感光性樹脂層上に導体回路およびバイアホールを形
成する工程を少なくとも２回以上繰り返して、感光性樹
脂層および導体回路を積層するにあたり、各感光性樹脂
層は、設計値よりも拡大されたマスクパターンを描画し
たガラス基板を介して露光され、かつガラス基板に描画
されたマスクパターンの設計値に対する拡大率を表層に
近いほど小さくする。

【００１３】更に、請求項４に記載されているように、
熱硬化処理が施された樹脂基板上に感光性樹脂層を形成
し、この感光性樹脂層をマスクパターンが描画されたガ
ラス基板を介して露光し、レジストパターンを形成する
プリント配線板の製造方法において、前記ガラス基板に
描画されたマスクパターンは、設計値よりも拡大されて
なる。

【００１４】また、請求項５に記載されているように、
熱硬化処理が施された無電解めっき用接着剤層上に、め
っきレジスト形成のための感光性樹脂層を設け、この感
光性樹脂層をマスクパターンが描画されたガラス基板を
介して露光し、めっきレジストパターンを形成し、めっ
きを施す工程を少なくとも２回以上繰り返すプリント配
線板の製造方法において、各めっきレジスト形成のため
の感光性樹脂層は、設計値よりも拡大されたマスクパタ
ーンを描画したガラス基板を介して露光され、かつガラ
ス基板に描画されたマスクパターンの設計値に対する拡
大率を表層に近いほど小さくする。

【００１５】請求項１、２の発明では、層間樹脂絶縁層
を形成するための感光性樹脂を加熱硬化（ポストベー
ク）させて耐塩基性を向上させている。無電解めっき液
は強塩基性であるため、このような加熱が必要になる。
ところが、加熱より、樹脂基板や感光性樹脂が硬化収縮
してしまい、最終製品の寸法が設計値よりも小さくなっ
てしまう。設計値通りでなければ、ＩＣチップなどの半
導体部品を搭載できなくなり、プリント配線板として機
能しない。

【００１６】更に、このような感光性樹脂を多層化する
場合、樹脂基板や下層の感光性樹脂も同時に加熱してし
まうため、樹脂基板や下層の感光性樹脂がさらに硬化収
縮してしまうため、最終製品の寸法が設計値よりもさら
に小さくなってしまう。また、感光性樹脂を多層化する
場合、表面を平滑にするため、研磨を行う場合がある
が、研磨により樹脂基板の寸法は設計値よりも大きくな
る。

【００１７】例えば、図２５は、プリント配線板を多層
化する場合に、樹脂基板がどのように寸法変化するかを
表した図である。Ｘは基板のＸ軸方向、ＹはＹ軸方向の
寸法変化を調べたものである。は樹脂基板をバフ研磨
した段階、は最も内層（１−２層）の感光性樹脂層を
塗布する直前の段階、は２層目のめっきレジスト層形
成直前の段階、は次層（２−３層）の感光性樹脂層を
塗布する直前の段階、は３層目のめっきレジストを形
成する直前の段階である。この図２５から研磨により寸
法変化が大きくなり、加熱硬化により寸法が小さくな
り、最終的に最初の基板の大きさに対して−０．０２５
％のずれを発生することがわかる。

【００１８】このように、最終製品の寸法を設計値に合
わせなければならず、このためには、硬化収縮を見込ん
でガラス基板に設計値よりも拡大したマスクパターンを
描画する。設計値よりも拡大したマスクパターンであれ
ば、露光、現像処理した後の加熱硬化（ポストベーク）
で樹脂基板や感光性樹脂が収縮しても設計値に収束させ
ることができる。このような設計値に対して拡大したマ
スクパターンは、ガラス基板に描画しなければならな
い。樹脂フィルムにマスクパターンを描画しても吸湿や
温度変化でフィルムの大きさが変化し、マスクパターン
の大きさまで変化してしまい、樹脂基板や感光性樹脂の
硬化収縮のみならず、樹脂フィルムの寸法変化まで考慮
しなければならないからである。

【００１９】本願発明では、ガラス基板を使用してお
り、吸湿や温度変化によりガラス基板の大きさが変わら
ないため、マスクパターンの大きさの変動が極めて小さ
く、それゆえ硬化収縮の大きさ分を考慮してマスクパタ
ーンを拡大させておけば、確実に設計値に収束すること
ができるのである。

【００２０】さらに、感光性樹脂を多層化する場合は、
各感光性樹脂層の加熱により、樹脂基板および感光性樹
脂層がどれだけ硬化収縮するかを予め調べておき、収縮
に見合った拡大率でパターンを描画しておくことによ
り、最終的に設計値に収束させることができる。設計値
に対する拡大率は、プリント配線板の内層の感光性樹脂
層を露光するパターンほど大きくなり、表層に近い感光
性樹脂層を露光するパターンほど小さくなる。表層に近
い感光性樹脂層を露光する場合は、硬化収縮が進行して
樹脂基板の大きさが設計値に近くなるため、拡大率が低
くなるからである。前記マスクパターンは、設計値に対
して０．００１〜０．１００％大きく拡大されてなるこ
とが望ましい。片面３層（両面６層）のプリント配線板
の場合は、０．０３％程度の硬化収縮を、片面４層（両
面８層）のプリント配線板の場合は、０．０６％程度、
片面５層（両面１０層）のプリント配線板の場合は、
０．１００％程度の硬化収縮を見込む必要がある。

【００２１】請求項４〜６の発明では、めっきレジスト
やソルダーレジストを熱硬化処理された基板上に形成し
ている。例えば、めっきレジストは、請求項５のような
フルアディティブプロセスでは、無電解めっき用接着剤
層上に直接形成され、また、請求項６のようなセミアデ
ィティブプロセスでは、無電解めっき用接着剤層上に薄
く形成された無電解めっき膜上に形成され、いずれにし
ても無電解めっき用接着剤を加熱硬化（ポストベーク）
して耐塩基性を向上させている。

【００２２】ところが、加熱により、樹脂基板が硬化収
縮してしまい、最終製品の寸法が設計値よりも小さくな
ってしまう。設計値通りでなければ、ＩＣチップなどの
半導体部品を搭載できなくなったり、バイアホールの接
続不良を招いたりしてプリント配線板として機能しな
い。

【００２３】さらに、このような無電解めっき用接着剤
層を多層化する場合、樹脂基板をも同時に加熱してしま
うため、樹脂基板がさらに硬化収縮し、最終製品の寸法
が設計値よりも更に小さくなってしまう。また、樹脂基
板の平滑化のために研磨を行う場合があるが、研磨によ
り樹脂基板の寸法は設計値よりも大きくなる。

【００２４】このように、最終製品寸法を設計値に合わ
せなければならず、このためには、前述したように硬化
収縮を見込んでガラス基板に設計値よりも拡大したマス
クパターンを描画する。設計値より拡大したマスクパタ
ーンであれば、無電解めっき用接着剤層の加熱硬化（ポ
ストベーク）で樹脂基板が収縮しても設計値に収束させ
ることができる。また、前述のようにマスクパターン
は、ガラス基板に描画しなければならない。

【００２５】さらに、無電解めっき用接着剤を多層化す
る場合は、加熱により、樹脂基板がどれだけ硬化収縮す
るかを予め調べておき、収縮に見合った拡大率でパター
ンを描画しておくことにより、最終的に設計値に収束さ
せることができる。設計値に対する拡大率は、プリント
配線板の内層のめっきレジスト形成のためのパターンほ
ど大きくなり、表層に近いめっきレジスト形成のための
パターンほど小さくなる。表層に近いめっきレジストを
形成する場合は、硬化収縮が進行して樹脂基板の大きさ
が設計値に近くなるため、拡大率が低くなるからであ
る。前記マスクパターンは、設計値に対して０．０１〜
０．１００％大きく拡大されてなることが望ましい。片
面３層（両面６層）のプリント配線板の場合は、０．０
３％程度の硬化収縮を、片面４層（両面８層）のプリン
ト配線板の場合は、０．０６％程度の硬化収縮を、片面
５層（両面１０層）のプリント配線板の場合は、０．１
００％程度の硬化収縮を見込む必要がある。

【００２６】本願発明の請求項１〜７のプリント配線板
の製造方法においては、マスクパターンの拡大率は、
Ｘ、Ｙ方向で異なっていてもよい。また、請求項２、
５、６のプリント配線板の製造方法においては、原則と
してガラス基板に描画されたマスクパターンの設計値に
対する拡大率を表層に近いほど小さくするのであるが、
研磨などを行う場合は、基板が伸びてしまうため、より
表層に近い方のマスクパターンの設計値に対する拡大率
を、そのマスクパターンよりも内層側の感光性樹脂層を
露光するために使用するマスクパターンの拡大率より大
きなものを使用することができる。

【００２７】また、前記製造方法に適用されるプリント
配線板は特に限定されず、例えば、めっきレジストを形
成する場合には、無電解めっき用接着剤層が形成された
基板、無電解めっき用接着剤層に無電解めっき膜が形成
された基板などが適用できる。また、ソルダーレジスト
を形成する場合には、半田パッドとなる導体層を設けた
基板が適用される。

【００２８】更に、感光性樹脂層に関して、バイアホー
ル形成用の開口を設ける感光性樹脂層は、感光性の無電
解めっき用接着剤層を用いることが望ましい。この感光
性無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは
酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤
に難溶性の未硬化の感光性樹脂中に分散されてなるもの
が最適である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱
性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカ
ーからなる粗化面を形成できる。

【００２９】上記感光性無電解めっき用接着剤におい
て、特に硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、
平均粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒
径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒
子、平均粒径が２μｍ〜１０μｍの耐熱性粉末樹脂粉
末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合
物、平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面
に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉
末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒
子、から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いること
が望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成でき
るからである。

【００３０】また、めっきレジストやソルダーレジスト
を形成する場合の感光性樹脂組成物としては、特にクレ
ゾールノボラックやフェノールノボラック型エポキシ樹
脂のアクリレートとイミダゾール硬化剤からなる組成物
を用いることが望ましいが、他に市販品を使用すること
もできる。また、ソルダーレジストを形成する場合は、
フタロシアニングリーンなどの色素やアルミナ、シリカ
粒子などを添加してもよい。

【００３１】

【発明の実施の形態】次に、本発明に係るプリント配線
板の製造方法について、本発明のプリント配線板の製造
方法をセミアディティブ法につき具体化した実施形態に
基づき図面を参照しつつ説明する。尚、製造方法として
フルアディティブ法を採用してもよいことはいうまでも
ない。

【００３２】（１）まず、コア基板１の表面に内層銅パ
ターン（導体回路）２を形成した配線基板ＰＣを作製す
る（図１、図２）。このコア基板１への銅パターン２の
形成方法としては、銅張積層板をエッチングして行う
か、あるいは、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、
セラミック基板、金属基板などの基板に無電解めっき用
接着剤層を形成し、この接着剤層表面を粗化して粗化面
とし、ここに無電解めっきするか、もしくは全面無電解
めっき、めっきレジスト形成、電解めっき後、めっきレ
ジスト除去、エッチング処理し、電解めっき膜と無電解
めっき膜からなる導体回路を形成する方法がある。尚、
配線基板ＰＣの所定位置にはスルーホールＨが形成さ
れ、このスルーホールＨの内面及び開口部周縁部には銅
パターン２が形成される。

【００３３】尚、スルーホールの内壁、スルーホールの
ランドの側面、導体回路２の側面には粗化層が設けられ
ていることが望ましい。粗化層を側面に設けることによ
り、後述する充填樹脂１８との密着を改善でき、ヒート
サイクルに起因して、樹脂１８と導体回路２との境界を
起点としてその境界上の層間絶縁層に発生するクラック
を抑制することができるからである。

【００３４】次に、スルーホールＨの内部および配線板
ＰＣの導体回路２間には樹脂１８が充填されて、平滑性
が確保される（図３）。更に、上記配線基板ＰＣにおけ
る下層導体回路２の表面には、銅−ニッケル−リンから
なる粗化層５が形成される（図４）。粗化層５は、無電
解めっきにより形成される。めっき液組成としては、銅
イオン濃度、ニッケルイオン濃度、次亜リン酸イオン濃
度は、それぞれ２．２×１０^-2〜４．１×１０^-2ｍｏｌ
／ｌ、２．２×１０^-3〜４．１×１０^-3ｍｏｌ／ｌ、
０．２０〜０．２５ｍｏｌ／ｌであることが望ましい。

【００３５】この範囲で析出する被膜の結晶構造は針状
構造になるため、アンカー効果に優れるからである。無
電解めっき浴には上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を
加えてもよい。

【００３６】粗化層５の形成方法としては、この他に前
述した酸化−還元処理、銅表面を粒界に沿ってエッチン
グして粗化面を形成する方法などがある。具体的には、
酸化浴（黒化浴）としては、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、
ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）及びＮａ3ＰＯ4（６ｇ／
ｌ）からなる浴を用い、還元浴としては、ＮａＯＨ（１
０ｇ／ｌ）及びＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）からなる浴を用
いることが望ましい。

【００３７】尚、配線板ＰＣに形成されたスルーホール
Ｈを介して表面と裏面の銅パターン２が電気的に接続さ
れる。

【００３８】（２）次に、前記（１）で作製した配線基
板ＰＣの表面上に、感光性樹脂層６を形成する（図
５）。このとき、特に本実施形態の製造方法では、感光
性樹脂層６として前述した感光性無電解めっき用接着剤
を用いることが望ましい。

【００３９】（３）前記のように形成した感光性無電解
めっき用接着剤層６を乾燥した後、前述したバイアホー
ル形成のための円パターン（マスクパターン）１４が描
画されたガラス基板１３を、円パターン１４が感光性無
電解めっき用接着剤層６に密着するように載置し、露光
（図６）、現像処理する（図７）。これにより、バイア
ホール用開口Ｂが形成される。尚、図６では、ガラス基
板１３は配線板ＰＣの上面に載置した状態が示されてい
るが、配線板ＰＣの下面についても同様の処理が行われ
る。

【００４０】（４）次に、硬化した前記感光性無電解め
っき用接着剤層６の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を
酸あるいは酸化剤によって溶解除去し、接着剤層表面を
粗化処理する（図８）。

【００４１】ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、
硫酸などの無機酸、あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸が
あるが、特に有機酸を用いることが望ましい。粗化処理
した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を腐
食させにくいからである。

【００４２】一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過
マンガン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）を用いるこ
とが望ましい。

【００４３】（５）次に、接着剤層６の表面を粗化した
配線基板ＰＣに触媒核を付与する。触媒核の付与には、
貴金属イオンや貴金属コロイドなどを用いることが望ま
しく、一般的には、塩化パラジウムやパラジウムコロイ
ドを使用する。なお、触媒核を固定するために加熱処理
を行うことが望ましい。このような触媒核としてはパラ
ジウムがよい。

【００４４】（６）次に、無電解めっき用接着剤層６の
表面に無電解めっきを施し、粗化面全面に無電解めっき
膜３を形成する（図９）。無電解めっき膜３の厚みは１
〜５μｍ、より望ましくは２〜３μｍである。

【００４５】（７）続いて、前記のように形成した無電
解めっき膜３上に感光性樹脂フィルム（ドライフィル
ム）１９をラミネートし、また、めっきレジストパター
ン１４が描画されたガラス基板１３を、マスクパターン
１４が感光性樹脂フィルム１９を介して感光性無電解め
っき用接着剤層６に密着するように載置し、更に、露
光、現像処理する（図１０）。これにより、めっきレジ
スト層７が無電解めっき膜３上に形成される（図１
１）。尚、図１０では、配線板ＰＣの上面における処理
状態が図示されているが、配線板ＰＣの下面についても
同様の処理が行われる。

【００４６】（８）次に、めっきレジスト非形成部（め
っきレジスト層７が形成されていない部分）に電解めっ
き膜４を形成し、導体回路、ならびにバイアホール１０
０を設ける（図１２）。ここで、上記無電解めっきとし
ては、銅めっきを用いることが望ましい。

【００４７】（９）更に、めっきレジスト層７を除去し
た後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、
過硫酸アンモニウムなどのエッチング液で無電解めっき
膜３を溶解除去して、独立した導体回路とする（図１
３）。更に、露出した粗化面上の残留Ｐｄ触媒核をクロ
ム酸で除去する。

【００４８】（１０）続いて、バイアホール１００、導
体パターン４の表面に粗化層５を形成する（図１４）。
ここに、粗化層５の形成方法としては、エッチング処
理、研磨処理、酸化還元処理、めっき処理がある。酸化
還元処理は、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2
（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を酸化浴
（黒化浴）、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （５
ｇ／ｌ）を還元浴とする。

【００４９】また、銅−ニッケル−リン合金層による粗
化層５を形成する場合は無電解めっきにより析出させ
る。この合金の無電解めっき液としては、硫酸銅１〜４
０ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．１〜６．０ｇ／ｌ、クエン
酸１０〜２０ｇ／ｌ、次亜リン酸塩１０〜１００ｇ／
ｌ、ホウ酸１０〜４０ｇ／ｌ、界面活性剤０．０１〜１
０ｇ／ｌからなる液組成のめっき浴を用いることが望ま
しい。

【００５０】（１１）次に、前記処理により得られた配
線基板ＰＣ上に、感光性樹脂層として感光性無電解めっ
き用接着剤層６を形成する（図１５）。

【００５１】（１２）更に、前記（３）〜（９）の工程
を繰り返して行って更に上層の導体回路を設け、半田パ
ッドとして機能する導体層１０とバイアホール１００を
形成する（図１６乃至図１９）。

【００５２】（１３）次いで、必要に応じてバイアホー
ル、導体層、ランド等の表面に粗化層５を設ける（図２
０）。粗化層５の形成方法としては、（１０）で説明し
た方法と同様である。

【００５３】（１４）次に、前記（１２）の処理を終え
たプリント配線板ＰＣの両面に、ソルダーレジスト組成
物を塗布する（図２１）。プリント配線板ＰＣの両面に
ソルダーレジスト層８を塗布形成する際に、前記プリン
ト配線板ＰＣを垂直に立てた状態でロールコータの一対
の塗布用ロールのロール間に挟み、下側から上側へ搬送
させて配線基板ＰＣの両面にソルダーレジスト組成物を
同時に塗布することが望ましい。この理由は、現在のプ
リント配線板ＰＣの基本仕様は両面であり、カーテンコ
ート法（樹脂を滝のように上から下へ流し、この樹脂
の”カーテン”に基板をくぐらせて塗布する方法）で
は、片面しか塗布できないからである。ソルダーレジス
ト組成物は、粘度を２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓとするこ
とにより基板を垂直に立てて塗布しても流れず、また転
写も良好である。

【００５４】（１５）次に、ソルダーレジスト組成物の
塗膜を乾燥し、この塗膜に、開口部が円パターン１４と
して描画したガラス基板１３を円パターン１４が描画さ
れた側をソルダーレジスト層８に密着させて、露光、現
像処理することにより、パッド部分を露出させた開口部
を形成する（図２１）。また、プリント配線板ＰＣの反
対側面にはランドを露出させる。このようにして開口部
を形成したソルダーレジスト層８を、更に８０℃〜１５
０℃で１〜１０時間の熱処理により硬化させる。これに
より、開口部を有するソルダーレジストパターン層８は
導体回路の表面に設けた粗化層と密着する。

【００５５】（１６）次に、前記開口部から露出した前
記半田パッド、ランド部上に、ニッケル層１１−金層１
２からなる金属層を形成する。

【００５６】（１７）次に、前記開口部から露出した前
記半田パッド部上に半田体９、９０を供給する。（図２
２）。半田体９、９０の供給方法としては、半田転写法
や印刷法を用いることができる。ここで、半田転写法
は、プリプレグにはんだ箔を貼合し、このはんだ箔を開
口部分に相当する箇所のみを残してエッチングすること
により半田パターンを形成して半田キャリアフィルムと
し、この半田キャリアフィルムを、基板のソルダーレジ
スト開口部分にフラックスを塗布した後、半田パターン
がパッドに接触するように積層し、これを加熱して転写
する方法である。

【００５７】一方、印刷法は、パッドに相当する箇所に
貫通孔を設けたメタルマスクを基板に載置し、半田ペー
ストを印刷して加熱処理する方法である。

【００５８】以上説明した方法により、プリント配線板
ＰＣが製造される。

【００５９】

【実施例】以下、実施例に基づいて説明する。

【００６０】（実施例）（１）厚さ０．６ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなるコア基板１
の両面に１８μｍの銅箔がラミネートされてなる銅張積
層板を出発材料とした。この銅張積層板の銅箔を常法に
従いパターン状にエッチング、穴明け、無電解めっきを
施すことにより、基板の両面に内層導体回路２とスルー
ホールＨを形成した。基板上の内層導体回路及びスルー
ホール及びその内壁に前述した酸化（黒化）−還元処理
を行って、表面全体を粗化した。

【００６１】更に、下層導体回路２間、スルーホールＨ
内にビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を充填した。ビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂を硬化させた後、ベルトサ
ンダーおよびバフ研磨により研磨してビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂及び酸化（黒化）−還元処理による粗化
層を除去して内層導体回路上面及びスルーホールのラン
ド上面を露出させた。あらかじめＢＴ樹脂基板に設けた
穴の位置間隔を測定して、研磨前と研磨後の樹脂基板の
伸びを測定した（図２５の、）。２回の研磨により
基板の伸びは、Ｘ方向で約０．０１％、Ｙ方向で約０．
００７％であった。

【００６２】（２）前記（１）で内層銅パターンを形成
した基板を水洗いし、乾燥した後、その基板を酸性脱脂
してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有
機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、
この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケ
ル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナト
リウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．
１ｇ／ｌ、ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっき
を施し、銅導体回路の全表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金の厚
さ２．５μｍの粗化層５（凹凸層）を形成した。尚、導
体回路の側面、スルーホールのランド側面、スルーホー
ル内壁に存在する酸化−還元の粗化層は簡略化のため省
略した。

【００６３】更に、０．１ｍｏｌ／ｌホウふっ化スズ−
１．０ｍｏｌ／ｌチオ尿素液からなる無電解スズ置換め
っき浴に５０℃で１時間浸漬し、前記粗化層５の表面に
厚さ０．３μｍのスズ置換めっき層を設けた。

【００６４】（３）ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジ
メチルエーテル）に溶解したクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（日本化薬製、分子量２５００）の２５％ア
クリル化物を３５重量部、ポリエーテルスルフォン（Ｐ
ＥＳ）１２重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、
商品名：2E4MZ-CN）２重量部、感光性モノマーであるカ
プロラクトン変成トリス（アクロキシエチル）イソシア
ヌレート（東亜合成製、商品名：アロニックスＭ325 ）
４重量部、光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学
製）２重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東
化学製）０．２重量部、さらにこの混合物に対してエポ
キシ樹脂粒子の平均粒径３．０μｍのものを１０．３
重量部、平均粒径０．５μｍのものを３．０９重量部を
混合した後、ＮＭＰ（ノルマルメチルピロリドン）を３
０重量部添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で
粘度７Ｐａ・ｓに調整し、続いて３本ロールで混練して
感光性接着剤溶液（層間樹脂絶縁材）を得る。

【００６５】（４）前記（３）で得た感光性接着剤溶液
を、前記（２）の処理を終えた基板の両面に、ロールコ
ータを用いて塗布し、水平状態で２０分間放置してか
ら、６０℃で３０分間の乾燥を行い、厚さ６０μｍの接
着剤層６を形成した。

【００６６】（５）前記（４）で接着剤層６を形成した
基板の両面に、厚さ５μｍの遮光インクによってバイア
ホールと同形の円パターン（マスクパターン）１４が描
画された厚さ５ｍｍのソーダライムガラス基板１３を円
パターンが描画された側を接着剤層６に密着させて載置
し、紫外線を照射して露光した。マスクパターンは、設
計値よりも０．０３％大きめに形成されている。

【００６７】（６）露光した基板をＤＭＴＧ（トリエチ
レングリジメチルエーテル）溶液でスプレー現像するこ
とにより、接着剤層に１００μｍφのバイアホールとな
る開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯に
て３０００ｍＪ／ｃｍ2で露光し、１００℃で１時間、
その後１５０℃で５時間にて加熱処理することにより、
フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れ、開口
（バイアホール形成用開口）を有する厚さ５０μｍの接
着剤層を形成した。なお、バイアホールとなる開口に
は、粗化層を部分的に露出させる。

【００６８】（７）前記（５）、（６）でバイアホール
形成用開口を形成した基板を、クロム酸に２分間浸漬
し、接着剤層表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除
去して、当該接着剤層の表面を粗化し、その後、中和溶
液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した。

【００６９】（８）前記（７）で粗面化処理（粗化深さ
５μｍ）を行った基板に対し、パラジウム触媒（アトテ
ック製）を付与することにより、接着剤層およびバイア
ホール用開口の表面に触媒核を付与した。この段階で
（図２５の）では、樹脂基板の最初の大きさに対して
Ｘ方向で約−０．００９％、Ｙ方向で約−０．００２％
程度の寸法変化を示している。従って、約０．０２％の
寸法変化である。よって、設計値よりも０．０３％より
大きめのマスクパターンで形成されたバイアホール用開
口は、設計値よりも０．０１％大きなものとなる。

【００７０】（９）以下の組成の無電解銅めっき浴中に
基板を浸漬して、粗面全体に厚さ３μｍの無電解銅めっ
き膜３を形成した。

【００７１】無電解めっき液ＥＤＴＡ１５０ｇ／ｌ硫酸銅２０ｇ／ｌＨＣＨＯ３０ｍｌ／ｌＮａＯＨ４０ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル８０ｍｇ／ｌＰＥＧ０．１ｇ／ｌ無電解めっき条件７０℃の液温度で３０分（１０）市販の感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）
を無電解銅めっき膜に張り付けるともに、厚さ６００オ
ングストロームのクロム層によって、めっきレジスト非
形成部分がマスクパターン１４として描画された厚さ５
ｍｍのソーダライムガラス基板１３を、クロム層が形成
された側を感光性樹脂フィルムに密着させて、１１０ｍ
Ｊ／ｃｍ²で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理
し、厚さ１５μｍのめっきレジストパターン７を設け
た。マスクパターンは、設計値よりも０．００８％大き
めに形成されている。

【００７２】（１１）ついで、以下の条件で電解銅めっ
きを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜４を形成し
た。

【００７３】電解めっき液硫酸１８０ｇ／ｌ硫酸銅８０ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製商品名カパラシドＧＬ）１ｍｌ／ｌ電解めっき条件電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間３０分温度室温（１２）めっきレジスト７を５％ＫＯＨで剥離除去した
後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングを行い、無電
解めっき膜３を溶解除去して無電解銅めっき膜３と電解
銅めっき膜４からなる厚さ１８μｍの内層導体回路を形
成した。更に、８００ｇ／ｌのクロム酸に１〜２分浸漬
して残留Ｐｄ触媒核を除去した。

【００７４】（１３）導体回路を形成した基板を、硫酸
銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１５
ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１
ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無
電解めっき液に浸漬し、該導体回路の表面に厚さ３μｍ
の銅−ニッケル−リンからなる粗化層５を形成した。

【００７５】粗化層５をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）
で分析したところ、Ｃｕ（９８ｍｏｌ％）、Ｎｉ（１．
５ｍｏｌ％）、Ｐ（０．５ｍｏｌ％）の組成比を示し
た。

【００７６】そしてさらに、その基板を水洗いし、０．
１ｍｏｌ／ｌホウふっ化スズ−１．０ｍｏｌ／ｌチオ尿
素液からなる無電解スズ置換めっき浴に５０℃で１時間
浸漬し、前記粗化層の表面に厚さ０．３μｍのスズ置換
めっき層を形成した。この段階（図２５の）では、樹
脂基板は最初の大きさに対してＸ方向、Ｙ方向とも約−
０．０１０％の寸法変化を示している。

【００７７】（１４）（４）〜（１３）の工程を繰り返
すことにより、さらに半田パッドを形成し、その表面に
粗化層５を設けた。但し、粗化層表面はスズ置換めっき
層を形成しなかった。バイアホール形成のためのマスク
パターンは、設計値よりも０．００３％大きめに形成さ
れている。また、めっきレジスト形成のためのマスクパ
ターンは、設計値通りの大きさである。

【００７８】尚、めっきレジスト形成直前の段階（図２
５の）では、樹脂基板は最初の基板の大きさに対して
Ｘ方向で−０．０２５％、Ｙ方向で−０．０２０％の寸
法変化を示している。

【００７９】（１５）一方、ＤＭＤＧに溶解させた６０
重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化
薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与
のオリゴマー（分子量４０００）を４６．６７重量部、
メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート10
01）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成
製、商品名：2E4MZ-CN）１．６重量部、感光性モノマー
である多価アクリルモノマー（日本化薬製、商品名：Ｒ
604 ）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄社
化学製、商品名：DPE6A ）１．５重量部、分散系消泡剤
（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−65）０．７１重量部を
混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベ
ンゾフェノン（関東化学製）を２重量部、光増感剤とし
てのミヒラーケトン（関東化学製）を０．２重量部加え
て、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得た。

【００８０】なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計
器、 DVL-B型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．
４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。

【００８１】（１６）基板にソルダーレジスト組成物を
２０μｍの厚さで塗布した。

【００８２】（１７）次いで、７０℃で２０分間、７０
℃で３０分間の乾燥処理を行った後、厚さ６００オング
ストロームのクロム層によって、ソルダーレジスト開口
部の円パターン（マスクパターン）１４が描画された厚
さ５ｍｍのソーダライムガラス基板１３を、クロム層が
形成された側をソルダーレジスト層に密着させて１００
０ｍＪ／ｃｍ²の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理し
た。

【００８３】さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時
間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱
処理し、半田パッドの上面、バイアホールおよびランド
部分を開口した（開口径２００μｍ）ソルダーレジスト
パターン層８（厚み２０μｍ）を形成した。

【００８４】（１８）次に、ソルダーレジストパターン
層を形成した基板を、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜リ
ン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ
／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０
分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層
を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム
２ｇ／ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナト
リウム５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌか
らなる無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬
して、ニッケルめっき層１１上に厚さ０．０３μｍの金
めっき層１２を形成した。

【００８５】（１９）そして、ソルダーレジストパター
ン層の開口部に、はんだペーストを印刷して２００℃で
リフローすることによりはんだバンプ（半田体）９を形
成し、はんだバンプを有するプリント配線板を製造し
た。

【００８６】前記したプリント配線板の製造方法によれ
ば、従来の樹脂製フォトマスクフィルムで見られたバイ
アホールの位置ずれ、レジストパターンの位置ずれを完
全に防止することができる。量産時においては、従来１
〜５％の位置ずれ不良が見られたが、前記製造方法によ
ればこのような不良の発生を防止できる。

【００８７】また、ガラス基板からなるフォトマスク
は、温度、湿度による寸法変化がなく、数十回の露光が
可能である。露光回数とマスクの寸法変化との関係を図
２３に示す。図２３において、横軸は露光回数、縦軸は
マスク寸法変化量（μｍ）を表す。また、角丸印はガラ
ス基板からなるフォトマスクを使用して行った実験結果
を示し、黒丸印は従来の樹脂製フォトマスクを使用して
行った実験結果を示す。

【００８８】図２３から明らかなように、ガラス基板の
フォトマスクを使用した場合には、露光回数が５０回程
度まではマスク寸法に殆ど変化が発生しないことが分か
る。これに対して、樹脂製フォトマスクを使用した場合
には、露光回数が５０回程度の範囲においても、マスク
寸法が大きく変化することが分かり、また、露光回数が
増加するに従ってマスク寸法の変化が大きくなってい
く。

【００８９】これらの実験結果から、樹脂製のフォトマ
スクを使用する場合に比して、ガラス基板製のフォトマ
スクを使用する場合の方が、マスク寸法の変化は少な
く、従って、極めて精度良くバイアホール、めっきレジ
ストパターン、ソルダーレジストパターンの位置ずれを
防止することができるものである。

【００９０】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明に係るプリン
ト配線板の製造方法によれば、フォトマスクの寸法変化
を抑制でき、その結果、バイアホールの位置ずれ、ま
た、めっきレジストパターン、ソルダーレジストパター
ンの位置ずれを完全に防止することができる。また、ガ
ラス基板に描画されるマスクパターンを設計値よりも拡
大することにより、感光性樹脂層等が硬化収縮した場合
においても、プリント配線板の寸法を設計値に収束させ
ることができる。

【００９１】このように、本発明は、露光用マスク材と
してマスクパターンが形成されたガラス基板を使用する
ことにより、露光用マスク材の寸法変化を抑制すること
が可能であり、もってバイアホール、めっきレジストパ
ターン、ソルダーレジストパターンの位置ずれを防止す
ることが可能であり、また、ガラス基板に描画されるマ
スクパターンを設計値よりも拡大することにより、感光
性樹脂層等が硬化収縮した場合においても、設計値に沿
った適正寸法の最終製品を製造することが可能なプリン
ト配線板の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】コア基板の断面図である。

【図２】内層銅パターンを形成した配線板の断面図であ
る。

【図３】内層銅パターン間及びスルーホール内部に樹脂
を充填した状態の配線板の断面図である。

【図４】内層銅パターンに粗化層を形成した配線板の断
面図である。

【図５】内層銅パターン上に感光性樹脂層を形成した配
線板の断面図である。

【図６】感光性樹脂層上にガラス基板を載置して露光を
行っている状態を示す配線板の断面図である。

【図７】感光性樹脂層を現像した後の配線板の断面図で
ある。

【図８】感光性樹脂層を粗化処理した後の配線板の断面
図である。

【図９】感光性樹脂層上に無電解めっき膜を形成した配
線板の断面図である。

【図１０】無電解めっき膜上のドライフィルム上にガラ
ス基板を載置して露光を行っている状態を示す配線板の
断面図である。

【図１１】無電解めっき膜上にめっきレジスト層を形成
した配線板の断面図である。

【図１２】電解メッキ膜を形成した配線板の断面図であ
る。

【図１３】導体回路を形成した配線板の断面図である。

【図１４】導体回路に粗化層を形成した配線板の断面図
である。

【図１５】感光性樹脂層を形成した配線板の断面図であ
る。

【図１６】感光性樹脂層に粗化層を形成した配線板の断
面図である。

【図１７】感光性樹脂層の粗化層上に無電解めっき膜を
形成した配線板の断面図である。

【図１８】無電解めっき膜上に電解メッキ膜を形成した
配線板の断面図である。

【図１９】導体層とバイアホールを形成した配線板の断
面図である。

【図２０】導体層とバイアホールに粗化層を形成した配
線板の断面図である。

【図２１】ソルダーレジスト層上にガラス基板を載置し
て露光を行っている状態を示す配線板の断面図である。

【図２２】ソルダーレジスト層の開口部に半田体を供給
した配線板の断面図である。

【図２３】露光回数とマスクの寸法変化との関係を示す
グラフである。

【図２４】ガラス基板を模式的に示す断面図である。

【図２５】プリント配線板を多層化する場合に、樹脂基
板がどのように寸法変化するかを表した図である。

【符号の説明】

１コア基板２内層導体回路３無電解銅めっき膜４電解銅めっき膜５粗化層６感光性樹脂層（感光性無電解めっき用接着剤
層）７めっきレジスト８ソルダーレジスト９、９０半田体（半田バンプ）１０半田パッド１１ニッケル層１２金層１３ガラス基板１４マスクパターンＰＣ配線板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平５−63366（ＪＰ，Ａ) 特開平４−162642（ＪＰ，Ａ) 特開平５−323574（ＪＰ，Ａ) 特開平８−335780（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/46

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】導体回路が形成された樹脂基板上に感光
性樹脂層を形成し、該感光性樹脂層をマスクパターンが
描画されたガラス基板を介して露光し、これを現像して
バイアホール形成用の開口を開け、さらに感光性樹脂層
を加熱硬化し、ついで前記感光性樹脂層上に導体回路お
よびバイアホールを形成するプリント配線板の製造方法
において、前記ガラス基板に描画されたマスクパターン
は、設計値よりも拡大されてなることを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法。
【請求項２】導体回路が形成された樹脂基板上に感光
性樹脂層を形成し、該感光性樹脂層をマスクパターンが
描画されたガラス基板を介して露光し、これを現像して
バイアホール形成用の開口を開け、さらに感光性樹脂層
を加熱硬化し、ついで前記感光性樹脂層上に導体回路お
よびバイアホールを形成する工程を少なくとも２回以上
繰り返して、感光性樹脂層および導体回路を積層するに
あたり、各感光性樹脂層は、設計値よりも拡大されたマスクパタ
ーンを描画したガラス基板を介して露光され、かつガラ
ス基板に描画されたマスクパターンの設計値に対する拡
大率を表層に近いほど小さくすることを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法。
【請求項３】前記マスクパターンは、設計値に対して
０．００１〜０．１００％大きく拡大されている請求項
１又は２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】熱硬化処理が施された樹脂基板上に感光
性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層をマスクパターン
が描画されたガラス基板を介して露光し、レジストパタ
ーンを形成するプリント配線板の製造方法において、前記ガラス基板に描画されたマスクパターンは、設計値
よりも拡大されてなることを特徴とするプリント配線板
の製造方法。
【請求項５】熱硬化処理が施された無電解めっき用接
着剤層上に、めっきレジスト形成のための感光性樹脂層
を設け、この感光性樹脂層をマスクパターンが描画され
たガラス基板を介して露光し、めっきレジストパターン
を形成し、めっきを施す工程を少なくとも２回以上繰り
返すプリント配線板の製造方法において、各めっきレジスト形成のための感光性樹脂層は、設計値
よりも拡大されたマスクパターンを描画したガラス基板
を介して露光され、かつガラス基板に描画されたマスク
パターンの設計値に対する拡大率を表層に近いほど小さ
くすることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項６】熱硬化処理が施された無電解めっき用接
着剤層上に、無電解めっき膜を形成し、ついでめっきレ
ジスト形成のための感光性樹脂層を設け、この感光性樹
脂層をマスクパターンが描画されたガラス基板を介して
露光し、めっきレジストパターンを形成し、無電解めっ
きを施し、めっきレジストパターンを除去して、めっき
レジスト下の無電解めっき膜を溶解除去する工程を少な
くとも２回以上繰り返すプリント配線板の製造方法にお
いて、各めっきレジスト形成のための感光性樹脂層は、設計値
よりも拡大されたマスクパターンを描画したガラス基板
を介して露光され、かつガラス基板に描画されたマスク
パターンの設計値に対する拡大率を表層に近いほど小さ
くすることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項７】前記マスクパターンは、設計値に対して
０．００１〜０．１００％大きく拡大されてなる請求項
４〜１３のいずれか一つに記載のプリント配線板の製造
方法。